JPH02287449A - Stroboscopic device - Google Patents

Stroboscopic device

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JPH02287449A
JPH02287449A JP10944289A JP10944289A JPH02287449A JP H02287449 A JPH02287449 A JP H02287449A JP 10944289 A JP10944289 A JP 10944289A JP 10944289 A JP10944289 A JP 10944289A JP H02287449 A JPH02287449 A JP H02287449A
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bipolar transistor
insulated gate
gate bipolar
trigger
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Shinji Hirata
伸二 平田
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Abstract

PURPOSE:To simplify a driving system of an insulating gate type bipolar transistor by providing a switch means that operates a trigger circuit and a gate means, and a control element that turns off the insulating gate bipolar transistor by means of turning on. CONSTITUTION:The switch means 17 is connected to a gate through a resistance 25 of an SCR 22 as the trigger switch element of the trigger circuit 20. By turning on the switch, a transistor 26 turns off the insulating gate type bipolar transistor I.G.B.T., and the transistor 26 is connected between the gate and emitter of I.G.B.T. as its control element. When a high level pulse signal having an extremely short time interval is impressed on a base terminal 18a of a transistor 18 for the switch means 17, this transistor 18 is turned on, and a current runs through the gate means 14 and the switch means 17 and a flash discharge tube Xe consumes electric charges of a main capacitor CM and emits light. Therefore the stroboscopic device that has the simplified driving system of the insulating gate bipolar transistor is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は閃光放電管と直列に大電力用のトランジスタの
ひとつである絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(I
nsulated Gate Bipolar Tra
nsistor)を接続したストロボ装置に関し、特に
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの駆動系に特徴を
有するストロボ装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to an insulated gate bipolar transistor (I
nsulated Gate Bipolar Tra
The present invention relates to a strobe device connected to an insulated gate type bipolar transistor, and particularly to a strobe device having a drive system of an insulated gate bipolar transistor.

従来の技術 従来より、閃光放電管と直列に発光制御素子として大電
力用のトランジスタを接続したストロボ装置が種々提案
されており、上述した絶縁ゲート型バイポーラトランジ
スタを使用した装置も特開昭64−47033号公報に
開示されている。
BACKGROUND OF THE INVENTION Various types of strobe devices have been proposed in which a high-power transistor is connected in series with a flash discharge tube as a light emission control element, and a device using the above-mentioned insulated gate bipolar transistor is also disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 1983-1999. It is disclosed in Japanese Patent No. 47033.

この公報に開示されている装置は、第4図に示すように
、たとえば周知のDC−DCコンバータ回路である電源
1と、この電源1に併設され後述する発光制御回路5に
定電圧を供給する定電圧回路2と、閃光放電管Xeをト
リガする公知のトリガ回路3、カメラボディ内の制御手
段7と接続され、種々の信号の授受をして、トリガ回路
3を動作せしめるためのトリガ指令信号等積々の出力信
号を発生する制御回路4、閃光放電管Xeと直列接続さ
れた絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ1. G、 
B、 T。
As shown in FIG. 4, the device disclosed in this publication supplies a constant voltage to a power source 1, which is, for example, a well-known DC-DC converter circuit, and a light emission control circuit 5, which is attached to the power source 1 and will be described later. A trigger command signal is connected to the constant voltage circuit 2, a known trigger circuit 3 for triggering the flash discharge tube Xe, and a control means 7 in the camera body, and is used to send and receive various signals to operate the trigger circuit 3. A control circuit 4 that generates equal output signals, an insulated gate bipolar transistor connected in series with the flash discharge tube Xe; G.
B, T.

のオン・オフを制御し、放電管Xeの発光を制御する発
光制御回路5、および放電管Xeに倍圧を印加する倍圧
回路6とを備えて構成されている。
The light emitting control circuit 5 controls the on/off of the discharge tube Xe and controls the light emission of the discharge tube Xe, and the voltage doubler circuit 6 applies double pressure to the discharge tube Xe.

この装置において、今、スイッチSvがオンされると、
DC−DCコンバータ回路である電源1が動作を開始し
、主コンデンサC,A、倍圧用のコンデンサCIが発振
トランスT1の二次巻線S。
In this device, when switch Sv is turned on now,
The power supply 1, which is a DC-DC converter circuit, starts operating, and the main capacitors C and A and the voltage doubler capacitor CI are connected to the secondary winding S of the oscillation transformer T1.

に発生される高電圧にて充電され、また低圧電源Eにて
制御回路4の動作電源として作用するコンデンサCIの
充電がなされる。同時に、発振トランスT1のもうひと
つの二次巻線S2にダイオードDを介して接続されてい
る定電圧回路2のコンデンサC3の充電も開始される。
The capacitor CI, which acts as an operating power source for the control circuit 4, is charged by a low voltage power source E. At the same time, charging of the capacitor C3 of the constant voltage circuit 2 connected to the other secondary winding S2 of the oscillation transformer T1 via the diode D is also started.

したがって、制御回路4および発光制御回路5に電力が
供給され、制御回路4は作動を開始し、発光制御回路5
は発光準備状態となる。
Therefore, power is supplied to the control circuit 4 and the light emission control circuit 5, the control circuit 4 starts operating, and the light emission control circuit 5
is ready to emit light.

主コンデンサ0M等の充電がなされた状態において制御
手段7より発光開始信号が制御回路4に入力されると、
制御回路4は端子01から高レベルのトリガ信号を閃光
放電管Xeの最大発光時間を考慮した所定期間出力し発
光制御回路5のトランジスタQ+ に供給する。
When a light emission start signal is input to the control circuit 4 from the control means 7 in a state where the main capacitor 0M etc. is charged,
The control circuit 4 outputs a high-level trigger signal from the terminal 01 for a predetermined period taking into account the maximum light emission time of the flash discharge tube Xe, and supplies it to the transistor Q+ of the light emission control circuit 5.

トランジスタQr はトリガ信号を受けてオンし、よっ
てトランジスタQ2がオンすることになり、定電圧発生
回路2のコンデンサC1の充電電圧がトランジスタQ2
を介して絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ1. G
、B、 T、のゲートに印加され、絶縁ゲート型バイポ
ーラトランジスタ1. G、 B、 T、はオンするこ
とになる。
Transistor Qr turns on in response to the trigger signal, which turns on transistor Q2, and the charging voltage of capacitor C1 of constant voltage generation circuit 2 increases to transistor Q2.
Insulated gate bipolar transistor 1. G
, B, T, and the insulated gate bipolar transistor 1. G, B, and T will be turned on.

なお、このとき、制御回路4の端子Q、は低レベルに維
持され、トランジスタQ3はオフせしめられていること
はいうまでもない。
It goes without saying that at this time, the terminal Q of the control circuit 4 is maintained at a low level, and the transistor Q3 is turned off.

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ1. G、 B、
 T。
Insulated gate bipolar transistor 1. G, B,
T.

がオンすると、トリガ回路3のトリガコンデンサC4,
トリガトランスT2の一次巻線を介してコンデンサC4
の充電電流が流れ、よってトランスT2の二次巻線にト
リガパルスが発生する。同時に、倍圧回路6のコンデン
サC3のプラス側が抵抗R5および絶縁ゲート型バイポ
ーラトランジスタI、 G、B、 T、を介して接地さ
れ、このコンデンサC2の充電電圧が主コンデンサCM
の充電電圧に重畳されて閃光放電管Xeに印加されるこ
とになる。この結果、閃光放電管Xeは主コンデンサC
Mの充電電荷を消費して発光する。
When turned on, the trigger capacitor C4 of the trigger circuit 3,
Capacitor C4 via the primary winding of trigger transformer T2
A charging current of T2 flows, and a trigger pulse is generated in the secondary winding of the transformer T2. At the same time, the positive side of capacitor C3 of voltage doubler circuit 6 is grounded via resistor R5 and insulated gate bipolar transistors I, G, B, T, and the charging voltage of capacitor C2 is connected to main capacitor CM.
is applied to the flash discharge tube Xe superimposed on the charging voltage. As a result, the flash discharge tube Xe has a main capacitor C
It consumes the charge of M and emits light.

閃光放電管Xeの発光により適正な光量が得られると、
たとえば制御手段7内に含まれる測光回路によって発光
停止パルスが形成されて制御回路4に入力され、その端
子02から高レベルの発光停止信号として出力される。
When an appropriate amount of light is obtained by emitting light from the flash discharge tube Xe,
For example, a light emission stop pulse is formed by a photometric circuit included in the control means 7, inputted to the control circuit 4, and output as a high-level light emission stop signal from its terminal 02.

この発光停止信号はトランジスタQ3およびQ4に供給
され、両者をオンせしめ、よってトランジスタQ+ の
ベース・エミッタ間および絶縁ゲート型バイポーラトラ
ンジスタ1. G、B、 T、のゲート・エミッタ間が
短絡され、トランジスタQ+ 、 絶縁ゲート型バイポ
ーラトランジスタ1. G、 B、 T、はオフする。
This light emission stop signal is supplied to transistors Q3 and Q4, turning them on, thereby connecting the base-emitter of transistor Q+ and the insulated gate bipolar transistors 1. The gates and emitters of G, B, and T are shorted, transistor Q+, and insulated gate bipolar transistor 1. G, B, and T are turned off.

この結果、トランジスタQ2がオフとなりコンデンサC
1の放電が防止され、同時に閃光放電管Xeを介して流
れていた放電電流が流れなくなり、発光が停止する。
As a result, transistor Q2 turns off and capacitor C
1 is prevented, and at the same time, the discharge current that was flowing through the flash discharge tube Xe stops flowing, and light emission stops.

第4図に示した装置の基本動作は以上のとおりであり、
転流コンデンサを用いて発光停止を行うものに比して発
光オーバーがなくなり、また高速の繰り返し発光を行え
ることになる。
The basic operation of the device shown in Figure 4 is as described above.
Compared to a system in which light emission is stopped using a commutating capacitor, there is no over-emission of light, and it is possible to repeatedly emit light at high speed.

また、定電圧回路2をなくし、絶縁ゲート型バイポーラ
トランジスタ1. G、 B、 T、の駆動電源を高圧
側すなわち主コンデンサCMより得る、第5図にに示す
ような構成も先の提案には開示されている。
In addition, the constant voltage circuit 2 is eliminated, and the insulated gate bipolar transistor 1. The previous proposal also discloses a configuration as shown in FIG. 5 in which the driving power for G, B, and T is obtained from the high voltage side, that is, from the main capacitor CM.

なお、第5図において、第3図に示した装置の構成要素
と対応する要素には同じ符号を付している。
In FIG. 5, elements corresponding to those of the apparatus shown in FIG. 3 are given the same reference numerals.

この構成は、先のトランジスタQ+ が主コンデンサC
Mの高電位側端子■、■、と絶縁ゲート型バイポーラト
ランジスタ1. G、 B、T、のゲートとの間に接続
されたトランジスタQ、のベースとの間に接続され、ま
たトランジスシタQ、と絶縁ゲート型バイポーラトラン
ジスタ1. G、 B、 T、のゲートとの接続点とア
ース間にツェナーダイオードZ、 D、が接続されてい
る。したがって、先にも述べたように制御回路4よりト
リガ信号が出力され、トランジスタQIがオンすると、
トランジスタQ、がオンし、主コンデンサCMの充電電
圧をツェナーダイオードZ、 D、にて定電圧化した所
定電圧が絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ1. G
、 B、 T、のゲートに供給されることになり、この
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ1. G、 B、
 T、はオンし、先の装置同様、閃光放電管Xeが発光
することになる。
In this configuration, the previous transistor Q+ is the main capacitor C
High potential side terminals of M, ■, ■, and insulated gate bipolar transistor 1. The transistor Q is connected between the gates of the transistors G, B, and T, and the base of the transistor Q is connected between the transistor Q and the insulated gate bipolar transistor 1. Zener diodes Z and D are connected between the connection point with the gates of G, B, and T, and the ground. Therefore, as mentioned earlier, when the trigger signal is output from the control circuit 4 and the transistor QI is turned on,
The transistor Q is turned on, and the charging voltage of the main capacitor CM is regulated by the Zener diodes Z and D, and a predetermined voltage is applied to the insulated gate bipolar transistor 1. G
, B, and T, and this insulated gate bipolar transistor 1. G, B,
T is turned on, and the flash discharge tube Xe emits light as in the previous device.

以上のように、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ1
. G、 B、 T、の駆動電源を高圧側から得ること
により、前述したとおり定電圧回路2を構成する必要性
はなくなる。このため、電源1であるDC−DCコンバ
ータ回路を常時動作状態になす必要がない等、その動作
管理に大きな注意を払う必要がない効果を期待できる。
As described above, insulated gate bipolar transistor 1
.. By obtaining the driving power for G, B, and T from the high voltage side, there is no need to configure the constant voltage circuit 2 as described above. Therefore, it is possible to expect the effect that it is not necessary to keep the DC-DC converter circuit, which is the power supply 1, in an operating state all the time, and that there is no need to pay much attention to its operation management.

換言すれば、定電圧回路2にて絶縁ゲート型バイポーラ
トランジスタ1. G、 B、 T、の駆動電源を得る
場合、コンデンサC3の充電電圧をつねに絶縁ゲート型
バイポーラトランジスタ1. G、 B、 T、をオン
させるのに十分な値に制御しておく必要があることから
、二次巻線S、の巻数の設定あるいはDC−DCコンバ
ータ回路の動作維持等に大きな注意を払わなければなら
ないわけであるが、第5図のような構成とすれば、上述
のような注意を払わなくてすむ。
In other words, in the constant voltage circuit 2, the insulated gate bipolar transistor 1. When obtaining driving power for G, B, and T, the charging voltage of the capacitor C3 is always connected to the insulated gate bipolar transistor 1. Since it is necessary to control G, B, and T to values sufficient to turn them on, great care must be taken in setting the number of turns of the secondary winding S and in maintaining the operation of the DC-DC converter circuit. However, if the configuration is as shown in FIG. 5, the above-mentioned precautions will not be necessary.

発明が解決しようとする課題 上述したように、閃光放電管と直列に絶縁ゲート型バイ
ポーラトランジスタを接続したストロボ装置は周知であ
り、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの駆動電源も
、定電圧回路あるいは主コンデンサの出力電圧を用いる
こと等が上記装置には開示されている。
Problems to be Solved by the Invention As mentioned above, strobe devices in which an insulated gate bipolar transistor is connected in series with a flash discharge tube are well known, and the driving power source for the insulated gate bipolar transistor is also connected to a constant voltage circuit or a main capacitor. The use of an output voltage, etc. is disclosed in the above device.

一方、上記装置における絶縁ゲート型バイポーラトラン
ジスタの駆動系についてみてみれば、トリガ信号に応答
してオンするトランジスタQ+ の動作に応答して上述
の駆動電源の供給がなされるよう構成されている。すな
わち、トランジスタQlがオン動作中であることが駆動
電源供給の条件となっており、したがってトリガ信号は
制御回路より閃光放電管の全発光時間を考慮した所定期
間出力され続けることになる。
On the other hand, looking at the drive system of the insulated gate bipolar transistor in the above device, it is configured such that the above drive power is supplied in response to the operation of the transistor Q+ which is turned on in response to a trigger signal. That is, it is a condition for supplying driving power that the transistor Ql is in an on-operation, and therefore the trigger signal continues to be output from the control circuit for a predetermined period of time taking into account the total light emission time of the flash discharge tube.

この結果、上記装置は、制御回路内にトリガ信号形成の
ために所定期間のパルス幅を有するパルスを発生するパ
ルス発生回路を必要とし、回路構成が複雑化するととも
に、消費エネルギーの点でも不利となるという不都合を
有することになる。
As a result, the above device requires a pulse generation circuit that generates a pulse having a predetermined period of pulse width in order to form a trigger signal in the control circuit, which complicates the circuit configuration and is disadvantageous in terms of energy consumption. This results in the inconvenience of becoming.

本発明は、この点を考慮してなしたもので、特別なパル
ス発生回路を有さず、かつ絶縁ゲート型バイポーラトラ
ンジスタの駆動電源を高電圧側より得る構成の簡単な駆
動回路を備えたストロボ装置を提供することを目的とす
る。
The present invention has been made with this point in mind, and is a strobe light that does not have a special pulse generation circuit and is equipped with a simple drive circuit that obtains the drive power for the insulated gate bipolar transistor from the high voltage side. The purpose is to provide equipment.

課題を解決するための手段 本発明のストロボ装置は、直流高圧電源の両端に接続さ
れ、充電される主コンデンサと、閃光放電管および絶縁
ゲート型バイポーラトランジスタを直列接続してなり、
主コンデンサの両端に接続される第1直列接続体と、ス
イッチ素子および定電圧素子を直列接続してなり、主コ
ンデンサの両端に接続されるとともに、直列接続した接
続点を絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのゲートと
接続してなる第2直列接続体と、閃光放電管の両端に接
続され、動作することによりスイッチ素子をオンせしめ
るゲート手段と、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
の両端に接続され、動作するこ・とにより閃光放電管を
励起するトリガ回路およびゲート手段を動作せしめるス
イッチ手段と、絶1iケー)ffiバイポーラトランジ
スタのゲートとアースとの間に接続され、オンすること
により、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタをオフせ
しめる制御素子とを備えている。
Means for Solving the Problems The strobe device of the present invention comprises a main capacitor connected to both ends of a DC high voltage power supply and charged, a flash discharge tube and an insulated gate bipolar transistor connected in series,
A first series connection body connected to both ends of the main capacitor, a switch element, and a constant voltage element are connected in series. A second series connection body connected to the gate, a gate means connected to both ends of the flash discharge tube and turning on the switch element when operated, and a second series connection body connected to both ends of the insulated gate bipolar transistor and operated. a trigger circuit for exciting the flash discharge tube and a switch means for operating the gate means; and a control element to control the operation.

作   用 本発明のストロボ装置は、上述のように構成されている
ことから、スイッチ手段が動作すると、トリガ回路およ
びゲート手段が動作し、閃光放電管が励起されるととも
にスイッチ素子がオンすることになる。よって、主コン
デンサの充電電圧が定電圧素子にて所定電圧化されて絶
縁ゲート型ノ(イポーラトランジスタのゲートに供給さ
れ、この絶縁ゲート型バイポーラトランジスタがオンし
、この結果、閃光放電管は発光し、またゲート手段はオ
ン状態の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを介して
動作を継続し、スイッチ素子をオンに維持し続けること
になる。この状態において制御素子がオンすると、絶縁
ゲート型バイポーラトランジスタがオフし、閃光放電管
の発光が停止するとともに、ゲート手段もスイッチ手段
が不動作状態であるならば不動作状態となってスイッチ
素子がオフとなり、装置は初期状態に復帰し、すなわち
−回の発光動作が終了することになる。したがって、絶
縁ゲート型バイポーラトランジスタのオンに必要なトリ
ガ信号はスイッチ手段を動作せしめるための極短時間の
パルス信号でよいことになる。
Operation Since the strobe device of the present invention is configured as described above, when the switch means operates, the trigger circuit and gate means operate, the flash discharge tube is excited, and the switch element is turned on. Become. Therefore, the charging voltage of the main capacitor is set to a predetermined voltage by the constant voltage element and supplied to the gate of the insulated gate bipolar transistor, which turns on, and as a result, the flash discharge tube emits light. In addition, the gate means continues to operate via the insulated gate bipolar transistor in the on state, and keeps the switching element on. When the control element is turned on in this state, the insulated gate bipolar transistor is turned off. However, when the flash discharge tube stops emitting light, if the switch means is in an inactive state, the gate means becomes inactive and the switch element is turned off, and the device returns to its initial state, that is, - times of emitting light. The operation is completed.Therefore, the trigger signal required to turn on the insulated gate bipolar transistor may be a very short pulse signal for operating the switch means.

実施例 以下、本発明によるストロボ装置の実施例について、図
面を用いて説明する。
Embodiments Hereinafter, embodiments of a strobe device according to the present invention will be described with reference to the drawings.

〔実施例1〕 第1図は第1の実施例の要部電気回路図である。[Example 1] FIG. 1 is an electrical circuit diagram of the main part of the first embodiment.

図において、第4図に示した従来例の構成要素と同じ機
能を有する要素には同じ符号を付している。
In the figure, elements having the same functions as those of the conventional example shown in FIG. 4 are given the same reference numerals.

図に示すように、直流高圧電源8の両端に主コンデンサ
CMが接続され、さらにこの主コンデンサCMの両端に
閃光放電管Xeと絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
1. G、 B、 T、を直列接続してなる第1直列接
続体9およびスイッチ素子であるトランジスタ11.抵
抗12.定電圧素子であるツェナーダイオード13を直
列接続してなる第2直列接続体10が接続されている。
As shown in the figure, a main capacitor CM is connected to both ends of the DC high voltage power supply 8, and a flash discharge tube Xe and an insulated gate bipolar transistor 1. A first series connection body 9 formed by connecting G, B, and T in series, and a transistor 11 which is a switch element. Resistance 12. A second series connection body 10 is connected in which Zener diodes 13, which are constant voltage elements, are connected in series.

トランジスタ11とツェナーダイオード13の抵抗12
を介しての接続点Aは絶縁ゲート型バイポーラトランジ
スタL G、 B、 T、のゲートと接続されている。
Resistor 12 of transistor 11 and Zener diode 13
A connection point A is connected to the gates of insulated gate bipolar transistors LG, B, and T.

閃光放電管Xeの両端には、抵抗15.16からなり、
両者の接続点Bがスイッチ素子であるトランジスタ11
の制御極(ベース)と接続されているスイッチ素子のゲ
ート手段14が接続されている。絶縁ゲート型バイポー
ラトランジスタ1. G、 B、 T、の両端には、ス
イッチ素子であるトランジスタ18と抵抗19とを直列
接続してなり、トランジスタ18と抵抗19との接続点
Cが後述するトリガ回路20のトリガスイッチ素子であ
る5CR22のゲートと抵抗25を介して接続されてい
るスイッチ手段17が接続されている。トリが回路20
は、抵抗21を介して充電されるトリガコンデンサ23
、オンすることによりトリガコンデンサ23の充電電荷
をトリガトランス24を介して放電させるトリガスイッ
チ素子である5CR22およびこの5CR22の保護用
の抵抗25とから構成されている。
Both ends of the flash discharge tube Xe consist of resistors 15 and 16,
A transistor 11 whose connection point B is a switch element.
The gate means 14 of the switch element connected to the control pole (base) of is connected. Insulated gate bipolar transistor 1. A transistor 18, which is a switching element, and a resistor 19 are connected in series at both ends of G, B, and T, and a connection point C between the transistor 18 and the resistor 19 is a trigger switch element of a trigger circuit 20, which will be described later. A switch means 17 is connected to the gate of 5CR22 via a resistor 25. Tori is circuit 20
is a trigger capacitor 23 charged via a resistor 21
, a trigger switch element 5CR22 which discharges the charge in the trigger capacitor 23 via the trigger transformer 24 when turned on, and a resistor 25 for protecting the 5CR22.

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ1. G、 B、
 T、のゲート・エミッタ間には、オンすることにより
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ1. G、 B、
 T、をオフせしめるトランジスタ26がその制御素子
として接続されている。
Insulated gate bipolar transistor 1. G, B,
Between the gate and emitter of T, an insulated gate bipolar transistor 1. G, B,
A transistor 26, which turns off T, is connected as its control element.

なお、トランジスタ18の制御極であるベース端子18
aおよびトランジスタ26の制御極であるベース端子2
6aには、それぞれ発光を開始させるトリガ信号および
発光を停止させるストップ信号が供給されることになる
Note that the base terminal 18 which is the control pole of the transistor 18
a and the base terminal 2 which is the control pole of the transistor 26
A trigger signal for starting light emission and a stop signal for stopping light emission are respectively supplied to 6a.

今、直流高圧電源8にて主コンデンサCM、)リガコン
デンサ23の充電が成された状態において、スイッチ手
段17のトランジスタ18のベース端子18aに極短時
間幅を有する高レベルパルス信号が印加されると、この
トランジスタ18はオンし、ゲート手段14の抵抗15
.16およびスイッチ手段17の抵抗19を介して電流
が流れることになる。よって、抵抗15および抵抗19
の両端の降下電圧によりトランジスタ11および5CR
22がオンし、主コンデンサCMの充電電圧がツェナー
ダイオード13に印加されることになるとともに、トリ
ガコンデンサ23の充電電荷がトリガトランス24を介
して放電され、閃光放電管Xeが励起されることに、す
なわちトリガ回路20が周知のトリガ動作を行うことに
なる。したがって、接続点Aに所定電圧が出力され、絶
縁ゲート型バイポーラトランジスタ1.G、B、T、ノ
’r’−トに印加されることになり、この結果、絶縁ゲ
ート型バイポーラトランジスタ1. G、 B、 T、
はオンし、閃光放電管Xeは主コンデンサCMの充電電
荷を消費して発光することになる。
Now, in a state where the main capacitor CM and the Riga capacitor 23 are charged by the DC high voltage power supply 8, a high level pulse signal having an extremely short duration is applied to the base terminal 18a of the transistor 18 of the switching means 17. , this transistor 18 is turned on, and the resistor 15 of the gate means 14 is turned on.
.. 16 and through the resistor 19 of the switch means 17 a current will flow. Therefore, resistor 15 and resistor 19
The voltage drop across transistors 11 and 5CR
22 is turned on, the charged voltage of the main capacitor CM is applied to the Zener diode 13, and the charged charge of the trigger capacitor 23 is discharged via the trigger transformer 24, and the flash discharge tube Xe is excited. That is, the trigger circuit 20 performs a well-known trigger operation. Therefore, a predetermined voltage is output to the connection point A, and the insulated gate bipolar transistor 1. As a result, the insulated gate bipolar transistor 1. G, B, T,
is turned on, and the flash discharge tube Xe consumes the charge in the main capacitor CM to emit light.

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ1.G、 B、 
T。
Insulated gate bipolar transistor 1. G, B,
T.

がオンすると、ゲート手段14.スイッチ手段17を介
して流れていた電流は、ゲート手段14.絶縁ゲート型
バイポーラトランジスタ1. G、 B、 T、を介し
て流れるようになり、よって、先のスイッチ手段17の
トランジスタ18の状態に関係なくトランジスタ11の
オン状態は維持され、もちろん絶縁ゲート型バイポーラ
トランジスタ1. G、 B、 T、への主コンデンサ
CMの駆動電源としての供給も継続されることになる。
When turned on, gate means 14. The current flowing through the switch means 17 is transferred to the gate means 14. Insulated gate bipolar transistor 1. G, B, and T. Therefore, the on state of the transistor 11 is maintained regardless of the state of the transistor 18 of the switching means 17, and of course the insulated gate bipolar transistor 1. Supply of driving power to main capacitor CM to G, B, and T will also continue.

すなわち、スイッチ手段17のトランジスタ18は、ト
リが信号の供給から閃光放電管Xeのトリガ動作がなさ
れ、かつ絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ1. G
、 B、 T、がオンするまでの期間オンしていればよ
いことになり、もちろんその期間はきわめて短く、よっ
て、この実施例においては、トリガ信号は前述のように
極短時間幅のパルス信号でよいわけである。
That is, the transistor 18 of the switch means 17 is configured so that the trigger operation of the flash discharge tube Xe is performed from the supply of the signal, and the transistor 18 of the switch means 17 is an insulated gate bipolar transistor 1. G
, B, and T only have to remain on for a period of time until they turn on. Of course, that period is extremely short, so in this embodiment, the trigger signal is a pulse signal with an extremely short width as described above. That's fine.

上述のような状態の適宜時点、たとえば閃光放電管Xe
の発光量が適正光量となった時点において、トランジス
タ26のベース端子26aにたとえば測光回路(図示せ
ず)より所定のパルス幅を有する高レベルパルス信号が
印加される−と、トランジスタ26はオンし、絶縁ゲー
ト型バイポーラトランジスタ1. G、 B、 T、の
ゲート・エミッタ間を短絡することになり、よって、絶
縁ゲート型バイポーラトランジスタ1. G、 B、 
T、はオフとなる。
At an appropriate time in the above-mentioned state, for example, the flash discharge tube Xe
When the amount of light emitted by the transistor 26 reaches the appropriate amount of light, a high-level pulse signal having a predetermined pulse width is applied to the base terminal 26a of the transistor 26 from, for example, a photometric circuit (not shown), and the transistor 26 is turned on. , insulated gate bipolar transistor 1. The gates and emitters of G, B, and T are shorted, so that the insulated gate bipolar transistor 1. G, B,
T is off.

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ1. G、 B、
 T。
Insulated gate bipolar transistor 1. G, B,
T.

がオフすると、閃光放電管Xeを介して流れていた放電
電流が遮断されるとともに、ゲート手段14を介して流
れていたトランジスタ11のベース電流も遮断されるこ
とになり、したがって、閃光放電管Xeの発光が停止し
、トランジスタ11もオフして、主コンデンサCMの絶
縁ゲート型バイポーラトランジスタI、 G、 B、 
T、への駆動電源としての供給が停止せしめられる。す
なわち、発光前の初期状態に復帰することになり、かか
る時点で一回の発光動作が終了することになる。
When turned off, the discharge current flowing through the flash discharge tube Xe is cut off, and the base current of the transistor 11 flowing through the gate means 14 is also cut off. stops emitting light, transistor 11 is also turned off, and the insulated gate bipolar transistors I, G, B, of the main capacitor CM
The supply of driving power to T is stopped. That is, the light emitting device returns to the initial state before emitting light, and one light emitting operation ends at this point.

なお実際にはまれなことではあるが、絶縁ゲート型バイ
ポーラトランジスタ1. G、 B、 T、のオフ時、
トランジスタ18がまだオンしていると、ゲート手段1
4.スイッチ手段17を介して電流が流れるが、トラン
ジスタ26のオン期間をトランジスタ18のオン期間よ
り長い所定期間としておけば特に問題は生じない。
Although it is actually rare, insulated gate bipolar transistors1. When G, B, and T are off,
If transistor 18 is still on, gate means 1
4. Although current flows through the switch means 17, no particular problem occurs if the on period of the transistor 26 is set to a predetermined period longer than the on period of the transistor 18.

また、トランジスタ18のベース端子18aへのトリガ
信号印加時絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ1. 
G、 B、 T、のオンが何らかの原因で遅れたり行わ
れなかった場合、閃光放電管Xe、スイッチ手段17を
介して5CR22のゲートに大電流が流れるようとする
が、抵抗25の抵抗値を適宜設定しておくことにより、
特に問題は生じない。
Furthermore, when a trigger signal is applied to the base terminal 18a of the transistor 18, the insulated gate bipolar transistor 1.
If the turning on of G, B, and T is delayed or not performed for some reason, a large current will flow through the flash discharge tube Xe and the gate of 5CR22 via the switch means 17, but the resistance value of the resistor 25 By setting appropriately,
No particular problem arises.

さらに、上述した絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
1. G、 B、 T、のオンの遅れ、換言すれば、ト
リガ回路20が先に動作して閃光放電管Xeが励起され
てしまうことは、たとえば第1図において破線で示した
ようなコンデンサCI7を5CR22のゲート・カソー
ド間に接続することにより、5CR22のオン時点をト
ランジスタ18のオン時点から若干遅らせることによっ
て防止できることはいうまでもないことである。すなわ
ち、トランジスタ18のオンにより絶縁ゲート型バイポ
ーラトランジスタ1. G、 B、 T、が十分なオン
状態になってから5CR22がオンし、トリガ回路20
による閃光放電管Xeのトリガ動作が行うようになすこ
とができるわけである。
Furthermore, the above-mentioned insulated gate bipolar transistor 1. The delay in turning on G, B, and T, in other words, the fact that the trigger circuit 20 operates first and the flash discharge tube It goes without saying that this can be prevented by connecting the gate and cathode of 5CR22 to slightly delay the turning-on point of 5CR22 from the turning-on point of transistor 18. That is, by turning on the transistor 18, the insulated gate bipolar transistor 1. After G, B, and T are sufficiently turned on, 5CR22 turns on, and the trigger circuit 20
Therefore, the trigger operation of the flash discharge tube Xe can be performed by the following.

さらに、抵抗25をツェナーダイオードに置換してもよ
い。
Furthermore, the resistor 25 may be replaced with a Zener diode.

〔実施例2〕 第2図は第2の実施例の要部電気回路図である。[Example 2] FIG. 2 is an electrical circuit diagram of the main part of the second embodiment.

図において、第1の実施例における構成要素と同じ機能
をもつ要素には同じ符号を付している。
In the figure, elements having the same functions as those in the first embodiment are given the same reference numerals.

この実施例は、第2図からも明らかなように、第1の実
施例において説明したスイッチ手段17、すなわち動作
することによりトリガ回路20およびゲート手段14を
動作せしめるスイッチ手段17として、トリガ回路20
のトリガスイッチ素子27が兼用されているところが第
1の実施例とは異なる。
As is clear from FIG. 2, this embodiment uses the trigger circuit 20 as the switch means 17 explained in the first embodiment, that is, the switch means 17 which operates the trigger circuit 20 and the gate means 14 by operating.
This embodiment differs from the first embodiment in that the trigger switch element 27 is also used.

なお、トリガスイッチ素子としては、前述した5CR2
2やトランジスタ等が考えられることはいうまでもない
In addition, as a trigger switch element, the above-mentioned 5CR2
Needless to say, 2, transistors, etc. are conceivable.

第2の実施例はこのように構成されているため、絶縁ゲ
ート型バイポーラトランジスタ1. G、 B、 T、
の駆動系等の動作は以下のようになる。
Since the second embodiment is configured as described above, the insulated gate bipolar transistor 1. G, B, T,
The operation of the drive system etc. is as follows.

発光を開始させるトリガ信号が、トリガスイッチ素子2
7の制御極端子27aに供給され、今、端子27aに極
短時間幅を有するトリガ信号が供給されると、トリガス
イッチ素子27はオンする。
A trigger signal for starting light emission is sent to the trigger switch element 2.
When a trigger signal having an extremely short duration is now supplied to the terminal 27a, the trigger switch element 27 is turned on.

トリガスイッチ素子27がオンすると、トリガコンデン
サ23の充電電荷がトリガトランス23を介して放出さ
れ、閃光放電管Xeを励起するトリガ動作がなされると
同時に、このトリガスイッチ素子27を介してゲート手
段14に電流が流れ、トランジスタ11がオンせしめら
れ、ツェナーダイオード13によって決められる所定電
圧が絶縁ゲート盤バイポーラトランジスタ1. G、B
、T、のゲートに供給されることになり、よって、絶縁
ゲート型バイポーラトランジスタ1. G、 B、T、
がオンすることになる。したがって、閃光放電管Xeが
主コンデンサC8の充電電荷を消費して発光することに
なるとともに、上述したようにゲート手段14の動作が
継続されることになる。
When the trigger switch element 27 is turned on, the charge in the trigger capacitor 23 is discharged via the trigger transformer 23, and a trigger operation is performed to excite the flash discharge tube Xe. A current flows through the insulated gate board bipolar transistor 1., turning on the transistor 11, and applying a predetermined voltage determined by the Zener diode 13 to the insulated gate board bipolar transistor 1. G,B
, T, and therefore the insulated gate bipolar transistor 1. G, B, T,
will turn on. Therefore, the flash discharge tube Xe consumes the charge in the main capacitor C8 to emit light, and the gate means 14 continues to operate as described above.

このような状態の適宜時点において、トランジスタ26
のベース端子26aに発光を停止させるストップ信号が
供給されると、トランジスタ26はオンして絶縁ゲート
型バイポーラトランジスタ1、 G、 B、丁、のゲー
ト・エミッタ間を短絡し、この絶縁ゲート型バイポーラ
トランジスタ1. G、 B、 T、をオフせしめる。
At an appropriate point in such a state, the transistor 26
When a stop signal to stop light emission is supplied to the base terminal 26a of the insulated gate bipolar transistor 1, the transistor 26 turns on and short-circuits the gates and emitters of the insulated gate bipolar transistors 1, G, B, and D. Transistor 1. Turn off G, B, and T.

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタI、 G、B、 
T、がオフすると、閃光放電管Xeあるいはゲート手段
14を介して流れていた電流が遮断されることになり、
よって、閃光放電管Xeの発光が停止し、またトランジ
スタ11もオフし、装置は発光前の初期状態に復帰する
ことになる。
Insulated gate bipolar transistors I, G, B,
When T is turned off, the current flowing through the flash discharge tube Xe or the gate means 14 is cut off.
Therefore, the flash discharge tube Xe stops emitting light, the transistor 11 is also turned off, and the device returns to its initial state before emitting light.

以上が第2の実施例における一回の発光動作であり、第
1の実施例に比してスイッチ手段17がトリガスイッチ
素子27で兼用されているため、回路構成が簡単となっ
ている。
The above is a single light emitting operation in the second embodiment, and the circuit configuration is simpler than in the first embodiment because the trigger switch element 27 also serves as the switch means 17.

なお、抵抗28は、トリガスイッチ素子27の保護用の
抵抗であり、もちろんたとえばツェナーダイオードに置
換してもよい。
Note that the resistor 28 is a resistor for protecting the trigger switch element 27, and may of course be replaced with a Zener diode, for example.

また、トリガスイッチ素子27として第1の実施例のよ
うにSCRを用いる場合、抵抗28はその不必要なオン
維持を防止する機能をも果たすことになる。
Furthermore, when an SCR is used as the trigger switch element 27 as in the first embodiment, the resistor 28 also serves the function of preventing it from being kept on unnecessarily.

〔実施例3゛〕 第3図は第3の実施例の要部電気回路図である。[Example 3] FIG. 3 is an electrical circuit diagram of the main part of the third embodiment.

図において、第1.第2の実施例における構成要素と同
じ機能をもつ要素には同じ符号を付している。
In the figure, 1. Elements having the same functions as those in the second embodiment are given the same reference numerals.

この実施例は、第3図からも明らかなように、第1.第
2の実施例においては抵抗15.16で構成していたゲ
ート手段14を、抵抗15等と直列接続体を形成するダ
イオード29を含んで構成し、さらに抵抗16とダイオ
ード29との接続点りに、スイッチ手段17でもあるト
リガスイッチ素子27を含むトリガ回路20を接続した
ものである。すなわち、先に述べた第2の実施例を基に
ダイオード29の追加とスイッチ手段17の絶縁ケート
型バイポーラトランジスタ1. G、 B、 T、との
接続関係をダイオード29を介しての接続としたもので
ある。
In this embodiment, as is clear from FIG. In the second embodiment, the gate means 14, which was made up of resistors 15 and 16, is made up of a diode 29 that forms a series connection with the resistor 15 and the like, and further includes a connection point between the resistor 16 and the diode 29. A trigger circuit 20 including a trigger switch element 27 which is also the switch means 17 is connected to the trigger circuit 20 . That is, based on the second embodiment described above, the diode 29 is added and the insulated gate bipolar transistor 1. G, B, and T are connected through a diode 29.

第3の実施例はこのように構成されるが、絶縁ゲート型
バイポーラトランジスタ1. G、 B、 T、の駆動
系等の動作は先に述べた第2の実施例とほとんど同じで
あり、トリガ信号の供給によりトリガスイッチ素子27
がオンすると、トリガ回路20が周知のトリガ動作をす
るとともに、ゲート手段14の抵抗15,16.  ダ
イオード29を介して電流が流れ、トランジスタ11が
オンせしめられる。したがって、絶縁ゲート型バイポー
ラトランジスタI、 G、 B、 T、のゲートにツェ
ナーダイオード13によって設定される所定電圧が印加
され、この絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ1. 
G、 B、 T、がオンし、閃光放電管Xeが発光する
とともに、ゲート手段14の動作が継続されることにな
る。
The third embodiment is configured as described above, and includes an insulated gate bipolar transistor 1. The operation of the G, B, T drive systems, etc. is almost the same as in the second embodiment described above, and the trigger switch element 27 is activated by supplying a trigger signal.
When turned on, the trigger circuit 20 performs a well-known trigger operation, and the resistors 15, 16 . Current flows through diode 29, turning on transistor 11. Therefore, a predetermined voltage set by the Zener diode 13 is applied to the gates of the insulated gate bipolar transistors I, G, B, T, and the insulated gate bipolar transistors 1.
G, B, and T are turned on, the flash discharge tube Xe emits light, and the gate means 14 continues to operate.

そして、トランジスタ26がストップ信号の供給により
オンすると、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ1.
 G、 B、 T、はオフし、よって、閃光放電管Xe
の発光は停止し、またゲート手段14の動作も停止しト
ランジスタ11がオフすることになり、装置は初期状態
に復帰し、−回の発光動作が終了することになる。
Then, when the transistor 26 is turned on by supplying the stop signal, the insulated gate bipolar transistor 1.
G, B, T are off, so the flash tube Xe
The light emission stops, the operation of the gate means 14 also stops, and the transistor 11 is turned off, so that the device returns to its initial state and the -th light emission operation is completed.

さて、次にダイオード29の機能について述べておく。Now, the function of the diode 29 will be described next.

このダイオード29は、カソードが閃光放電管Xeと絶
縁ゲート型バイポーラトランジスタ1. G、 B、 
T。
This diode 29 has a cathode composed of a flash discharge tube Xe and an insulated gate bipolar transistor 1. G, B,
T.

との接続点と接続されており、よって、閃光放電管Xe
側からの電流を阻止する機能を果たしていることは明ら
かである。したがって、トリガスイッチ素子27のオン
時、なんらかの原因で絶縁ゲート型バイポーラトランジ
スタ1. G、B、 T、がオンしなかったきしても、
閃光放電管Xeを介して大電流がトリガスイッチ素子に
流れ込むことはなく、この結果、トリガスイッチ素子2
7を確実に保護できることになる。
Therefore, the flash discharge tube Xe
It is clear that it functions to block current from flowing from the side. Therefore, when the trigger switch element 27 is turned on, for some reason, the insulated gate bipolar transistor 1. Even if G, B, and T do not turn on,
A large current does not flow into the trigger switch element through the flash discharge tube Xe, and as a result, the trigger switch element 2
7 can be reliably protected.

なお、第3の実施例は第2の実施例を基にしたものであ
ったが、第1の実施例を基にして構成できることはいう
までもない。
Although the third embodiment is based on the second embodiment, it goes without saying that it can be constructed based on the first embodiment.

また、ダイオード29のアノードとトリガスイッチ素子
27との間に、第2の実施例で述べたような抵抗28、
あるいはツェナーダイオード等の保護用素子を適宜設け
てもよいこともいうまでもない。
Also, between the anode of the diode 29 and the trigger switch element 27, a resistor 28 as described in the second embodiment,
Alternatively, it goes without saying that a protective element such as a Zener diode may be provided as appropriate.

発明の効果 本発明のストロボ装置は、主コンデンサを駆動電源とし
て絶縁ゲート型バイポーラトランジスタに供給するため
のスイッチ素子の動作を制御するゲート手段を、動作す
ることによってトリガ回路を動作せしめるスイッチ手段
により動作させるとともに、閃光放電管の両端に設けて
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのオンによってそ
の動作を維持できるようになしていることから、閃光放
電管の必要全発光時間を考慮した時間幅を有するトリガ
信号を形成する特別なパルス発生回路を構成する必要が
なく、またスイッチ手段をトリが回路のトリガスイッチ
素子にて兼用することにより制御スイッチ素子数を少な
くすることができ、したがって、絶縁ゲート型バイポー
ラトランジスタの駆動系を簡素化でき、加えて消費エネ
ルギーの点でも有利となるという効果を有している。
Effects of the Invention The strobe device of the present invention is operated by a switch means that operates a trigger circuit by operating a gate means that controls the operation of a switch element for supplying a driving power source to an insulated gate bipolar transistor using a main capacitor. At the same time, since the operation can be maintained by turning on the insulated gate bipolar transistors provided at both ends of the flash discharge tube, a trigger signal having a time width that takes into account the total light emission time of the flash discharge tube is generated. There is no need to configure a special pulse generation circuit to form the insulated gate bipolar transistor, and the number of control switch elements can be reduced by using the trigger switch element of the circuit as the switch means. This has the effect of simplifying the drive system and also being advantageous in terms of energy consumption.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図ないし第3図はそれぞれ本発明によるストロボ装
置の実施例の要部電気回路図、第4図および第5図はそ
れぞれ従来のストロボ装置の構成を示す回路図である。 8・・・・・・直流高圧電源、9・・・・・・第1直列
接続体、10・・・・・・第2直列接続体、11・・・
・・・トランジスタ、12.15,16,19,21.
25・・・・・・抵抗、13・・・・・・ツェナーダイ
オード、14・・・・・・ゲート手段、17・・・・・
・スイッチ手段、18・・・・・・トランジスタ、20
・・・・・・トリガ回路、22・・・・・・SCR,2
3・・・・・・トリガコンデンサ、24・・・・・・ト
リガトランス、26・・・・・・トランジスタ、27・
・・・・・トリガスイッチ素子、28・・・・・・抵抗
、29・・・・・・ダイオード、1. G、 B、 T
。 ・・・・・・絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ、x
e・・・・・・閃光放電管 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名第 第 図 図 第 図 RIG TOP
1 to 3 are electrical circuit diagrams of essential parts of an embodiment of a strobe device according to the present invention, and FIGS. 4 and 5 are circuit diagrams showing the configuration of a conventional strobe device, respectively. 8...DC high voltage power supply, 9...First series connection body, 10...Second series connection body, 11...
...transistor, 12.15,16,19,21.
25... Resistor, 13... Zener diode, 14... Gate means, 17...
- Switch means, 18...Transistor, 20
...Trigger circuit, 22...SCR, 2
3...Trigger capacitor, 24...Trigger transformer, 26...Transistor, 27...
...Trigger switch element, 28...Resistor, 29...Diode, 1. G, B, T
. ...Insulated gate bipolar transistor, x
e・・・・・・Flash tube agent name Patent attorney Shigetaka Awano Haka 1 person Figure 1 Figure RIG TOP

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)直流高圧電源の両端に接続され、充電される主コ
ンデンサと、閃光放電管および絶縁ゲート型バイポーラ
トランジスタを直列接続してなり、前記主コンデンサの
両端に接続される第1直列接続体と、スイッチ素子およ
び定電圧素子を直列接続してなり、前記主コンデンサの
両端に接続されるとともに、前記直列接続した接続点を
前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのゲートと接
続してなる第2直列接続体と、前記閃光放電管の両端に
接続され、動作することにより前記スイッチ素子をオン
せしめるゲート手段と、前記絶縁ゲート型バイポーラト
ランジスタの両端に接続され、動作することにより前記
閃光放電管を励起するトリガ回路および前記ゲート手段
を動作せしめるスイッチ手段と、前記絶縁ゲート型バイ
ポーラトランジスタのゲートとアースとの間に接続され
、オンすることにより、前記絶縁ゲート型バイポーラト
ランジスタをオフせしめる制御素子とを備えてなるスト
ロボ装置。
(1) A main capacitor connected to both ends of a DC high-voltage power supply to be charged, and a first series connection body consisting of a flash discharge tube and an insulated gate bipolar transistor connected in series, and connected to both ends of the main capacitor. , a second series connection body comprising a switch element and a constant voltage element connected in series, connected to both ends of the main capacitor, and a connection point of the series connection connected to the gate of the insulated gate bipolar transistor; a gate means connected to both ends of the flash discharge tube and turns on the switch element when operated; and a trigger connected to both ends of the insulated gate bipolar transistor and excited the flash discharge tube when operated. A circuit and a switch means for operating the gate means, and a control element connected between the gate of the insulated gate bipolar transistor and ground and turned on to turn off the insulated gate bipolar transistor. Strobe device.
(2)スイッチ手段は、トリガ回路の一部を形成するト
リガスイッチ素子からなる請求項1に記載の一ストロボ
装置。
(2) A strobe device according to claim 1, wherein the switch means comprises a trigger switch element forming part of a trigger circuit.
(3)ゲート手段は、カソードが閃光放電管と絶縁ゲー
ト型バイポーラトランジスタとの接続点と接続されるダ
イオードを含み、スイッチ手段は一端が前記ダイオード
のアノードと接続され、前記ダイオードを介して前記絶
縁ゲート型バイポーラトランジスタの両端に接続される
請求項1または2に記載のストロボ装置。
(3) The gate means includes a diode whose cathode is connected to the connection point between the flash discharge tube and the insulated gate bipolar transistor, and the switch means has one end connected to the anode of the diode and connects the insulating gate via the diode. The strobe device according to claim 1 or 2, wherein the strobe device is connected to both ends of a gate type bipolar transistor.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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