JPH02250310A - 電子ビーム露光装置 - Google Patents

電子ビーム露光装置

Info

Publication number
JPH02250310A
JPH02250310A JP1073542A JP7354289A JPH02250310A JP H02250310 A JPH02250310 A JP H02250310A JP 1073542 A JP1073542 A JP 1073542A JP 7354289 A JP7354289 A JP 7354289A JP H02250310 A JPH02250310 A JP H02250310A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron gun
temperature
electron
cathode grid
electron beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1073542A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Imoriya
廉 射守矢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP1073542A priority Critical patent/JPH02250310A/ja
Publication of JPH02250310A publication Critical patent/JPH02250310A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体集積回路などの製造において、パターン
マスクを製造するために用いる電子ビーム露光装置に関
するものである。
従来の技術 電子ビーム露光装置において電子ビームを得る方法とし
て、陰極である電子銃を加熱し、そこに高電圧を印加す
ることにより、陽極に向がって飛び出した電子を、電磁
レンズを用いて集束する方法が一般的に用いられている
第4図はこのような電子ビーム露光装置の電子銃室の断
面図である。一般に電子銃の材質として六ホウ化ランタ
ン(以下LaB、という)やタングステンフィラメント
が用いられるが、第4図はLaB、を電子銃として用い
ている。第4図において、電子銃1の近傍には陰極グリ
ッド2が設けられ、この陰極グリッド2はここに逆電圧
をかけることにより発射された電子の集束性を良くする
ために用いられる。また陰極グリッド2がら適当路1I
11aれて陽極3が配設され、さらに適当距離前れて電
磁レンズ4が配設されている。
この電子ビーム露光装置の動作を説明する。まず加熱電
流により加熱された電子銃1と陽極3との間に高電圧を
付加すると、電子銃1から電子が陽極3に向かって飛び
出す。この高電圧により加速された電子は陽極3を通り
過ぎ、電磁レンズ4により集束されて電子ビームとなり
パターンマスクを描画する乾板(以下マスク乾板という
)などの描画材料に照射される。ここで電子銃1に流す
加熱電流は、通常100mA程度であり、これは所望の
放射電子量が得られるような最小の電流量が選択される
のが通常である。
発明が解決しようとする課題 電子銃1は加熱電流により高温に保たれており。
第4図に示すようなL a B、電子銃では約1300
℃程度になっている。このような高温下では、電子銃1
は徐々に蒸発して体積の減少、形状の変化を起こす。こ
の結果、電子銃1の発熱量が大きくなり、電子銃1の温
度が上昇する。この結果、電子銃1の体積減少、形状変
化はますます大きくなり、これが電子銃1の寿命を短か
くし、電子ビームの密度の均一性を悪化させパターン精
度の劣化の原因の一つとなっている。しかしながら前記
従来の電子ビーム露光装置では、電子銃1の体積減少や
形状変化を検知することができないため、使用とともに
電子ビームの密度均一性が悪化し、パターン精度が劣化
し易い。また電子銃1の寿命が短かいため、電子銃1の
交換の回数が多く稼動率が低くなり易いという問題があ
った。
本発明は上記従来の問題を解決するもので、電子銃の体
積減少や形状変化を少なくし、稼動率が高くかつ高精度
のパターン描画が可能な電子ビーム露光装置を提供する
ことを目的とする。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明の電子ビーム露光装置
は、陰極グリッドに温度検知装置を付属させ、陰極グリ
ッドの温度により電子銃の加熱電流を制御する加熱電流
制御回路部を設けたものである。
作用 上記構成により、陰極グリッド温度を検知し電子銃の加
熱電流を制御することにより、電子銃の温度変化を少な
くすることができるため、電子銃の体積減少、形状変化
を少なくして電子銃の寿命の長期化および電子ビームの
密度の均一性保持ができ、稼動率が向上し、高精度パタ
ーンの描画が可能となる。
実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。なお、従来の電子ビーム露光装置と同じもの
には同一番号を付し、その説明は省略する。
第1図は本発明の一実施例における電子ビーム露光装置
の電子銃室の断面図である。第1図に示すように、電子
銃室内の陰極グリッド2には陰極グリッド2の温度を測
定する温度検知器としてのサーミスタ5が取付られてい
る。これは、電子銃1が高温となり、サーミスタ5で直
接温度を検知することが困難なため、陰極グリッド2の
温度を検知することにより間接的に電子銃1の温度を推
測するものである。サーミスタ5は、電子銃1の加熱電
流を制御する加熱電流制御回路部6に接続され、この加
熱電流制御回路部6はサーミスタ5の電気抵抗が低下す
ると電子銃1への加熱電流を小さくする。
以上のように構成された電子ビーム露光装置について、
以下その動作を説明する。加熱電流により高温に保たれ
ている電子銃1の体積が減少すると、電子銃1の温度が
上昇し、これにより陰極グリッド2の温度も上昇する。
陰極グリッド2の温度が上昇すると、サーミスタ5の電
気抵抗が低下し、加熱電流制御回路部6により加熱電流
が小さくされ、電子銃1の温度が下がる。これにより、
電子銃1の温度上昇が抑制される。
第2図(a)、(b)は、このような構成の電子ビーム
露光装置において、陰極グリッド2の温度を300℃に
保った本実施例の場合と、従来例の電子ビーム露光装置
の場合の電子銃の使用時間と電子銃の径の大きさの変化
を示す。第2図(a)、(b)より明らかなように、本
実施例によれば、電子銃1の径の大きさは使用時間によ
ってあまり変化しないので電子銃1の体積減少が少なく
、したがって電子銃1の寿命が長く、稼動率が向上でき
ることがわかる。
第3図(a)、(b)は本発明の一実施例による電子ビ
ーム露光装置および従来例による電子ビーム露光装置に
おいて、電子銃1を5000時間使用した場合に、マス
ク乾板上に作成したマスクパターン寸法のばらつきを示
す。ここでは例として4μmの電子ビームをマスク乾板
に照射した場合のパターン寸法を示す。第3図(a)、
(b)に示すように、本実施例による電子ビーム露光装
置を用いた場合、パターン寸法のばらつきが小さく、高
精度なパターンの描画が可能であることがわかる。
発明の効果 以上のように本発明によれば、電子銃室内の陰極グリッ
ドに温度検知装置を設け、陰極グリッドの温度により電
子銃の加熱電流を制御する加熱電流制御回路部を設けた
ことにより、電子銃の体積減少、形状変化を小さくでき
、高稼動率かつ高精度なマスクパターン描画が可能な電
子ビーム露光装置を実現できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における電子ビーム露光装置
の電子銃室の断面図、第2図(a)、(b)はそれぞれ
本発明の一実施例および従来例の電子ビーム露光装置の
電子銃の径の経時変化を示す図。 第3図(a) 、 (b)はそれぞれ本発明の一実施例
および従来例の電子ビーム露光装置において5000時
間使用した電子銃を用いてマスク乾板上に描画したパタ
ーンの寸法分布図、第4図は従来例による電子ビーム露
光装置の電子銃室の断面図である。 1・・・電子銃、2・・・陰極グリッド、3・・・陽極
、4・・・電磁レンズ、5・・・サーミスタ、6・・・
加熱電流制御回路部。 代理人   森  本  義  弘 第1図 第2図 (山 ィ史ロ→門(−多量) くい !・−・電子銃 2・・・陰p!!7’す・ンド 3・・・陽極 4・・・電月ルンズ 5・−・°す′−ミスタ 6・・・方ロ熱1!流串9御巨七ト図 イ更用吟聞(曙開) 第3図 (復) (ト) パターン寸う云(戸) 第φ図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、電子銃室内の陰極グリッドに温度検知器を設け、前
    記陰極グリッドの温度により電子銃の加熱電流を制御す
    る加熱電流制御回路部を設けた電子ビーム露光装置。
JP1073542A 1989-03-23 1989-03-23 電子ビーム露光装置 Pending JPH02250310A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1073542A JPH02250310A (ja) 1989-03-23 1989-03-23 電子ビーム露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1073542A JPH02250310A (ja) 1989-03-23 1989-03-23 電子ビーム露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02250310A true JPH02250310A (ja) 1990-10-08

Family

ID=13521230

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1073542A Pending JPH02250310A (ja) 1989-03-23 1989-03-23 電子ビーム露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02250310A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010219372A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Nuflare Technology Inc 電子ビーム描画装置及び電子銃のカソード寿命の判定方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010219372A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Nuflare Technology Inc 電子ビーム描画装置及び電子銃のカソード寿命の判定方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4113032B2 (ja) 電子銃及び電子ビーム露光装置
US3916202A (en) Lens-grid system for electron tubes
JPH0132627B2 (ja)
US2607904A (en) Electron optical system for cathodes of electron beam tubes
JPS5843861B2 (ja) イオン・ビ−ム衝撃装置
US6828565B2 (en) Electron beam source, electron optical apparatus using such beam source and method of operating and electron beam source
TWI503857B (zh) The action temperature adjustment method of the cathode and the electron beam drawing device
KR100313845B1 (ko) 전자빔 노출 장치에 사용되는 전자총
JP2005208120A (ja) 試料修正装置及び試料修正方法並びに該方法を用いたデバイス製造方法
US8968045B2 (en) Cathode selection method
US5933217A (en) Electron-beam projection-microlithography apparatus and methods
US20160238636A1 (en) Method for estimating lifetime of cathode in electron beam lithography apparatus
JP5362297B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
JPH02250310A (ja) 電子ビーム露光装置
JP2012018790A (ja) 電子銃の駆動方法、電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法
JPH09260237A (ja) 電子銃、電子ビーム装置及び電子ビーム照射方法
US3745342A (en) Electron beam apparatus comprising a cathode to be heated by an energy beam
JP6118142B2 (ja) 電子銃装置、描画装置、電子銃電源回路のリーク電流測定方法、及び電子銃電源回路のリーク電流判定方法
JP2804713B2 (ja) X線発生装置用フィラメント
JP2001189144A (ja) 電子ビームコラム用4極管電子銃
US20240014022A1 (en) Apparatus and method
EP0487656A4 (en) Charge neutralization apparatus for ion implantation system
US20240062985A1 (en) X-ray tube with flexible intensity adjustment
JPH117913A (ja) 電子線発生装置およびその冷却方法
JPH02253548A (ja) ガスイオン源及びガスイオン源を用いたイオンビーム加工装置