JPH02276128A - 電子管用ヒータ及びそれを備えた含浸型陰極構体 - Google Patents
電子管用ヒータ及びそれを備えた含浸型陰極構体Info
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- JPH02276128A JPH02276128A JP1095667A JP9566789A JPH02276128A JP H02276128 A JPH02276128 A JP H02276128A JP 1095667 A JP1095667 A JP 1095667A JP 9566789 A JP9566789 A JP 9566789A JP H02276128 A JPH02276128 A JP H02276128A
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Landscapes
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は、例えば陰極線管や撮像管などに使用して好
適な電子管用ヒータ及びそれを備えた含浸型陰極構体に
関する。
適な電子管用ヒータ及びそれを備えた含浸型陰極構体に
関する。
(従来の技術)
傍熱型陰極用ヒータは、一般にタングステン或いはレニ
ウム−タングステンからなるコイル状に巻回された金属
線の表面に、粒径1,5μmのアルミナ粒子を電気泳動
法、吹付は法等で被覆後、更にアルミナ粒子とタングス
テン粒子からなるダーク層を被覆し、焼成することで形
成される。
ウム−タングステンからなるコイル状に巻回された金属
線の表面に、粒径1,5μmのアルミナ粒子を電気泳動
法、吹付は法等で被覆後、更にアルミナ粒子とタングス
テン粒子からなるダーク層を被覆し、焼成することで形
成される。
(発明が解決しようとする課題)
ところが、上記のようにして形成された従来のヒータは
、焼成時に変形が生じ易く、又、アルミナ層にクラック
が生じ易い。これは第10図(b)に示すように、金属
線とダーク層との距離が近くなっており、凹凸を存する
アルミナ層は強度か弱く、クラックの原因となる。特に
、含浸型陰極用として用いる場合には、ヒータ温度が従
来より数百文鳥いため、変形成いはクラックに起因して
ヒータ・カソード間の絶縁不良が生じ、ヒータ断線が起
こるという問題があった。
、焼成時に変形が生じ易く、又、アルミナ層にクラック
が生じ易い。これは第10図(b)に示すように、金属
線とダーク層との距離が近くなっており、凹凸を存する
アルミナ層は強度か弱く、クラックの原因となる。特に
、含浸型陰極用として用いる場合には、ヒータ温度が従
来より数百文鳥いため、変形成いはクラックに起因して
ヒータ・カソード間の絶縁不良が生じ、ヒータ断線が起
こるという問題があった。
この発明は、変形やクラックが生じ難く、絶縁耐圧が優
れたヒータ及びそれを備えた含浸型陰極構体を提供する
ことを目的とする。
れたヒータ及びそれを備えた含浸型陰極構体を提供する
ことを目的とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
この発明は、ダブルヘリカルに巻回された金属線と、こ
の金属線に被覆された絶縁アルミナ層と、この絶縁アル
ミナ層に被覆されたダーク層とを有する電子管用ヒータ
において、上記絶縁アルミナ層は、アルミナ粒子が99
.896以上の純度で平均粒径が7乃至12μmの範囲
であり、且つ上記アルミナ粒子の粒度分布が粒径15μ
m以上の粒子及び粒径6μm以下の粒子をそれぞれ10
乃至30重量%の範囲であって残部が6乃至15μmの
範囲の粒子となるように混合されてなる電子管用ヒータ
である。
の金属線に被覆された絶縁アルミナ層と、この絶縁アル
ミナ層に被覆されたダーク層とを有する電子管用ヒータ
において、上記絶縁アルミナ層は、アルミナ粒子が99
.896以上の純度で平均粒径が7乃至12μmの範囲
であり、且つ上記アルミナ粒子の粒度分布が粒径15μ
m以上の粒子及び粒径6μm以下の粒子をそれぞれ10
乃至30重量%の範囲であって残部が6乃至15μmの
範囲の粒子となるように混合されてなる電子管用ヒータ
である。
又、この発明は、陰極基体と、この陰極基体を支持する
陰極スリーブと、この陰極スリーブ内に内装されるこの
発明のヒータを備えてなる含浸型陰極構体である。
陰極スリーブと、この陰極スリーブ内に内装されるこの
発明のヒータを備えてなる含浸型陰極構体である。
(作用)
この発明によるヒータを用いれば、ヒータ・カソード間
の絶縁耐圧性が著しく向上し、含浸型陰極の動作温度が
高いことに起因する耐圧不良を未然に防止することが出
来る。
の絶縁耐圧性が著しく向上し、含浸型陰極の動作温度が
高いことに起因する耐圧不良を未然に防止することが出
来る。
(実施例)
以下、図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に説
明する。
明する。
この発明のヒータ1は第1図に示すように構成され、ダ
ブルヘリカルに巻回された芯線となる金属線2と、この
金属線2に被覆された絶縁アルミナ層3と、この絶縁ア
ルミナ層3に被覆されたダーク層4とからなっている。
ブルヘリカルに巻回された芯線となる金属線2と、この
金属線2に被覆された絶縁アルミナ層3と、この絶縁ア
ルミナ層3に被覆されたダーク層4とからなっている。
この場合、絶縁アルミナ層3は、アルミナ粒子が99.
8%以上の純度で平均粒径が7〜1λμmであり、且つ
アルミナ粒子の粒度分布が粒径15μm以上の粒子及び
粒径6μm以下の粒子をそれぞれ10〜30重量%含ん
でいる。又、このような絶縁アルミナ層3の厚さは、7
0〜150μmの範囲に設定されている。そして、絶縁
アルミナ層3の充填密度は、50〜70%の範囲に設定
されている。尚、このアルミナ粒子は、溶融アルミナを
粉砕して作られている。
8%以上の純度で平均粒径が7〜1λμmであり、且つ
アルミナ粒子の粒度分布が粒径15μm以上の粒子及び
粒径6μm以下の粒子をそれぞれ10〜30重量%含ん
でいる。又、このような絶縁アルミナ層3の厚さは、7
0〜150μmの範囲に設定されている。そして、絶縁
アルミナ層3の充填密度は、50〜70%の範囲に設定
されている。尚、このアルミナ粒子は、溶融アルミナを
粉砕して作られている。
又、上記のダーク層4は、タングステンとアルミナの混
合粒子からなっている。
合粒子からなっている。
次に、上記の数値に設定した理由について、述べること
にする。
にする。
■ 使用するアルミナ粉子の純度について、99.8%
以上が必要な理由は、第3図に示す通りである。即ち、
純度以外の因子をこの発明の実施例と同様にして純度と
耐圧不良発生率との関係を調べた結果、99.8%以上
で耐圧不良発生率が0%となった。
以上が必要な理由は、第3図に示す通りである。即ち、
純度以外の因子をこの発明の実施例と同様にして純度と
耐圧不良発生率との関係を調べた結果、99.8%以上
で耐圧不良発生率が0%となった。
尚、耐圧不良発生率は、各々の純度でコーティングした
ヒータを各50個n1定して求めた。耐圧不良試験は、
ヒータ温度について、定格6,3Vに対し7vで実施し
、ヒータ・陰極間の電圧はDClooVから1分間に1
00v毎ずつ高めて実施し、100OV以下で絶縁破壊
したものを不良とした。
ヒータを各50個n1定して求めた。耐圧不良試験は、
ヒータ温度について、定格6,3Vに対し7vで実施し
、ヒータ・陰極間の電圧はDClooVから1分間に1
00v毎ずつ高めて実施し、100OV以下で絶縁破壊
したものを不良とした。
■ 平均粒径と耐圧の関係について、実験により求めた
。条件はヒータ温度について、定格6.3vに対し7v
で実施し、ヒータ・カソード間の電圧はDClooVか
ら1分間に100v毎ずつ高めて実施した。このときの
充填率、コーティング厚は、同一条件とした。その結果
を、第4図に示す。この結果より、平均粒径は7〜12
μmが絶縁耐圧に優れている。ことが判明した。
。条件はヒータ温度について、定格6.3vに対し7v
で実施し、ヒータ・カソード間の電圧はDClooVか
ら1分間に100v毎ずつ高めて実施した。このときの
充填率、コーティング厚は、同一条件とした。その結果
を、第4図に示す。この結果より、平均粒径は7〜12
μmが絶縁耐圧に優れている。ことが判明した。
12μm以上では、焼成強度不足、7μm以下では変形
、クラックに起因して絶縁耐圧が劣化することが判明し
た(第5図、第6図の充填率50〜70%においてクラ
ック発生率、コーティング粉落ち発生率が0%でないサ
ンプルが7μm以下の粒子)。
、クラックに起因して絶縁耐圧が劣化することが判明し
た(第5図、第6図の充填率50〜70%においてクラ
ック発生率、コーティング粉落ち発生率が0%でないサ
ンプルが7μm以下の粒子)。
この7〜12μmの平均粒径を用いて、充填密度を50
〜70%にするには、第7図に示すように、各々10〜
30ffi量%含んでいることが必要である(第7図は
平均粒径が9.0μmの時の実験データ)。
〜70%にするには、第7図に示すように、各々10〜
30ffi量%含んでいることが必要である(第7図は
平均粒径が9.0μmの時の実験データ)。
■ コーティングの厚さに関しては、第8図にコーティ
ング厚と絶縁耐圧の関係を示す。この第8図から明らか
なように、70μm以下では急激に耐圧が劣化する。そ
して、70μm以上では、はぼ耐圧値は比例することが
明らかである。しかし、コーティング厚は陰極径の大き
さから制約を受け、且つコーティング厚が厚くなればな
る程、陰極温度の上昇スピードが遅くなる。例えば、出
画時間(ヒータをオンしてから出画するのに十分なエミ
ッシヨンが出る時間を言い、温度上昇が速いほど出画時
間は短い)とコーティング厚との関係は、120μmで
5.7秒、150μmで7.0秒、200μmで10.
0秒である。
ング厚と絶縁耐圧の関係を示す。この第8図から明らか
なように、70μm以下では急激に耐圧が劣化する。そ
して、70μm以上では、はぼ耐圧値は比例することが
明らかである。しかし、コーティング厚は陰極径の大き
さから制約を受け、且つコーティング厚が厚くなればな
る程、陰極温度の上昇スピードが遅くなる。例えば、出
画時間(ヒータをオンしてから出画するのに十分なエミ
ッシヨンが出る時間を言い、温度上昇が速いほど出画時
間は短い)とコーティング厚との関係は、120μmで
5.7秒、150μmで7.0秒、200μmで10.
0秒である。
このことを考慮すると、コーティング厚は70〜150
μmの範囲が妥当である。
μmの範囲が妥当である。
■ 充填密度に関しては、粒度調合により充填密度を変
化させることが出来る。充填密度とクラック発生率(変
形発生率)、絶縁破壊電圧、コーティング粉落ち発生率
の関係をそれぞれ第5図、第9図、第6図に示す。この
結果より、充填率50〜70%がクラック発生率、コー
ティング剥がれ発生率が少なく、その結果、絶縁破壊電
圧が^くなっていることが明らかである。
化させることが出来る。充填密度とクラック発生率(変
形発生率)、絶縁破壊電圧、コーティング粉落ち発生率
の関係をそれぞれ第5図、第9図、第6図に示す。この
結果より、充填率50〜70%がクラック発生率、コー
ティング剥がれ発生率が少なく、その結果、絶縁破壊電
圧が^くなっていることが明らかである。
又、焼成時の変形の発生は、クラック発生率とほぼ一致
することが明らかとなった。
することが明らかとなった。
■ アルミナ粒子の製造方法には、溶融アルミナを粉砕
する以外に、バイヤー法、アンモニウム明ばんの熱分解
法(水酸化アルミを硫酸と反応させ、硫酸アルミにした
後、硫安と反応させてアンモニウム明ばんを作り焼成す
る方法)等があるが、焼成時の粒子の収縮を考慮すると
、粒子の収縮がない溶融アルミナを粉砕方法で作った粉
末を用いるのが、クラック発生即ち変形がなく、耐圧も
優れた結果が得られる。
する以外に、バイヤー法、アンモニウム明ばんの熱分解
法(水酸化アルミを硫酸と反応させ、硫酸アルミにした
後、硫安と反応させてアンモニウム明ばんを作り焼成す
る方法)等があるが、焼成時の粒子の収縮を考慮すると
、粒子の収縮がない溶融アルミナを粉砕方法で作った粉
末を用いるのが、クラック発生即ち変形がなく、耐圧も
優れた結果が得られる。
さて次に、上記のような絶縁アルミナ層3の製造方法に
ついて述べておく。
ついて述べておく。
平均粒径9.0μm130μm以上が2.3重量%、3
0〜15μmが15.3重量%、15〜6μmが57.
4重量%、6μm以下が25.0重量%の粒度分布を有
する溶融アルミナの粉砕粒で、純度99.85%以上を
有するものを用いた。
0〜15μmが15.3重量%、15〜6μmが57.
4重量%、6μm以下が25.0重量%の粒度分布を有
する溶融アルミナの粉砕粒で、純度99.85%以上を
有するものを用いた。
このアルミナ粒子の粒度分布は、吹付は法により被覆し
た場合、55%の密度になるように調整しある。このア
ルミナ粒子を酢酸エステルに2重量%のニトロセルロー
スを添加した溶媒重量比で1:1.4(−アルミナ:溶
媒)・に混合し、この混合物を吹付は法により片厚10
0μmに被覆した。
た場合、55%の密度になるように調整しある。このア
ルミナ粒子を酢酸エステルに2重量%のニトロセルロー
スを添加した溶媒重量比で1:1.4(−アルミナ:溶
媒)・に混合し、この混合物を吹付は法により片厚10
0μmに被覆した。
吹付けは均一な厚み(肉厚が偏らないように)に付着す
るよう、吹付はノズルを様々な角度に取付けである。
るよう、吹付はノズルを様々な角度に取付けである。
この後、更に平均粒径1μmのタングステンと平均粒径
2μmのアルミナ粉とバインダーが重量比で1:4:5
に混合しである混合物を吹付は法によりダーク層4に片
厚20μm被覆する。
2μmのアルミナ粉とバインダーが重量比で1:4:5
に混合しである混合物を吹付は法によりダーク層4に片
厚20μm被覆する。
このダーク層4は、ヒータ1の熱を効率良く陰極へ供給
するのに効果がある。
するのに効果がある。
このように、アルミナを塗布したヒータを乾燥した後、
約1700℃の水素中で焼結させた。
約1700℃の水素中で焼結させた。
但し、焼結時間は、従来例の場合の2倍とした。
尚、上記のようなこの発明のヒータ1において、絶縁ア
ルミナ層のアルミナ粒子中の不純物を構成する主な元素
はNaであり、当然Na+イオンとして、アルミナ粒子
中を動くので、Naは少ない方が絶縁耐圧は向上する。
ルミナ層のアルミナ粒子中の不純物を構成する主な元素
はNaであり、当然Na+イオンとして、アルミナ粒子
中を動くので、Naは少ない方が絶縁耐圧は向上する。
又、平均粒径・粒度分布・粒子の姿様の項目を、既述の
ようなアルミナ粒子を用いることにより、焼成時の強度
は十分な物が得られ、且つ焼成時の変形は少ない。即ち
、平均粒径を大きく且つ溶融アルミナ粉砕品を用いるこ
とで、焼成時の収縮を抑えることが出来、その結果、ヒ
ータ変形を防止することが出来る。
ようなアルミナ粒子を用いることにより、焼成時の強度
は十分な物が得られ、且つ焼成時の変形は少ない。即ち
、平均粒径を大きく且つ溶融アルミナ粉砕品を用いるこ
とで、焼成時の収縮を抑えることが出来、その結果、ヒ
ータ変形を防止することが出来る。
更に、粒度分布を幅広く、即ち、充填率が50〜702
6の充填になるような分布粒子を用いることで、焼成時
の絶縁アルミナ層強度を十分な物に出来る。
6の充填になるような分布粒子を用いることで、焼成時
の絶縁アルミナ層強度を十分な物に出来る。
尚、完成品は、第10図(a)に示すように、金属線と
ダーク層との距離が離れており、従来例である同図(b
)に比べ凹凸がない。
ダーク層との距離が離れており、従来例である同図(b
)に比べ凹凸がない。
又、この実施例では、吹付は法によりアルミナ粒子を塗
布したが、これに限らず電着法でも行なえる。
布したが、これに限らず電着法でも行なえる。
さて最後に、上記のような電子管用ヒータ1を備えた含
浸型陰極構体の一実施例について説明すると、この発明
の含浸型陰極構体は第2図に示すように構成され、図中
の符号5は陰極基体であり、例えば粒径3μm程度のタ
ングステン粉末を比重16程度になるように焼結し、そ
の多孔質タングステン基体にBaO1CaOSAN20
sよりなる電子放射物質を含浸して得られるもので、カ
ップ状固定部材6内に設けられている。この固定部材6
は、高融点金属よりなる陰極スリーブ7の一端にろう材
により接合されている。この陰極スリーブ7内には、陰
極基体5が所望の動作温度になるように、加熱するため
のヒータ1が配設されている。勿論、このヒータ1は上
記のこの発明にょるヒータである。
浸型陰極構体の一実施例について説明すると、この発明
の含浸型陰極構体は第2図に示すように構成され、図中
の符号5は陰極基体であり、例えば粒径3μm程度のタ
ングステン粉末を比重16程度になるように焼結し、そ
の多孔質タングステン基体にBaO1CaOSAN20
sよりなる電子放射物質を含浸して得られるもので、カ
ップ状固定部材6内に設けられている。この固定部材6
は、高融点金属よりなる陰極スリーブ7の一端にろう材
により接合されている。この陰極スリーブ7内には、陰
極基体5が所望の動作温度になるように、加熱するため
のヒータ1が配設されている。勿論、このヒータ1は上
記のこの発明にょるヒータである。
又、陰極スリーブ7の外側には、所定間隔をおいて同軸
的に筒状ホルダー8が配設され、陰極スリーブ7は複数
例えば3個の短期状ストラップ9を介してこのホルダー
8に支持されている。この場合、ストラップ9の一端が
陰極スリーブ7の下端部に取付けられ、他端がホルダー
8の上端部に取付けられている。
的に筒状ホルダー8が配設され、陰極スリーブ7は複数
例えば3個の短期状ストラップ9を介してこのホルダー
8に支持されている。この場合、ストラップ9の一端が
陰極スリーブ7の下端部に取付けられ、他端がホルダー
8の上端部に取付けられている。
[発明の効果]
この発明によれば、ヒータは上記のような数値に設定さ
れ、このヒータを備えた含浸型陰極構体を使用した電子
管においては、ヒータ・カソード間の絶縁耐圧特性が従
来より1.5〜2倍程度向上することが出来、含浸型陰
極構体の動作温度が高いことに起因する耐圧不良を防止
することが出来た。
れ、このヒータを備えた含浸型陰極構体を使用した電子
管においては、ヒータ・カソード間の絶縁耐圧特性が従
来より1.5〜2倍程度向上することが出来、含浸型陰
極構体の動作温度が高いことに起因する耐圧不良を防止
することが出来た。
尚、第10図(a)及び(b)はこの発明と従来例との
各ヒータにおける断面を示す35倍の顕微鏡写真である
が、従来例では金属線とダーク層との距離が近くなって
おり、凹凸を有するアルミナ層は強度が弱く、クラック
の原因となる。この結果1、耐圧特性が悪い。
各ヒータにおける断面を示す35倍の顕微鏡写真である
が、従来例では金属線とダーク層との距離が近くなって
おり、凹凸を有するアルミナ層は強度が弱く、クラック
の原因となる。この結果1、耐圧特性が悪い。
しかし、この発明では金属線とダーク層との距離が離れ
ており、従来例に比べ凹凸がない均一な絶縁アルミナ層
及びダーク層が形成されているので、耐圧特性が優れて
いる。
ており、従来例に比べ凹凸がない均一な絶縁アルミナ層
及びダーク層が形成されているので、耐圧特性が優れて
いる。
第1図はこの発明の一実施例に係る電子管用ヒータを示
す正面図、第2図はこの発明の別の一実施例に係る電子
管用ヒータを備えた含浸型陰極構体を一部切欠いて示す
斜視図、第3図はこの発明のヒータの絶縁アルミナ層に
使用するアルミナ粒子の純度と耐圧不良発生率との関係
を示す特性図、第4図は同じく平均粒径と絶縁破壊電圧
との関係を示す特性図、第5図は同じくアルミナ充填率
とクラック発生率との関係を示す特性図、第6図は同じ
くアルミナ充填率とコーティングの粉落ち発生率との関
係を示す特性図、第7図は同じくアルミナ粉子とアルミ
ナ充填率との関係を示す特性図、第8図は同じくコーテ
ィングの厚さと絶縁破壊電圧との関係を示す特性図、第
9図は同じくアルミナ充填率と絶縁破壊電圧との関係を
示す特性図、第10図(a)、(b)はそれぞれこの発
明と従来例の各電子管用ヒータにおける断面の粒子構造
を示す顕微鏡写真である。 1・・・ヒータ、2・・・金属線、3・・・絶縁アルミ
ナ層、4・・・ダーク層、5・・・陰極基体、7・・・
陰極スリーブ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 図 第 図 アルミナ充填率 (@ム) アルミナ充填率(aム) 第 図 アルミナ粒子c重!Oん) 笛 闇 −トーーーー 本発明 第 図 第10
す正面図、第2図はこの発明の別の一実施例に係る電子
管用ヒータを備えた含浸型陰極構体を一部切欠いて示す
斜視図、第3図はこの発明のヒータの絶縁アルミナ層に
使用するアルミナ粒子の純度と耐圧不良発生率との関係
を示す特性図、第4図は同じく平均粒径と絶縁破壊電圧
との関係を示す特性図、第5図は同じくアルミナ充填率
とクラック発生率との関係を示す特性図、第6図は同じ
くアルミナ充填率とコーティングの粉落ち発生率との関
係を示す特性図、第7図は同じくアルミナ粉子とアルミ
ナ充填率との関係を示す特性図、第8図は同じくコーテ
ィングの厚さと絶縁破壊電圧との関係を示す特性図、第
9図は同じくアルミナ充填率と絶縁破壊電圧との関係を
示す特性図、第10図(a)、(b)はそれぞれこの発
明と従来例の各電子管用ヒータにおける断面の粒子構造
を示す顕微鏡写真である。 1・・・ヒータ、2・・・金属線、3・・・絶縁アルミ
ナ層、4・・・ダーク層、5・・・陰極基体、7・・・
陰極スリーブ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 図 第 図 アルミナ充填率 (@ム) アルミナ充填率(aム) 第 図 アルミナ粒子c重!Oん) 笛 闇 −トーーーー 本発明 第 図 第10
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)ダブルヘリカルに巻回された金属線と、この金属
線に被覆された絶縁アルミナ層と、この絶縁アルミナ層
に被覆されたダーク層とを有する電子管用ヒータにおい
て、 上記絶縁アルミナ層は、アルミナ粒子が 99.8%以上の純度で平均粒径が7乃至12μmの範
囲であり、且つ上記アルミナ粒子の粒度分布が粒径15
μm以上の粒子及び粒径6μm以下の粒子をそれぞれ1
0乃至30重量%の範囲であって残部が6乃至15μm
の範囲の粒子となるように混合されてなることを特徴と
する電子管用ヒータ。 (2)陰極基体と、この陰極基体を支持する陰極スリー
ブと、この陰極スリーブ内に内装される上記請求項1の
電子管用ヒータを備えたことを特徴とする含浸型陰極構
体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9566789A JPH083976B2 (ja) | 1989-04-15 | 1989-04-15 | 電子管用ヒータ及びそれを備えた含浸型陰極構体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9566789A JPH083976B2 (ja) | 1989-04-15 | 1989-04-15 | 電子管用ヒータ及びそれを備えた含浸型陰極構体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02276128A true JPH02276128A (ja) | 1990-11-13 |
JPH083976B2 JPH083976B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=14143848
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9566789A Expired - Fee Related JPH083976B2 (ja) | 1989-04-15 | 1989-04-15 | 電子管用ヒータ及びそれを備えた含浸型陰極構体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH083976B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0930633A1 (en) * | 1998-01-20 | 1999-07-21 | Matsushita Electronics Corporation | Indirectly heated cathode and cathode-ray tube comprising the same |
US6294065B1 (en) | 1997-12-19 | 2001-09-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Methods of manufacturing heater and cathode-ray tube comprising the same |
-
1989
- 1989-04-15 JP JP9566789A patent/JPH083976B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6294065B1 (en) | 1997-12-19 | 2001-09-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Methods of manufacturing heater and cathode-ray tube comprising the same |
EP0930633A1 (en) * | 1998-01-20 | 1999-07-21 | Matsushita Electronics Corporation | Indirectly heated cathode and cathode-ray tube comprising the same |
US6242854B1 (en) | 1998-01-20 | 2001-06-05 | Matsushita Electronics Corporation | Indirectly heated cathode for a CRT having high purity alumina insulating layer with limited amounts of Na OR Si |
KR100300172B1 (ko) * | 1998-01-20 | 2001-09-26 | 모리시타 요이찌 | 방열형 음극 및 이를 이용한 음극선관 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH083976B2 (ja) | 1996-01-17 |
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