JPH0223320A - エレクトロクロミツク素子 - Google Patents
エレクトロクロミツク素子Info
- Publication number
- JPH0223320A JPH0223320A JP17193688A JP17193688A JPH0223320A JP H0223320 A JPH0223320 A JP H0223320A JP 17193688 A JP17193688 A JP 17193688A JP 17193688 A JP17193688 A JP 17193688A JP H0223320 A JPH0223320 A JP H0223320A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxides
- electrode
- counter electrode
- ito
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000004040 coloring Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 8
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 4
- 229910003320 CeOx Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229910005855 NiOx Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000003411 electrode reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015707 MoOz Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004042 decolorization Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 1
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000004793 poor memory Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 150000003623 transition metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は電気化学的発消色現象、すなわちエレクトロク
ロミック現象を利用したエレクトロクロミック素子に関
するものである。
ロミック現象を利用したエレクトロクロミック素子に関
するものである。
[従来の技術]
近年WOs等の遷移金属酸化物からなるエレクトロクロ
ミック(以下ECという)物質の電気化学的酸化還元反
応により可逆的な発色・消色反応を利用したエレクトロ
クロミック素子(EC素子)が開発されている。
ミック(以下ECという)物質の電気化学的酸化還元反
応により可逆的な発色・消色反応を利用したエレクトロ
クロミック素子(EC素子)が開発されている。
かかるEC素子の基本構成は、表示極9発色層、対向電
極で表わされ、具体的にはEC物質としてWon等をI
TO薄膜からなる表示極の透明電極上に蒸着し、電解液
又は固体電解質を介してITO又は金属からなる対向電
極を設けている。この場合表示極を対向電極に対して1
〜2■の負の電圧を印加すればEC物質が青色に着色し
、印加電圧の極性を逆転すればEC物質の膜は元の透明
状態にもどる。
極で表わされ、具体的にはEC物質としてWon等をI
TO薄膜からなる表示極の透明電極上に蒸着し、電解液
又は固体電解質を介してITO又は金属からなる対向電
極を設けている。この場合表示極を対向電極に対して1
〜2■の負の電圧を印加すればEC物質が青色に着色し
、印加電圧の極性を逆転すればEC物質の膜は元の透明
状態にもどる。
この発色・消色の機構としては、WLに注入された電解
液又は固体電解質からのカチオンとITOからの電子の
注入による反応、すなわち(M” ; Li”、H”
など) によりタングステンブロンズを形成し、これが発色の原
因と考えられている。
液又は固体電解質からのカチオンとITOからの電子の
注入による反応、すなわち(M” ; Li”、H”
など) によりタングステンブロンズを形成し、これが発色の原
因と考えられている。
この(1)式の反応において反応が発色反応、即ち還元
反応の場合にはその反応に費ヤサレル電気量と等しい電
気量が対向電極上では酸化反応として費やされ、・(1
)式の反応が消色、即ち酸化反応の場合には対向電極で
は逆に還元反応が進行する。
反応の場合にはその反応に費ヤサレル電気量と等しい電
気量が対向電極上では酸化反応として費やされ、・(1
)式の反応が消色、即ち酸化反応の場合には対向電極で
は逆に還元反応が進行する。
従ってこの電気量を可逆的に負担する、即ち可逆的に酸
化還元反応を対向電極上で行なわなければ、溶媒や電解
質またはITO自体が電気化学的に反応し、即ち分解し
て長期の使用に耐えない。
化還元反応を対向電極上で行なわなければ、溶媒や電解
質またはITO自体が電気化学的に反応し、即ち分解し
て長期の使用に耐えない。
そこでこの可逆的に酸化還元を行なう物質として、可逆
的なレドックス対、例えば Fe (CN) a” / Fe (CN) a’−等
を電解液中に存在させたり、可逆的に酸化還元を行なう
Crow。
的なレドックス対、例えば Fe (CN) a” / Fe (CN) a’−等
を電解液中に存在させたり、可逆的に酸化還元を行なう
Crow。
Nl0II、 Ir01等の薄膜をITO上に形成して
対向電極上での可逆的電気化学反応を行なう方法が提案
されている。
対向電極上での可逆的電気化学反応を行なう方法が提案
されている。
しかしながら前記のレドックス対を電解液に溶解した系
では、電極反応が物質移動律速であるため、イオンが対
向電極まで拡散又は泳動するのに時間がかかり大きな電
流が流せない、即ち着色、消色の応答が遅かったり、対
向電極上で酸化されたイオンが表示極に拡散して表示極
上のEC物質と化学反応を行なってしまい着色していた
EC物質が消色する、即ちメモリー性が悪い等の問題点
を有していた。
では、電極反応が物質移動律速であるため、イオンが対
向電極まで拡散又は泳動するのに時間がかかり大きな電
流が流せない、即ち着色、消色の応答が遅かったり、対
向電極上で酸化されたイオンが表示極に拡散して表示極
上のEC物質と化学反応を行なってしまい着色していた
EC物質が消色する、即ちメモリー性が悪い等の問題点
を有していた。
またCrO++、 NioM、 1rox等の物質は対
向電極上に形成されており前記物質移動の問題を解決し
ている。しかし Crow、 NiOx等は着色−一消
色のサイクルをくり返すと徐々に電気化学的に不活性化
し、長期の使用に耐えないという欠点を有していた。
向電極上に形成されており前記物質移動の問題を解決し
ている。しかし Crow、 NiOx等は着色−一消
色のサイクルをくり返すと徐々に電気化学的に不活性化
し、長期の使用に耐えないという欠点を有していた。
一方 1rLはCrow、NiOx等よりも耐久性にす
ぐれているものの、蒸着等で基板に形成したものは初期
は活性が低く、活性化するためには例えば表面積を増加
させる等のため硫酸水溶液中で酸化還元を数百回ないし
数千回くり返す必要があり、EC素子組立ての工程上非
常に煩雑となるという欠点を有していた。
ぐれているものの、蒸着等で基板に形成したものは初期
は活性が低く、活性化するためには例えば表面積を増加
させる等のため硫酸水溶液中で酸化還元を数百回ないし
数千回くり返す必要があり、EC素子組立ての工程上非
常に煩雑となるという欠点を有していた。
[発明の解決しようとする課題]
本発明の目的は、従来技術が有していた前述の欠点を解
消しようとするものであり、従来知られていなかったE
C素子を新規に提供することを目的とするものである。
消しようとするものであり、従来知られていなかったE
C素子を新規に提供することを目的とするものである。
[課題を解決するための手段]
(1)構成の表示
本発明は、前述の課題を解決すべくなされたものであり
、基板上に構成された電極及び対向電極と電気化学的発
色物質とからなるエレクトロクロミック素子において、
上記対向電極の全部又は1部がCe、 Tb、 Prの
酸化物の内少なくとも1つを含有する物質からなること
を特徴とするエレクトロクロミック素子を提供するもの
である。
、基板上に構成された電極及び対向電極と電気化学的発
色物質とからなるエレクトロクロミック素子において、
上記対向電極の全部又は1部がCe、 Tb、 Prの
酸化物の内少なくとも1つを含有する物質からなること
を特徴とするエレクトロクロミック素子を提供するもの
である。
(2)構成の詳細説明
第1図は本発明にかかるEC素子の代表的例の断面図で
ある。
ある。
第1図において、IA、 IBはガラス、プラスチック
等の基板であり、第1の基板IA上には、ITO等の透
明導電膜による電極2A 、その上にさらに電気化学的
発色物質であるEC物質層3が形成されており、第2の
基板 IB上にはI T O、5nOa、金属等の導電
層6が形成され、その上に対向電極2Bが形成されてい
る。
等の基板であり、第1の基板IA上には、ITO等の透
明導電膜による電極2A 、その上にさらに電気化学的
発色物質であるEC物質層3が形成されており、第2の
基板 IB上にはI T O、5nOa、金属等の導電
層6が形成され、その上に対向電極2Bが形成されてい
る。
この第1の基板 IAと第2の基板IBとは、その電極
面を対向させて、周辺をシール材4でシールしてセルを
形成している。この基板間には、固体又は液体の電解質
5が存在する。
面を対向させて、周辺をシール材4でシールしてセルを
形成している。この基板間には、固体又は液体の電解質
5が存在する。
本発明では、EC素子を構成する基板 IA、 IBは
、通常のガラス、プラスチック等の基板が使用できる。
、通常のガラス、プラスチック等の基板が使用できる。
また、鏡や反射型の表示素子のように反射型で使用する
場合には、一方の基板は金属、セラミック、着色プラス
チック等不透明な基板であってもよい。
場合には、一方の基板は金属、セラミック、着色プラス
チック等不透明な基板であってもよい。
電極2Aとしては、酸化錫(SnO□)または酸化イン
ジウム・酸化錫(rTo)等の透明導電膜や、本発明の
EC素子を調光鏡として用いる場合には、反射性の窒化
チタン等の金属等を電極として用いてもよい。
ジウム・酸化錫(rTo)等の透明導電膜や、本発明の
EC素子を調光鏡として用いる場合には、反射性の窒化
チタン等の金属等を電極として用いてもよい。
また、これらの抵抗値を低くするためにアルミ、クロム
、チタン等の金属や導電ペースト等の低抵抗材料を線状
、格子状等に積層して形成してもよい。また5基板の端
部にメツキや導電ベースト等による半田付可能な端子を
形成したり、リードを接着すると外部との導電接続に便
利である。
、チタン等の金属や導電ペースト等の低抵抗材料を線状
、格子状等に積層して形成してもよい。また5基板の端
部にメツキや導電ベースト等による半田付可能な端子を
形成したり、リードを接着すると外部との導電接続に便
利である。
EC物質としては、酸化タングステン(wo、l。
酸化モリブデン(MoOz)等の遷移金属化合物や有機
のEC物質等の公知のEC物質を用いればよい。
のEC物質等の公知のEC物質を用いればよい。
対向電極2Bは、Ce、 Tb、 Prの酸化物の内少
なくとも1つを含有する物質からなる。すなわちこれら
の酸化物の混合であってもよい。該酸化物は、たとえば
Ce0a、 Tb4o?、 PraO+ +が挙げられ
る。また対向電極2Bの1部が上記Ce等の酸化物を含
有する物質からなっていてもよい。
なくとも1つを含有する物質からなる。すなわちこれら
の酸化物の混合であってもよい。該酸化物は、たとえば
Ce0a、 Tb4o?、 PraO+ +が挙げられ
る。また対向電極2Bの1部が上記Ce等の酸化物を含
有する物質からなっていてもよい。
また、本発明にかかる対向電極2BとしてはCeOx、
TbOx、 Pr1mを適当に混合して又は単独で用
いることができる。
TbOx、 Pr1mを適当に混合して又は単独で用
いることができる。
混合して用いる場合、CeOxのモル%をx、TbOオ
のモル%をy、Pro、のモル%をZとすると、)(+
y+z=100. O≦x < 100.0≦y<
100゜0≦z < 100の範囲で混合して用いるこ
とができる。
のモル%をy、Pro、のモル%をZとすると、)(+
y+z=100. O≦x < 100.0≦y<
100゜0≦z < 100の範囲で混合して用いるこ
とができる。
また、CeL、 TbOx、 PrLを単独で用いた場
合は、応答速度の改良や色調の改良等の目的でSc、
YやLa、 Nd、Prn、 Sm、 Eu、 Gd、
Dy、 Ha、 Er、 Tm、 Yb。
合は、応答速度の改良や色調の改良等の目的でSc、
YやLa、 Nd、Prn、 Sm、 Eu、 Gd、
Dy、 Ha、 Er、 Tm、 Yb。
1、u等の希土類元素の酸化物、 W、Mo、Zr、T
i、U等の遷移元素の酸化物をドープしても良く、その
ドープ環は好ましい特性が得られる様に任意に選ぶこと
が可能であるが、好ましくは1〜50モル%の範囲で選
定するのがよい。ドープ量が50モル%以上になると本
発明にかかる対向電極2Bとしての特性が失われるから
である。また1モル%以下ではドーパントの効果が表わ
れない。
i、U等の遷移元素の酸化物をドープしても良く、その
ドープ環は好ましい特性が得られる様に任意に選ぶこと
が可能であるが、好ましくは1〜50モル%の範囲で選
定するのがよい。ドープ量が50モル%以上になると本
発明にかかる対向電極2Bとしての特性が失われるから
である。また1モル%以下ではドーパントの効果が表わ
れない。
また、CeOx、 TbOx、 Pr1mの混合体に前
記酸化物をドープする場合にも、CeL、TbOx、
Promと前記酸化物全体に対して前記酸化物のドープ
量は1〜50モル%であることが好ましい。
記酸化物をドープする場合にも、CeL、TbOx、
Promと前記酸化物全体に対して前記酸化物のドープ
量は1〜50モル%であることが好ましい。
また、本発明にかかる対向電極2BはEC物質層3と電
解質5を1つに兼用したエレクトロクロミック溶液層を
有するタイプのEC素子にも適用可能である。
解質5を1つに兼用したエレクトロクロミック溶液層を
有するタイプのEC素子にも適用可能である。
[作用]
Ce、 Tb、 Prの酸化物においては、Ce又はT
b又はPrの酸化数はそれぞれ+3価と+4価の値をと
りうることが報告されている。一般に前記酸化物は L
nOw (Ln : Ce、Tb、Pr )で表わされ
、このXは 1.5≦X≦2.0で表わされる。通常の
状態で安定な酸化物の化学量論組成はそれぞれCe0a
、 Tb40v、 PraO+ +で表わされるがこの
組成は環境により若干変動しつるものと考えられており
、事実還元雰囲気や酸化雰囲気では高温においては異な
った組成を示すことが知られている。即ちこれらの酸化
物は+3価と+4価の混合原子価を示しているものと考
えられる。本発明は、これらの酸化物が酸化物の色調の
変化をほとんど示さずに電気化学的に酸化還元を示すこ
とをみいだしたことによるものであり、これらの酸化物
の電極反応は明確ではないが、例えばF、C素子の電解
質として使用されるI M/lLiClO4プロピレ
ンカーボネイト溶液中では次式のようなインターカレー
ション反応、又は酸化物電極の電気二重層容量の充放電
にもとづくものと推定される。
b又はPrの酸化数はそれぞれ+3価と+4価の値をと
りうることが報告されている。一般に前記酸化物は L
nOw (Ln : Ce、Tb、Pr )で表わされ
、このXは 1.5≦X≦2.0で表わされる。通常の
状態で安定な酸化物の化学量論組成はそれぞれCe0a
、 Tb40v、 PraO+ +で表わされるがこの
組成は環境により若干変動しつるものと考えられており
、事実還元雰囲気や酸化雰囲気では高温においては異な
った組成を示すことが知られている。即ちこれらの酸化
物は+3価と+4価の混合原子価を示しているものと考
えられる。本発明は、これらの酸化物が酸化物の色調の
変化をほとんど示さずに電気化学的に酸化還元を示すこ
とをみいだしたことによるものであり、これらの酸化物
の電極反応は明確ではないが、例えばF、C素子の電解
質として使用されるI M/lLiClO4プロピレ
ンカーボネイト溶液中では次式のようなインターカレー
ション反応、又は酸化物電極の電気二重層容量の充放電
にもとづくものと推定される。
[実施例]
実施例1
以下実施例をもって説明する。
大きさ5 cmX 5 cm厚さl mmのガラス上に
コートしであるITO透明電極上にイオンブレーティン
グにより還元発色層であるWOlを約6000人の厚み
でコートした。次に同様のITO基板上に市販のCeO
□(99,99%)をイオンブレーティング法により約
5000人の厚みでコートした。
コートしであるITO透明電極上にイオンブレーティン
グにより還元発色層であるWOlを約6000人の厚み
でコートした。次に同様のITO基板上に市販のCeO
□(99,99%)をイオンブレーティング法により約
5000人の厚みでコートした。
次にこの二枚の電極層をスペーサーを介して0、5mm
の間隔に対向させ、プロピレンカーボネイト中にLiC
lO4をl M/l溶解した電解液を注入した後、樹
脂封口し、電極をとり出してエレクトロクロミック素子
を作成した。この素子に+1.5V〜−1,5vの電圧
印加をすることにより素子は透明−青一透明の色調で可
逆的に変色した。この時の注入電気量は約15 mc/
cm2であった。次にこの+1.5v〜−1,5vの電
圧印加を1llzでくり返し 10’回行なったが、応
答速度、吸光度変化はみられなかった。
の間隔に対向させ、プロピレンカーボネイト中にLiC
lO4をl M/l溶解した電解液を注入した後、樹
脂封口し、電極をとり出してエレクトロクロミック素子
を作成した。この素子に+1.5V〜−1,5vの電圧
印加をすることにより素子は透明−青一透明の色調で可
逆的に変色した。この時の注入電気量は約15 mc/
cm2であった。次にこの+1.5v〜−1,5vの電
圧印加を1llzでくり返し 10’回行なったが、応
答速度、吸光度変化はみられなかった。
実施例2
実施例1のCeO@を市販のTb、Off (99,9
9%)に変えた以外は実施例1と同様の操作でエレクト
ロクロミック素子を試作した。
9%)に変えた以外は実施例1と同様の操作でエレクト
ロクロミック素子を試作した。
この素子に+1.6v〜−1,6vの電圧を印加したと
ころ素子は淡灰色−黒青色−淡灰色の色調で変化した。
ころ素子は淡灰色−黒青色−淡灰色の色調で変化した。
この+1.6V〜−1,6vの電圧印加を藍11zで
106回くり返したが、セルの劣化はみられなかった。
106回くり返したが、セルの劣化はみられなかった。
実施例3
実施例1のCe0iを市販のPreO++f 99.9
9%)に変えた以外は実施例1と同様の操作でエレクト
ロクロミック素子を試作した。この素子に+1.5v〜
−1,5Vの電圧を印加したところ、素子は淡灰色−黒
青色−淡灰色の色調に変化した。、m (7) + 1
.5V 〜−1,5Vノ電圧をl1lzテ1.5x10
6回くり返したが、セルの劣化はみられなかった。
9%)に変えた以外は実施例1と同様の操作でエレクト
ロクロミック素子を試作した。この素子に+1.5v〜
−1,5Vの電圧を印加したところ、素子は淡灰色−黒
青色−淡灰色の色調に変化した。、m (7) + 1
.5V 〜−1,5Vノ電圧をl1lzテ1.5x10
6回くり返したが、セルの劣化はみられなかった。
実施例4
セリウムのアセチルアセトナト錯体50モル%とテルビ
ウムのアセデルアセトナト錯体50モル%をアセチルア
セトン溶媒に均一に溶解した後、溶媒を蒸発させ、その
後窒素中500℃で2時間加熱してCe0x−TbOx
混合体を得た。この酸化物混合体を用いて実施例1
と同様にエレクトロクロミック素子を試作した。
ウムのアセデルアセトナト錯体50モル%をアセチルア
セトン溶媒に均一に溶解した後、溶媒を蒸発させ、その
後窒素中500℃で2時間加熱してCe0x−TbOx
混合体を得た。この酸化物混合体を用いて実施例1
と同様にエレクトロクロミック素子を試作した。
この素子に+1.5v〜−1,5vの電圧印加をしたと
ころ素子は淡灰色−青黒色−淡灰色の色調で可逆的に変
色した。この時の注入電気量は約20 mC7cm”で
あった。
ころ素子は淡灰色−青黒色−淡灰色の色調で可逆的に変
色した。この時の注入電気量は約20 mC7cm”で
あった。
次1: コノ+ 1.5V 〜−1,5Vノ電圧印加を
1llzテくり返しI[]’回行なったが応答速度、吸
光度変化はみられなかった。
1llzテくり返しI[]’回行なったが応答速度、吸
光度変化はみられなかった。
実施例5
セリウムのアセチルアセトナト錯体85モル%とイツト
リウムのアセチルアセトナト錯体15モル%を含んだア
セチルアセトン溶液を蒸発乾固させ、次にこの固型物を
窒素中600℃で3時間加熱してCe0I−Y2O2混
合体を得た。これを実施例1と同様の操作でエレクトロ
クロミック素子を作成した。
リウムのアセチルアセトナト錯体15モル%を含んだア
セチルアセトン溶液を蒸発乾固させ、次にこの固型物を
窒素中600℃で3時間加熱してCe0I−Y2O2混
合体を得た。これを実施例1と同様の操作でエレクトロ
クロミック素子を作成した。
この素子に+1.4v〜−1,4vの電圧を印加したと
ころ素子は透明−黒青色−透明の色調で変化し、注入し
た電気量は 18 mC7cm”であった。
ころ素子は透明−黒青色−透明の色調で変化し、注入し
た電気量は 18 mC7cm”であった。
コ(7) +I 、 4V〜l 、 4V(7)電圧印
加を111zテ10’回くり返したが、セルの劣化はみ
られなかった。
加を111zテ10’回くり返したが、セルの劣化はみ
られなかった。
比較例1
実施例1のCeLをCraL に変えた以外は同等の
方法でエレクトロクロミック素子を作成した。この素子
に+1.5v〜−1,5Vの電圧な印加することで素子
は淡黄色−行色一淡黄色の変色をした。この時の注入電
気量は約20 mC7cm”であった。次にこの素子に
+1.5v〜−1,5vの電圧印加をl llzでく
り返したところ3XIO’回で着色がほとんどみられな
くなった。そこで素子を分解して CrJa極を調べた
ところ膜厚は初期とほとんど変わらないが、充放電即ち
電気化学的酸化還元をほとんど行なわず、不活性化して
いることがわかった。
方法でエレクトロクロミック素子を作成した。この素子
に+1.5v〜−1,5Vの電圧な印加することで素子
は淡黄色−行色一淡黄色の変色をした。この時の注入電
気量は約20 mC7cm”であった。次にこの素子に
+1.5v〜−1,5vの電圧印加をl llzでく
り返したところ3XIO’回で着色がほとんどみられな
くなった。そこで素子を分解して CrJa極を調べた
ところ膜厚は初期とほとんど変わらないが、充放電即ち
電気化学的酸化還元をほとんど行なわず、不活性化して
いることがわかった。
比較例2
実施例1のCeO□をNiOに変えた以外は同等の方法
でエレクトロクロミック素子を作成した。この素子に+
1.5V〜−1,5Vの電圧を印加することで素子は透
明−黒青色−透明の変色をした。この時の注入電気量は
約16 mC7cm”であった。次t:、m(7)+1
.5V 〜−1,5V(7)電圧印加を1llzでくり
返し 1.5X 10’回行なったところほとんど発消
色しなくなったので素子を分解したところ、NiOはほ
とんど対向電極ITO上に存在していないことがわかっ
た。これはくり返しの電圧印加により電解液中へ溶解し
たか、またはITOから剥離してしまったものと考えら
れる。
でエレクトロクロミック素子を作成した。この素子に+
1.5V〜−1,5Vの電圧を印加することで素子は透
明−黒青色−透明の変色をした。この時の注入電気量は
約16 mC7cm”であった。次t:、m(7)+1
.5V 〜−1,5V(7)電圧印加を1llzでくり
返し 1.5X 10’回行なったところほとんど発消
色しなくなったので素子を分解したところ、NiOはほ
とんど対向電極ITO上に存在していないことがわかっ
た。これはくり返しの電圧印加により電解液中へ溶解し
たか、またはITOから剥離してしまったものと考えら
れる。
[発明の効果]
本発明は長寿命のEC素子を作成することが可能となる
。なお本発明に用いたCe、 Tb、 Prの酸化物に
他の元素なドープ又は混合して用いることも可能である
6また実施例ではプロピレンカーボネイト系電解液を示
したが、固体電解質を用いることも可能である。
。なお本発明に用いたCe、 Tb、 Prの酸化物に
他の元素なドープ又は混合して用いることも可能である
6また実施例ではプロピレンカーボネイト系電解液を示
したが、固体電解質を用いることも可能である。
第1図二本発明にかかるEC素子の代表的例の断面図。
JS;
基に
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に構成された電極及び対向電極と電 気化学的発色物質とからなるエレクトロクロミック素子
において、上記対向電極がCe、Tb、Prの酸化物の
内少なくとも1つを含有する物質からなることを特徴と
するエレクトロクロミック素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17193688A JPH0223320A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | エレクトロクロミツク素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17193688A JPH0223320A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | エレクトロクロミツク素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0223320A true JPH0223320A (ja) | 1990-01-25 |
Family
ID=15932573
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17193688A Pending JPH0223320A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | エレクトロクロミツク素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0223320A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6039111A (en) * | 1997-02-14 | 2000-03-21 | Denso Corporation | Cooling device boiling and condensing refrigerant |
-
1988
- 1988-07-12 JP JP17193688A patent/JPH0223320A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6039111A (en) * | 1997-02-14 | 2000-03-21 | Denso Corporation | Cooling device boiling and condensing refrigerant |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Lampert | Electrochromic materials and devices for energy efficient windows | |
US4573768A (en) | Electrochromic devices | |
US20040150867A1 (en) | Electrochromic counter electrode | |
US4009936A (en) | Electrochromic display device free of liquid components | |
RU2761772C1 (ru) | Электрохромный материал и способ его изготовления | |
KR20070074502A (ko) | 리튬 니켈 산화물 층을 포함하는 전극, 그 제조방법 및이를 포함하는 전기변색소자 | |
US5215821A (en) | Solid-state electrochromic device with proton-conducting polymer electrolyte and Prussian blue counterelectrode | |
JPH04267227A (ja) | エレクトロクロミックガラス | |
AU2006201039A1 (en) | Electrochromic device comprising protective inorganic solid electrolyte film and manufacturing method thereof | |
IL101536A (en) | Electrochromic system | |
US5164855A (en) | Counter electrode for electrochromic systems | |
US4225216A (en) | Tungsten niobate electrochromic device | |
KR20100033777A (ko) | 다공성 니켈산화물 박막을 포함하는 전극, 그 제조방법 및 전기변색소자와 리튬 이차전지에서의 사용 | |
JP3211036B2 (ja) | リチウムイオンでインターカレーションされた酸化ニッケル電極 | |
WO2003014254A1 (en) | Electrochromic counter electrode | |
Macedo et al. | Sol-gel electrochromic device: Code: F8 | |
EP0363043B1 (en) | Method for maintaining the electrochromic activity of an electrochromic material | |
CN111308822A (zh) | 一种双功能电致变色储能器件及其制作方法 | |
Lin et al. | Electrochromic devices composed of polyaniline and tungsten trioxide thin films with succinonitrile/polyethylene glycol solid-state composite electrolyte | |
JPH0223320A (ja) | エレクトロクロミツク素子 | |
Green et al. | Electrochromic displays | |
Kuwabara et al. | All-solid-state electrochromic device. 2. Characterization of transition-metal oxide thin films for counter electrode | |
Erlandsson et al. | Electrochromic properties of manganese oxide (MnOx) thin films made by electron beam deposition | |
EP0229438A1 (en) | Electrochromic devices using solid electrolytes | |
Chu et al. | Investigations on counter electrode materials for solid state electrochromic systems |