JPH02250415A - Surface acoustic wave device - Google Patents

Surface acoustic wave device

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JPH02250415A
JPH02250415A JP7150189A JP7150189A JPH02250415A JP H02250415 A JPH02250415 A JP H02250415A JP 7150189 A JP7150189 A JP 7150189A JP 7150189 A JP7150189 A JP 7150189A JP H02250415 A JPH02250415 A JP H02250415A
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JP
Japan
Prior art keywords
reflector
acoustic wave
surface acoustic
wave device
conductive strip
Prior art date
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Pending
Application number
JP7150189A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Eiji Iegi
家木 英治
Koji Kawakatsu
川勝 孝治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP7150189A priority Critical patent/JPH02250415A/en
Publication of JPH02250415A publication Critical patent/JPH02250415A/en
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Abstract

PURPOSE:To improve the reflecting efficiency of the open type reflector stably and effectively by specifying the ratio of the width of the conductive strip of the reflector to a conductive strip pitch. CONSTITUTION:In considering that there is a limit of improving the reflecting coefficient by making the film thickness of the conductive strip in the reflector thick, then the duty ratio, that is, the ratio d=a/(a+b) is selected as 1.0>d>=0.54, where (a) is the width of a metallic strip 16a of a reflector 16, and (a+b) is a strip pitch. Thus, the reflection efficiency of the reflector is improved, then the surface acoustic wave device is made small in size.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、インターデジタルトランスデユーサの側方に
反射器を配した弾性表面波装置の改良に関し、特に、反
射器の構造が改良されたものに関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to an improvement of a surface acoustic wave device in which a reflector is arranged on the side of an interdigital transducer, and in particular, the present invention relates to an improvement in a surface acoustic wave device in which a reflector is arranged on the side of an interdigital transducer. related to things.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第2図は、従来の弾性表面波装置の一例を示す平面図で
ある0弾性表面波装置1は、36°Y−X、LITaO
,からなる圧電基板2上に、互いに間挿し合ろくし歯電
極3.4を有するインターデジタルトランスデユーサ5
と、インターデジタルトランスデユーサ5の両側に配置
された反射器6.7とを有する。
FIG. 2 is a plan view showing an example of a conventional surface acoustic wave device.
, an interdigital transducer 5 having interdigitated interdigitated electrodes 3.4 on a piezoelectric substrate 2 consisting of .
and reflectors 6.7 arranged on both sides of the interdigital transducer 5.

くし歯電極3,4の電極指3a、4aは、上述したよう
に互いに間挿し合うように配置されている。また、反射
器6.7は、互いに平行に配置された複数本の独立した
導電性ストリップ6a、7aからなる、いわゆる開放型
の反射器である。
The electrode fingers 3a and 4a of the comb-teeth electrodes 3 and 4 are arranged so as to be inserted into each other as described above. Further, the reflector 6.7 is a so-called open reflector consisting of a plurality of independent conductive strips 6a, 7a arranged parallel to each other.

弾性表面波装置においても、他の電子部品と同様に、よ
り小型のものが求められている。そこで、従来の弾性表
面波装置1では、反射器6.7における反射効率を高め
ることにより、反射器6.7の表面波伝搬方向の大きさ
を低減し、それによって全体を小型化することが試みら
れている。
Surface acoustic wave devices, like other electronic components, are also required to be more compact. Therefore, in the conventional surface acoustic wave device 1, by increasing the reflection efficiency in the reflector 6.7, the size of the reflector 6.7 in the surface wave propagation direction can be reduced, thereby reducing the overall size. is being attempted.

すなわち、導電性ストリップ6a、7aの膜厚を厚くす
ることにより、導電性ストリップ1本当たりの反射率を
高め、それによって導電性ストリップの数を低減した構
造が採用されていた。
That is, by increasing the film thickness of the conductive strips 6a and 7a, the reflectance per conductive strip is increased, thereby reducing the number of conductive strips.

〔発明が解決しようとする技術的課題〕しかしながら、
導電性ストリップ6a、7aの膜厚を厚くした場合には
、その膜厚を一定に制御することが難しく、従って反射
効率にばらつきが生じがちであうた。よって、膜厚を厚
くするにも自ずと限度があった。
[Technical problem to be solved by the invention] However,
When the film thickness of the conductive strips 6a, 7a is increased, it is difficult to control the film thickness to be constant, and therefore variations in reflection efficiency tend to occur. Therefore, there was naturally a limit to increasing the film thickness.

他方、128°Y−X、LiNbO5からなる圧電基板
におけるレイリー波の反射に関しては、開放型の反射器
においては、導電性ストリップのデユーティ比、すなわ
ち導電性ストリップの幅の導電性ストリップ・ピッチに
対する割合dをd≧0.5とした場合に反射係数を高め
得ることが報告されている。
On the other hand, regarding the reflection of Rayleigh waves on a piezoelectric substrate made of 128°Y-X, LiNbO5, in an open reflector, the duty ratio of the conductive strip, that is, the ratio of the width of the conductive strip to the conductive strip pitch. It has been reported that the reflection coefficient can be increased when d is set to d≧0.5.

本発明の目的は、36@回転Y板、LiTa01からな
る圧電基板を用いた弾性表面波装置において、開放型の
反射器の反射効率を安定にかつ効果的に高め得るものを
提供することにある。
An object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device using a piezoelectric substrate made of a 36@rotating Y plate and LiTa01, which can stably and effectively increase the reflection efficiency of an open reflector. .

C技術的!i!!lを解決するための手段〕本発明の弾
性表面波装置は、36°回転’l。
C Technical! i! ! [Means for solving the problem] The surface acoustic wave device of the present invention rotates by 36°.

LiTaO5からなる圧電基板を用い、該圧電基板に励
起される表面すべり波を利用したものである。圧電基板
上には、互いに間挿し合うくし歯電極を有するインター
デジタルトランスデユーサが形成されている。このイン
ターデジタルトランスデユーサの側方には、表面波浪伝
搬方向と直交する方向に延びる複数本の独立した導電性
ストリップを互いに平行に配置してなる開放型の反射器
が形成されている。
A piezoelectric substrate made of LiTaO5 is used, and surface shear waves excited in the piezoelectric substrate are utilized. An interdigital transducer having interdigitated electrodes is formed on the piezoelectric substrate. An open reflector is formed on the side of the interdigital transducer and is formed by a plurality of independent conductive strips arranged in parallel to each other and extending in a direction perpendicular to the direction of surface wave propagation.

反射器における導電性ストリップのデユーティ比、すな
わち導電性ストリップの幅のピッチに対する割合dは、
1.0>d≧0.54とされている。
The duty ratio of the conductive strip in the reflector, i.e. the ratio d of the width of the conductive strip to the pitch, is:
1.0>d≧0.54.

〔作用〕[Effect]

反射器における導電性ストリップの膜厚を厚(すること
により、反射係数を高めることには限度があることを考
慮し、本発明では、反射器のデユーティ比を上記のよう
に1.0>d≧0.54とすることにより、後述の実施
例に示すように反射効率が高められている。すなわち、
本発明は、デユーティ比を上述のように設定することに
より、反射器の反射効率を高め、それによって弾性表面
波装置の小型化を図ったことに特徴を有するものである
Considering that there is a limit to increasing the reflection coefficient by increasing the film thickness of the conductive strip in the reflector, in the present invention, the duty ratio of the reflector is set to 1.0>d as described above. By setting ≧0.54, the reflection efficiency is increased as shown in the examples below. That is,
The present invention is characterized in that by setting the duty ratio as described above, the reflection efficiency of the reflector is increased, thereby reducing the size of the surface acoustic wave device.

〔実施例の説明〕[Explanation of Examples]

第1図は、本発明の一実施例の弾性表面波装置の平面図
である。この弾性表面波装置11は、平面形状が矩形の
36” Y−X、L 1Taosからなる圧電基板12
を用いて構成されている。圧電基板12の中央には、互
いに間挿し合う(し歯電極13.14からなるインター
デジタルトランスデユーサ15が形成されている。<シ
歯電極13゜14は、それぞれ、互いに間挿し合う複数
本の電極指13a、14aを有する。
FIG. 1 is a plan view of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention. This surface acoustic wave device 11 includes a piezoelectric substrate 12 having a rectangular planar shape and made of 36" Y-X, L 1 Taos.
It is configured using An interdigital transducer 15 is formed in the center of the piezoelectric substrate 12. The interdigital transducer 15 consists of toothed electrodes 13 and 14 that are inserted into each other. It has electrode fingers 13a and 14a.

インターデジタルトランスデユーサ15の表面波伝搬方
向外側には、一対の反射器16.17が形成されている
0反射器16.17は、それぞれ、表面波伝搬方向と直
交する方向に延び、かつ互いに平行に配置された複数本
の独立した導電性ストリップ16a、17aを有する。
A pair of reflectors 16.17 are formed outside the interdigital transducer 15 in the surface wave propagation direction.The reflectors 16.17 each extend in a direction perpendicular to the surface wave propagation direction and are mutually It has a plurality of independent conductive strips 16a, 17a arranged in parallel.

導電性ストリップは、例えばAIt等の金属やその他の
適宜の導電材で構成されている。
The conductive strip is made of metal, such as AIt, or other suitable conductive material.

本実施例の特徴は、この反射器16.ITを構成する複
数本の導電性ストリップ16a、17aのデユーティ比
にある。
The feature of this embodiment is that this reflector 16. This depends on the duty ratio of the plurality of conductive strips 16a and 17a that constitute the IT.

すなわち、第3図に、反射器16の要部を拡大して断面
図で示すように、デユーティ比、すなわち反射器16の
導電性ストリップ16aの帽aのストリップ・ピッチ(
a+b)に対する割合d=a/(a+b)が、1.0>
d≧0.54とされていることにある。なお、反射器1
7側も同様のデユーティ比を有するように構成されてい
る。
That is, as shown in FIG. 3, which is an enlarged cross-sectional view of the main part of the reflector 16, the duty ratio, that is, the strip pitch of the cap a of the conductive strip 16a of the reflector 16 (
The ratio d=a/(a+b) to a+b) is 1.0>
The reason is that d≧0.54. In addition, reflector 1
The 7 side is also configured to have a similar duty ratio.

36 @Y−X、  L i T a Os圧電基板を
用いた従来構造(第2図)では、反射器のデユーティ比
は約0.5であったが、本発明においてデユーティ比d
を上述の範囲に設定したのは、該範囲内で反射器の導電
性ストリップ−本当たりの反射効率が効果的に高められ
、それによって反射器16゜17を小型化し得るからで
ある。これを、第4図及び第5図を参照して説明する。
36 @Y-X, In the conventional structure (Fig. 2) using LiTaOs piezoelectric substrate, the duty ratio of the reflector was about 0.5, but in the present invention, the duty ratio d
The reason why is set to the above-mentioned range is that within this range, the reflection efficiency per conductive strip of the reflector can be effectively increased, thereby making it possible to reduce the size of the reflectors 16 and 17. This will be explained with reference to FIGS. 4 and 5.

第4図は、第1図実施例の構造において、デエテーティ
比dを変化させた場合の導電性ストリップ1本当たりの
反射率を示す図である。なお、第4図では、反射器16
.17における導電性ストリップ16a、17aの膜厚
/波長(単位はいずれもμm)を1%、2%及び3%と
した場合の3種類の特性を示した。
FIG. 4 is a diagram showing the reflectance per conductive strip when the deity ratio d is changed in the structure of the embodiment shown in FIG. In addition, in FIG. 4, the reflector 16
.. Three types of characteristics were shown when the film thickness/wavelength (all units are μm) of the conductive strips 16a and 17a in No. 17 were set to 1%, 2%, and 3%.

第4図から明らかなように、膜厚/波長が1゜2及び3
%の何れの場合においても、導電性ストリップ16a、
17a1本当たりの反射率は、デユーティ比dが0,3
付近から0.8までは単調に増大することがわかる。
As is clear from Figure 4, the film thickness/wavelength is 1°2 and 3°.
%, the conductive strip 16a,
The reflectance per 17a is when the duty ratio d is 0.3
It can be seen that it increases monotonically from around 0.8.

また、第5図は、導電性ストリッ゛プ168.17aの
膜厚/波長を3%以下の範囲で変化させ、デユーティ比
を1.0までの範囲で変化させた場合の反射係数が最大
となる組み合わせ(実線Aで示す、)、並びに反射係数
が最大の場合から一1O%の範囲の領域(斜線でハツチ
ングを付した領域B)並びにデユーティ比0.5の場合
の反射係数の20%増しの反射係数を示す領域Cを示す
Furthermore, Fig. 5 shows the maximum reflection coefficient when the film thickness/wavelength of the conductive strip 168.17a is varied within a range of 3% or less and the duty ratio is varied within a range of up to 1.0. combination (shown by solid line A), an area where the reflection coefficient is within 10% from the maximum (area B with diagonal lines), and a 20% increase in the reflection coefficient when the duty ratio is 0.5. Region C showing a reflection coefficient of is shown.

第4図及び第5図から、(膜厚/波長)が3%以下の範
囲では、従来の構造すなわち導電性ストリップのデユー
ティ比0.5の場合に比べて、デユーティ比を0.54
以上とした場合には反射係数を20%高め得ることがわ
かる。従って、本発明では、デユーティ比は、0.54
以上とされている。
From FIGS. 4 and 5, in the range where (film thickness/wavelength) is 3% or less, the duty ratio is 0.54 compared to the conventional structure, that is, the duty ratio of the conductive strip is 0.5.
It can be seen that in the above case, the reflection coefficient can be increased by 20%. Therefore, in the present invention, the duty ratio is 0.54
This is said to be the above.

なお、より好ましくは、すなわち、より高い反射係数を
求める場合には、第5図の領域Bの範囲にデユーティ比
を選べばよい、すなわち、膜厚O〜3%の範囲で、デユ
ーティ比dを0.65〜0゜9の範囲に設定すれば、導
電性ストリップ1本当たりの反射率をより効果的に高め
得る。
More preferably, when seeking a higher reflection coefficient, the duty ratio d should be selected within the range of region B in FIG. If it is set in the range of 0.65 to 0°9, the reflectance per conductive strip can be increased more effectively.

なお、例としてインターデジタルトランスデユーサ1個
を用いた1ポ一ト型弾性表面波装置を示したが、2個の
インターデジタルトランスデユーサを用いた2ポ一ト型
表面波共振器や、反射器を用いて低損失化を図ったフィ
ルタ等、反射器を利用した弾性表面波装置−触に本発明
を適用できる。
Although a one-point type surface acoustic wave device using one interdigital transducer is shown as an example, a two-point type surface acoustic wave resonator using two interdigital transducers, The present invention can be applied to surface acoustic wave devices using reflectors, such as filters that use reflectors to reduce loss.

なお、インターデジタルトランスデユーサのみで反射器
が設けられていない共振器では、インターデジタルトラ
ンスデユーサ内部での弾性表面波の反射率を上げるため
に、インターデジタルトランスデユーサのデユーティ比
を大きくすれば有効であるが、反射器を用いた本発明装
置のような構造では、インターデジタルトランスデユー
サのデユーティ比を高めることにより表面波の閉込め効
率も高められる。
Note that in a resonator with only an interdigital transducer and no reflector, the duty ratio of the interdigital transducer may be increased to increase the reflectance of surface acoustic waves inside the interdigital transducer. However, in a structure like the device of the present invention using a reflector, the surface wave confinement efficiency can also be increased by increasing the duty ratio of the interdigital transducer.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように、本発明では、複数本の互いに平行な独立
した導電性ストリップからなる反射器において、デユー
ティ比dが1.O>d≧0.54の範囲に設定されてい
るので、反射器における反射効率が効果的に高められる
。よって、反射器の導電性ストリップ数を低減し、より
小さな弾性表面波装置を実現することができる。しかも
、導電性ストリップの膜厚を増大させて反射係数を高め
た場合のような反射効率のばらつきも生じ難い。
As described above, in the present invention, the duty ratio d is 1. Since it is set in the range of O>d≧0.54, the reflection efficiency in the reflector is effectively increased. Therefore, the number of conductive strips in the reflector can be reduced, and a smaller surface acoustic wave device can be realized. Furthermore, variations in reflection efficiency are less likely to occur, which would occur if the reflection coefficient was increased by increasing the film thickness of the conductive strip.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例の弾性表面波装置の平面図、
第2図は従来の弾性表面波装置の平面図、第3図は第1
図の■−■線に沿う部分を拡大して示す断面図、第4図
はデユーティ比dと反射器の導電性ストリップ1本当た
りの反射率との関係を示す図、第5図は反射係数が高め
られる範囲を示す図である。 図において、11は弾性表面波装置、12は圧電基板、
13.14はくし歯電極、15はインターデジタルトラ
ンスデユーサ、16.17は反射器、16a、17aは
導電性ストリップを示す。 第3図 1A z 第4図 丁ヱーティに。
FIG. 1 is a plan view of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention;
Figure 2 is a plan view of a conventional surface acoustic wave device, and Figure 3 is a plan view of a conventional surface acoustic wave device.
A cross-sectional view showing an enlarged section along the line ■-■ in the figure, Figure 4 is a diagram showing the relationship between the duty ratio d and the reflectance per conductive strip of the reflector, and Figure 5 is the reflection coefficient. FIG. In the figure, 11 is a surface acoustic wave device, 12 is a piezoelectric substrate,
13 and 14 are comb electrodes, 15 is an interdigital transducer, 16 and 17 are reflectors, and 16a and 17a are conductive strips. Fig. 3 1A z Fig. 4 Deng ety.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 36°回転Y板,LiTaO_3からなる圧電基板と、 前記圧電基板上にX軸と平行に表面波を伝搬させるよう
に形成されており、互いに間挿し合うくし歯電極を有す
るインターデジタルトランスデューサと、 前記インターデジタルトランスデューサの側方において
、表面波伝搬方向と直交する方向に延びる複数本の独立
した導電性ストリップを互いに平行に配置してなる反射
器とを備え、表面すべり波を利用した弾性表面波装置に
おいて、 前記反射器における導電性ストリップの幅の導電性スト
リップ・ピッチに対する割合dが、1.0>d≧0.5
4とされていることを特徴とする、弾性表面波装置。
[Scope of Claims] A piezoelectric substrate made of a 36° rotated Y plate and LiTaO_3, and a comb-shaped electrode formed on the piezoelectric substrate so as to propagate a surface wave parallel to the X-axis and interposed with each other. The reflector includes an interdigital transducer and a reflector formed by arranging a plurality of independent conductive strips in parallel to each other extending in a direction perpendicular to the surface wave propagation direction on the side of the interdigital transducer to generate surface shear waves. In the surface acoustic wave device used, the ratio d of the width of the conductive strip to the pitch of the conductive strip in the reflector is 1.0>d≧0.5.
4. A surface acoustic wave device characterized by:
JP7150189A 1989-03-23 1989-03-23 Surface acoustic wave device Pending JPH02250415A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE37102E1 (en) 1994-04-13 2001-03-20 Murata Manufacturing Co, Ltd Saw filter with specified electrode dimensions
US6940208B2 (en) * 2001-07-24 2005-09-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62128605A (en) * 1985-11-29 1987-06-10 Alps Electric Co Ltd Surface acoustic wave element and its production

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62128605A (en) * 1985-11-29 1987-06-10 Alps Electric Co Ltd Surface acoustic wave element and its production

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE37102E1 (en) 1994-04-13 2001-03-20 Murata Manufacturing Co, Ltd Saw filter with specified electrode dimensions
US6940208B2 (en) * 2001-07-24 2005-09-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave device
US7132779B2 (en) 2001-07-24 2006-11-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave device

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