JPH02271223A - 色識別装置 - Google Patents
色識別装置Info
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- JPH02271223A JPH02271223A JP9270189A JP9270189A JPH02271223A JP H02271223 A JPH02271223 A JP H02271223A JP 9270189 A JP9270189 A JP 9270189A JP 9270189 A JP9270189 A JP 9270189A JP H02271223 A JPH02271223 A JP H02271223A
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Landscapes
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、カラーの判別に使用する色識別装置。
に係わり1特に生産ライ/などにおいて色情報を用いて
製品の良品、不良品を区別けするシステムなどに適用さ
れる色識別装置に関するものである。
製品の良品、不良品を区別けするシステムなどに適用さ
れる色識別装置に関するものである。
5 従来より簡易形色判別の手法として赤、aお↓
タ び青の3つの色フィルタと、3つのフォトダイオ
こ −ドとを組み合わせ、それらのフォトダイオード
こ の出力を処理することでカラーの判別を行なう方
b 法が用いられている。このようなカラーの判別舖
Cは、通常、L&b 表色系における色空間の中の色差
ΔEが使われているが、単に生産ラインにお11
いて色情報を用いて製品を区別けするシステムなカ
どにおいては、必らずしも上記従来のような表色き
法に基づいて色を判別する手法を用いる必要はなフJ
い。
タ び青の3つの色フィルタと、3つのフォトダイオ
こ −ドとを組み合わせ、それらのフォトダイオード
こ の出力を処理することでカラーの判別を行なう方
b 法が用いられている。このようなカラーの判別舖
Cは、通常、L&b 表色系における色空間の中の色差
ΔEが使われているが、単に生産ラインにお11
いて色情報を用いて製品を区別けするシステムなカ
どにおいては、必らずしも上記従来のような表色き
法に基づいて色を判別する手法を用いる必要はなフJ
い。
);L 第5図および第6図は従来の色識別センサ
の構成を示したものである。これらの図において、11
は赤色フィルタ、12は緑色フィルタ、13は肯色フイ
ルメ、14は赤色フィルタ11に対応するべ 7オト
ダイオード、15は緑色フィルタ12に対応するフォト
ダイオード、16は青色フィルタ13に対応するフォト
ダイオード、17は赤外カットフィルタである。これら
のフォトダイオード14〜16の出力を光電流−電圧変
換(r−v変換)し、それによって44Jられる電圧出
力をそれぞれX。
の構成を示したものである。これらの図において、11
は赤色フィルタ、12は緑色フィルタ、13は肯色フイ
ルメ、14は赤色フィルタ11に対応するべ 7オト
ダイオード、15は緑色フィルタ12に対応するフォト
ダイオード、16は青色フィルタ13に対応するフォト
ダイオード、17は赤外カットフィルタである。これら
のフォトダイオード14〜16の出力を光電流−電圧変
換(r−v変換)し、それによって44Jられる電圧出
力をそれぞれX。
Y、zとすると、
X ・・・・(1)
で表わされるx+ y+ Zにより、11色度座標によ
る各色の表現を行なうことができる。この表示系を実際
の13〜20色程度の仕分けがを求されるような生産ラ
インに適用した良好な色判別が可能となる。
る各色の表現を行なうことができる。この表示系を実際
の13〜20色程度の仕分けがを求されるような生産ラ
インに適用した良好な色判別が可能となる。
〔発明が解決しようとする1藝顧)
一方、色による仕分は以外の用途として色による良品、
不良品判別など品質管理を目的としたものも多い。生産
ラインにおける色による製品の品質管理において、色識
別装置が識別すべき色は、xy色度座標上で見て極めて
限定された領域のみとなる特長がある。例えば、ビスケ
ットの焼き上がり度合を監視する目的の色識別装置には
茶、黄系の色を高精度に識別することが求められるが、
緑系、青系、紫系、赤紫系の色識別能力などは不要であ
る。このことは、上記(11、(2+ 、 (31式で
表わされるX7色度座標系による色識別法は金色領域の
識別においては有効であるが、品5に管理用の色識別装
置としては無駄が多い。例えば色識別センサの波長感度
ピークが610nm、 560nm、 520nmであ
って、この色識別センサから得られる出力をx、y、z
とすると、例えば測定対象が青色と緑色との場合の出力
の比較をすると、第7図の分光反射率からすると、62
0nm近傍の反射率は青色と緑色とでほとんど差がなく
、このことは、青色と緑色とを職別する場合、出力Y、
Zの2つの情報で判定しても出力x、y、zの3つの情
報で判定する程度の判定精度が得られることを示してい
る。
不良品判別など品質管理を目的としたものも多い。生産
ラインにおける色による製品の品質管理において、色識
別装置が識別すべき色は、xy色度座標上で見て極めて
限定された領域のみとなる特長がある。例えば、ビスケ
ットの焼き上がり度合を監視する目的の色識別装置には
茶、黄系の色を高精度に識別することが求められるが、
緑系、青系、紫系、赤紫系の色識別能力などは不要であ
る。このことは、上記(11、(2+ 、 (31式で
表わされるX7色度座標系による色識別法は金色領域の
識別においては有効であるが、品5に管理用の色識別装
置としては無駄が多い。例えば色識別センサの波長感度
ピークが610nm、 560nm、 520nmであ
って、この色識別センサから得られる出力をx、y、z
とすると、例えば測定対象が青色と緑色との場合の出力
の比較をすると、第7図の分光反射率からすると、62
0nm近傍の反射率は青色と緑色とでほとんど差がなく
、このことは、青色と緑色とを職別する場合、出力Y、
Zの2つの情報で判定しても出力x、y、zの3つの情
報で判定する程度の判定精度が得られることを示してい
る。
また、黄色と橙色との判定においては、440nm近傍
の反射率にほとんど差がないので、黄色と橙色との識別
には出力X、Yの2つの情報でX 、 Y。
の反射率にほとんど差がないので、黄色と橙色との識別
には出力X、Yの2つの情報でX 、 Y。
203つの情報なみの精度が得られることになる。
以上説明し′fc、ように測定対象に対応して高感度と
なる波長ピークを設定できるようにすれば、近接する色
の識別においては2つの出力で充分高精度な色識別が可
能と々る。
なる波長ピークを設定できるようにすれば、近接する色
の識別においては2つの出力で充分高精度な色識別が可
能と々る。
したがって本発明は、前述した従来の問題に鑑みてなさ
れたものであり、その目的は、特定の色領域の色判別に
適し、極めて簡単な構成で実現可能とした色識別装置を
従供することにある。
れたものであり、その目的は、特定の色領域の色判別に
適し、極めて簡単な構成で実現可能とした色識別装置を
従供することにある。
本発明の色識別装置は、赤ないし近赤外領域に分光感度
ピークを有する受光素子と、バイアス電圧により光波長
感度が変化するタンデム((’I受光素子と、測定対象
物の色に応じてバイアス電圧を上記タンデム型受光素子
に与えるバイアス回路と、上記2つの受光素子から得ら
れる2つの出力a1.a2の少なくとも一方に測定対象
物に応じた設定値’/、1/(一方の場合はnlまたは
n2”固定値)n ln ! を乗する可変常数乗算器と、これらの乗算器の出 18
m 力 /、/ を入力しその差に比例した出力部n 1
1s 号を出力する差動増幅器と、この差動増幅器の出力信号
の大きさに応じて動作する出力部と、そのディスプレイ
表示部とを有して構成される。
ピークを有する受光素子と、バイアス電圧により光波長
感度が変化するタンデム((’I受光素子と、測定対象
物の色に応じてバイアス電圧を上記タンデム型受光素子
に与えるバイアス回路と、上記2つの受光素子から得ら
れる2つの出力a1.a2の少なくとも一方に測定対象
物に応じた設定値’/、1/(一方の場合はnlまたは
n2”固定値)n ln ! を乗する可変常数乗算器と、これらの乗算器の出 18
m 力 /、/ を入力しその差に比例した出力部n 1
1s 号を出力する差動増幅器と、この差動増幅器の出力信号
の大きさに応じて動作する出力部と、そのディスプレイ
表示部とを有して構成される。
本発明においては、色を識別する測定対象物からの光が
赤ないし近赤外領域に感度ピークを有する受光素子とタ
ンデム型受光素子とに入力さrL。
赤ないし近赤外領域に感度ピークを有する受光素子とタ
ンデム型受光素子とに入力さrL。
この2つの受光素子からの出力の比が測定%J象物の良
品、不良品の判定を行なう情報とする。この場合、良品
、不良品の間で2つの受光素子からの出力の比が最も大
きく変化するようにタンデム型受光素子に与えるバイア
ス電圧を設定する。
品、不良品の判定を行なう情報とする。この場合、良品
、不良品の間で2つの受光素子からの出力の比が最も大
きく変化するようにタンデム型受光素子に与えるバイア
ス電圧を設定する。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図(a) 、 (b) 、 (C)は本発明による
色識別装置と測定対象との位置関係を示したものである
。同図において、100は測定対象としての物体、10
1は照明用ランプ、102は色識別センサ、103は電
子回路、104はレンズ系、105はハーフミラ−であ
り、同図(a)は照明用ランプ101が色識別センサ1
02 、 ’d(子回路103お工びレンズ系104に
対して外部に設置した例、同図(b)は内部に設置し投
受光の光軸が一致し比例、同図(C)は内部に設置し投
受光の光軸が不一致となる例をそれぞれ示している。
色識別装置と測定対象との位置関係を示したものである
。同図において、100は測定対象としての物体、10
1は照明用ランプ、102は色識別センサ、103は電
子回路、104はレンズ系、105はハーフミラ−であ
り、同図(a)は照明用ランプ101が色識別センサ1
02 、 ’d(子回路103お工びレンズ系104に
対して外部に設置した例、同図(b)は内部に設置し投
受光の光軸が一致し比例、同図(C)は内部に設置し投
受光の光軸が不一致となる例をそれぞれ示している。
このような構成において、照明用ランプ101から放射
された光は物体100の表面で反射し、レンズ系104
を通して色識別センサ102に入射する。
された光は物体100の表面で反射し、レンズ系104
を通して色識別センサ102に入射する。
そしてこの入射光に応じた出力を電子回路103より処
理して出力する。
理して出力する。
第2図は第1図の色識別センサ102おLひ76子回路
103の構成を示すブロック図である。同図において、
前述した色識別センサ102は、色彩を測定すべき物体
100からの反射光もしくは透過光(以下、即に被6+
11定光と称する)の短波長成分を吸収する第1のPI
Nwl造のアモルファスシリコン光電センサと長波長成
分を吸収する第2のPIN構造のアモルファスシリコン
光電センサとからなるタンデム型受光素子1と、赤ない
し近赤外領域に分光感度を有する受光素子2とを有して
構成されており、電子回路103は、り/デム型受光素
子1の光電流電圧変換器3と、タンデム型受光素子1に
可変バイアス電圧を供給するバイアス電圧発生回路4と
、受光素子2の光電流電圧変換器5と、光電流電圧変換
器3の出力a1に物体100に応じた設定値1/n1を
乗する可変常数乗算器6と、光電流電圧変換器5の出力
a、に物体100に応じた設乗算器6,7から出力され
た各出力’17.”fl/”l’ ”2 の差の大きさに比例した出力信号を出力する差動増幅器
(以下差動アンプと称する)8と、この差動アンプ8の
出力の大きさに応じて動作する出力回路9と、この出力
回路9の出力をディスプレイ表示する表示回路10とを
有して構成される。
103の構成を示すブロック図である。同図において、
前述した色識別センサ102は、色彩を測定すべき物体
100からの反射光もしくは透過光(以下、即に被6+
11定光と称する)の短波長成分を吸収する第1のPI
Nwl造のアモルファスシリコン光電センサと長波長成
分を吸収する第2のPIN構造のアモルファスシリコン
光電センサとからなるタンデム型受光素子1と、赤ない
し近赤外領域に分光感度を有する受光素子2とを有して
構成されており、電子回路103は、り/デム型受光素
子1の光電流電圧変換器3と、タンデム型受光素子1に
可変バイアス電圧を供給するバイアス電圧発生回路4と
、受光素子2の光電流電圧変換器5と、光電流電圧変換
器3の出力a1に物体100に応じた設定値1/n1を
乗する可変常数乗算器6と、光電流電圧変換器5の出力
a、に物体100に応じた設乗算器6,7から出力され
た各出力’17.”fl/”l’ ”2 の差の大きさに比例した出力信号を出力する差動増幅器
(以下差動アンプと称する)8と、この差動アンプ8の
出力の大きさに応じて動作する出力回路9と、この出力
回路9の出力をディスプレイ表示する表示回路10とを
有して構成される。
第3図は上述したタンデム型受光素子1のバイアス印加
電圧の変化に伴なう分光感度特性を示したものでらシ、
逆バイアス電圧V、がOvのとき(特性A)は約560
nm付近にピーク値を有する視感度に近い感度スペクト
ルを示し、また逆バイアス電圧VBを一3vに設定する
と、長波長側の分光感度は約600nm付近にピークを
有する感度スペクトルまで増大する(特性B)。さらに
逆バイアス電圧VBを一6vまで増加させると、逆バイ
アス電圧−3■の場合の600nm付近のピークに加え
、480nm付近の短波長側のピークが表われてくる(
特性C)。すなわち前段のPIN構造と後段のPINI
造との分光48度の重なりに相当する分光感度特性とな
る。
電圧の変化に伴なう分光感度特性を示したものでらシ、
逆バイアス電圧V、がOvのとき(特性A)は約560
nm付近にピーク値を有する視感度に近い感度スペクト
ルを示し、また逆バイアス電圧VBを一3vに設定する
と、長波長側の分光感度は約600nm付近にピークを
有する感度スペクトルまで増大する(特性B)。さらに
逆バイアス電圧VBを一6vまで増加させると、逆バイ
アス電圧−3■の場合の600nm付近のピークに加え
、480nm付近の短波長側のピークが表われてくる(
特性C)。すなわち前段のPIN構造と後段のPINI
造との分光48度の重なりに相当する分光感度特性とな
る。
第4図は第2図で説明したブロック図の具体的な回路図
を示したものである。同図において、PDIはM2図の
タンデム型受光素子1、Pr)2は同様に赤ないし近赤
外領域に分光感度をイ】する受光素子2である。また、
演算増幅器(以下オペアンプと称する)OPl、抵抗R
1およびコンデンサC1は光電流電圧費換″a3を構成
し、オペアンプOP2゜抵抗R2およびコンデンサC2
は光電流電圧変換器5を構成している。さらに抵抗R4
0、[抗R41,抵抗R42およびスイッチSWはバイ
アス電圧発生回路4を構成している。また、抵抗R3゜
抵抗R4および可変抵抗器VR1は第2図の乗算器6お
:び乗算器Tを構成し、オペアンプOP3 、抵抗R5
、抵抗R7およびオペアンプOP4 、抵抗R6゜抵抗
R8は第2図に示されていないが、アンプ部を構成して
おり、本実施例ではこのアンプ部はなくても良いが、実
用上は有効である。マ之、オペアンプOP5 、オペア
ンプops 、抵抗R9、抵抗R10および可変抵抗器
VR2は第2図の差動アンプ8を構成しており、この可
変抵抗器VR2は差動アンプ8の利得を調整する友めの
ものである。また、オペアンプOP7.オペアンプOP
8 、 NAND回路DI。
を示したものである。同図において、PDIはM2図の
タンデム型受光素子1、Pr)2は同様に赤ないし近赤
外領域に分光感度をイ】する受光素子2である。また、
演算増幅器(以下オペアンプと称する)OPl、抵抗R
1およびコンデンサC1は光電流電圧費換″a3を構成
し、オペアンプOP2゜抵抗R2およびコンデンサC2
は光電流電圧変換器5を構成している。さらに抵抗R4
0、[抗R41,抵抗R42およびスイッチSWはバイ
アス電圧発生回路4を構成している。また、抵抗R3゜
抵抗R4および可変抵抗器VR1は第2図の乗算器6お
:び乗算器Tを構成し、オペアンプOP3 、抵抗R5
、抵抗R7およびオペアンプOP4 、抵抗R6゜抵抗
R8は第2図に示されていないが、アンプ部を構成して
おり、本実施例ではこのアンプ部はなくても良いが、実
用上は有効である。マ之、オペアンプOP5 、オペア
ンプops 、抵抗R9、抵抗R10および可変抵抗器
VR2は第2図の差動アンプ8を構成しており、この可
変抵抗器VR2は差動アンプ8の利得を調整する友めの
ものである。また、オペアンプOP7.オペアンプOP
8 、 NAND回路DI。
NOT回路D2お工び抵抗R11〜R22が第2図の出
力回路9を構成し、さらに発光ダイオードLED1〜L
ED3および抵抗R30〜R32が第2図の表示回路1
0を構成している。
力回路9を構成し、さらに発光ダイオードLED1〜L
ED3および抵抗R30〜R32が第2図の表示回路1
0を構成している。
このような構成において、測定対象からの光が受光素子
PD1 、 PD2に入力されると、これらの受光素子
PD1 、 PD2に生じ之各電流10.1.がオペア
ンプOP1.オペアンプOP2により各電圧v1.v。
PD1 、 PD2に入力されると、これらの受光素子
PD1 、 PD2に生じ之各電流10.1.がオペア
ンプOP1.オペアンプOP2により各電圧v1.v。
に変換される。ここで、抵抗R3、抵抗R4および可変
抵抗器VR1によって設定される定数n1.n、が上記
各電圧V 1 t V sに乗算され、オペアンプOP
3 。
抵抗器VR1によって設定される定数n1.n、が上記
各電圧V 1 t V sに乗算され、オペアンプOP
3 。
OF2に入力され、増幅されてG、 、G、倍となり、
オペアンプOP5に入力される電圧n1・G1・vl、
n、・G2・V、の差が08倍され、オペアンプOP5
トオペアンプOP6との出力間にV、”GB (ng
’Gs ’ V*−n l ”Gl ’v l )が出
力される。オペアンプOP7 、オペアンプR11R1
4 0P8はコンパレータでVが /、/ でjcR1
2R13 決定されるプラス側、マイナス側限度vH2VLに対し
て大小を比較する。ここでvL<0<vHでアリ、V工
〈vL のとき、オペアンプOP7 、オペアンプO
P8 、 NAND回路DI、NOT回路D2の出力は
それぞれrT(J、rLJ、I’mJJLJとなり、発
光ダイオードLED2のみがオンとなって出力V。ut
はrLJとなる。
オペアンプOP5に入力される電圧n1・G1・vl、
n、・G2・V、の差が08倍され、オペアンプOP5
トオペアンプOP6との出力間にV、”GB (ng
’Gs ’ V*−n l ”Gl ’v l )が出
力される。オペアンプOP7 、オペアンプR11R1
4 0P8はコンパレータでVが /、/ でjcR1
2R13 決定されるプラス側、マイナス側限度vH2VLに対し
て大小を比較する。ここでvL<0<vHでアリ、V工
〈vL のとき、オペアンプOP7 、オペアンプO
P8 、 NAND回路DI、NOT回路D2の出力は
それぞれrT(J、rLJ、I’mJJLJとなり、発
光ダイオードLED2のみがオンとなって出力V。ut
はrLJとなる。
また、vL<v□〈V□のとき、づペアンプOP7 、
オペアンプOP8 、 NAND回路D1.NOT回路
D2 の出力はそれぞれrHJ、rHJ、 rLJJ)
(Jとなり、発光ダイオードLED3のみがオンとなっ
て出力V。utはrHJとなる。さらにV u < v
工のとき、オペアンプOP7 。
オペアンプOP8 、 NAND回路D1.NOT回路
D2 の出力はそれぞれrHJ、rHJ、 rLJJ)
(Jとなり、発光ダイオードLED3のみがオンとなっ
て出力V。utはrHJとなる。さらにV u < v
工のとき、オペアンプOP7 。
オペアンプOP8 、 NAND回路DI、NOT回路
D2の出力はそれぞれrLJ、rHJJHJ、rLJと
なり、発光ダイオードLED1のみがオンとなって出力
■。1.はrLJと々る。
D2の出力はそれぞれrLJ、rHJJHJ、rLJと
なり、発光ダイオードLED1のみがオンとなって出力
■。1.はrLJと々る。
次に色酸別動作およびその調整方法について説明する。
+1.) 測定対象として識別すべき良品をこの色識
別装置にセットする。この場合、可変抵抗器’/R2を
MAX←最小抵抗値)の位置とし、利得G、を最大とし
ておく。このとき、出力表示発光ダイオードLED3が
点灯するように可変抵抗器VR1を調整する。
別装置にセットする。この場合、可変抵抗器’/R2を
MAX←最小抵抗値)の位置とし、利得G、を最大とし
ておく。このとき、出力表示発光ダイオードLED3が
点灯するように可変抵抗器VR1を調整する。
(2)次に測定対象として不良品を同様にセットする。
(3) もし、発光ダイオードLED3が消灯しない
ときは、スイッチSWを他の接点a、b、cに切り替え
て上記ステップ(1)に戻る。
ときは、スイッチSWを他の接点a、b、cに切り替え
て上記ステップ(1)に戻る。
(4) 発光ダイオードLED3が消灯しているとき
は、可変抵抗器VR2により、利得G8を小さくして発
光ダイオードLED3が点灯する可変抵抗器VR2の位
置(最大抵抗値(MIN) )を求める。
は、可変抵抗器VR2により、利得G8を小さくして発
光ダイオードLED3が点灯する可変抵抗器VR2の位
置(最大抵抗値(MIN) )を求める。
(5)上記ステップ(1)〜(4)の操作をスイッチS
Wの全位置(全ての接点a、b、c)に対して行なう。
Wの全位置(全ての接点a、b、c)に対して行なう。
(6) 可変抵抗器VR2(MIN)がスイッチSW
の全位置に対して求められ乏ら、可変抵抗器VR2(M
IN)が最も小さくなる位置にスイッチSWを選定する
。
の全位置に対して求められ乏ら、可変抵抗器VR2(M
IN)が最も小さくなる位置にスイッチSWを選定する
。
(7) 可変抵抗器vR2ノ位置を、VH2(、MI
N) トvn2(4x)との中間にセットする。
N) トvn2(4x)との中間にセットする。
以上のステップで調整を終了する。そして、例えばビス
ケットの焼き上り検査用など用途が工場出荷以前に明確
となっている場合には、受光素子PCIのバイアス電圧
をセットしてから出荷することが可能となり、この場合
、VV+整作業は、ステップtl) 、 (2) 、
+41 、 (7)のみとなシ、閉略化される。
ケットの焼き上り検査用など用途が工場出荷以前に明確
となっている場合には、受光素子PCIのバイアス電圧
をセットしてから出荷することが可能となり、この場合
、VV+整作業は、ステップtl) 、 (2) 、
+41 、 (7)のみとなシ、閉略化される。
このように構成された色識別装置は、従来の3刺激値法
に比べて回路r〜成が極めて単純でi+ t)、かつ3
刺激値に近い高精度の色識別が可能となる。
に比べて回路r〜成が極めて単純でi+ t)、かつ3
刺激値に近い高精度の色識別が可能となる。
本発明の技術的背景となる表色系は、従来のX。
y表色系、 Lab表色系およびLab 表色系の考
え方とは相違しており、かつその色の仕分は方法もJI
S、OLE等の色の仕分は方法とは明らかに相違してい
る。
え方とは相違しており、かつその色の仕分は方法もJI
S、OLE等の色の仕分は方法とは明らかに相違してい
る。
しかしながら、例えば、生産工程等において、簡単な色
の差にニジ製品等の検査を行なうライ/では、上述の従
来の表色系による色の表現は必らずしも必要ではなく、
むしろ簡単な色判定手段が必要となっている。本発明は
、このようなラインに特に幅広く応用することが可能で
あり、回路(K成が極めて単純化できるので、高速応答
か可能であり、小形化、低コスト化が図れ、従来の三色
分解形のセンサを用いたものに比べてもほとんどの色に
対してその色の近傍の色にzlする識別能力は遜色がな
く、このような用途において色判定に極めて好適である
。
の差にニジ製品等の検査を行なうライ/では、上述の従
来の表色系による色の表現は必らずしも必要ではなく、
むしろ簡単な色判定手段が必要となっている。本発明は
、このようなラインに特に幅広く応用することが可能で
あり、回路(K成が極めて単純化できるので、高速応答
か可能であり、小形化、低コスト化が図れ、従来の三色
分解形のセンサを用いたものに比べてもほとんどの色に
対してその色の近傍の色にzlする識別能力は遜色がな
く、このような用途において色判定に極めて好適である
。
以上説明したように本発明による色識別装置は、タンデ
ム型受光素子と、赤ないし近赤外に分光感度を有する受
光素子と、測定対象物の色に応じてバイアス電圧を上記
タンデム型受光素子に与えるバイアス回路と、上記2つ
の受光素子エリ得られる2つの出力a1.a、の少なく
とも一方に測定対象物に応じた設定値’/、’/(一方
の場合はn。
ム型受光素子と、赤ないし近赤外に分光感度を有する受
光素子と、測定対象物の色に応じてバイアス電圧を上記
タンデム型受光素子に与えるバイアス回路と、上記2つ
の受光素子エリ得られる2つの出力a1.a、の少なく
とも一方に測定対象物に応じた設定値’/、’/(一方
の場合はn。
ln a
=固定値)を乗する乗算器と、この乗算器の出力”/
、 / の差の大きさに応じて動作する出力n
l n @ 部と、その表示部とを設は友ことにより、赤ないし近赤
外受光素子とタンデム型受光素子との2つの受光素子か
ら得られる出力の比を基に色識別を行なうので、演算が
極めて簡単となるために並列演算が構成でき、高速度応
答が可能となり、小形化、低コスト化が図れる。また、
タンデム型受光素子の分光感度特性を測定対象に応じて
バイアス電圧を変えることで設定できるので、いかなる
色糸の識別にも3色消号による色識別と同様な高精度の
識別が得られるなどの極めて優れた効果を有する。
、 / の差の大きさに応じて動作する出力n
l n @ 部と、その表示部とを設は友ことにより、赤ないし近赤
外受光素子とタンデム型受光素子との2つの受光素子か
ら得られる出力の比を基に色識別を行なうので、演算が
極めて簡単となるために並列演算が構成でき、高速度応
答が可能となり、小形化、低コスト化が図れる。また、
タンデム型受光素子の分光感度特性を測定対象に応じて
バイアス電圧を変えることで設定できるので、いかなる
色糸の識別にも3色消号による色識別と同様な高精度の
識別が得られるなどの極めて優れた効果を有する。
第1図(a) 、 (b) 、 (、)は本発明による
色識別装置と測定対象物との位置関係を説明する図、第
2図は本発明による色識別装置の一実施例を示すブロッ
ク図、第3図はタンデム型受光素子のバイアス電圧に対
する分光感度特性を示す図、第4図は本発明による色識
別装置の具体的な回路図、第5図および第6図(a)
、 (b)は従来の色識別装置を説明する図、第7図は
代表的な色板の分光反射率を示す図である。 1・・・・タンデム型受光素子、2・・・・受光素子、
3・・・・光電流電圧変換器、4・・・・バイアス電圧
発生回路、5・・・・光電流電圧変換器、6,7・・・
・可変常数乗112’irz 8・・・・差動増幅器(
差動アンプ)、9・・・・出力回路、10・・・・表示
回路。 特許出願人 山武ハネウェル株式会社同 浜
川 圭 弘 代理人 山用政#((/υ・2名) (c) 第5図 第 6、−・ (a) (b) ヅ=そ1 手続補正書(自発) 特許庁長官数 ′)′l& r−6,j
:5814事件の表示 平成1年 特 許願第92701号 2、発明の名称 色識別装置 3、補正をする者 事件との関係 等 許 出願人名称(氏名)
(668)山武ノ・ネウエル株式会社(ほか1名)(
1) 明細書4頁14行目の「ピークが610!I!
IIJを「ピークが620+sm Jと補正する。
色識別装置と測定対象物との位置関係を説明する図、第
2図は本発明による色識別装置の一実施例を示すブロッ
ク図、第3図はタンデム型受光素子のバイアス電圧に対
する分光感度特性を示す図、第4図は本発明による色識
別装置の具体的な回路図、第5図および第6図(a)
、 (b)は従来の色識別装置を説明する図、第7図は
代表的な色板の分光反射率を示す図である。 1・・・・タンデム型受光素子、2・・・・受光素子、
3・・・・光電流電圧変換器、4・・・・バイアス電圧
発生回路、5・・・・光電流電圧変換器、6,7・・・
・可変常数乗112’irz 8・・・・差動増幅器(
差動アンプ)、9・・・・出力回路、10・・・・表示
回路。 特許出願人 山武ハネウェル株式会社同 浜
川 圭 弘 代理人 山用政#((/υ・2名) (c) 第5図 第 6、−・ (a) (b) ヅ=そ1 手続補正書(自発) 特許庁長官数 ′)′l& r−6,j
:5814事件の表示 平成1年 特 許願第92701号 2、発明の名称 色識別装置 3、補正をする者 事件との関係 等 許 出願人名称(氏名)
(668)山武ノ・ネウエル株式会社(ほか1名)(
1) 明細書4頁14行目の「ピークが610!I!
IIJを「ピークが620+sm Jと補正する。
Claims (1)
- 赤ないし近赤外領域に分光感度ピークを有する受光素子
と、バイアス電圧により光波長感度が変化するタンデム
型受光素子と、測定対象物の色に応じてバイアス電圧を
上記タンデム型受光素子に与えるバイアス回路と、上記
2つの受光素子から得られる2つの出力a_1、a_2
の少なくとも一方に測定対象物に応じた設定値1/n_
1、1/n_2を乗ずる可変常数乗算器と、これらの可
変常数乗算器の出力a_1/n_1、a_2/n_2の
差に比例する出力信号を出力する差動増幅器と、この差
動増幅器の出力の大きさに応じて動作する出力部と、こ
の出力部の出力に応じてディスプレイ表示を行なう表示
部とを備えたことを特徴とする色識別装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9270189A JPH02271223A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | 色識別装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9270189A JPH02271223A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | 色識別装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02271223A true JPH02271223A (ja) | 1990-11-06 |
Family
ID=14061793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9270189A Pending JPH02271223A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | 色識別装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02271223A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6426494B1 (en) | 1999-01-07 | 2002-07-30 | Nec Corporation | Optical signal detector and optical signal detecting method |
-
1989
- 1989-04-12 JP JP9270189A patent/JPH02271223A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6426494B1 (en) | 1999-01-07 | 2002-07-30 | Nec Corporation | Optical signal detector and optical signal detecting method |
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