JPH0224909B2 - - Google Patents

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JPH0224909B2
JPH0224909B2 JP60109093A JP10909385A JPH0224909B2 JP H0224909 B2 JPH0224909 B2 JP H0224909B2 JP 60109093 A JP60109093 A JP 60109093A JP 10909385 A JP10909385 A JP 10909385A JP H0224909 B2 JPH0224909 B2 JP H0224909B2
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JP
Japan
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guide roller
target
sputtering
metal
roller
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JP60109093A
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Japanese (ja)
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JPS61266573A (en
Inventor
Katsuhide Manabe
Masatoshi Tsutsui
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Toyoda Gosei Co Ltd
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Toyoda Gosei Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 発明の目的 (産業上の利用分野) この発明は布、フイルム等の長尺試料の表面に
金属を付着させるスパツタリング装置に関するも
のである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Object of the Invention (Field of Industrial Application) The present invention relates to a sputtering device for depositing metal onto the surface of a long sample such as cloth or film.

(従来の技術) 従来、フイルム等の長尺試料の表面に金属被膜
を形成する装置として巻取式のスパツタリング装
置が知られている。この装置は第6図に示すよう
に、タンク51内に平板型のターゲツト52が水
平状態に延設され、送出ローラ53から送り出さ
れた長尺試料54が前記ターゲツト52と対向す
る位置に平行に配設されたガイドローラ55を経
て巻取ローラ56により巻取られるようになつて
いる。従つて、ターゲツト52から飛出すスパツ
タリング金属の付着する範囲が狭いため、巻取速
度を速くすることができないという問題点があ
る。又、平板型ターゲツトを使用しているため、
スパツタリング圧力が10-3Torr台と高くなり、
長尺試料54の表面に形成される金属被膜の色調
がやや黒つぽくなりやすいという問題もある。
(Prior Art) Conventionally, a winding type sputtering apparatus is known as an apparatus for forming a metal film on the surface of a long sample such as a film. As shown in FIG. 6, this device has a flat target 52 horizontally extended in a tank 51, and a long sample 54 sent out from a delivery roller 53 is placed in parallel at a position facing the target 52. The sheet is wound up by a winding roller 56 via a guide roller 55 provided therein. Therefore, since the area to which the sputtering metal flying out from the target 52 adheres is narrow, there is a problem that the winding speed cannot be increased. Also, since a flat target is used,
The sputtering pressure is as high as 10 -3 Torr,
There is also a problem that the color tone of the metal coating formed on the surface of the long sample 54 tends to be a little dark.

(発明が解決しようとする問題点) 本願発明者等は前記従来装置の問題点を解決す
るため、円筒型ターゲツトを使用する新規な巻取
式スパツタリング処理装置を発明したが、同スパ
ツタリング処理装置においては長尺試料が円筒型
ターゲツトの周囲を囲む状態で移動するように案
内するガイドローラの周面にもスパツタリング金
属が付着する。そのため、長時間運転を行う場合
にはガイドローラ表面に付着した金属に起因する
試料の汚染及びガイドローラが加熱することによ
る試料に対する悪影響のおそれがある。この発明
は前記従来装置におけるスパツタリング処理速度
が遅い点及びスパツタリング処理により形成され
る金属被膜の色調が黒つぽくなりやすいという問
題点を解決するとともに、前記ガイドローラへの
スパツタリング金属の付着に起因する問題点を解
決するものである。
(Problems to be Solved by the Invention) In order to solve the problems of the conventional device, the present inventors invented a new roll-up type sputtering processing device that uses a cylindrical target. Sputtering metal also adheres to the circumferential surface of the guide roller that guides the long sample so that it moves around the cylindrical target. Therefore, when operating for a long time, there is a risk of contamination of the sample due to metal adhering to the surface of the guide roller and an adverse effect on the sample due to heating of the guide roller. The present invention solves the problems in the conventional apparatus that the sputtering processing speed is slow and that the color tone of the metal coating formed by the sputtering processing tends to become darkish. It is a solution to a problem.

発明の構成 (問題点を解決するための手段) 前記の問題点を解決するためこの発明において
は、円筒型ターゲツトの周囲に布、フイルム等の
長尺試料を案内するガイドローラを、前記長尺試
料の移動経路が前記円筒型ターゲツトを囲むほぼ
円周状となるように前記円筒型ターゲツトを中心
とした円周上に多数配設し、前記ガイドローラと
前記ターゲツトとの間にガイドローラの直径以上
の幅を有する防着部材を各ガイドローラと対向す
る位置に近接して配設するとともに、この防着部
材には冷却用の水冷配管を装着するという構成を
採用した。
Structure of the Invention (Means for Solving the Problems) In order to solve the above-mentioned problems, in the present invention, a guide roller for guiding a long sample such as cloth or film around a cylindrical target is A large number of samples are arranged on a circumference centered on the cylindrical target so that the moving path of the sample is approximately circular surrounding the cylindrical target, and a diameter of the guide roller is provided between the guide roller and the target. A configuration was adopted in which an anti-adhesive member having the above width was disposed close to a position facing each guide roller, and a water-cooling pipe for cooling was attached to the anti-adhesive member.

(作 用) この発明においては円筒状に形成されたターゲ
ツトからスパツタリング金属が放射状に飛散し、
長尺試料はガイドローラに案内されながら前記タ
ーゲツトの周囲を移動するためスパツタリング金
属が付着する範囲が広くなり、長尺試料の巻取速
度を速くしても所定の厚さの金属被膜が長尺試料
の表面に形成される。又、長尺試料を案内するガ
イドローラと対向する位置のターゲツトから飛散
したスパツタリング金属はガイドローラとターゲ
ツトとの間に配設された防着部材の表面に付着す
るため、ガイドローラの表面にはスパツタリング
金属が付着しない。又、ガイドローラに近接して
配置された防着部材が水冷配管により常に冷却さ
れるため、スパツタリング金属が防着部材に付着
してこの防着部材を加熱し、この防着部材の加熱
に起因する輻射熱によつてガイドローラが加熱さ
れることや、スパツタリング金属が前記ガイドロ
ーラに付着することが防止される。従つて、ガイ
ドローラにスパツタリング金属が付着することに
よる長尺試料の汚染あるいはガイドローラの加熱
に伴う長尺試料への悪影響が確実に防止される。
(Function) In this invention, sputtering metal scatters radially from a cylindrical target,
Since the long sample moves around the target while being guided by the guide roller, the area to which the sputtering metal adheres becomes wider, and even if the winding speed of the long sample is increased, the metal coating of a predetermined thickness will not be able to reach the desired thickness. Formed on the surface of the sample. In addition, the sputtering metal scattered from the target located opposite the guide roller that guides the long sample adheres to the surface of the adhesion prevention member disposed between the guide roller and the target. Sputtering metal does not adhere. In addition, since the anti-adhesive member placed close to the guide roller is constantly cooled by the water-cooled pipe, sputtering metal adheres to the anti-adhesive member and heats the anti-adhesive member. This prevents the guide roller from being heated by the radiant heat and prevents sputtering metal from adhering to the guide roller. Therefore, contamination of the long sample due to adhesion of sputtering metal to the guide roller or adverse effects on the long sample due to heating of the guide roller can be reliably prevented.

(実施例) 以下この発明を具体化した一実施例を第1〜4
図に従つて説明する。スパツタリング装置本体1
は基台2と、同基台2上にパツキング(図示しな
い)を挾んで気密状体に載置されるケーシング3
とから構成されている。ケーシング3の上方には
図示しないフレームに回転自在に支持された2対
の定滑車4が配設され、同定滑車4には前記ケー
シング3を吊下支持するための2本のワイヤ5
が、一端がケーシング3の上部に突設された掛止
リング6に連結され、他端がバランスウエイト7
に連結された状態で巻掛されている。前記両バラ
ンスウエイト7の合計重量は、小さな力でケーシ
ング3を上下動可能とするためケーシング3の重
量より若干軽い値に設定されている。ケーシング
3の前面(第1図の下方)には、ケーシング3に
近接した位置に垂直状態で立設されたガイドレー
ル8と係合可能なコロ9が回転自在に取付けられ
ている。又、ケーシング3の後部には第1,4図
に示すようにモータ10の回転軸に取付けられた
ピニオン11と噛合するラツク12aを有し、モ
ータ10の正逆回転により上下動される押上部材
12の上部と係合可能な係合部13が突設されて
いる。そして、押上部材12の上下動によりケー
シング3が昇降作動されるようになつている。
(Example) Examples 1 to 4 which embody this invention will be described below.
This will be explained according to the diagram. Sputtering device main body 1
A base 2 and a casing 3 placed on the base 2 in an airtight manner with a packing (not shown) in between.
It is composed of. Two pairs of fixed pulleys 4 rotatably supported by a frame (not shown) are disposed above the casing 3, and the fixed pulleys 4 are connected to two wires 5 for suspending and supporting the casing 3.
One end is connected to a retaining ring 6 protruding from the upper part of the casing 3, and the other end is connected to a balance weight 7.
It is wrapped in a connected state. The total weight of both balance weights 7 is set to a value slightly lighter than the weight of the casing 3 so that the casing 3 can be moved up and down with a small force. A roller 9 is rotatably attached to the front surface of the casing 3 (lower side in FIG. 1) and can be engaged with a guide rail 8 that stands vertically close to the casing 3. Further, as shown in FIGS. 1 and 4, the rear part of the casing 3 has a rack 12a that meshes with a pinion 11 attached to the rotating shaft of the motor 10, and a push-up member that is moved up and down by the forward and reverse rotation of the motor 10. An engaging portion 13 that can be engaged with the upper portion of 12 is provided in a protruding manner. The casing 3 is moved up and down by the up and down movement of the push-up member 12.

ケーシング3の円筒部中央には有底円筒状のタ
ーゲツト14が着脱可能に吊下支持されている。
ターゲツト14はその少なくとも表面部がスパツ
タリング用の金属で形成され、その内部空間には
リング状の永久磁石15が所定間隔で嵌装された
支持筒16が配設されている。支持筒16の下部
には外部から圧縮空気が供給されるベローズ17
が配設され、圧縮空気の供給排気により支持筒1
6が上下動されるようになつている。ターゲツト
14としての陰極の周囲には8本の上下方向に延
びる線状部を有する篭型の陽極18が、その線状
部がターゲツト14を中心とする同一円周上に位
置するように配設されている。ターゲツト14と
しての陰極と陽極18との間には50〜1000Vの直
流電圧が印加されるようになつている。
A bottomed cylindrical target 14 is removably suspended from the center of the cylindrical portion of the casing 3.
At least the surface of the target 14 is made of a metal for sputtering, and a support cylinder 16 in which ring-shaped permanent magnets 15 are fitted at predetermined intervals is disposed in its interior space. A bellows 17 is provided at the bottom of the support tube 16 to which compressed air is supplied from the outside.
is provided, and the support tube 1 is
6 can be moved up and down. A cage-shaped anode 18 having eight vertically extending linear parts is arranged around the cathode serving as the target 14 such that the linear parts are located on the same circumference with the target 14 as the center. has been done. A DC voltage of 50 to 1000 V is applied between the cathode as the target 14 and the anode 18.

前記円筒型ターゲツト14の周囲には布、フイ
ルム等の長尺試料19を案内する6本のガイドロ
ーラ20がターゲツト14を中心とする同一円周
上に等間隔で配設されている。前記ガイドローラ
20は基台2上に配設され、平面ほぼ6角形状を
なす上部支持フレーム21a及び下部支持フレー
ム21b間に回転自在に支持されている。前記上
部支持フレーム21aを支持する支柱22はガイ
ドローラ20へのスパツタリング金属の付着を防
止する防着部材の役割を果たすため前記ガイドロ
ーラ20の内側に配設されるとともに各ガイドロ
ーラ20の直径よりも幅広に形成されている。各
支柱22にはターゲツト14と反対側に冷却用の
水冷配管23が配設されている。
Around the cylindrical target 14, six guide rollers 20 for guiding a long sample 19 such as cloth or film are arranged at equal intervals on the same circumference with the target 14 as the center. The guide roller 20 is disposed on the base 2 and is rotatably supported between an upper support frame 21a and a lower support frame 21b, each having a substantially hexagonal shape in plan. The struts 22 supporting the upper support frame 21a are disposed inside the guide rollers 20 in order to serve as an anti-adhesion member for preventing sputtering metal from adhering to the guide rollers 20. It is also formed wide. Each support column 22 is provided with a water cooling pipe 23 for cooling on the opposite side from the target 14.

前記ガイドローラ20が配設された円周の外側
には長尺試料を送り出す送出ローラ24と、スパ
ツタリング処理後の長尺試料19を巻き取る巻取
ローラ25とが垂直状態で回転自在に配設されて
いる。両ローラ24,25はそれぞれ基台2上に
配設され図示しない外部駆動機構により駆動され
る駆動軸27aと、前記上部支持フレーム21a
から突設された支持ブラケツト26に回転自在に
取り付けられた被動軸27bとの間に着脱可能に
取付けられるようになつている。両ローラ24,
25に近接するガイドローラ20間には一対の補
助ガイドローラ28a,28bが配設され、送出
ローラ24から送り出される長尺試料19は一方
の補助ガイドローラ28aを経てガイドローラ2
0に案内され、スパツタリング処理後の長尺試料
19は他方の補助ガイドローラ28bを経て巻取
ローラ25に巻き取られるようになつている。
又、両補助ガイドローラ28a,28bの間隔と
対応する位置には防着板29が立設され、そのタ
ーゲツト14と反対側には前記支柱22と同様水
冷配管23が配設されている。
Outside the circumference where the guide roller 20 is arranged, a delivery roller 24 for sending out the long sample and a take-up roller 25 for winding up the long sample 19 after sputtering processing are arranged vertically and freely rotatable. has been done. Both rollers 24 and 25 each have a drive shaft 27a disposed on the base 2 and driven by an external drive mechanism (not shown), and the upper support frame 21a.
The driven shaft 27b is rotatably attached to a support bracket 26 protruding from the support bracket 26, and the driven shaft 27b is detachably attached thereto. both rollers 24,
A pair of auxiliary guide rollers 28a and 28b are arranged between the guide rollers 20 that are close to the guide rollers 25, and the elongated sample 19 sent out from the delivery roller 24 passes through one of the auxiliary guide rollers 28a to the guide roller 2.
0, the long sample 19 after sputtering is wound up by the winding roller 25 via the other auxiliary guide roller 28b.
Further, a deposition prevention plate 29 is provided upright at a position corresponding to the distance between the auxiliary guide rollers 28a, 28b, and a water cooling pipe 23 is provided on the opposite side of the target 14, similar to the support 22.

前記基台2にはスパツタリング装置本体1内を
減圧するためのポンプに接続されるパイプ30が
接続されている。パイプ30は本抜バルブ31を
介して拡散ポンプ32に接続される系統と、粗抜
バルブ33を経てメカニカルブースターポンプ3
4及びロータリーポンプ35に接続される系統の
2つに分岐されるとともに、前記拡散ポンプ32
とメカニカルブースターポンプ34とが補助バル
ブ36を介して接続されている。又、前記パイプ
30にはリークバルブ37が接続されている。
又、ケーシング3にはバルブ38a,39aを介
してアルゴン(Ar)ガスボンベ38及び酸素ガ
スボンベ39に接続されたパイプ40が連結され
ている。
A pipe 30 connected to a pump for reducing the pressure inside the sputtering apparatus body 1 is connected to the base 2. The pipe 30 is connected to a system connected to a diffusion pump 32 via a main extraction valve 31, and to a mechanical booster pump 3 via a rough extraction valve 33.
4 and a system connected to the rotary pump 35, and the diffusion pump 32
and a mechanical booster pump 34 are connected via an auxiliary valve 36. Further, a leak valve 37 is connected to the pipe 30.
Further, a pipe 40 connected to an argon (Ar) gas cylinder 38 and an oxygen gas cylinder 39 is connected to the casing 3 via valves 38a and 39a.

次に前記のように構成された装置の作用を説明
する。
Next, the operation of the apparatus configured as described above will be explained.

まず、リークバルブ37が開放されてケーシン
グ3内の圧力が大気圧と平衡な状態でモータ10
を正転駆動させ、押上部材12を押し上げ、第2
図に鎖線で示すようにケーシング3を上方へ吊下
する。この状態で送出ローラ24を駆動軸27a
及び被動軸27bから取り外し、長尺試料19を
送出ローラ24に巻き付ける。次に長尺試料19
が巻き付けられた送出ローラ24を前記駆動軸2
7a及び被動軸27b間に取り付け、その一端側
から送り出しながら補助ガイドローラ28a、ガ
イドローラ20、補助ガイドローラ28bを経て
巻取ローラ25まで導き、長尺試料19の一端を
巻取ローラ25の表面に止着する。次にモータ1
0を逆転駆動させ、押上部材12をピニオン11
及びラツク12aの作用により下降移動させケー
シング3を基台2上に載置する。ケーシング3は
自重及びパツキングの作用により気密性が保持さ
れた状態で基台2上に載置される。
First, when the leak valve 37 is opened and the pressure inside the casing 3 is in equilibrium with the atmospheric pressure, the motor 10
is rotated in the forward direction to push up the push-up member 12 and push up the second
The casing 3 is suspended upward as shown by the chain line in the figure. In this state, the feed roller 24 is moved to the drive shaft 27a.
Then, it is removed from the driven shaft 27b, and the long sample 19 is wound around the delivery roller 24. Next, long sample 19
is wound around the delivery roller 24 on the drive shaft 2.
7a and the driven shaft 27b, and while feeding it from one end side, guide it to the take-up roller 25 via the auxiliary guide roller 28a, the guide roller 20, and the auxiliary guide roller 28b. Attach to. Next motor 1
0 is reversely driven, and the push-up member 12 is driven by the pinion 11.
Then, the casing 3 is moved downward by the action of the rack 12a and placed on the base 2. The casing 3 is placed on the base 2 in a state where airtightness is maintained due to its own weight and the action of packing.

次にスパツタリング装置本体1内を減圧する。
拡散ポンプ32及びロータリーポンプ35は常時
作動しているので、まずリークバルブ37を閉じ
次いで粗抜バルブ33を開く。ロータリーポンプ
35の作用によりスパツタリング装置本体1内の
圧力が20Torr以下になつた状態でメカニカルブ
ースターポンプ34が作動される。そして、装置
本体1内の圧力が5×10-2Torr以下になつた状
態で粗抜バルブ33を閉じ、次いで補助バルブ3
6、本抜バルブ31を開放して装置本体1内の真
空度をさらに高真空の10-5Torr台まで減圧する。
Next, the pressure inside the sputtering apparatus main body 1 is reduced.
Since the diffusion pump 32 and the rotary pump 35 are always in operation, first the leak valve 37 is closed and then the roughing valve 33 is opened. Due to the action of the rotary pump 35, the mechanical booster pump 34 is operated in a state where the pressure inside the sputtering apparatus main body 1 becomes 20 Torr or less. Then, the roughing valve 33 is closed when the pressure inside the device main body 1 is 5×10 -2 Torr or less, and then the auxiliary valve 3
6. Open the main extraction valve 31 to further reduce the degree of vacuum inside the apparatus main body 1 to a high vacuum level of 10 -5 Torr.

長尺試料19からのガス放出により排気速度が
遅い時には、巻取ローラ25及び送出ローラ24
を駆動して長尺試料19の巻取り、巻きもどしを
行うことにより排気速度を速くすることができ
る。この場合通常は本抜バルブ31が開放状態と
なつた後に巻取り、巻きもどしを行う。しかしガ
ス放出が多い場合はメカニカルブースターポンプ
34の作動後に行う。なお、巻取り、巻きもどし
は10m/min程度の速度で行われる。
When the exhaust speed is slow due to gas release from the long sample 19, the take-up roller 25 and the delivery roller 24
The evacuation speed can be increased by driving the elongated sample 19 to wind it up and unwind it. In this case, winding and unwinding are normally performed after the book removal valve 31 is in the open state. However, if there is a large amount of gas released, this is done after the mechanical booster pump 34 is activated. Note that winding and unwinding are performed at a speed of about 10 m/min.

次にガスボンベ38から装置本体1内にアルゴ
ンガスを送り込むとともに、拡散ポンプ32から
徐々に排出することにより装置本体1内を低圧ア
ルゴンガス雰囲気に保持する。
Next, argon gas is fed into the apparatus main body 1 from the gas cylinder 38 and gradually discharged from the diffusion pump 32, thereby maintaining the inside of the apparatus main body 1 in a low-pressure argon gas atmosphere.

次に水冷配管23に水を供給し、ターゲツト1
4及び陽極18間に直流高電圧を印加するととも
に送出ローラ24及び巻取ローラ25を駆動す
る。ターゲツト14及び陽極18間に直流高電圧
を印加することによりグロー放電が起こり、スパ
ツタリング装置本体1内のアルゴンガスが放電エ
ネルギーによりイオン化し、イオン化されたアル
ゴンイオンがターゲツト(陰極)14側へ加速さ
れてターゲツト14に衝突し、ターゲツト14表
面から金属を叩き出す。ターゲツト14表面から
叩き出された金属はターゲツト14から放射状に
飛散する。長尺試料19は補助ガイドローラ28
a、ガイドローラ20、補助ガイドローラ28b
を経てターゲツト14の周囲を囲むほぼ円周状の
移動経路を通つて巻取ローラ25に巻き取られる
ので、ターゲツト14から放射状に飛散するスパ
ツタリング金属が長尺試料19に付着する範囲が
広範囲に及び、巻取ローラ25の巻取速度を速め
ても長尺試料19の表面には所定の厚さの金属被
膜が確実に形成される。従来装置においては500
オングストロームの厚さの被膜を形成するには2
〜3m/minの巻取速度でしか行えなかつたが、
この実施例の装置においては6m/minの巻取速
度で500オングストロームの厚さの金属被膜が長
尺試料19の表面に形成された。すなわち、従来
装置に比較して2〜3倍の速さでスパツタリング
処理を行うことができる。
Next, water is supplied to the water cooling pipe 23 and the target 1
4 and the anode 18, and at the same time drive the delivery roller 24 and the take-up roller 25. Glow discharge occurs by applying a DC high voltage between the target 14 and the anode 18, and the argon gas in the sputtering device main body 1 is ionized by the discharge energy, and the ionized argon ions are accelerated toward the target (cathode) 14 side. The metal collides with the target 14 and knocks out metal from the surface of the target 14. The metal knocked out from the surface of the target 14 scatters radially from the target 14. The long sample 19 is attached to the auxiliary guide roller 28
a, guide roller 20, auxiliary guide roller 28b
Since the sputtering metal is taken up by the take-up roller 25 through a substantially circumferential moving path surrounding the target 14, the sputtering metal radially scattered from the target 14 adheres to the elongated sample 19 over a wide range. Even if the winding speed of the winding roller 25 is increased, a metal coating of a predetermined thickness is reliably formed on the surface of the long sample 19. 500 in conventional equipment
To form a film with a thickness of 2 angstroms
This could only be done at a winding speed of ~3m/min, but
In the apparatus of this example, a metal coating with a thickness of 500 angstroms was formed on the surface of the long sample 19 at a winding speed of 6 m/min. That is, the sputtering process can be performed two to three times faster than the conventional apparatus.

ターゲツト14から飛散したスパツタリング金
属は長尺試料19の表面以外にも付着するが、こ
の実施例の装置においてはガイドローラ20の内
側(ターゲツト14側)に配設された支柱22が
ガイドローラ20のカバーすなわち防着板の役割
を果たし、しかも水冷配管23により常に冷却さ
れるため、スパツタリング金属が防着部材22に
付着してこの防着部材22を加熱し、この防着部
材22の加熱に起因する輻射熱によつてガイドロ
ーラ20が加熱されることや、スパツタリング金
属が前記ガイドローラ20に付着することを防止
できる。従つて、ガイドローラ20にスパツタリ
ング金属が付着することによる長尺試料19の汚
染あるいはガイドローラ20の加熱に伴う長尺試
料19への悪影響を確実に防止することができ
る。
The sputtering metal scattered from the target 14 adheres to areas other than the surface of the long sample 19, but in the apparatus of this embodiment, the support 22 disposed inside the guide roller 20 (on the target 14 side) supports the guide roller 20. It plays the role of a cover, that is, an adhesion prevention plate, and is constantly cooled by the water cooling pipe 23, so sputtering metal adheres to the adhesion prevention member 22 and heats the adhesion prevention member 22. It is possible to prevent the guide roller 20 from being heated by the radiant heat and to prevent sputtering metal from adhering to the guide roller 20. Therefore, contamination of the elongated sample 19 due to adhesion of sputtering metal to the guide roller 20 or adverse effects on the elongated sample 19 due to heating of the guide roller 20 can be reliably prevented.

長尺試料19にターゲツト14を構成する金属
被膜を形成する代わりに、金属酸化物の被膜を形
成する場合には、前記酸素ガスボンベ39に通ず
るバルブ39aも開放しスパツタリング装置本体
1内にアルゴンガスとともに酸素ガスを供給し、
同装置本体1内をアルゴン及び酸素の低圧混合気
雰囲気に保持した状態でターゲツト14と陽極1
8間に直流高電圧を印加する。アルゴンガス及び
酸素ガスが存在する場合には、前記と同様にして
ターゲツト14から叩き出された金属が直ちに酸
素イオンにより酸化されて酸化物となり、酸化物
の状態で長尺試料19に付着するため長尺試料1
9の表面には金属酸化物の被膜が形成される。
When forming a metal oxide film on the long sample 19 instead of forming the metal film constituting the target 14, the valve 39a leading to the oxygen gas cylinder 39 is also opened and the sputtering apparatus main body 1 is filled with argon gas. supply oxygen gas,
The target 14 and the anode 1 are kept in a low-pressure mixed atmosphere of argon and oxygen inside the main body 1 of the device.
DC high voltage is applied between 8 and 8. When argon gas and oxygen gas are present, the metal ejected from the target 14 in the same manner as described above is immediately oxidized by oxygen ions and becomes an oxide, which adheres to the long sample 19 in the oxide state. Long sample 1
A metal oxide film is formed on the surface of 9.

なお、この発明は前記実施例に限定されるもの
ではなく、例えば次のようにして具体化すること
も可能である。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and can be embodied as follows, for example.

(1) 第5図a〜dに示すように防着部材の役割も
兼ねた支柱22を断面V字状、円弧状、〓状あ
るいは平板状に形成してもよい。
(1) As shown in FIGS. 5a to 5d, the support column 22 which also serves as a protection member may be formed to have a V-shaped cross section, an arc shape, a square shape, or a flat plate shape.

(2) 支柱22をガイドローラ20の防着部材の役
割を果すために各ガイドローラ20の内側に配
設することは必ずしも必要ではなく、支柱22
を長尺試料19の移動経路の外側に配設し、支
柱22とは別に防着部材を配設してもよい。こ
の場合には防着部材の材質は金属に限らず耐熱
性のあるセラミツクス等で形成してもよい。さ
らに、スパツタリング装置の連続運転時間が短
い場合には防着部材をガイドローラ20から離
れた位置に配置すれば水冷配管23は必ずしも
必要でない。
(2) It is not necessarily necessary to arrange the pillars 22 inside each guide roller 20 in order to play the role of a sticking prevention member for the guide rollers 20;
may be disposed outside the moving path of the elongated sample 19, and an anti-adhesion member may be disposed separately from the support column 22. In this case, the material of the anti-adhesion member is not limited to metal, but may be made of heat-resistant ceramics or the like. Furthermore, if the continuous operation time of the sputtering apparatus is short, the water cooling pipe 23 is not necessarily required if the adhesion prevention member is placed at a position away from the guide roller 20.

(3) 送出ローラ24及び巻取ローラ25をガイド
ローラ20が配設された同一円周上に配置して
もよい。この場合には送出ローラ24及び巻取
ローラ25に巻かれている長尺試料19にスパ
ツタリング金属が付着するのを防ぐための防着
部材を設ける必要がある。
(3) The delivery roller 24 and the take-up roller 25 may be arranged on the same circumference where the guide roller 20 is arranged. In this case, it is necessary to provide an adhesion prevention member to prevent sputtering metal from adhering to the elongated sample 19 wound around the delivery roller 24 and the take-up roller 25.

(4) ターゲツト14を構成する金属は特に限定さ
れず、スパツタリング可能な全ての金属(合金
を含む)を採用することができる。すなわち、
単体の金属としては金、銀、アルミニウム、ス
ズ、亜鉛、チタン、ニツケル、銅、コバルト、
クロム等が、合金ではハステロイ、パーマロ
イ、ステンレス鋼が耐蝕性や色彩の点で適して
いる。前記金属あるいは合金は用途、色調、コ
スト等に応じて選択される。
(4) The metal constituting the target 14 is not particularly limited, and all metals (including alloys) that can be sputtered can be used. That is,
Single metals include gold, silver, aluminum, tin, zinc, titanium, nickel, copper, cobalt,
Chromium, etc., and alloys such as Hastelloy, Permalloy, and stainless steel are suitable in terms of corrosion resistance and color. The metal or alloy is selected depending on the purpose, color tone, cost, etc.

(5) 前記実施例の装置における酸素ガスボンベ3
9に代えて窒素ガスボンベを接続することによ
り金属酸化物被膜に代えて金属窒化物被膜を長
尺試料19の表面に付着することも可能であ
る。又、アルゴンガスに代えてキセノン等の不
活性ガスを使用してもよい。
(5) Oxygen gas cylinder 3 in the apparatus of the above embodiment
It is also possible to attach a metal nitride film to the surface of the elongated sample 19 instead of the metal oxide film by connecting a nitrogen gas cylinder instead of the metal oxide film. Furthermore, an inert gas such as xenon may be used instead of argon gas.

(6) 前記の他に、スパツタリング装置本体1を基
台2とその上面に載置されるケーシング3とか
ら構成する代わりに、有底のケーシングとその
上部開口部を気密状態に覆う蓋体とから構成し
たり、ガイドローラ20も積極駆動される構成
を採用するなどこの発明の趣旨を逸脱しない範
囲において各部の形状、構成等を任意に変更す
ることも可能である。
(6) In addition to the above, instead of forming the sputtering device main body 1 from the base 2 and the casing 3 placed on the top surface thereof, it may include a bottomed casing and a lid body that airtightly covers the upper opening of the casing. It is also possible to arbitrarily change the shape, structure, etc. of each part without departing from the spirit of the present invention, such as by adopting a configuration in which the guide roller 20 is also actively driven.

発明の効果 以上詳述したように、この発明によれば円筒型
ターゲツトの周囲を取囲むように長尺試料が移動
し、前記ターゲツトから放射状に飛散するスパツ
タリング金属が長尺試料表面に付着されるのでス
パツタリング金属が付着する範囲が広くなり、長
尺試料の巻取速度すなわちスパツタリング処理速
度を速くすることができる。又、円筒型ターゲツ
トを使用することによりスパツタリング圧力を
10-4Torr台に低くすることができるので、長尺
試料の表面に形成される金属被膜の色調が黒ずむ
ことを防止することができる。さらに、長尺試料
を案内するガイドローラの表面に対するスパツタ
リング金属の付着及びガイドローラの加熱を確実
に防止することができ、ガイドローラへのスパツ
タリング金属の付着に伴う試料の汚染あるいはガ
イドローラの加熱に伴う試料に対する悪影響を確
実に回避することができるという優れた効果を奏
する。
Effects of the Invention As detailed above, according to the present invention, a long sample is moved to surround a cylindrical target, and sputtering metal scattered radially from the target is attached to the surface of the long sample. Therefore, the area to which the sputtering metal adheres becomes wider, and the winding speed of the long sample, that is, the sputtering processing speed can be increased. In addition, sputtering pressure can be reduced by using a cylindrical target.
Since the temperature can be lowered to as low as 10 -4 Torr, it is possible to prevent the color tone of the metal film formed on the surface of a long sample from darkening. Furthermore, it is possible to reliably prevent sputtering metal from adhering to the surface of the guide roller that guides the long sample and heating the guide roller, thereby preventing contamination of the sample or heating of the guide roller due to adhesion of sputtering metal to the guide roller. This has the excellent effect of reliably avoiding the accompanying adverse effects on the sample.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1〜4図はこの発明を具体化した一実施例を
示すものであつて、第1図は平断面図、第2図は
一部破断正面図、第3図は第1図のA−A線断面
図、第4図はラツク部分を示す部分斜視図、第5
図a〜dは防着部材としての支柱の変更例を示す
平断面図、第6図は従来のスパツタリング処理装
置を示す縦断面図である。 スパツタリング装置本体…1、ケーシング…
3、ターゲツト…14、陽極…18、長尺試料…
19、ガイドローラ…20、防着部材としての支
柱…22、水冷配管…23、送出ローラ…24、
巻取ローラ…25。
1 to 4 show an embodiment embodying the present invention, in which FIG. 1 is a plan sectional view, FIG. 2 is a partially cutaway front view, and FIG. 3 is an A-- A-line sectional view, Figure 4 is a partial perspective view showing the rack part, Figure 5 is a partial perspective view showing the rack part.
Figures a to d are plan cross-sectional views showing modified examples of support columns as adhesion-preventing members, and Fig. 6 is a vertical cross-sectional view showing a conventional sputtering processing apparatus. Sputtering device body…1, casing…
3. Target...14, Anode...18, Long sample...
19, Guide roller...20, Support as anti-stick member...22, Water cooling pipe...23, Delivery roller...24,
Take-up roller...25.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 円筒型ターゲツト14の周囲に布、フイルム
等の長尺試料19を案内するガイドローラ20
を、前記長尺試料19の移動経路が前記円筒型タ
ーゲツト14を囲むほぼ円周状となるように前記
円筒型ターゲツト14を中心とした円周上に多数
配設し、前記ガイドローラ20と前記ターゲツト
14との間にガイドローラ20の直径以上の幅を
有する防着部材22を各ガイドローラ20と対向
する位置に近接して配設するとともに、この防着
部材22には冷却用の水冷配管23を装着したこ
とを特徴とするスパツタリング装置。
1 Guide roller 20 that guides a long sample 19 such as cloth or film around the cylindrical target 14
are arranged in large numbers on a circumference centered on the cylindrical target 14 so that the moving path of the elongated sample 19 is substantially circumferential surrounding the cylindrical target 14, and the guide roller 20 and the An anti-adhesive member 22 having a width equal to or larger than the diameter of the guide roller 20 is disposed close to the target 14 at a position facing each guide roller 20, and this anti-adhesive member 22 is provided with water cooling piping for cooling. A sputtering device characterized by being equipped with 23.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO1992016671A1 (en) * 1991-03-20 1992-10-01 Canon Kabushiki Kaisha Method and device for forming film by sputtering process

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5252133A (en) * 1975-07-11 1977-04-26 Tokuda Seisakusho Continuous film coating apparatus

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5252133A (en) * 1975-07-11 1977-04-26 Tokuda Seisakusho Continuous film coating apparatus

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