JPH02271626A - プラズマ装置 - Google Patents
プラズマ装置Info
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- JPH02271626A JPH02271626A JP9423989A JP9423989A JPH02271626A JP H02271626 A JPH02271626 A JP H02271626A JP 9423989 A JP9423989 A JP 9423989A JP 9423989 A JP9423989 A JP 9423989A JP H02271626 A JPH02271626 A JP H02271626A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば半導体集積回路製造のためのＣＶＤ
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）装置、ドライエツチング装置等のプラズマ装置に関
する。
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）装置、ドライエツチング装置等のプラズマ装置に関
する。
［従来の技術］
電子サイクロトロン共鳴（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌ
ｏｔｒｏｎＲｅｓｏｎａｎｃｅ）を利用して生成される
ＥＣＲプラズマは、低ガス圧下において高い活性度を有
すること、イオンエネルギの広い範囲が選択可能である
こと、またイオン流の指向性、均一性に優れていること
等の多くの利点があり、半導体基板上に所望の物質の薄
膜を形成せしめるためのＣＶＤ装置、半導体基板上に微
細な回路パターンを形成せしめるためのドライエツチン
グ装置等、半導体集積回路の製造装置への適用が進めら
れている。
ｏｔｒｏｎＲｅｓｏｎａｎｃｅ）を利用して生成される
ＥＣＲプラズマは、低ガス圧下において高い活性度を有
すること、イオンエネルギの広い範囲が選択可能である
こと、またイオン流の指向性、均一性に優れていること
等の多くの利点があり、半導体基板上に所望の物質の薄
膜を形成せしめるためのＣＶＤ装置、半導体基板上に微
細な回路パターンを形成せしめるためのドライエツチン
グ装置等、半導体集積回路の製造装置への適用が進めら
れている。
ＥＣＲプラズマの生成過程を簡単に説明すると真空状態
に保持されたプラズマ生成室に少量のガスを導入し、次
いで所要の強度の磁界を印加し、マイクロ波を投射する
。そうすると磁場中の電子がサイクロトロン共鳴により
マイクロ波のエネルギを吸収して加速され、前記ガスの
分子と衝突して、これをイオン化させ、プラズマ生成室
内にプラズマが生成される。
に保持されたプラズマ生成室に少量のガスを導入し、次
いで所要の強度の磁界を印加し、マイクロ波を投射する
。そうすると磁場中の電子がサイクロトロン共鳴により
マイクロ波のエネルギを吸収して加速され、前記ガスの
分子と衝突して、これをイオン化させ、プラズマ生成室
内にプラズマが生成される。
第４図はＣＶＤ装置として構成した従来のＥＣＲプラズ
マ装置を示す縦断面図であり、図中１はプラズマ生成室
を示してい企。プラズマ生成室１は上部壁中央に石英ガ
ラス板１ｂにて封止したマイクロ波導入口１ｃを、また
下部壁中央には前記マイクロ波導入口１ｃと対向する位
置にプラズマ引出窓１ｄを夫々備えており、前記マイク
ロ波導入口１ｃには他端を図示しない高周波発振器に接
続した導波管２の一端が接続され、またプラズマ引出窓
１ｄに臨ませて試料室３を配設し、更に周囲にはプラズ
マ生成室１及びこれに接続した導波管２の一端部にわた
ってこれらを囲繞する態様でこれらと同心状に励磁コイ
ル４を配設しである。
マ装置を示す縦断面図であり、図中１はプラズマ生成室
を示してい企。プラズマ生成室１は上部壁中央に石英ガ
ラス板１ｂにて封止したマイクロ波導入口１ｃを、また
下部壁中央には前記マイクロ波導入口１ｃと対向する位
置にプラズマ引出窓１ｄを夫々備えており、前記マイク
ロ波導入口１ｃには他端を図示しない高周波発振器に接
続した導波管２の一端が接続され、またプラズマ引出窓
１ｄに臨ませて試料室３を配設し、更に周囲にはプラズ
マ生成室１及びこれに接続した導波管２の一端部にわた
ってこれらを囲繞する態様でこれらと同心状に励磁コイ
ル４を配設しである。
反応室３内には前記プラズマ引出窓１ｄと対向する位置
に試料台７が配設され、その上にはウェーハ等の試料Ｓ
がそのまま、又は静電吸着等の手段にて着脱可能に載置
され、また反応室３の下部壁には図示しない排気装置に
連なる排気口３ａが設けられている。
に試料台７が配設され、その上にはウェーハ等の試料Ｓ
がそのまま、又は静電吸着等の手段にて着脱可能に載置
され、また反応室３の下部壁には図示しない排気装置に
連なる排気口３ａが設けられている。
更にプラズマ生成室１の上部壁には減圧弁１４゜インパ
ルプ１３．流量制御装置１２．アウトバルブ１１からな
る流量制御部１０に接続したガス供給管１ｇの一端が接
続され、矢符で示す流量制御部１０の入側から導入され
る０□等のプラズマ生成に与かるガスが、プラズマ生成
室１内に供給されるようになっている。同様に試料室３
はその一側壁には減圧弁３４．インバルブ３３．流量制
御装置３２．アウトバルブ３１からなる流量制御部３０
に接続したガス供給管３ｇの一端が接続され、矢符で示
す流量制御部３０の入側から導入されるＳｉＨ４等の反
応性ガスが試料室３内に供給されるようになっている。
ルプ１３．流量制御装置１２．アウトバルブ１１からな
る流量制御部１０に接続したガス供給管１ｇの一端が接
続され、矢符で示す流量制御部１０の入側から導入され
る０□等のプラズマ生成に与かるガスが、プラズマ生成
室１内に供給されるようになっている。同様に試料室３
はその一側壁には減圧弁３４．インバルブ３３．流量制
御装置３２．アウトバルブ３１からなる流量制御部３０
に接続したガス供給管３ｇの一端が接続され、矢符で示
す流量制御部３０の入側から導入されるＳｉＨ４等の反
応性ガスが試料室３内に供給されるようになっている。
また試料室３のガス供給管が配されている側と対向する
側にゲートバルブ８ｂを介してロードロツタ室８が設け
られている。ロードロック室８の下部壁には排気口８ａ
が設けられており、ロードロツタ室８の内部には試料室
３に試料を搬送する試料搬送機構８０が備えられている
。また図示しないガス導入口よりロードロック室８内に
Ｎ２等のパージガスが供給されるようになっている。
側にゲートバルブ８ｂを介してロードロツタ室８が設け
られている。ロードロック室８の下部壁には排気口８ａ
が設けられており、ロードロツタ室８の内部には試料室
３に試料を搬送する試料搬送機構８０が備えられている
。また図示しないガス導入口よりロードロック室８内に
Ｎ２等のパージガスが供給されるようになっている。
而してこのようなＣＶＤ装置にあってはプラズマ生成室
１．試料室３内を所要の真空度に設定した後、ガス供給
管１ｇ、３ｇを通じて原料ガスを供給し、プラズマ生成
室１内で上述した生成過程によりプラズマを生成させ、
生成させたプラズマを励磁コイル４にて形成される発散
磁界によってプラズマ生成室１からプラズマ引出窓１ｄ
を経てロードロック室８から試料室３内の試料台７上に
搬入された試料Ｓ周辺に導出し、試料Ｓ表面でプラズマ
流中のイオン、ラジカル粒子による表面反応を生起させ
、試料Ｓ表面に成膜が施されるようになっている。とこ
ろで、前記流量制御部１０及び３０の構成要素である流
量制御装置１２．３２には流量制御部１０及び３０の入
側から導入され、減圧弁１４．３４にて減圧されたガス
がインパルプ１３．３３を介して導入される。流量制御
装置１２．３２は導入されたガスを図示しない流量制御
信号発生回路から与えられる所要流量に対応する流量制
御信号に従って変化させ、第３図に示す如く瞬時にして
所要流量のガスをアウトパルプＩＬ３１を介してプラズ
マ生成室１及び試料室３等の反応容器内に供給する。
１．試料室３内を所要の真空度に設定した後、ガス供給
管１ｇ、３ｇを通じて原料ガスを供給し、プラズマ生成
室１内で上述した生成過程によりプラズマを生成させ、
生成させたプラズマを励磁コイル４にて形成される発散
磁界によってプラズマ生成室１からプラズマ引出窓１ｄ
を経てロードロック室８から試料室３内の試料台７上に
搬入された試料Ｓ周辺に導出し、試料Ｓ表面でプラズマ
流中のイオン、ラジカル粒子による表面反応を生起させ
、試料Ｓ表面に成膜が施されるようになっている。とこ
ろで、前記流量制御部１０及び３０の構成要素である流
量制御装置１２．３２には流量制御部１０及び３０の入
側から導入され、減圧弁１４．３４にて減圧されたガス
がインパルプ１３．３３を介して導入される。流量制御
装置１２．３２は導入されたガスを図示しない流量制御
信号発生回路から与えられる所要流量に対応する流量制
御信号に従って変化させ、第３図に示す如く瞬時にして
所要流量のガスをアウトパルプＩＬ３１を介してプラズ
マ生成室１及び試料室３等の反応容器内に供給する。
第３図は従来装置によるガス流量の変化を示すグラフで
ある。図中縦軸にはガス流量（ｓｃｃｍ） 、横軸には
供給時間（秒）がとられており、ガス供給開始後２抄程
度の瞬時にして１０１００５ｅに達し、そのままの流量
で６０秒間ガスを供給した後、供給が停止される。
ある。図中縦軸にはガス流量（ｓｃｃｍ） 、横軸には
供給時間（秒）がとられており、ガス供給開始後２抄程
度の瞬時にして１０１００５ｅに達し、そのままの流量
で６０秒間ガスを供給した後、供給が停止される。
そして所要量のガスを供給し終えると、インパルプ１３
．３３を閉じ、流量制御装置１２．３２の流量が低下し
た後、即ちインパルプ１３．３３と流量制御装置１２．
３２との間のガスが無くなった後、流量制御装置１２．
３２による制御を停止し、アウトバルブ１１゜３１を閉
じ、流量制御部１０．３０内にガスが残らないようにし
てガスの供給を停止する。
．３３を閉じ、流量制御装置１２．３２の流量が低下し
た後、即ちインパルプ１３．３３と流量制御装置１２．
３２との間のガスが無くなった後、流量制御装置１２．
３２による制御を停止し、アウトバルブ１１゜３１を閉
じ、流量制御部１０．３０内にガスが残らないようにし
てガスの供給を停止する。
供給を停止する際に上述の如く回路内のガスを抜くのは
、次にガス供給を開始する時、新たに供給されるガスと
共に流量制御部１０．３０内の残留ガスが反応容器内に
導入され、そのガス圧力により反応容器内に付着してい
るパーティクル（ＳｉＯｚ等の反応生成物）が巻き上げ
られ、試料Ｓが汚染されることを防止するためである。
、次にガス供給を開始する時、新たに供給されるガスと
共に流量制御部１０．３０内の残留ガスが反応容器内に
導入され、そのガス圧力により反応容器内に付着してい
るパーティクル（ＳｉＯｚ等の反応生成物）が巻き上げ
られ、試料Ｓが汚染されることを防止するためである。
ところが、従来の流量制御装置１２．３２が前記流量制
御指令を受けとり、受けとった指令に従って、導入され
たガスを所要流量に変化させるのに要する時間はわずか
２秒程度であるため、反応容器内には導入されるガスに
よる急激な圧力変動が生じる。殊にＥＣＲプラズマＣｖ
Ｄ装置の反応容器内はガス導入前で１０− ’Ｔｏｒｒ
Ｏ高真空度に設定されているので、この反応容器内に導
入されるガス分子は分子流としてふるまうため、平均自
由工程が長くなり、極めて高速で反応容器内に噴出し、
パーティクルを巻き上げる原因となる。このため、上述
の如くガス抜きを行って残留ガスによるパーティクルの
巻き上げを防■ヒしても、前記圧力変動によりパーティ
クルの巻き上げが生じ、試料Ｓが汚染される。
御指令を受けとり、受けとった指令に従って、導入され
たガスを所要流量に変化させるのに要する時間はわずか
２秒程度であるため、反応容器内には導入されるガスに
よる急激な圧力変動が生じる。殊にＥＣＲプラズマＣｖ
Ｄ装置の反応容器内はガス導入前で１０− ’Ｔｏｒｒ
Ｏ高真空度に設定されているので、この反応容器内に導
入されるガス分子は分子流としてふるまうため、平均自
由工程が長くなり、極めて高速で反応容器内に噴出し、
パーティクルを巻き上げる原因となる。このため、上述
の如くガス抜きを行って残留ガスによるパーティクルの
巻き上げを防■ヒしても、前記圧力変動によりパーティ
クルの巻き上げが生じ、試料Ｓが汚染される。
ＣＶＤ装置においては操業に伴い、プラズマ生成室１の
内壁、試料台７上の試料Ｓの周辺部にパーティクルが付
着することは避けられない。このパーティクルが前記圧
力変動により巻き上げられ、試料Ｓ上に付着した場合、
例えば試料基板上の配線間の絶縁不良の原因となる等成
品の歩留り及び品質に悪影響を及ぼす。そこで、反応容
器内のクリーニングを頻繁に行い、前述のような箇所に
付着するパーティクルを常に除去しておく必要がある。
内壁、試料台７上の試料Ｓの周辺部にパーティクルが付
着することは避けられない。このパーティクルが前記圧
力変動により巻き上げられ、試料Ｓ上に付着した場合、
例えば試料基板上の配線間の絶縁不良の原因となる等成
品の歩留り及び品質に悪影響を及ぼす。そこで、反応容
器内のクリーニングを頻繁に行い、前述のような箇所に
付着するパーティクルを常に除去しておく必要がある。
しかしながらクリーニングを行う場合、反応容器内を大
気開放させるため、大気中の水分が容器内に付着し、反
応容器内の真空性能を回復させるのに長時間かかるので
装置を効率良く使用することができない。またクリーニ
ングに要するコストが高くつく。
気開放させるため、大気中の水分が容器内に付着し、反
応容器内の真空性能を回復させるのに長時間かかるので
装置を効率良く使用することができない。またクリーニ
ングに要するコストが高くつく。
本発明は斯かる事情に鑑みなされたものであり、その目
的とするところはガス供給時に反応容器内に急激な圧力
変動が生じることを防止することにより、パーティクル
の巻き上げによる試料の汚染を減少させ、成品の歩留り
及び品質の向上を図り、これにより反応容器内をパーテ
ィクル除去のためにクリーニングする頻度が少なくてす
み、反応容器の使用効率が良く、クリーニングに要する
コストを節約できるプラズマ装置を提供するにある。
的とするところはガス供給時に反応容器内に急激な圧力
変動が生じることを防止することにより、パーティクル
の巻き上げによる試料の汚染を減少させ、成品の歩留り
及び品質の向上を図り、これにより反応容器内をパーテ
ィクル除去のためにクリーニングする頻度が少なくてす
み、反応容器の使用効率が良く、クリーニングに要する
コストを節約できるプラズマ装置を提供するにある。
本発明に係るプラズマ装置は、反応容器へのガス供給路
に流量制御装置を有するプラズマ装置において、供給す
るガスの流量を経時的に増加させる制御信号を、前記流
量制御装置へ与える回路を設けたことを特徴とする。
に流量制御装置を有するプラズマ装置において、供給す
るガスの流量を経時的に増加させる制御信号を、前記流
量制御装置へ与える回路を設けたことを特徴とする。
本発明に係るプラズマ装置にあっては、ガス供給開始後
経時的に流量を増加させてガスを供給することができる
。これにより反応容器内の急激な圧力変動が防止され、
パーティクルの巻き上げによる試料の汚染が減少する。
経時的に流量を増加させてガスを供給することができる
。これにより反応容器内の急激な圧力変動が防止され、
パーティクルの巻き上げによる試料の汚染が減少する。
〔実施例］
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説
明する。
明する。
第１図は本発明に係るプラズマ装置を示す縦断面図であ
り、図中１はプラズマ生成室を示している。プラズマ生
成室ｌは上部壁中央に石英ガラス板１ｂにて封止したマ
イクロ波導入口１ｃを、また上部壁中央には前記マイク
ロ波導入口１ｃと対向する位置にプラズマ引出窓１ｄを
夫々備えており、前記マイクロ波導入口１ｃには他端を
図示しない高周波発振器に接続した導波管２の一端が接
続され、またプラズマ引出窓１ｄに臨ませて試料室３と
配設し、更に周囲にはプラズマ生成室１及びこれに接続
した導波管２の一端部にわたってこれらを囲繞する態様
でこれらと同心状に励磁コイル４を配設しである。
り、図中１はプラズマ生成室を示している。プラズマ生
成室ｌは上部壁中央に石英ガラス板１ｂにて封止したマ
イクロ波導入口１ｃを、また上部壁中央には前記マイク
ロ波導入口１ｃと対向する位置にプラズマ引出窓１ｄを
夫々備えており、前記マイクロ波導入口１ｃには他端を
図示しない高周波発振器に接続した導波管２の一端が接
続され、またプラズマ引出窓１ｄに臨ませて試料室３と
配設し、更に周囲にはプラズマ生成室１及びこれに接続
した導波管２の一端部にわたってこれらを囲繞する態様
でこれらと同心状に励磁コイル４を配設しである。
反応室３内には前記プラズマ引出窓１ｄと対向する位置
に試料台７が配設され、その上にはウェーハ等の試料Ｓ
がそのまま、又は静電吸着等の手段にて着脱可能に載置
され、また反応室３の下部壁には図示しない排気装置に
連なる排気口３ａが設けられている。
に試料台７が配設され、その上にはウェーハ等の試料Ｓ
がそのまま、又は静電吸着等の手段にて着脱可能に載置
され、また反応室３の下部壁には図示しない排気装置に
連なる排気口３ａが設けられている。
更にプラズマ生成室１の上部壁には減圧弁１４゜インバ
ルブ１３．流量制御装置１２．アウトバルブ１１からな
る流量制御部１０に接続したガス供給管１ｇの一端が接
続され、矢符で示す流量制御部１０の入側から導入され
る０□等のプラズマ生成に与かるガスが、プラズマ生成
室１内に供給されるようになっている。同様に試料室３
はその一側壁には減圧弁３４．インバルブ３３．流量制
御装置３２．アウトバルブ３１からなる流量制御部３０
に接続したガス供給管３ｇの一端が接続され、矢符で示
す流量制御部３０の入側から導入される５ｉＨａ等の反
応性ガスが試料室３内に供給されるようになっている。
ルブ１３．流量制御装置１２．アウトバルブ１１からな
る流量制御部１０に接続したガス供給管１ｇの一端が接
続され、矢符で示す流量制御部１０の入側から導入され
る０□等のプラズマ生成に与かるガスが、プラズマ生成
室１内に供給されるようになっている。同様に試料室３
はその一側壁には減圧弁３４．インバルブ３３．流量制
御装置３２．アウトバルブ３１からなる流量制御部３０
に接続したガス供給管３ｇの一端が接続され、矢符で示
す流量制御部３０の入側から導入される５ｉＨａ等の反
応性ガスが試料室３内に供給されるようになっている。
前記流量制御部１０及び３０の構成要素である流量制御
装置１２．３２には、流量制御部ｌＯ及び３０の入側か
ら導入され、減圧弁１４．３４にて減圧されたガスがイ
ンバルブ１３．３３を介して導入される。流量制御装置
１２．３２には演算器１２ｂ、 ３２ｂからＤ／Ａ （
デジタル−アナログ）変換器１２ａ 、 ３２ａを介し
て所要の流量に対応する設定制御信号が入力される。設
定制御信号は流量を時間の経過に対応させて増加させ、
所定時間経過後所要流量に達した後は、そのままの流量
でガスを供給させるように定められたアナログ信号であ
る。演算器１２ｂ、３２ｂは上述のように定められた流
量を経時的に数値化し、Ｄ／Ａ変換器１２ａ、３２ａが
それをアナログ信号化する。流量制御装置１２．３２は
この設定制御信号に従って、以下に示す第２図の如く流
量を増加させ、アウトバルブ１１．３１を開けてプラズ
マ生成室１及び試料室３等の反応容器内へガスを供給す
る。
装置１２．３２には、流量制御部ｌＯ及び３０の入側か
ら導入され、減圧弁１４．３４にて減圧されたガスがイ
ンバルブ１３．３３を介して導入される。流量制御装置
１２．３２には演算器１２ｂ、 ３２ｂからＤ／Ａ （
デジタル−アナログ）変換器１２ａ 、 ３２ａを介し
て所要の流量に対応する設定制御信号が入力される。設
定制御信号は流量を時間の経過に対応させて増加させ、
所定時間経過後所要流量に達した後は、そのままの流量
でガスを供給させるように定められたアナログ信号であ
る。演算器１２ｂ、３２ｂは上述のように定められた流
量を経時的に数値化し、Ｄ／Ａ変換器１２ａ、３２ａが
それをアナログ信号化する。流量制御装置１２．３２は
この設定制御信号に従って、以下に示す第２図の如く流
量を増加させ、アウトバルブ１１．３１を開けてプラズ
マ生成室１及び試料室３等の反応容器内へガスを供給す
る。
第２図は本発明装置によるガス流量の変化を示すグラフ
である。図中縦軸にはガス流’ｉ（ｓｃｃｍ）、横軸に
は供給時間（秒）がとられており、ガス供給開始後４０
秒間は経過時間に比例させて流量が増加され、４０秒経
過した時点で流量は１０１００５ｅに達し、そのままの
流量で更に４０秒間ガスを供給した後、供給が停止され
る。
である。図中縦軸にはガス流’ｉ（ｓｃｃｍ）、横軸に
は供給時間（秒）がとられており、ガス供給開始後４０
秒間は経過時間に比例させて流量が増加され、４０秒経
過した時点で流量は１０１００５ｅに達し、そのままの
流量で更に４０秒間ガスを供給した後、供給が停止され
る。
また、従来の流量制御信号発生回路と流量制御装置１２
．３２との間に、所要流量に対応する前記流量制御信号
を経時的に増加させる変換器を設けても上記同様にガス
を供給することができる。
．３２との間に、所要流量に対応する前記流量制御信号
を経時的に増加させる変換器を設けても上記同様にガス
を供給することができる。
更に試料室３のガス供給管が配されている側と対向する
側にゲートバルブ８ｂを介してロードロック室８が設け
られている。ロードロツタ室８の下部壁には排気口８ａ
が設けられており、ロードロック室８の内部には試料室
３に試料を搬送する試料搬送機構８０が備えられている
。また図示しないガス導入口よりロードロツタ室８内に
Ｎ２等のパージガスが供給されるようになっている。
側にゲートバルブ８ｂを介してロードロック室８が設け
られている。ロードロツタ室８の下部壁には排気口８ａ
が設けられており、ロードロック室８の内部には試料室
３に試料を搬送する試料搬送機構８０が備えられている
。また図示しないガス導入口よりロードロツタ室８内に
Ｎ２等のパージガスが供給されるようになっている。
而してこのようなＣＶＤ装置にあってはプラズマ生成室
１．試料室３内を所要の真空度に設定した後、ガス供給
管１ｇ、３ｇを通じて原料ガスを供給し、プラズマ生成
室１内で上述した生成過程によりプラズマを生成させ、
生成させたプラズマを励磁コイル４にて形成される発散
磁界によってプラズマ生成室１からプラズマ引出窓１ｄ
を経てロードロック室８から試料室３内の試料台７上に
搬入された試料Ｓ周辺に導出し、試料Ｓ表面でプラズマ
流中のイオン、ラジカル粒子による表面反応を生起させ
、試料Ｓ表面に成膜が施されるようになっている。
１．試料室３内を所要の真空度に設定した後、ガス供給
管１ｇ、３ｇを通じて原料ガスを供給し、プラズマ生成
室１内で上述した生成過程によりプラズマを生成させ、
生成させたプラズマを励磁コイル４にて形成される発散
磁界によってプラズマ生成室１からプラズマ引出窓１ｄ
を経てロードロック室８から試料室３内の試料台７上に
搬入された試料Ｓ周辺に導出し、試料Ｓ表面でプラズマ
流中のイオン、ラジカル粒子による表面反応を生起させ
、試料Ｓ表面に成膜が施されるようになっている。
次に本発明装置及び従来装置においてガス供給を行い、
試料Ｓ上に付着するパーティクルの個数を比較した実験
結果を以下に示す。なお、本実施例における実験に用い
た装置はすべて実験前に反応容器内をクリーニングしで
ある。
試料Ｓ上に付着するパーティクルの個数を比較した実験
結果を以下に示す。なお、本実施例における実験に用い
た装置はすべて実験前に反応容器内をクリーニングしで
ある。
まず、予備実験として、Ｉ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒ真空
度に設定された試料室３内にロードロック室８から試料
Ｓを搬送し、ガス供給を行わないで所定時間放置した後
、試料Ｓをロードロツタ室８内に回収してＮ２パージし
、試料Ｓ上の０．３μｍ以上のパーティクルの個数を調
べたところ、ガスを供給しない場合でも平均２０個のパ
ーティクルが試料Ｓ上に付着することがわかった。
度に設定された試料室３内にロードロック室８から試料
Ｓを搬送し、ガス供給を行わないで所定時間放置した後
、試料Ｓをロードロツタ室８内に回収してＮ２パージし
、試料Ｓ上の０．３μｍ以上のパーティクルの個数を調
べたところ、ガスを供給しない場合でも平均２０個のパ
ーティクルが試料Ｓ上に付着することがわかった。
次に上記同様の試料室３内にロードロツタ室８から試料
Ｓを搬入した後、第４図の従来装置においては流量制御
装置１２．３２にて第３図に示した如くガス流量を制御
し、第１図の１本発明装置においては流量制御装置１２
，３２ 、Ｄ／Ａ変換器１２ａ、３２ａ、演算器１２ｂ
、 ３２ｂにて第２図に示した如くガス流量を制御し、
夫々の反応容器内に総流１６０００ｃｃのＮ２ガスを供
給する。
Ｓを搬入した後、第４図の従来装置においては流量制御
装置１２．３２にて第３図に示した如くガス流量を制御
し、第１図の１本発明装置においては流量制御装置１２
，３２ 、Ｄ／Ａ変換器１２ａ、３２ａ、演算器１２ｂ
、 ３２ｂにて第２図に示した如くガス流量を制御し、
夫々の反応容器内に総流１６０００ｃｃのＮ２ガスを供
給する。
ガス供給後、試料Ｓをロードロツタ室８内に回収してＮ
２パージし、試料Ｓ上の０．３μｍ以上のパーティクル
の個数を調べたところ、従来装置を用いたものは約２２
０個、本発明装置を用いたものは約８０個のパーティク
ルが試料Ｓ上に付着していた。
２パージし、試料Ｓ上の０．３μｍ以上のパーティクル
の個数を調べたところ、従来装置を用いたものは約２２
０個、本発明装置を用いたものは約８０個のパーティク
ルが試料Ｓ上に付着していた。
予備実験に示した如く、ガスを供給しなくとも平均２０
個のパーティクルが試料Ｓ上に付着するので、この個数
を上述のパーティクル個数から差し引くと、本発明装置
のガス供給方法により試料Ｓ上に付着するパーティクル
数は６０個であり、従来装置のガス供給方法により付着
するパーティクルの個数２００と比べて７０％も付着個
数が減じた。
個のパーティクルが試料Ｓ上に付着するので、この個数
を上述のパーティクル個数から差し引くと、本発明装置
のガス供給方法により試料Ｓ上に付着するパーティクル
数は６０個であり、従来装置のガス供給方法により付着
するパーティクルの個数２００と比べて７０％も付着個
数が減じた。
なお、本実施例において、本発明装置のガス流量は経過
時間に対して直線的に増加するように制御されたが、制
御の方法はこれに限るものではなく、例えば経過時間に
対して曲線的または微小な段階的に増加するように制御
してもよい。また流量を経時的に増加させる時間の割合
も上述のものに限らず条件に応じて変化させることがで
きるのはいうまでもない。
時間に対して直線的に増加するように制御されたが、制
御の方法はこれに限るものではなく、例えば経過時間に
対して曲線的または微小な段階的に増加するように制御
してもよい。また流量を経時的に増加させる時間の割合
も上述のものに限らず条件に応じて変化させることがで
きるのはいうまでもない。
以上詳述した如く本発明装置においては、ガス供給開始
後所定時間内は経時的に流量を増加させてガスを供給す
ることができるので、ガス供給時に反応容器内に急激な
圧力変動が生じることが防止され、これによりパーティ
クルの巻き上げによる試料の汚染が減少し、成品の歩留
り及び品質の向上が図られる。また反応容器内をパーテ
ィクル除去のために頻繁にクリーニングする必要がなく
なり、反応容器を効率良く使用でき、クリーニングに要
するコストも節約できるという優れた効果を奏する。
後所定時間内は経時的に流量を増加させてガスを供給す
ることができるので、ガス供給時に反応容器内に急激な
圧力変動が生じることが防止され、これによりパーティ
クルの巻き上げによる試料の汚染が減少し、成品の歩留
り及び品質の向上が図られる。また反応容器内をパーテ
ィクル除去のために頻繁にクリーニングする必要がなく
なり、反応容器を効率良く使用でき、クリーニングに要
するコストも節約できるという優れた効果を奏する。
第１図は本発明のプラズマ装置を示す模式的縦断面図、
第２図は本発明装置によるガス流量の変化を示したグラ
フ、第３図は本発明の実施例の比較例として示した従来
装置によるガス流量の変化を示したグラフ、第４図は従
来のプラズマ装置を示す模式的縦断面図である。
第２図は本発明装置によるガス流量の変化を示したグラ
フ、第３図は本発明の実施例の比較例として示した従来
装置によるガス流量の変化を示したグラフ、第４図は従
来のプラズマ装置を示す模式的縦断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、反応容器へのガス供給路に流量制御装置を有するプ
ラズマ装置において、 供給するガスの流量を経時的に増加させる 制御信号を、前記流量制御装置へ与える回路を設けたこ
とを特徴とするプラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9423989A JPH02271626A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9423989A JPH02271626A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | プラズマ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02271626A true JPH02271626A (ja) | 1990-11-06 |
Family
ID=14104756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9423989A Pending JPH02271626A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02271626A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05112881A (ja) * | 1991-05-15 | 1993-05-07 | Hitachi Ltd | イオンミリング装置のガス導入系 |
| US5792272A (en) * | 1995-07-10 | 1998-08-11 | Watkins-Johnson Company | Plasma enhanced chemical processing reactor and method |
-
1989
- 1989-04-13 JP JP9423989A patent/JPH02271626A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05112881A (ja) * | 1991-05-15 | 1993-05-07 | Hitachi Ltd | イオンミリング装置のガス導入系 |
| US5792272A (en) * | 1995-07-10 | 1998-08-11 | Watkins-Johnson Company | Plasma enhanced chemical processing reactor and method |
| US6001267A (en) * | 1995-07-10 | 1999-12-14 | Watkins-Johnson Company | Plasma enchanced chemical method |
| US6178918B1 (en) | 1995-07-10 | 2001-01-30 | Applied Materials, Inc. | Plasma enhanced chemical processing reactor |
| US6375750B1 (en) | 1995-07-10 | 2002-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma enhanced chemical processing reactor and method |
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