JPH02277770A - Film forming device - Google Patents

Film forming device

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JPH02277770A
JPH02277770A JP20107589A JP20107589A JPH02277770A JP H02277770 A JPH02277770 A JP H02277770A JP 20107589 A JP20107589 A JP 20107589A JP 20107589 A JP20107589 A JP 20107589A JP H02277770 A JPH02277770 A JP H02277770A
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film forming
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Abstract

PURPOSE:To make film thickness uniform on one sheet of base plate by controlling and changing the rotating speed of a rotary jig until the other end is positioned in the front part of a target from a time when one end is positioned in the front part of the target. CONSTITUTION:Both the targets 8 and the base plate fitting faces 6a are provided in a vacuum tank 1. The respective base plate fitting faces 6a are rotated by a rotary jig 6 so that the fitting faces are successively opposed to the target 8. The rotating velocity of the rotary jig 6 is controlled by a controlling means until the other end in the direction of rotation of the fitting faces 6a is positioned in the front parts of the targets 8 from a time when one end in the direction of rotation of the fitting faces 6a is positioned in the front parts of the targets 8. Thereby the difference of film thickness of the respective base plates on one fitting face is made small.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、真空槽内において成膜材料により基板に膜を
形成する成膜装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a film forming apparatus for forming a film on a substrate using a film forming material in a vacuum chamber.

(従来の技術) 成膜装置としては、成膜材料(ターゲット)にイオンを
照射させて基板に成膜材料の膜を形成するスパッタリン
グ装置がある。また、成膜材料を加熱蒸発させて基板へ
の蒸着を行なう熱蒸着装置、成膜材料の蒸発粒子をイオ
ン化して蒸着を行なうイオンブレーティング装置等の蒸
着装置が一般に知られている。また、かかる成膜装置に
おいては、複数の基板取付面を周方向に配設し各基板取
付面が成膜材料のターゲットまたは蒸発源に順次向かい
合うよう回転する回転治具を用いることも一般に知られ
ている。
(Prior Art) As a film forming apparatus, there is a sputtering apparatus that irradiates a film forming material (target) with ions to form a film of the film forming material on a substrate. Further, vapor deposition apparatuses such as a thermal vapor deposition apparatus that heats and evaporates a film-forming material and performs vapor deposition on a substrate, and an ion blating apparatus that performs vapor deposition by ionizing evaporated particles of a film-forming material are generally known. It is also generally known that such a film forming apparatus uses a rotating jig that has a plurality of substrate mounting surfaces arranged in the circumferential direction and rotates so that each substrate mounting surface sequentially faces a target or evaporation source of the film forming material. ing.

すなわち、上記回転治具としては、スパッタリング装置
について例を挙げれば、真空槽内においてターンテーブ
ル上に複数の基板取付面を角筒状に連ねたカル−セル型
、複数の基板取付面を円錐状ないしは角錐状に配設した
ドーム型、複数の基板取付面を角筒状に連ねて軸心を水
平にして回転せしめるようにしたドラム型等がある。カ
ル−セル型はその外周囲にターゲットが配設され、ドー
ム型はその下方にターゲットが配設され、ドラム型はそ
の内部にターゲットが配設される。このような各種回転
治具は、蒸着装置についても設けられる。そして、かか
る回転治具は、基板への成膜にあたって、定速で回転さ
れているのが通常である。
In other words, examples of the rotating jig for sputtering equipment include a carousel type in which a plurality of substrate mounting surfaces are arranged in a rectangular tube shape on a turntable in a vacuum chamber, and a conical rotation jig in which a plurality of substrate mounting surfaces are arranged in a conical shape. Alternatively, there are a dome shape arranged in a pyramidal shape, a drum shape in which a plurality of substrate mounting surfaces are arranged in a rectangular tube shape and the shaft center is horizontal and rotated. The carousel type has a target placed around its outer periphery, the dome type has a target placed below it, and the drum type has a target placed inside. Such various rotating jigs are also provided for the vapor deposition apparatus. Such a rotating jig is usually rotated at a constant speed when forming a film on a substrate.

(発明が解決しようとする課題) ところで、一般に成膜装置においては、基板には成膜材
料9飛翔角度分布に対応して不均一な厚さの膜が形成さ
れるが、上記回転治具の場合は、上記基板上の膜厚分布
に基板の回転も影響してくる。
(Problem to be Solved by the Invention) Generally, in a film forming apparatus, a film having an uneven thickness is formed on a substrate in accordance with the flight angle distribution of the film forming material 9. In this case, the rotation of the substrate also affects the film thickness distribution on the substrate.

すなわち、例えばカル−セル型スパッタリンク装置の場
合、第3図に示す如く、基板aのP点の膜厚Tは、P点
が角AOBを通過する間にスパッタ粒子が付着し、且つ
付着率をターゲットbからの放射率Rと基板面がターゲ
ットとなす角度の余弦eO9βの積になるものとすると
、ターゲットbからP点までの距離を無視すれば、次の
ようになる。
That is, for example, in the case of a carousel type sputter link apparatus, as shown in FIG. Assuming that is the product of the emissivity R from target b and the cosine eO9β of the angle that the substrate surface makes with the target, then if the distance from target b to point P is ignored, then the following equation is obtained.

7’−JReos βdt =1/ωΦJ Rcos  (θ。+α−θ)dθ= 
2R/ω・cos a * sin θO城R/ωII
W/rIICO82α/ cos α0なお、0はカル
−セル型回転治具の回転中心、αは回転中心Oから基板
aの一点Pに下ろした直線と同じく基板aに下ろした垂
線とのなす角度、ωは基板aの回転角速度、θ0は角A
OBの半分、α0は基板aの拡がり角の半分、Wはター
ゲットbの幅、rは回転中心Oから基板aの端縁までの
距離である。
7'-JReos βdt =1/ωΦJ Rcos (θ.+α-θ)dθ=
2R/ω・cos a * sin θO castle R/ωII
W/rIICO82α/ cos α0 Note that 0 is the rotation center of the car-cell type rotating jig, α is the angle between the straight line drawn from the rotation center O to a point P on the substrate a and the perpendicular line drawn on the same substrate a, ω is the rotational angular velocity of substrate a, and θ0 is the angle A
Half of OB, α0 is half of the spread angle of substrate a, W is the width of target b, and r is the distance from the rotation center O to the edge of substrate a.

従って、断面6角形のカル−セル型回転治具の場合、α
o−30度であるから、 T−R/ω番W/r・1.15cos 2a断面8角形
のカル−セル型回転治具の場合、α0−22.5度であ
るから、 T −R/ (IJ ・W/ r ・1.08cos 
2aとなり、基板aの膜厚分布は、第8図に示すように
、基板aの中央部(0度)が最も厚く、この中央部から
両側に離れるに従って薄くなったものになる。
Therefore, in the case of a carcell type rotating jig with a hexagonal cross section, α
Since it is o-30 degrees, T-R/ω number W/r・1.15cos In the case of a carcell type rotating jig with an octagonal 2a cross section, it is α0-22.5 degrees, so T-R/ (IJ・W/r・1.08cos
2a, and as shown in FIG. 8, the film thickness distribution of the substrate a is such that it is thickest at the center (0 degrees) of the substrate a and becomes thinner as it moves away from the center on both sides.

このように回転治具の回転が基板の膜厚分布に影響を及
ぼすという点については、カル−セル型だけでなく、上
記ドーム型及びドラム型においても同様である。また、
1つの基板取付面に回転方向に間隔をおいて複数の基板
を取り付けている場合には、各基板の膜厚が基板取付面
上の取付位置によって異なるものになる。
The fact that the rotation of the rotating jig has an effect on the film thickness distribution of the substrate is true not only for the carousel type but also for the dome type and drum type. Also,
When a plurality of substrates are attached to one substrate mounting surface at intervals in the rotational direction, the film thickness of each substrate differs depending on the mounting position on the substrate mounting surface.

すなわち、本発明の課題は、回転治具の回転に起因する
1枚の基板上での膜厚の不均一さをできるだけ小さく、
あるいは、1つの基板取付面上の各基板の膜厚の差をで
きるだけ少なくすることにある。
In other words, an object of the present invention is to minimize the non-uniformity of film thickness on one substrate due to the rotation of the rotating jig.
Alternatively, the objective is to minimize the difference in film thickness of each substrate on one substrate mounting surface.

(課題を解決するための手段) 本発明は、このような課題に対して、第3図において基
板の中央のQ点における成膜は一θ〜十θ。の範囲で生
じ、その前後では生じないが、基板の回転方向の先端で
は上記範囲の前でも成膜が生じ、基板の回転方向の後端
では上記範囲の後でも生ずることに鑑みて、回転治具の
回転速度を成膜が基板取付面の中央部で生ずるときに速
く、両端部で生ずるときに遅くするなど、可変速にする
ことにより、膜厚の均一化を図ることができるようにす
るものである。
(Means for Solving the Problems) The present invention solves these problems by forming a film at a point Q at the center of the substrate in a range of 1 θ to 10 θ in FIG. Although it does not occur before or after this range, film formation occurs even before the above range at the leading edge of the substrate in the rotational direction, and occurs even after the above range at the rear end of the substrate in the rotational direction. By making the rotating speed of the tool variable, such as increasing the rotation speed when film formation occurs at the center of the substrate mounting surface and slowing it when film formation occurs at both ends, it is possible to achieve uniform film thickness. It is something.

すなわち、そのための具体的な手段は、まずスパッタリ
ング装置に関しては、 真空槽内に、ターゲットと、基板を取り付ける複数の基
板取付面が周方向に配設され各基板取付面が上記ターゲ
ットに順次向かい合うよう回転する回転治具とが設けら
れ、上記基板に対してスパッタリングを行うようにした
成膜装置を前提とする。そして、これに対し、上記回転
治具の回転速度を、上記各基板取付面の回転方向におけ
る一端がターゲットの前方に位置するときから、当該基
板取付面の回転方向における他端が上記ターゲットの前
方に位置するときに至る間で変化させる制御手段を備え
る構成としたものである。
That is, the specific means for achieving this is as follows: First, regarding a sputtering device, a target and a plurality of substrate mounting surfaces for attaching substrates are disposed in the circumferential direction in a vacuum chamber so that each substrate mounting surface faces the target in sequence. The present invention is based on a film forming apparatus that is equipped with a rotating rotating jig and that performs sputtering on the substrate. In contrast, the rotational speed of the rotating jig is changed from when one end of each board mounting surface in the rotational direction is located in front of the target, to when the other end of the board mounting surface in the rotational direction is located in front of the target. The configuration includes a control means for changing the position between the two positions.

さらに蒸着装置に関する具体的な手段は、真空槽内に、
基板に膜を形成するための成膜材料を真空槽内の定位置
から蒸発する蒸発源と、上記基板を取り付ける複数の基
板取付面が周方向に配設され各基板取付面が上記蒸発源
に順次向かい合うよう回転する回転治具とが設けられ、
上記基板に上記成膜材料を蒸着させるようにした成膜装
置を前提とする。そして、これに対し、上記回転治具の
回転速度を、上記各基板取付面の回転方向における一端
が蒸発源の前方に位置するときから、当該基板取付面の
回転方向における他端が上記蒸発源の前方に位置すると
きに至る間で変化させる制御手段を備えていることを特
徴とするものである。
Furthermore, specific means regarding the vapor deposition apparatus include, in a vacuum chamber,
An evaporation source that evaporates a film-forming material for forming a film on a substrate from a fixed position in a vacuum chamber, and a plurality of substrate mounting surfaces to which the substrates are attached are arranged in the circumferential direction, and each substrate mounting surface is connected to the evaporation source. A rotating jig that rotates so as to face each other sequentially is provided,
The present invention is based on a film forming apparatus that is configured to evaporate the film forming material onto the substrate. In contrast, the rotational speed of the rotating jig is changed from when one end of each substrate mounting surface in the rotational direction is located in front of the evaporation source to when the other end of the substrate mounting surface in the rotational direction is located in front of the evaporation source. The invention is characterized by comprising a control means for changing the position between when the vehicle is located in front of the vehicle and when the vehicle is located in front of the vehicle.

(作用) 上記成膜装置においては、スパッタリング装置の場合回
転治具の回転速度を変えることができるから、定速では
膜厚が薄くなる部分に成膜材料が多く付着するために、
回転治具の回転速度を遅くすることにより、膜厚の均一
化を図ることができる。例えば、上述の如く基板の中央
部の膜厚が厚くなる場合には、基板の中央部がターゲッ
トの前方に位置する状態よりも、基板の端部がターゲッ
トの前方に位置する状態の方が相対的に遅くなるように
上記回転速度を制御すればよい。すなわち、この後者の
状態は基板の中央部では成膜材料の付着が少ないか零の
ときであるものの、基板の両端部のいずれか一方では成
膜材料が付着している状態であるから、回転速度が遅く
なる分、回転速度を一定にしている場合よりも基板の両
端部での付菅量が多くなる。
(Function) In the above-mentioned film forming apparatus, in the case of a sputtering apparatus, the rotation speed of the rotating jig can be changed, so if the speed is constant, a large amount of the film forming material will adhere to the parts where the film thickness is thinner.
By slowing down the rotation speed of the rotating jig, the film thickness can be made uniform. For example, when the film thickness at the center of the substrate is thicker as described above, it is better to have the edge of the substrate in front of the target than to have the center of the substrate in front of the target. The rotational speed may be controlled so that the rotational speed becomes relatively slow. In other words, in this latter state, there is little or no film-forming material adhering to the center of the substrate, but the film-forming material is adhering to either end of the substrate, so rotation Since the speed is slower, the amount of tubes at both ends of the board becomes larger than when the rotation speed is constant.

また、蒸着装置の場合、回転治具の回転速度を変えるこ
とができるから、定速では膜厚が薄くなる部分に成膜材
料が多く蒸着するときに、回転冶具の回転速度を遅くす
ることにより、蒸着膜厚の均一化を図ることができる。
In addition, in the case of vapor deposition equipment, the rotation speed of the rotating jig can be changed, so if a constant speed is used, when a large amount of the film forming material is deposited on the thinner part, by slowing down the rotation speed of the rotating jig, , the thickness of the deposited film can be made uniform.

例えば、上述の如く基板の中央部の膜厚が厚くなる場合
には、基板の中央部が蒸着源の前方に位置する状態より
も、基板の端部が蒸着源の前方に位置する状態の方が相
対的に遅くなるように上記回転速度を制御すればよい。
For example, when the film thickness at the center of the substrate is thicker as described above, it is better to have the edge of the substrate in front of the evaporation source than to have the center of the substrate in front of the evaporation source. The rotation speed may be controlled so that the rotation speed becomes relatively slow.

すなわち、この後者の状態は基板の中央部では成膜材料
の蒸着が少ないか零のときであるものの、基板の両端部
のいずれか一方では成膜材料が蒸着している状態である
から、回転速度が遅くなる分、回転速度を一定にしてい
る場合よりも基板の両端部での蒸着量が多くなる。
In other words, in this latter state, there is little or no deposition material at the center of the substrate, but the deposition material is deposited at either end of the substrate. Since the speed is slower, the amount of evaporation at both ends of the substrate becomes larger than when the rotation speed is constant.

(発明の効果) 従って、本発明によれば、回転治具の回転速度を、基板
取付面の回転方向における一端がターゲットまたは蒸発
源の前方に位置するときから、当該基板取付面の回転方
向における他端が上記ターゲットまたは蒸発源の前方に
位置するときに至る間で変化させる制御手段を設けたか
ら、基板取付面の中央部がターゲットまたは蒸発源の前
方に位置する状態よりも、基板取付面の端部がターゲッ
トまたは蒸発源の前方に位置する状態の方が相対的に遅
くなるように回転治具の回転速度を制御するなどして、
1枚の基板上での膜厚を均一にしたり、あるいは、1つ
の基板取付面上の各基板の膜厚の差を小さくすることが
できるようになる。
(Effects of the Invention) Therefore, according to the present invention, the rotational speed of the rotating jig is changed from when one end of the substrate mounting surface in the rotational direction is located in front of the target or the evaporation source to Since the control means is provided to change the state between when the other end is located in front of the target or the evaporation source, the center part of the board mounting surface is located in front of the target or the evaporation source. By controlling the rotation speed of the rotating jig so that it is relatively slower when the end is located in front of the target or evaporation source,
It becomes possible to make the film thickness uniform on one substrate, or to reduce the difference in the film thickness of each substrate on one substrate mounting surface.

(実施例) 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。(Example) Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings.

一実施例1− 本例はカル−セル型のスパッタリング装置の例であって
、第1図乃至第3図に示されている。
Embodiment 1 - This embodiment is an example of a carousel type sputtering apparatus, and is shown in FIGS. 1 to 3.

第1図において、1はスパッタガス導入ボート2、真空
引き用の排気ボート3及びスパッタガス用の排気ボート
4を備えた真空槽であり、その底部中央にターンテーブ
ル5が軸心を垂直にして設けられている。そして、この
ターンテーブル5の上に複数の基板取付面6aを断面多
角形(本例では8角形)状に配設したカル−セル型の回
転治具6が立設され、このターンテーブル5は真空)!
1の下方に配設したサーボ駆動手段7にて駆動されるよ
うになっている。また、上記真空量1内には、上記回転
治具6の外周囲に、第2図に示す如く、一対のターゲッ
ト8,8が回転治具6を存して相対して配設されている
In FIG. 1, 1 is a vacuum chamber equipped with a sputter gas introduction boat 2, an exhaust boat 3 for evacuation, and an exhaust boat 4 for sputter gas, and a turntable 5 is installed at the center of the bottom of the chamber with its axis vertically aligned. It is provided. A car cell type rotating jig 6 in which a plurality of board mounting surfaces 6a are arranged in a polygonal (octagonal in this example) cross section is erected on the turntable 5. vacuum)!
It is designed to be driven by a servo drive means 7 disposed below 1. Further, in the vacuum amount 1, a pair of targets 8, 8 are disposed around the outer periphery of the rotating jig 6, facing each other with the rotating jig 6 in between, as shown in FIG. .

さらに、上記真空槽1には、上記各ターゲット8.8用
のシャッター9,9が真空槽1の天井板にモータ10に
て回転可能に支持して配設されているとともに、ハロゲ
ンランプヒータ11が配設されている。
Further, in the vacuum chamber 1, shutters 9, 9 for each of the targets 8.8 are rotatably supported by a motor 10 on the ceiling plate of the vacuum chamber 1, and a halogen lamp heater 11 is provided. is installed.

上記サーボ駆動手段7は、ロータ12.ステータ13と
を備え、ロータ12の位置を検出するエンコーダ14の
出力に基づいて制御手段15にて駆動が制御されるよう
になっている。この場合、制御手段15は、このエンコ
ーダ14の出力を受けてターンテーブル5、つまりは第
3図に示す基板aの回転速度を、基板aにおける成膜材
料(スパッタ粒子)の付着量が基板aの全面にわたって
略一定になるよう、上記各基板取付1Ilili6aの
回転方向における一端がターゲット8の前方に位置する
ときから、当該基板取付面6aの回転方向における他端
が上記ターゲット8の前方に位置するときに至る間で変
化させるものである。
The servo driving means 7 has a rotor 12. The rotor 12 is provided with a stator 13, and its drive is controlled by a control means 15 based on the output of an encoder 14 that detects the position of the rotor 12. In this case, the control means 15 receives the output of the encoder 14 and controls the rotational speed of the turntable 5, that is, the substrate a shown in FIG. From the time when one end in the rotational direction of each board mounting surface 6a is located in front of the target 8, the other end in the rotational direction of the board mounting surface 6a is located in front of the target 8 so as to be substantially constant over the entire surface. It changes from time to time.

すなわち、基板aの単位時間当りの成膜材料の付着ff
1Tは、基板aの回転速度を変化させたときの補正係数
をK(β)とし、簡単化のためにθ。
That is, the deposition material ff per unit time on the substrate a
1T, the correction coefficient when changing the rotational speed of the substrate a is K(β), and θ for simplicity.

−a。とじて比例定数を無視すると、 基板aの回転方向における先端Cでは、T (C) −
f K (β)・cosβdβ基板aの中基板向は、 T (Q) −1K (β)・cosβdβ基板aの回
基板向における後端りでは、T (D) −1K (β
)・cosβdβとなる。
-a. If we ignore the proportionality constant, then at the tip C in the rotational direction of the substrate a, T (C) −
f K (β)・cosβdβ The middle substrate direction of substrate a is T (Q) −1K (β)・cosβdβ At the rear end of substrate a in the circuit board direction, T (D) −1K (β
)・cosβdβ.

従って、K(β)−1/cosβであれば、T (C)
 −T (Q) −T (D)となる。つまり、上記制
御手段15は、ターンテーブル5、つまりは回転治具6
の回転速度を、予め設定した平均値に上記K(β) −
1/cosβに対応するサインカーブ状の振幅(例えば
±10%)を与えて、基板aの回転方向における中央が
ターゲット8の前方に位置するときに速く、当該基板a
の回転方向における端がターゲット8の前方に位置する
ときに遅くなるように制御するものである。この場合、
上記エンコーダ14は、基板aとターゲット8とが平行
になって正面で向い合う、つまり、基板aの中央がター
ゲット8の正面に位置する基準位置からの基板aのずれ
角度βを検出して、その検出信号を制御手段15に与え
ることになる。
Therefore, if K(β)-1/cosβ, then T (C)
-T (Q) -T (D). That is, the control means 15 controls the turntable 5, that is, the rotating jig 6.
The rotational speed of K(β) − above is set to the preset average value.
By giving a sinusoidal amplitude (for example, ±10%) corresponding to 1/cos β, when the center of the substrate a in the rotation direction is located in front of the target 8, the substrate a
Control is performed so that the rotation speed becomes slower when the end in the rotation direction is located in front of the target 8. in this case,
The encoder 14 detects the deviation angle β of the substrate a from a reference position where the substrate a and the target 8 are parallel and face each other, that is, the center of the substrate a is located in front of the target 8. The detection signal will be given to the control means 15.

また、上記ターゲット8は、第2図に示すように、真空
槽1の周壁に固定の支持部材16に対してホルダー17
にて保持されている。また、このターゲット8の背部に
は複数のマグネット18が間隔をおいて配設されている
。また、真空槽1の周壁は、真空引き用とスパッタガス
用との両排気ポート3,4が設けられた固定壁1aに対
して、可動壁1bがヒンジ19で連結されてなり、この
可動壁1bにて真空槽1を開閉して基板aを取り付けた
回転治具6の出し入れを行なうようになっている。
Further, as shown in FIG.
It is maintained at Further, a plurality of magnets 18 are arranged at intervals on the back of the target 8. Further, the peripheral wall of the vacuum chamber 1 has a movable wall 1b connected by a hinge 19 to a fixed wall 1a provided with exhaust ports 3 and 4 for evacuation and for sputtering gas. At 1b, the vacuum chamber 1 is opened and closed to take in and out the rotary jig 6 to which the substrate a is attached.

従って、上記成膜装置においては、上記真空槽1に基板
aを取り付けた回転治具6を入れてターンテーブル5に
載置する。そして、大型の真空ポンプによる真空引き用
の排気ポート3からの排気により真空槽1内の圧力を下
げ、次にスパッタガスを導入ボート2から導入し、且つ
スパッタガス用の排気ポート4から小型の真空ポンプに
て真空槽1内が一定の真空圧になるように排気しながら
、ヒータ11による一定温度下でスパッタリングを行な
う。
Therefore, in the film forming apparatus described above, the rotating jig 6 to which the substrate a is attached is placed in the vacuum chamber 1 and placed on the turntable 5. Then, the pressure inside the vacuum chamber 1 is lowered by exhausting air from the exhaust port 3 for evacuation using a large vacuum pump, and then sputter gas is introduced from the introduction boat 2, and a small Sputtering is performed at a constant temperature using a heater 11 while evacuating the inside of the vacuum chamber 1 to a constant vacuum pressure using a vacuum pump.

このスパッタリングは、上記回転治具6を回転させなが
ら行なうものであり、これにより、各基板取付面6aは
上記ターゲット8の正面に順次向かい合っていくことに
なる。そして、この回転治具6の回転速度は、上述の如
く、J!仮aの回転方向における中央がターゲット8の
前方に位置する状態のときに速くなるが、この状態は基
板aの中央部で成膜材料が多く付着する状態であり、回
転速度が速くなる分、基板aの中央部での成膜材料の付
着が抑制される。そして、基板aの回転速度は基板aの
回転方向における端がターゲット8の前方に位置する状
態のときに遅くなるが、この状態は基板aの中央部では
成膜材料の付着が少ないか零のときであるものの、基板
aの両端部のいずれか一方では成膜材料が付着している
状態であり、回転速度が遅くなる分、基板aの両端部で
の成膜材料の付着が多くなり、これにより、基板aの中
央部と両端部との膜厚の差が少なくなる。
This sputtering is performed while rotating the rotating jig 6, so that each substrate mounting surface 6a faces the front of the target 8 in sequence. As mentioned above, the rotational speed of this rotating jig 6 is J! The speed increases when the center in the rotation direction of temporary a is located in front of the target 8, but in this state, a large amount of the film forming material adheres to the center of the substrate a, and as the rotation speed becomes faster, Adhesion of the film-forming material at the center of the substrate a is suppressed. The rotational speed of the substrate a becomes slow when the end of the substrate a in the rotational direction is located in front of the target 8, but in this state, there is little or no deposition material attached to the central part of the substrate a. However, since the film forming material is attached to either end of the substrate a, the slower the rotation speed, the more the film forming material is attached to both ends of the substrate a. This reduces the difference in film thickness between the center and both ends of the substrate a.

なお、上記実施例では基板aが平坦な場合であるが、ブ
ラウン管のスクリーンのような湾曲した基板に薄膜を形
成する場合には、この基板の湾曲を考慮して、上記制御
手段15により回転治具6の回転速度を制御することに
なる。また、この回転治具6の回転速度の制御は、実験
的に最も好ましい速度変化パターンを求めて行なうこと
もできる。
In the above embodiment, the substrate a is flat, but if a thin film is to be formed on a curved substrate such as a screen of a cathode ray tube, the control means 15 may control the rotation control in consideration of the curvature of the substrate. The rotation speed of the tool 6 will be controlled. Further, the rotational speed of the rotating jig 6 can also be controlled by experimentally determining the most preferable speed change pattern.

また、上記実施例では基板が1枚である状態を想定して
回転治具の回転速度の説明をしたが、複数の基板が一定
の角度をもって連なっている場合は、隣り合う基板の境
界がターゲットの中央に位置するとき(第2図に示す状
態)に、回転治具の回転速度が最も遅くなるようにする
ことになる。
In addition, in the above example, the rotation speed of the rotating jig was explained assuming that there was only one substrate, but when multiple substrates are connected at a certain angle, the boundary between adjacent substrates becomes the target. The rotational speed of the rotating jig is set to be the slowest when the rotating jig is located at the center of (the state shown in FIG. 2).

また、上記実施例は断面8角形の回転治具を用いた例で
あるが、本発明が他の多角形状の回転冶具においても適
用できることはもちろんである。
Further, although the above embodiment uses a rotating jig having an octagonal cross section, it goes without saying that the present invention can also be applied to rotating jigs having other polygonal shapes.

一実施例2− 本例はドーム型の蒸着装置の例であって、第4図及び第
5図に示されている。この蒸着装置は熱蒸着方式を採用
している。
Embodiment 2 - This embodiment is an example of a dome-shaped vapor deposition apparatus, and is shown in FIGS. 4 and 5. This vapor deposition apparatus employs a thermal vapor deposition method.

第4図において、21は基板aへの蒸着を行なう真空槽
であって、その底部に電子銃23からの電子ビームによ
って加熱蒸発される蒸発源24が設けられている。そし
て、真空槽21の内壁面にリング状の基台25が支持さ
れ、この基台25に基板aを取り付ける複数の平板状の
基板ホルダー26を多角錐状に配設したドーム型の回転
治具27が回転可能に支持されている。蒸発源24は特
定の回転位置にある基板ホルダー26の基板取付面26
aに対向するように設けられている。
In FIG. 4, reference numeral 21 denotes a vacuum chamber for performing vapor deposition on the substrate a, and an evaporation source 24 that is heated and evaporated by an electron beam from an electron gun 23 is provided at the bottom of the vacuum chamber. A ring-shaped base 25 is supported on the inner wall surface of the vacuum chamber 21, and a dome-shaped rotating jig has a plurality of flat substrate holders 26 arranged in a polygonal pyramid shape to attach the substrate a to the base 25. 27 is rotatably supported. The evaporation source 24 is connected to the substrate mounting surface 26 of the substrate holder 26 at a specific rotational position.
It is provided so as to face a.

上記基板ホルダー26は、それぞれ基板aを取り付ける
複数の取付孔を有するものである。そして、基板aはそ
の両面に成膜が行われるものであり、上記取付孔に取り
付けられた状態で基板ホルダー26の反転によりその両
面が上記蒸発源24に向けられることになる。
The board holder 26 has a plurality of mounting holes for each mounting the board a. Films are formed on both sides of the substrate a, and both sides of the substrate a are directed toward the evaporation source 24 by reversing the substrate holder 26 while it is attached to the mounting hole.

まず、上記回転治具27は、上記基台25の周面に水平
軸で支持された支持ローラ28と基台25の上面の周縁
部に垂直軸で支持された回転位置規制ローラ29とによ
り回転自在に支持されたリングギヤ31と、このリング
ギヤ31の上に支持されたベツド32とからなる。そし
て、リングギヤ31の回転駆動のために、その側方に実
施例1と同様のエンコーダを備えたサーボ駆動手段33
が設けられていて、その動力を駆動ギヤ34と中間ギヤ
35を介してリングギヤ31に伝達できるようになって
いる。
First, the rotating jig 27 is rotated by a support roller 28 supported by a horizontal axis on the circumferential surface of the base 25 and a rotation position regulating roller 29 supported by a vertical axis on the periphery of the upper surface of the base 25. It consists of a freely supported ring gear 31 and a bed 32 supported on the ring gear 31. In order to rotationally drive the ring gear 31, a servo drive means 33 is provided with an encoder similar to that in the first embodiment on its side.
is provided, and its power can be transmitted to the ring gear 31 via a drive gear 34 and an intermediate gear 35.

そうして、上記サーボ駆動手段33に、エンコーダの出
力に基づいて回転治具27の回転速度を、基板取付面2
6aの各部での成膜材料の蒸着量が略一定になるよう制
御する制御手段40が設けられている。すなわち、本例
の制御手段40も実施例1のものと同様に、上記回転治
具27の回転速度を、上記各基板ホルダー26の基板取
付面26aの回転方向における一端が蒸発源24の前方
に位置するときから、当該基板取付面26aの回転方向
における他端が蒸発源24の前方に位置するときに至る
間で変化させるものである。
Then, the servo drive means 33 controls the rotational speed of the rotating jig 27 based on the output of the encoder.
A control means 40 is provided to control the amount of the film-forming material to be deposited at each part of 6a to be substantially constant. That is, similarly to the first embodiment, the control means 40 of this embodiment also controls the rotation speed of the rotating jig 27 such that one end of the substrate mounting surface 26a of each substrate holder 26 in the rotation direction is in front of the evaporation source 24. The position is changed from when the other end of the substrate mounting surface 26a in the rotational direction is located in front of the evaporation source 24.

上記ベツド32は、上記リングギヤ31に支持したリン
グ状のベース36と、そのの上に固定したリング部材3
7とを備え、このリング部材37とその中心部の高い位
置に設けたセンタ一部材38との間に第2図に示すよう
に放射状に配置した複数の放射フレーム39が渡されて
いる。そして、上記センタ一部材38とリング部材37
との間に、放射方向に延びる複数の回転支軸43が設け
られている。すなわち、これら回転支軸43は上記基板
ホルダー26を支持して反転せしめるものである。
The bed 32 includes a ring-shaped base 36 supported by the ring gear 31 and a ring member 3 fixed thereon.
As shown in FIG. 2, a plurality of radial frames 39 are disposed radially between the ring member 37 and a center member 38 provided at a high position in the center thereof. Then, the center member 38 and the ring member 37
A plurality of rotation support shafts 43 extending in the radial direction are provided between the two. That is, these rotational shafts 43 support and invert the substrate holder 26.

また、上記基板ホルダー26を反転せしめるため、上記
回転支軸43に回転力を付与する手段44として、この
回転支軸43に結合して上記リング部材37の軸受部か
ら放射方向に突出せしめたアーム部材45と、真空槽1
側の駆動部材46とが設けられている。
Further, in order to reverse the substrate holder 26, an arm is coupled to the rotation support shaft 43 and protrudes radially from the bearing portion of the ring member 37 as a means 44 for applying rotational force to the rotation support shaft 43. member 45 and vacuum chamber 1
A side drive member 46 is provided.

すなわち、アーム部材45は、上記回転支軸43に結合
した軸に、第5図に示すように、アーム45aを十字状
に設けるとともにカム45bを設けたものである。そし
て、カム45bはその周面に90度の角度間隔をおいて
凹部が形成されていて、このカム45bに対して、上記
凹部に嵌まり得るボール47がスプリング48でカム4
5bに向けて付勢して設けられている。一方、駆動部材
46は上記アーム部材45の回転軌跡に対応する位置に
設けられていて、ソレノイド46aで上記アーム45a
へ向けて進退操作されるロッド46bを備えている。
That is, the arm member 45 has an arm 45a arranged in a cross shape and a cam 45b on a shaft connected to the rotation support shaft 43, as shown in FIG. The cam 45b has recesses formed at angular intervals of 90 degrees on its circumferential surface, and a ball 47 that can fit into the recesses is attached to the cam 45 by a spring 48.
5b. On the other hand, the driving member 46 is provided at a position corresponding to the rotation locus of the arm member 45, and a solenoid 46a drives the arm 45a.
It is provided with a rod 46b that is moved forward and backward toward.

また、上記基台25には回転治具27の回転位置を検出
するためのリミットスイッチ49が設けられている。
Further, the base 25 is provided with a limit switch 49 for detecting the rotational position of the rotating jig 27.

従って、上記蒸着装置での成膜にあたっては、回転治具
27の基板ホルダー26に基板aを保持し、駆動部材4
6のロッド46bを突出せしめた状態で回転治具27を
1回転させる。これにより、各回転支軸43に結合され
ているアーム部材45がアーム45aへの上記ロッド4
6bの当接により、回転治具27の回転に伴って90度
以下の角度で回転し、各基板ホルダー26が同角度回転
することになる。この回転を1回ないしは2回行なうこ
とにより、各基板ホルダー26を蒸発源4側に向けた状
態に順次することができる。
Therefore, when forming a film using the above vapor deposition apparatus, the substrate a is held in the substrate holder 26 of the rotating jig 27, and the driving member 4
The rotating jig 27 is rotated once with the rod 46b of No. 6 protruding. As a result, the arm member 45 connected to each rotation support shaft 43 is connected to the rod 4 to the arm 45a.
6b, the substrate holder 26 rotates at an angle of 90 degrees or less as the rotation jig 27 rotates, and each substrate holder 26 rotates by the same angle. By performing this rotation once or twice, each substrate holder 26 can be sequentially brought into a state facing the evaporation source 4 side.

そうして、真空槽21内を所定の真空度にし、上記駆動
部材46のロッド46bを引っ込めた状態で、回転治具
27を回転させながら、蒸発源24に電子ビームを照射
して成膜材料を蒸発せしめ、成膜材料を各基板aに蒸着
せしめる。その際、各基板取付面26aは上記蒸発源2
4の正面に順次向かい合っていくことになる。そして、
回転治具27の回転速度を、各基板ホルダー26の基板
取付面26aの回転方向における中央が蒸発源24の前
方に位置するときに速く、当該基板取付面26aの回転
方向における端が蒸発源24の前方に位置するときに遅
くなるように制御することにより、これら各基板ホルダ
ー26に保持されている各基板aへの蒸着量が略等しく
なり、各基板aの膜厚の均一化が図れることになる。
Then, with the inside of the vacuum chamber 21 set to a predetermined degree of vacuum, and the rod 46b of the driving member 46 retracted, the evaporation source 24 is irradiated with an electron beam while the rotating jig 27 is rotated to remove the film-forming material. is evaporated, and a film forming material is deposited on each substrate a. At that time, each board mounting surface 26a is connected to the evaporation source 2.
You will face the front of 4 one after another. and,
The rotational speed of the rotating jig 27 is increased when the center of the substrate mounting surface 26a of each substrate holder 26 in the rotational direction is located in front of the evaporation source 24, and By controlling the evaporation rate to be slower when positioned in front of the substrate holder 26, the amount of evaporation on each substrate a held in each substrate holder 26 becomes approximately equal, and the film thickness of each substrate a can be made uniform. become.

上記基板aの片面への成膜が終わると、駆動部材46の
ロッド46bを突出せしめた状態で回転治具27を2回
転させ、これにより、回転支軸43を90度ずつ2回転
せしめて基板ホルダー26を反転させた状態にする。そ
して、先程と同様に回転治具27を回転させながら、成
膜材料を各基板aに蒸着せしめる。
When the film formation on one side of the substrate a is completed, the rotating jig 27 is rotated twice with the rod 46b of the driving member 46 protruding, thereby rotating the rotating shaft 43 twice by 90 degrees, and the substrate is rotated. The holder 26 is placed in an inverted state. Then, as before, while rotating the rotating jig 27, the film forming material is deposited on each substrate a.

一実施例3− 本例はドラム型の蒸着装置の例であって、第6図及び第
7図に示されている。この蒸着装置は熱蒸着方式を採用
している。
Embodiment 3 - This embodiment is an example of a drum-type vapor deposition apparatus, and is shown in FIGS. 6 and 7. This vapor deposition apparatus employs a thermal vapor deposition method.

第6図及び第7図において、51は軸心を水平にして設
けた円筒状の真空槽、52はこの真空槽51に出入され
る軸心を水平にした回転治具、53は成膜材料の蒸発源
である。
In FIGS. 6 and 7, 51 is a cylindrical vacuum chamber with its axis set horizontally, 52 is a rotating jig whose axis is horizontally moved in and out of the vacuum chamber 51, and 53 is a film forming material. is a source of evaporation.

上記回転治具52は、両端の端面板54.54間に渡し
て周方向に間隔をおいて設けた複数の支持バー55を備
え、相隣る支持バー55.55に基板aを軸方向に2枚
並べて支持できるようになっている。この回転治具52
の場合、相隣る支持バー55.55で構成される各基板
取付面は、断面六角形状に配置されている。上記蒸発源
53は、コイルで成膜材料を加熱して蒸発せしめる抵抗
加熱方式のものであり、上記回転治具52内に上向きに
して設けられるものである。
The rotating jig 52 includes a plurality of support bars 55 provided at intervals in the circumferential direction between the end plates 54. Two pieces can be supported side by side. This rotating jig 52
In this case, each board mounting surface constituted by adjacent support bars 55, 55 is arranged in a hexagonal cross section. The evaporation source 53 is of a resistance heating type in which the film-forming material is heated and evaporated using a coil, and is provided in the rotating jig 52 so as to face upward.

そうして、上記回転治具52の駆動手段は、その図示を
省略しているが、先の実施例のものと同様のエンコーダ
付きのサーボ式駆動手段であって、エンコーダの出力に
基づいて回転治具52の回転速度を、基板aにおける成
膜材料の蒸着量が基板aの全面にわたって略一定になる
よう制御する制御手段が設けられている。すなわち、本
例の制御手段も上記回転治具52の回転速度を、上記各
基板取付面の回転方向における一端が蒸発源53の前方
に位置するときから、当該基板取付面の回転方向におけ
る他端が蒸発源53の前方に位置するときに至る間で変
化させるものである。
Although not shown, the driving means for the rotating jig 52 is a servo-type driving means with an encoder similar to that of the previous embodiment, and rotates based on the output of the encoder. A control means is provided for controlling the rotational speed of the jig 52 so that the amount of deposition material on the substrate a is approximately constant over the entire surface of the substrate a. That is, the control means of this example also controls the rotational speed of the rotating jig 52 from when one end of each substrate mounting surface in the rotational direction is located in front of the evaporation source 53 to the other end of the substrate mounting surface in the rotational direction. It changes between when the evaporation source 53 is located in front of the evaporation source 53.

従って、本例の成膜装置においても、上記回転治具52
の回転により、各基板取付面は上記蒸発源53の正面に
順次向かい合っていくことになる。
Therefore, also in the film forming apparatus of this example, the rotating jig 52
As a result of the rotation, each substrate mounting surface sequentially faces the front of the evaporation source 53.

そして、回転治具52の回転速度を、各基板取付面の回
転方向における中央が蒸発源53の前方に位置するとき
に速く、当該基板取付面の回転方向における端が蒸発源
53の前方に位置するときに遅くなるように制御するこ
とによって、これら各基板取付面に取り付けられている
基板aへの蒸着量をその全面にわたって略等しくするこ
とができる。
The rotational speed of the rotating jig 52 is increased when the center of each substrate mounting surface in the rotational direction is located in front of the evaporation source 53, and the rotational speed of the rotating jig 52 is increased when the center of each substrate mounting surface in the rotational direction is located in front of the evaporation source 53. By controlling the amount of evaporation to be delayed at the same time, it is possible to make the amount of vapor deposition on the substrate a attached to each of these substrate mounting surfaces substantially equal over the entire surface thereof.

なお、上記各実施例の他、カル−セル型、ドーム型、ド
ラム型などの各種タイプのスパッタリング装置、蒸着装
置に対して本発明を適用することが可能である。その場
合、蒸着装置の中には、成膜材料の蒸発粒子をイオン化
して蒸着を行なうイオンブレーティング装置などの他の
成膜装置も含まれるものである。
In addition to the above-mentioned embodiments, the present invention can be applied to various types of sputtering apparatuses and vapor deposition apparatuses such as carcell type, dome type, and drum type. In this case, the vapor deposition apparatus may also include other film forming apparatuses such as an ion blating apparatus that performs vapor deposition by ionizing evaporated particles of the film forming material.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は実施例1の成膜装置の縦断面図、第2図は同装
置を一部切り欠いて示す平面図、第3図は同側の基板と
ターゲットの関係を示す概略平面図、第4図は実施例2
の成膜装置の縦断面図、第5図は同装置の基板反転用の
回転手段を示す正面図、第6図は実施例3の成膜装置の
側面図、第7図は同装置の横断面図、第8図は従来のス
パッタリング膜厚分布を示す図である。 1.21.51・・・・・・真空槽 6.27.52・・・・・・回転治具 6a、26a・・・・・・基板取付面 7.33・・・・・・駆動手段 8・・・・・・ターゲット 24.53・・・・・・蒸発源 15.40・・・・・・制御手段 a・・・・・・基板 1.21.51・・・・・・真空1費 6,27.52・・・・・・回転治具 5a、26a・・・・・・基板取付面 7.33・・・・・・駆動手段 8・・・・・・ターゲット 24.53・・・シ・・蒸発源 1540・・・・・・制御手段 a・・・・・・基板 第 図
FIG. 1 is a longitudinal sectional view of the film forming apparatus of Example 1, FIG. 2 is a partially cutaway plan view of the same apparatus, and FIG. 3 is a schematic plan view showing the relationship between the substrate and target on the same side. Figure 4 shows Example 2
FIG. 5 is a front view showing the rotating means for inverting the substrate of the same device, FIG. 6 is a side view of the film forming device of Example 3, and FIG. 7 is a cross-sectional view of the same device. The plan view and FIG. 8 are diagrams showing a conventional sputtering film thickness distribution. 1.21.51... Vacuum chamber 6.27.52... Rotating jig 6a, 26a... Board mounting surface 7.33... Drive means 8... Target 24.53... Evaporation source 15.40... Control means a... Substrate 1.21.51... Vacuum 1 cost 6, 27.52... Rotating jig 5a, 26a... Board mounting surface 7.33... Drive means 8... Target 24.53 . . . Evaporation source 1540 . . . Control means a . . . Board diagram

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)真空槽内に、ターゲットと、基板を取り付ける複
数の基板取付面が周方向に配設され各基板取付面が上記
ターゲットに順次向かい合うよう回転する回転治具とが
設けられ、上記基板に対してスパッタリングを行うよう
にした成膜装置において、上記回転治具の回転速度を、
上記各基板取付面の回転方向における一端がターゲット
の前方に位置するときから、当該基板取付面の回転方向
における他端が上記ターゲットの前方に位置するときに
至る間で変化させる制御手段を備えていることを特徴と
する成膜装置。
(1) A target and a rotating jig, which has a plurality of substrate mounting surfaces arranged circumferentially to which the substrates are attached and rotates so that each substrate mounting surface sequentially faces the target, are provided in the vacuum chamber, In a film forming apparatus that performs sputtering, the rotation speed of the rotating jig is set to
control means for changing the time between one end of each board mounting surface in the rotational direction being located in front of the target and the other end of the board mounting surface in the rotational direction being located in front of the target; A film forming apparatus characterized by:
(2)真空槽内に、基板に膜を形成するための成膜材料
を真空槽内の定位置から蒸発する蒸発源と、上記基板を
取り付ける複数の基板取付面が周方向に配設され各基板
取付面が上記蒸発源に順次向かい合うよう回転する回転
治具とが設けられ、上記基板に上記成膜材料を蒸着させ
るようにした成膜装置において、上記回転治具の回転速
度を、上記各基板取付面の回転方向における一端が蒸発
源の前方に位置するときから、当該基板取付面の回転方
向における他端が上記蒸発源の前方に位置するときに至
る間で変化させる制御手段を備えていることを特徴とす
る成膜装置。
(2) An evaporation source that evaporates a film-forming material for forming a film on a substrate from a fixed position in the vacuum chamber, and a plurality of substrate mounting surfaces to which the substrates are attached are arranged circumferentially in the vacuum chamber. In a film forming apparatus that is provided with a rotating jig that rotates so that the substrate mounting surface sequentially faces the evaporation source, and is configured to evaporate the film forming material onto the substrate, the rotational speed of the rotating jig is set to vary according to each of the above. Control means for changing the substrate mounting surface from when one end in the rotational direction is located in front of the evaporation source to when the other end of the substrate mounting surface in the rotational direction is located in front of the evaporation source. A film forming apparatus characterized by:
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