JP2661240B2 - Small L-lysine sensor and method of manufacturing the same - Google Patents

Small L-lysine sensor and method of manufacturing the same

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JP2661240B2
JP2661240B2 JP1049003A JP4900389A JP2661240B2 JP 2661240 B2 JP2661240 B2 JP 2661240B2 JP 1049003 A JP1049003 A JP 1049003A JP 4900389 A JP4900389 A JP 4900389A JP 2661240 B2 JP2661240 B2 JP 2661240B2
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lysine
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hole
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sensor
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文雄 武井
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尚美 小嶋
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Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は、L−リジンセンサに関し,小型かつ低価格
で大量生産可能なL−リジンセンサおよびそれの製造方
法を提供することを目的とし、異方性エッチングにより
形成された溝(穴)を有する半導体基板と、該基板の表
面を覆う絶縁膜と、該絶縁膜を介して該穴の底部から該
基板の表面に至って形成されるカソード・アノードとな
る2本の電極と、該穴内に充填された電解質および独立
栄養細菌含有ゲルと、該ゲルを被覆するガス透過性膜
と、電極感応部の該ガス透過性膜上に形成された脱炭酸
酵素L−リジンデカルボキシラーゼを固定した酵素固定
膜とを有して小型L−リジンセンサを構成し、また、半
導体基板上に異方性エッチングにより溝(穴)を形成す
る工程と、該基板の表面を覆う絶縁膜を形成する工程
と、該穴の底部から該基体の表面に至るカソード及びア
ノードとなる2本の電極を該絶縁膜を介して形成する工
程と、基板裏面を疎水性絶縁膜で被覆する工程と、該穴
の部分を除いて疎水性フォトレジスト膜を被覆する工程
と、電解質および独立栄養細菌含有アルギン酸アルカリ
金属塩水溶液中に浸漬して穴の内部のみに該水溶液を満
たし,しかる後この状態の基板をアルカリ土類金属塩水
溶液中に浸漬して該アルギン酸アルカリ金属塩水溶液を
ゲル化する工程と、該ゲルを被覆するガス透過性膜を形
成する工程と、電極感応部の該ガス透過性膜上に脱炭酸
酵素L−リジンデカルボキシラーゼを固定した酵素固定
膜を形成する工程とを有して小型L−リジンセンサの製
造方法を構成する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Overview] The present invention relates to an L-lysine sensor, and an object of the present invention is to provide an L-lysine sensor that can be mass-produced in a small size at low cost and a method for manufacturing the same. A semiconductor substrate having a groove (hole) formed by the above, an insulating film covering the surface of the substrate, and a cathode / anode formed from the bottom of the hole to the surface of the substrate via the insulating film. An electrode, a gel containing an electrolyte and an autotrophic bacterium filled in the hole, a gas permeable membrane covering the gel, and a decarboxylase L- formed on the gas permeable membrane of the electrode sensitive part. Forming a small L-lysine sensor having an enzyme-immobilized membrane on which lysine decarboxylase is fixed, forming a groove (hole) on a semiconductor substrate by anisotropic etching, and covering the surface of the substrate Form insulating film Forming two electrodes serving as a cathode and an anode from the bottom of the hole to the surface of the base via the insulating film; and covering the back surface of the substrate with a hydrophobic insulating film. Coating the hydrophobic photoresist film except for the holes, and immersing the substrate in an aqueous solution of alkali metal alginate containing electrolyte and autotrophic bacteria to fill only the inside of the holes with the aqueous solution; A step of gelling the aqueous solution of the alkali metal alginate by immersion in an aqueous solution of an alkaline earth metal salt, a step of forming a gas-permeable membrane covering the gel, and Forming an enzyme-immobilized membrane on which decarboxylase L-lysine decarboxylase is immobilized, thereby constituting a method for producing a small L-lysine sensor.

〔産業上の利用分野〕[Industrial applications]

本発明は,L−リジンセンサに関し,特に小型かつ低価
格で大量生産可能なL−リジンセンサおよびそれの製造
方法に関する。さらに詳しく述べると,本発明は酵素機
能と微生物機能を組み合わせて使用し,さらに電気化学
的な電極を利用したL−リジン計測法およびL−リジン
計測用センサに関する。本発明のL−リジンセンサは,
アンペロメトリックにL−リジンを計測でき,しかも微
小化・大量生産が容易であると言う点で画期的であり,
一括大量生産ができるために,低コストである。本発明
は,医療・醗酵を始めとする多くの計測分野において,
有利に利用することができる。
The present invention relates to an L-lysine sensor, and more particularly to an L-lysine sensor that can be mass-produced at a small size and at a low cost, and a method for manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to a method for measuring L-lysine and a sensor for measuring L-lysine using an enzyme function and a microbial function in combination and further utilizing an electrochemical electrode. The L-lysine sensor of the present invention comprises:
L-lysine can be measured amperometrically, and it is revolutionary in that miniaturization and mass production are easy.
Low cost because batch mass production is possible. The present invention is used in many measurement fields including medical and fermentation.
It can be used advantageously.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

L−リジンはさまざまな方法で測定可能であるが,そ
のうち特に迅速簡便な方法としては,Guilbaultらにより
開発されたL−リジンセンサがある。これは,ポテンシ
ョメトリックな二酸化炭素電極官能部上に,L−リジンデ
カルボキシラーゼを固定して作製したものである。この
センサは,L−リジンをL−リジンデカルボキシラーゼで
分解して,この際発生する二酸化炭素を二酸化炭素電極
で測定し,間接的にL−リジン濃度を定量しようとする
ものである。
L-Lysine can be measured by various methods. Among them, a particularly quick and simple method is the L-lysine sensor developed by Guilbault et al. This was prepared by immobilizing L-lysine decarboxylase on a potentiometric carbon dioxide electrode functional part. In this sensor, L-lysine is decomposed by L-lysine decarboxylase, and the carbon dioxide generated at this time is measured by a carbon dioxide electrode to indirectly quantify the L-lysine concentration.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

GeilbaultらのL−リジンセンサは,従来型の二酸化
炭素電極をトランスデューサとして用いたものである
が,この二酸化炭素電極は通常万年筆程度の大きさであ
り,微量なサンプルを測定するためには不都合である。
また,一般にこのようなセンサでは,酵素が非常に不安
定であるために,酵素膜を取り替える必要がある。電極
ごと取り替えることができれば問題はないが,二酸化炭
素電極は1本10万円前後と高価であり,これは不可能で
ある。また,このL−リジンセンサは,ポテンショメト
リックであり,夾雑物質の影響を受けやすい上,感度の
向上を図るのが困難である。
The L-lysine sensor of Geilbault et al. Uses a conventional carbon dioxide electrode as a transducer, but this carbon dioxide electrode is usually about the size of a fountain pen, which is inconvenient for measuring a small amount of sample. is there.
Generally, in such a sensor, the enzyme is very unstable, so that it is necessary to replace the enzyme membrane. There is no problem if the entire electrode can be replaced, but the carbon dioxide electrode is expensive at around 100,000 yen, which is impossible. Further, the L-lysine sensor is potentiometric, is easily affected by contaminants, and it is difficult to improve the sensitivity.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

前述の問題点は,本発明者らが既に出願した,独立栄
養細菌と小型酸素電極とを用いたアンペロメトリックな
小型二酸化炭素センサを使用することにより,解決が可
能である。
The above problems can be solved by using a small amperometric carbon dioxide sensor using an autotrophic bacterium and a small oxygen electrode, which has already been filed by the present inventors.

本発明は、異方性エッチングにより形成された溝
(穴)を有する半導体基板と、該基板の表面を覆う絶縁
膜と、該絶縁膜を介して該穴の底部から該基板の表面に
至って形成されるカソード・アノードとなる2本の電極
と、該穴内に充填された電解質および独立栄養細菌含有
ゲルと、該ゲルを被覆するガス透過性膜と、電極感応部
の該ガス透過性膜上に形成された脱炭酸酵素L−リジン
デカルボキシラーゼを固定した酵素固定膜とを有する小
型L−リジンセンサ、及び、半導体基板上に異方性エッ
チングにより溝(穴)を形成する工程と、該基板の表面
を覆う絶縁膜を形成する工程と、該穴の底部から該基板
の表面に至るカソード及びアノードとなる2本の電極を
該絶縁膜を介して形成する工程と、基板裏面を疎水性絶
縁膜で被覆する工程と、該穴の部分を除いて疎水性フォ
トレジスト膜を被覆する工程と、電解質および独立栄養
細菌含有アルギン酸アルカリ金属塩水溶液中に浸漬して
穴の内部のみに該水溶液を満たし,しかる後この状態の
基板をアルカリ土類金属塩水溶液中に浸漬して該アルギ
ン酸アルカリ金属塩水溶液をゲル化する工程と、該ゲル
を被覆するガス透過性膜を形成する工程と、電極感応部
の該ガス透過性膜上に脱炭酸酵素L−リジンデカルボキ
シラーゼを固定した酵素固定膜を形成する工程とを有す
る小型L−リジンセンサの製造方法により達成される。
The present invention relates to a semiconductor substrate having a groove (hole) formed by anisotropic etching, an insulating film covering the surface of the substrate, and forming from the bottom of the hole to the surface of the substrate via the insulating film. Two electrodes serving as a cathode and an anode to be filled, a gel containing an electrolyte and an autotrophic bacterium filled in the hole, a gas permeable membrane covering the gel, and an electrode sensitive part on the gas permeable membrane. A small L-lysine sensor having an enzyme-immobilized film on which the formed decarboxylase L-lysine decarboxylase is immobilized, and a step of forming a groove (hole) on the semiconductor substrate by anisotropic etching; A step of forming an insulating film covering the surface, a step of forming two electrodes serving as a cathode and an anode from the bottom of the hole to the surface of the substrate through the insulating film, and forming a back surface of the substrate with a hydrophobic insulating film. Coating with; Coating the hydrophobic photoresist film except for the holes, and immersing the substrate in an aqueous solution of alkali metal alginate containing electrolyte and autotrophic bacteria to fill only the inside of the holes with the aqueous solution; A step of gelling the aqueous solution of the alkali metal alginate by immersion in an aqueous solution of an alkaline earth metal salt, a step of forming a gas-permeable membrane covering the gel, and Forming an enzyme-immobilized membrane on which decarboxylase L-lysine decarboxylase is immobilized.

上記L−リジンセンサの上記電解質として塩化カリウ
ム,もしくは硫酸ナトリウムを用いることができる。
Potassium chloride or sodium sulfate can be used as the electrolyte of the L-lysine sensor.

上記L−リジンセンサの上記カソードとして金電極,
もしくは白金電極を用いることができる。
A gold electrode as the cathode of the L-lysine sensor,
Alternatively, a platinum electrode can be used.

上記L−リジンセンサの上記アノードとして金電極,
もしくは白金電極を用いることができる。
A gold electrode as the anode of the L-lysine sensor,
Alternatively, a platinum electrode can be used.

上記L−リジンセンサの上記電解質として塩化カリウ
ムを用い,上記アノードとして銀/塩化銀参照電極を用
いたL−リジンセンサとすることができる。
An L-lysine sensor using potassium chloride as the electrolyte of the L-lysine sensor and a silver / silver chloride reference electrode as the anode can be provided.

上記L−リジンセンサの上記独立栄養細菌として二酸
化炭素を選択的に資化可能なTIT/FJ−0001菌(微工研菌
寄8473号)を用いることができる。
As the autotrophic bacterium of the L-lysine sensor, a TIT / FJ-0001 bacterium capable of selectively assimilating carbon dioxide (Microbial Laboratories No. 8473) can be used.

上記L−リジンセンサの上記独立栄養細菌として二酸
化炭素を選択的に資化可能なTIT/FJ−0002菌(微工研菌
寄8474号)を用いることができる。本発明は,その1つ
の面によれば,例えば,溶液中のL−リジンの濃度を測
定するための計測用センサであって,酸素電極のカソー
ド近傍に固定されたものであって前記二酸化炭素を選択
的に資化可能な微生物と電解質を含むゲル,および,こ
れを被覆したガス透過性膜,およびL−リジンを分解し
て二酸化炭素を解離する脱炭酸酵素L−リジンデカルボ
キシラーゼを組み合わせて含んでなることを特徴とする
L−リジン計測用センサにある。
As the autotrophic bacterium of the L-lysine sensor, a TIT / FJ-0002 bacterium capable of selectively assimilating carbon dioxide (Microtechnological Laboratory No. 8474) can be used. According to one aspect of the present invention, there is provided a measurement sensor for measuring, for example, the concentration of L-lysine in a solution, the sensor being fixed near the cathode of an oxygen electrode, A gel containing a microorganism and an electrolyte capable of selectively assimilating lipase, a gas-permeable membrane coated with the gel, and a decarboxylase L-lysine decarboxylase that decomposes L-lysine and dissociates carbon dioxide. An L-lysine measurement sensor characterized by comprising:

また,本発明はもう1つの面によれば,このようなL
−リジンセンサを微小化し,一括大量生産するための作
製方法である。
According to another aspect, the present invention relates to such an L
-This is a manufacturing method for miniaturizing lysine sensors and mass-producing them at once.

L−リジンセンサの小型化の基本となる酸素電極の小
型化については,本発明者らが特許出願した(特開昭63
−238548号)フォトリソグラフィーを利用した小型酸素
電極がある。この酸素電極は,シリコン基板上に異方性
エッチングにより形成した穴の上に,絶縁膜を介して2
本の電極を形成し,さらにこの穴の内部に電解液含有体
を収容し,そして最後に穴の上面をガス透過性膜で覆っ
た構造を有する酸素電極である。この酸素電極は,小型
で,特性のばらつきが少なく,また一括大量生産ができ
るために,低コストである。
The present inventors filed a patent application for miniaturization of an oxygen electrode, which is the basis of miniaturization of an L-lysine sensor (Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-163).
There is a small oxygen electrode utilizing photolithography. This oxygen electrode is placed on a hole formed on a silicon substrate by anisotropic etching, with an insulating film interposed therebetween.
An oxygen electrode having a structure in which a book electrode is formed, an electrolyte-containing body is accommodated in the hole, and the upper surface of the hole is finally covered with a gas-permeable membrane. This oxygen electrode is small in size, has little variation in characteristics, and can be mass-produced in a batch, so that it is low in cost.

このような小型酸素電極を利用することにより,L−リ
ジンセンサのトランスデューサとなる二酸化炭素電極の
小型化は容易に実現可能となる。しかし,このためには
さらに微生物をどこに,いかにして固定するかが問題と
なる。
By utilizing such a small oxygen electrode, it is easy to miniaturize the carbon dioxide electrode serving as the transducer of the L-lysine sensor. However, for this purpose, where and how to fix the microorganisms further become a problem.

微生物の固定にあたっては,特願昭62−148221号に開
示した方法を基本とするのが,プロセス上からも,また
安全面からも非常に有利であると考えられる。また,本
発明者らは,微生物を固定するにあたっては,特開昭63
−238548号の小型酸素電極の表面に微生物を固定するの
では,微生物が漏出しやすく安全性に問題があるとの観
点から,微生物を小型酵素電極のガス透過性膜内部に,
電解液とともにゲル中に固定する方法を採用した。
For fixing microorganisms, the method disclosed in Japanese Patent Application No. 148221/1987 is considered to be very advantageous in terms of process and safety. Further, the present inventors, when fixing microorganisms, disclosed in
The immobilization of microorganisms on the surface of the small oxygen electrode of -238548 makes it easy for the microorganisms to leak out and poses a safety problem.
A method of fixing in a gel together with an electrolytic solution was adopted.

この発明の方法を実施するにあたって,電極本体の基
材としては,半導体基板,シリコン、ゲルマニウム、砒
化ガリウム等の半導体基板、特にシリコン基板を有利に
使用することができる。絶縁膜は,シリコン酸化膜,そ
の他から形成することができる。シリコン酸化膜は,例
えば基板がシリコンである場合に,その基板を熱酸化す
ることによって容易に形成することができる。
In carrying out the method of the present invention, a semiconductor substrate, a semiconductor substrate of silicon, germanium, gallium arsenide or the like, in particular, a silicon substrate can be advantageously used as a base material of the electrode body. The insulating film can be formed from a silicon oxide film or the like. For example, when the substrate is silicon, the silicon oxide film can be easily formed by thermally oxidizing the substrate.

2本の電極は,製作される電極がポーラロ型であるか
ガルバニ型であるかに応じていろいろに変更することが
できるが,この二酸化炭素電極の構造では,微生物と電
解質が共存することになるので,例えば,0.1M塩化カリ
ウム水溶液等の中性電解質を用いたポーラロ型とするの
が望ましい。ポーラロ型の酸素電極を基本に二酸化炭素
電極を製造する場合には,両電極とも金電極あるいは白
金電極から構成し,測定時に両電極間に電圧を印加す
る。このような電極の形成は,例えば,真空蒸着,スパ
ッタリング等の成膜法によって有利に行うことができ
る。
The two electrodes can be changed in various ways depending on whether the electrode to be manufactured is a polaro type or a galvanic type. In this carbon dioxide electrode structure, microorganisms and electrolyte coexist. Therefore, for example, it is preferable to use a polaro type using a neutral electrolyte such as a 0.1 M potassium chloride aqueous solution. When a carbon dioxide electrode is manufactured based on a polaro-type oxygen electrode, both electrodes are composed of a gold electrode or a platinum electrode, and a voltage is applied between both electrodes during measurement. Such an electrode can be advantageously formed by a film forming method such as vacuum evaporation and sputtering.

電極形成後の基板上に,穴の部分及び電気的コンタク
トを取る部分を除いて塗布するフォトレジストは,好し
くはネガ型フォトレジスト,例えば東京応化製OMR−83
である。このタイプのフォトレジストは,穴の部分のみ
に電解液含有多孔性物質を満たすに際して,その原料と
なる水溶液をはじく性質を持っているので有利である。
The photoresist to be applied on the substrate after forming the electrodes except for the holes and the portions that make electrical contact is preferably a negative photoresist, for example, OMR-83 manufactured by Tokyo Ohka.
It is. This type of photoresist is advantageous because it has the property of repelling an aqueous solution as a raw material when only the holes are filled with the electrolyte-containing porous material.

多孔性担体により保持されるべき電解質としては,塩
化カリウム,硫酸ナトリウム等,いろいろなものを用い
ることができる。
Various electrolytes such as potassium chloride and sodium sulfate can be used as the electrolyte to be retained by the porous carrier.

ガス透過性膜は,疎水性で水溶液が通過しないことは
もちろんであるが,初めは液体でディップコーティング
あるいはスピンコーティングが可能であり,電極材料,
シリコン基板,そして絶縁膜としてのシリコン酸化膜と
の密着力が良好で電解液が外部に漏出しないことも必須
の用件である。適当なガス透過性膜材料としては,フォ
トレジスト,好ましくはネガ型フォトレジストなどを挙
げることができる。テフロン(商品名)膜は,酸素透過
性であるけれども密着力を持たないので,使用を避けな
ければならない。
Gas permeable membranes are hydrophobic and do not allow aqueous solutions to pass through, but initially they can be dip coated or spin coated with a liquid,
It is also an essential requirement that the adhesion between the silicon substrate and the silicon oxide film as the insulating film is good and the electrolyte does not leak out. Suitable gas permeable membrane materials include photoresists, preferably negative photoresists. Teflon (trade name) membranes must be avoided because they are permeable to oxygen but do not have adhesion.

本発明の実施において有利に使用することのできる微
生物は,二酸化炭素を選択的に資化可能な微生物,たと
えばシュードモナス属,その他の属に属する菌体であ
る。本発明者らは,シュードモナス属TIT/FJ−0001菌
(微工研菌寄第8473号),未同定のTIT/FJ−0002菌(微
工研菌寄第8474号)を用いて、特に好ましい結果を得る
ことができた(これらの菌の性質については特開昭62−
80549号)を参照のこと。
Microorganisms that can be advantageously used in the practice of the present invention are those that can selectively assimilate carbon dioxide, such as those belonging to the genus Pseudomonas and other genera. The present inventors use Pseudomonas genus TIT / FJ-0001 bacteria (Microtechnical Laboratories No. 8473) and unidentified TIT / FJ-0002 bacteria (Microtechnical Laboratories No. 8474), and are particularly preferable. The results were obtained (the properties of these bacteria were described in
80549).

〔作用〕[Action]

本発明の作用の理解を容易ならしめるため,第1図を
参照しながら本発明の小型L−リジンセンサの原理を説
明する。
In order to facilitate understanding of the operation of the present invention, the principle of the small L-lysine sensor of the present invention will be described with reference to FIG.

このL−リジンセンサを緩衝液中に浸漬した状態で,
十分出力電流値を安定させた後に,L−リジンを試料とし
て添加すると,L−リジンは酵素固定膜15に固定される酵
素L−リジンデカルボキシラーゼの働きにより分解され
て,二酸化炭素を解離する。この二酸化炭素は,図示さ
れる例り,ガス透過性膜14を通過した後,固定化微生物
8の近傍に到達する。微生物8は二酸化炭素を資化し,
この際呼吸活性が盛んになり酸素が消費され,したがっ
て,カソード3Aに到達する酸素濃度が低下する。この酸
素濃度の変化量を電気化学的な酸素の還元電流の変化と
して捉えることができれば,結果としてひきおこされる
電流値の低下をベースにしてL−リジン濃度を測定する
ことができる。
With this L-lysine sensor immersed in a buffer,
When L-lysine is added as a sample after sufficiently stabilizing the output current value, L-lysine is decomposed by the action of the enzyme L-lysine decarboxylase immobilized on the enzyme immobilization membrane 15 to dissociate carbon dioxide. The carbon dioxide reaches the vicinity of the immobilized microorganism 8 after passing through the gas-permeable membrane 14 as shown in the figure. Microorganism 8 assimilate carbon dioxide,
At this time, the respiratory activity becomes active and oxygen is consumed, and therefore, the oxygen concentration reaching the cathode 3A decreases. If the amount of change in the oxygen concentration can be regarded as a change in the electrochemical oxygen reduction current, the L-lysine concentration can be measured based on the resulting decrease in the current value.

〔実施例〕〔Example〕

ついで,本発明による小型L−リジンセンサの製法の
好ましい一例を添付の図面を参照しながら説明する。
Next, a preferred example of a method for manufacturing a small L-lysine sensor according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

第2図は,本発明による小型L−リジンセンサの好ま
しい一例を示した斜視図である。図示のL−リジンセン
サは直方体の形状を有していて,感応部のガス透過性膜
14に酵素15が固定されるとともに,付属のデバイスに接
続するため,電極3A,3Bの一部が露出している。電極3A,
3Bは,本例の場合,ポーラロ型とするために両電極とも
金電極で構成した。第2図の小型L−リジンセンサの構
造は,そのII−II線に沿った断面図である第3図から詳
しく理解できるであろう。シリコン基板1は,異方性エ
ッチングにより形成された穴を有するとともに,その全
面にシリコン酸化膜2が絶縁膜として被着せしめられて
いる。さらに基板裏面は破れにくい疎水性絶縁膜7で覆
われている。シリコン基板1の穴には,2本の金電極3Aお
よび3Bが対をなして被着せしめられている。金電極3Aお
よび3Bは,第2図で示したように,それぞれの一部分が
溝の外側にまで延在している。また,シリコン基板1の
穴には独立栄養細菌および電解液含有ゲル6が満たされ
ている。さらに,穴の上部には,基板1の上部の全面
(第2図の露出部を除く)を覆う形で,ガス透過性膜14
が被覆されており,これは絶縁膜として側面および裏面
にも覆われている。
FIG. 2 is a perspective view showing a preferred example of a small L-lysine sensor according to the present invention. The illustrated L-lysine sensor has a rectangular parallelepiped shape, and a gas-permeable membrane of the sensitive part.
Enzyme 15 is immobilized on 14, and a part of electrodes 3A and 3B is exposed for connection to an attached device. Electrode 3A,
In the case of 3B, both electrodes were constituted by gold electrodes in order to be a polaro type in this example. The structure of the small L-lysine sensor of FIG. 2 can be understood in detail from FIG. 3, which is a cross-sectional view taken along the line II-II. The silicon substrate 1 has a hole formed by anisotropic etching, and a silicon oxide film 2 is applied as an insulating film on the entire surface. Further, the back surface of the substrate is covered with a hydrophobic insulating film 7 that is difficult to tear. Two gold electrodes 3A and 3B are attached to the hole of the silicon substrate 1 in pairs. As shown in FIG. 2, the gold electrodes 3A and 3B partially extend to the outside of the groove. The holes of the silicon substrate 1 are filled with autotrophic bacteria and an electrolyte-containing gel 6. Further, the gas permeable film 14 is formed on the upper portion of the hole so as to cover the entire upper surface of the substrate 1 (excluding the exposed portion in FIG. 2).
Which is also covered on the side and back surfaces as an insulating film.

第2図および第3図に示した小型L−リジンセンサ
は,例えば,第4図に順を追って示す製造プロセスで有
利に製造することができる。なお,第4図(A)に示す
電極形成後の本体は,次のような工程を経て製造するこ
とができる。なお,以下の説明では,理解を容易ならし
めるため,1枚のウエハーに1個だけL−リジンセンサを
形成する場合について記載するけれども,実際には1枚
のウエハーに多数個のL−リジンセンサが同時に形成さ
れるということを理解されたい。
The small L-lysine sensor shown in FIGS. 2 and 3 can be advantageously manufactured, for example, by the manufacturing process shown in FIG. The main body after the electrodes are formed as shown in FIG. 4A can be manufactured through the following steps. In the following description, in order to facilitate understanding, a case where only one L-lysine sensor is formed on one wafer is described. However, in practice, a large number of L-lysine sensors are formed on one wafer. Is formed at the same time.

1.ウエハー洗浄 厚さ350μmの(100)面2インチシリコンウエハーを
用意し,これを過酸化水素とアンモニアの混合溶液およ
び濃硝酸で洗浄した。
1. Wafer cleaning A 350-μm-thick (100) 2-inch silicon wafer was prepared and washed with a mixed solution of hydrogen peroxide and ammonia and concentrated nitric acid.

2.SiO2膜の形成 シリコンウエハーをウエット熱酸化し,その全面に膜
圧0.8μmのSiO2膜を形成した。
2. Formation of SiO 2 film The silicon wafer was subjected to wet thermal oxidation, and a SiO 2 film with a film pressure of 0.8 μm was formed on the entire surface.

3.エッチング用パターンの形成 ネガ型フォトレジスト(東京応化製OMR−83,粘度60c
P)を使用して,ウエハー上にSiO2エッチング用レジス
トパターンを形成した。
3.Formation of etching pattern Negative photoresist (OMR-83 manufactured by Tokyo Ohka, viscosity 60c)
Using P), a resist pattern for etching SiO 2 was formed on the wafer.

4.裏面保護用レジスト塗布 ウエハーの裏面にも上記工程で使用したものと同じネ
ガ型フォトレジストを塗布し,130℃で30分間に渡ってベ
ークした。
4. Application of resist for backside protection The same negative photoresist as that used in the above process was applied to the backside of the wafer, and baked at 130 ° C. for 30 minutes.

5.SiO2膜のエッチング 50%フッ化水素酸:40%フッ化アンモニウム=1:6水溶
液にウエハーを浸漬し,フォトレジストが被覆されてい
ない露出部分のSiO2をエッチングにより除去した。次い
で硫酸:31%過酸化水素水(2:1)溶液によりレジストを
除去した。
5. Etching of SiO 2 film The wafer was immersed in a 50% hydrofluoric acid: 40% ammonium fluoride = 1: 6 aqueous solution, and the exposed portions of the SiO 2 that were not coated with the photoresist were removed by etching. Next, the resist was removed with a sulfuric acid: 31% aqueous hydrogen peroxide (2: 1) solution.

6.シリコンの異方性エッチング 80℃の35%水酸化カリウム水溶液中にてシリコンの異
方性エッチングを行った。エッチング深さ300μm。エ
ッチング完了後,ウエハーを純水で洗浄した。
6. Anisotropic etching of silicon Anisotropic etching of silicon was performed in a 35% aqueous solution of potassium hydroxide at 80 ° C. Etching depth 300μm. After the completion of the etching, the wafer was washed with pure water.

この異方性エッチングの完了後,エッチング時に使用
したSiO2膜を除去した。これは,5と同様に50%フッ化水
素酸:40%フッ化アンモニウム=1:6水溶液中で行った。
After the completion of the anisotropic etching, the SiO 2 film used at the time of etching was removed. This was performed in a 50% hydrofluoric acid: 40% ammonium fluoride = 1: 6 aqueous solution as in the case of 5.

7.SiO2膜の形成 シリコンウエハー表面にSiO2膜を成長させるため,1.
の洗浄工程に引き続いて、ウエハーをウエット熱酸化し
た。膜厚0.8μmの膜が形成された。
To grow an SiO 2 film is formed a silicon wafer surface of 7.SiO 2 film 1.
Subsequent to the cleaning step, the wafer was subjected to wet thermal oxidation. A film having a thickness of 0.8 μm was formed.

8.クロムおよび金薄膜の形成 クロム薄膜(400Å,金と基板の密着用)に引き続
き,金薄膜(4000Å)を真空蒸着により形成した。
8. Formation of chromium and gold thin films Following the chromium thin film (400 mm, for adhesion between gold and substrate), a gold thin film (4000 mm) was formed by vacuum evaporation.

9.電極形成用レジストパターンの形成 ネガ型フォトレジスト(東京応化製OMR−83,粘度60c
P)を使用して,ウエハーのSiO2上に形成される金薄膜
上に電極形成用レジストパターンを形成した。
9.Formation of resist pattern for electrode formation Negative photoresist (OMR-83 manufactured by Tokyo Ohka, viscosity 60c)
Using P), a resist pattern for forming an electrode was formed on a gold thin film formed on SiO 2 of the wafer.

10.金およびクロムのエッチング レジストパターンが形成された基板を以下のの金
およびクロム用エッチング液にこの順に浸漬し,露出し
た金およびクロムの部分をエッチングにより除去する。
さらに,純水にて洗浄後,硫酸:31%過酸化水素水(2:
1)溶液によりレジストを除去した。
10. Etching of Gold and Chromium The substrate on which the resist pattern has been formed is immersed in the following etching solution for gold and chromium in this order, and the exposed gold and chromium portions are removed by etching.
After washing with pure water, sulfuric acid: 31% hydrogen peroxide solution (2:
1) The resist was removed by the solution.

金エッチング液;4gKIおよび1gI2を40mlの水に溶かし
たもの クロムエッチング液:0.5gNaOHおよび1gK3Fe(CN)
を4mlの水に溶かしたもの 金電極の形成された状態を第4図(A)に示す。
Gold etching solution; 4 g KI and 1 g I 2 dissolved in 40 ml of water Chromium etching solution: 0.5 g NaOH and 1 g K 3 Fe (CN) 4
Is dissolved in 4 ml of water. A state in which the gold electrode is formed is shown in FIG. 4 (A).

11.基板裏面に疎水性絶縁膜形成 基板裏面に疎水性絶縁膜(信越シリコーン製ES−100
1)7を一様に塗布し,250℃でベーキングを施す。
11. Hydrophobic insulating film formed on the back of the substrate Hydrophobic insulating film (ES-100 made by Shin-Etsu Silicone)
1) Apply 7 uniformly and bake at 250 ° C.

12.レジスト塗布(第4図(B)) 本体表面で,穴5と,電気的コンタクトを取るパッド
部分以外のところをネガ型フォトレジスト(東京応化製
OMR−83,粘度60cP)4で被覆した。これは,ウエハーの
表面にフォトレジストを塗布し,プリベーク後に露光及
び現像を行うことによって実施した。
12. Resist application (Fig. 4 (B)) On the surface of the main body, except for the hole 5 and the pad part for making electrical contact, a negative photoresist (manufactured by Tokyo Ohka)
OMR-83, viscosity 60 cP) 4. This was performed by applying a photoresist on the surface of the wafer, and performing exposure and development after pre-baking.

13.基板の切り出し 基板上に多数形成された二酸化炭素電極本体をチップ
状に切り出した。
13. Cutting of substrate A large number of carbon dioxide electrode bodies formed on the substrate were cut into chips.

14.穴の中を親水性にする チップ先端部を1M水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬す
る。この結果,レジストで被われていないところが親水
性になった。
14. Make the inside of the hole hydrophilic. Dip the tip of the chip in a 1M aqueous solution of sodium hydroxide. As a result, portions not covered with the resist became hydrophilic.

15.アルギン酸カルシウムゲルの充填(第4図(C)) 微生物および電解液含有ゲルの形成用として,次のよ
うな2種類の溶液を調製した。
15. Filling of calcium alginate gel (FIG. 4 (C)) The following two types of solutions were prepared for forming a gel containing a microorganism and an electrolyte.

A液:湿った状態のTIT/FJ−0001菌およびアルギン酸ナ
トリウムを0.1M塩化カリウム水溶液中に溶解したもの。
菌数:1.2×108個/cm3。アルギン酸ナトリウム濃度0.2
%。
Solution A: A solution obtained by dissolving wet TIT / FJ-0001 bacteria and sodium alginate in a 0.1 M aqueous potassium chloride solution.
Number of bacteria: 1.2 × 10 8 cells / cm 3 . Sodium alginate concentration 0.2
%.

B液:塩化カルシウムを0.1M塩化カリウム水溶液中に溶
解したもの。塩化カルシウム濃度5%。
Solution B: Calcium chloride dissolved in 0.1 M aqueous potassium chloride solution. Calcium chloride concentration 5%.

A液に第4図(B)のチップを浸漬してゆっくり引き
上げたところ,ネガ型フォトレジスト膜4は疎水性であ
るので,先のA液はレジスト膜からはじかれて穴5内に
のみ残った。ついで,このチップをB液に浸漬したとこ
ろ,A液は瞬時にゲル化しTIT/FJ−0001菌はゲルの内部に
固定された。
When the chip of FIG. 4 (B) is immersed in the solution A and slowly pulled up, the solution A is repelled from the resist film and remains only in the hole 5 because the negative type photoresist film 4 is hydrophobic. Was. Then, when this chip was immersed in solution B, solution A instantly gelled, and TIT / FJ-0001 bacteria were fixed inside the gel.

16.ガス透過性膜の被覆(第4図(D)) 微生物および電解液含有ゲル6上にそのゲルを覆うよ
うにしてガス透過性膜14を被覆した。本例ではガス透過
性膜として,信越シリコーン製KR−5240をディップコー
ティングにより塗布した。これにより,ガス透過性膜お
よび側壁用絶縁膜を完成させた。このレジスト膜は裏面
にも形成されるが,これはより絶縁性を向上させるのに
有利に作用する。
16. Coating of gas-permeable membrane (FIG. 4 (D)) A gas-permeable membrane 14 was coated on the gel 6 containing microorganisms and the electrolyte so as to cover the gel. In this example, KR-5240 made by Shin-Etsu Silicone was applied by dip coating as a gas permeable membrane. As a result, a gas permeable film and a side wall insulating film were completed. This resist film is also formed on the back surface, which advantageously acts to further improve the insulation.

17.酵素固定膜の形成(第4図(E)) L−リジンデカルボキシラーゼ(シグマ社製:type VI
I:from Escherichia coli)は以下の方法にしたがっ
て,トランスデューサとなる小型二酸化炭素電極感応部
ガス透過性膜14上に固定した。
17. Formation of enzyme-immobilized membrane (Fig. 4 (E)) L-lysine decarboxylase (Sigma: type VI)
I: from Escherichia coli) was immobilized on the gas permeable membrane 14 which is a small carbon dioxide electrode sensitive part as a transducer according to the following method.

L−リジンデカルボキシラーゼ(シグマ社製:type
VII:from Escherichia coli)2mgを10%牛血清アルブミ
ン(BSA)水溶液10μl中に溶かす。
L-Lysine decarboxylase (Sigma: type
VII: from Escherichia coli) is dissolved in 10 μl of 10% bovine serum albumin (BSA) aqueous solution.

液に10%グルタルアルデヒド10μlを滴下,良く
混合する。
Add 10 μl of 10% glutaraldehyde dropwise to the solution and mix well.

小型二酸化炭素電極感応部をこの混合溶液中に浸漬
して引き上げ,牛血清アルブミンBSAが固まるのを待
つ。
Immerse the small carbon dioxide electrode sensitive part in this mixed solution and lift it up, and wait for bovine serum albumin BSA to solidify.

反応を完了させた後、純水で洗浄後、グルタルアルデ
ヒドの未反応部を0.1Mグリシンを含む10mMリン酸緩衝液
(pH6.0)中に室温で30分間浸漬することにより除去し
た。
After the reaction was completed, after washing with pure water, the unreacted portion of glutaraldehyde was removed by immersion in 10 mM phosphate buffer (pH 6.0) containing 0.1 M glycine at room temperature for 30 minutes.

完成したL−リジンセンサは,純水中、又は、0.1mM
ピリドキサール5′リン酸塩(PLP)を含む10mMリン酸
緩衝液(pH6.0,4℃)で保存した。
Completed L-lysine sensor is pure water or 0.1mM
The cells were stored in a 10 mM phosphate buffer (pH 6.0, 4 ° C.) containing pyridoxal 5 ′ phosphate (PLP).

このL−リジンセンサは,感応部を緩衝液(例えば10
mMリン酸緩衝液)中に浸漬して使用する。このセンサを
十分安定させた後に,試料を添加し,電流の変化量を調
べることにより,L−リジンの定量ができる。
In this L-lysine sensor, the sensitive part is provided with a buffer solution (for example, 10
(mM phosphate buffer). After sufficiently stabilizing the sensor, L-lysine can be quantified by adding a sample and examining the amount of change in current.

測定にあたっては、まずセンサ感応部を緩衝液中に浸
漬し、ここに,ピリドキサール5′リン酸塩(PLP)を
適宜添加して出力を安定させた後L−リジンを含む試料
液を添加して、この時の電流値の変化を調べた。引き続
き測定を行う場合はセンサ感応部を1mMピリドキサール
5′リン酸塩(PLP)を含む10mMリン酸緩衝液(pH6.0)
中に浸漬して、十分洗浄した後、上記操作を行えばよ
い。
In the measurement, first, the sensor sensitive part is immersed in a buffer solution, and the output is stabilized by appropriately adding pyridoxal 5 'phosphate (PLP), and then a sample solution containing L-lysine is added. The change in the current value at this time was examined. For subsequent measurements, the sensor-sensitive part should be 10 mM phosphate buffer (pH 6.0) containing 1 mM pyridoxal 5 'phosphate (PLP).
The above operation may be performed after immersion in the inside and sufficient washing.

第5図および6図に小型L−リジンセンサの温度特性
およびpH特性を示す。
5 and 6 show temperature characteristics and pH characteristics of the small L-lysine sensor.

また,第7図には,33℃,pH6.0の条件下での検量線を
示す。
FIG. 7 shows a calibration curve under the condition of 33 ° C. and pH 6.0.

このセンサの各種L−アミノ酸に対する選択性を調べ
た。ここで、各種L−アミノ酸の濃度を2mMとした。L
−アラニン、L−アルギニン、L−シスチン、L−グル
タミン、L−グルタミン酸、L−グリシン、L−ヒスチ
ジン、L−ヒドロキシプロピリン、L−イソロイシン、
L−メチオニン、L−フェニル−α−アラニン、L−プ
ロリン、L−セリン、L−スレオニン、L−トリプトフ
ァン、L−チロシン、L−バリン等に対して、このセン
サは目立った応答を示さなかった。
The selectivity of this sensor for various L-amino acids was examined. Here, the concentration of various L-amino acids was 2 mM. L
-Alanine, L-arginine, L-cystine, L-glutamine, L-glutamic acid, L-glycine, L-histidine, L-hydroxypropylin, L-isoleucine,
This sensor showed no noticeable response to L-methionine, L-phenyl-α-alanine, L-proline, L-serine, L-threonine, L-tryptophan, L-tyrosine, L-valine, etc. .

L−チロシン、L−シスチン、L−トリプトファンは
完全には溶解しなかったが、これらに対してセンサはや
はり応答を示さなかった。
L-tyrosine, L-cystine, and L-tryptophan did not completely dissolve, but the sensor again showed no response.

上記実施例では、独立栄養細菌として二酸化炭素を選
択的に資化可能なTIT/FJ−0001菌(微工研菌寄第8473
号)を用いる例を上げたが、独立栄養細菌として、特公
昭50−25551に記載のS−17菌:微工研菌寄第1129号を
用いることができる。
In the above example, a TIT / FJ-0001 bacterium capable of selectively assimilating carbon dioxide as an autotrophic bacterium (Microbial Lab. No. 8473)
No. 1129), but as an autotrophic bacterium, the S-17 bacterium described in Japanese Examined Patent Publication No. 50-25551: No. 1129 of B.I.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明によれば,安価で使い捨てが可能な,微小な小
型L−リジンセンサが作製可能である。
According to the present invention, an inexpensive and disposable small and small L-lysine sensor can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の小型L−リジンセンサの原理図、 第2図は本発明による小型L−リジンセンサの好ましい
一例を示した斜視図、 第3図は第1図の電極の線分II−IIに沿った断面図、 第4図(A)〜(E)は第2図および第3図に示した小
型L−リジンセンサの製造プロセスの後半を順を追って
示した断面図、 第5図は本発明の小型L−リジンセンサの温度特性を示
す図、 第6図は本発明の小型L−リジンセンサのpH特性を示す
図、 第7図は本発明の小型L−リジンセンサの検量線を示
す。 図中,1は基板,2は絶縁膜,3Aおよび3Bは電極,4はフォト
レジスト膜,5は穴,6は微生物及び電解液含有ゲル,7は疎
水性絶縁膜,8は微生物,14はガス透過性膜,15は酵素固定
膜である。
FIG. 1 is a principle view of a small L-lysine sensor of the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing a preferred example of a small L-lysine sensor according to the present invention, and FIG. 3 is a line segment II of the electrode of FIG. 4 (A) to 4 (E) are cross-sectional views sequentially showing the latter half of the manufacturing process of the small L-lysine sensor shown in FIGS. 2 and 3. The figure shows the temperature characteristics of the small L-lysine sensor of the present invention. FIG. 6 shows the pH characteristics of the small L-lysine sensor of the present invention. FIG. 7 shows the calibration of the small L-lysine sensor of the present invention. Indicates a line. In the figure, 1 is a substrate, 2 is an insulating film, 3A and 3B are electrodes, 4 is a photoresist film, 5 is a hole, 6 is a gel containing microorganisms and an electrolyte, 7 is a hydrophobic insulating film, 8 is a microorganism, and 14 is a microorganism. Gas permeable membrane 15 is an enzyme immobilized membrane.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小嶋 尚美 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−238548(JP,A) 特開 昭63−238549(JP,A) 特開 昭62−214345(JP,A) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Naomi Kojima 1015 Uedanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Inside Fujitsu Limited (56) References JP-A-63-238548 (JP, A) JP-A-63-238549 (JP, A) JP-A-62-214345 (JP, A)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】異方性エッチングにより形成された溝
(穴)を有する半導体基板と、該基板の表面を覆う絶縁
膜と、該絶縁膜を介して該穴の底部から該基板の表面に
至って形成されるカソード・アノードとなる2本の電極
と、該穴内に充填された電解質および独立栄養細菌含有
ゲルと、該ゲルを被覆するガス透過性膜と、電極感応部
の該ガス透過性膜上に形成された脱炭酸酵素L−リジン
デカルボキシラーゼを固定した酵素固定膜とを有するこ
とを特徴とする小型L−リジンセンサ。
1. A semiconductor substrate having a groove (hole) formed by anisotropic etching, an insulating film covering a surface of the substrate, and a hole extending from a bottom of the hole to a surface of the substrate via the insulating film. Two electrodes serving as a cathode and an anode to be formed, a gel containing an electrolyte and an autotrophic bacterium filled in the hole, a gas permeable membrane covering the gel, and an electrode sensitive part on the gas permeable membrane And an enzyme-immobilized membrane on which decarboxylase L-lysine decarboxylase is formed.
【請求項2】半導体基板上に異方性エッチングにより溝
(穴)を形成する工程と、該基板の表面を覆う絶縁膜を
形成する工程と、該穴の底部から該基体の表面に至るカ
ソード及びアノードとなる2本の電極を該絶縁膜を介し
て形成する工程と、基板裏面を疎水性絶縁膜で被覆する
工程と、該穴の部分を除いて疎水性フォトレジスト膜を
被覆する工程と、電解質および独立栄養細菌含有アルギ
ン酸アルカリ金属塩水溶液中に浸漬して穴の内部のみに
該水溶液を満たし,しかる後この状態の基板をアルカリ
土類金属塩水溶液中に浸漬して該アルギン酸アルカリ金
属塩水溶液をゲル化する工程と、該ゲルを被覆するガス
透過性膜を形成する工程と、電極感応部の該ガス透過性
膜上に脱炭酸酵素L−リジンデカルボキシラーゼを固定
した酵素固定膜を形成する工程とを有することを特徴と
する小型L−リジンセンサの製造方法。
2. A step of forming a groove (hole) on a semiconductor substrate by anisotropic etching, a step of forming an insulating film covering a surface of the substrate, and a cathode extending from a bottom of the hole to a surface of the substrate. Forming two electrodes serving as anodes through the insulating film, covering the back surface of the substrate with a hydrophobic insulating film, and covering a hydrophobic photoresist film except for the holes. Immersed in an aqueous solution of an alkali metal alginate containing electrolytes and autotrophic bacteria to fill only the inside of the hole with the aqueous solution, and then immersed the substrate in this state in an aqueous solution of an alkaline earth metal salt to immerse the alkali metal alginate. Gelling the aqueous solution, forming a gas-permeable membrane covering the gel, and enzymatically immobilizing a decarboxylase L-lysine decarboxylase on the gas-permeable membrane of the electrode-sensitive part. Method of manufacturing a miniature L- lysine sensor characterized by having a step of forming.
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