JPH02287141A - Defect inspecting device - Google Patents

Defect inspecting device

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JPH02287141A
JPH02287141A JP10756589A JP10756589A JPH02287141A JP H02287141 A JPH02287141 A JP H02287141A JP 10756589 A JP10756589 A JP 10756589A JP 10756589 A JP10756589 A JP 10756589A JP H02287141 A JPH02287141 A JP H02287141A
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JP
Japan
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defect
laser light
circuit
light
stamper
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Application number
JP10756589A
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Japanese (ja)
Inventor
Katsuki Ohashi
勝樹 大橋
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Abstract

PURPOSE:To decide various defects without providing any other optical system by providing a defect detecting means and a defect deciding means and deciding the kind of the defect of a stamper from the detection result of the defect detecting means and the photodetection result of a photodetecting element. CONSTITUTION:This defect inspecting device is constituted by providing the defect detecting means (auto power control circuit) 4 which detects laser light carrying defect information and a defect deciding circuit 11. If there is a specific kind of defect is present on an optical disk original plate (stamper) 10, reflected laser light from the defect returns to a semiconductor laser 1 through polarization optical systems 16 - 13 and then the circuit 4 detects the defect through its pin 8. Then the circuit 11 consisting of a comparator and a logic element decides the kind of the defect on the stamper 10 through logical operation from the detection result of the circuit 4 and the photodetection result of a photodetecting element 19 which photodetects the reflected laser light reflected by a beam splitter 14, and outputs the decision result.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、光ディスク原盤(以下スタンパと称する)の
欠陥検査を行う欠陥検査装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a defect inspection device that inspects defects on an optical disk master (hereinafter referred to as a stamper).

(従来の技術) かかるスタンパの欠陥検査を行う技術としては、例えば
特開昭63−67550号公報及び特開昭63−372
45号公報がある。このうち特開昭63−67550号
公報は、レーザ光源から出力されたレーザ光をビームス
プリッタを通してスタンパに照射し、このスタンパから
の反射レーザ光を上記ビームスプリッタで反射してフォ
トダイオードに導(。そして、このフォトダイオードで
の受光量が所定量以下に低下したときに欠陥検出とする
ものである。又、特開昭63−37245号公報は、レ
ーザ光源から出力されたレーザ光を偏光ビームスプリッ
タを通してスタンパに照射するものとなっており、この
状態にスタンパに欠陥があればスタンパからの反射レー
ザ光は同一光路の上記偏光ビームスプリッタを通ってレ
ーザ光源の方向へ戻る。ところが、スタンパに欠陥が存
在するとスタンパからの反射レーザ光には散乱光が生じ
る。この散乱光は方向性があるために、スタンバからの
反射レーザ光のうち散乱光のみが上記ビームスブリフタ
で反射して4分割された受光素子に導かれる。しかるに
、この受光素子の出力から欠陥が区別される。
(Prior art) Techniques for inspecting defects in stampers include, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 63-67550 and Japanese Patent Laid-Open No. 63-372.
There is a publication No. 45. Among these, JP-A-63-67550 discloses that a laser beam output from a laser light source is irradiated onto a stamper through a beam splitter, and the reflected laser beam from the stamper is reflected by the beam splitter and guided to a photodiode. A defect is detected when the amount of light received by this photodiode falls below a predetermined amount.In addition, Japanese Patent Laid-Open No. 63-37245 discloses that a laser beam output from a laser light source is connected to a polarizing beam splitter. If there is a defect in the stamper in this state, the reflected laser beam from the stamper will return to the laser light source through the polarizing beam splitter on the same optical path.However, if there is a defect in the stamper, If it exists, scattered light will be generated in the reflected laser light from the stamper.Since this scattered light has directionality, only the scattered light out of the reflected laser light from the stamper is reflected by the beam subrifter and divided into four parts. The light is guided to a light-receiving element.Defects can be distinguished from the output of this light-receiving element.

ところで、スタンバの欠陥には、異物が付着したものと
スタンバ自身の構造に欠陥があるものとがある。このう
ち、異物の付着による欠陥は光ディスクに転写されない
が、構造の欠陥は光ディスクに転写されて光ディスクの
不良を発生させる。
By the way, there are two types of standby defects: foreign matter adhesion and defects in the structure of the standby itself. Among these defects, defects due to adhesion of foreign matter are not transferred to the optical disk, but structural defects are transferred to the optical disk, causing defects in the optical disk.

そこで、これら欠陥を区別して検出する場合、上記各技
術のうち前者の技術を適用すると、両欠陥とも同じよう
にフォトダイオードでの受光量が所定量以下に低下して
欠陥として検出される。従って、異物の付着による欠陥
と構造の欠陥とを区別できない。又、後者の技術は、レ
ーザ光源から出力されたレーザ光を偏光ビームスプリッ
タを通してスタンバに照射し、このとき欠陥によに生じ
た散乱光を4分割された受光素子に導く構成となってい
るが、通常光ディスクの読取り用に使用されている光学
系(ビック・アップ・ヘッド)はレーザ光源から出力さ
れたレーザ光を偏光ビームスプリッタを通してスタンパ
に照射してその反射レーザ光を偏光ビームスプリッタで
反射させて受光素子に導く構成となっているため、これ
ら構成が全く異なっている。従って、後者の技術では欠
陥検査用の別の光°学系を設けなければならない。
Therefore, when these defects are to be detected separately, if the former of the above techniques is applied, the amount of light received by the photodiode similarly decreases to a predetermined amount or less for both defects, and the defect is detected as a defect. Therefore, it is not possible to distinguish between defects due to adhesion of foreign matter and structural defects. In addition, the latter technology has a configuration in which the laser light output from the laser light source is irradiated onto the standby bar through a polarizing beam splitter, and the scattered light caused by the defect is guided to a light receiving element divided into four parts. The optical system (big-up head) normally used for reading optical discs irradiates a stamper with laser light output from a laser light source through a polarizing beam splitter, and then reflects the reflected laser light with the polarizing beam splitter. These structures are completely different because the light is guided to the light receiving element. Therefore, in the latter technique, a separate optical system for defect inspection must be provided.

(発明が解決しようとする課題) 以上のように異物の付着による欠陥と構造の欠陥とを判
別することができなかったり、又別途の光学系を設けな
ければならなった。
(Problems to be Solved by the Invention) As described above, it has been impossible to distinguish between defects due to adhesion of foreign matter and structural defects, and it has been necessary to provide a separate optical system.

そこで本発明は、別の光学系を設けることなく各種欠陥
を判別できる欠陥検査装置を提供することを目的とする
Therefore, an object of the present invention is to provide a defect inspection device that can discriminate various defects without providing a separate optical system.

[発明の構成] (R題を解決するための手段) 本発明は、レーザ光源から出力されたレーザ光を偏光光
学系を通して光ディスク原盤に照射すると、ともにこの
光ディスク原盤からの反射レーザ光を偏光光学系の作用
により偏光させて受光素子で受光しこの受光量から光デ
ィスク原盤の欠陥検査をレーザ光源のオートパワーコン
トローラを用いて行う欠陥検査装置において、光ディス
ク原盤上の所定の欠陥により偏光光学系を通してレーザ
光源に戻るレーザ光を検出する欠陥検出手段と、この欠
陥検出手段の検出結果と受光素子の受光結果とから光デ
ィスク原盤の欠陥種類を判別する欠陥判別手段とを備え
て上記目的を達成しようとする欠陥検査装置である。
[Structure of the Invention] (Means for Solving Problem R) The present invention provides that when a laser beam output from a laser light source is irradiated onto an optical disc master through a polarizing optical system, the reflected laser light from the optical disc master is transmitted through a polarizing optical system. In a defect inspection device that uses an automatic power controller of a laser light source to inspect optical disk masters for defects based on the amount of light that is polarized by the action of a system and received by a light receiving element, a predetermined defect on the optical disk master is detected by a laser beam through a polarizing optical system. The above object is achieved by providing a defect detection means for detecting laser light returning to a light source, and a defect determination means for determining the type of defect in the optical disc master from the detection result of the defect detection means and the light reception result of the light receiving element. This is a defect inspection device.

(作 用) このような手段を備えたことにより、光ディスク原盤上
に所定種類の欠陥が存在するとこの欠陥からの反射レー
ザ光が偏光光学系を通してレーザ光源に戻って欠陥検出
手段により検出される。
(Function) By providing such a means, when a predetermined type of defect exists on the optical disc master, the reflected laser light from the defect returns to the laser light source through the polarization optical system and is detected by the defect detection means.

そして、この欠陥検出手段の検出結果と光ディスク原盤
からの反射レーザ光を偏光させて受光した受光素子での
受光結果とから欠陥判別手段は光ディスク原盤の欠陥種
類を判別する。
Then, the defect determining means determines the type of defect in the optical disk master from the detection result of the defect detection means and the light reception result of the light receiving element which polarized and received the reflected laser light from the optical disk master.

°(実施例) 以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は欠陥検査装置の構成図であって、光ディスク用
のピック・アップ・ヘッドに適用した場合を示している
。同図において1は半導体レーザであって、第2図に示
すように発光部2と発光量モニタ用のフォトダイオード
3とが備えられている。この半導体レーザ1にはオート
パワーコントローラ(APC)回路4が接続されており
、半導体レーザ1の発光用の足5と共通の足6との間に
電源7が接続されるとともにモニタ用の足8と共通の足
6との間に電流検知回路9が接続されている。そして、
電流検知回路9で検知された電流量は電源7にフィード
バックされて電源7の出力電圧が制御され、この制御に
よって半導体レーザ1の発光量が一定に制御されるよう
になっている。
FIG. 1 is a block diagram of a defect inspection device, and shows a case where the defect inspection device is applied to a pickup head for an optical disk. In the figure, 1 is a semiconductor laser, and as shown in FIG. 2, it is equipped with a light emitting section 2 and a photodiode 3 for monitoring the amount of light emitted. An auto power controller (APC) circuit 4 is connected to the semiconductor laser 1, and a power source 7 is connected between the light emitting leg 5 and the common leg 6 of the semiconductor laser 1, and a monitor leg 8 is connected to the semiconductor laser 1. A current detection circuit 9 is connected between the common leg 6 and the common leg 6 . and,
The amount of current detected by the current detection circuit 9 is fed back to the power source 7, and the output voltage of the power source 7 is controlled, and the amount of light emitted from the semiconductor laser 1 is controlled to be constant through this control.

ところで、このAPC回路4は欠陥検出手段としての機
能を有している。すなわち、この半導体し−ザ1はレー
ザ光を出力しているときに、スタンバ10上の異物によ
り生じる散乱光が入射すると出力しているレーザ光の発
光量が変化する。これにより、アンプ28の出力電圧は
レーザ光の発光量に応じて変化する。従って、このアン
プ28の出力電圧を検出することによってスタンバ10
に欠陥が存在することが検出されることになり、電源7
の出力電圧が欠陥判別回路11に送られている。
By the way, this APC circuit 4 has a function as a defect detection means. That is, when this semiconductor laser 1 is outputting laser light, if scattered light generated by foreign matter on the standber 10 is incident, the amount of light emitted from the laser light being output changes. As a result, the output voltage of the amplifier 28 changes depending on the amount of laser light emitted. Therefore, by detecting the output voltage of this amplifier 28, the standby 10
It will be detected that there is a defect in the power supply 7.
The output voltage is sent to the defect determination circuit 11.

一方、半導体レーザ1のレーザ出力方向には偏光光学系
12が設けられている。この偏光光学系12の構成を説
明すると、半導体レーザ1の発光部2からレーザ出力方
向に向って順にコリメータレンズ13、偏光ビームスプ
リッタ14.4分の1波長板15及び対物レンズ16が
配置されている。そして、偏光ビームスプリッタ14の
分岐方向に円筒レンズ17及び集光レンズ18が配置さ
れている。
On the other hand, a polarization optical system 12 is provided in the laser output direction of the semiconductor laser 1 . To explain the configuration of this polarizing optical system 12, a collimator lens 13, a polarizing beam splitter, a quarter wavelength plate 15, and an objective lens 16 are arranged in order from the light emitting part 2 of the semiconductor laser 1 toward the laser output direction. There is. A cylindrical lens 17 and a condensing lens 18 are arranged in the branching direction of the polarizing beam splitter 14.

この集光レンズ18の集光位置には受光センサ19が設
けられている。この受光センサ19は受光量に応じた電
圧信号を出力するもので、この電圧信号は欠陥判別回路
11に送られている。
A light receiving sensor 19 is provided at the condensing position of the condensing lens 18 . This light receiving sensor 19 outputs a voltage signal according to the amount of light received, and this voltage signal is sent to the defect determination circuit 11.

この欠陥判別回路11はAPC回路4のフィードバック
用のアンプ28の出力電圧と受光センサ19からの電圧
信号とからスタンバ10の欠陥のうち構造欠陥を判別す
る機能を有するものである。
The defect determination circuit 11 has a function of determining structural defects among the defects in the standber 10 from the output voltage of the feedback amplifier 28 of the APC circuit 4 and the voltage signal from the light receiving sensor 19.

その構成は、各コンパレータ20,21.22が設けら
れ、一方のコンパレータ20の「−」入力端子とコンパ
レータ21の「十」入力端子にアンプ28の出力電圧が
入力されている。このコンパレータ20の「+」入力端
子とコンパレータ20の「−」入力端子にはそれぞれ戻
すレーザ光の判定電圧Va及びVnを発生する直流電源
23゜24が接続されている。従って、このコンパレー
タ20はアンプ28の出力電圧が判定電圧Vaを越える
と判定信号Pを欠陥検出を示すローレベルrLJにし、
コンパレータ21はアンプ28の出力電圧が判定電圧v
bを下まわると、判定信号Qを欠陥検出を示すrLJに
するものとなっている。
Its configuration includes comparators 20, 21, and 22, and the output voltage of the amplifier 28 is input to the "-" input terminal of one comparator 20 and the "10" input terminal of the comparator 21. DC power supplies 23 and 24 are connected to the "+" input terminal of the comparator 20 and the "-" input terminal of the comparator 20, respectively, for generating determination voltages Va and Vn for the returned laser beam. Therefore, when the output voltage of the amplifier 28 exceeds the judgment voltage Va, the comparator 20 sets the judgment signal P to a low level rLJ indicating defect detection.
The comparator 21 determines that the output voltage of the amplifier 28 is the judgment voltage v
When the value falls below b, the determination signal Q is set to rLJ indicating defect detection.

もう一方のコンパレータ22の「+」入力端子には受光
センサ19からの電圧信号が入力されており、「−」入
力端子には欠陥判別の判定電圧VCを発生する直流電源
25が接続されている。従って、このコンパレータ21
は受光センサ19からの電圧信号が判定電圧Vcよりも
低下すると判定信号Rを欠陥検出を示すローレベルrL
Jを出力するものとなっている。そして、各コンパレー
タ20.2fの出力端子はゲート回路26の各入力端子
に接続され、このゲート回路26の出力端子とコンパレ
ータ22の出力端子とがゲート回路27の各入力端子に
接続されている。しかるに、この欠陥判別回路11は次
表に従ってスタンバ10の構造欠陥のみを判別してその
判別結果Sを出力するものとなっている。
The voltage signal from the light receiving sensor 19 is input to the "+" input terminal of the other comparator 22, and the DC power supply 25 that generates the judgment voltage VC for defect determination is connected to the "-" input terminal. . Therefore, this comparator 21
When the voltage signal from the light receiving sensor 19 becomes lower than the judgment voltage Vc, the judgment signal R is set to low level rL indicating defect detection.
It is designed to output J. The output terminal of each comparator 20.2f is connected to each input terminal of a gate circuit 26, and the output terminal of this gate circuit 26 and the output terminal of the comparator 22 are connected to each input terminal of a gate circuit 27. However, this defect discrimination circuit 11 discriminates only the structural defects of the standber 10 according to the following table and outputs the discrimination result S.

次に上記の如く構成された装置の作用について説明する
Next, the operation of the apparatus configured as described above will be explained.

半導体レーザ1からレーザ光が出力されると、このレー
ザ光はコリメータレンズ13.偏光ビームスプリッタ1
4.4分の1波長板15を通り対物レンズ16で集光さ
れてスタンバ10に照射される。ここで、スタンバ10
に欠陥が存在しなければ、スタンバ10からの反射レー
ザ光は対物レンズ16から4分の1波長板15を通って
偏光ビームスプリッタ14に送られ、この偏光ビームス
プリッタ14で反射して円筒レンズ17に導かれる。そ
うして、反射レニザ光は集光レンズ18で受光センサ1
9に集光さ八−る。従って、スタンバ10に欠陥が存在
しない場合ζ−半導体レーザ1から出力されるレーザ光
の発光量は一定となり、APC回路4のアンプ28の出
力電圧は一定となっている。しかるに、アンプ28の出
力電圧は判定電圧VasVbの間にありコンパレータ2
0及び21からはハイレベルrHJの判定信号P、 Q
が出力されるとともに、受光センサ19から出力される
電圧信号は判定電圧よりも低くコンパレータ21からは
ハイレベルrHJめ判定信号Rが出力される。これによ
り、ゲート回路27からは欠陥が存在しないことを示す
ハイレベルrHJの判定結果が出力される。
When laser light is output from the semiconductor laser 1, this laser light passes through the collimator lens 13. Polarizing beam splitter 1
The light passes through the 4.4/4 wavelength plate 15, is focused by the objective lens 16, and is irradiated onto the stand bar 10. Here, standby 10
If there is no defect in , the reflected laser light from the standber 10 is sent from the objective lens 16 through the quarter-wave plate 15 to the polarizing beam splitter 14 , and is reflected by the polarizing beam splitter 14 to be transmitted to the cylindrical lens 17 . guided by. Then, the reflected lens laser light passes through the condensing lens 18 to the light receiving sensor 1.
The light is focused on 9. Therefore, when there is no defect in the standber 10, the amount of laser light emitted from the ζ-semiconductor laser 1 is constant, and the output voltage of the amplifier 28 of the APC circuit 4 is constant. However, the output voltage of the amplifier 28 is between the judgment voltages VasVb and the comparator 2
From 0 and 21, high level rHJ judgment signals P, Q
At the same time, the voltage signal output from the light receiving sensor 19 is lower than the determination voltage, and the comparator 21 outputs a high level rHJ determination signal R. As a result, the gate circuit 27 outputs a determination result of high level rHJ indicating that no defect exists.

ところで、スタンバ10に構造欠陥が存在すると、スタ
ンパ10からの反射レーザ光の光量が低下する。そして
、この反射レーザ光は対物レンズ16から4分の1波長
板15を通って偏光ビームスプリッタ14で反射して円
筒レンズ17に導かれ、さらに集光レンズ18で受光セ
ンサ19に集光される。このとき受光センサ19から出
力される電圧信号のレベルは受光量の減少に伴って低下
して、判定電圧VCよりも低くなる。従って、コンバレ
ー、夕22からはローレベルrLJの信号が出力される
。なお、このとき反射レーザ光は偏光方向が変わらない
ので半導体レーザ1に戻らず、電源7の出力電圧は一定
となっている。この結果ゲート回路25からは構造欠陥
を示すローレベルrLJの判定結果Sが出力される。
By the way, if a structural defect exists in the stamper 10, the amount of reflected laser light from the stamper 10 decreases. Then, this reflected laser light passes through the quarter wavelength plate 15 from the objective lens 16, is reflected by the polarizing beam splitter 14, is guided to the cylindrical lens 17, and is further focused onto the light receiving sensor 19 by the condensing lens 18. . At this time, the level of the voltage signal output from the light receiving sensor 19 decreases as the amount of received light decreases, and becomes lower than the determination voltage VC. Therefore, a low level rLJ signal is output from the combo barre 22. Note that at this time, the reflected laser light does not return to the semiconductor laser 1 because its polarization direction does not change, and the output voltage of the power source 7 remains constant. As a result, the gate circuit 25 outputs a determination result S of low level rLJ indicating a structural defect.

次にスタンバ10に異物が付着した欠陥の場合は、この
異物によって散乱光が生じる。この散乱光は、スタンパ
10が正常な場合の反射レーザ光の偏光方向とは異なり
、偏光ビームスプリッタ14で一部が反射しないで通過
し、さらにコリメータレンズ13を通って半導体レーザ
1に戻る。
Next, in the case of a defect in which foreign matter is attached to the stand bar 10, scattered light is generated by this foreign matter. This scattered light, which is different from the polarization direction of the reflected laser light when the stamper 10 is normal, passes through the polarization beam splitter 14 without being partially reflected, and further returns to the semiconductor laser 1 through the collimator lens 13.

これにより、半導体レーザ1の発光量が変化するが、A
PC回路4によって半導体レーザ1の発光量は一定に制
御される。そして、この制御によりアンプ28の出力電
圧は高くなる。一方、この状態に受光センサ19での受
光量は減少する。従って、コンパレータ20又は21か
らはローレベルrLJの判定信号P又はQが出力される
とともにコンパレータ22からはローレベルrLJの判
定信号Rが出力され、この結果ゲート回路27からは構
造欠陥が存在しないことを示すハイレベルrHJの判定
結果Sが出力される。
As a result, the amount of light emitted from the semiconductor laser 1 changes, but A
The PC circuit 4 controls the amount of light emitted from the semiconductor laser 1 to be constant. This control increases the output voltage of the amplifier 28. On the other hand, in this state, the amount of light received by the light receiving sensor 19 decreases. Therefore, the comparator 20 or 21 outputs the judgment signal P or Q of low level rLJ, and the comparator 22 outputs the judgment signal R of low level rLJ, and as a result, the gate circuit 27 confirms that there is no structural defect. A determination result S of high level rHJ indicating .

このように上記一実施例においては、スタンバ10上の
欠陥から偏光光学系12を通して半導体レーザ1に戻っ
た散乱光を検出するとともにスタンバ10からの反射レ
ーザ光を偏光ビームスプリッタ14で反射して受光セン
サ19により受光し、これら散乱光及び受光量からスタ
ンパ10の構造欠陥のみを判別するようにしたので、ス
タンパ10における構造欠陥のみを確実に判別すること
ができる。そして、その構成は光ディスクの光学系に欠
陥判別回路11を付加するだけで、別途光学系を使用す
ることなく簡単に構成できる。
In this way, in the above embodiment, the scattered light that returns to the semiconductor laser 1 from the defect on the standber 10 through the polarizing optical system 12 is detected, and the reflected laser light from the standber 10 is reflected by the polarizing beam splitter 14 and received. Since light is received by the sensor 19 and only structural defects in the stamper 10 are determined from the scattered light and the amount of received light, only structural defects in the stamper 10 can be reliably determined. The structure can be easily constructed by simply adding the defect determination circuit 11 to the optical system of the optical disc, without using a separate optical system.

なお、本発明は上記一実施例に限定されるものでなくそ
の主旨を逸脱しない範囲で変形してもよい。例えば、上
記一実施例では構造欠陥のみを判別するように構成した
が、欠陥判別回路11の回路構成を変更して異物の付着
による欠陥と構造欠陥とを判別するようにしてもよい。
Note that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, and may be modified without departing from the spirit thereof. For example, although the above embodiment is configured to discriminate only structural defects, the circuit configuration of the defect discrimination circuit 11 may be changed to discriminate between defects due to adhesion of foreign matter and structural defects.

さらに、偏光光学系12は第3図に示すように円筒レン
ズ17を省いてもよい。
Furthermore, the polarizing optical system 12 may omit the cylindrical lens 17 as shown in FIG.

[発明の効果] 以上詳記したように本発明によれば、別の光学系を設け
ることなく各種欠陥を判別できる欠陥検査装置を提供で
きる。
[Effects of the Invention] As described in detail above, according to the present invention, it is possible to provide a defect inspection device that can discriminate various defects without providing a separate optical system.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明に係わる欠陥検査装置の一実施例を示す
構成図、第2図は同装置におけるオートパワーコントロ
ーラ回路の構成図、第3図は変形例を示す図である。 1・・・半導体レーザ、2・・・発光部、3・・・フォ
トダイオード、4・・・オートパワーコントローラ回路
、10・・・スタンバ、11・・・欠陥判別回路、12
・・・偏光光学系、13・・・コリメータレンズ、14
・・・偏光ビームスプリッタ、15・・・4分の1波長
板、16・・・対物レンズ、17・・・円筒レンズ、1
8・・・集光レンズ、19・・・受光センサ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a defect inspection device according to the present invention, FIG. 2 is a block diagram of an auto power controller circuit in the same device, and FIG. 3 is a diagram showing a modification. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Semiconductor laser, 2... Light emitting part, 3... Photodiode, 4... Auto power controller circuit, 10... Standber, 11... Defect determination circuit, 12
... Polarization optical system, 13 ... Collimator lens, 14
...Polarizing beam splitter, 15...1/4 wavelength plate, 16...Objective lens, 17...Cylindrical lens, 1
8... Condensing lens, 19... Light receiving sensor. Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] レーザ光源から出力されたレーザ光を偏光光学系を通し
て光ディスク原盤に照射するとともにこの光ディスク原
盤からの反射レーザ光を前記偏光光学系の作用により偏
光させて受光素子で受光しこの受光量から前記光ディス
ク原盤の欠陥検査をレーザ光源のオートパワーコントロ
ーラを用いて行う欠陥検査装置において、前記光ディス
ク原盤上の所定の欠陥により前記偏光光学系を通して前
記レーザ光源に戻るレーザ光を検出する欠陥検出手段と
、この欠陥検出手段の検出結果と前記受光素子の受光結
果とから前記光ディスク原盤の欠陥種類を判別する欠陥
判別手段とを具備したことを特徴とする欠陥検査装置。
The laser light output from the laser light source is irradiated onto the optical disc master through the polarization optical system, and the reflected laser light from the optical disc master is polarized by the action of the polarization optical system and received by the light receiving element. Based on the amount of received light, the optical disc master is detected. A defect inspection apparatus that performs defect inspection using an automatic power controller of a laser light source, the defect detection means detecting laser light that returns to the laser light source through the polarizing optical system due to a predetermined defect on the optical disk master; What is claimed is: 1. A defect inspection apparatus comprising: defect determining means for determining the type of defect in the optical disk master from the detection result of the detection means and the light reception result of the light receiving element.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7339870B2 (en) * 2003-12-25 2008-03-04 Hitachi, Ltd. Optical disk apparatus and data reproducing method

Cited By (2)

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