JPH02238709A - Driver - Google Patents

Driver

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JPH02238709A
JPH02238709A JP5783389A JP5783389A JPH02238709A JP H02238709 A JPH02238709 A JP H02238709A JP 5783389 A JP5783389 A JP 5783389A JP 5783389 A JP5783389 A JP 5783389A JP H02238709 A JPH02238709 A JP H02238709A
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JP
Japan
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output
voltage
switching element
signal transmission
channel type
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Application number
JP5783389A
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Japanese (ja)
Inventor
Nobuyuki Takahashi
信行 高橋
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Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To increase the output current without changing a power voltage at the rising of an output circuit by controlling the output current through the addition of a delay circuit and the use of capacitance coupling. CONSTITUTION:A signal transmission line 10 connects in series with an output terminal of a switching element 1 passing an applied voltage in one-way and a delay circuit 2 whose output terminal connects to a capacitor 7 in series is connected in parallel with the signal transmission line 10 and an input terminal of an output switching element 3 connects to the signal transmission line 10. Then the output voltage is boosted by using the capacitive coupling. Thus, a drive circuit increasing its output current at rising of the output circuit 6 without varying the power voltage is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は容皺結合を用いて出力電圧を昇圧させる駆動装
置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to a drive device that boosts an output voltage using capacitive coupling.

(従来の技術) 従来の駆動装置は、第5図に示すように、Pチャンネル
型(1a)及びNチャンネル型(lb)のMOS トラ
ンジスタを直列に接続した相補型MOSトランジスタ(
以下C−MOSトランジスタと称する)のそれぞれのゲ
ートに真あるいは非真の電圧を印加することによシ上記
Pチャンネル型(1a)及びNチャンネル型(lb)の
MO8トランジスタをONあるいはOFFのスイッチ動
作をさせて、上記Pチャンネル型MOSトランジスタ(
1a)のソースに接続された高電圧出力Nチャンネル型
MOSトランジスタ(3a)のゲートに上記Pチャンネ
ル型MOSトランジスタ(la)のドレインに印加され
た電荷が入力される。そして、この入力された電荷が真
あるいは非真であるかにより上記高電圧出力Nチャンネ
ル型MOSトランジスタ(3a)をONあるいはOFF
させて、そのドレインに接続された出力回路(6)を駆
動させるというものである。
(Prior Art) As shown in FIG. 5, a conventional drive device uses a complementary MOS transistor (
The P-channel type (1a) and N-channel type (lb) MO8 transistors are switched on or off by applying a true or non-true voltage to the respective gates of the C-MOS transistors (hereinafter referred to as C-MOS transistors). The above P-channel type MOS transistor (
The charge applied to the drain of the P-channel MOS transistor (la) is input to the gate of the high voltage output N-channel MOS transistor (3a) connected to the source of the transistor 1a). Then, depending on whether the input charge is true or non-true, the high voltage output N-channel type MOS transistor (3a) is turned on or off.
This is to drive the output circuit (6) connected to its drain.

上述した従来の駆動装置の動作を第6図(a)乃至(C
)タイミングチャートを参照して説明する。
The operation of the conventional drive device described above is shown in FIGS. 6(a) to (C).
) This will be explained with reference to the timing chart.

上記Pチャンネル型(1a)及び上記Nチャンネル型(
lb)のゲートに真(VDD)の電圧(第6図(a))
が入力されると、上記Pチャンネル型MOSトランジス
タ(la)はOFFL、上記Nチャンネル型MO8 ト
ランジスタ(lb)はONする。その結果、上記高電圧
出力Nチャンネル型MOSトランジスタ(3a)のゲー
ト電位は、上記Nチャンネル型MOS トランジスタ(
lb)のソースが接地されているので零となる(第6図
(b))。
The above P channel type (1a) and the above N channel type (
true (VDD) voltage on the gate of lb) (Figure 6(a))
When inputted, the P-channel type MOS transistor (la) turns OFF, and the N-channel type MO8 transistor (lb) turns ON. As a result, the gate potential of the high-voltage output N-channel MOS transistor (3a) is lower than that of the N-channel MOS transistor (3a).
Since the source of lb) is grounded, it becomes zero (Fig. 6(b)).

従って、上記高亀田出力Nチャンネル型MOSトランジ
スタ(3a)のゲートには、非真(零)が入力されるの
でOFFになシ、ソースードレイン間には電流が流れな
い(第6図(C))。次に上記C−MOSトランジスタ
の上記ゲートに非真(零)の電圧(第6図(a))が入
力されると上記Pチャンネル型MOSトランジスタ(l
a)はONL、上記Nチャンネル型MO8}ラーンジス
タ(lb)はOFFする。そうすると、上記高電圧出力
Nチャンネル型MOSトランジスタ(3a)のゲート電
位は、上記C−MOSトランジスタの上記Pチャンネル
型MOSトランジスタ(la)のドレインには電源V 
D D (5)が接続されているのでVDDとなるが、
MOSトランジスタは動作速度があまり速くないので多
少時間的に遅れる(第6図(b))。従って上記高電圧
出力Nチャンネル型MO8トランジスタ(3a)のゲー
トには真(Vos)が入力されるのでONし、ソースー
ドレイン間に電流IDDが流れる(第6図(C))。
Therefore, since a non-true (zero) signal is input to the gate of the Taka-Kameda output N-channel type MOS transistor (3a), it cannot be turned off, and no current flows between the source and drain (Fig. 6(C) )). Next, when a non-true (zero) voltage (FIG. 6(a)) is input to the gate of the C-MOS transistor, the P-channel MOS transistor (l
a) is ONL, and the N-channel type MO8} range resistor (lb) is turned off. Then, the gate potential of the high voltage output N-channel MOS transistor (3a) is the same as that of the power supply V at the drain of the P-channel MOS transistor (la) of the C-MOS transistor.
Since D D (5) is connected, it becomes VDD, but
Since the operating speed of the MOS transistor is not very fast, there is a slight time delay (FIG. 6(b)). Therefore, the high voltage output N-channel type MO8 transistor (3a) is inputted with a true voltage (Vos) to the gate, so it is turned on, and a current IDD flows between the source and drain (FIG. 6(C)).

(発明が解決しようとする課題) 駆動装置を用いてその出力漏に接続された回路を駆動す
る場合において、その立ち上げ時に大きな電流()I 
DD )を流して駆動したい場合がある0しかしながら
、上述したよりな述来の高電圧出力Nチャンネル型MO
Sトランジスタ(3a)のソースードレイン間に大きな
電流を流すためにはゲートに大きな電圧(>VDD)を
印加しなければならない。そうするためKは、高電圧出
力Nチャンネル型MOSトランジスタ(3a)のゲート
に接続されているC−MOS トランジスタの出力電圧
を増加させる。すなわちC−MO8トランジスタドレイ
ンに接続されている電源VDD(5)の電圧を増加させ
なければならない。あるいは上記高電圧出力Nチャンネ
ル型MOSトランジスタ(3a)のソース及びドレイン
の面積を大きくしなければならない。しかしながら、電
源の電圧を増加させると消費電流も増加するという問題
が発生する。
(Problem to be Solved by the Invention) When a drive device is used to drive a circuit connected to its output leakage, a large current () I
However, the above-mentioned higher voltage output N-channel type MO
In order to cause a large current to flow between the source and drain of the S transistor (3a), a large voltage (>VDD) must be applied to the gate. To do so, K increases the output voltage of the C-MOS transistor connected to the gate of the high voltage output N-channel type MOS transistor (3a). That is, the voltage of the power supply VDD (5) connected to the drain of the C-MO8 transistor must be increased. Alternatively, the area of the source and drain of the high voltage output N-channel type MOS transistor (3a) must be increased. However, a problem arises in that increasing the voltage of the power supply also increases current consumption.

また電源の電圧の定格が定まっていて1それ以上電源電
圧を増加させることができない場合が多いので、電源電
圧の増加にも問題がある。また、上記高電圧出力Nチャ
ンネル型MOS トランジスタ(3a)のソース及びド
レインの面積を大きくすると、半導体チップの面積が大
きくなってしまい、集積度の低下を招くし製造コストも
上がる。
In addition, there is also a problem in increasing the power supply voltage because the voltage rating of the power supply is fixed and it is often impossible to increase the power supply voltage by more than one level. Furthermore, if the area of the source and drain of the high voltage output N-channel MOS transistor (3a) is increased, the area of the semiconductor chip will be increased, leading to a decrease in the degree of integration and an increase in manufacturing cost.

このように従来においては、駆動装電に接続されている
回路を立ち上げる時に大きな電流を流す場合があったが
、消費電流が増加する、電源電圧を増加させることが、
できない半導体チップの面積が大きくな9集積度の低下
を招く、製造コストが上がる等の問題があった。
In this way, in the past, a large current sometimes flowed when starting up the circuit connected to the drive power supply, but increasing the power supply voltage, which increases the current consumption,
There were problems such as a large area of the semiconductor chip, a decrease in the degree of integration, and an increase in manufacturing costs.

そこで本発明は、電源電圧を変化させずに出力回路立ち
上げ時に、出力電流を増加させる駆動回路を提供するこ
とを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a drive circuit that increases the output current when starting up the output circuit without changing the power supply voltage.

〔発明の構成〕 (課題を解決するための手段) 本発明の駆動装置においては、一方向に電圧を印加する
スイッチング素子の出力端に直列に信号伝送路を接続し
、この信号伝送路と並列に、その出力端にコンデンサが
直列に接絖された遅延回路を接続し、上記信号伝送路に
出力用スイ,チング素子の入力端を接続するように構成
されている。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) In the drive device of the present invention, a signal transmission path is connected in series to the output end of a switching element that applies voltage in one direction, and a signal transmission path is connected in parallel to this signal transmission path. A delay circuit having a capacitor connected in series is connected to the output terminal thereof, and an input terminal of the output switching element is connected to the signal transmission path.

(作用) 上述したように構成されたものにおいては、スイッチン
グ素子から出力された電圧が信号伝送路と遅延回路の2
方向に分かれ、上記遅延回路に印加された電圧は上記信
号伝送路に印加された電圧よりも少し遅延して上記遅延
回路に直列に接続されたコンデンサに到達する。また、
この時にはすでに上記コンデンサには充電されているの
で上記遅延回路Kよυ連れて出力された電圧が加わり、
この2つの電圧が出力用スイッチング素子の入力端に加
えられることにより大きな出力電流を流すことができる
(Function) In the device configured as described above, the voltage output from the switching element is transmitted between the signal transmission path and the delay circuit.
The voltage applied to the delay circuit reaches the capacitor connected in series to the delay circuit with a slight delay from the voltage applied to the signal transmission path. Also,
At this time, the capacitor is already charged, so the voltage output from the delay circuit K is added to it.
By applying these two voltages to the input terminal of the output switching element, a large output current can flow.

(実施例) 以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。第1
図は本発明に係る駆動装鵞の一実例を示す。この図にお
いて、スイッチング素子(1)には入力(4)及び外部
供給電源(5)が接続されていて、上記入力(4)から
制御信号を入力することによシ上記スイッチング素子+
1)をON,OFFする。また、上記スイッチング素子
(1)の出力端には直列に信号伝送路四の一端が接続さ
れていて、その他端は出力用スイッチング素子(3)の
ゲートに人力されている。そして、この信号伝送路(1
Gと並列に上記スイッチング素子から出力された電圧を
遅延させるための遅延回路(2)とこれに直列に接続さ
れたコンデンサ(7)が接続されている。そして、上記
信号伝送路a1及び上記遅延回路(力を通過した電圧は
、上記出力用スイッチング素子(3)に人力されてこの
出力用スイッチング素子をON,OFFLて、その出力
端に接続された出力回路(6)をON,OFFする。
(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings. 1st
The figure shows an example of a drive device according to the present invention. In this figure, an input (4) and an external power supply (5) are connected to the switching element (1), and by inputting a control signal from the input (4), the switching element +
1) Turn ON and OFF. Further, one end of a signal transmission line 4 is connected in series to the output end of the switching element (1), and the other end is manually connected to the gate of the output switching element (3). Then, this signal transmission path (1
A delay circuit (2) for delaying the voltage output from the switching element and a capacitor (7) connected in series with the delay circuit (2) are connected in parallel with G. Then, the voltage that has passed through the signal transmission path a1 and the delay circuit (power) is manually applied to the output switching element (3) to turn this output switching element ON and OFF, resulting in an output connected to its output terminal. Turn on and off the circuit (6).

次に上述の駆動回路をMO8トランジスタを用いて構成
した場合について第3図を用いて説明する。この図にお
いて、第1図で示したスイッチング素子(リKは、Pチ
ャンネル型MO8トランジスタ(la)のソースと逆竃
流防止の為のダイオード(8)のアノードとを接続し、
上記ダイオード(8)のカソードとNチャンネル型MO
S トランジスタ(b)のドレインとが接続され、そし
てソースは接地されている。また、上記Pチャンネル型
(la)及びNチャンネル型(b)MO8トランジスタ
のゲートκはそれぞれ別々に入力(4a)及び(4b)
が接続されていて、上記Pチャンネル型MOSトランジ
スタのドレインには外部供給電源V D D (5)が
接続されている。そして、第1図で示した遅延回路には
、Pチャンネル型MO8トランジスタとNチャンネル型
トランジスタを直列K接続したC −MO Sトランジ
スタ(2 )*  (2b)e  (zc )、(2d
)が直列に4個接綬されていて、それぞれ上記Pチャン
ネル型MOSトランジスタのドレインには電源■GS(
9a),(9b),(9C),(9d)が接続され、上
記Nチャンネル型MOSトランジスタのソースは接地さ
れている。また、上記C−MO8トランジスタには直列
に昇圧のためのコンデンサ(7)が接続されている。ま
た、第1図で示した出力用スイッチング素子(3)には
高電圧出力Nチャンネル型トランジスタ(3a)が接続
されていて、そのソースは接地され、またドレインには
出力回路(6)に接続されている。
Next, a case where the above-mentioned drive circuit is constructed using MO8 transistors will be explained using FIG. 3. In this figure, the switching element shown in FIG.
The cathode of the diode (8) and the N-channel MO
The drain of S transistor (b) is connected, and the source is grounded. In addition, the gates κ of the P-channel type (la) and N-channel type (b) MO8 transistors are inputted separately (4a) and (4b), respectively.
The drain of the P-channel type MOS transistor is connected to an external power supply V DD (5). The delay circuit shown in FIG. 1 includes C-MOS transistors (2) * (2b)e (zc), (2d
) are connected in series, and the drain of each P-channel type MOS transistor is connected to a power supply ■GS (
9a), (9b), (9C), and (9d) are connected, and the source of the N-channel type MOS transistor is grounded. Further, a capacitor (7) for boosting the voltage is connected in series to the C-MO8 transistor. Furthermore, a high voltage output N-channel type transistor (3a) is connected to the output switching element (3) shown in Fig. 1, and its source is grounded and its drain is connected to the output circuit (6). has been done.

次に、上述した駆動装置の動作を第4図(a)乃至(d
)タイミングチャートを用いて説明する。
Next, the operation of the drive device described above will be explained in FIGS. 4(a) to 4(d).
) Explain using a timing chart.

上記Pチャンネル型(1a)及び上記Nチャンネル型(
lb)のゲートに真(VDD )の電圧(第4図(a)
)が入力されると、上記Pチャンネル型MOSトランジ
xタ( t a )はOFFし、上記Nチャンネル型M
OSトランジスタ(lb)はONする0そうすると、上
記スイッチング素子(1)の出力電圧は上記Nチャンネ
ル型MO8 トランジスタ(lb)のソースが接地され
ているので、零となる。また、遅延回路である上記C−
MOSトランジスタ(2a)s  (2b)e  (2
C)− (2d)は、インバータ動作を行うため、その
出力電圧は零Kなる(第4図(C) ).その結果、上
記゛高電圧出力Nチャンネル型MO8トランジスタ(3
a)のゲート電位は零になる(第4図(b))。ゲート
電位が非真増であるので上記高電圧出力Nチャンネル型
MO8 トランジスタ(3a)はOFFし、出力電流は
零になる(第・4図(d))。次に、上記Pチャンネル
型(la)及びNチャンネル型(lb)のゲートに非真
閣の電圧(第4図(a))を入力すると、上記Pチャン
ネル型MOSトランジスタ(la)はONし、上記Nチ
ャンネル型MOSトランジスタ(lb)はOFFする。
The above P channel type (1a) and the above N channel type (
The true (VDD) voltage (Figure 4(a)
) is input, the P-channel MOS transistor (t a ) is turned off, and the N-channel MOS transistor
The OS transistor (lb) is turned on (0).Then, the output voltage of the switching element (1) becomes zero because the source of the N-channel type MO8 transistor (lb) is grounded. In addition, the above C- which is a delay circuit
MOS transistor (2a)s (2b)e (2
C)-(2d) performs inverter operation, so its output voltage becomes 0K (Fig. 4(C)). As a result, the above-mentioned ``high voltage output N-channel type MO8 transistor (3
The gate potential of a) becomes zero (FIG. 4(b)). Since the gate potential is not truly increasing, the high voltage output N-channel type MO8 transistor (3a) is turned off and the output current becomes zero (FIG. 4(d)). Next, when a non-magnetic voltage (Fig. 4(a)) is input to the gates of the P-channel type (la) and N-channel type (lb), the P-channel type MOS transistor (la) is turned on, The N-channel MOS transistor (lb) is turned off.

そうすると、上記スイッチング素子(1)の出力電圧は
上記Pチャンネル型MOSトランジスタ(la)のドレ
インには外部供給電源VDD(5)が接続されているの
でVDD となる。また、遅延回路である上記C−MO
Sトランジスタ(2aL  (2b)t  (2C),
(2d)はインバータ動作を行ない遅延する。そして、
その出力電圧は、遅延回路の最終段に接続されているC
−MOSトランジスタ(2d)のPチャンネル型MO8
トランジスタのドレインには外部供給電源Yes(9d
)が接続されているのでVGSとなる(第4図(C))
。その結果、上記高電圧出力Nチャンネル型MO8トラ
ンジスタ(3a)のゲート電位は、最初、上記電送路を
通過したVDDなる。
Then, the output voltage of the switching element (1) becomes VDD because the external power supply VDD (5) is connected to the drain of the P-channel type MOS transistor (la). In addition, the above C-MO which is a delay circuit
S transistor (2aL (2b)t (2C),
(2d) performs an inverter operation and is delayed. and,
Its output voltage is connected to the final stage of the delay circuit.
-MOS transistor (2d) P-channel type MO8
The drain of the transistor is connected to an external power supply Yes (9d
) is connected, so it becomes VGS (Figure 4 (C))
. As a result, the gate potential of the high voltage output N-channel type MO8 transistor (3a) is initially equal to VDD which has passed through the power transmission path.

またこの時、上記コンデンサ(力も充電される。そして
、ちょうど充電された頃に上記遅延回路によりYesが
遅延して出力され、上記コンデンサ(7)の容量結合に
よシ上記高電圧出力Nチャンネル型MOSトランジスタ
(3a)のゲート電位はVDD+Yesになる(第4図
(b) )。更に、上述したゲ−ト電位がVDv+Va
sになると上記Pチャンネル型MOS トランジスタ(
la)の方が電位が低くなるので、このソース側にも電
位が印加され、上記ソースを破壊する恐れがある。その
ために、上記ダイオードを挿入することによシ、この逆
電圧が上記ソースに印加されるのを防止する。また、上
記高電圧出力Nチャンネル型MOS トランジスタ(3
a)のゲートに印加された電圧VDD+VGSはディス
チャージされて、その結果、vDDで一定になる(第4
図(b))。また、この時の出力電流も、上記ゲート電
位の増減に比例して、上記ゲート電位がVDD+VG3
になった時には出力成流も増加しIDD+IGSになり
、上記ゲートt位がVDDになると上記出力電流もID
になる。第4図(d)。次に、人力電圧がVDDになる
と、最初の状態と同様にすべて零Kなる。
At this time, the capacitor (power) is also charged. Then, just when it is charged, the delay circuit outputs Yes with a delay, and due to the capacitive coupling of the capacitor (7), the high voltage output N-channel type The gate potential of the MOS transistor (3a) becomes VDD+Yes (Fig. 4(b)).Furthermore, the gate potential mentioned above becomes VDv+Va.
When it becomes s, the above P-channel type MOS transistor (
Since the potential is lower in la), the potential is also applied to this source side, which may destroy the source. Therefore, by inserting the diode, this reverse voltage is prevented from being applied to the source. In addition, the high voltage output N-channel MOS transistor (3
The voltage VDD+VGS applied to the gate of a) is discharged and, as a result, becomes constant at vDD (the fourth
Figure (b)). Also, the output current at this time is proportional to the increase/decrease in the gate potential, so that the gate potential is VDD+VG3.
When the voltage becomes , the output current increases and becomes IDD+IGS, and when the gate t becomes VDD, the output current also increases to ID
become. Figure 4(d). Next, when the human power voltage becomes VDD, all the voltages become zero K as in the first state.

本実施例のように構成した場合には、従来電源竃圧の増
減により制御していた出力電流を、遅延回路を付加して
容量結合を利用することにより制御でき、従って、電源
電圧を変化させずに出力電流を増加させることができる
。また、スイッチング素子にダイオードを挿入したこと
Kより、逆方向に電圧が印加されても素子が破壊されな
い。
When configured as in this embodiment, the output current, which was conventionally controlled by increasing or decreasing the power supply voltage, can be controlled by adding a delay circuit and using capacitive coupling. The output current can be increased without increasing the output current. Furthermore, since a diode is inserted into the switching element, the element will not be destroyed even if a voltage is applied in the opposite direction.

以上詳述した実施例においては、スイッチング素子及び
遅延回路にC−MOSトランジスタを用いたが、これは
第2図(a)乃至(C)に示すようにバイボーラKより
構成してもかまわないし・MOS トランジスタとバイ
ボーラとを混在させてもかまわない。
In the embodiments detailed above, C-MOS transistors were used for the switching elements and delay circuits, but these may also be constructed from bibolar K as shown in FIGS. 2(a) to (C). MOS transistors and bibolar transistors may be mixed.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明は、以上説明してきたように、スイッチング素子
に一方向に電圧を印加するような整流素子を挿入し、直
列に接続された遅延回路とコンデンサをスイッチング素
子と出力用スイッチング素子の間を接続する信号伝送路
K並列に接続するように構成したことにより、出力回路
の立上げ時に電源電圧を変化させずに出力電流を増加さ
せることができる。
As explained above, the present invention inserts a rectifying element that applies voltage in one direction to a switching element, and connects a delay circuit and a capacitor connected in series between the switching element and the output switching element. By configuring the signal transmission lines K to be connected in parallel, it is possible to increase the output current without changing the power supply voltage when starting up the output circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の第1の実施例を示す駆動装置のブロッ
ク図、第2図(a)乃至(C)は同装置の中のスイッチ
ング素子の回路図、第3図は同装置をMOSトランジス
タで構成した場合の回路図、第4図はそのタイミングチ
ャート図、第5図は従来の駆動装置の回路図、第6図(
a)乃至(C)はそのタイミングチャート図である。 l・・・スイッチング素子1 1a・・・Pチャンネル型MO8トランジスタ、lb・
・・Nチャンネル型MOSトランジスタ、2・・・遅延
回路、 2a,2b,  2c,2a・−・c−MO8トランジ
スタ、 3・・・出力用スイッチング素子1 3a・・・高電圧出力Nチャンネル型MOSトランジス
タ、 7・・・コンデンサ、 8・・・ダイオード、 10・・・信号伝送路。 代理人 弁理士 則 近 憲 右 同      竹  花  喜久男 C(1) 第 閃 (b) (C) 不 口 第 図
FIG. 1 is a block diagram of a driving device showing a first embodiment of the present invention, FIGS. 2(a) to (C) are circuit diagrams of switching elements in the device, and FIG. 3 is a MOS A circuit diagram of a case configured with transistors, Fig. 4 is a timing chart thereof, Fig. 5 is a circuit diagram of a conventional drive device, and Fig. 6 (
a) to (C) are timing charts thereof. l...Switching element 1 1a...P channel type MO8 transistor, lb.
...N-channel type MOS transistor, 2...Delay circuit, 2a, 2b, 2c, 2a...c-MO8 transistor, 3...Output switching element 1 3a...High voltage output N-channel type MOS Transistor, 7... Capacitor, 8... Diode, 10... Signal transmission path. Agent Patent Attorney Ken Nori Chika Kikuo Takehana C (1) Daisen (b) (C) Fuguchi Daizu

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)一方向に電圧を印加するスイッチング素子と、こ
のスイッチング素子の出力端に直列に接続されている信
号伝送路と、上記信号伝送路に並列に接続されコンデン
サがその出力端に直列に接続されている遅延回路と、上
記信号伝送路に入力端が接続されている出力用スイッチ
ング素子とを有することを特徴とする駆動装置。
(1) A switching element that applies voltage in one direction, a signal transmission line connected in series to the output end of this switching element, and a capacitor connected in parallel to the signal transmission line and connected in series to the output end of the switching element. What is claimed is: 1. A drive device comprising: a delay circuit configured to provide a signal transmission path; and an output switching element having an input end connected to the signal transmission path.
(2)上記スイッチング素子がプラス又はマイナスの入
力電圧を印加することによって導通させる第1のトラン
ジスタ手段と、その逆特性の第2のトランジスタ手段と
、上記第1及び第2のトランジスタ手段を直列に接続し
その接続点に接続された出力と、上記第1及び第2のト
ランジスタ手段の間に接続された整流手段とを有するこ
とを特徴とする請求項第1項記載の駆動装置。
(2) The first transistor means that the switching element conducts by applying a positive or negative input voltage, the second transistor means having the opposite characteristics, and the first and second transistor means are connected in series. 2. A drive device according to claim 1, further comprising an output connected to the connecting point thereof, and rectifying means connected between said first and second transistor means.
(3)上記遅延回路が直列に接続された少なくとも1つ
のC−MOSトランジスタであることを特徴とする請求
項第1項記載の駆動装置。
(3) The drive device according to claim 1, wherein the delay circuit is at least one C-MOS transistor connected in series.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7868680B2 (en) 2006-09-06 2011-01-11 Panasonic Corporation Semiconductor input/output control circuit

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