JPH02205686A - Formation of pattern of metallic material - Google Patents

Formation of pattern of metallic material

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JPH02205686A
JPH02205686A JP1027033A JP2703389A JPH02205686A JP H02205686 A JPH02205686 A JP H02205686A JP 1027033 A JP1027033 A JP 1027033A JP 2703389 A JP2703389 A JP 2703389A JP H02205686 A JPH02205686 A JP H02205686A
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polymer
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憲 河田
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

PURPOSE:To accurately form a high density pattern of a metallic material with high productivity by patternwise polymerizing a polyacetylene compd. contg. a group VIII or IB element with radiation ray and carrying out electroless plating. CONSTITUTION:A substrate is coated with a compd. having C-C triple bonds and contg. a group VIII element of the periodic table such as Pd or a group IB element such as Ag or Cu and the compd. is polymerized by irradiation. At this time, the compd. is patternwise polymerized by controlled scanning of radiation ray or with a patterned mask. The unreacted compd. is then removed by dissolution in a solvent such as water and a patterned layer of a catalytic material for electroless plating is formed. This catalytic material is subjected to electroless plating with an electroless plating bath contg. an Ni salt, etc. A high quality precise pattern of a metallic material is obtd.

Description

【発明の詳細な説明】 ■発明の背景 技術分野 本発明は、無電解メッキを適用した金属材料パターンの
形成方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (1) Background of the Invention Technical Field The present invention relates to a method of forming a pattern of metal material using electroless plating.

先行技術とその問題点 無電解メッキは、材料表面の接触作用による還元を利用
したメッキ法であり、化学メッキともいう、 これは電
気メッキと異なり、くぼんだ所にも一様の厚さにメッキ
できるという利点がある。 このため、無電解メッキは
、合成樹脂への電気メッキのための導体化処理や、印刷
回路の薄膜製造などに利用されている。
Prior art and its problems Electroless plating is a plating method that utilizes reduction due to contact action on the surface of the material, and is also called chemical plating. Unlike electroplating, it is possible to plate to a uniform thickness even in recessed areas. It has the advantage of being possible. For this reason, electroless plating is used for conductive treatment for electroplating synthetic resins and for manufacturing thin films for printed circuits.

この無電解の湿式化学的メッキを非金属表面に施す際、
活性化触媒として周期律表8族もしくは1B族元素を含
む化合物が使用されることは公知である(特開昭57−
43977号、DE2,934,580号)。
When applying this electroless wet chemical plating to non-metallic surfaces,
It is known that a compound containing an element of group 8 or group 1B of the periodic table is used as an activation catalyst (Japanese Patent Application Laid-Open No. 1986-1999).
No. 43977, DE 2,934,580).

一般的に非導電性もしくは半導電性基体上に金属被膜を
無電流的に製造する慣用法は、次の1)〜iv)の工程
を含む。
Generally, a conventional method for producing a metal film on a non-conductive or semi-conductive substrate in a currentless manner includes the following steps 1) to iv).

すなわち、 ■)基体表面を清浄にし、塩化第一錫もしくは他の第一
錫塩を含む浴に浸漬し、水洗する工程、 ii)所望金属の析出を促進する金属塩(例えば硝酸銀
、塩化金、塩化パラジウムもしくは塩化白金)の浴中に
浸漬する工程、 1ii)基体上に吸着された第一錫イオンおよび/また
は次の工程で適用される無電解金属塩浴に含まれる還元
剤によって浴の金属イオンを還元して触媒的に活性化さ
れた表面を得る工程、 iv)この触媒的に活性化された表面を還元剤の存在下
に所望金属の液で処理して(すなわち無電解金属塩浴で
処理して)、所望金属、例えば、銅、ニッケルもしくは
コバルトを析出させる工程である。
(i) cleaning the substrate surface, immersing it in a bath containing stannous chloride or other stannous salts, and rinsing with water; ii) adding a metal salt (such as silver nitrate, gold chloride, etc.) that promotes the precipitation of the desired metal; 1ii) immersion in a bath of tin (palladium chloride or platinum chloride); 1ii) reduction of the metals in the bath by the stannous ions adsorbed on the substrate and/or the reducing agent contained in the electroless metal salt bath applied in the next step; reducing the ions to obtain a catalytically activated surface; iv) treating this catalytically activated surface with a solution of the desired metal in the presence of a reducing agent (i.e. an electroless metal salt bath); treatment) to deposit the desired metal, such as copper, nickel or cobalt.

この方法やこれに類似の方法は普通「イオン化活性化」
と呼ばれる。
This method and similar methods are usually called ``ionization activation.''
It is called.

例えばドイツ特許公告第1,197,720号には、重
合体基体のメッキに際しその表面を活性化する方法が示
されている。 この方法では、塩化錫(n)を塩酸/塩
化パラジウム溶液中に導入することにより金属パラジウ
ムのコロイド溶液かつ(られるが、この溶液は錫酸とオ
キシ塩化錫(IV )によって安定化されると考えられ
る。 こ゛のため、この方法は一般に「コロイド性活性
化」と呼ばれる。 このコロイド粒子は基体表面に沈着
し、次の段階において適当な濃度の酸、アルカリもしく
は塩で活性化され、保護コロイドが除去されてパラジウ
ム粒子となり基体に触媒的に活性化された表面を与える
。 このパラジウム粒子はその後の無電解銅あるいはニ
ッケルメッキの触媒核として作用する。
For example, German Patent No. 1,197,720 describes a method for activating the surface of a polymeric substrate during plating. In this method, a colloidal solution of metallic palladium is prepared by introducing tin(n) chloride into a hydrochloric acid/palladium chloride solution, which is considered to be stabilized by stannic acid and tin(IV) oxychloride. For this reason, this method is commonly referred to as ``colloidal activation.'' The colloidal particles are deposited on the substrate surface and in the next step are activated with an appropriate concentration of acid, alkali, or salt to release the protective colloid. The palladium particles are removed to provide the substrate with a catalytically activated surface that acts as catalytic nuclei for subsequent electroless copper or nickel plating.

上記各工程の間には水洗工程が必要である。A water washing step is required between each of the above steps.

しかし、これらの活性化方法、すなわち一般的な従来技
術は、以下の欠点を有している。
However, these activation methods, ie, common prior art techniques, have the following drawbacks.

まず、第一に、無電解メッキを適用し得る触媒的に活性
化された表面の完成のためには数段階の処理工程(活性
化、増感、水洗等)を必要とし、工程を複雑なものとし
、経費がかかるという点である。
First of all, in order to complete a catalytically activated surface to which electroless plating can be applied, several processing steps (activation, sensitization, water washing, etc.) are required, making the process complicated. However, it is expensive.

第二に、この方法は広く応用がきくものではなく、むし
ろ一般には表面を化学的もしくは機械的手段により予備
処理した基体に限定される点である。
Secondly, this method is not widely applicable, but rather is generally limited to substrates whose surfaces have been pretreated by chemical or mechanical means.

このように化学メッキおよび次の電気メッキの前に、基
体を前処理しなければならないことはザウルガウ ヴユ
ルト市オイゲンG、ロイツ出版社(Eugen G、L
ewze Verlag)発行、R。
The necessity of pretreating the substrate before chemical plating and subsequent electroplating is explained by Eugen G., L.
ewze Verlag), published by R.

ワイネル(R,Weiner)著“プラスチックメッキ
”(Kunststoff Galvanisieru
ng) (1973)にも記述されている。
“Plastic Plating” by R. Weiner (Kunststoff Galvanisieru)
(1973).

この前処理は、一般に1例えばクロム硫酸を用いる基体
(多くは重合体)表面のエツチング、数置の水洗下希重
亜硫酸ナトリウム溶液を用いる解毒、さらに水洗から構
成される。 そしてこの工程の後に前記のイオン化活性
化もしくはコロイド性活性化のような適当な活性化が行
なわれる。
This pretreatment generally consists of etching the surface of the substrate (often a polymer) using, for example, chromic sulfuric acid, followed by several water washes followed by detoxification using a dilute sodium bisulfite solution, followed by a water wash. This step is then followed by a suitable activation, such as the ionization activation or colloidal activation described above.

エツチングは重合体表面を変化させ、その結果ビットお
よび空泡が生成する。 これは特定の重合体で可能であ
るに過ぎず、その例はABS重合体、耐衝撃性ポリスチ
レンのような2相性の多成分グラフトまたは共重合体、
あるいは部分的に結晶質のポリプロピレンのような2相
性のホモポリマーがある。 さらに、クロム硫酸または
他の酸化剤の使用は、基体となる重合体物質の切欠き衝
撃強度および電気表面偉抗のような物理的性質の劣化を
伴う。
Etching changes the polymer surface, resulting in the formation of bits and voids. This is only possible with certain polymers, examples being ABS polymers, biphasic multicomponent grafts or copolymers such as high-impact polystyrene,
Alternatively, there are biphasic homopolymers such as partially crystalline polypropylene. Additionally, the use of chromium sulfate or other oxidizing agents is accompanied by a deterioration of physical properties such as notch impact strength and electrical surface resistance of the underlying polymeric material.

触媒核の基体上への密着を良化する技術としては、特開
昭57−43977号、特開昭58−10417Q号、
特開昭61−15984号公報に開示されているものの
ような金属に結合する基と基体に親和性を示す基を一分
子中に有する金属錯体を用いる方法がある。 しかし、
この場合の密着の良化は、基本的に基体上への金属錯体
の吸着に依存しており、満足できる密着度は達成できて
いない。
Techniques for improving the adhesion of catalyst nuclei to the substrate include JP-A-57-43977, JP-A-58-10417Q,
There is a method using a metal complex having in one molecule a group that binds to a metal and a group that shows affinity for a substrate, such as the one disclosed in JP-A-61-15984. but,
In this case, improvement in adhesion basically depends on the adsorption of the metal complex onto the substrate, and a satisfactory degree of adhesion has not been achieved.

そして第三に、基体表面に吸着した金属パラジウム等の
金属粒子が部分的にでも密に並んだ場合、無電解メッキ
によりプリント配線パターンを形成したときに、望まし
くない導通の発生が生じる点である。
Thirdly, if metal particles such as metal palladium adsorbed on the surface of the substrate are even partially arranged densely, undesirable conduction may occur when a printed wiring pattern is formed by electroless plating. .

この問題に対処するために、プリント配線基板の簡便な
製造法として以前から注目されているフルアデイティブ
法を採ることが考えられる。 しかし、現在のところ、
このフルアデイティブ法の積極的な応用はなされておら
ず、サブトラクティブ法やセミアデイティブ法といった
煩雑な工程を要する製造法が依然として主流になってい
る。
In order to deal with this problem, it is conceivable to adopt a full additive method, which has long been attracting attention as a simple method for manufacturing printed wiring boards. However, at present,
This fully additive method has not been actively applied, and manufacturing methods that require complicated processes such as subtractive and semi-additive methods are still the mainstream.

ところで、プリント配線基板等のパターンを形成する場
合、パターン密度が細か(ないものはスクリーン印刷法
が用いられるが、密度が高く高精度の微細加工を要する
ものにはレジストを用いた写真食刻法が適用されている
By the way, when forming patterns for printed wiring boards, etc., screen printing is used if the pattern density is small (or not), but photo-etching using a resist is used if the pattern density is high and requires high-precision microfabrication. is applied.

このようなレジストを用いてウェットエツチングやドラ
イエツチングを行うときには、工程が多く態度性に劣る
。 さらには、エツチングが不十分であるとメッキの進
行が不十分である、等の不都合が生じる。
When performing wet etching or dry etching using such a resist, there are many steps and the etching quality is poor. Furthermore, if etching is insufficient, problems such as insufficient plating progress may occur.

■発明の目的 本発明の目的は、高密度で精度よく金属材料パターンを
形成することができ、しかも生産性が高い金属材料パタ
ーンの形成方法を提供することにある。
(1) Purpose of the Invention An object of the present invention is to provide a method for forming a metal material pattern that can form a metal material pattern with high density and precision and has high productivity.

■発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。■Disclosure of invention Such objects are achieved by the invention described below.

すなわち、本発明は、炭素−炭素の三重結合を有する化
合物に由来する重合体と周期律表8族もしくは1B族元
素とを含有する無電解メッキ用触媒材料を放射線により
パターン状に形成し、その後このパターン状の無電解メ
ッキ用触媒材料に無電解メッキを施して金属化し金属材
料パターンを形成することを特徴とする金属材料パター
ンの形成方法である。
That is, in the present invention, a catalyst material for electroless plating containing a polymer derived from a compound having a carbon-carbon triple bond and an element of group 8 or group 1B of the periodic table is formed into a pattern by radiation, and then This method of forming a metal material pattern is characterized in that the patterned catalyst material for electroless plating is subjected to electroless plating to be metallized to form a metal material pattern.

■発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。■Specific structure of the invention Hereinafter, a specific configuration of the present invention will be explained in detail.

本発明の金属材料パターンの形成方法は、炭素−炭素の
三重結合を有する化合物に由来する重合体と周期律表8
族もしくは1B族元素とを含有する無電解メッキ用触媒
材料を、放射線によりパターン状に形成し、その後この
パターン状の無電解メッキ用触媒材料に無電解メッキを
施して金属化し金属材料パターンを形成するものである
The method for forming a metal material pattern of the present invention uses a polymer derived from a compound having a carbon-carbon triple bond and
A catalyst material for electroless plating containing a group element or a group 1B element is formed into a pattern using radiation, and then electroless plating is applied to the patterned catalyst material for electroless plating to metallize it to form a metal material pattern. It is something to do.

本発明における炭素−炭素三重結合を有する化合物に由
来する重合体は主鎖または側鎖中に炭素−炭素三重結合
もしくは二重結合を有するものである。
The polymer derived from a compound having a carbon-carbon triple bond in the present invention has a carbon-carbon triple bond or double bond in the main chain or side chain.

上記のポリアセチレン系重合体を構成する有機部分とし
ては、重合体の基本的な構成要素が炭素−炭素の三重結
合あるいは二重結合を有していれば、それがさらに他の
重合体に分散ないしブレンドされていてもよい。 この
ような他の重合体としては、例えばポリフェノール樹脂
、エポキシ樹脂、ゼラチン、ポリビニルアルコール、ポ
リスルホン、ジアセチルセルロース、ポリビニルアセタ
ート、ポリスチレン、ポリウレタン、シリコーンポリマ
ー ポリエーテルポリオール、ポリイミド、ポリビニル
ブチラール等の熱可塑性、熱硬化性、反応性等の各種合
成ないし天然樹脂が挙げられる。
As for the organic moiety constituting the above polyacetylene polymer, if the basic constituent elements of the polymer have a carbon-carbon triple bond or double bond, it may be further dispersed or dispersed in other polymers. May be blended. Examples of such other polymers include thermoplastics such as polyphenol resin, epoxy resin, gelatin, polyvinyl alcohol, polysulfone, diacetyl cellulose, polyvinyl acetate, polystyrene, polyurethane, silicone polymer, polyether polyol, polyimide, and polyvinyl butyral; Examples include various synthetic or natural resins such as thermosetting and reactive resins.

これら各種合成ないし天然樹脂は通常無電解メッキ用触
媒材料のポリアセチレン系重合体の10”wt%以下程
度とする。
The content of these various synthetic or natural resins is usually about 10''wt% or less of the polyacetylene polymer used as the catalyst material for electroless plating.

また、上記のポリアセチレン系重合体は、さらに他の官
能基を有していてもよい、 このような官能基はどのよ
うなものであってもよいが、一般的な水系の湿式法によ
る無電解メッキ工程でより高い触媒能を示すためには、
水酸基、アミノ基、エーテル基、ポリオキシエーテル基
、ポリアミノエーテル基、ポリチオエーテル基、スルフ
ィノ基もしくはその塩、スルホ基もしくはその塩または
カルボキシル基もしくはその塩であることが好ましい。
Further, the above polyacetylene polymer may further have other functional groups. Such functional groups may be of any type, but they may be electroless by a general water-based wet method. In order to show higher catalytic ability in the plating process,
It is preferably a hydroxyl group, an amino group, an ether group, a polyoxyether group, a polyaminoether group, a polythioether group, a sulfino group or a salt thereof, a sulfo group or a salt thereof, or a carboxyl group or a salt thereof.

本発明においては、このような官能基を有する化合物を
別途ポリアセチレン系重合体とともに無電解メッキ用触
媒材料とともに含有させてもよい。
In the present invention, a compound having such a functional group may be separately contained together with a polyacetylene polymer and a catalyst material for electroless plating.

本発明における好ましいポリアセチレン系重合体として
は、主鎖あるいは側鎖に炭素−炭素の共役した不飽和結
合と上述のさらに有してもよい他の官能基とを有する単
独重合体もしくは共重合体のみで構成されるものである
Preferred polyacetylene polymers in the present invention include only homopolymers or copolymers having a carbon-carbon conjugated unsaturated bond in the main chain or side chain and the above-mentioned other optional functional groups. It consists of:

このような重合体が由来する炭素−炭素の三重結合を有
する化合物(モノマー)、すなわちこのような重合体の
構成要素のうち基本となる構造を提供する化合物の好ま
しいものとしては、下記一般式(I)で表わされるもの
が挙げられる。
Preferred compounds (monomers) having a carbon-carbon triple bond from which such polymers are derived, that is, compounds that provide the basic structure among the constituent elements of such polymers, have the following general formula ( Examples include those represented by I).

一般式(1) %式%() 上記一般式(I)において、Aは水素原子または下記の
官能基群の中から任意に一つ以上選ばれる基、例えば水
酸基、アミノ基、エーテル基、メルカプト基、ポリオキ
シエーテル基、ポリアミノエーテル基、ポリチオエーテ
ル基、スルフィノ基もしくはその塩、スルホ基もしくは
その塩、カルボキシル基もしくはその塩、または重合性
の基(例えばグリシジル基、ビニル基、イソシアナート
基等)などを表わす。
General formula (1) % formula % () In the above general formula (I), A is a hydrogen atom or a group arbitrarily selected from one or more of the following functional group groups, such as a hydroxyl group, an amino group, an ether group, and a mercapto group. group, polyoxyether group, polyaminoether group, polythioether group, sulfino group or its salt, sulfo group or its salt, carboxyl group or its salt, or polymerizable group (e.g. glycidyl group, vinyl group, isocyanate group, etc.) ) etc.

Rは、周期律表8族元素(例えばニッケル、ルテニウム
、ロジウム、パラジウム、白金等、好ましくはパラジウ
ム)または1B族元素(銅、銀、金、好ましくは銀、銅
) 水素原子、カルボキシル基もしくはその塩、または
各々置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル
基、アルケニル基、アルキニル基、シリル基、アリール
基、アラルキル基、エステル基もしくは複素環基を表わ
す。
R is a group 8 element of the periodic table (for example, nickel, ruthenium, rhodium, palladium, platinum, etc., preferably palladium) or a group 1B element (copper, silver, gold, preferably silver, copper), a hydrogen atom, a carboxyl group, or represents a salt, or an alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, alkynyl group, silyl group, aryl group, aralkyl group, ester group, or heterocyclic group, each of which may be substituted.

Lは炭素−炭素三重結合とAを連結する化学結合もしく
は(k+m)価の基、例えば置換されていてもよいアル
キレン基、アリーレン基、アラルキレン基、ビニレン基
、シクロアルキレン基、グルタロイル基、フタロイル基
、ヒドラゾ基、ウレイレン基、またはチオ基、カルボニ
ル基、オキシ基、イミノ基、スルフィニル基、スルホニ
ル基、チオカルボニル基、オキザリル基、アゾ基などを
表わし、これらの2種以上の組合せであってもよい。 
但し、kおよびβは1以上の整数である。 また5mは
0以上の整数である。
L is a chemical bond connecting the carbon-carbon triple bond and A or a (k+m)-valent group, such as an optionally substituted alkylene group, arylene group, aralkylene group, vinylene group, cycloalkylene group, glutaroyl group, phthaloyl group , hydrazo group, ureylene group, thio group, carbonyl group, oxy group, imino group, sulfinyl group, sulfonyl group, thiocarbonyl group, oxalyl group, azo group, etc., even if it is a combination of two or more of these groups. good.
However, k and β are integers of 1 or more. Further, 5m is an integer greater than or equal to 0.

以下に好ましい具体的モノマーを挙げるが、これらに限
定されるものではない。
Preferred specific monomers are listed below, but are not limited to these.

工 = Q 0 HC−ICCH,OCH。Engineering = Q 0 HC-ICCH, OCH.

CHs CHI C■CCH,CH,OCH,CHi 
OCH。
CHs CHI C■CCH, CH, OCH, CHi
OCH.

HC”CCHi 0CHa CHt 0CHs(CHs
)s 5iC−C−CHx 0CHx CHz 0CH
z CHx 0CHsHC=CCH* CCHi CH
I CCHi CHx 0CHz CH2NHCHsこ
れらのアセチレン化合物のモノマーは一般に次のように
して合成することができる。
HC”CCHi 0CHa CHt 0CHs (CHs
)s 5iC-C-CHx 0CHx CHz 0CH
z CHx 0CHsHC=CCH* CCHi CH
I CCHi CHx 0CHz CH2NHCHs Monomers of these acetylene compounds can generally be synthesized as follows.

すなわち、炭素−炭素三重結合を有する化合物、例えば
、プロピオール酸、臭化プロパギル、プロパギルアルコ
ール等とその他の必要な官能基を有する化合物、例えば
テトラエチレングリコールモノエチルエーテル、マレイ
ン酸無水物、プロパンサルトン、エピクロルヒドリン、
アクリル酸クロリド等を縮合すれば良い。
That is, compounds having a carbon-carbon triple bond, such as propiolic acid, propargyl bromide, propargyl alcohol, etc., and compounds having other necessary functional groups, such as tetraethylene glycol monoethyl ether, maleic anhydride, propansal. ton, epichlorohydrin,
What is necessary is to condense acrylic acid chloride or the like.

以下に合成法の一例を挙げる。An example of a synthesis method is given below.

例示化合物(1)の合成 テトラエチレングリコールモノエチルエーテル107g
、臭化プロパギル107g、無水炭酸カリウム300g
の混合物を水浴上で20時間加熱撹拌する。 冷却後、
不溶物をセライトろ過し、そのろ液を減圧蒸留する。 
収量120g 無色透明の液体。 沸点115℃10.
6mmHg 他の化合物も同様にして容易に合成することができる。
Synthesis of Exemplary Compound (1) Tetraethylene glycol monoethyl ether 107g
, propargyl bromide 107g, anhydrous potassium carbonate 300g
The mixture was heated and stirred on a water bath for 20 hours. After cooling,
Insoluble matter is filtered through Celite, and the filtrate is distilled under reduced pressure.
Yield: 120g. Colorless and transparent liquid. Boiling point 115℃10.
6mmHg Other compounds can be easily synthesized in the same manner.

これらの化合物は、後に詳述するように、パターン状に
重合してポリアセチレン系重合体を形成するが、その際
これらの化合物のダイマー、トリマー オリゴマー等を
用いてもよい。
As described in detail later, these compounds are polymerized in a pattern to form a polyacetylene polymer, and in this case, dimers, trimers, oligomers, etc. of these compounds may be used.

また、ポリアセチレン系の共重合体を形成する場合、こ
れらの化合物の2種以上をモノマーとして用いてもよい
Furthermore, when forming a polyacetylene-based copolymer, two or more of these compounds may be used as monomers.

さらに、上記モノマーとしては、Rとして8族ないし1
B族元素を有するものは例示しなかったが、上記の例示
モノマーであってこれら金属元素をRとして有するもの
を用いてもよい。
Furthermore, as the above monomer, R is from Group 8 to Group 1.
Although monomers having group B elements are not exemplified, monomers having these metal elements as R among the above-mentioned exemplified monomers may be used.

これら金属元素をRとして有するものは、(CH−(C
■C)j)k  (L)−(A)mで示されるアセチレ
ン化合物と硝酸銀、塩化パラジウム、塩化第1銅、塩化
臼金酸、塩化金酸等の金属塩とを公知の方法で反応させ
ることによって容易に得ることができる。
Those having these metal elements as R are (CH-(C
■C) j) k An acetylene compound represented by (L)-(A) m is reacted with a metal salt such as silver nitrate, palladium chloride, cuprous chloride, chlorauric acid, or chloroauric acid by a known method. can be easily obtained by

このような反応に際しては、上記のアセチレン化合物を
水溶液に懸濁し、これに上記の金属塩を投入して反応を
行えばよい、 この際、アンモニアあるいは有機アミン
類を共存させると、容易に反応することが多い、 そし
て、−般的には抽出法により反応生成物を単離すればよ
い。
For such a reaction, the above acetylene compound may be suspended in an aqueous solution, and the above metal salt may be added to the aqueous solution to carry out the reaction. At this time, if ammonia or organic amines are present, the reaction will be facilitated. -The reaction product can generally be isolated by extraction methods.

このようにして得られる8族ないし1B族元素を有する
アセチレン化合物は%NMRスペクトルおよびIRスペ
クトルにより、アセチリドのσ錯体あるいはπ錯体であ
る。
The acetylene compound having a Group 8 to Group 1B element thus obtained is determined to be a σ complex or a π complex of acetylide according to the NMR spectrum and IR spectrum.

このようなアセチレン化合物あるいはそのダイマー オ
リゴマー等の1種以上は重合されてポリアセチレン系重
合体を形成する。
One or more of such acetylene compounds or their dimers, oligomers, etc. are polymerized to form a polyacetylene polymer.

本発明における周期律表8族元素としては、例えばニッ
ケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウムが挙げられる
。 これらのうちパラジウムが最も好適である。  1
B族元素としては、銅、銀、金が挙げられ、これらのう
ち銀、銅が最も好適である。
Examples of the Group 8 elements of the periodic table in the present invention include nickel, ruthenium, rhodium, and palladium. Among these, palladium is most preferred. 1
Group B elements include copper, silver, and gold, and among these, silver and copper are most preferred.

これら周期律表8族ないし1B族元素の1種以上は、無
電解メッキ用触媒材料中に金属単体、金属塩ないしは金
属錯体の形で、そしてポリアセチレン系重合体に結合な
いし配位した形で、さらには場合によってはこれらの合
金や各種化合物の形で含有される。
One or more of these elements from Group 8 to Group 1B of the periodic table is contained in the catalyst material for electroless plating in the form of an elemental metal, a metal salt, or a metal complex, and in a form bonded or coordinated to the polyacetylene polymer. Furthermore, depending on the case, they may be contained in the form of alloys or various compounds of these.

これらのうち金属塩としては、硝酸銀、塩化パラジウム
、塩化第1銅、塩化白金などが好ましい。
Among these, preferred metal salts include silver nitrate, palladium chloride, cuprous chloride, and platinum chloride.

またこれらの金属錯体としては、ジ−μmクロロビス(
η−2−メチルアリル)シバラジウム(n)錯体、テト
ラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム錯体、ジ
ーμmクロロテトラカルボニルジロジウム(I)錯体、
ジシクロペンタジェン−金(I)クロリドなどが挙げら
れる。
In addition, these metal complexes include di-μm chlorobis(
η-2-methylallyl) sibaradium (n) complex, tetrakis (triphenylphosphine) palladium complex, di μm chlorotetracarbonyl dirhodium (I) complex,
Examples include dicyclopentadiene-gold(I) chloride.

これらは後述のように分子の形で無電解メッキ用触媒材
料中に導入されるが、場合によっては上記の金属単体ま
たは合金等を、例えば10−”〜1〇−程度の平均粒径
の粒子として分散させることもできる。 また、上記の
ようにアセチレン化合物のモノマー中に金属を導入した
ものを用いるときには、ポリアセチレン系重合体に結合
ないし配位した形で金属が導入されることがある。
These are introduced into the catalyst material for electroless plating in the form of molecules as described below, but in some cases, the above-mentioned metals or alloys may be mixed into particles with an average particle size of about 10" to 10". Also, when using an acetylene compound monomer in which a metal is introduced as described above, the metal may be introduced in the form of a bond or coordination to the polyacetylene polymer.

ただし、この場合は、後述のように、重合に際し、金属
の形で析出するのが一般的である。
However, in this case, as described below, it is generally precipitated in the form of metal during polymerization.

これらの金属塩、金属錯体等は無電解メッキ浴中の還元
剤によって金属に還元されて、無電解メッキの際の触媒
核となるものである。
These metal salts, metal complexes, etc. are reduced to metals by the reducing agent in the electroless plating bath, and serve as catalyst nuclei during electroless plating.

この触媒核として、前記したとおり周期律表8族もしく
は1B族元素のうち、パラジウム、銀、銅が好ましい。
As the catalyst nucleus, palladium, silver, and copper are preferable among the elements of group 8 or group 1B of the periodic table, as described above.

本発明における重合体は、前記一般式(I)で示される
もののうち、周期律表8族もしくは1B族元素を含有す
るモノマーを用いることもできる。
As the polymer in the present invention, a monomer containing an element of group 8 or group 1B of the periodic table among those represented by the general formula (I) can also be used.

また、モノマー中に上記の金属元素を含有しないものを
用いるときには、モノマーと上記元素の金属塩等とを併
存させて重合してもよい。
Furthermore, when using a monomer that does not contain the above-mentioned metal elements, the monomer and a metal salt of the above-mentioned element may coexist and be polymerized.

あるいはポリアセチレン系重合体を形成した後、金属塩
等を導入してもよい。
Alternatively, a metal salt or the like may be introduced after forming the polyacetylene polymer.

金属塩等の導入は、ポリアセチレン系重合体を金属塩等
の浴(通常水溶液)に浸漬する方法、金属塩等の溶液を
塗布する方法などによればよい。
The metal salt or the like may be introduced by immersing the polyacetylene polymer in a bath (usually an aqueous solution) of the metal salt or the like, or by applying a solution of the metal salt or the like.

このようなポリアセチレン系重合体に存在する周期律表
8族もしくは1B族の金属単体、金属錯体、金属塩等の
存在量は重合体100重量部当り5〜5000、特に1
0〜500が好ましい。
The amount of elemental metals, metal complexes, metal salts, etc. of Group 8 or Group 1B of the periodic table present in such polyacetylene polymers is 5 to 5,000, particularly 1, per 100 parts by weight of the polymer.
0-500 is preferred.

無電解メッキ用触媒材料の触媒核としては触媒活性等の
点からパラジウムが好ましく用いられるが、このような
パラジウムを上記無電解メッキ用触媒材料に含有させる
には、以下のような方法をとってもよい。
Palladium is preferably used as the catalyst core of the catalyst material for electroless plating from the viewpoint of catalytic activity, but the following method may be used to incorporate such palladium into the catalyst material for electroless plating. .

すなわち、炭素−炭素の三重結合を有する化合物をパラ
ジウムよりイオン化傾向の大きい金属元素の存在下に重
合させ、このパラジウムよリイオン化傾向の大きい金属
元素をパラジウムで置換するものである。
That is, a compound having a carbon-carbon triple bond is polymerized in the presence of a metal element that has a greater ionization tendency than palladium, and the metal element that has a greater ionization tendency than palladium is replaced with palladium.

パラジウムよりイオン化傾向の大きい金属元素としては
、例えばZn%AI2、F e s N 1、Co、C
r%Mg%Cd、Sn、Pb等が挙げられる。
Examples of metal elements having a greater ionization tendency than palladium include Zn%AI2, FesN1, Co, and C.
Examples include r%Mg%Cd, Sn, and Pb.

上記のような金属元素の存在下に重合する方法としては
、まず前記アセチレン化合物としてこのような金属元素
を含むものを用いて重合する方法がある。
As a method for polymerizing in the presence of a metal element as described above, there is a method in which first, the acetylene compound containing such a metal element is used for polymerization.

このような金属元素を含むアセチレン化合物としては、
具体的には、前記一般式(I)においてRがパラジウム
よりイオン化傾向が大きい金属であるものなどが挙げら
れる。
Acetylene compounds containing such metal elements include:
Specifically, examples include those in which R in the general formula (I) is a metal having a greater ionization tendency than palladium.

また、金属元素を有さないアセチレン化合物のモノマー
を重合させてパラジウムよりイオン化傾向の大きい金属
を有する重合触媒の存在下に重合させる方法がある。
There is also a method in which monomers of acetylene compounds that do not have metal elements are polymerized in the presence of a polymerization catalyst that has a metal that has a higher ionization tendency than palladium.

このような重合触媒としては、Ag、Mo、W等の塩も
しくは錯体(例えば、M o C12゜、WCfie 
 、  MoCI2 s  (Cs  Hll)4  
Sn 、WCAa  (Ca H8)4 Sn等)、公
知の種々のものが挙げられる。
Such polymerization catalysts include salts or complexes of Ag, Mo, W, etc. (for example, Mo C12°, WCfie
, MoCI2 s (Cs Hll)4
Sn, WCAa (CaH8)4Sn, etc.), and various known ones.

この場合は、重合触媒を構成する金属元素が重合体中に
含有されることになるが、さらにパラジウムよりイオン
化傾向の大きい金属元素を含有させてもよい、 このよ
うな金属元素は重合触媒とともに重合の際共存させても
よいし、後述の方法で重合後分散させてもよい。
In this case, the metal elements constituting the polymerization catalyst will be contained in the polymer, but a metal element with a greater ionization tendency than palladium may also be contained. They may be allowed to coexist during the process, or they may be dispersed after polymerization using the method described below.

また、このような金属元素を含むモノマーを予め調製し
て同時に重合させてもよい。
Alternatively, a monomer containing such a metal element may be prepared in advance and polymerized at the same time.

上記のポリアセチレン系重合体中に存在するパラジウム
よりイオン化傾向の大きい金属元素は、その後、パラジ
ウムで置換される。
The metal element that is present in the polyacetylene polymer and has a greater ionization tendency than palladium is then replaced with palladium.

具体的には、PdCA2 、Nag PdCl;!、4
等の水溶液の浴に浸漬するなどすればよい。
Specifically, PdCA2, Nag PdCl;! , 4
It may be immersed in a bath of an aqueous solution such as

その他、溶液を塗布する方法もある。Another method is to apply a solution.

このような方法をとることにより、パラジウムの量を少
量とすることができ、コスト面で有利となる。
By adopting such a method, the amount of palladium can be reduced to a small amount, which is advantageous in terms of cost.

本発明において、アセチレン化合物のモノマー ダイマ
ー、オリゴマー等は、パターン状に重合される。
In the present invention, monomers, dimers, oligomers, etc. of acetylene compounds are polymerized in a pattern.

重合は放射線によって行い、パターン状とするには放射
線の走査を制御してパターン状に重合を行ったり、パタ
ーンマスク材等を使用してパターン状に重合を行うなど
すればよい。
Polymerization is performed by radiation, and in order to form a pattern, polymerization may be performed in a pattern by controlling the scanning of radiation, or by using a pattern mask material or the like.

パターンマスク材としては、ポリエステルベースのリス
フィルム、ガラス乾板、クロムマスク等が適用でき、公
知の方法に従って行えばよい。
As the pattern mask material, a polyester-based lithium film, a glass dry plate, a chrome mask, etc. can be used, and it may be carried out according to a known method.

また、複雑なパターンの設計はCADによればよい。Further, CAD may be used to design a complicated pattern.

このように、本発明におけるアセチレン化合物は、いわ
ゆるレジストとなる作用を有するものであり、別途レジ
ストを用いることなくパターンを形成することが可能と
なる。
As described above, the acetylene compound in the present invention has a so-called resist function, and it becomes possible to form a pattern without using a separate resist.

このような意味で、本発明におけろアセチレン化合物は
、一種のレジストということができる。
In this sense, the acetylene compound in the present invention can be said to be a type of resist.

放射線としては、可視紫外線(UV)、電子線、Xaな
ど、用いるアセチレン化合物に応じて適宜選択すればよ
い。
The radiation may be appropriately selected from visible ultraviolet (UV), electron beam, Xa, etc. depending on the acetylene compound used.

UVを用いる場合通常波長250〜350 nmであり
、高圧水銀灯やXeランプ等を使用し、10” 〜10
’ mJ/cm’程度の照射量とする。
When using UV, the wavelength is usually 250 to 350 nm, and a high-pressure mercury lamp, Xe lamp, etc. is used, and the wavelength is 10" to 10".
The irradiation amount is approximately 'mJ/cm'.

また露光の解像度を高くするために、微細加工を施す場
合は200〜300 nmの紫外線を用いるのがよい、
 このような短波長の紫外線を用いる微細加工には、エ
キシマ−レーザー(波長249 nm)を使用する方法
が有効である。
In addition, in order to increase the resolution of exposure, it is recommended to use ultraviolet light of 200 to 300 nm when performing microfabrication.
For microfabrication using such short wavelength ultraviolet rays, a method using an excimer laser (wavelength: 249 nm) is effective.

また、長波長の光で反応が起こるようにするために、必
要に応じて、その光を吸収する光吸収体を加えることも
できる。
Furthermore, in order to cause the reaction to occur with light of a long wavelength, a light absorber that absorbs the light can be added as necessary.

本発明においては、YAGレーザ等のレーザを用いてヒ
ートモードでパターンを形成してもよい。
In the present invention, a pattern may be formed in a heat mode using a laser such as a YAG laser.

この場合5熱収縮の効率を良化するために、色素や顔料
等を光吸収体として添加してもよい。
In this case, dyes, pigments, etc. may be added as light absorbers in order to improve the efficiency of heat shrinkage.

本発明におけるアセチレン化合物は、いわゆる前記した
意味でレジストといえるもので、放射線を照射した部分
が溶媒に溶けにくくなるネガ型のものである。
The acetylene compound in the present invention can be called a resist in the above-mentioned sense, and is a negative type compound in which the portion irradiated with radiation becomes difficult to dissolve in a solvent.

このようなことから、上記のようにパターン状に重合体
を形成した後、放射線が照射されず重合体を形成しない
部分は、適当な溶剤を用いて除去される。
For this reason, after forming a polymer in a pattern as described above, the portions that are not irradiated with radiation and do not form a polymer are removed using an appropriate solvent.

このような溶剤としては、水、アルコール、アセトン等
が用いられ、なかでも水が好ましい。
As such a solvent, water, alcohol, acetone, etc. are used, and water is particularly preferred.

このようにして形成されたパターン状の無電解メッキ用
触媒材料の線巾は、1〜100−程度である。
The line width of the patterned catalyst material for electroless plating thus formed is about 1 to 100-.

上記のような細線とできるのは、本発明におけるアセチ
レン化合物をいわゆる前記した意味でレジストとした場
合解像性に優れるといえるからである。 また感度も高
く、重合体を形成した部分と重合体を形成しない部分と
でのある溶剤(例えば水)に対する溶解性が大きく異な
り、鮮明なパターン像が形成できる。 従って、別途レ
ジストを用いることもない。
The reason why the above-mentioned thin line can be obtained is that when the acetylene compound of the present invention is used as a resist in the above-mentioned sense, it can be said that the resolution is excellent. In addition, the sensitivity is high, and the solubility in a certain solvent (for example, water) between the polymer-formed part and the non-polymer-formed part differs greatly, and a clear pattern image can be formed. Therefore, there is no need to use a separate resist.

本発明においてパターン状に形成される無電解メッキ用
触媒材料は、一般に膜状のものである。
In the present invention, the electroless plating catalyst material formed into a pattern is generally in the form of a film.

膜状のものとする場合、具体的には、基体表面に膜を形
成すればよい。
In the case of forming a film, specifically, a film may be formed on the surface of the substrate.

基体上への膜の形成法については、上述の七ツマ−を塗
布法を用いて基体上に担持させる方法が最も簡便なもの
として挙げられる。
As for the method of forming the film on the substrate, the simplest method is to apply the above-mentioned seven-layer film onto the substrate using a coating method.

塗布法の場合は、七ツマ−の溶液または懸濁液からカー
テンコート、デイツプコート、スプレーコート、スピン
ナーコート、ロールコートする方法等がある。 この時
用いる溶媒、濃度は特に限定するものではない。
In the case of coating methods, there are methods of curtain coating, dip coating, spray coating, spinner coating, roll coating, etc. from a solution or suspension of chlorine. The solvent and concentration used at this time are not particularly limited.

薄膜の均一性を考慮すると溶解度の高い溶媒を用いるの
が望ましく、代表的なものとしては水、メタノール、ア
セトン、メチルエチルケトンのようなケトン類、クロロ
ホルム、塩化メチレンのようなハロゲン化合物、酢酸エ
チルのようなエステル類、ジメチルアセトアミド、ジメ
チルホルムアミド1、N−メチル−2−ピロリドンのよ
うなアミド類、アセトニトリルのようなニトリル類であ
る。
Considering the uniformity of the thin film, it is desirable to use a solvent with high solubility; typical examples include water, methanol, acetone, ketones such as methyl ethyl ketone, chloroform, halogen compounds such as methylene chloride, and ethyl acetate. esters such as dimethylacetamide, dimethylformamide 1, amides such as N-methyl-2-pyrrolidone, and nitriles such as acetonitrile.

具体的に塗布法を適用した例としては、熱重合開始剤と
してアゾビスイソブチロニトリルと例示化合物(20)
のクロロホルム溶液をポリメチルメタアクリレート基板
上にスピンコード等により塗布し、前述のように放射線
を用いてパターン状に重合させた後、重合しない部分を
水で除去し、周期律表8族もしくは1B族の金属塩等の
浴に浸漬などする方法である。
As a specific example of applying the coating method, azobisisobutyronitrile and exemplified compound (20) are used as thermal polymerization initiators.
A chloroform solution of is applied onto a polymethyl methacrylate substrate using a spin cord or the like, polymerized in a pattern using radiation as described above, and the portions that do not polymerize are removed with water. This is a method such as immersion in a bath of metal salts of group metals.

これらの方法によって膜中に含浸された金属塩は、例え
ば無電解メッキ浴中の還元剤によっであるいは無電解メ
ッキ浴の前に還元浴を適用することによって金属に還元
される。
The metal salts impregnated into the membrane by these methods are reduced to metal, for example by a reducing agent in the electroless plating bath or by applying a reducing bath before the electroless plating bath.

また、重合体形成用モノマーとして周期律表8族もしく
は1B族の金属と錯体を形成している化合物、例えば例
示化合物(1)、(6)、 (27)の銀アセチリドを
用い、これを基板上にスピンコード等により塗布し、次
いで前述のように紫外光等の放射線の照射によってパタ
ーン状に重合させ、重合しない部分を前述のように除去
する。
In addition, a compound that forms a complex with a metal of group 8 or group 1B of the periodic table, such as silver acetylide of exemplified compounds (1), (6), and (27), is used as a polymer-forming monomer, and this is applied to the substrate. It is applied onto the surface using a spin cord or the like, and then polymerized in a pattern by irradiation with radiation such as ultraviolet light as described above, and the portions that do not polymerize are removed as described above.

この方法では紫外光等の照射によって無電解メッキの触
媒となるのに十分な量の金属が得られる。 場合によっ
ては一部金属錯体として存在しているものもあるが無電
解メッキ浴中の還元剤の作用により、これら金属錯体も
触媒核として機能するように変化する。 この方法によ
り有機溶剤を全(使わずに、触媒核となる微細な金属粒
子が共役不飽和結合を有する重合体に均質に分散した無
電解メッキの触媒機能を有するサブミクロン厚の薄膜を
容易に非導電性の基体上に形成できる。
In this method, a sufficient amount of metal to serve as a catalyst for electroless plating can be obtained by irradiation with ultraviolet light or the like. In some cases, some metal complexes exist, but due to the action of the reducing agent in the electroless plating bath, these metal complexes also change to function as catalyst nuclei. With this method, it is possible to easily create a submicron-thick thin film that has the catalytic function of electroless plating, in which fine metal particles serving as catalyst nuclei are homogeneously dispersed in a polymer with conjugated unsaturated bonds, without using any organic solvent. Can be formed on a non-conductive substrate.

この他、例えばモノマーの溶液あるいは懸濁液に金属塩
や金属単体、あるいは合金や金属化合物を溶解あるいは
分散させて、これを塗布した後、前述のように放射線に
よりパターン状に重合し、重合しない部分を取り除いて
もよい。
In addition, for example, metal salts, simple metals, alloys, or metal compounds are dissolved or dispersed in a solution or suspension of monomers, and after being applied, they are polymerized in a pattern by radiation as described above, but do not polymerize. You may remove parts.

本発明において、前記の炭素−炭素不飽和結合を有する
重合体の使用量は基板IM当り111g〜10g1特に
20mg〜Igが好ましい。 この重合体またはこの重
合体と他のバインダーが作る膜の厚みとしては、0.0
01−〜5−1特に0.005−〜0.5−が適当であ
る。
In the present invention, the amount of the polymer having carbon-carbon unsaturated bonds used is preferably 111 g to 10 g, particularly 20 mg to Ig, per substrate IM. The thickness of the film formed by this polymer or this polymer and other binders is 0.0
01- to 5-1, particularly 0.005- to 0.5- are suitable.

なお、このように設層される膜に保護層や下地層を設け
たり、複数積層したりする公知の技術の適用は可能であ
る。
Note that it is possible to apply a known technique of providing a protective layer or a base layer on the film thus formed, or of laminating a plurality of layers.

また、膜の形成法については、ラングミュア−・プロジ
ェット法を適用してもよい。
Further, as for the method of forming the film, the Langmuir-Prodgett method may be applied.

ラングミュア−・プロジェット法による単分子膜の作製
およびそれを累積する方法は「新実験化学講座 18巻
 界面とコロイド 第 6章;日本化学余線 丸善」な
との一般的方法に準拠する。
The method for producing a monomolecular film by the Langmuir-Prodgett method and for accumulating it is based on the general method described in "New Experimental Chemistry Course Volume 18 Interfaces and Colloids Chapter 6; Nippon Kagaku Extra Line Maruzen".

この場合基体(基板)を液面を横切る方向に上下して単
分子膜を移しとる垂直浸漬法を用いても、基体(基板)
を水平に支え、単分子膜面に触れて膜を付着させる水平
付着法を用いてもいずれでもよい。
In this case, even if a vertical dipping method is used in which the monomolecular film is transferred by moving the substrate up and down in a direction across the liquid surface, the substrate (substrate)
A horizontal adhesion method may be used, in which the monomolecular film is supported horizontally and the film is attached by touching the monomolecular film surface.

使用する水にはイオン交換、過マンガン酸カリでの有機
物除去、蒸留を行う。 水温は15〜20℃に設定する
。 必要に応じてCd”などのイオンを10−”〜10
−’mol/I2加える。
The water used is subjected to ion exchange, removal of organic matter with potassium permanganate, and distillation. The water temperature is set at 15-20°C. If necessary, add ions such as Cd" to 10-" to 10
-'mol/I2 is added.

例えば、垂直浸漬法では、装置としてフロート型のマイ
クロバランを用いるのが望ましい。
For example, in the vertical immersion method, it is desirable to use a float type microbalun as the device.

精製したモノマーを分光分析用のクロロホルム等に、濃
度0 、5〜1 、 Oa+g/mlになるよう溶解す
る。 単分子膜を作製後、基板に、表面圧を20〜25
dyn/cmに保ちつつ累積する。
The purified monomer is dissolved in chloroform or the like for spectroscopic analysis to a concentration of 0, 5 to 1, Oa+g/ml. After preparing the monomolecular film, apply a surface pressure of 20 to 25% to the substrate.
Accumulate while maintaining dyn/cm.

ラングミュア・プロジェット法を具体的に適用した例と
しては特開昭61−137781号に記載のラングミュ
ア−・プロジェット法を用いて、両親媒性のモノマー、
例えば例示化合物(10)、(12)、(14)、(I
6)をガラス基板上に単分子累積膜とし、これに高圧水
銀灯などによる紫外光等の放射線を前述のようにパター
ン状に照射して重合させた後、重合しない部分を除去し
て、周期律表8族もしくは1B族の金属塩等の浴に浸漬
するという方法がある。
As a specific example of applying the Langmuir-Prodgett method, amphiphilic monomers,
For example, exemplified compounds (10), (12), (14), (I
6) was made into a monomolecular cumulative film on a glass substrate, and after polymerization by irradiating it with radiation such as ultraviolet light from a high-pressure mercury lamp in a pattern as described above, the portions that did not polymerize were removed, and the periodic rule was There is a method of immersion in a bath of metal salts of Group 8 or Group 1B.

なお1本発明において、膜を形成する場合、用いるモノ
マーによっては、PVDとCVDとに大別される気相成
長法を適用することもできる。
In addition, in the present invention, when forming a film, depending on the monomer used, vapor phase growth methods, which are broadly classified into PVD and CVD, can also be applied.

また、この場合PVD%CVDをパターンマスク材を用
いて行えば、直接パターン化できる。 モしてCVDの
場合には、重合膜がパターン状に形成される。
Further, in this case, if PVD%CVD is performed using a pattern mask material, direct patterning can be achieved. In the case of CVD, a polymer film is formed in a pattern.

なお、CVD等で例えば光照射等をパターン状に行うこ
とにより、パターンマスク材を用いずにパターン化も可
能である。
Note that patterning is also possible without using a pattern mask material by, for example, performing light irradiation in a pattern using CVD or the like.

本発明において膜を形成するための基体には、例えば、
銅、鉄、チタン、ガラス、石英、セラミックス、炭素、
ポリエチレン、ポリフェノール、ポリプロピレン、AB
S重合体、エポキシ樹脂、ガラス繊維強化エポキシ樹脂
、ポリエステルが含まれ、またポリアミド、ポリオレフ
ィン、ポリアクリロニトリル、ポリビニルハライド、木
綿もしくはウールまたはそれらの混合物の、あるいは上
記したモノマーの共重合体の織物シート(布も含む)、
糸および繊維、紙のような繊維の集合体、シリカのよう
な粒状物が含まれる− このようにパターン状に形成された無電解メッキ用触媒
材料は、無電解メッキが施され、金属化される。 この
ようにして金属材料パターンが形成される。
In the present invention, the substrate for forming a film includes, for example,
copper, iron, titanium, glass, quartz, ceramics, carbon,
Polyethylene, polyphenol, polypropylene, AB
S polymers, epoxy resins, glass fiber reinforced epoxy resins, polyesters, and also woven sheets of polyamides, polyolefins, polyacrylonitrile, polyvinyl halides, cotton or wool or mixtures thereof, or copolymers of the monomers mentioned above ( (including cloth),
These patterned catalyst materials for electroless plating include threads and fibers, aggregates of fibers such as paper, and particulate matter such as silica. Ru. In this way, a metal material pattern is formed.

本発明で使用する無電解メッキ浴は、ニッケル塩、コバ
ルト塩、銅塩、金および銀塩、またはこれら塩類と、そ
の相互の、もしくは鉄塩との混合物を含有する浴が好適
なものである。
The electroless plating bath used in the present invention is preferably a bath containing nickel salts, cobalt salts, copper salts, gold and silver salts, or mixtures of these salts with each other or with iron salts. .

この種のメッキ浴は、無電解メッキにおいて使用するた
めに公知のものであるが、これらに限定されるものでは
な(、不活性な基質を洛中に含み、その物質をメッキ被
膜中に共析させるようなメッキ浴も利用できる。
Plating baths of this type include, but are not limited to, those known for use in electroless plating (e.g., containing an inert substrate and eutectoiding the material into the plating layer). A plating bath can also be used.

例えば、神戸徳蔵監修“最新の無電解めっき技術”総合
技術センター(1986年)等の成書に記載のメッキ浴
およびメッキ条件はいずれも本発明において使用可能で
ある。
For example, any of the plating baths and plating conditions described in books such as "Latest Electroless Plating Technology" by Tokuzo Kobe, General Technology Center (1986) can be used in the present invention.

本発明において得られる金属材料パターンは、前記した
無電解メッキ用触媒材料のパターン同様、1〜100戸
程度であり、1−程度の細線とすることができる。
The metal material pattern obtained in the present invention has a width of about 1 to 100, and can be a thin line of about 1-1, like the pattern of the catalyst material for electroless plating described above.

本発明の金属材料パターンの形成方法は、高密度で高精
度のプリント配線基板を得る場合に適用して有効である
The method for forming a metal material pattern of the present invention is effective when applied to obtain a high-density and high-precision printed wiring board.

■発明の具体的作用効果 本発明によれば、高密度で精度よく金属材料パターンを
形成することができる。 また、密着性等の特性に優れ
、導電性にも優れる。 この場合無電解メッキ用触媒材
料を形成するアセチレン化合物自体がいわゆるレジスト
としての作用を兼ねるため、改めてレジストを用いるこ
とな(微細加工が可能となる。 従って生産性が高くな
る。
(2) Specific Effects of the Invention According to the present invention, a metal material pattern can be formed with high density and accuracy. It also has excellent properties such as adhesion and excellent conductivity. In this case, since the acetylene compound itself that forms the catalyst material for electroless plating also functions as a so-called resist, there is no need to use a resist again (fine processing becomes possible. Therefore, productivity is increased.

V1発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。
V1 Specific Examples of the Invention Hereinafter, specific examples of the present invention will be shown and the present invention will be explained in further detail.

実施例 1 例示化合物(1)の銀塩な以下の方法により調製した。Example 1 A silver salt of Exemplified Compound (1) was prepared by the following method.

遮光した状態で、酢酸ナトリウム16.4g、酢酸銀1
6.7gを40℃の蒸留水200mjに懸濁させた。 
これに例示化合物(1)20.1gを滴下し、20分間
撹拌した後、室温まで冷却した。 これを炭酸水素ナト
リウム7.8gで中和し、デカンテーシゴンで上澄み液
を除き、さらに蒸留水200mAとクロロホルム400
m1を加え、抽出した。 クロロホルム層を無水硫酸ナ
トリウムで乾燥後、クロロホルムを減圧上留去し、白色
ワックス状固形物29g(はぼ定量的)を得た。
16.4 g of sodium acetate, 1 g of silver acetate in a light-shielded state.
6.7 g was suspended in 200 mj of distilled water at 40°C.
20.1 g of Exemplified Compound (1) was added dropwise to this, stirred for 20 minutes, and then cooled to room temperature. Neutralize this with 7.8 g of sodium hydrogen carbonate, remove the supernatant liquid with a decant, and add 200 mA of distilled water and 400 mA of chloroform.
m1 was added and extracted. After drying the chloroform layer over anhydrous sodium sulfate, chloroform was distilled off under reduced pressure to obtain 29 g (quantitatively) of a white waxy solid.

この物質が銀のσ錯体であることを、NMRスペクトル
とIRスペクトルから確認した。
It was confirmed from the NMR spectrum and IR spectrum that this substance was a silver σ complex.

MR δ 1 、 1 5  (triplet、3 H)3
 、 0〜40  (multiplet、 1 4 
H)3 、 4  (broad  singlet、
2 H)I R2860cm−’ (C−H伸縮)19
80cm−’ (C=C伸縮) 1100cm−’ (C−0伸縮) 例示化合物(1)の銀塩0.24gと蒸留水0.36g
、メタノール1.80gを混合、溶解し10重量%濃度
の溶液とした。
MR δ 1 , 1 5 (triplet, 3 H) 3
, 0~40 (multiplet, 1 4
H) 3, 4 (broad singlet,
2 H) I R2860cm-' (C-H expansion and contraction) 19
80 cm-' (C=C stretching) 1100 cm-' (C-0 stretching) 0.24 g of silver salt of exemplary compound (1) and 0.36 g of distilled water
and 1.80 g of methanol were mixed and dissolved to obtain a solution with a concentration of 10% by weight.

上記溶液IIiを4.5cmX7cmPET基板上に滴
下し、スピンコード法で薄膜状・に塗布した。
The above solution IIi was dropped onto a 4.5 cm x 7 cm PET substrate and applied in the form of a thin film using a spin code method.

その後、Xeランプによる紫外光を約104mJ/cm
”照射量で照射してパターン状に重合体を形成した。
After that, ultraviolet light from a Xe lamp was applied at approximately 104 mJ/cm.
``The polymer was formed in a pattern by irradiation with a certain amount of radiation.

次に、溶剤に水を用いて重合体を形成してない部分を除
去した。
Next, using water as a solvent, the portions that did not form a polymer were removed.

このようにして、パターン状に水に不溶性の淡褐色の透
明薄膜を作成した。 この薄膜の厚みは、0.1−でそ
の中に50〜100人の均一な銀粒子が分散していた。
In this way, a water-insoluble light brown transparent thin film was created in a pattern. The thickness of this thin film was 0.1 -, and 50 to 100 uniform silver particles were dispersed therein.

また形成した細線のパターン線巾は60−であった。Moreover, the pattern line width of the formed thin line was 60-.

次に硫酸銅10 g/l、ロッシェル塩15g/I2お
よび37%ホルムアルデヒド溶液20m1/I2を含み
水酸化ナトリウムでpH12〜13に調整されたアルカ
リ性の無電解メッキ銅浴に浸漬した。
Next, it was immersed in an alkaline electroless plating copper bath containing 10 g/l of copper sulfate, 15 g/I2 of Rochelle's salt, and 20 ml/I2 of 37% formaldehyde solution and adjusted to pH 12-13 with sodium hydroxide.

20分後には、パターン状に金属光沢をもつ銅の堅固に
密着した層が析出していた。 その金属面の表面抵抗は
1mΩ/cm”であった。
After 20 minutes, a tightly adherent layer of copper with a metallic luster had been deposited in a pattern. The surface resistance of the metal surface was 1 mΩ/cm''.

上記方法で得られたパターン状に形成された金属化フィ
ルムの断面構造は走査型電子顕微鏡による観察によれば
PETを除いた膜厚は0.3−であり、金属部分はほぼ
均一で同じ厚みをもっていた。
The cross-sectional structure of the metallized film formed in the pattern obtained by the above method was observed using a scanning electron microscope, and the film thickness excluding PET was 0.3 -, and the metal parts were almost uniform and had the same thickness. had.

また、前記パターンサイズにて、欠陥等のない良好な銅
メタライズドパターンであった。
Furthermore, the copper metallized pattern was good with no defects or the like at the above pattern size.

実施例 2 例示化合物(12)をベンゼンに3X10−”mol/
I2の濃度で溶解した後、pH5,8で塩化カドミウム
(濃度1×10弓mol/I2)水溶液の水相上に展開
させた。 溶媒のベンゼンを蒸発除去後5表面圧を20
dyne/cmまで高めた。
Example 2 Exemplified compound (12) was added to benzene in an amount of 3×10-”mol/
After dissolving at a concentration of I2, it was developed on an aqueous phase of cadmium chloride (concentration 1 x 10 mol/I2) aqueous solution at pH 5.8. After removing the solvent benzene by evaporation, the surface pressure was reduced to 20
dyne/cm.

表面圧を一定に保ちながら、表面が十分に清浄で親水性
となっているガラス基板を担体とし、水面を横切る方向
に上下速度1 、0 am/+ninで静かに上下させ
、ジアセチレン単分子膜をガラス基板に移しとり、その
31層に累積した膜を形成した。
While keeping the surface pressure constant, a glass substrate with a sufficiently clean and hydrophilic surface was used as a carrier, and was gently moved up and down in the direction across the water surface at a vertical speed of 1.0 am/+nin to form a diacetylene monomolecular film. was transferred to a glass substrate, and a cumulative film was formed on the 31 layers.

これに、高圧水銀灯による紫外光を約10’mJ/cm
”の照射量で照射してパターン状に重合体を形成した。
To this, apply ultraviolet light from a high-pressure mercury lamp at approximately 10'mJ/cm.
A polymer was formed in a pattern by irradiation with a dose of 1.

次に、溶剤に、クロロホルムを用いて重合体を形成しな
い部分を除去した。
Next, the portion that did not form a polymer was removed using chloroform as a solvent.

このようにして、パターン状の青色膜を形成した。In this way, a patterned blue film was formed.

これを塩化パラジウム濃度I X 10−”、a+ol
/I2の水溶液に10分間浸漬した後よく水洗し、パタ
ーン状の無電解メッキ用触媒材料を得た。
This is determined by the palladium chloride concentration I x 10-”, a+ol
/I2 for 10 minutes and then thoroughly washed with water to obtain a patterned catalyst material for electroless plating.

次に、ボラン3g/βおよびクエン酸10g/Qを含み
、アンモニアでpH8,1に調整されたアルカリ性のニ
ッケルメッキ浴に浸漬した。  10分後、効果的に付
着した光沢のあるパターン状のニッケル層が析出した。
Next, it was immersed in an alkaline nickel plating bath containing 3 g/β of borane and 10 g/Q of citric acid and adjusted to pH 8.1 with ammonia. After 10 minutes, an effectively adhered shiny patterned nickel layer was deposited.

 表面抵抗は0.1Ω/cm”であり、前記パターンサ
イズにて欠陥等がない良好なニッケルメタライズドパタ
ーンであった。
The surface resistance was 0.1 Ω/cm'', and it was a good nickel metallized pattern with no defects at the above pattern size.

実施例 3 アゾビスイソブチロニトリル10mg、例示化合物(2
0)Igをクロロホルム10mjに溶解し、これをガラ
ス基板上にスピンコード法で塗布し、薄膜を形成した。
Example 3 10 mg of azobisisobutyronitrile, exemplified compound (2
0) Ig was dissolved in 10 mj of chloroform and applied onto a glass substrate by a spin code method to form a thin film.

その後、高圧水銀灯による紫外光を約104mJ/cm
″照射してパターン状に重合体を形成した。
After that, ultraviolet light from a high-pressure mercury lamp was applied at approximately 104 mJ/cm.
``A polymer was formed in a pattern by irradiation.

次に溶剤にクロロホルムを用いて重合体な形成してない
部分を除去した。
Next, the unformed portion of the polymer was removed using chloroform as a solvent.

その後、硝酸銀濃度I X 10−’mol/βの水溶
液に10分間浸漬した後、よ(水洗して、パターン状の
無電解メッキ用触媒材料を得た。
Thereafter, it was immersed in an aqueous solution with a silver nitrate concentration of I x 10-' mol/β for 10 minutes, and then washed with water to obtain a patterned catalyst material for electroless plating.

次いで実施例1のアルカリ性無電解銅浴に20分間浸漬
したところ、ガラス板上に銅光沢を有するパターン状の
金属層が形成された。 その表面抵抗は1mΩ/cm2
であり、前記パターンサイズにて欠陥等がない良好な銅
メタライズドパターンであった。
When the glass plate was then immersed in the alkaline electroless copper bath of Example 1 for 20 minutes, a patterned metal layer with copper luster was formed on the glass plate. Its surface resistance is 1mΩ/cm2
It was a good copper metallized pattern with no defects or the like at the above pattern size.

実施例 4 ガラス基板上に実施例1の薄膜をスピンコード法により
形成し、これに、YAGレーザにカリウムジヒドロキシ
フォスフェート(KDP)を介して249 no+の紫
外光としてパターン状に走査した。
Example 4 The thin film of Example 1 was formed on a glass substrate by a spin code method, and was scanned in a pattern with 249 no+ ultraviolet light using a YAG laser via potassium dihydroxyphosphate (KDP).

水洗し、500 ppmのPdCρ2の希塩酸溶液に浸
漬した。 その後実施例2と同様の無電解メッキ浴で処
理したところ、細線パターン状のニッケルが得られた。
It was washed with water and immersed in a dilute hydrochloric acid solution of 500 ppm PdCρ2. Thereafter, when it was treated with the same electroless plating bath as in Example 2, nickel in the form of a fine line pattern was obtained.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)炭素−炭素の三重結合を有する化合物に由来する
重合体と周期律表8族もしくは1B族元素とを含有する
無電解メッキ用触媒材料を放射線によりパターン状に形
成し、その後このパターン状の無電解メッキ用触媒材料
に無電解メッキを施して金属化し金属材料パターンを形
成することを特徴とする金属材料パターンの形成方法。
(1) A catalyst material for electroless plating containing a polymer derived from a compound having a carbon-carbon triple bond and an element of group 8 or group 1B of the periodic table is formed into a pattern by radiation, and then the pattern is A method for forming a metal material pattern, comprising applying electroless plating to a catalyst material for electroless plating to metallize it to form a metal material pattern.
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