JPH02237181A - Gas laser device - Google Patents

Gas laser device

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Publication number
JPH02237181A
JPH02237181A JP5638889A JP5638889A JPH02237181A JP H02237181 A JPH02237181 A JP H02237181A JP 5638889 A JP5638889 A JP 5638889A JP 5638889 A JP5638889 A JP 5638889A JP H02237181 A JPH02237181 A JP H02237181A
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JP
Japan
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dielectric
plasma
microwave
conductor
wall
Prior art date
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Pending
Application number
JP5638889A
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Japanese (ja)
Inventor
Junichi Nishimae
順一 西前
Kenji Yoshizawa
憲治 吉沢
Masakazu Taki
正和 滝
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To prevent a conductor from being sputtered, cause few unstable discharges, lengthen the lifetime, and facilitate increase of the output by forming a microwave mode having a vertical electric field component to the boundary between a first dielectric and plasma and installing a second dielectric on the wall of the conductor. CONSTITUTION:Laser gas which generates plasma by microwave discharge is enclosed in space 67 formed between a conductor wall 65 formed in a part of a microwave circuit and a first dielectric 66 formed opposite said conductor wall 65. A wall surface of a conductor in the space in which the laser gas is enclosed is covered by a second dielectric 71 and a microwave mode having vertical electric field distribution to the boundary between the first dielectric 66 and plasma is formed by the microwave circuit. Thereby spatially uniform plasma is stably maintained for a long time, the wall surface of the connector in the discharge space is protected, deterioration of the laser gas is prevented, and a high-efficiency and long-lived gas laser device is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明はマイクロ波放電を利用してレーザ励起を行な
う気体レーザ装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a gas laser device that performs laser excitation using microwave discharge.

[従来の技術] 第6図は例えば特開昭63−188483号公報に記載
された従来の気体レーザ装置を示す外観図である。
[Prior Art] FIG. 6 is an external view showing a conventional gas laser device described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 188483/1983.

図において、(1)はマイクロ波を発生するマグネトロ
ン、(2)はマイクロ波を伝送する導波管、(3)はこ
の導波管の幅を広げるホーン導波管、(4)はマイクロ
波結合窓、(5)はレーザ発振用のミラー (6)はレ
ーザヘッド部であって、第7図がレーザヘッド部(6)
の詳細を示す第6図A−A線での断面図である。第7図
に示されるようにレーザヘッド部(6)はマイクロ波回
路の一種であるリッジ導波管型のマイクロ波空胴の構造
を持つ。
In the figure, (1) is a magnetron that generates microwaves, (2) is a waveguide that transmits microwaves, (3) is a horn waveguide that widens the width of this waveguide, and (4) is a microwave Coupling window, (5) is the mirror for laser oscillation, (6) is the laser head part, and Figure 7 shows the laser head part (6).
FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line A-A in FIG. 6 showing details. As shown in FIG. 7, the laser head section (6) has a structure of a ridge waveguide type microwave cavity, which is a type of microwave circuit.

第7図において、(61)はマイクロ波結合窓(4)に
続く空胴壁、(62)および(63)はこの空胴壁の断
面の中央部に形成されたリッジ、(64)はこの一方の
リッジ(62)に形成された溝であり、(65)はマイ
クロ波回路の一部を構成する導電体壁であって、溝(6
4)の壁面が使用される。(6B)はの導電体壁(65
)に対向して設けられた例えばアルミナなどの誘電体で
あり、(67)はこの誘電体(66)が上記溝(64)
を覆うことにより導電体壁(65)と誘電体(6B)と
の間に形成される放電空間であって、この放電空間(B
7)に例えばCO2レーザガスなどのレーザ気体が封入
される。また(68)はりッジ(62)および(63)
に形成された冷却水路である。
In Fig. 7, (61) is the cavity wall following the microwave coupling window (4), (62) and (63) are the ridges formed at the center of the cross section of this cavity wall, and (64) is this cavity wall. This is a groove formed in one of the ridges (62), and (65) is a conductive wall that constitutes a part of the microwave circuit.
4) walls are used. (6B) The conductor wall (65
), and (67) is a dielectric material such as alumina, which is provided opposite to the groove (64).
A discharge space formed between the conductor wall (65) and the dielectric (6B) by covering the discharge space (B).
7) is filled with laser gas such as CO2 laser gas. Also (68) Haridge (62) and (63)
This is a cooling waterway formed in

以上のように構成された従来の気体レーザ装置において
、マグネトロン(1)で発生されたマイクロ波は導波管
(2)を通ってマイクロ波結合窓(4)でインピーダン
スマッチングをとることにより効率よくレー=ザヘッド
部(6)に結合される。レーザヘッド部(6)は断面図
第7図に示されるようにリッジ空胴状になっており、マ
イクロ波はりツジ(62),(63)の間に集中する。
In the conventional gas laser device configured as described above, the microwaves generated by the magnetron (1) pass through the waveguide (2) and are efficiently matched by impedance matching at the microwave coupling window (4). It is coupled to the laser head section (6). The laser head section (6) has a ridge cavity shape as shown in the cross-sectional view of FIG. 7, and the microwaves are concentrated between the microwave beams (62) and (63).

この集中したマイクロ波の強い電界により放電空間(6
7)に封入されたレーザ気体が放電破壊してプラズマを
発生し、レーザ媒質が励起される。ここで、冷却水路(
68)に冷却水を流し、放電プラズマを冷却するととも
に、レーザ気体の圧力などの放電条件を適切に選ぶこと
によってレーザ条件が得られ、第6図中のミラー(5)
および図示のないもう一枚のミラーによりレーザ共振器
を形成することでレーザ発振光を得ることができる。ま
た第7図に示されるリッジ空胴のようにマイクロ波回路
が上記誘電体(66)とプラズマの境界に垂直な電界成
分を有するマイクロ波モードを形成する場合、誘電体(
86)と導電体壁(65)は対向して設置されているの
で誘電体壁(65)にも垂直な電界成分を有することに
なり、プラズマを貫く電界ができる。この時、導電性を
持つプラズマが発生しても、マイクロ波入射窓である誘
電体(66)に対向してプラズマよりも数桁導電性の高
い導電体壁(65)があるために入射マイクロ波の終端
電流はこの導電体壁(85)を流れ、導電体壁(65)
近傍の電界は強制的に導電体壁(65)の表面に垂直に
され、上記のプラズマを貫く電界が維持される。このた
めpイク口波がプラズマ中に浸透し、プラズマを貫く電
流が流れ、電流の連続性から空間的に一様な放電プラズ
マが得られ、効率の良い発振が行われる。
The strong electric field of these concentrated microwaves creates a discharge space (6
7) The laser gas sealed in the laser gas is destroyed by discharge to generate plasma, and the laser medium is excited. Here, the cooling channel (
68) to cool the discharge plasma, and by appropriately selecting the discharge conditions such as the pressure of the laser gas, the laser conditions are obtained, and the mirror (5) in FIG.
Laser oscillation light can be obtained by forming a laser resonator with another mirror (not shown). Furthermore, when the microwave circuit forms a microwave mode having an electric field component perpendicular to the boundary between the dielectric (66) and the plasma as in the ridge cavity shown in FIG.
Since the dielectric wall (65) and the dielectric wall (65) are placed opposite each other, the dielectric wall (65) also has a vertical electric field component, creating an electric field that penetrates the plasma. At this time, even if a conductive plasma is generated, there is a conductive wall (65) that is several orders of magnitude higher in conductivity than the plasma, which faces the dielectric material (66) that is the microwave incidence window. The terminal current of the wave flows through this conductor wall (85),
The nearby electric field is forced perpendicular to the surface of the conductor wall (65) to maintain the electric field through the plasma. Therefore, the p-type mouth wave penetrates into the plasma, a current flows through the plasma, a spatially uniform discharge plasma is obtained from the continuity of the current, and efficient oscillation is performed.

[発明が解決しようとする課題] 上記のような従来の気体レーザ装置では、均一なプラズ
マを得易いが、プラズマが直接導電体壁に触れ、導電体
がスバッタされるため、レーザ気体が劣化し、また導電
体壁が損傷を受け装置の寿命が短くなる恐れがあった。
[Problem to be solved by the invention] In the conventional gas laser device as described above, it is easy to obtain a uniform plasma, but the plasma directly contacts the conductor wall and the conductor is splattered, so the laser gas deteriorates. Furthermore, there was a risk that the conductor wall would be damaged and the life of the device would be shortened.

また金属面から電子放出があるため、特にレーザ気体の
圧力が高い場合放電が不安定になり易く放電の電力密度
を上げ難いという問題点があった。
Further, since electrons are emitted from the metal surface, there is a problem that the discharge tends to become unstable, especially when the pressure of the laser gas is high, and it is difficult to increase the power density of the discharge.

この発明は上記のような間届点を解決するためになされ
たもので、導電体がスバッタされず、放電も不安定にな
り難い、長寿命で大出力化が容易な気体レーザ装置を得
ることを目的とする。
This invention was made in order to solve the above-mentioned shortcomings, and to obtain a gas laser device that does not cause the conductor to spatter, does not easily cause unstable discharge, has a long life, and can easily achieve high output. With the goal.

[課題を解決するための手段] この発明に係る気体レーザ装置は、マイクロ波回路の一
部を構成する導電体壁と、この導電体壁に対向して設け
られた第1の誘電体との間に形成される空間に、プラズ
マを発生するレーザ気体を封入するとともに、マイクロ
波回路は、第1の誘電体側よりマイクロ波が入射するよ
うに構成されており、第1の誘電体とプラズマとの境界
に垂直な電界成分を有するマイクロ波モードを形成し、
さらにプラズマが接触する導電体壁面に第2の誘電体を
配設したものである。
[Means for Solving the Problems] A gas laser device according to the present invention includes a conductor wall that constitutes a part of a microwave circuit, and a first dielectric member provided opposite to the conductor wall. A laser gas that generates plasma is sealed in the space formed between the two, and the microwave circuit is configured such that the microwave is incident from the first dielectric side, and the first dielectric and the plasma are connected to each other. forming a microwave mode with an electric field component perpendicular to the boundary of
Furthermore, a second dielectric material is provided on the conductor wall surface that comes into contact with the plasma.

[作用] この発明においては、プラズマが接触する面の導電体壁
面に第2の誘電体が配設されているから、導電体壁のス
バッタが防止される。さらに、放電不安定の原因となる
電子放出も防止される。
[Function] In the present invention, since the second dielectric is disposed on the conductor wall surface that is in contact with the plasma, sputtering of the conductor wall is prevented. Furthermore, electron emission, which causes discharge instability, is also prevented.

[実施例] 第1図はこの発明の一実施例による気体1ノーザ装置を
示すもので第7図に相当する断面図、第2図は同じ実施
例における放電の様子を説明する説明図である。
[Example] Fig. 1 shows a gas one-noser device according to an embodiment of the present invention, and is a sectional view corresponding to Fig. 7, and Fig. 2 is an explanatory diagram illustrating the state of discharge in the same embodiment. .

第1図及び第2図において第6図及び第7図と同一符号
の部分は同一部分を示し、(71)は第2の誘電体で、
放電プラズマが導電体壁(65)に接触しないように、
導電体壁(B5)の表面を−・様におおって配設されて
いる。この第2の誘電体(71)で導電体壁(65)の
表面を一様におおうことは、セラミック層をコーティン
グすることによって行なうことができる。セラミックと
しては、アルミナ、ボロンナイトライド、窒化アルミな
どが適当である。
In FIGS. 1 and 2, the parts with the same symbols as in FIGS. 6 and 7 indicate the same parts, and (71) is the second dielectric,
To prevent discharge plasma from contacting the conductor wall (65),
It is disposed so as to cover the surface of the conductor wall (B5) in a shape of -. Uniformly covering the surface of the conductor wall (65) with this second dielectric (71) can be achieved by coating it with a ceramic layer. Suitable ceramics include alumina, boron nitride, and aluminum nitride.

また、石英ガラスやテフロンの薄板を接着してもよい。Alternatively, a thin plate of quartz glass or Teflon may be bonded.

次に、動作について説明する。Next, the operation will be explained.

この実施例によれば、マイクロ波放電によって発生する
プラズマが導電体壁(65)に直接接触することがなく
、発生したプラズマは、スバツタされにくく化学的にも
不活性な第2の誘電体(71)及び第1の誘電体(66
)で包まれることになる。従って、スバッタや化学反応
によるレーザ気体の劣化はほとんど起らず、また、放電
空間(67)の導電体による壁面がスバッタされて損傷
を受けるようなことはなく、電子放出も防止され、放電
が安定となる。
According to this embodiment, the plasma generated by the microwave discharge does not come into direct contact with the conductor wall (65), and the generated plasma is transferred to the second dielectric layer (65), which is difficult to splatter and is chemically inert. 71) and the first dielectric (66
). Therefore, deterioration of the laser gas due to splatter and chemical reactions hardly occurs, and the conductive walls of the discharge space (67) are not damaged by splatter, electron emission is prevented, and the discharge is prevented. It becomes stable.

従って、高能率、長寿命のマイクロ波励起方式の気体レ
ーザ装置が実現できる。
Therefore, a microwave excitation type gas laser device with high efficiency and long life can be realized.

この時、空間的に一様な放電を安定に得るためには、前
述の如くマイクロ波をプラズマの一方の面からのみ人射
させることが必要である。従って、第2の誘電体(71
)の厚さは第1の誘電体(6B)の厚さに対して充分薄
いことが望ましい。セラミック層の場合、その厚さを第
1の誘電体(6B)であるアルミナの厚さの1/10以
下としたとき、プラズマの第1の誘電体(66)の側か
らマイクロ波エネルギーの大部分が注入されることが確
認された。
At this time, in order to stably obtain a spatially uniform discharge, it is necessary to emit microwaves from only one side of the plasma as described above. Therefore, the second dielectric (71
) is preferably sufficiently thinner than the thickness of the first dielectric (6B). In the case of a ceramic layer, when its thickness is 1/10 or less of the thickness of alumina, which is the first dielectric (6B), a large amount of microwave energy is applied from the first dielectric (66) side of the plasma. It was confirmed that the portion was injected.

ここで、第2の誘電体(71)があっても、第2図に示
すようにプラズマ(70)を貫く電界が維持される条件
を考える。貫く電界が維持されるためには、入射マイク
ロ波の終端インピーダンス、すなわち、第2の誘電体(
71)のキャパシタンスとしてのインピーダンスが、プ
ラズマ(70)の抵抗より小となる必要がある。この条
件は、第2の誘電体(71)の厚さdを第2の誘電体の
比誘電率ε で割った値が、r プラズマの抵抗率ρを真空の波動インピーダンスZoで
割った値より小さいことで満足される。すなわち、 ε『Z0 となれば、第2の誘電体(7l)を配設してもブラズマ
(70)を貫く電界は維持され、空間的に均一な放電が
得られる点は従来装置と同様になる。
Here, consider the conditions under which the electric field penetrating the plasma (70) is maintained as shown in FIG. 2 even if the second dielectric (71) is present. In order for the penetrating electric field to be maintained, the termination impedance of the incident microwave, i.e. the second dielectric (
The impedance of the plasma (71) as a capacitance must be smaller than the resistance of the plasma (70). This condition is such that the value obtained by dividing the thickness d of the second dielectric (71) by the dielectric constant ε of the second dielectric is less than the value obtained by dividing the resistivity ρ of the plasma by the vacuum wave impedance Zo I am satisfied with small things. That is, if ε'Z0, the electric field penetrating the plasma (70) is maintained even if the second dielectric (7l) is provided, and a spatially uniform discharge can be obtained, as in the conventional device. Become.

プラズマの抵抗率ρは封入ガスの条件やマイクロ波電力
密度により変化するため、(1)式の条件をあらかじめ
満足させるように決めるのは難しい。
Since the resistivity ρ of the plasma changes depending on the conditions of the filled gas and the microwave power density, it is difficult to determine it in advance so as to satisfy the condition of equation (1).

実際には放電の安定性や均一性を調べなからdやε の
最適値を実験的に求める必要がある。
In reality, it is necessary to experimentally find the optimum values of d and ε without examining the stability and uniformity of the discharge.

『 第3図はレーザヘッド部(6)の構造が異なる他の実施
例を示す断面図である。第3図において、(651)は
リッジ状導電体壁である。このレーザヘッド部(6)は
リツジ(63)の幅Wを狭くして、リツジ(63〉とリ
ッジ状導電体壁(651)の間に、一層電界を集中させ
て、ここの部分だけで放電を起こさせるようにしたもの
である。しかし、第4図(a)に示すように、放電がフ
ィラメント状に集中したもの(671)となりやすく、
放電が不安定となりやすい。これは導電体壁面からの電
子放出が一因と思われる。
``Figure 3 is a sectional view showing another embodiment in which the structure of the laser head section (6) is different. In FIG. 3, (651) is a ridge-shaped conductor wall. This laser head part (6) narrows the width W of the ridge (63) to further concentrate the electric field between the ridge (63) and the ridge-shaped conductor wall (651), and discharges only in this part. However, as shown in Figure 4(a), the discharge tends to be concentrated in a filament shape (671).
Discharge tends to become unstable. This is thought to be due to electron emission from the conductor wall.

そこで、第4図(b)に示すように、リツジ状導電体壁
(651.)の表面に第2の誘電体(71)を配設する
ことにより、一様に広がった放電(672)とすること
ができる。
Therefore, as shown in FIG. 4(b), by disposing a second dielectric material (71) on the surface of the ridge-like conductive wall (651.), the discharge (672) spreads evenly. can do.

なお、導電体? (651)が、プラズマによるスバッ
タから保護され、レーザ気体の劣化が防止される点は第
1図の実施例と同様である。
By the way, is it a conductor? This is similar to the embodiment shown in FIG. 1 in that (651) is protected from spatter caused by plasma and deterioration of the laser gas is prevented.

第5図はレーザヘッド部(6)の構造が異なるさらに他
の実施例を示す断面図である。この実施例では、リッジ
(63)と導電体壁(65)のりッジ(63)と対向す
る部分及びその近傍で放電を発生させるものであるが、
図示のようにマイクロ波の入射窓となる部分(881)
と導電体壁(65)をおおう部分(711.)と両側の
側面を形成する部分とからなる角筒状の誘電体を設けた
ものである。レーザ気体はこの角筒の中に封入される。
FIG. 5 is a sectional view showing still another embodiment in which the structure of the laser head section (6) is different. In this embodiment, a discharge is generated in the portion of the ridge (63) and the conductor wall (65) facing the ridge (63) and in the vicinity thereof.
As shown in the figure, the part that becomes the microwave incidence window (881)
A rectangular cylindrical dielectric body is provided, which includes a portion (711.) that covers the conductor wall (65), and portions that form side surfaces on both sides. Laser gas is sealed inside this rectangular tube.

なお、(31)はインピーダンスマッチングをとるため
のテーバ部である。
Note that (31) is a taber portion for impedance matching.

この実施例でも、誘電体の(711)の部分が無いと放
電が不安定になるが、(711)を設けることにより、
改善される。
In this example as well, if there is no (711) part of the dielectric, the discharge becomes unstable, but by providing (711),
Improved.

また、この実施例では、マイクロ波の入射窓となる部分
(6 6 1 )が第1の誘電体に相当し、導電体壁(
65)をおおう部分(711)が第2の誘電体に相当す
る。また、誘電体の(861)の部分と(711)の部
分の厚さd  ,d  は、必ずしも同じでなくてよl
2 い。
In addition, in this example, the portion (6 6 1) serving as the microwave incidence window corresponds to the first dielectric, and the conductor wall (6 6 1) corresponds to the first dielectric.
65) corresponds to the second dielectric. Also, the thicknesses d and d of the (861) and (711) parts of the dielectric do not necessarily have to be the same.
2 Yes.

導電体壁(65)が、プラズマによるスバッタから保3
され、レーザ気体の劣化が防止される点も、前述の二つ
の実施例と同じである。
The conductor wall (65) protects against splatter caused by plasma.
This is also the same as in the previous two embodiments in that the deterioration of the laser gas is prevented.

さらに、エキシマレーザ装置のように、化学的活性の高
いハロゲンガスを含むレーザ気体を用いるレーザ装置に
あっては、第2の誘電体(71)としてハロゲン族と反
応しない材料を使用すべきであることはいうまでもない
Furthermore, in a laser device that uses a laser gas containing highly chemically active halogen gas, such as an excimer laser device, a material that does not react with the halogen group should be used as the second dielectric (71). Needless to say.

[発明の効果] この発明は以上説明したとおり、マイクロ波回路の一部
に形成された導電体壁と、この導電体壁に対向して設け
られた第1の誘電体との間に形成される空間に、マイク
ロ波放電によってプラズマを発生するレーザ気体を封入
し、レーザ気体が封入される空間の導電体による壁面を
第2の誘電体でおおうとともに、マイクロ波回路によっ
て第1の誘電体とプラズマとの境界に垂直な電界分布を
有するマイクロ波モードを形成するように構成したので
、空間的に一様なプラズマが長時間にわたって安定に維
持され、放電空間の導電体による壁面が保護されるとと
もにレーザ気体の劣化も防止され、高能率で寿命の長い
気体レーザ装置が得られる効果がある。
[Effects of the Invention] As explained above, the present invention provides an electric conductor wall formed between a conductor wall formed in a part of a microwave circuit and a first dielectric body provided opposite to the conductor wall. A laser gas that generates plasma by microwave discharge is sealed in a space where the laser gas is sealed, and a conductive wall of the space in which the laser gas is sealed is covered with a second dielectric material, and a microwave circuit is used to cover the wall surface of the conductive material with the first dielectric material. Since it is configured to form a microwave mode with an electric field distribution perpendicular to the boundary with the plasma, a spatially uniform plasma can be stably maintained over a long period of time, and the walls made of conductors in the discharge space can be protected. At the same time, deterioration of the laser gas is also prevented, and a gas laser device with high efficiency and long life can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施例による気体レーザ装置を示
すもので第7図に相当する断面図、第2図は同じ実施例
における放電の様子を説明する説明図、第3図はレーザ
ヘッド部の構造が異なる他の実施例を示す断面図、第4
図(a)は第2の誘電体が無い場合の放電の様子を示す
説明図、第4図(b)は第2の誘電体が有る場合の放電
の様子を示す説明図、第5図はレーザヘッド部の構造が
異なるさらに他の実施例を示す断面図、第6図は従来の
気体レーザ装置を示す外観図、第7図は第6図のA−A
線での断面図である。 図において、(85)はマイクロ波回路の一部を構成す
る導電体壁、(66)は第1の誘電体、(67)は放電
空間、(70)はプラズマ、(71)は第2の誘電体で
ある。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 第1図
FIG. 1 shows a gas laser device according to an embodiment of the present invention, and is a sectional view corresponding to FIG. 7, FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating the state of discharge in the same embodiment, and FIG. 3 is a laser head Sectional view showing another embodiment with a different structure of the section, No. 4
Figure (a) is an explanatory diagram showing the state of discharge in the absence of the second dielectric, FIG. 4(b) is an explanatory diagram showing the state of discharge in the presence of the second dielectric, and FIG. A cross-sectional view showing still another embodiment with a different structure of the laser head part, FIG. 6 is an external view showing a conventional gas laser device, and FIG. 7 is taken along A-A in FIG. 6.
FIG. In the figure, (85) is a conductive wall forming part of the microwave circuit, (66) is the first dielectric, (67) is the discharge space, (70) is the plasma, and (71) is the second dielectric. It is a dielectric. In addition, in the figures, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts. Figure 1

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  マイクロ波回路中のマイクロ波放電によりプラズマを
発生しレーザ励起を行なう気体レーザ装置において、上
記マイクロ波回路の一部を構成する導電体壁と、この導
電体壁に対向して設けられた第1の誘電体との間に形成
される空間に、上記プラズマを発生するレーザ気体を封
入するとともに、上記マイクロ波回路は、上記第1の誘
電体側よりマイクロ波が入射するように構成されており
、上記第1の誘電体とプラズマとの境界に垂直な電界成
分を有するマイクロ波モードを形成し、上記プラズマが
上記導電体壁に接触しないように上記導電体壁面に、第
2の誘電体を配設したことを特徴とする気体レーザ装置
In a gas laser device that generates plasma by microwave discharge in a microwave circuit and performs laser excitation, the gas laser device includes a conductive wall forming a part of the microwave circuit, and a first conductive wall provided opposite to the conductive wall. A laser gas that generates the plasma is sealed in a space formed between the first dielectric body and the microwave circuit, and the microwave circuit is configured such that the microwave is incident from the first dielectric side, A second dielectric is disposed on the conductor wall so that a microwave mode having an electric field component perpendicular to the boundary between the first dielectric and the plasma is formed, and the plasma does not come into contact with the conductor wall. A gas laser device characterized by:
JP5638889A 1989-03-10 1989-03-10 Gas laser device Pending JPH02237181A (en)

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JP5638889A JPH02237181A (en) 1989-03-10 1989-03-10 Gas laser device

Applications Claiming Priority (1)

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JP5638889A JPH02237181A (en) 1989-03-10 1989-03-10 Gas laser device

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JP5638889A Pending JPH02237181A (en) 1989-03-10 1989-03-10 Gas laser device

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JP (1) JPH02237181A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08264868A (en) * 1995-03-20 1996-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Microwave stimulated gas laser

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JPH08264868A (en) * 1995-03-20 1996-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Microwave stimulated gas laser

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