JPH02268131A - ホスホニウム塩触媒を用いるアルドールおよびマイケル付加体の製造法 - Google Patents
ホスホニウム塩触媒を用いるアルドールおよびマイケル付加体の製造法Info
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- JPH02268131A JPH02268131A JP1089757A JP8975789A JPH02268131A JP H02268131 A JPH02268131 A JP H02268131A JP 1089757 A JP1089757 A JP 1089757A JP 8975789 A JP8975789 A JP 8975789A JP H02268131 A JPH02268131 A JP H02268131A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、医薬、農薬、ファインケミカル中間体として
重要なアルドールおよびマイケル付加体を、ホスホニウ
ム塩触媒の存在下に製造する方法に関する。
重要なアルドールおよびマイケル付加体を、ホスホニウ
ム塩触媒の存在下に製造する方法に関する。
ルイス酸としてTiC1,を用いて、エノールエーテル
とアルデヒドまたはアセタール類とを反応させる方法に
ついては、JOurnalOfAmeriCanChe
IIIical 5ocietys 1983年、10
5巻、4833頁、Angewandte Chemi
e 、International Edition
English 。
とアルデヒドまたはアセタール類とを反応させる方法に
ついては、JOurnalOfAmeriCanChe
IIIical 5ocietys 1983年、10
5巻、4833頁、Angewandte Chemi
e 、International Edition
English 。
1983年、22巻、989頁、Tetrahedro
n Letters 1984年、25巻、729頁、
及びChemistry Letters 。
n Letters 1984年、25巻、729頁、
及びChemistry Letters 。
1974年、15頁に記載されている。5nC1,、A
lCl2およびBClffなどの強いルイス酸を反応基
質と等モル以上用いる反応に関しては、Journal
of American Chen+1cal 5o
cietys 1974年、96巻、7503頁、およ
び八ngewandte Chemie Intern
ational EditionEnglish 、
1977年、16巻、817頁に記載されている。また
、ZnC1t、BF3 ・0EtZを触媒量用いる反応
については、八dvances in Organic
Chemistry 。
lCl2およびBClffなどの強いルイス酸を反応基
質と等モル以上用いる反応に関しては、Journal
of American Chen+1cal 5o
cietys 1974年、96巻、7503頁、およ
び八ngewandte Chemie Intern
ational EditionEnglish 、
1977年、16巻、817頁に記載されている。また
、ZnC1t、BF3 ・0EtZを触媒量用いる反応
については、八dvances in Organic
Chemistry 。
1963年、14巻、115頁およびAngewand
te ChemieInternational Ed
ition English 、 1969年、8巻、
295頁に記載されている。
te ChemieInternational Ed
ition English 、 1969年、8巻、
295頁に記載されている。
しかしながら、TtCla 、5nC1a 、AICh
、BCIs等の取扱の厄介なルイス酸を反応基質と等
モル使用しなければならないことは、反応操作、反応後
の金属処理の面、および経済的にも不利である。
、BCIs等の取扱の厄介なルイス酸を反応基質と等
モル使用しなければならないことは、反応操作、反応後
の金属処理の面、および経済的にも不利である。
また、ZnC1z 、Bh ・0Ettの場合は、触媒
量で反応は充分進行するが、反応の制御が困難で副反応
生成物が多く、目的のアルドール付加体の収率が低くな
るという問題点がある。
量で反応は充分進行するが、反応の制御が困難で副反応
生成物が多く、目的のアルドール付加体の収率が低くな
るという問題点がある。
ルイス酸を用いるエノールエーテルと不飽和アルデヒド
あるいは不飽和アセクールとの反応は、ルイス酸として
TiCl4、TiC14−Ti(0−isopropy
+)4を用いるAngehandte Chemie
International Edition Eng
lish 、1977年、16巻、817頁およびBu
lletin Chemical 5ociety o
f Japan、1976年、49巻、779頁記載の
方法が知られているが、上記アルドール反応の場合と同
様の問題点がある。
あるいは不飽和アセクールとの反応は、ルイス酸として
TiCl4、TiC14−Ti(0−isopropy
+)4を用いるAngehandte Chemie
International Edition Eng
lish 、1977年、16巻、817頁およびBu
lletin Chemical 5ociety o
f Japan、1976年、49巻、779頁記載の
方法が知られているが、上記アルドール反応の場合と同
様の問題点がある。
上記何れのルイス酸もアミンを含む反応基質を用いると
、アミンにより中和され反応が進行しなくなる。さらに
上記ルイス酸使用の場合、反応溶媒にも制約があり、ジ
オキサン、THF等のエーテル系溶媒では反応が進行せ
ず、芳香族系溶媒ではアルデヒド、アセタールが溶媒と
反応することもある。
、アミンにより中和され反応が進行しなくなる。さらに
上記ルイス酸使用の場合、反応溶媒にも制約があり、ジ
オキサン、THF等のエーテル系溶媒では反応が進行せ
ず、芳香族系溶媒ではアルデヒド、アセタールが溶媒と
反応することもある。
本発明は、アミンを含む反応基質を用いても、また、反
応基質に対して溶解度の高いエーテル系溶媒を使用して
も上記の問題点のないアルドール付加体、マイケル付加
体の製造法を提供する。
応基質に対して溶解度の高いエーテル系溶媒を使用して
も上記の問題点のないアルドール付加体、マイケル付加
体の製造法を提供する。
本発明は、(1)一般式 JR:R,’PzOXz(I
) (式中、R1,RZおよびR3は、炭素数1〜工0の直
鎖状、分岐状、あるいは環状のアルキル基またはフェニ
ル基または炭素数1〜4の直鎖状あるいは分岐状のアル
キル置換基を有するフェニル基を示し、Xはトリフルオ
ロメタンスルホニル基を示す。)で示されるホスホニウ
ム塩触媒の存在下に、 (式中、R“およびR5は水素または炭素数1〜10の
直鎖状、分岐状、あるいは環状のアルキル基であり、ヘ
テロ原子を含んでいてもよい。R&は炭素数1〜10の
直鎖状あるいは分岐状のアルキル基、または−31(C
H,)、R”を示す。R″はメチル、エチル、t−ブチ
ル、およびフェニル基を示す。R7は水素または炭素数
1〜10の直鎖状あるいは分岐状のアルキル基、フェニ
ル基または炭素数1〜10の直鎖状あるいは分岐状のア
ルキル置換基を有するフェニル基、炭素数1〜10の直
鎖状あるいは分岐状のアルコキシ基を示す。
) (式中、R1,RZおよびR3は、炭素数1〜工0の直
鎖状、分岐状、あるいは環状のアルキル基またはフェニ
ル基または炭素数1〜4の直鎖状あるいは分岐状のアル
キル置換基を有するフェニル基を示し、Xはトリフルオ
ロメタンスルホニル基を示す。)で示されるホスホニウ
ム塩触媒の存在下に、 (式中、R“およびR5は水素または炭素数1〜10の
直鎖状、分岐状、あるいは環状のアルキル基であり、ヘ
テロ原子を含んでいてもよい。R&は炭素数1〜10の
直鎖状あるいは分岐状のアルキル基、または−31(C
H,)、R”を示す。R″はメチル、エチル、t−ブチ
ル、およびフェニル基を示す。R7は水素または炭素数
1〜10の直鎖状あるいは分岐状のアルキル基、フェニ
ル基または炭素数1〜10の直鎖状あるいは分岐状のア
ルキル置換基を有するフェニル基、炭素数1〜10の直
鎖状あるいは分岐状のアルコキシ基を示す。
アルキル基およびアルコキシ基は、環状のものでも、ま
たへテロ原子を含んでいてもよい。)で示されるエノー
ルエーテルと、 一般式 R9CHO(III) (式中、R9は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状、ある
いは環状のアルキル基、炭素数2〜15の直鎖状、分岐
状、あるいは環状のアリール基、または炭素数1〜15
で多環状のものも含むアリル基を示す。アルキル基、ア
リール基、アリル基何れもヘテロ原子を含んでいてもよ
い。)で示されるアルデヒドまたは、 一般式 RloCH(OR”) t (IV
)(式中、R”は水素、炭素数1〜15の直鎖状、分岐
状、あるいは環状のアルキル基、炭素数2〜15の直鎖
状、分岐状、あるいは環状のアリール基、または炭素数
1〜15で多環状のものも含むアリル基、または炭素数
1〜6の直鎖状、分岐状のアルコキシ基を示す0、アル
キル基、アリール基、アリル基何れもヘテロ原子を含ん
でいてもよい。
たへテロ原子を含んでいてもよい。)で示されるエノー
ルエーテルと、 一般式 R9CHO(III) (式中、R9は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状、ある
いは環状のアルキル基、炭素数2〜15の直鎖状、分岐
状、あるいは環状のアリール基、または炭素数1〜15
で多環状のものも含むアリル基を示す。アルキル基、ア
リール基、アリル基何れもヘテロ原子を含んでいてもよ
い。)で示されるアルデヒドまたは、 一般式 RloCH(OR”) t (IV
)(式中、R”は水素、炭素数1〜15の直鎖状、分岐
状、あるいは環状のアルキル基、炭素数2〜15の直鎖
状、分岐状、あるいは環状のアリール基、または炭素数
1〜15で多環状のものも含むアリル基、または炭素数
1〜6の直鎖状、分岐状のアルコキシ基を示す0、アル
キル基、アリール基、アリル基何れもヘテロ原子を含ん
でいてもよい。
Rl lは炭素数1〜6の直鎖状、分岐状のアルキル基
、アリル基を示し、それらはへテロ原子を含んでいても
よい。)で示されるアセタール類とを溶媒中で反応させ
ることを特徴とするアルドール付加反応生成物の製造法
および、 (2)上記一般式(1)で示されるホスホニウム塩触媒
の存在下に、一般式(n)で示されるエノールエーテル
と、 / I3 (式中、RISおよびRISは炭素数1〜10の直鎖状
、分岐状のアルキル基または炭素数1〜15のアリル基
を示す。RISおよびRI4は水素、炭素数1〜10の
直鎖状、分岐状のアルキル基を示す。
、アリル基を示し、それらはへテロ原子を含んでいても
よい。)で示されるアセタール類とを溶媒中で反応させ
ることを特徴とするアルドール付加反応生成物の製造法
および、 (2)上記一般式(1)で示されるホスホニウム塩触媒
の存在下に、一般式(n)で示されるエノールエーテル
と、 / I3 (式中、RISおよびRISは炭素数1〜10の直鎖状
、分岐状のアルキル基または炭素数1〜15のアリル基
を示す。RISおよびRI4は水素、炭素数1〜10の
直鎖状、分岐状のアルキル基を示す。
上記アルキル基およびアリル基はへテロ原子を含んでい
てもよい。)で示される不飽和ケトン、または、 (式中、R”およびR”は炭素数1〜10の直鎖状、分
岐状のアルキル基または炭素数1〜15のアリル基を示
す、R”およびR11+は水素、炭素数1〜10の直鎖
状、分岐状のアルキル基を示す。
てもよい。)で示される不飽和ケトン、または、 (式中、R”およびR”は炭素数1〜10の直鎖状、分
岐状のアルキル基または炭素数1〜15のアリル基を示
す、R”およびR11+は水素、炭素数1〜10の直鎖
状、分岐状のアルキル基を示す。
R10は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状のアルキル基を
示す。上記アルキル基、アリル基はへテロ原子を含んで
いてもよい。)で示される不飽和アセタールとを溶媒中
で反応させることを特徴とするマイケル付加反応生成物
の製造法に関する。
示す。上記アルキル基、アリル基はへテロ原子を含んで
いてもよい。)で示される不飽和アセタールとを溶媒中
で反応させることを特徴とするマイケル付加反応生成物
の製造法に関する。
本発明は、反応溶媒中でホスホニウム塩触媒の存在下、
アルキルエノールエーテル、シリルエノールエーテル、
あるいはケテンシリルアセクールと、(1)アルデヒド
あるいはアセタール類を混合反応させアルドール付加生
成物を、(2)不飽和ケトンあるいは不飽和アセタール
を混合反応させマイケル付加生成物を製造する方法に関
する。
アルキルエノールエーテル、シリルエノールエーテル、
あるいはケテンシリルアセクールと、(1)アルデヒド
あるいはアセタール類を混合反応させアルドール付加生
成物を、(2)不飽和ケトンあるいは不飽和アセタール
を混合反応させマイケル付加生成物を製造する方法に関
する。
本発明における一般式(1)で示されるホスホニウム塩
触媒とは、Tetrahedron Letters
s 1989年、30巻、495頁に記載されている(
Cb Hs) hP20 (CFsSOx)zの合成
法と同様に、ホスフィンオキシトと無水トリフルオロメ
タンスルホン酸とから合成することができる。
触媒とは、Tetrahedron Letters
s 1989年、30巻、495頁に記載されている(
Cb Hs) hP20 (CFsSOx)zの合成
法と同様に、ホスフィンオキシトと無水トリフルオロメ
タンスルホン酸とから合成することができる。
ホスフィンオキシトの具体例としては、トリメチルホス
フィンオキシト、トリエチルホスフィンオキシト、トリ
プロピルホスフィンオキシド、トリイソプロピルホスフ
ィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシト、トリー
1−メチルプロピルホスフィンオキシト、トリー2−メ
チルプロピルホスフィンオキシト、トリス−1,1−ジ
メチルエチルホスフィンオキシト、トリペンチルホスフ
ィンオキシト、トリシクロペンチルホスフィンオキシド
、トリへキシルホスフィンオキシト、トリシクロヘキシ
ルホスフィンオキシド、トリベンジルホスフィンオキシ
ド、トリへブチルホスフィンオキシト、トリオクチルホ
スフィンオキシト、トリフェニルホスフィンオキシトお
よびトリトリルホスフィンオキシトが挙げられる。
フィンオキシト、トリエチルホスフィンオキシト、トリ
プロピルホスフィンオキシド、トリイソプロピルホスフ
ィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシト、トリー
1−メチルプロピルホスフィンオキシト、トリー2−メ
チルプロピルホスフィンオキシト、トリス−1,1−ジ
メチルエチルホスフィンオキシト、トリペンチルホスフ
ィンオキシト、トリシクロペンチルホスフィンオキシド
、トリへキシルホスフィンオキシト、トリシクロヘキシ
ルホスフィンオキシド、トリベンジルホスフィンオキシ
ド、トリへブチルホスフィンオキシト、トリオクチルホ
スフィンオキシト、トリフェニルホスフィンオキシトお
よびトリトリルホスフィンオキシトが挙げられる。
本発明における反応溶媒としては、塩化メチレン、クロ
ロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、0−ジク
ロロベンゼン、ニトロベンゼン、ニトロメタン、二硫化
炭素、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジ
ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エ
チレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコー
ルジエチルエーテル、アセトニトリルおよびこれらの混
合溶媒が挙げられる。特に好ましい溶媒は、塩化メチレ
ンである。
ロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、0−ジク
ロロベンゼン、ニトロベンゼン、ニトロメタン、二硫化
炭素、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジ
ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エ
チレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコー
ルジエチルエーテル、アセトニトリルおよびこれらの混
合溶媒が挙げられる。特に好ましい溶媒は、塩化メチレ
ンである。
反応においては、触媒と反応基質との混合順序は特に反
応に影響を与えない。
応に影響を与えない。
アルデヒドあるいはアセタール類と混合反応させる時の
アルキルエノールエーテル、シリルエノールエーテル、
あるいはケテンシリルアセタールは、アルデヒドあるい
はアセタール類に対して0゜5〜2.0倍モル、特に、
0.75〜1.5倍モルであることが好ましい。ホスホ
ニウム塩触媒の使用量は、アルデヒドあるいはアセクー
ル類に対して1.0〜0.001倍モル、特に、0.2
〜0.01倍モルであることが好ましい。
アルキルエノールエーテル、シリルエノールエーテル、
あるいはケテンシリルアセタールは、アルデヒドあるい
はアセタール類に対して0゜5〜2.0倍モル、特に、
0.75〜1.5倍モルであることが好ましい。ホスホ
ニウム塩触媒の使用量は、アルデヒドあるいはアセクー
ル類に対して1.0〜0.001倍モル、特に、0.2
〜0.01倍モルであることが好ましい。
反応温度は通常−100〜50°C1好ましくは一80
〜30°Cである。50°Cより温度が高いと目的物の
収率が低下し、−100°Cより低いと、長い反応時間
を必要とする。反応時間は通常0゜1〜20時間である
。
〜30°Cである。50°Cより温度が高いと目的物の
収率が低下し、−100°Cより低いと、長い反応時間
を必要とする。反応時間は通常0゜1〜20時間である
。
アルキルエノールエーテル、シリルエノールエーテル、
ケテンシリルアセクール、およびホスホニウム塩触媒は
加水分解をうけやすいので、反応系は無水状態に保たれ
ることが好ましい。
ケテンシリルアセクール、およびホスホニウム塩触媒は
加水分解をうけやすいので、反応系は無水状態に保たれ
ることが好ましい。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例1
オキソビス(トリブチルホスホニウム)トリフルオロメ
タンスルホネート20.0■(0,028ミリモル)を
塩化メチレン1−に溶解させ、−78°Cに冷却した。
タンスルホネート20.0■(0,028ミリモル)を
塩化メチレン1−に溶解させ、−78°Cに冷却した。
次に、ベンズアルデヒドジメチルアセクール60.9■
(0,400ミリモル)とトリメチルシリル−1−スチ
リルエーテル76.9a+g (0,400ミリモル)
の塩化メチレン21rdl溶液を滴下攪拌し、2時間後
に炭酸水素ナトリウム水溶液を加え塩化メチレン抽出し
た。抽出溶液を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下
で溶媒を留去し、薄層クロマトグラフィーで精製して、
1.3−ジフェニル−3−メトキシプロパノン86.2
mg (収率90χ)を得た。
(0,400ミリモル)とトリメチルシリル−1−スチ
リルエーテル76.9a+g (0,400ミリモル)
の塩化メチレン21rdl溶液を滴下攪拌し、2時間後
に炭酸水素ナトリウム水溶液を加え塩化メチレン抽出し
た。抽出溶液を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下
で溶媒を留去し、薄層クロマトグラフィーで精製して、
1.3−ジフェニル−3−メトキシプロパノン86.2
mg (収率90χ)を得た。
実施例2
オキソビス(トリブチルホスホニウム)トリフルオロメ
タンスルホネート20.001g (0,028ミリモ
ル)を塩化メチレンldに溶解させ、−78°Cに冷却
した。次に、ベンズアルデヒド42.4mg (0,4
00ミリモル)とトリメチルシリル−1−(1−フェニ
ルプロペニル)エーテル82.9mg (0,400ミ
リモル)の塩化メチレン2d溶液を滴下攪拌し、2時間
後に炭酸水素ナトリウム水溶液を加え塩化メチレン抽出
した。抽出溶液を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧
下で溶媒を留去し、薄層クロマトグラフィーで精製して
、1.3−ジフェニル−2−メチル−3−(トリメチル
シリルオキシ)プロパノン104.1mg(収率83χ
)を得た。
タンスルホネート20.001g (0,028ミリモ
ル)を塩化メチレンldに溶解させ、−78°Cに冷却
した。次に、ベンズアルデヒド42.4mg (0,4
00ミリモル)とトリメチルシリル−1−(1−フェニ
ルプロペニル)エーテル82.9mg (0,400ミ
リモル)の塩化メチレン2d溶液を滴下攪拌し、2時間
後に炭酸水素ナトリウム水溶液を加え塩化メチレン抽出
した。抽出溶液を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧
下で溶媒を留去し、薄層クロマトグラフィーで精製して
、1.3−ジフェニル−2−メチル−3−(トリメチル
シリルオキシ)プロパノン104.1mg(収率83χ
)を得た。
実施例3
オキソビス(トリブチルホスホニウム)トリフルオロメ
タンスルホネート20.0g (0,028ミリモル)
を塩化メチレンLmlに溶解させ、−78°Cに冷却し
た。次に、ベンズアルデヒド42.4mg (0,40
0ミリモル)と0−メチル−〇−ジメチルーL−ブチル
シリルケテンアセクール75.3mg (0,400ミ
リモル)の塩化メチレン2d溶液を滴下攪拌し、5時間
後に炭酸水素ナトリウム水溶液を加え塩化メチレン抽出
した。抽出溶液を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧
下で溶媒を留去し、薄層クロマトグラフィーで精製して
、3−(ジメチル−t−ブチルシリルオキシ)ベンゼン
プロピオン酸メチルエステル89.5mg (収率76
χ)を得た。
タンスルホネート20.0g (0,028ミリモル)
を塩化メチレンLmlに溶解させ、−78°Cに冷却し
た。次に、ベンズアルデヒド42.4mg (0,40
0ミリモル)と0−メチル−〇−ジメチルーL−ブチル
シリルケテンアセクール75.3mg (0,400ミ
リモル)の塩化メチレン2d溶液を滴下攪拌し、5時間
後に炭酸水素ナトリウム水溶液を加え塩化メチレン抽出
した。抽出溶液を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧
下で溶媒を留去し、薄層クロマトグラフィーで精製して
、3−(ジメチル−t−ブチルシリルオキシ)ベンゼン
プロピオン酸メチルエステル89.5mg (収率76
χ)を得た。
実施例4
オキソビス(トリブチルホスホニウム)トリフルオロメ
タンスルホネート20.0mg (0,028ミリモル
)を塩化メチレン1mlに溶解させ、−78°Cに冷却
した。次に、4−メトキシベンズアルデヒドジメチルア
セクール72.9mg (0,400ミリモル)と1−
メトキシスチレン53.7+ng (0,400ミリモ
ル)の塩化メチレン2ml溶液を滴下攪拌し、6時間後
に炭酸水素ナトリウム水溶液を加え塩化メチレン抽出し
た。抽出溶液を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下
で溶媒を留去し、薄層クロマトグラフィーで精製して、
1,1.3−トリメトキシ−1−フェニル−3−(4″
−メトキシフェニル)プロパン105.0mg (収率
83χ)を得た。
タンスルホネート20.0mg (0,028ミリモル
)を塩化メチレン1mlに溶解させ、−78°Cに冷却
した。次に、4−メトキシベンズアルデヒドジメチルア
セクール72.9mg (0,400ミリモル)と1−
メトキシスチレン53.7+ng (0,400ミリモ
ル)の塩化メチレン2ml溶液を滴下攪拌し、6時間後
に炭酸水素ナトリウム水溶液を加え塩化メチレン抽出し
た。抽出溶液を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下
で溶媒を留去し、薄層クロマトグラフィーで精製して、
1,1.3−トリメトキシ−1−フェニル−3−(4″
−メトキシフェニル)プロパン105.0mg (収率
83χ)を得た。
実施例5
オキソビス(トリブチルホスホニウム)トリフルオロメ
タンスルホネート20.0■(0,028ミリモル)を
塩化メチレンlIn1に溶解させ、−78°Cに冷却し
た。次に、シクロヘキセノン38.5■(0,400ミ
リモル)と1−トリメチルシリルスチリルエーテル76
.9mg (0,400ミリモル)の塩化メチレン2蔵
溶液を滴下攪拌し、6時間後に炭酸水素ナトリウム水溶
液を加え塩化メチレン抽出した。抽出溶液を無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去し、薄層クロ
マトグラフィーで精製して、α−(3−トリメチルシリ
ルオキシ−2−シクロへキセニル)アセトフェノン66
.9■(収率58z)を得た。
タンスルホネート20.0■(0,028ミリモル)を
塩化メチレンlIn1に溶解させ、−78°Cに冷却し
た。次に、シクロヘキセノン38.5■(0,400ミ
リモル)と1−トリメチルシリルスチリルエーテル76
.9mg (0,400ミリモル)の塩化メチレン2蔵
溶液を滴下攪拌し、6時間後に炭酸水素ナトリウム水溶
液を加え塩化メチレン抽出した。抽出溶液を無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去し、薄層クロ
マトグラフィーで精製して、α−(3−トリメチルシリ
ルオキシ−2−シクロへキセニル)アセトフェノン66
.9■(収率58z)を得た。
実施例6
オキソビス(トリブチルホスホニウム)トリフルオロメ
タンスルホネート20.0■(0,028ミリモル)を
塩化メチレン1mlに溶解させ、−78°Cに冷却した
。次に、シクロへキセノンジメチルアセクール56.9
■(0,400ミリモル)と1−メトキシスチレン53
.7mg (0,400ミリモル)の塩化メチレン2m
1溶液を滴下攪拌し、6時間後に炭酸水素ナトリウム水
溶液を加え塩化メチレン抽出した。抽出溶液を減圧下で
溶媒を留去し、テトラヒドロフラン4dとIN−塩酸4
−を加え1時間攪拌した。炭酸水素ナトリウム水溶液を
加えテトラヒドロフラン抽出後、無水硫酸マグネシウム
で乾燥し、減圧下で溶媒を留去し、薄層クロマトグラフ
ィーで精製して、3−ベンゾイルメチルシクロへキサノ
ン44.4mg(収率51χ)を得た。
タンスルホネート20.0■(0,028ミリモル)を
塩化メチレン1mlに溶解させ、−78°Cに冷却した
。次に、シクロへキセノンジメチルアセクール56.9
■(0,400ミリモル)と1−メトキシスチレン53
.7mg (0,400ミリモル)の塩化メチレン2m
1溶液を滴下攪拌し、6時間後に炭酸水素ナトリウム水
溶液を加え塩化メチレン抽出した。抽出溶液を減圧下で
溶媒を留去し、テトラヒドロフラン4dとIN−塩酸4
−を加え1時間攪拌した。炭酸水素ナトリウム水溶液を
加えテトラヒドロフラン抽出後、無水硫酸マグネシウム
で乾燥し、減圧下で溶媒を留去し、薄層クロマトグラフ
ィーで精製して、3−ベンゾイルメチルシクロへキサノ
ン44.4mg(収率51χ)を得た。
実施例7〜lO
実施例1と同様な操作で反応を行い第1表のような結果
を得た。
を得た。
実施例11〜15
実施例2と同様な操作で反応を行い第2表のような結果
を得た。
を得た。
実施例16〜26
実施例3と同様な操作で反応を行い第3表のような結果
を得た。
を得た。
実施例27〜30
実施例5と同様な操作で反応を行い第4表のような結果
を得た。
を得た。
(以下余白)
Claims (2)
- (1)一般式 R^1_2R^2_2R^3_2P_2
OX_2( I )(式中、R^1、R^2およびR^3
は、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状、あるいは環状の
アルキル基またはフェニル基または炭素数1〜4の直鎖
状あるいは分岐状のアルキル置換基を有するフェニル基
を示し、Xはトリフルオロメタンスルホニル基を示す。 )で示されるホスホニウム塩触媒の存在下に、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、R^4およびR^5は水素または炭素数1〜1
0の直鎖状、分岐状、あるいは環状のアルキル基であり
、ヘテロ原子を含んでいてもよい。R^6は炭素数1〜
10の直鎖状あるいは分岐状のアルキル基、または−S
i(CH_3)_2R^■を示す。R^■はメチル、エ
チル、t−ブチル、およびフェニル基を示す。R^7は
水素または炭素数1〜10の直鎖状あるいは分岐状のア
ルキル基、フェニル基または炭素数1〜10の直鎖状あ
るいは分岐状のアルキル置換基を有するフェニル基、炭
素数1〜10の直鎖状あるいは分岐状のアルコキシ基を
示す。 アルキル基およびアルコキシ基は、環状のものでも、ま
たヘテロ原子を含んでいてもよい。)で示されるエノー
ルエーテルと、 一般式 R^9CHO(III) (式中、R^9は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状、あ
るいは環状のアルキル基、炭素数2〜15の直鎖状、分
岐状、あるいは環状のアリール基、または炭素数1〜1
5で多環状のものも含むアリル基を示す。アルキル基、
アリール基、アリル基何れもヘテロ原子を含んでいても
よい。)で示されるアルデヒドまたは、 一般式 R^1^0CH(OR^1^1)_2 (IV)
(式中、R^1^0は水素、炭素数1〜15の直鎖状、
分岐状、あるいは環状のアルキル基、炭素数2〜15の
直鎖状、分岐状、あるいは環状のアリール基、または炭
素数1〜15で多環状のものも含むアリル基、または炭
素数1〜6の直鎖状、分岐状のアルコキシ基を示す。ア
ルキル基、アリール基、アリル基何れもヘテロ原子を含
んでいてもよい。 R^1^1は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状のアルキル
基、アリル基を示し、それらはヘテロ原子を含んでいて
もよい。)で示されるアセタール類とを溶媒中で反応さ
せることを特徴とするアルドール付加反応生成物の製造
法。 - (2)特許請求の範囲第1項における一般式( I )で
示されるホスホニウム塩触媒の存在下に、一般式(II)
で示されるエノールエーテルと、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(V) (式中、R^1^2およびR^1^5は炭素数1〜10
の直鎖状、分岐状のアルキル基または炭素数1〜15の
アリル基を示す。R^1^3およびR^1^4は水素、
炭素数1〜10の直鎖状、分岐状のアルキル基を示す。 上記アルキル基およびアリル基はヘテロ原子を含んでい
てもよい。)で示される不飽和ケトン、または、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(VI) (式中、R^1^6およびR^1^9は炭素数1〜10
の直鎖状、分岐状のアルキル基または炭素数1〜15の
アリル基を示す。R^1^7およびR^1^8は水素、
炭素数1〜10の直鎖状、分岐状のアルキル基を示す。 R^2^0は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状のアルキル
基を示す。上記アルキル基、アリル基はヘテロ原子を含
んでいてもよい。)で示される不飽和アセタールとを溶
媒中で反応させることを特徴とするマイケル付加反応生
成物の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1089757A JPH02268131A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | ホスホニウム塩触媒を用いるアルドールおよびマイケル付加体の製造法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP1089757A JPH02268131A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | ホスホニウム塩触媒を用いるアルドールおよびマイケル付加体の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02268131A true JPH02268131A (ja) | 1990-11-01 |
Family
ID=13979597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1089757A Pending JPH02268131A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | ホスホニウム塩触媒を用いるアルドールおよびマイケル付加体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02268131A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006188456A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Kanto Denka Kogyo Co Ltd | 含フッ素ケテンシリルアセタールを用いたマイケル付加体の製造方法 |
CN111990400A (zh) * | 2020-07-29 | 2020-11-27 | 浙江工业大学 | 一种二芳基戊烷类化合物在除草剂中的应用 |
-
1989
- 1989-04-11 JP JP1089757A patent/JPH02268131A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006188456A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Kanto Denka Kogyo Co Ltd | 含フッ素ケテンシリルアセタールを用いたマイケル付加体の製造方法 |
CN111990400A (zh) * | 2020-07-29 | 2020-11-27 | 浙江工业大学 | 一种二芳基戊烷类化合物在除草剂中的应用 |
CN111990400B (zh) * | 2020-07-29 | 2021-07-23 | 浙江工业大学 | 一种二芳基戊烷类化合物在除草剂中的应用 |
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