JPH02290329A - Logic circuit - Google Patents

Logic circuit

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Publication number
JPH02290329A
JPH02290329A JP1178433A JP17843389A JPH02290329A JP H02290329 A JPH02290329 A JP H02290329A JP 1178433 A JP1178433 A JP 1178433A JP 17843389 A JP17843389 A JP 17843389A JP H02290329 A JPH02290329 A JP H02290329A
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JP
Japan
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transistor
level
terminal
low
base
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Pending
Application number
JP1178433A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshie Nakabayashi
中林 祥恵
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/01Modifications for accelerating switching
    • H03K19/013Modifications for accelerating switching in bipolar transistor circuits

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  • Logic Circuits (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)

Abstract

PURPOSE:To lead the level of an output terminal to logic H without a malfunction by providing a current absorbing means, activating the means in response to the L level designation of L, H designation signal and absorbing a current given to the control electrode of a transistor(TR) provided between a high level point and the output terminal. CONSTITUTION:While the level of an input terminal 33 is logic L, when the level is lowered up to 1.5V, the level is equal to a voltage between the bases of TRs Q42, 41, which are turned on and the current path of a current absorbing circuit 80 from the base of a TR Q9 to a low level power connection terminal 32 is established and the base current of the TR Q9 is extracted at the high speed. While the level of the terminal 33 is logic L, the TR Q1 is turned on and TRs Q2, Q3 and diodes 10, 43, 44 are turned off, the base level of the TRs Q42, 41 is equal to each other and the TRs keep the ON state and the current absorbing circuit 80 is activated. When the level at the terminal 32 is lowered, the base current flows to a FET 9, while the base level of a FET 42 is nearly 2V with respect to the terminal 33 and the level of the FET 42 is nearly 2V with respect to the terminal 32, and since the difference is slight, the circuit 80 is kept active and the base current to the FET 9 is absorbed immediately by the low level power connection terminal 32 and the FET 9 is not turned on. Thus, when the level of the input terminal 33 is logic L, even when the level of the terminal 32 is lowered, the level of the output terminal 34 is not tentatively inverted.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は論理回路に関し、特に例えばALSTTL(
^dvance Low Power Schottk
y Transistor−Transistor L
ogic)の出力回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to logic circuits, particularly for example ALSTTL (
^dvance Low Power Schottk
y Transistor-Transistor L
This relates to the output circuit of Logic.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第3図は1987年版三菱半導体データブック<ALS
TTL>編に開示された半導体集積回路M74ALS2
44APの出力回路の一部を示す回路図である。この出
力回路は、高雷位mR接続用端子31と低電位電源接続
用端子32間に接続されたPNP }ランジスタ1、シ
ョットキクランプ付NPN }ランジスタ2〜8,NP
NI−ランジスタ9,PN接合ダイオード10,ショッ
トキバリアダイオード11〜14,抵抗15〜23を含
み、人力端子33に与えられた信号の非反転信号を出力
端子34に出力するように構成されている。
Figure 3 shows the 1987 Mitsubishi Semiconductor Data Book <ALS
Semiconductor integrated circuit M74ALS2 disclosed in TTL>
FIG. 2 is a circuit diagram showing a part of the output circuit of 44AP. This output circuit consists of PNP } transistor 1, NPN with Schottky clamp } transistor 2 to 8, NP connected between high voltage level mR connection terminal 31 and low potential power supply connection terminal 32.
It includes an NI-transistor 9, a PN junction diode 10, Schottky barrier diodes 11-14, and resistors 15-23, and is configured to output a non-inverted signal of the signal applied to the human power terminal 33 to the output terminal 34.

人力端子33の電位がロウレベルのとき、トランジスタ
1,4.7がオン、トランジスタ2,3,8.9がオフ
して、出力端子34の電位はロウレベルとなる。入力端
子33の電位がロウレベルからハイレベルに変化すると
、トランジスタ1がオフし、次にトランジスタ2,3.
4が順にオン,オン,オフする。トランジスタ4のオフ
によってトランジスタ7がオフし、またトランジスタ8
,9がオンする。その結果、出力端子34の電位はロウ
レベルからハイレベルに変化する。
When the potential of the human input terminal 33 is at a low level, transistors 1, 4.7 are turned on, transistors 2, 3, and 8.9 are turned off, and the potential of the output terminal 34 is at a low level. When the potential of the input terminal 33 changes from low level to high level, transistor 1 is turned off, and then transistors 2, 3, .
4 turns on, on, and off in sequence. When transistor 4 is turned off, transistor 7 is turned off, and transistor 8 is also turned off.
, 9 are turned on. As a result, the potential of the output terminal 34 changes from low level to high level.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

従来の論理回路は以上のように構成されているので、ノ
イズ等によって低電位電源接続用端子32の電位が著し
く低下すると、入力端子33にロウレベルの信号が与え
られているときに出力端子34の電位が一時的に/\イ
レベルになるという問題点があった。すなわち、入力端
子33の電位がロウレベルのとき、トランジスタ1がオ
ンするので、トランジスタ2のベース電位は低下し、こ
のためトランジスタ2,3およびダイオード10はオフ
する。ところが、低電位電源接続用端子32の電位が、
トランジスタ2のベース電位よりもトランジスタ2,3
およびダイオード10の総しきい電圧以上に低くなると
、トランジスタ2.3およびダイオード10がオンする
。トランジスタ3,ダイオード10がオンするとトラン
ジスタ4がオフし、これを受けてトランジスタ7がオン
からオフ、トランジスタ8.9がオフからオンに変化す
る。その結果、入力端子33のロウレベルに応答してロ
ウレベルであるべき出力端子34の電位が、低電位電源
接続用端子32の電位が回復するまでノ間、一時的にハ
イレベルになってしまう。
Since the conventional logic circuit is configured as described above, if the potential of the low-potential power supply connection terminal 32 decreases significantly due to noise or the like, the output terminal 34 will change when a low-level signal is applied to the input terminal 33. There was a problem that the potential temporarily became /\I level. That is, when the potential of the input terminal 33 is at a low level, the transistor 1 is turned on, so the base potential of the transistor 2 is lowered, and therefore the transistors 2 and 3 and the diode 10 are turned off. However, the potential of the low potential power supply connection terminal 32 is
Transistors 2 and 3 are lower than the base potential of transistor 2.
When the voltage becomes lower than the total threshold voltage of diode 10, transistor 2.3 and diode 10 are turned on. When transistor 3 and diode 10 are turned on, transistor 4 is turned off, and in response to this, transistor 7 changes from on to off, and transistors 8 and 9 change from off to on. As a result, the potential of the output terminal 34, which should be at a low level in response to the low level of the input terminal 33, temporarily becomes a high level until the potential of the low potential power supply connection terminal 32 recovers.

この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、低電位電源接続用端子の電位がノイズ等によ
り低下しても、出力端子の信号レベルが変化することの
ない論理回路を得ることを目的とする。
This invention was made to solve the above-mentioned problems, and it provides a logic circuit in which the signal level of the output terminal does not change even if the potential of the low-potential power supply connection terminal decreases due to noise etc. The purpose is to obtain.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

この発明に係る論理回路は、出力端子のロウ,ハイを指
定する信号を受ける人力手段と、制御電極が入力手段に
作動的に結合されるとともに、第1および第2電極がそ
れぞれ高電位点および出力端子に接続され、出力端子の
ロウ,ハイを指定する信号のハイの指定に応答してオン
し、ロウの指定に応答してオフする第1のトランジスタ
と、制御電極が入力手段に作動的に結合されるとともに
、第1および第2電極がそれぞれ出力端子および低電位
点に接続され、出力端子のロウ,ハイを指定する信号の
ロウの指定に応答してオンし、ハイの指定に応答してオ
フする第2のトランジスタと、第1のトランジスタの制
御電極および入力手段に接続され、入力手段に与えられ
る出力端子のロウ,ハイを指定する信号のロウの指定に
応答して能動化されて第1のトランジスタの制御電極に
与えられる電流を吸収する電流吸収手段とを設けたもの
である。
In the logic circuit according to the present invention, a human power means for receiving a signal specifying low or high of an output terminal, a control electrode is operatively coupled to the input means, and the first and second electrodes are connected to a high potential point and a high potential point, respectively. A first transistor connected to the output terminal and turned on in response to a high designation of a signal that designates low or high of the output terminal and turned off in response to a low designation, and a control electrode that is operatively connected to the input means. The first and second electrodes are connected to the output terminal and the low potential point, respectively, and turn on in response to a low designation of a signal that designates low or high of the output terminal, and in response to a high designation. a second transistor that is connected to the control electrode of the first transistor and the input means, and is activated in response to a low designation of a signal that designates low or high of the output terminal applied to the input means; and current absorbing means for absorbing the current applied to the control electrode of the first transistor.

〔作用〕[Effect]

この発明における電流吸収手段は、出力端子のロウ.ハ
イを指定する信号のロウの指定に応答して能動化されて
、高電位点と出力端子との間に設けられた第1のトラン
ジスタの制御電極に与えられる電流を吸収する。したが
ってロウの指定のときに、出力端子をハイに導くための
第1のトランジスタが誤ってオンすることはない。
The current absorbing means in this invention is the output terminal row. It is activated in response to designation of a low signal that designates high, and absorbs the current applied to the control electrode of the first transistor provided between the high potential point and the output terminal. Therefore, when specifying low, the first transistor for guiding the output terminal to high will not be erroneously turned on.

〔実施例〕〔Example〕

第1図はこの発明による論理回路の一実施例を示す回路
図である。この論理回路は、第3図に示す従来の論理回
路に、PNP }ランジスタ41,ショットキクランプ
付NPN }ランジスタ42,PN接合ダイオード43
およびショットキバリアダイオード44.45より成る
電流吸収回路80を追加した構成を有している。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a logic circuit according to the present invention. This logic circuit is constructed by adding a PNP transistor 41, an NPN transistor with Schottky clamp 42, and a PN junction diode 43 to the conventional logic circuit shown in FIG.
It also has a configuration in which a current absorption circuit 80 consisting of Schottky barrier diodes 44 and 45 is added.

第1図において、入力端子33とショットキクランプ付
NPN }ランジスタ4のベースとの間には、入力端子
33に与えられた信号のレベルを反転させてトランジス
タ4のベースに与えるための、バッファとして働くイン
バータ50が設けられている。インバータ50は、入力
端子33にベースが接続されたPNP l−ランジスタ
1と、このトランジスタ1のエミッタにベースが接続さ
れたショットキクランプ付NPNトランジスタ2と、ト
ランジスタ2のエミッタにアノード、トランジスタ1の
ベースにカソードがそれぞれ接続されたショットキバリ
アダイオード12と、トランジスタ2のエミッタにベー
スが接続されたショットキクランプ付NPN }ランジ
スタ3と、このトランジスタ3のエミッタにアノード、
低電位電源接続用端子32にカソードがそれぞれ接続さ
れたPN接合ダイオード10より成る。ダイオード12
は、入力端子33の電位がハイレベルからロウレベルに
反転したときにトランジスタ3のベース電荷を引抜き、
トランジスタ3のターンオフを早める役目をする。トラ
ンジスタ1のエミッタとトランジスタ2のベースとの接
続点は抵抗15を介して高電位fT!ll接続用端子3
1に接続され、トランジスタ1のコレクタは低電位電源
接続用端子32に接続される。トランジスタ2のコレク
タはシヨ・ソl・キバリアダイオード44のカソードに
接続される。
In FIG. 1, a buffer is provided between the input terminal 33 and the base of the Schottky clamped NPN transistor 4 to invert the level of the signal applied to the input terminal 33 and apply it to the base of the transistor 4. An inverter 50 is provided. The inverter 50 includes a PNP l-transistor 1 whose base is connected to the input terminal 33, an NPN transistor 2 with a Schottky clamp whose base is connected to the emitter of the transistor 1, an anode to the emitter of the transistor 2, and an anode to the base of the transistor 1. an NPN transistor 3 with a Schottky clamp whose base is connected to the emitter of the transistor 3; an anode connected to the emitter of the transistor 3;
It consists of PN junction diodes 10 each having a cathode connected to a terminal 32 for connecting a low potential power source. diode 12
extracts the base charge of the transistor 3 when the potential of the input terminal 33 is reversed from high level to low level,
It serves to hasten the turn-off of transistor 3. The connection point between the emitter of transistor 1 and the base of transistor 2 is connected to a high potential fT! via a resistor 15. ll connection terminal 3
1, and the collector of the transistor 1 is connected to the low potential power supply connection terminal 32. The collector of the transistor 2 is connected to the cathode of the horizontal-sol-chivalry diode 44.

またインバータ50の出力を与えるトランジスタ3のコ
レクタは、トランジスタ4のベースに接続されるととも
に、抵抗17を介して高電位電源接続用端子31に接続
される。
Further, the collector of the transistor 3 which provides the output of the inverter 50 is connected to the base of the transistor 4 and also connected to the high potential power supply connection terminal 31 via the resistor 17.

トランジスタ4のエミツタは、アクティブプルダウン回
路として働《スクエア回路60を介して、ショットキク
ランプ付NPN }ランジスタ7のベースに接続される
。トランジスタ7のコレクタは出力端子34に接続され
、エミ・ソタは低電位電源接続用端子32に接続される
。スクエア回路60は、ショットキクランプ付NPN 
トランジスタ6および抵抗21.22より成る。トラン
ジスタ6のベースは抵抗21を介して、またコレクタは
抵抗22を介して、トランジスタ4のエミ・ソタとトラ
ンジスタ7のベースとの接続点にそれぞれ接続され、ま
たエミッタは低電位電源接続用端子32に接続される。
The emitter of the transistor 4 serves as an active pull-down circuit and is connected to the base of an NPN transistor 7 with a Schottky clamp via a square circuit 60. The collector of the transistor 7 is connected to the output terminal 34, and the emitter and the output terminal are connected to the low potential power supply connection terminal 32. Square circuit 60 is NPN with Schottky clamp
It consists of a transistor 6 and resistors 21 and 22. The base of the transistor 6 is connected to the connection point between the emitter and the base of the transistor 7 through a resistor 21 and the collector through a resistor 22, respectively, and the emitter is connected to a terminal 32 for connecting a low potential power supply. connected to.

スクエア回路60は、トランジスタ7のターンオフ時に
トランジスタ7のベース電荷を引抜いてそのターンオフ
を早めたり、トランジスタ7のベースに過剰なベース電
流が供給されたときにその一部を低電位側へ流す役目を
する。
The square circuit 60 has the role of extracting the base charge of the transistor 7 when the transistor 7 is turned off to hasten the turn-off, or to flow a part of the base current to the low potential side when an excessive base current is supplied to the base of the transistor 7. do.

トランジスタ4のコレクタは、機能的には1つのトラン
ジスタ素子と等価である出力ダーリントン回路70に接
続されるとともに、抵抗18を介して高電位電源接続用
端子31に接続される。出力ダーリントン回路70は、
ショットキクランプ付NPN トランジスタ8およびN
PN トランジスタ9より成る。トランジスタ8のベー
スはトランジスタ4のコレクタに、コレクタはトランジ
スタ9のコレクタに、エミッタはトランジスタ9のべ−
スにそれぞれ接続される。トランジスタ9のエミッタは
出力端子34に接続され、コレクタは抵抗20を介して
高電位電源接続用端子31に接続される。トランジスタ
9のベースはプルダウン抵抗23を介して低電位電源接
続用端子32に接続される。
The collector of the transistor 4 is connected to an output Darlington circuit 70, which is functionally equivalent to one transistor element, and is also connected to a high potential power supply connection terminal 31 via a resistor 18. The output Darlington circuit 70 is
NPN transistor 8 and N with Schottky clamp
It consists of a PN transistor 9. The base of transistor 8 is connected to the collector of transistor 4, the collector is connected to the collector of transistor 9, and the emitter is connected to the base of transistor 9.
each connected to the The emitter of the transistor 9 is connected to the output terminal 34, and the collector is connected to the high potential power supply connection terminal 31 via the resistor 20. The base of the transistor 9 is connected to a low potential power supply connection terminal 32 via a pull-down resistor 23.

出力端子34とトランジスタ4のコレクタとの間には、
ショットキバリアダイオード]3とショットキクランプ
付NPN }ランジスタ5とが直列に接続されている。
Between the output terminal 34 and the collector of the transistor 4,
A Schottky barrier diode] 3 and an NPN transistor 5 with a Schottky clamp are connected in series.

トランジスタ5のエミツタはトランジスタ4のコレクタ
に、コレクタはダイオード13のカソードに、ベースは
抵抗19を介して高電位電源接続川端子31にそれぞれ
接続される。ダイオード13のアノードは出力端子34
に接続される。トランジスタ5は、トランジスタ7のタ
ーンオン時にオンして、出力端子34よりI・ランジス
タ7のベースにトランジスタ4を介してベース電流を供
給し、トランジスタ7のターンオンを早める役目をする
。ダイオード13は電流の逆流防止用である。
The emitter of the transistor 5 is connected to the collector of the transistor 4, the collector to the cathode of the diode 13, and the base to the high potential power supply connection terminal 31 via a resistor 19. The anode of the diode 13 is the output terminal 34
connected to. The transistor 5 is turned on when the transistor 7 is turned on, and serves to supply a base current from the output terminal 34 to the base of the I transistor 7 via the transistor 4, thereby speeding up the turn-on of the transistor 7. The diode 13 is for preventing current backflow.

入力端子33と低電位電源接続用端子32との間には、
入力端子33のロウレベルの電位がアンダーシュートし
たときに低電位電源接続用端子32から入力端子33に
電流を供給するための入力クランプショットキバリアダ
イオード11が接続されている。また出力端子34と低
電位電源接続川端子32との間には、出力端子34のロ
ウレベルの電位がアンダーシュートしたときに低電位電
源接続用端子32から出力端子34に電流を供給するた
めの出力クランプショットキバリアダイオード14が接
続されている。
Between the input terminal 33 and the low potential power supply connection terminal 32,
An input clamp Schottky barrier diode 11 is connected to supply current from the low potential power supply connection terminal 32 to the input terminal 33 when the low level potential of the input terminal 33 undershoots. Further, between the output terminal 34 and the low-potential power supply connection terminal 32, there is provided an output for supplying current from the low-potential power supply connection terminal 32 to the output terminal 34 when the low-level potential of the output terminal 34 undershoots. A clamp Schottky barrier diode 14 is connected.

出力ダーリントン回路70内のトランジスタ9のベース
は、入力端子33の電位がロウレベルのときにトランジ
スタ9のベースに流れ込む電流を吸収するための電流吸
収回路80に接続される。
The base of the transistor 9 in the output Darlington circuit 70 is connected to a current absorption circuit 80 for absorbing the current flowing into the base of the transistor 9 when the potential of the input terminal 33 is at a low level.

電流吸収回路80の構成において、ダイオード45のア
ノードはトランジスタ9のベースに接続され、カソード
はトランジスタ42のコレクタに接続される。トランジ
スタ42のエミッタはトランジスタ41のエミッタに接
続され、ベースはダイオード43のアノードに接続され
るとともに、抵抗16を介して高電位電源接続用端子3
1に接続される。ダイオード43のカソードはダイオー
ド44のアノードに、ダイオード44のカソードはトラ
ンジスタ2のフレクタにそれぞれ接続される。
In the configuration of current absorption circuit 80, the anode of diode 45 is connected to the base of transistor 9, and the cathode is connected to the collector of transistor 42. The emitter of the transistor 42 is connected to the emitter of the transistor 41, the base is connected to the anode of the diode 43, and the high potential power supply connection terminal 3 is connected via the resistor 16.
Connected to 1. The cathode of the diode 43 is connected to the anode of the diode 44, and the cathode of the diode 44 is connected to the reflector of the transistor 2.

トランジスタ41のコレクタは低電位電源接続用端子3
2に接続される。
The collector of the transistor 41 is the low potential power supply connection terminal 3
Connected to 2.

トランジスタ42は、人力端子33の電位がロウレベル
のときに導通することにより、トランジスタ9のベース
電流の吸収経路を確立する。入力端子33の電位に関連
したトランジスタ42の動作点を設定するためのレベル
シフト手段として、トランジスタ41のベース・エミッ
タ接合およびダイオード43.44が後に詳述するよう
に利用される。トランジスタ41はまた、吸収されたト
ランジスタ9のベース電流を低電位電源接続用端子32
の側へ逃がす役目を果たす。ダイオード45は、出力端
子34の電位がロウレベルのとき、すなわちトランジス
タ9がオフのときに、トランジスタ42のベース・コレ
クタ接合を通して高電位電源接続用端子31からトラン
ジスタ9のベースに電流が流れ込むのを防止する役目を
果たす。
The transistor 42 establishes an absorption path for the base current of the transistor 9 by becoming conductive when the potential of the human input terminal 33 is at a low level. As level shifting means for setting the operating point of transistor 42 in relation to the potential of input terminal 33, the base-emitter junction of transistor 41 and diodes 43, 44 are utilized as will be explained in more detail below. The transistor 41 also transfers the absorbed base current of the transistor 9 to the low potential power supply connection terminal 32.
It plays the role of letting people escape to the other side. The diode 45 prevents current from flowing from the high-potential power supply connection terminal 31 to the base of the transistor 9 through the base-collector junction of the transistor 42 when the potential of the output terminal 34 is at a low level, that is, when the transistor 9 is off. fulfill the role of

第1図に示す論理回路の通常動作において、入力端子3
3の電位がロウレベルのとき、トランジスタ1はオンし
、トランジスタ1のコレクタ電位すなわちトランジスタ
2のベース電位が低下するためトランジスタ2はオフと
なる。その結果、トランジスタ3のベース電流の供給が
止まるためトランジスタ3はオフし、トランジスタ3の
コレクタ電位はハイレベルとなる。すなわち、入力端子
33に与えられたロウレベルがインバータ50により反
転されてハイレベルとなる。トランジスタ4は、このハ
イレベルに応答してオンとなり、トランジスタ4を介し
てトランジスタ7のベースに電流が供給されるため、ト
ランジスタ7はオンとなる。一方、トランジスタ4のコ
レクタ電位すなわちトランジスタ8のベース電位が低下
するためトランジスタ8はオフとなり、トランジスタ9
のベース電流の供給が止まるためトランジスタ9はオフ
となる。したがって、トランジスタ7を介して出力端子
34から低電位電源接続用端子32に電流が吸い込まれ
るため、出力端子34の電位はロウレベルとなる。
In the normal operation of the logic circuit shown in FIG.
When the potential of transistor 3 is at a low level, transistor 1 is turned on, and since the collector potential of transistor 1, that is, the base potential of transistor 2 decreases, transistor 2 is turned off. As a result, the supply of base current to the transistor 3 is stopped, so the transistor 3 is turned off, and the collector potential of the transistor 3 becomes high level. That is, the low level applied to the input terminal 33 is inverted by the inverter 50 and becomes high level. Transistor 4 turns on in response to this high level, and current is supplied to the base of transistor 7 through transistor 4, so transistor 7 turns on. On the other hand, since the collector potential of transistor 4, that is, the base potential of transistor 8 decreases, transistor 8 is turned off, and transistor 9
Since the supply of base current to the transistor 9 is stopped, the transistor 9 is turned off. Therefore, a current is sucked from the output terminal 34 to the low potential power supply connection terminal 32 via the transistor 7, so that the potential of the output terminal 34 becomes low level.

次に、入力端子33の電位がロウレベルからハイレベル
に反転すると、トランジスタ1はオフし、トランジスタ
1のコレクタ電位すなわちトランジスタ2のベース電位
が上昇するためトランジスタ2はオンとなる。その結果
、トランジスタ2をブtしてトランジスタ3のベースに
電流が供給されるためトランジスタ3はオンし、トラン
ジスタ3のコレクタ電位はロウレベルとなる。すなわち
、入力端子33に与えられたハイレベルがインバータ5
0により反転されてロウレベルとなる。トランジスタ4
は、このロウレベルに応答してオフとなり、トランジス
タ7のベース電流の供給が止まるため、トランジスタ7
はオフする。一方、トランジスタ4のコレクタ電位すな
わちトランジスタ8のベース電位が上昇するためトラン
ジスタ8はオンし、トランジスタ9にベース電流が供給
されてトランジスタ9はオンとなる。このため、抵抗2
0およびトランジスタ9を介して高電位電源接続用端子
31から出力端子34に電流が供給されるので、出力端
子34の電位はハイレベルとなる。
Next, when the potential of the input terminal 33 is inverted from the low level to the high level, the transistor 1 is turned off, and the collector potential of the transistor 1, that is, the base potential of the transistor 2 increases, so that the transistor 2 is turned on. As a result, transistor 2 is turned off and current is supplied to the base of transistor 3, so transistor 3 is turned on and the collector potential of transistor 3 becomes low level. That is, the high level applied to the input terminal 33 is applied to the inverter 5.
It is inverted by 0 and becomes low level. transistor 4
turns off in response to this low level, and the supply of base current to transistor 7 is stopped, so transistor 7
is turned off. On the other hand, since the collector potential of the transistor 4, that is, the base potential of the transistor 8 increases, the transistor 8 is turned on, and the base current is supplied to the transistor 9, so that the transistor 9 is turned on. For this reason, resistance 2
Since current is supplied from the high-potential power supply connection terminal 31 to the output terminal 34 via the transistor 9 and the transistor 9, the potential of the output terminal 34 becomes high level.

第1図の論理回路において、入力端子33のハイレベル
のしきい値は、低電位電源接続川端子32の電位を基準
として次式で与えられる。
In the logic circuit shown in FIG. 1, the high-level threshold of the input terminal 33 is given by the following equation with reference to the potential of the low-potential power supply connection terminal 32.

v      +v      +v      −v
F10      BE3      11E2   
   [IEl一 〇.75  +  0.75  +
  0.75  −  0.75−  1.5(V) 
                   ・・・(1)
ここで、■  はダイオード10の順方向電圧、F10 V  ,■  およびV  はそれぞれトランジBE3
   I3E2     8EIスタ3,2および1の
ベース・エミッタ間電圧である。すなわち、第1図の論
理回路では、入力端子33の電位が低電位電源接続用端
子32の電位を基阜として1.5V以上高くなると出力
端子34にハイレベル、そうでないときはロウレベルが
それぞれ出力される。例えば、入力端子33に与えられ
る入力信号は、ハイレベルが2.OV ,ロウレベルが
0.5Vの論理振幅を有する信号であってもよい。
v +v +v −v
F10 BE3 11E2
[IEl1 0. 75 + 0.75 +
0.75 - 0.75 - 1.5 (V)
...(1)
Here, ■ is the forward voltage of the diode 10, F10 V, ■ and V are the transistor BE3, respectively.
I3E2 is the base-emitter voltage of 8EI stars 3, 2 and 1. That is, in the logic circuit shown in FIG. 1, when the potential of the input terminal 33 increases by 1.5 V or more based on the potential of the low-potential power supply connection terminal 32, a high level is output to the output terminal 34, and otherwise a low level is output. be done. For example, the input signal applied to the input terminal 33 has a high level of 2. OV may be a signal whose low level has a logic amplitude of 0.5V.

次に電流吸収回路80の動作について説明する。Next, the operation of the current absorption circuit 80 will be explained.

人力端子33の電位がハイレベルのとき、前述したよう
にトランジスタ1はオフ、トランジスタ2,3およびダ
イオード10はオンしている。トランジスタ2のコレク
タ電位が低下するため、ダイオド43.44はオンする
。このときのトランジスタ42のヘース電位は、低電位
電源接続用端子32の電位を基準として次式で与えられ
る。
When the potential of the human power terminal 33 is at a high level, the transistor 1 is off and the transistors 2 and 3 and the diode 10 are on, as described above. Since the collector potential of transistor 2 decreases, diodes 43 and 44 are turned on. The heath potential of the transistor 42 at this time is given by the following equation with reference to the potential of the low potential power supply connection terminal 32.

v   +v   +v   +v   +vFIO 
  BF:3   CE2   F44   F43−
  0.75 +  0.75 + 0.25 +  
0.5+  0.75−3.0(V)        
     ・・・(2)ここで、■  はトランジスタ
2のコレクタ・工CB2 ミッタ間電圧、■  およびV  はそれぞれグ1’4
4     P43 イオード44および43の順方向電圧である。
v +v +v +v +vFIO
BF:3 CE2 F44 F43-
0.75 + 0.75 + 0.25 +
0.5+ 0.75-3.0(V)
...(2) Here, ■ is the voltage between the collector and CB2 of transistor 2, and ■ and V are the voltage between the collector and CB2, respectively.
4 P43 is the forward voltage of diodes 44 and 43.

いま、入力端子33のハイレベルが2.OVてあるとす
ると、トランジスタ42のベースとトランジスタ41の
ベースとの間の電位差は、3.0  −2.0  − 
 1.0(V)     ・・・(3)となる。トラン
ジスタ42およびトランジスタ41かオンするためには
、それらのベース間にv   +v   =0.75+
0.75−1.5(V)13E42   BE41 ・・・(4) の電位差が必要である。なおV  ,■  はそBE4
2   nE41 れぞれトランジスタ42.41のベース・エミツタ間電
圧である。したがってトランジスタ42,41はオンし
ない。このため、出力ダーリントン回路70内のトラン
ジスタ9のベースから低電位電源接続用端子32に至る
電流吸収回路80内の電流吸収経路は確立されない。こ
のように、入力端子33の電位がハイレベルのときは電
流吸収回路80は不能化され、出力ダーリントン回路7
0内のトランジスタ9のベース電流の引抜きは行われず
、トランジスタ9は通常どおりオンを続けることができ
る。
Now, the high level of the input terminal 33 is 2. OV, the potential difference between the base of transistor 42 and the base of transistor 41 is 3.0 −2.0 −
1.0 (V) ...(3). In order for transistors 42 and 41 to turn on, v +v =0.75+ is applied between their bases.
A potential difference of 0.75-1.5 (V) 13E42 BE41 (4) is required. In addition, V, ■ Haso BE4
2 nE41 is the base-emitter voltage of the transistors 42 and 41, respectively. Therefore, transistors 42 and 41 are not turned on. Therefore, a current absorption path in the current absorption circuit 80 from the base of the transistor 9 in the output Darlington circuit 70 to the low potential power supply connection terminal 32 is not established. In this way, when the potential of the input terminal 33 is at a high level, the current absorption circuit 80 is disabled, and the output Darlington circuit 7
The base current of transistor 9 in 0 is not withdrawn, and transistor 9 can continue to be turned on as usual.

人力端子33の電位がハイレベルからロウレベルに反転
する遷移期間において、人力端子33の電位が1.5V
まで低下すると、トランジスタ42のベースとトランジ
スタ41のベースとの間の電位差は 3.0 −1.5 −1.5  (V)       
−(5)となり、トランジスタ42.41は直ちにオン
する。このため、トランジスタ9のベースから低電位電
源接続用端子32に至る電流吸収回路80内の電流吸収
経路が確立され、トランジスタ9のベース電流はこの電
流吸収経路を介して高速に引抜かれる。その結果、高抵
抗なプルダウン抵抗23による緩慢なベース電流の引抜
きの場合と比べてトランジスタ9のターンオフが早めら
れるので、出力端子34の電位のハイレベルからロウレ
ベルへの立下りが早められる。
During the transition period in which the potential of the human power terminal 33 is reversed from high level to low level, the potential of the human power terminal 33 is 1.5V.
When the potential difference between the base of transistor 42 and the base of transistor 41 decreases to 3.0 −1.5 −1.5 (V)
-(5), and the transistors 42 and 41 are immediately turned on. Therefore, a current absorption path within the current absorption circuit 80 from the base of the transistor 9 to the low potential power supply connection terminal 32 is established, and the base current of the transistor 9 is drawn out at high speed through this current absorption path. As a result, the transistor 9 is turned off earlier than in the case where the base current is slowly drawn out by the high-resistance pull-down resistor 23, so that the potential of the output terminal 34 falls from a high level to a low level more quickly.

入力端子33の電位がロウレベルの間、トランジスタ1
はオン、トランジスタ2.3およびダイオード10はオ
フであり、トランジスタ2のオフに応答してダイオード
43.44がオフするため゛、トランジスタ42のベー
ス電位は高電位電源接続用端子31の電位とほぼ等しく
なる。よってトランジスタ41 42はオンし続け、電
流吸収回路80は能動化されたままである。このとき、
ノイズ等により低電位電源接続用端子32の電位がアン
ダーシュートすると、前述したように、オフしていたト
ランジスタ2,3およびダイオード10がオンする。例
えば入力端子33のロウレベルが0.5■であれば、ト
ランジスタ2のベース電位は0.5+V   − 0.
5+  0.75 −  1.25  (V)[3E1 ・・・(6) であるので、低電位電源接続用端子32の電位が1.2
5−V     −V     −VI3E2    
 BE3     PIO−  1.25  −  0
.75  −  0.75  −  0.75−−  
t.O(V)                  ・
・・(7)以下に低下すると、トランジスタ2.3およ
びダイオード10はオンする。
While the potential of the input terminal 33 is at a low level, the transistor 1
is on, transistor 2.3 and diode 10 are off, and diodes 43 and 44 are turned off in response to transistor 2 being turned off. Therefore, the base potential of transistor 42 is approximately the same as the potential of high potential power supply connection terminal 31. be equal. Thus, transistors 41-42 remain on and current absorbing circuit 80 remains activated. At this time,
When the potential of the low-potential power supply connection terminal 32 undershoots due to noise or the like, the transistors 2 and 3 and the diode 10, which had been off, are turned on, as described above. For example, if the low level of the input terminal 33 is 0.5■, the base potential of the transistor 2 is 0.5+V - 0.
5+ 0.75 - 1.25 (V)[3E1...(6) Therefore, the potential of the low potential power supply connection terminal 32 is 1.2
5-V-V-VI3E2
BE3 PIO- 1.25-0
.. 75 - 0.75 - 0.75--
t. O(V)・
...(7) When the voltage drops to or below, the transistor 2.3 and the diode 10 are turned on.

その結果、トランジスタ4がオフし、これを受けてトラ
ンジスタ8がオンするので、トランジスタ9にベース電
流が供給される。一方、トランジスタ2.3およびダイ
オード10のオンを受けてダイオード43.44がオン
する。このとき、トランジスタ42のベース電位は、入
力端子33の電位を基準にすると、 0.5+V   +V I3E41   8B42 −0.5  +0.75+0.75−2.0  (V)
    .(8)低電位電源接続用端子32の電位を基
準にすると、−t.o+v   +v   +v   
+v   +v1’lO   BE3.  CB2  
 F44   I’43− −1.0+ 0.75+ 
0.75+ O:25十0.5  + 0.75−2.
0  (V)              ・・・(9
)となる。つまり、低電位電源接続用端子32の電位が
ーt.OV以下に低下してもトランジスタ42のベース
電位の振幅は非常に小さく、過渡的にはトランジスタ4
2.41はオンし続け、電流吸収回路80は能動化され
たままである。したがってトランジスタ8を介してトラ
ンジスタ9のベースに供給されるベース電流は、電流吸
収回路80内のダイオード45,トランジスタ42,ト
ランジスタ41より成る電流吸収経路を介して低電位電
源接続用端子32に直ちに吸収され、1・ランジスタ9
はオンしない。その結果、入力端子33がロウレベルの
ときに低電位電源接続用端子32の電位がノイズ等によ
りアンダーシュートしても、出力端子34の電位が一時
的にハイレベルに反転することはない。
As a result, transistor 4 is turned off, and in response, transistor 8 is turned on, so that base current is supplied to transistor 9. On the other hand, in response to transistor 2.3 and diode 10 being turned on, diodes 43 and 44 are turned on. At this time, the base potential of the transistor 42 is 0.5+V +V I3E41 8B42 -0.5 +0.75+0.75-2.0 (V) based on the potential of the input terminal 33.
.. (8) Based on the potential of the low potential power supply connection terminal 32, -t. o+v +v +v
+v +v1'lO BE3. CB2
F44 I'43- -1.0+ 0.75+
0.75 + O: 25 0.5 + 0.75-2.
0 (V) ... (9
). In other words, the potential of the low potential power supply connection terminal 32 is -t. Even if it drops below OV, the amplitude of the base potential of the transistor 42 is very small, and the amplitude of the base potential of the transistor 42 is transiently
2.41 remains on and the current absorbing circuit 80 remains activated. Therefore, the base current supplied to the base of the transistor 9 via the transistor 8 is immediately absorbed into the low potential power supply connection terminal 32 via the current absorption path consisting of the diode 45, the transistor 42, and the transistor 41 in the current absorption circuit 80. 1/Rangister 9
is not turned on. As a result, even if the potential of the low-potential power supply connection terminal 32 undershoots due to noise or the like when the input terminal 33 is at a low level, the potential of the output terminal 34 will not be temporarily reversed to a high level.

第1図の論理回路では、電流吸収経路を開閉するスイッ
チとして働くトランジスタ42の人力端子33の電位に
関連した動作点は、トランジスタ41のベース・エミッ
タ接合およびダイオード43,44をレベルシフト手段
として用いることにより、l.5Vに設定されている。
In the logic circuit of FIG. 1, the operating point related to the potential of the input terminal 33 of the transistor 42, which acts as a switch for opening and closing the current absorption path, is determined by using the base-emitter junction of the transistor 41 and the diodes 43, 44 as level shifting means. By this, l. It is set to 5V.

トランジスタ41をレベルシフト手段としてのみ利用す
るのであれば、トランジスタ41に代えて、トランジス
タ42のエミッタにアノード、入力端子33にカソード
の接続されたダイオードを用いてもよい。この場合、電
流吸収回路80内の電流吸収経路を介して吸収されたト
ランジスタ9のベース電流は人力端子33に供給される
ので、入力端子33の電位を変動させる原因となる。し
たがって、第1図の回路のようにレベルシフト手段とし
ても併用されるトランジスタ41を設け、トランジスタ
41を介して吸収電流を低電位電源接続用端子32に逃
がしてやるのが望ましい。
If the transistor 41 is used only as a level shifting means, a diode having an anode connected to the emitter of the transistor 42 and a cathode connected to the input terminal 33 may be used in place of the transistor 41. In this case, the base current of the transistor 9 absorbed through the current absorption path in the current absorption circuit 80 is supplied to the human power terminal 33, which causes the potential of the input terminal 33 to fluctuate. Therefore, it is desirable to provide a transistor 41 which is also used as a level shift means as in the circuit shown in FIG. 1, and to release the absorbed current to the low potential power supply connection terminal 32 via the transistor 41.

第2図はこの発明による論理回路の他の実施例を示す回
路図である。この実施例は、前述した第1図の実施例の
電流吸収回路80にショットキバリアダイオード46を
追加した構成を有している。
FIG. 2 is a circuit diagram showing another embodiment of the logic circuit according to the present invention. This embodiment has a configuration in which a Schottky barrier diode 46 is added to the current absorption circuit 80 of the embodiment shown in FIG.

ショットキバリアダイオード46のアノードは出力ダー
リント回路70内のトランジスタ8のべ−スに接続され
、カソードはトランジスタ42のコレクタに接続される
。他の構成は第1図の実施例と同様である。
The anode of the Schottky barrier diode 46 is connected to the base of the transistor 8 in the output Darlint circuit 70, and the cathode is connected to the collector of the transistor 42. The other configurations are similar to the embodiment shown in FIG.

この実施例では、電流吸収回路80は、トランジスタ9
のベース電流だけでなく、トランジスタ8のベース電流
をも引抜いて出力ダーリントン回路70をオフさせるた
め、出力ダーリントン回路70のオフが一層、迅速かつ
確実となる。引抜かれたベース電流は、ダイオード45
.46およびトランジスタ42.41より成る電流吸収
経路を介して低電位電源接続用端子32に吸収される。
In this embodiment, current absorption circuit 80 includes transistor 9
Since the output Darlington circuit 70 is turned off by drawing out not only the base current of the transistor 8 but also the base current of the transistor 8, the output Darlington circuit 70 can be turned off more quickly and reliably. The extracted base current flows through the diode 45
.. 46 and transistors 42 and 41, the current is absorbed by the low potential power supply connection terminal 32.

ダイオード46は、トランジスタ42のベース・コレク
タ接合を介して高電位電源接続用端子31からトランジ
スタ8のベースに電流が流れ込むのを防止する役目を果
たす。トランジスタ42,4lのオン/オフのタイミン
グ、すなわち電流吸収回路80の能動化のタイミングは
先の実施例と同様であり、したがってこの実施例におい
ても先の実施例と同様、入力端子33がロウレベルのと
きに低電位電源接続用端子32の電位がノイズ等により
アンダーシュートしても、電流吸収回路80の働きによ
り、出力端子34の電位が一時点にノ\イレベルに反転
するのが防止される。
The diode 46 serves to prevent current from flowing from the high potential power supply connection terminal 31 to the base of the transistor 8 via the base-collector junction of the transistor 42 . The on/off timing of the transistors 42 and 4l, that is, the activation timing of the current absorption circuit 80, is the same as in the previous embodiment. Therefore, in this embodiment as well, the input terminal 33 is at a low level. Even if the potential of the low-potential power supply connection terminal 32 undershoots due to noise or the like, the current absorption circuit 80 prevents the potential of the output terminal 34 from inverting to the noise level at one point in time.

なお上記各実施例では、ショットキクランプ付トランジ
スタおよびショットキバリアダイオードを用いた回路に
ついて説明したが、回路に適切な変更を加えることによ
り他の1・ランジスタやダイオードを使用することも可
能である。
In each of the above embodiments, a circuit using a Schottky clamp transistor and a Schottky barrier diode has been described, but other transistors or diodes can be used by making appropriate changes to the circuit.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、この発明によれば、出力端子のロ
ウ,ハイを指定する信号のロウの指定に応答して能動化
されて、高電位点と出力端子との間に設けられた第1の
トランジスタの制御電極に与えられる電流を吸収する電
流吸収手段を設けたので、ロウの指定のときに第1のト
ランジスタが誤ってオンすることはなく、例えば低電位
点の電位がノイズ等により低下しても、出力端子の信号
レベルが変化することがない論理回路が得られるという
効果がある。
As explained above, according to the present invention, the first terminal provided between the high potential point and the output terminal is activated in response to the designation of low of the signal that designates the low or high of the output terminal. Since a current absorption means is provided to absorb the current applied to the control electrode of the first transistor, the first transistor will not be accidentally turned on when specifying LOW, and for example, the potential of the low potential point will not drop due to noise, etc. This has the effect that a logic circuit can be obtained in which the signal level of the output terminal does not change even if the output terminal is changed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明による論理回路の一実施例を示す回路
図、第2図はこの発明による論理回路の他の実施例を示
す回路図、第3図は従来の論理回路を示す回路図である
。 図において、7,8はショットキクランプ付NPNI−
ランジスタ、9はNPN }ランジスタ、31は高電位
r1#.接続用端子、32は低電位電源接続用端子、3
3は人力端子、34は出力端子.70は出力ダーリント
ン回路、80は電流吸収回路である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of a logic circuit according to the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing another embodiment of the logic circuit according to the invention, and FIG. 3 is a circuit diagram showing a conventional logic circuit. be. In the figure, 7 and 8 are NPNI- with Schottky clamps.
transistor, 9 is NPN} transistor, 31 is high potential r1#. Connection terminal, 32 is a low potential power supply connection terminal, 3
3 is a human power terminal, and 34 is an output terminal. 70 is an output Darlington circuit, and 80 is a current absorption circuit. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)出力端子のロウ、ハイを指定する信号に応じて前
記出力端子を低電位点および高電位点のいずれか一方に
選択的に接続することによりロウおよびハイの論理出力
を行う論理回路であって、前記出力端子のロウ、ハイを
指定する信号を受ける入力手段と、 制御電極が前記入力手段に作動的に結合されるとともに
、第1および第2電極がそれぞれ前記高電位点および前
記出力端子に接続され、前記出力端子のロウ、ハイを指
定する信号のハイの指定に応答してオンし、ロウの指定
に応答してオフする第1のトランジスタと、 制御電極が前記入力手段に作動的に結合されるとともに
、第1および第2電極がそれぞれ前記出力端子および前
記低電位点に接続され、前記出力端子のロウ、ハイを指
定する信号のロウの指定に応答してオンし、ハイの指定
に応答してオフする第2のトランジスタと、 前記第1のトランジスタの制御電極および前記入力手段
に接続され、前記入力手段に与えられる前記出力端子の
ロウ、ハイを指定する信号のロウの指定に応答して能動
化されて前記第1のトランジスタの制御電極に与えられ
る電流を吸収する電流吸収手段とを備える論理回路。
(1) A logic circuit that performs low and high logic output by selectively connecting the output terminal to either a low potential point or a high potential point according to a signal specifying low or high of the output terminal. an input means for receiving a signal specifying low or high of the output terminal; a control electrode operatively coupled to the input means; and a first and second electrode connected to the high potential point and the output terminal, respectively; a first transistor connected to the output terminal and turned on in response to a high specification of a signal specifying low or high of the output terminal, and turned off in response to a low specification; a control electrode actuated by the input means; and first and second electrodes are connected to the output terminal and the low potential point, respectively, and turn on in response to designation of low or high of a signal that designates low or high of the output terminal. a second transistor that is turned off in response to the designation of the output terminal; and a second transistor that is connected to the control electrode of the first transistor and the input means, and that is connected to the control electrode of the first transistor and that is supplied to the input means to designate the low or high level of the output terminal. a logic circuit comprising current absorbing means that is activated in response to a designation and absorbs a current applied to a control electrode of the first transistor.
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