JPH02228548A - Small l-lysine sensor and manufacture thereof - Google Patents

Small l-lysine sensor and manufacture thereof

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JPH02228548A
JPH02228548A JP1049003A JP4900389A JPH02228548A JP H02228548 A JPH02228548 A JP H02228548A JP 1049003 A JP1049003 A JP 1049003A JP 4900389 A JP4900389 A JP 4900389A JP H02228548 A JPH02228548 A JP H02228548A
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lysine
hole
forming
sensor
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Hiroaki Suzuki
博章 鈴木
Fumio Takei
文雄 武井
Akio Sugama
明夫 菅間
Naomi Kojima
小嶋 尚美
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Abstract

PURPOSE:To obtain a sensor inexpensive and disposable by covering the surface of a semiconductor substrate having a hole formed by an anisotropic etching with an insulation film. CONSTITUTION:A semiconductor substrate 1 has a hole 5 formed by an anisotropic etching. The surface of the substrate 1 is covered with an insulation film 2. Two electrodes 3A and 3B reach the surface of the substrate 1 from the bottom of the hole 5 through the insulation film 2 to form a cathode/anode. The hole 5 is filled with a gel 6 containing an electrolyte and independent vegetative bacteria and the gel 6 is covered with a gas permeable film 14. Moreover, an enzyme immobilized film 15 having a decarbonating enzyme L-lysine decarboxylase immobilized thereon is formed on the gas permeable film 14. The electrolyte contained in the gel 6 herein usable is pottasium chloride or sodium sulfate. The cathode/anode of the electrodes 3A and 3B herein usable is a gold electrode or a platinum electrode.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は、L−リジンセンサに関し、小型かつ低価格で
大量生産可能なL−リジンセンサおよびそれの製造方法
を提供することを目的とし、異方性エツチングにより形
成された溝(穴)を有する半導体基板と、該基板の表面
を覆う絶縁膜と、該絶縁膜を介して液穴の底部から該基
板の表面に至って形成されるカソード・アノードとなる
2本の電極と、該穴内に充填された電解質および独立栄
養細菌含有ゲルと、該ゲルを被覆するガス透過性膜と、
電極感応部の該ガス透過性膜上に形成された脱炭酸酵素
L−リジンデカルボキシラーゼを固定した酵素固定膜と
を有して小型1−+7ジンセンサを構成し、また、半導
体基板上に異方性エツチングにより溝(穴)を形成する
工程と、該基板の表面を覆う絶縁膜を形成する工程と、
液穴の底部から該基板の表面に至るカソード及びアノー
ドとなる2本の電極を該絶縁膜を介して形成する工程と
、基板裏面を疎水性絶縁膜で被覆する工程と、液穴の部
分を除いて疎水性フォトレジスト膜を被覆する工程と、
電解質および独立栄養細菌含有アルギン酸アルカリ金属
塩水溶液中に浸漬して穴の内部のみに該水溶液を満たし
3 しかる後この状態の基板をアルカリ土類金属塩水溶
液中に浸漬して該アルギン酸アルカリ金属塩水溶液をゲ
ル化する工程と、該ゲルを被覆するガス透過性膜を形成
する工程と、電極感応部の該ガス透過性膜上に脱炭酸酵
素L−リジンデカルボキシラーゼを固定した酵素固定膜
を形成する工程とを有して小型L−リジンセンサの製造
方法を構成するや 〔産業上の利用分野〕 零発’IQは、L−リジンセンサに関し、特に小型かつ
低価格で大量生産可能なl、+7ジンセンサおよびそれ
の製造方法に関する。さらに詳しく述べると1本発明は
酵素機能と微生物機能を組み合わせて使用し、さらに電
気化学的な電極を利用したしリジン計測法およびL −
IJリジン測用センサに関する。本発明のL−リジンセ
ンサは、アンペロメトリンクにL−リジンを計測でき、
しかも微小化・大量生産が容易であると言う点で画期的
であり、−括大量生産ができるために、低コストである
。本発明は、医療・醗酵を始めとする多くの計測分野に
おいて、有利に利用することができる。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] The present invention relates to an L-lysine sensor, and aims to provide an L-lysine sensor that is small and can be mass-produced at low cost, and a method for manufacturing the same. A semiconductor substrate having a groove (hole) formed by a semiconductor substrate, an insulating film covering the surface of the substrate, and a cathode/anode formed from the bottom of the liquid hole to the surface of the substrate via the insulating film. a main electrode, a gel containing an electrolyte and autotrophic bacteria filled in the hole, and a gas permeable membrane covering the gel;
A small 1-+7 gin sensor is constructed by having an enzyme-immobilized film on which the decarboxylase L-lysine decarboxylase is immobilized, which is formed on the gas-permeable film of the electrode sensitive part, and an anisotropic film is formed on the semiconductor substrate. a step of forming a groove (hole) by etching; a step of forming an insulating film covering the surface of the substrate;
A step of forming two electrodes that will become a cathode and an anode from the bottom of the liquid hole to the surface of the substrate via the insulating film, a step of covering the back side of the substrate with a hydrophobic insulating film, and a step of covering the part of the liquid hole. coating with a hydrophobic photoresist film;
The substrate is immersed in an aqueous alginate salt aqueous solution containing an electrolyte and autotrophic bacteria, and only the inside of the hole is filled with the aqueous solution.3 The substrate in this state is then immersed in an alkaline earth metal salt aqueous solution to form the alginate alkali metal salt aqueous solution. a step of gelling the gel, a step of forming a gas-permeable membrane covering the gel, and forming an enzyme-immobilized membrane on which the decarboxylase L-lysine decarboxylase is immobilized on the gas-permeable membrane of the electrode sensitive part. [Industrial Application Field] Zero-Hatsu'IQ is a small-sized L-lysine sensor that can be mass-produced at a low price. The present invention relates to a sensor and a method for manufacturing the same. To explain in more detail, 1 the present invention uses a combination of enzymatic and microbial functions, and further uses an electrochemical electrode to measure lysine and L-lysine.
This invention relates to a sensor for measuring IJ lysine. The L-lysine sensor of the present invention can measure L-lysine in amperometrin,
Moreover, it is revolutionary in that it is easy to miniaturize and mass-produce, and because it can be mass-produced in bulk, it is low cost. The present invention can be advantageously used in many measurement fields including medicine and fermentation.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

L−リジンはさまざまな方法で測定可能であるが、その
うち特に迅速簡便な方法としては、 Gui−1bau
ltらにより開発されたし一リジンセンサがある。これ
は、ポテンショメトリックな二酸化炭素電極官能部上に
、L−リジンデカルボキシラーゼを固定して作製したも
のである。このセンサは、L−リジンをL−リジンデカ
ルボキシラーゼで分解して、この際発生する二酸化炭素
を二酸化炭素電極で測定し1間接的にL−リジン濃度を
定量しようとするものである。
L-lysine can be measured by various methods, among which a particularly quick and easy method is Gui-1bau.
There is a lysine sensor developed by Lt et al. This was produced by immobilizing L-lysine decarboxylase on a potentiometric carbon dioxide electrode functional part. This sensor attempts to indirectly quantify L-lysine concentration by decomposing L-lysine with L-lysine decarboxylase and measuring the carbon dioxide generated at this time with a carbon dioxide electrode.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

GuilbaulL らのし−リジンセンサは、従来型
の二酸化炭素電極をトランスデユーサとして用いたもの
であるが、この二酸化炭素電極は通常万年筆程度の大き
さであり、微量なサンプルを測定するためには不都合で
ある。また、一般にこのようなセンサでは、酵素が非常
に不安定であるために。
The Guilbaul L et al. lysine sensor uses a conventional carbon dioxide electrode as a transducer, but this carbon dioxide electrode is usually about the size of a fountain pen, making it difficult to measure small amounts of samples. It's inconvenient. Additionally, enzymes in such sensors are generally very unstable.

酵素膜を取り替える必要がある。電極ごと取り替えるこ
とができれば問題はないが、二酸化炭素電極は1本10
万円前後と高価であり、これは不可能である。また、こ
のL−リジンセンサは、ポテンショメトリックであり、
夾雑物質の影響を受けやすい上、感度の向上を図るのが
困難である。
The enzyme membrane needs to be replaced. There is no problem if you can replace the entire electrode, but one carbon dioxide electrode costs 10
This is impossible as it is expensive at around 10,000 yen. Moreover, this L-lysine sensor is potentiometric,
It is easily affected by contaminants, and it is difficult to improve sensitivity.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

前述の問題点は5本発明者らが既に出願した。 The above-mentioned problems have already been filed by the present inventors.

独立栄養細菌と小型酸素電極とを用いたアンペロメトリ
ックな小型二酸化炭素センサを使用することにより、解
決が可能である。
A solution is possible by using a small amperometric carbon dioxide sensor using autotrophic bacteria and a small oxygen electrode.

本発明は、異方性エツチングにより形成された溝(穴)
を有する半導体基板と、該基板の表面を覆う絶縁膜と、
該絶縁膜を介して液穴の底部から該基板の表面に至って
形成されるカソード・アノードとなる2本の電極と、該
穴内に充填された電解質および独立栄養細菌含有ゲルと
、該ゲルを被覆するガス透過性膜と、電極感応部の該ガ
ス透過性膜上に形成された脱炭酸酵素L−リジンデカル
ボキシラーゼを固定した酵素固定膜とを有する小型しり
ジンセンサ、及び、半導体基板上に異方性エツチングに
より溝(穴)を形成する工程と、該基板の表面を覆う絶
縁膜を形成する工程と、液穴の底部から該基板の表面に
至るカソード及びアノードとなる2本の電極を該絶縁膜
を介して形成する工程と、基板裏面を疎水性絶縁膜で被
覆する工程と、液穴の部分を除いて疎水性フォトレジス
ト膜を被覆する工程と、電解質および独立栄養細菌含有
アルギン酸アルカリ金属塩水溶液中に浸漬して穴の内部
のみに該水溶液を満たし、しかる後この状態の基板をア
ルカリ土類金属塩水溶液中に浸漬して該アルギン酸アル
カリ金属塩水溶液をゲル化する工程と、該ゲルを被覆す
るガス透過性膜を形成する工程と、電極感応部の該ガス
透過性膜上に脱炭酸酵素L−リジンデカルボキシラーゼ
を固定した酵素固定膜を形成する工程とを有する小型L
−リジンセンサの製造方法により達成される。
The present invention focuses on grooves (holes) formed by anisotropic etching.
an insulating film covering the surface of the substrate;
Two electrodes forming a cathode and anode formed from the bottom of the liquid hole to the surface of the substrate via the insulating film, a gel containing electrolyte and autotrophic bacteria filled in the hole, and covering the gel. A compact silica sensor comprising a gas-permeable membrane with a decarboxylase L-lysine decarboxylase formed on the gas-permeable membrane of an electrode sensitive part, and an anisotropically immobilized membrane on a semiconductor substrate. A process of forming grooves (holes) by chemical etching, a process of forming an insulating film covering the surface of the substrate, and a process of insulating the two electrodes that will become the cathode and anode from the bottom of the liquid hole to the surface of the substrate. A process of forming via a film, a process of coating the back side of the substrate with a hydrophobic insulating film, a process of covering the area except for the liquid hole with a hydrophobic photoresist film, and an alkali metal alginate salt containing electrolyte and autotrophic bacteria. A step of immersing the substrate in an aqueous solution to fill only the inside of the hole with the aqueous solution, and then immersing the substrate in this state in an aqueous alkaline earth metal salt solution to gel the alginate alkali metal salt aqueous solution; A small size L comprising the steps of forming a covering gas-permeable membrane and forming an enzyme-immobilized membrane on which a decarboxylase L-lysine decarboxylase is immobilized on the gas-permeable membrane of the electrode sensitive part.
- Achieved by a method for manufacturing a lysine sensor.

上記し一リジンセンサの上記電解質として塩化カリウム
、もしくは硫酸ナトリウムを用いることができる。
Potassium chloride or sodium sulfate can be used as the electrolyte of the above-mentioned lysine sensor.

上記L−リジンセンサの上記カソードとして金電極、も
しくは白金電極を用いることができる。
A gold electrode or a platinum electrode can be used as the cathode of the L-lysine sensor.

上記L−リジンセンサの上記アノードとして金電極、も
しくは白金電極を用いることができる。
A gold electrode or a platinum electrode can be used as the anode of the L-lysine sensor.

上記L−リジンセンサの上記電解質として塩化カリウム
を用い、上記アノードとして銀/塩化銀参照tiを用い
たL−リジンセンサとすることができる。
The L-lysine sensor may use potassium chloride as the electrolyte and silver/silver chloride reference ti as the anode.

上記L−リジンセンサの上記独立栄養細菌として二酸化
炭素を選択的に資化可能なTIT/FJ−0001菌(
@工研菌寄第8473号)を用いることができる。
The autotrophic bacteria of the L-lysine sensor are TIT/FJ-0001 bacteria that can selectively assimilate carbon dioxide (
@Koken Bokuyori No. 8473) can be used.

上記L−リジンセンサの上記独立栄養細菌として二酸化
炭素を選択的に資化可能なTIT/FJ−0002菌(
微工研菌寄第8474号)を用いることができる。
As the autotrophic bacteria of the L-lysine sensor, TIT/FJ-0002 bacteria (
8474) can be used.

本発明は、その1つの面によれば5例えば、溶液中のし
一リジンの濃度を測定するための計測用センサであって
、酸素電極のカソード近傍に固定されたものであって前
記二酸化炭素を選択的に資化可能な微生物と電解質を含
むゲル、および、これを被覆したガス透過性膜、および
L−リジンを分解して二酸化炭素を解離する脱炭酸酵素
L −リジンデカルボキシラーゼを組み合わせて含んで
なることを特徴とするし一リジン計測用センサにある。
According to one aspect of the present invention, there is provided a measurement sensor for measuring the concentration of lysine in a solution, the sensor being fixed near the cathode of an oxygen electrode, and comprising a sensor for measuring the concentration of lysine in a solution. A gel containing microorganisms and electrolytes that can selectively assimilate L-lysine, a gas-permeable membrane covering the gel, and a decarboxylase L-lysine decarboxylase that decomposes L-lysine and dissociates carbon dioxide. A sensor for measuring lysine is characterized by comprising:

また2本発明はもう1つの面によれば5 このようなし
 IJリジンセンサ微小化し、−括大量生産するための
作製方法である。
According to another aspect of the present invention, there is provided a manufacturing method for miniaturizing an IJ lysine sensor and mass producing it.

L−リジンセンサの小型化の基本となる酸素電極の小型
化については5本発明者らが特許出願した(特開昭63
−23854Σ号)フォトリソグラフィーを利用した小
型酸素電極がある。この酸素電極はシリコン基板上に異
方性エッチングにより形成した穴の上に、絶縁膜を介し
て2本の電極を形成し、さらにこの穴の内部に電解液含
套体を収容しそして最後に穴の上面をガス透過性膜で覆
った構造を有する酸素電極である。この酸素電極は。
The present inventors have filed a patent application regarding the miniaturization of the oxygen electrode, which is the basis for miniaturizing the L-lysine sensor (Japanese Patent Laid-Open No. 63
-23854Σ) There is a small oxygen electrode using photolithography. This oxygen electrode is made by forming two electrodes on a hole formed by anisotropic etching on a silicon substrate, with an insulating film interposed therebetween, and then accommodating an electrolyte-containing body inside the hole. This is an oxygen electrode with a structure in which the upper surface of the hole is covered with a gas permeable membrane. This oxygen electrode.

小型で、特性のばらつきが少なく、また−括大量生産が
できるために、低コストである。
It is small, has little variation in characteristics, and can be mass-produced in bulk, resulting in low cost.

このような小型酸素電極を利用することによりL−リジ
ンセンサのトランスデユーサとなる二酸化炭素電極の小
型化は容易に実現可能となる。
By using such a small oxygen electrode, it is possible to easily downsize the carbon dioxide electrode that serves as the transducer of the L-lysine sensor.

しかし、このためにはさらに微生物をどこに いかにし
て固定するかが問題となる。
However, this poses another problem: where and how to immobilize the microorganisms.

微生物の固定にあたっては、特願昭62−148221
号に開示した方法を基本とするのが、プロセス上からも
、また安全面からも非常に有利であると考えられる。ま
た1本発明者らは、微生物を固定するにあたっては、特
開昭63−238548号の小型酸素電極の表面に微生
物を固定するのでは、@生物が漏出しやすく安全性に問
題があるとの観点から。
For the fixation of microorganisms, patent application No. 148221/1982
Based on the method disclosed in the above issue, it is considered to be very advantageous from both a process and safety standpoint. In addition, the inventors of the present invention found that fixing microorganisms on the surface of the small oxygen electrode disclosed in JP-A-63-238548 is prone to leakage of microorganisms and poses a safety problem. From a point of view.

微生物を小型酸素電極のガス透過性膜内部に、電解液と
ともにゲル中に固定する方法を採用した。
A method was adopted in which microorganisms were immobilized in a gel together with an electrolyte inside the gas-permeable membrane of a small oxygen electrode.

二の本発明の方法を実施するにあたって、電極本体の基
材としては、半導体基板、シリコン、ゲルマニウム、砒
化ガリウム等の半導体基板、特にシリコン基板を有利に
使用することができる。絶縁膜は、シリコン酸化膜、そ
の他から形成することができる。シリコン酸化膜は2例
えば基板がシリコンである場合に、その基板を熱酸化す
ることによって容易に形成することができる。
In carrying out the second method of the present invention, a semiconductor substrate, a semiconductor substrate such as silicon, germanium, gallium arsenide, etc., particularly a silicon substrate can be advantageously used as the base material of the electrode body. The insulating film can be formed from a silicon oxide film or other materials. The silicon oxide film can be easily formed by thermally oxidizing the substrate, for example, when the substrate is silicon.

2本の電極は、製作される電極がポーラ口型であるかガ
ルバニ型であるかに応じているいろに変更することがで
きるが、この二酸化炭素電極の構造では、微生物と電解
質が共存することになるので1例えば、 0.1 ?l
塩化カリウム水溶液等の中性電解質を用いたポーラ口型
とするのが望ましい。
The two electrodes can be of different colors depending on whether the electrode is of the polar or galvanic type, but the structure of this carbon dioxide electrode does not allow for the coexistence of microorganisms and electrolyte. So 1, for example, 0.1? l
A polar mouth type using a neutral electrolyte such as an aqueous potassium chloride solution is preferable.

ポーラ口型の酸素電極を基本に二酸化炭素電極を製造す
る場合には1両を掻きも金電極あるいは白金電極から構
成し、測定時に両電極間に電圧を印加する。このような
電極の形成は1例えば、真空蒸着、スパッタリング等の
成膜法によって有利に行うことができる。
When manufacturing a carbon dioxide electrode based on a polar-mouth type oxygen electrode, one electrode is constructed from a metal electrode or a platinum electrode, and a voltage is applied between both electrodes during measurement. Formation of such an electrode can be advantageously performed by a film forming method such as vacuum evaporation or sputtering.

電極形成後の基板上に、穴の部分及び電気的コンタクト
を取る部分を除いて塗布するフォトレジストは、好まし
くはネガ型フォトレジスト、例えば東京応化製OMR−
83である。このタイプのフォトレジストは、穴の部分
のみに電解液含有多孔性物質を満たすに際して、その原
料となる水溶液をはじく性質を持っているので有利であ
る。
The photoresist to be applied onto the substrate after the electrodes are formed, except for the holes and the areas for electrical contact, is preferably a negative type photoresist, such as OMR- manufactured by Tokyo Ohka.
It is 83. This type of photoresist is advantageous because it has the property of repelling the aqueous solution that is the raw material when only the hole portions are filled with an electrolyte-containing porous material.

多孔性担体により保持されるべき電解質としては、塩化
カリウム、硫酸ナトリウム等、いろいろなものを用いる
ことができる。
Various electrolytes such as potassium chloride and sodium sulfate can be used as the electrolyte to be retained by the porous carrier.

ガス透過性膜は、疎水性で水溶液が通過しないことはも
ちろんであるが、初めは液体状でデイツプコーティング
あるいはスピンコーティングが可能であり3電極材料、
シリコン基板、そして絶縁Hりとしてのシリコン酸化膜
との密着力が良好で電解液が外部に漏出しないことも必
須の用件である適当なガス透過性膜材料としては、フォ
トレジスト、好ましくはネガ型フォトレジストなどを挙
げることができる。テフロン(商品名)膜は、酸素透過
性であるけれども密着力を持たないので使用を避けなけ
ればならない。
Gas-permeable membranes are hydrophobic and do not allow aqueous solutions to pass through them, but they are initially liquid and can be dip-coated or spin-coated.
A suitable gas-permeable film material is a photoresist, preferably a negative film, which has good adhesion to the silicon substrate and the silicon oxide film as an insulator, and it is also essential that the electrolyte does not leak to the outside. Examples include type photoresists. Although Teflon (trade name) membrane is permeable to oxygen, it does not have adhesive strength and should be avoided.

本発明の実施において有利に使用することのできる微生
物は、二酸化炭素を選択的に資化可能な微生物、たとえ
ばシュードモナス属1 その他の属に属する菌体である
。本発明者らは、シュードモナス属↑IT/FJ−00
01菌(微工研菌寄第8473号)未同定のT IT/
PJ−0002菌(微工研菌寄第8474号)を用いて
、特に好ましい結果を得ることができた(これらの菌の
性質については特開昭62−80549号)を参照のこ
と。
Microorganisms that can be advantageously used in carrying out the present invention are microorganisms that can selectively assimilate carbon dioxide, such as microorganisms belonging to the genus Pseudomonas and other genera. The present inventors discovered that Pseudomonas ↑IT/FJ-00
01 bacterium (Feikoken Bacteria No. 8473) Unidentified T IT/
Particularly favorable results were obtained using the PJ-0002 bacterium (Feikoken Bacteria No. 8474) (for the properties of these bacteria, see JP-A-62-80549).

〔作用〕[Effect]

本発明の作用の理解を容易ならしめるため、第1図を参
照しながら本発明の小型L−リジンセンサの原理を説明
する。
In order to facilitate understanding of the operation of the present invention, the principle of the small-sized L-lysine sensor of the present invention will be explained with reference to FIG.

このL−リジンセンサを緩衝液中に浸漬した状態で、十
分出力電流値を安定させた後に、L−リジンを試料とし
て添加すると、L−リジンは酵素固定膜15に固定され
る酵素L−リジンデカルボキシラーゼの働きにより分解
されて5二酸化炭素を解離する。この二酸化炭素は2図
示される通りガス透過性11!14を通過した後、固定
化微生物8の近傍に到達する。微生物8は二酸化炭素を
資化し、この際呼吸活性が盛んになり酸素が消費され、
したがって、カソード3Aに到達する酸素濃度が低下す
る。この酸素濃度の変化量を電気化学的な酸素の還元電
流の変化として捉えることができれば、結果としてひき
おこされる電流値の低下をベースにしてL−リジン濃度
を測定することができる。
When L-lysine is added as a sample after stabilizing the output current value sufficiently with this L-lysine sensor immersed in a buffer solution, L-lysine is absorbed into the enzyme L-lysine that is immobilized on the enzyme-immobilized membrane 15. It is decomposed by the action of decarboxylase and 5 carbon dioxide is dissociated. This carbon dioxide reaches the vicinity of the immobilized microorganisms 8 after passing through the gas permeable membranes 11 and 14 as shown in Figure 2. Microorganisms 8 assimilate carbon dioxide, and at this time, respiratory activity increases and oxygen is consumed.
Therefore, the oxygen concentration reaching the cathode 3A decreases. If this amount of change in oxygen concentration can be understood as a change in electrochemical oxygen reduction current, the L-lysine concentration can be measured based on the resulting decrease in current value.

〔実施例〕〔Example〕

ついで2本発明による小型L−リジンセンサの製法の好
ましい一例を添付の図面を参照しながら説明する。
Next, a preferred example of a method for manufacturing a small-sized L-lysine sensor according to the present invention will be explained with reference to the accompanying drawings.

第2図は1本発明による小型L−リジンセンサの好まし
い一例を示した斜視図である。図示のLリジンセンサは
直方体の形状を有していて、感応部のガス透過性H14
上に酵素15が固定されるとともに、付属のデバイスに
接続するため、電極3A、3Bの一部が露出している。
FIG. 2 is a perspective view showing a preferred example of a small L-lysine sensor according to the present invention. The illustrated L-lysine sensor has a rectangular parallelepiped shape, and the gas permeability of the sensitive part is H14.
Enzyme 15 is fixed thereon, and a portion of electrodes 3A and 3B are exposed for connection to an attached device.

1i極3A3Bは2本例の場合、ポーラ口型とするため
に画電極とも金電極で構成した。第2図の小型L−リジ
ンセンサの構造は、そのII−目線に沿った断面図であ
る第3図から詳しく理解できるであろう。
In the case of two 1i electrodes 3A3B, both the picture electrodes and the picture electrodes were made of gold electrodes in order to have a polar mouth type. The structure of the compact L-lysine sensor shown in FIG. 2 can be understood in detail from FIG. 3, which is a sectional view taken along line II-.

シリコン基板1は、異方性エツチングにより形成された
穴を有するとともに、その全面にシリコン酸化膜2が絶
縁膜として被着せしめられている。
A silicon substrate 1 has holes formed by anisotropic etching, and a silicon oxide film 2 is deposited as an insulating film on the entire surface thereof.

さらに基板裏面は破れにくい疎水性絶縁膜7で覆われて
いる。シリコン基板1の穴には、2本の金量m3Aおよ
び3Bが対をなして被着せしめられている。金電極3A
および3Bは、第2図で示したように、それぞれの一部
分が溝の外側にまで延在している。また、シリコン基板
1の穴には独立栄養細菌および電解液含有ゲル6が満た
されている。さらに、穴の上部には、基板1の上部の全
面(第2図の露出部を除く)を覆う形で2ガス透過性W
i114が被覆されており、これは絶縁膜として側面お
よび裏面にも覆われている。
Furthermore, the back surface of the substrate is covered with a hydrophobic insulating film 7 that is hard to tear. Two gold pieces m3A and 3B are deposited in pairs in the holes of the silicon substrate 1. Gold electrode 3A
and 3B, a portion of each extends to the outside of the groove, as shown in FIG. Furthermore, the holes in the silicon substrate 1 are filled with autotrophic bacteria and an electrolyte-containing gel 6. Furthermore, two gas permeable Ws are provided above the holes to cover the entire upper surface of the substrate 1 (excluding the exposed portion in FIG. 2).
i114 is coated, and the side and back surfaces are also covered as an insulating film.

第2図および第3図に示した小型L−リジンセンサは2
例えば、第4図に順を追って示す製造プロセスで有利に
製造することができる。なお、第4図(A)に示す電極
形成後の本体は1次のような工程を経て製造することが
できる。なお、以下の説明では、理解を容易ならしめる
ため、1枚のウェハーに1個だけL−リジンセンサを形
成する場合について記載するけれども、実際、には1枚
のウェハーに多数個のし一リジンセンサが同時に形成さ
れるということを理解されたい。
The small L-lysine sensor shown in Figures 2 and 3 has two
For example, it can be advantageously manufactured using the manufacturing process shown in sequence in FIG. Note that the main body after electrode formation shown in FIG. 4(A) can be manufactured through the following steps. In the following explanation, in order to make it easier to understand, we will describe the case where only one L-lysine sensor is formed on one wafer, but in reality, many L-lysine sensors are formed on one wafer. It should be understood that the sensors are formed at the same time.

1、ウェハー洗浄 厚さ350 μmの(100)面2インチシリコンウェ
ハーを用意し、これを過酸化水素とアンモニアの混合溶
液および濃硝酸で洗浄した。
1. Wafer Cleaning A 2-inch (100)-sided silicon wafer with a thickness of 350 μm was prepared and cleaned with a mixed solution of hydrogen peroxide and ammonia and concentrated nitric acid.

2.5iOz膜の形成 シリコンウェハーをウェット熱酸化し、その全面に膜厚
0.8 μmのSi0g膜を形成した。
Formation of 2.5 iOz film A silicon wafer was subjected to wet thermal oxidation to form a Si0g film with a thickness of 0.8 μm on the entire surface.

3、エッチング用パターンの形成 ネガ型フォトレジスト(東京応化型 0FIR−83帖
度60 cP)を使用して、ウェハー上に5iOiエツ
チング用レジストパターンを形成した。
3. Formation of etching pattern A 5iOi etching resist pattern was formed on the wafer using a negative photoresist (TOKYO OHKA 0FIR-83, 60 cP).

4、裏面保護用レジスト塗布 ウェハーの裏面にも上記工程で使用したものと同じネガ
型フォトレジストを塗布し、 130°Cで30分間に
渡ってベータした。
4. Coating resist for backside protection The same negative photoresist used in the above process was applied to the backside of the wafer, and beta-coated at 130°C for 30 minutes.

5.5iOzBのエツチング 50%フッ化水素H:40%フッ化アンモニウム−1:
6水?S液にウェハーを浸漬し、フォトレジストが被覆
されていない露出部分の5iO1をエツチングにより除
去した0次いで硫酸;31χ過酸化水素水(2:1)溶
液によりレジストを除去した。
Etching 5.5iOzB 50% hydrogen fluoride H:40% ammonium fluoride-1:
6 water? The wafer was immersed in an S solution, and the 5iO1 in exposed areas not covered with the photoresist was removed by etching.The resist was then removed with a sulfuric acid:31x hydrogen peroxide solution (2:1).

6、シリコンの異方性エツチング 80°Cの35%水酸化カリウム水溶液中にてシリコン
の異方性エツチングを行った。エツチング深さ300 
μm。エツチング完了後、ウェハーを純水で洗浄した。
6. Anisotropic etching of silicon Silicon was anisotropically etched in a 35% potassium hydroxide aqueous solution at 80°C. Etching depth 300
μm. After etching was completed, the wafer was washed with pure water.

この異方性エツチングの完了後、エツチング時に使用し
たSiO□膜を除去した。これは、5と同様に50%フ
ッ化水素酸=40%フフ化アンモニウム=に6水溶液中
で行った。
After completing this anisotropic etching, the SiO□ film used during etching was removed. This was carried out similarly to 5 in an aqueous solution of 50% hydrofluoric acid = 40% ammonium fluoride = 6.

7、SiO□膜の形成 シリコンウェハー表面にSiO□膜を成長させるため、
1.の洗浄工程に引き続いて、ウェハーをウェット熱酸
化した。膜厚0.8 、l/11の膜が形成された。
7. Formation of SiO□ film To grow a SiO□ film on the silicon wafer surface,
1. Following the cleaning step, the wafer was wet thermally oxidized. A film with a thickness of 0.8 and l/11 was formed.

8、クロムおよび金薄膜の形成 りロム薄膜(400人、金と基板の密着用)に引き続き
、金薄膜(4000人)を真空蒸着により形成した。
8. Formation of Chromium and Gold Thin Films Following the ROM thin film (400 people, adhesion of gold and substrate), a gold thin film (4000 people) was formed by vacuum evaporation.

9、電極形成用レジストパターンの形成ネガ型フォトレ
ジスト(東京応化型 0FIR−83゜粘度60 cP
)を使用して、ウェハーの5ift上に形成される金薄
膜上に電極形成用レジストバクーンを形成した。
9. Formation of resist pattern for electrode formation Negative photoresist (Tokyo Ohka type 0FIR-83° viscosity 60 cP
) was used to form a resist film for electrode formation on the gold thin film formed on 5 ift of the wafer.

10、金およびクロムのエツチング レジストパターンが形成された基板を以下の■■の金お
よびクロム用エツチング液にこの順に浸漬し、露出した
金およびクロムの部分をエツチングにより除去する。さ
らに、純水にて洗浄後1硫酸:311遍M化水素水(2
:1)?91!:よりレジストを除去した。
10. Gold and chromium etching The substrate on which the resist pattern has been formed is immersed in the following gold and chromium etching solutions in this order, and the exposed gold and chromium parts are removed by etching. Furthermore, after washing with pure water, 1 sulfuric acid: 311 times M hydrogen hydride water (2
:1)? 91! : More resist was removed.

■金エツチング液:4gK!  および1 g +2を
40 +ml の水に溶かしたもの ■クロムエツチング液: 0.5 g NaOHおよび
1g KsFe(CN)aを4 mlの水に熔かしたも
の金電極の形成された状態を第4図(A)に示す。
■Gold etching liquid: 4gK! and 1 g +2 dissolved in 40 + ml of water ■Chrome etching solution: 0.5 g NaOH and 1 g KsFe(CN)a dissolved in 4 ml of water. Shown in Figure (A).

11、基板裏面に疎水性絶縁膜形成 基板裏面に疎水性絶縁膜(信越シリコーン製ES−10
01)  7を一様に塗布し、250°Cでベーキング
を施す。
11. Hydrophobic insulating film formed on the back side of the substrate Hydrophobic insulating film (ES-10 made by Shin-Etsu Silicone) was formed on the back side of the substrate.
01) Apply 7 evenly and bake at 250°C.

12、レジスト塗布(第4図(B)) 本体表面で5穴5と、電気的コンタクトを取るパッド部
分以外のところをネガ型フォトレジスト(東京応化製 
OMR−83,粘度60 cP) 4で被覆したこれは
、ウェハーの表面にフォトレジストを塗布し6 プリヘ
ーク後に露光及び現像を行うことによって実施した。
12. Resist application (Figure 4 (B)) Apply negative photoresist (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) to the surface of the main body except for the 5 holes 5 and the pads for electrical contact.
OMR-83, viscosity 60 cP) 4 This was done by applying a photoresist to the surface of the wafer, 6 pre-hake followed by exposure and development.

13、基板の切り出し 基板上に多数形成された二酸化炭素電極本体をチップ状
に切り出した。
13. Cutting out the substrate A large number of carbon dioxide electrode bodies formed on the substrate were cut into chips.

14、穴の中を親水性にする チップ先端部を1M水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬す
る。この結果、レジストで被われていないところが親水
性になった。
14. Make the inside of the hole hydrophilic. Immerse the tip end in a 1M aqueous sodium hydroxide solution. As a result, the areas not covered with resist became hydrophilic.

15、アルギン酸カルシウムゲルの充填(第4図(C)
) 微生物および電解液含有ゲルの形成用として次のような
2種類の溶液を調製した。
15. Filling with calcium alginate gel (Figure 4 (C)
) The following two types of solutions were prepared for forming gels containing microorganisms and electrolyte.

A液: 湿った状態のTIT/FJ−0001菌および
アルギン酸ナトリウムを0.1M塩化カリウム水溶液中
に溶解したもの。菌数: 1.2 X 10”個7cm
”。アルギン酸ナトリウム濃度0.2m 。
Solution A: A solution in which wet TIT/FJ-0001 bacteria and sodium alginate were dissolved in a 0.1M potassium chloride aqueous solution. Bacterial count: 1.2 x 10” 7cm
”.Sodium alginate concentration 0.2m.

B液: 塩化カルシウムを0.1 M塩化カリウム水溶
液中に溶解したもの。塩化カルシウム濃度5%。
Solution B: Calcium chloride dissolved in 0.1 M potassium chloride aqueous solution. Calcium chloride concentration 5%.

A液に第4図(B)のチップを浸漬してゆっくり引き上
げたところ、ネガ型フォトレジスト膜4は疎水性である
ので、先のA液はレジスト膜からはじかれて穴5内にの
み残った。ついで、このチップをB液に浸漬したところ
、A液は瞬時にゲル化しT1丁/FJ−0001菌はゲ
ルの内部に固定された。
When the chip shown in FIG. 4(B) was immersed in liquid A and slowly pulled up, the negative photoresist film 4 was hydrophobic, so the liquid A was repelled from the resist film and remained only in the hole 5. Ta. Next, when this chip was immersed in Solution B, Solution A instantaneously turned into a gel, and the T1/FJ-0001 bacteria were immobilized inside the gel.

16、ガス透過性膜の被覆(第4図(D))微生物およ
び電解液含をゲル6上にそのゲルを覆うようにしてガス
透過性膜14を被覆した。本例ではガス透過性膜として
、信越シリコーン製KR−5240をデイツプコーティ
ングにより塗布した。
16. Coating the gas-permeable membrane (FIG. 4(D)) The gas-permeable membrane 14 was coated with microorganisms and electrolyte on the gel 6 so as to cover the gel. In this example, KR-5240 manufactured by Shin-Etsu Silicone was applied as a gas permeable membrane by dip coating.

これにより、ガス透過性膜および側壁用絶縁膜を完成さ
せた。このレジスト膜は裏面にも形成されるが、これは
より絶縁性を向上させるのに有利に作用する。
As a result, a gas permeable film and a sidewall insulating film were completed. This resist film is also formed on the back surface, which has an advantageous effect in further improving the insulation properties.

17、酵素固定膜の形成(第4図(E))L−リジンデ
カルボキシラーゼ(シグマ社製:type Vll: 
from Escherichia coli)は以下
の方法にしたがって、トランスデユーサとなる小型二酸
化炭素電極感応部ガス透過性膜14上に固定、した■ 
L−リジンデカルボキシラーゼ(シグマ社製:  ty
pe Vll: from Escherichia 
coli)2 mgを10χ牛血清アルブミン(BSA
)水溶?&10μl中に溶かす。
17. Formation of enzyme-immobilized membrane (Figure 4 (E)) L-lysine decarboxylase (manufactured by Sigma: type Vll:
from Escherichia coli) was fixed on the gas permeable membrane 14 of the small carbon dioxide electrode sensitive part, which will serve as the transducer, according to the following method.
L-lysine decarboxylase (manufactured by Sigma: ty
pe Vll: from Escherichia
coli) 2 mg to 10x bovine serum albumin (BSA)
)Water soluble? & Dissolve in 10 μl.

■゛■液に10χグルタルアルデヒド10 μmを滴下
、良く混合する。
■Drop 10 μm of 10χ glutaraldehyde into the solution and mix well.

■ 小型二酸化炭素電極感応部をこの混合溶液中に浸漬
して引き上げ、牛血清アルブミンBSAが固まるのを待
つ。
(2) Immerse the small carbon dioxide electrode sensitive part in this mixed solution, pull it out, and wait for the bovine serum albumin BSA to solidify.

反応を完了させた後、純水で洗浄後、グルタルアルデヒ
ドの未反応部を0.1Mグリシンを含む10mMリン酸
緩衝液(pH6,0)中に室温で30分間浸漬すること
により除去した。
After the reaction was completed, the unreacted portion of glutaraldehyde was removed by immersion in 10 mM phosphate buffer (pH 6,0) containing 0.1 M glycine for 30 minutes at room temperature after washing with pure water.

完成したし一リジンセンサは、純水中、又は、0.1m
Mピリドキサール5° リン酸塩(PLP)を含む10
mMリン酸緩衝液(PH6,0,4’c >で保存した
The completed lysine sensor can be placed in pure water or at 0.1 m.
10 containing M pyridoxal 5° phosphate (PLP)
Stored in mM phosphate buffer (PH6,0,4'c>).

このL−リジンセンサは、感応部を緩衝液(例えば10
 a+M リン酸緩衝液)中に浸漬して使用するこのセ
ンサを十分安定させた後に、試料を添加し、電流の変化
量を調べることにより、L−リジンの定量ができる。
This L-lysine sensor uses a buffer solution (for example, 10
After sufficiently stabilizing this sensor, which is used by immersing it in (a+M phosphate buffer), L-lysine can be quantified by adding a sample and checking the amount of change in current.

測定にあたっては、まずセンサ感応部を緩衝液中に浸漬
し、ここに、ピリドキサール5″ リン酸塩(PLP)
を適宜添加して出力を安定させた後L−リジンを含む試
料液を添加して、この時の電流値の変化を調べた。引き
続き測定を行□う場合はセンサ感応部を1mMピリドキ
サール5゛ リン酸塩(PLP)を含む10mMリン酸
緩衝液(pH6,0)中に浸漬して、十分洗浄した後、
上記操作を行えばよい。
For measurement, first, the sensor sensitive part is immersed in a buffer solution, and then pyridoxal 5" phosphate (PLP) is added.
After stabilizing the output by appropriately adding L-lysine, a sample solution containing L-lysine was added, and the change in current value at this time was examined. If you wish to continue measurements, immerse the sensor sensitive part in 10mM phosphate buffer (pH 6.0) containing 1mM pyridoxal 5' phosphate (PLP) and wash thoroughly.
Just perform the above operation.

第5図及び6図に小型L−リジンセンサの温度特性およ
びpH特性を示す。
FIGS. 5 and 6 show the temperature characteristics and pH characteristics of the small L-lysine sensor.

また、第7図には、33“C02116,0の条件下で
の検量線を示す。
Further, FIG. 7 shows a calibration curve under the condition of 33"C02116,0.

このセンサの各種L−アミノ酸に対する選択性を調べた
。ここで、各種し一アミノ酸の濃度を2mMとした。L
−アラニン、L−アルギニン、し−シスチン、L−グル
タミン、L−グルタミン酸し〜グリシン、L−ヒスチジ
ン、L−ヒドロキシプロリン、L−イソロイシン、L−
メチオニンL−フェニルーα−アラニン、L−プロリン
、L−セリン、L−スレオニン、L−トリプトファン、
L−チロシン、L−バリン等に対して、このセンサは目
立った応答を示さなかった。
The selectivity of this sensor for various L-amino acids was investigated. Here, the concentration of each amino acid was set to 2mM. L
-alanine, L-arginine, cystine, L-glutamine, L-glutamic acid - glycine, L-histidine, L-hydroxyproline, L-isoleucine, L-
Methionine L-phenyl-α-alanine, L-proline, L-serine, L-threonine, L-tryptophan,
This sensor did not show any noticeable response to L-tyrosine, L-valine, etc.

L−チロシン、L−シスチン、L−1−リプトファンは
完全には溶解しなかったが、これらに対してセンサはや
はり応答を示さなかった。
Although L-tyrosine, L-cystine, and L-1-lyptophan were not completely dissolved, the sensor still showed no response to these.

上記実施例では、独立栄養細菌として二酸化炭素を選択
的に資化可能なTIT/FJ−,0001菌(微工研菌
寄第8473号)を用いる例を上げたが、独立栄養細菌
として、特公昭50−25551に記載のS17菌:微
工研菌寄第1129号を用いることができる。
In the above example, the TIT/FJ-0001 bacterium (Feikoken Bacterial Reference No. 8473), which can selectively assimilate carbon dioxide, was used as an autotrophic bacterium. The S17 bacterium described in Publication No. 50-25551: Kaikoken Bacteria No. 1129 can be used.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、安価で使い捨てが可能な、微小な小型
L−リジンセンサが作製可能である。
According to the present invention, it is possible to produce a small, inexpensive L-lysine sensor that is disposable.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の小型L−リジンセンサの原理図、 第2図は本発明による小型L−リジンセンサの好ましい
一例を示した斜視図、 第3図は第1図の電極の線分II−I+ に沿った断面
図、 第4図(A)〜(E)は第2図および第3図に示した小
型L−リジンセンサの製造プロセスの後半を順を追って
示した断面図、 第5図は本発明の小型L−リジンセンサの温度特性を示
す図、 第6図は本発明の小型L−リジンセンサのPH特性を示
す図、 第7図は本発明の小型L−リジンセンサの検量線を示す
。 図中、1は基板、2は絶縁膜、3Aおよび3Bは電極、
4はフォトレジスト膜、5は穴、6は微生物及び電解液
含有ゲル、7は疎水性絶縁膜、8は微生物、14はガス
透過性膜、15は酵素固定膜である。 δ 小型り一すシンビンサの原理図 第 j  且ろ 小型L−リジンセ′〉すの全土オー間 第  2  図 乞ン°す′収応きσnn主面面 目 31i21 シ1席 (°C) L−リジンセンサ4′jL−屓少1〆笠寥 5 p 小型L−リジンをンサQ製逓プロt!ス侶 L−リレジン亡ンプ/)検量偉 峯 7 Σ
Fig. 1 is a principle diagram of a small L-lysine sensor of the present invention, Fig. 2 is a perspective view showing a preferred example of a small L-lysine sensor of the present invention, and Fig. 3 is a line segment II of the electrode in Fig. 1. 4 (A) to (E) are sectional views sequentially showing the second half of the manufacturing process of the small L-lysine sensor shown in FIGS. 2 and 3; The figure shows the temperature characteristics of the small L-lysine sensor of the present invention. Figure 6 shows the PH characteristics of the small L-lysine sensor of the present invention. Figure 7 shows the calibration of the small L-lysine sensor of the present invention. Show the line. In the figure, 1 is a substrate, 2 is an insulating film, 3A and 3B are electrodes,
4 is a photoresist film, 5 is a hole, 6 is a microorganism and electrolyte-containing gel, 7 is a hydrophobic insulating film, 8 is a microorganism, 14 is a gas-permeable film, and 15 is an enzyme-immobilized film. δ Principle diagram of small-sized lysine resin No. 2 The entire area of small-sized L-lysine Sensor 4'jL-Short 1〆Kasaba 5p Small L-Lysine made by NsaQ Pro t! Susume L-resin pump/) Calibration Imine 7 Σ

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、異方性エッチングにより形成された溝(穴)を有す
る半導体基板と、該基板の表面を覆う絶縁膜と、該絶縁
膜を介して該穴の底部から該基板の表面に至って形成さ
れるカソード・アノードとなる2本の電極と、該穴内に
充填された電解質および独立栄養細菌含有ゲルと、該ゲ
ルを被覆するガス透過性膜と、電極感応部の該ガス透過
性膜上に形成された脱炭酸酵素L−リジンデカルボキシ
ラーゼを固定した酵素固定膜とを有することを特徴とす
る小型L−リジンセンサ。 2、半導体基板上に異方性エッチングにより溝(穴)を
形成する工程と、該基板の表面を覆う絶縁膜を形成する
工程と、該穴の底部から該基板の表面に至るカソード及
びアノードとなる2本の電極を該絶縁膜を介して形成す
る工程と、基板裏面を疎水性絶縁膜で被覆する工程と、
該穴の部分を除いて疎水性フォトレジスト膜を被覆する
工程と、電解質および独立栄養細菌含有アルギン酸アル
カリ金属塩水溶液中に浸漬して穴の内部のみに該水溶液
を満たし、しかる後この状態の基板をアルカリ土類金属
塩水溶液中に浸漬して該アルギン酸アルカリ金属塩水溶
液をゲル化する工程と、該ゲルを被覆するガス透過性膜
を形成する工程と、電極感応部の該ガス透過性膜上に脱
炭酸酵素L−リジンデカルボキシラーゼを固定した酵素
固定膜を形成する工程とを有することを特徴とする小型
L−リジンセンサの製造方法。
[Claims] 1. A semiconductor substrate having a groove (hole) formed by anisotropic etching, an insulating film covering the surface of the substrate, and a semiconductor substrate having a groove (hole) formed by anisotropic etching. Two electrodes forming the cathode and anode reach the surface, a gel containing electrolyte and autotrophic bacteria filled in the hole, a gas permeable membrane covering the gel, and a gas permeable membrane in the electrode sensitive part. 1. A small-sized L-lysine sensor comprising an enzyme-immobilized membrane formed on a sexual membrane and on which a decarboxylase L-lysine decarboxylase is immobilized. 2. A step of forming a groove (hole) on a semiconductor substrate by anisotropic etching, a step of forming an insulating film covering the surface of the substrate, and a step of forming a cathode and an anode from the bottom of the hole to the surface of the substrate. a step of forming two electrodes through the insulating film; a step of covering the back surface of the substrate with a hydrophobic insulating film;
A step of coating the substrate with a hydrophobic photoresist film except for the hole portion, and immersing the substrate in an alginate alkali metal salt aqueous solution containing an electrolyte and autotrophic bacteria to fill only the inside of the hole with the aqueous solution, and then the substrate in this state. a step of gelling the alginate alkali metal salt aqueous solution by immersing it in an alkaline earth metal salt aqueous solution, a step of forming a gas permeable membrane covering the gel, and a step of forming a gas permeable membrane on the electrode sensitive part. and forming an enzyme-immobilized membrane on which a decarboxylase L-lysine decarboxylase is immobilized.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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