JPH0227974Y2 - - Google Patents

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JPH0227974Y2
JPH0227974Y2 JP1985075158U JP7515885U JPH0227974Y2 JP H0227974 Y2 JPH0227974 Y2 JP H0227974Y2 JP 1985075158 U JP1985075158 U JP 1985075158U JP 7515885 U JP7515885 U JP 7515885U JP H0227974 Y2 JPH0227974 Y2 JP H0227974Y2
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flux
specific gravity
fluxer
sensor
tank
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Description

【考案の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本考案は被半田付物体、例えばプリント配線基
板に、半田付けするための最良の条件のフラツク
ス濃度が常に正確にコントロールできるように、
フラツクス原液とアルコール系希釈液を自動的に
フラツクス槽へ供給し、比重管理、液位管理及び
これらの制御を行なうフラツクス管理装置に関す
る。
(従来技術とその問題点) 被半田付け物体に半田付けする前にフラツクス
を塗布するのは、半田付け前の活性化を図り、良
好な半田付けを確保するためである。
フラツクスが正確な比重値のものでないときに
は、良好な半田付けが確保できなくなる。
そのために、従来のフラツクス管理装置では、
フラツクス槽において、フラツクス原液(以下、
単に原液という)とアルコール系希釈液の混合液
(以下、単にフラクサーという)の比重、温度、
液位などを測定しながら原液またはアルコール系
希釈液をフラツクス槽へ供給していた。これらに
ついて、詳細に説明する。
第1図は従来のフラツクス管理装置1の概略系
統図であつて、2はフラツクス槽で、この中には
原液とアルコール系希釈液からなる所定比重のフ
ラクサー3が入れてあり、そのフラクサー3の比
重、温度、液位及びライフを測定する比重センサ
ー4、温度センサー5、液位センサー6及びライ
フセンサー7がフラクサー3に浸してある。8は
比重センサー4、温度センサー5、液位センサー
6及びライフセンサー7の出力の比重の上、下限
が入力される制御回路で、温度センサー5からの
入力値で比重センサー4の入力値をある基準温度
の比重に補正し、上、下限設定値と補正した比重
を比較したり、液位センサー6からの入力値で液
位を所定範囲内、すなわち上、下限値内に保つと
共にライフセンサー7からの信号により、フラク
サー3を交換すべきか否かの出力を図示しない表
示部に表示する表示機能を有する。9,10は電
磁弁、11はポンプ、12は原液を入れた原液
槽、13はアルコール系希釈液を入れた希釈液
槽、14,15は供給パイプである。なお、液位
センサー6には、長さの異なる3本の電極6a,
6b,6cがあり、電極6aと6c,6bと6c
の導通によつてフラクサー3の上、下限値が検出
される。
従つて、比重センサー4と温度センサー5の出
力値で比重の温度補正、温度補正された比重と
上、下限設定値との比較を制御回路8で行ない、
上限設定値よりも高い場所は制御回路8の出力で
電磁弁10及びポンプ11を作動させて希釈液槽
13内のアルコール系希釈液をフラツクス槽に供
給し、また下限設定値よりも低い場所は制御回路
8の出力で電磁弁9及びポンプ11を作動させて
原液槽12内の原液をフラツクス槽2へ供給して
フラクサー3が所定の範囲内の比重に入るように
電磁弁9及びポンプ11を制御している。また、
フラクサー3が下限液位に達すると液位センサー
6が下限値の出力を出し、フラクサー3の比重が
所定範囲に入るように制御回路で制御しながら電
磁弁9とポンプ11、電磁弁10とポンプ11を
交互に作動させてフラクサー3が上限値に達する
まで原液またはアルコール系希釈液をフラツクス
槽2に供給する。
このようにしてフラツクス槽2には常に一定条
件のフラクサー3が供給され、図示しない噴流器
によつてプリント基板等の被半田付け物体に塗布
される。
また別の従来のフラツクス管理装置1′につい
ては、第2図に示すものがある。これについて以
下に説明する。尚、第1図と共通する箇所の説明
は省略する。27は温度補正回路、28は差動増
幅器、16はデジタルパネルメーター、17は
上、下限比重設定器、18は上、下限比重判定回
路、19は電磁弁制御回路である。これによつて
制御回路8が構成される。20は圧力エアー源、
21,22は圧力エアー供給パイプである。
従つて、自動操作時に切換スイツチ23を第2
図に示すように自動側に倒す。すると温度センサ
ー5は温度に応じた出力を出し、この出力の一部
は温度補正回路27に入いり、温度補正回路27
である温度を基準に、例えば20℃を基準にして20
℃以上であれば温度補正に必要な差分の負の出力
を、20℃以下であれば温度補正に必要な差分の正
の出力を出すように補正され、この出力と比重セ
ンサー4の比重に見合つた出力を20℃に換算する
ように差動増幅器28に入力する。この差動増幅
器28の出力は、上、下限比重設定器17の上、
下限設定値と共に上、下限比重比較回路18で比
重の値が比較される。比重の値が高いかまたは低
い場合は、上、下限比重比較判定回路18より電
磁弁制御回路19へ出力が出て電磁弁9または1
0を制御して圧力エアー源20より圧力エアーA
を圧力エアー供給パイプ21,22へ供給する出
力を出し、圧力エアーAは原液24を入れた原液
槽12またはアルコール系希釈液25を入れた希
釈液槽13に供給される。従つて、電磁弁9また
は10が開いている時間に比例した量だけ原液槽
12またはアルコール系希釈液槽13から原液2
4または希釈液25がフラツクス槽2に供給さ
れ、フラクサー3の比重を所定範囲内に維持す
る。尚、液位センサー6でフラクサー3の上限液
位の出力が出ると、ただちに電磁弁9または10
を閉じる。また液位センサー6でフラクサー3の
下限液位を検出し、下限値の出力が出ると、液位
が上限液位である上限値の出力があるまで比重を
所定範囲内にしながら原液24またはアルコール
系希釈液25をフラツクス槽2に供給する。
以上の従来のフラツクス管理装置1,1′は、
フラクサー3をある程度の比重を常に維持でき
る。
ここにおいて、フラクサー3は、アルコール系
希釈液を用いているためアルコールを主成分とし
ている液体であるが、このアルコールは親水性が
あるため、長時間のフラツクス管理装置1,1′
の使用によりフラクサー3は大気中の水分を吸い
込むため水分の混入率が大きくなり、フラクサー
3の比重値が変化する。フラクサー3の濃度は、
原液24とアルコール系希釈液25の混合比によ
つて決まり、この濃度を制御することが半田付け
装置の半田付け性能を向上させる重要な要素とな
つている。
しかしながら、フラクサー3中への水分の混入
は、水分率が数%にもなると、フラクサー3の濃
度の計測を従来のように単に比重のみから求めて
いると、水分を含んだフラクサー3の濃度を求め
ていることになり、本来的に求める正確なフラク
サー3の比重値を変化させる原因となり、従つて
フラクサー3の濃度そのものが不明となり、また
半田付け性能そのものが不利になるという欠点が
ある。
フラクサー3への水分の混入がフラクサー3の
比重変化に大きな影響を及ぼすことは、第3図か
ら明らかである。この第3図において、縦軸はフ
ラクサー3の比重値を、横軸はフラクサー3へ混
入した水分量を示す。また、この第3図において
は、水分0%の時、比重値が0.83,0.84,0.85の
フラクサー3にM%の水分を加えた時の変化特性
を示すもので、この変化特性曲線26,27,2
8から明らかなようにフラクサー3へ水分が数%
加わるだけでもフラクサー3の比重値が、大きく
変化することが理解できる。このような変化特性
曲線26,27,28は、下記式(1)より容易に求
めることができる。
D0=(100−M)・DM/100−M×DM ……(1) 但し、M:水分率(%) DM:M%の水分が混入したフラクサーの比重値 D0:水分率0%のフラクサーの比重値 ここで、水分率M(%)とM(%)の水分が入つ
たフラクサーの比重値DMを実測することにより、
式(1)から水分率0(%)のフラクサーの比重値D0
が容易に求まる。
以上のようにフラクサー3に水分が混入した場
合には、単にフラクサー3の比重を測定し、それ
を温度補正して所定の温度値における比重値を求
めるだけのフラツクス管理装置1,1′では、正
確なフラクサー3の比重値に設定し得ない。従つ
て、より高度、高精度の半田付けは期待できな
い。
特に、最近においてはより高度で高精度の自動
半田付け装置が求められていることに伴い、フラ
ツクス(フラクサー)の濃度管理の精度向上につ
いての要求も一段と高くなつていることから、フ
ラクサーへの水分の混入によるるフラクサーの微
妙な比重変化は無視できないものとなつている。
尚、従来においては、フラクサー3の水分の混入
によるフラクサー3の比重変化については、当業
者でもなかなか気が付かない事項であり、無視さ
れていた。
(本考案の課題) 本考案は、従来のフラツクス管理装置の欠点を
解消するためになされたもので、たとえフラクサ
ーに大気中の水分が混入されても、更には温度変
化した場合でも設定温度における正確なフラクサ
ーの比重値に設定でき、正確な且つ精度の良い被
半田付け物体への半田付けができるフラツクス管
理装置を得ることを課題としてなされたものであ
る。その他の課題については、以下の説明で明ら
かとなるであろう。
(本考案の課題達成手段) かかる本考案の課題は、フラツクス原液とアル
コール系希釈液との混合液を貯蔵するフラツクス
槽を設け、該フラツクス槽にフラツクス原液を供
給するためにフラツクス原液槽を設け、上記フラ
ツクス槽にアルコール系希釈液を供給するために
希釈液槽を設け、上記フラツクス槽の液位を一定
に保つために上記混合液に浸された液位センサー
を設け、上記混合液に浸された温度センサーを設
けたフラツクス管理装置において、上記混合液の
水分量によつて異なる信号を出す水分センサーを
設け、上記温度センサーからの温度信号と、上記
水分センサーからの上記混合液の水分量信号を処
理して、水分と温度によつて変化した上記混合液
の比重値を補正して、結果として混入水分量の影
響を受けない設定温度値における混合液の比重値
信号を得る制御回路を設けることによつて達成さ
れる。
以下、第4図を参照して本考案の実施例を説明
する。
(本考案第1実施例) 第4図は第1図のフラツクス管理装置1を改良
したフラツクス管理装置1″の原理図で、第1図
のものと異なるのはライフセンサー7に代えて
(尚、ライフセンサー7をも同時に用いるとより
効果的であるが、コスト面を考慮して、この実施
例ではライフセンサー7を省いたものとなつてい
る)水分センサー26を用いると共に後記で詳し
く説明するように制御回路8′の構成が若干変わ
つている。従つて、フラツクス管理装置1″の全
体の動作は同じとなるので、その共通部分につい
ての説明は省略するとして、本考案の最大の特徴
部分の部分回路図について後記で更に詳しく説明
する。この水分センサー26としては種々のもの
が想定し得るが、ここではフラツクス管理装置
1″に用いて最も有力と思われる水分センサー2
6について説明する。すなわち、本考案における
水分センサー26では、フラクサー3内に混入さ
れている水分量(率)によつて異なる信号を出力
するもので、第4図に示すように、フラクサー3
に浸されている。本願考案において用いている水
分センサー26はフラクサー3内の水分量によつ
て異なる信号を出す静電容量の変化を利用したも
ので、この水分センサー26の構造原理図を第5
図に示す。第5図を参照して、水分センサー26
の基本的構造は、板状のステンレス等からなる電
極30−1,30−2それぞれの表面をテフロン
コーテイング等の手段によつて形成した不導体2
9で形成した水分センサー電極31,32を空隙
33を介して対向させたものとなつている。これ
ら電極30−1,30−2は、それぞれ図示しな
い導線(リード線)がハンダ付け等によつて接続
している。従つて、空隙33に試料となるフラク
サー3を通せば、フラクサー3内の水分率の変化
に応じて誘電率が変化するので、すなわち、電極
31と32間の静電容量が変化するので、この変
化を電気信号として導線より取り出せば、フラク
サー3内の水分量を知ることができる。第6図は
具体的な水分センサー26で、第7図は第6図の
水分センサー26の水分センサー電極31′,3
2′の斜視図、第8図は第7図の縦断面図である。
第6図乃至第8図を参照して、31′,32′は円
筒状に形成された電極の表面を不導体でコーテイ
ングした水分センサー電極で、該電極31′と3
2′間にはコンデンサ等の絶縁物34が介在され
ている。このように形成することによつて水分セ
ンサー円筒電極35が形成され、該円筒電極35
によつてフラクサー3を通すための内側空胴部3
3′が形成される。水分センサー円筒電極35の
上部には複数の透孔36が形成された蓋37が装
着され、該蓋37によつて上記電極31′,3
2′からの信号を取り出すための図示しないリー
ド線を内蔵した絶縁体からなるパイプ38が装着
されている。該パイプ38の端部には、図示しな
い温度センサ39(第9図)が装着されている。
上記パイプ38の下部には、上下2段に渡つて、
表面が不導体によつてコーテイングされた導電体
部40,41が形成されている。該導電体部4
0,41はそれぞれパイプ内のリード線に接続さ
れている。42,43は、それぞれ表面が不導体
によつてコーテイングされた導電体で、該導電体
42は導電体部40と水分センサー電極31′に
導電接続され、導電体43は導電体部41と水分
センサー電極32′に導通接続されている。いま
第7図及び第8図を参照して、水分センサー円筒
電極35の場合、水分センサー電極32′の外面
までの半径をa、水分センサー電極31′の内面
までの半径をb、絶縁物34の誘電率と、水分セ
ンサー円筒電極35の長さをlとすると、静電容
量cは、下記式(2)で与えられる。
C=2πεl/log(b/a)〔PF〕 ……(2) 但し、浮遊容量、不導体被膜厚は十分小さいも
のとする。
従つて、水分センサー26の内側空胴部33′
にフラクサー3が入つていると、フラクサー3の
誘電率約20〜30に応じた静電容量Cが得られる。
またフラクサー3に水分混入すると、アルコール
(アルコール系希釈液25)の誘電率は約25位、
水の誘電率は約80位なので、電極31′と32′間
の静電容量Cは大きく変化するため、これを知れ
ば第9図に示すような回路のメータ44にて水分
の混入率を表示することができる。例えば、誘電
率25の原液24と誘電率80の水のとき、フラ
クサー3(大部分がアルコールである)への水の
混入率を5%と仮定すると、誘電率の変化率は
14.4%にもなり、十分且つ容易に水分率を計測で
きる。尚、第9図において、45は交流電源、3
9は感温抵抗素子等の温度センサ、46直流化ア
ンプ、47は温度補正回路、48はリニアライザ
である。Rは抵抗である。
第10図は水分率検出システム並びにフラツク
ス管理システムを示す。50は水分率検出回路
で、59,…,62は水分センサー26の端子で
ある。水分センサー26は、水分センサー円筒電
極35を形成する一方の水分センサー電極31′
を端子59を介して、電源E、周波数fの発振器
51に接続されると共に、後記式(4)で必要とす
(CM−C0)/C0なる差分を作るための差分形成回
路52に接続されている。発振器51は水分セン
サー26に周波数信号を与えるものである。水分
センサー円筒電極35を形成する他方の水分セン
サー電極32′は接続点58を介して抵抗49の
一端に接続されると共に、端子60を介して水分
センサー26からの水分率信号を波形整形するた
めの波形整形回路52に接続されている。抵抗4
9の端子は、接続点64を介して温度センサー3
9の一端に接続されると共に端子61に接続され
ている。温度センサ39の他方の端子は端子62
を介してグランド63に接続している。誘電率
は、水もアルコール(アルコール系希釈液25)
も温度変化に対して負の変化特性をもつているの
で、これを補正しなければ正確なフラクサー3内
への水分の混合率を計算できない。このために水
分センサー26に温度を検出するための温度セン
サ39を設けると共に正特性をもつ白金抵抗等の
抵抗体、例えば抵抗49を用いている。これによ
り、温度変化を考慮した静電容量Cが式(3)により
求められる。
C=V/2πfE(R+r) ……(3) 但し、 Vは電極31′と32′との電位差、 fは電源周波数、 Eは電圧、 Rは温度センサ39の抵抗値、 rは抵抗49の抵抗値、 電極間リアクタンスX=1/2πfcとするとき |R+r|≪|×| またフラクサー3への水分率が0〔%〕,M〔%〕
のときの静電容量をそれぞれC0,CMとする水分
率M〔%〕は次式(4)で与えられる。
水分率M〔%〕=K・CM−C0/C0×100〔%〕 ……(4) 但し、K:定数 差分形成回路52は、式(4)における差分(CM
−C0)/C0値を作るもので、この差分信号は波
形整形回路54によつて波形整形している。フラ
クサー3内の水分率に応じた静電容量信号は波形
整形回路53によつて波形整形した水分率信号及
び波形整形回路54によつて波形整形された差分
信号は、比較回路55で比較され、これによりフ
ラクサー3中の混入水分率出力信号がフラクサー
水分率表示出力信号発生部56に入力されると共
にフラクサー濃度補正回路57に入力される。フ
ラクサー水分率表示出力信号発生部56は出力端
子65を介してデジタルパネルメーター16に形
成された表示器66の水分率を表示する。フラク
サー濃度補正回路57の出力信号は、出力端子6
7を介して差動増幅器68に出力され、差動増幅
器28からの出力信号とともに差動増幅され、切
換スイツチ23を介して水分率及び温度補正され
た正確なフラクサー3の比重値をデジタルパネル
メーター16の表示器66に表示される。尚、水
分センサー26、比重センサー4、温度センサー
5及び液位センサー6はフラツクス槽2内のフラ
クサー3に浸されていることは言うまでもない。
いま切換スイツチ23は可動接点23aを固定接
点23b間に自動側に倒しておくとする。尚、こ
のことによりデジタルパネルメーター16に設け
られた図示しないパイロツトランプが点灯し、自
動側であることを表示する。可動接点23aを固
定接点23cに倒したときには手動側を表示する
パネルメーター16に設けられたパイロツトラン
プが点灯する。またデジタルパネルメーター16
に設けられた図示しないダイヤルを回して上、下
限比重設定器17を作動して比重の上限値及び下
限値を設定しておく。温度センサー5の温度信号
は温度補正回路27によつてある温度を基準に、
例えば20℃を基準にして20℃以上であれば温度補
正に必要な差分の負の出力を、20℃以下であれば
温度補正に必要な差分の正の出力を出すように補
正され、この出力と比重センサー4によつて差動
増幅器28に入力された比重値信号に見合つた出
力を20℃に換算するように差動増幅器28に入力
する。上記したようにこの差動増幅器28からの
比重値信号と水分率補正回路57からの入力によ
つて、差動増幅器68は上記温度補正された比重
値信号を水分率補正した正確な比重値に、例えば
水分率0%のときの比重値に換算した比重値に補
正する。即ち、上記温度センサー5からの温度信
号と、上記水分センサー26からの上記フラクサ
ー3の水分量信号を処理して、水分と温度によつ
て変化した上記フラクサー3の比重値を補正し
て、結果として設定温度値における混入水分量の
影響を受けないフラクサー3の比重値信号を得る
ことができる該補正された差動増幅器68かの出
力信号は、上、下限比重設定器17からの上、下
限比重設定信号と供に上、下限比重比較回路18
で比重の値が比較され、比重の値が高いかまたは
低い場合には、電磁弁及びポンプ駆動制御回路6
9へ出力が出て、電磁弁9または10を制御して
ポンプ11により供給パイプ14または15及び
70を介して原液槽12内の原液24または希釈
液槽13内のアルコール系希釈液25をフラツク
ス槽2へ供給してフラクサー3が所定の範囲内に
入いるように制御している。尚、比重値が設定値
よりも高い場合には、制御回路69によつて電磁
弁10及びポンプ11を駆動してアルコール系希
釈液25をフラツクス槽2へ供給し、比重値が設
定値よりも低い場合には、制御回路69によつて
電磁弁9及びポンプ11を駆動して原液24をフ
ラツクス槽2へ供給する。このようにフラツクス
槽2へ原液24またはアルコール系希釈液25を
供給していき、フラクサー3の液位が上がり、液
位センサー6から上限液位の出力があると、ただ
ちに電磁弁9及び10は閉じ、また液位センサー
6から下限液位出力があると制御回路69によつ
て上限液位出力があるまで電磁弁9または10及
びポンプ11を駆動して原液24またはアルコー
ル系希釈液25をフラツクス槽2に供給する。
このようにしてフラツクス槽2には常に一定条
件の且つ正確な比重値のフラクサー3が供給さ
れ、図示しない噴流器によつてプリント基板等の
被半田付物体に塗布される。
上記水分率測定回路50の具体的回路側は第1
1図に示す。
次に水分センサー26に与える発振周波性につ
いて説明する。
水分センサー26の空胴部33′内のフラクサ
ー3に交流電圧を加えると、そのフラクサー3の
誘電率は水分センサー26に与えられる周波数に
よつて大きく変化する。
これは水分センサー26内の誘電体の分極の発
生が、電子、原子、双極子、空間電荷分極等の異
なる分極発生原因によるためである。分極発生原
因が周波数の増加に従つて変化するとき、例えば
原子分極から双極子分極へと移行するとき、誘電
率は急激に変化し、誘電損失tanδ0も大きく増大
する。
従つて、フラクサー3の水分率を誘電率によつ
て測定しようとするならば、誘電率の安定領域を
知り、その安定領域で測定することは重要なこと
である。
第12図にアルコール系希釈液25の誘電率−
周波数特性の実測値グラフを示す。第12図にお
いて縦軸に静電容量C(PF)及び誘電損失tanδ0
を、横軸に周波数(Hz)をとつている。71は
周波数−静電容量曲線を、72は周波数−誘電損
失曲線を示す。
尚、正確な比重値は、切換スイツチ23を固定
接点23bに倒して自動側にセツトしてあれば、
上記したように比重値が表示器66に表示される
が、温度表示をする場合には、切換スイツチ23
を固定側接点23c側に倒すと温度センサー5の
出力がデジタルパネルメーター16に入力され、
このデジタルパネルメーター16の出力が温度と
して表示器66に表示される。尚、上記場合にお
いて、フラクサー水分率表示出力信号発生部から
の出力は、直接表示器66で表示する場合を示し
たが、切換スイツチ23に、更に固定接点を設
け、この接点に切換スイツチ23を倒すことによ
りデジタルパネルメーター16を介して表示器6
6に水分率を表示するようにしてもよい。
またフラツクス管理装置1を手動で操作する場
合には、切換スイツチ23を固定接点23cに倒
し、表示器66の比重値を見ながら、設定された
比重の上、下限値の範囲に入いるように図示しな
い操作スイツチを操作して、原液24又はアルコ
ール系希釈液25をフラツクス槽2に供給する。
尚、この場合、フラクサー3の液位が所定範囲
外になつたとき、これを警報器等で警告するよう
にしておと、実に都合良いものとなる。
(本考案第2実施例) これは第2図に示したフラツクス管理装置1に
本願考案を適用したフラツクス管理装置1で、
本考案第1実施例とその説明が共通するので、共
通部分を削除して説明すると、水分率検出回路5
0と差動増幅器28からの出力が差動増幅器68
に入力されると、上記同様にこの差動増幅器68
の出力が上、下比重判定回路18に入力され、該
判定回路18より電磁弁及び圧力エアー制御回路
69′へ出力が出て、電磁弁9または10を制御
して圧力エアー源20からの圧力エアーAを供給
パイプ14または15へ供給する出力を出し、圧
力エアーAは原液槽12または希釈液槽13に供
給する。
従つて、電磁弁9または10が開いている時間
に比例した量だけ原液24またはアルコール系希
釈液25をフラツクス槽2へ供給する。他は第1
実施例と同様である。
(他の実施例) 上記実施例においては、電磁弁9,10として
一方向弁を用いた例を示したが、これは二方向弁
に限らず三方向弁等に代えても良いことはもちろ
んである。
また電磁弁9,10に限らず、原液24、アル
コール系希釈液25の供給の切り換えストツプを
行なえる可能性のあるものならば、電磁弁9,1
0に代えてそれらを用いても良いことは言うまで
もない。
また原液24またはアルコール系希釈液25を
フラツクス槽2内へ積極的に供給する手段として
ポンプ11あるいは圧力エアー源20を使用した
が、これがなくても良いし、他の手段、例えばエ
アコンプレツサやポンプモータを使用しても良
い。
更にまた、上記例では予めフラクサー3内の水
分率を補正した信号で温度補正した比重値信号を
補正するようにしているが、これに限るものでは
なく、水分センサーからの水分率(量)信号によ
つてフラクサーの濃度を補正し、この濃度の比重
値を比重センサーにより検出し、この検出した比
重値を温度補正したりするなど、いずれにしても
水分率並びに温度補正した正確なフラクサーの比
重値が得られるように、フラクサー内の水分率を
考慮した補正を行なつたものならば、いずれを採
用してもよい。
また本考案においては、種々考えられる水分セ
ンサーの中でフラツクス管理装置において最も有
用となると考えられる誘電率を利用した水分セン
サーを採用した例を示したが、これに限るもので
はなく、他の水分センサーであつても良い。しか
し、フラツクス管理装置1をより有用なものとす
るには、水分センサーとして上記した誘電率を用
いるのがコスト面等において、誠に有用なものと
なる。
しかし、水分センサー26として、誘電率を利
用したものを用いなければならないというのでな
く、他の水分センサーであつても良い。
また、本考案は上記で説明したフラツクス管理
装置1のシステムに限られるものではなく、実用
新案登録請求の範囲に記載された範囲内でも種々
の改良、変更も含むものであることは、この制度
の精神上において含まれることは言うまでもな
い。
(本考案の効果) 本考案は、従来のフラツクス管理装置におい
て、フラクサーの単なる比重変化を測定するもの
から、更にフラクサーの温度変化に応じた温度補
正すると共に、更にフラツクスの水分率まで補正
するようにしたフラツクス管理装置であるため、
より精度良く比重値の管理されたフラツクスをプ
リント基板等の被半田付物体に塗布できるので、
より精度の良い半田付けを被半田付け物体に施し
得るので、より精度のよい半田付けが行なえる。
特に、従来において、フラクサーが水分を吸いや
すいものであり、その比重値を大きく変化させる
ことに気付かなかつた点、あるいは気付いていた
者も若干いるにしても、そのような対策が施こさ
れなかつたものを、本考案においては、水分セン
サーを設け、若干コスト高になる制御回路用電気
部品を備えるだけで、従来の欠点を解消すると共
により有用で精度の良い且つ故障の大幅に少ない
電気回路部を用いて安価に構成できるフラツクス
管理装置を提供できる実用上の効果甚大なもので
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は従来のフラツクス管理装置
の説明図、第3図はフラクサーへ水分が混入した
時のフラクサーの比重と混入水分量とを表わすた
めの比重−水分量曲線図、第4図は第1図のもの
を改良した本考案第1実施例の大まかなフラツク
ス管理装置の原理図、第5図は水分センサーの原
理構成図の説明図、第6図は本考案に用いた水分
センサーの部分的に縦断面を現わした図、第7図
は第6図に用いた水分センサー円筒電極の説明用
斜視図、第8図は第7図をより詳細にした縦断面
図、第9図は水分センサーの水分率を表示する簡
易回路図、第10図は本考案の第1実施例として
示す水分率測定回路並びに本フラツクス管理装置
のシステム図、第11図は水分率測定回路の具体
的回路図、第12図は誘電率−周波数の実測値グ
ラフ、第13図は本考案第2実施例の水分率測定
回路並びに本フラツクス管理装置のシステム図で
ある。 1,1′,1″,1……フラツクス管理装置、
2……フラツクス槽、3……フラクサー(フラツ
クス原液とアルコール系希釈液との混合液)、4
……比重センサー、5……温度センサー、6……
液位センサー、7……ライフセンサー、8,8′
……制御回路、9,10……電磁弁、11……ポ
ンプ、12……原液槽、13……アルコール系希
釈液、、14,15……供給パイプ、16……デ
ジタルパネルメーター、17……上、下限比重設
定器、18……上、下限比重判定回路、19……
電磁弁制御回路、20……圧力エアー源、21,
22……圧力エアー供給パイプ、23……切換ス
イツチ、24……フラツクス原液、25……アル
コール系希釈液、26……水分センサー、27…
…温度補正回路、28……差動増幅回路、29…
…不導体、30−1,30−2,30′−1,3
0′−2……電極、31,31′,32,32′…
…水分センサー電極、33……空隙、33′……
内側空胴部、34……絶縁物、35……水分セン
サー円筒電極、36……透孔、37……蓋、38
……パイプ、39……温度センサ、40,41…
…導電体部、42,43……導電体、44……メ
ータ、45……電源、46……直流化アンプ、4
7……温度補正回路、48……リニアライザ、4
9……抵抗、50……水分率検出回路、51……
発振器、52……差分形成回路、53,54……
波形整形回路、55……比較回路、56……フラ
クサー(水分率表示)出力信号発生部、57……
フラクサー濃度補正回路、58……接続点、5
9,…,62……端子、63……グランド、64
……接続点、65……出力端子、66……表示
器、67……出力端子、68……差動増幅器、6
9……電磁弁及びポンプ駆動制御回路、69′…
…電磁弁及び圧力エアー制御回路。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 下記構成要素(a)〜(g)からなる、フラツクス管
    理装置。 (a) フラツクス原液とアルコール系希釈液との
    混合液を貯蔵するフラツクス槽があること。 (b) フラツクス槽にフラツクス原液を供給する
    ためにフラツクス原液槽を設けてあること。 (c) フラツクス槽にアルコール系希釈液を供給
    するために希釈液槽を設けてあること。 (d) フラツクス槽の液位を一定に保つために上
    記混合液に浸された液位センサーがあるこ
    と。 (e) 上記混合液に浸された温度センサーがある
    こと。 (f) 上記混合液の水分量によつて異なる信号を
    出す水分センサーがあること。 (g) 上記温度センサーからの温度信号と、上記
    水分センサーからの上記混合液の水分量信号
    を処理して、水分と温度によつて変化した上
    記混合液の比重値を補正して、結果として混
    入水分量の影響を受けない設定温度値におけ
    混合液の比重値信号を得る制御回路があるこ
    と。 (2) 上記フラツクス管理装置は、上記温度補正し
    た比重値信号と液位センサーからの信号により
    フラツクス槽へのフラツクス原液または希釈液
    を適宜量供給し、混合液の液位及び設定温度値
    における比重値に上記混合液を制御する手段が
    ある、実用新案登録請求の範囲第(1)項記載のフ
    ラツクス管理装置。
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Citations (4)

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JPS563103U (ja) * 1979-06-19 1981-01-12
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