JPH02240912A - Wafer having notch - Google Patents

Wafer having notch

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Publication number
JPH02240912A
JPH02240912A JP6081289A JP6081289A JPH02240912A JP H02240912 A JPH02240912 A JP H02240912A JP 6081289 A JP6081289 A JP 6081289A JP 6081289 A JP6081289 A JP 6081289A JP H02240912 A JPH02240912 A JP H02240912A
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JP
Japan
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notch
wafer
center
shape
semiconductor wafer
Prior art date
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Pending
Application number
JP6081289A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Matsuo Takaoka
高岡 松雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP6081289A priority Critical patent/JPH02240912A/en
Publication of JPH02240912A publication Critical patent/JPH02240912A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54493Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number

Abstract

PURPOSE:To enable simple recognition of the surface and the back of a wafer having a notch by forming the notch in a laterally asymmetric shape changing discontinuously with a change in position in the direction of the center. CONSTITUTION:In a wafer 1 having a notch 2 formed in the peripheral part, the notch 2 is formed in a shape changing discontinuously with a change in position in the direction of the center and the shape of the notch 2 is made asymmetric laterally with respect to a center line 1a. Since the notch 2 formed in the peripheral part of the water 1 has the shape changing discontinuously with the change in position in the direction of the center, in other words, a detection light formed by the notch 2 is also discontinuous when rough alignment of the wafer 1 is executed by using a photosensor, for instance, and even a minute slippage of the rough alignment can be detected. Thereby an error in alignment can be diminished and the surface and the back of the wafer can be recognized simply by eyes.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体ウェハ等のノツチを有するウェハに関し、ウェハ
の表裏を節単に確認すると共に、粗アライメント誤差を
小さ(することを目的とし、周辺部にノツチが形成され
たノツチを有するウェハであって、前記ノツチを、中心
方向への位置変化に伴って非連続的に変化する形状とし
、且つ、該ノツチの形状を中心線に対して左右非対称と
するように構成する。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding wafers with notches such as semiconductor wafers, the purpose of this invention is to easily check the front and back sides of the wafer and to reduce rough alignment errors. A wafer having a notch, the notch having a shape that changes discontinuously as the position changes toward the center, and the shape of the notch being asymmetrical with respect to the center line. do.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明はノツチを有するウェハに関し、特に、半導体ウ
ェハ等の周辺部にノツチが形成されたノツチを有するウ
ェハに関する。
The present invention relates to a wafer having a notch, and more particularly to a wafer having a notch in which a notch is formed at the periphery of a semiconductor wafer or the like.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、半導体ウェハ等のノツチを有するウェハは、表裏
の区別および粗アライメントを行うために、互いに90
°異なる周辺部位にオリエンテーション・フラットが設
けられている。しかし、例えば、半導体ウェハにおいて
、互いに90″異なる周辺部位にオリエンテーション・
フラットを設けると、該ウェハの対称性が損なわれて、
ウェハの中心と実際の重心とが異なり、例えば、スピン
コータを使用して該半導体ウェハ上にレジスト剤を塗布
する場合、偏心によりレジスト剤を均一に塗布できない
ことがあった。
Conventionally, wafers with notches, such as semiconductor wafers, are separated by 90° from each other in order to distinguish between the front and back sides and perform rough alignment.
°Orientation flats are provided at different peripheral locations. However, for example, in a semiconductor wafer, the orientation and the
Providing a flat destroys the symmetry of the wafer,
The center of the wafer is different from the actual center of gravity, and for example, when applying a resist agent onto the semiconductor wafer using a spin coater, the resist agent may not be applied uniformly due to eccentricity.

このような、課題を解決するために、近年、半導体ウェ
ハの周辺部にノツチを形成したものが提案されている。
In order to solve these problems, a semiconductor wafer in which notches are formed in the periphery of the semiconductor wafer has been proposed in recent years.

この半導体ウェハの周辺部に形成されるノツチは、形状
が小さいためにウェハの中心と実際の重心とのずれが殆
ど無く、スピンコータによるレジスト剤の塗布も均一に
行うことができる。さらに、ノツチは、オリエンテーシ
ョン・フラットよりも逼かに小さいので、特に、大口径
の半導体ウェハ等を使用する場合に、半導体ウェハを有
効に使用して多数の半導体チップを作成することができ
るものである。
Since the notch formed at the periphery of the semiconductor wafer has a small shape, there is almost no deviation between the center of the wafer and the actual center of gravity, and the resist agent can be applied uniformly by a spin coater. Furthermore, since the notch is much smaller than the orientation flat, the semiconductor wafer can be used effectively to create a large number of semiconductor chips, especially when using a large diameter semiconductor wafer. be.

第5図は従来のノツチを有するウェハを示す図である。FIG. 5 shows a conventional notched wafer.

同図(a)に示されるノツチを有するウェハは、ウェハ
101の周辺部に設けたノツチ102の形状を、該ノツ
チ102の端が半導体ウェハ101の円周となる個所1
21および122において互いに異なる半径で面取りさ
れたものであり、ノツチを有するウェハの表裏の確認を
行えるようにされたものである。また、同図(b)に示
されるノツチを有するウェハは、ウェハ201の周辺部
に設けたノツチ202の形状を、該ノツチ202の端が
半導体ウェハ101の円周となる個所221および22
2におい−て互いに異なる角度で刻み目が入れられるよ
うになされ、上記した半導体ウェハ101と同様に、半
導体ウェハの表裏の確認を行えるようにされたものであ
る。
In the wafer having a notch shown in FIG.
21 and 122 are chamfered with different radii, so that it is possible to check the front and back sides of a wafer having a notch. In addition, in the wafer having a notch shown in FIG.
2, the notches are made at different angles from each other, so that, like the semiconductor wafer 101 described above, it is possible to check the front and back sides of the semiconductor wafer.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上述したように、従来、半導体ウェハに非対称形状のノ
ツチを設け、該ノツチを有するウェハの表裏を確認でき
るようにしたものが提案されている。
As described above, it has been proposed to provide a semiconductor wafer with an asymmetric notch so that the front and back sides of the wafer having the notch can be checked.

ところで、このようなノツチは、オリエンテーション・
フラットと同様に、半導体ウェハの粗アライメントを行
うためにも使用される。
By the way, such a notch is due to orientation and
Like flat, it is also used to perform rough alignment of semiconductor wafers.

しかし、従来のノツチを有するウェハは、ノツチの形状
が連続的に変化するようになされているため、例えば、
半導体ウェハ(ノツチを有するウェハ)の粗アライメン
トを行う場合、アライメント誤差が大きくなっていた。
However, in conventional notched wafers, the shape of the notch changes continuously, so for example,
When performing rough alignment of a semiconductor wafer (a wafer having a notch), alignment errors have become large.

すなわち、例えば、フォトセンサを使用して半導体ウェ
ハの粗アライメントを行う場合、第5図(a)および(
b)に示した従来のノツチを有するウェハは、ノツチ1
02および202の形状が、ウェハの中心および周辺方
向に対して連続的に変化するようになされているため、
微小な粗アライメントのずれを検出することが難しく、
アライメント誤差を小さくすることが困難であった。さ
らに、従来のノツチを有するウェハにおけるノツチの形
状は、中心線に対する非対称性も連続的な変化により現
されるため、目視により明確に表裏を判別するのは困難
なこともあった。
That is, for example, when performing rough alignment of a semiconductor wafer using a photosensor, FIGS. 5(a) and (
The conventional notched wafer shown in b) has notches 1
Since the shapes of 02 and 202 are made to change continuously with respect to the center and peripheral directions of the wafer,
Difficult to detect minute misalignment,
It has been difficult to reduce alignment errors. Furthermore, the shape of the notch in a conventional notched wafer exhibits continuous changes in asymmetry with respect to the center line, so that it is sometimes difficult to visually distinguish between the front and the back.

本発明は、上述した従来のノツチを有するウェハが有す
る課題に鑑み、ウエノ1.の表裏を簡単に確認すると共
に、粗アライメント誤差を小さくすることを目的とする
The present invention has been developed in view of the problems of the conventional notched wafers described above. The purpose is to easily check the front and back sides of the image and to reduce rough alignment errors.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

第1図は本発明に係るノツチを有するウェハの原理を示
す図である。
FIG. 1 is a diagram showing the principle of a wafer having a notch according to the present invention.

本発明によれば、周辺部にノツチ2が形成されたノツチ
を有するウェハ1であって、前記ノツチ2を、中心方向
への位置変化に伴って非連続的に変化する形状とし、且
つ、該ノツチ2の形状を中心線1aに対して左右非対称
としたことを特徴とするノツチを有するウェハが提供さ
れる。
According to the present invention, there is provided a wafer 1 having a notch 2 formed at the periphery, the notch 2 having a shape that changes discontinuously as the position changes toward the center, and A wafer having a notch characterized in that the shape of the notch 2 is asymmetrical with respect to the center line 1a is provided.

〔作 用〕[For production]

本発明のノツチを有するウェハによれば、ウェハlの周
辺部に形成されたノツチ2は、中心方向への位置変化に
伴って非連続的に変化する形状とされているので、例え
ば、フォトセンサを使用してウェハlの粗アライメント
を行う場合、ノツチ2による検出光も非連続的なものと
なり、微小な粗アライメントのずれでも検出可能となり
、アライメント誤差を小さくすることができる。さらに
、本発明のノツチを有するウェハにおけるノツチの形状
は、中心線1aに対する非対称性も非連続的な変化によ
り現出されるため、目視で簡単に表裏を確認することも
できる。
According to the wafer having a notch of the present invention, the notch 2 formed on the periphery of the wafer l has a shape that changes discontinuously as the position changes toward the center, so that it can be used as a photo sensor, for example. When roughly aligning the wafer 1 using the notch 2, the detection light by the notch 2 also becomes discontinuous, making it possible to detect even minute deviations in the rough alignment, thereby reducing alignment errors. Furthermore, since the shape of the notch in the notched wafer of the present invention exhibits asymmetry with respect to the center line 1a through discontinuous changes, it is also possible to easily confirm the front and back surfaces with the naked eye.

〔実施例〕〔Example〕

以下、図面を参照して本発明に係るノツチを有するウェ
ハの実施例を説明する。
Hereinafter, embodiments of a wafer having a notch according to the present invention will be described with reference to the drawings.

第2図は本発明のノツチを有するウェハの一実施例を示
す要部拡大図である。同図に示されるように、本実施例
のノツチを有するウェハ(半導体ウェハ)1は、円形状
の半導体ウェハ1の周辺部に形成されたノツチ2を中心
方向への位置変化に伴って非連続的に変化する階段形状
で、且つ、中心線1aに対して左右非対称として形成さ
れている。
FIG. 2 is an enlarged view of essential parts of an embodiment of a wafer having a notch according to the present invention. As shown in the figure, a wafer (semiconductor wafer) 1 having a notch according to this embodiment has a notch 2 formed at the periphery of a circular semiconductor wafer 1 discontinuously as the position changes toward the center. It has a step shape that changes over time, and is formed asymmetrically with respect to the center line 1a.

具体的に、ノツチ2は、半導体ウェハ1の中心を原点0
(0,0)として、6つの点A(rs、θ0)、 B(
ratθo)+ c(r++θ+)、D(rg+θ+)
、 E(rzt02)。
Specifically, the notch 2 points the center of the semiconductor wafer 1 at the origin 0.
(0,0), six points A(rs, θ0), B(
ratθo)+c(r++θ+), D(rg+θ+)
, E(rzt02).

F(ri+02)により規定される形状とされている。The shape is defined by F(ri+02).

第3図は第2図のノツチを有するウェハの機能を説明す
るための図であり、第4図は本発明のノツチを有するウ
ェハの粗アライメントを行う様子を示す図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining the function of the notched wafer of FIG. 2, and FIG. 4 is a diagram showing how the rough alignment of the notched wafer of the present invention is performed.

ところで、発光ダイオードおよびフォトダイオード等の
フォトセンサにより半導体ウェハ1の粗アライメントを
行う場合、−aに、該半導体ウェハlに設けられたノツ
チ2における光反射の有無が利用される。
By the way, when rough alignment of the semiconductor wafer 1 is performed using photosensors such as light emitting diodes and photodiodes, the presence or absence of light reflection at the notch 2 provided on the semiconductor wafer 1 is used as -a.

第4図に示されるように、半導体ウェハ1は、X−Yス
テージ制御装置49により位置制御されるX−Yステー
ジ50上に載置されている。X−Yステージ50とウェ
ハlとの間には、反射板51が配置されていて、発光ダ
イオード41からハーフミラ−42およびレンズ43を
介してノツチ2の部位に集光された光を反射するように
なされている。すなわち、ノツチ2の部位において、半
導体ウェハが存在しない個所では、発光ダイオード41
からの光が反射板51で反射され、該反射光はレンズ4
3およびハーフミラ−42シてフォトダイオード44に
到達するようになされている。
As shown in FIG. 4, the semiconductor wafer 1 is placed on an XY stage 50 whose position is controlled by an XY stage controller 49. As shown in FIG. A reflector plate 51 is arranged between the X-Y stage 50 and the wafer l, and reflects the light that is focused from the light emitting diode 41 onto the notch 2 via the half mirror 42 and the lens 43. is being done. That is, in the notch 2, where the semiconductor wafer is not present, the light emitting diode 41
is reflected by the reflecting plate 51, and the reflected light is reflected by the lens 4.
3 and a half mirror 42 to reach the photodiode 44.

フォトダイオード44で反射光が検出されると、該フォ
トダイオード44の出力は増幅器45で増幅され、A/
D変換器46に供給される。さらに、A/D変換器46
でディジタル変換された信号はマイクロコンピュータ4
7に供給され、該マイクロコンピュータ47で所定の演
算処理が行われて、回転軸制御装置48およびX−Yス
テージ制御装置49に制御信号がそれぞれ供給されるよ
うになされている。この制御信号に応じて、回転軸制御
袋y148により半導体ウェハ1が所定の位置まで回転
させられると共に、X−Yステージ制御装置49により
X方向およびY方向の位置制御が行われるようになされ
ている。このようにして、粗アライメントが行われた後
、より一層厳密なアライメント調整処理が行われ、半導
体ウェハ1に対するレジスト剤の塗布や露光等が行われ
ることになる。
When the reflected light is detected by the photodiode 44, the output of the photodiode 44 is amplified by the amplifier 45, and the output from the photodiode 44 is amplified by the amplifier 45.
The signal is supplied to a D converter 46. Furthermore, the A/D converter 46
The digitally converted signal is sent to the microcomputer 4.
7, predetermined arithmetic processing is performed by the microcomputer 47, and control signals are supplied to the rotation axis control device 48 and the XY stage control device 49, respectively. In response to this control signal, the semiconductor wafer 1 is rotated to a predetermined position by the rotation axis control bag y148, and the position in the X direction and the Y direction is controlled by the X-Y stage control device 49. . After the rough alignment is performed in this manner, a more precise alignment adjustment process is performed, and the semiconductor wafer 1 is coated with a resist agent, exposed to light, and the like.

次に、発光ダイオード41からハーフミラ−42および
レンズ43を介してノツチ2の部位に集光される光の位
置と、フォトダイオード44で検出される光との関係を
詳述する。
Next, the relationship between the position of the light focused from the light emitting diode 41 on the notch 2 via the half mirror 42 and the lens 43 and the light detected by the photodiode 44 will be described in detail.

フォトダイオード44により検出される光は、半導体ウ
ェハ1のノツチ2の部位において、半径rlとr2の間
では回転角θ。とθ、の間だけであり、また、半径r2
とr、の間では回転角θ。とθ2の間だけである。この
ように、ノツチ2の形状は、半導体ウェハ1の中心方向
への位置変化に伴って非連続的に変化す−る階段形状と
されているので、半導体ウェハ1の粗アライメントを複
数個所で確認することができる。
The light detected by the photodiode 44 has a rotation angle θ between the radii rl and r2 at the notch 2 of the semiconductor wafer 1. and θ, and the radius r2
The rotation angle θ is between and r. and θ2 only. In this way, since the shape of the notch 2 is a step shape that changes discontinuously as the position changes toward the center of the semiconductor wafer 1, the rough alignment of the semiconductor wafer 1 can be checked at multiple locations. can do.

すなわち、第2図および第3図に示されるように、ノツ
チ2において、半径r、とr!の間の光に対しては、回
転角がθ。およびθ、となる端部A−Bおよび端部D−
Cにおいて検出光の有無が変化し、また、半径r2とr
、の間の光に対しては、回転角がθ。およびθ2となる
端部A−Bおよび端部F−Eにおいて検出光の有無が変
化するので、これらの各端部において粗アライメントの
確認を行うことができる。さらに、本実施例のノツチを
有するウェハlにおけるノツチの形状2は、中心線1a
に対する非対称性も非連続的な変化により現されるため
、従来のノツチ形状が連続的に変化するものと比較して
、ノツチを有するウェハの表裏をより一層簡単に確認す
ることができる。
That is, as shown in FIGS. 2 and 3, at the notch 2, radii r and r! For light between, the rotation angle is θ. and θ, end A-B and end D-
The presence or absence of detection light changes at C, and the radii r2 and r
For light between , the rotation angle is θ. Since the presence or absence of the detection light changes at the ends A-B and FE, which are θ2 and θ2, the rough alignment can be confirmed at each of these ends. Furthermore, the shape 2 of the notch in the wafer l having the notch of this example is defined by the center line 1a
Since the asymmetry with respect to the notch is also manifested by discontinuous changes, it is possible to more easily confirm the front and back sides of a wafer having a notch, compared to the conventional notch shape in which the shape changes continuously.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上、詳述したように、本発明に係るノツチを有するウ
ェハは、ノツチを中心方向の位置変化に伴、って非連続
的に変化する左右非対称の形状とすることによって、ノ
ツチを有するウェハの表裏を簡単に認識すると共に、誤
差の小さい粗アライメントを行うことができる。
As described above in detail, the wafer having a notch according to the present invention has an asymmetrical shape that changes discontinuously as the position of the notch changes in the central direction. It is possible to easily recognize the front and back sides and perform rough alignment with small errors.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に係るノツチを有するウェハの原理を示
す図、 第2図は本発明のノツチを有するウェハの一実施例を示
す・要部拡大図、 第3図は第2図のノツチを有するウェハの機能を説明す
るための図、 第4図は本発明のノツチを有するウェハの粗アライメン
トを行う様子を示す図、 第5図は従来のノツチを有するウェハを示す図である。 (符号の説明) 1・・・ノツチを有するウェハ(半導体ウェハ)、1a
・・・中心線、 2・・・ノツチ。 半導体基板の中心 本発明のノツチを有マるウェハの一実施例を示す要部拡
大図$20 第2図のノツチを有するウェハの機能を説明するための
9第3区 本発明に係るノツチを有するウェハの原理を示す図(b
) 従来のノツチを有するウェハを示す図 第51図
Fig. 1 is a diagram showing the principle of a wafer having a notch according to the present invention, Fig. 2 is an enlarged view of the main part of an embodiment of a wafer having a notch according to the present invention, and Fig. 3 is a diagram showing the principle of a wafer having a notch according to the present invention. FIG. 4 is a diagram illustrating the rough alignment of a wafer having a notch according to the present invention, and FIG. 5 is a diagram illustrating a conventional wafer having a notch. (Explanation of symbols) 1...Wafer with a notch (semiconductor wafer), 1a
...center line, 2...notsuchi. Center of semiconductor substrate Enlarged view of main parts showing one embodiment of a wafer having a notch according to the present invention $20 Section 9 for explaining the function of the wafer having a notch according to the present invention shown in Figure 2 Section 3: A notch according to the present invention A diagram showing the principle of a wafer with
) Figure 51 shows a wafer with a conventional notch.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、周辺部にノッチ(2)が形成されたノッチを有する
ウェハ(1)であって、 前記ノッチを、中心方向への位置変化に伴って非連続的
に変化する形状とし、且つ、該ノッチの形状を中心線(
1a)に対して左右非対称としたことを特徴とするノッ
チを有するウェハ。
[Scope of Claims] 1. A wafer (1) having a notch (2) formed at the periphery, the notch having a shape that changes discontinuously as the position changes toward the center. and the shape of the notch is aligned with the center line (
A wafer having a notch characterized by being asymmetrical with respect to 1a).
JP6081289A 1989-03-15 1989-03-15 Wafer having notch Pending JPH02240912A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6081289A JPH02240912A (en) 1989-03-15 1989-03-15 Wafer having notch

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6174222B1 (en) 1995-06-09 2001-01-16 Hitachi, Ltd. Process for fabrication of semiconductor device, semiconductor wafer for use in the process and process for the preparation of the wafer

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6174222B1 (en) 1995-06-09 2001-01-16 Hitachi, Ltd. Process for fabrication of semiconductor device, semiconductor wafer for use in the process and process for the preparation of the wafer

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