JPH02205367A - Light emitting element driving circuit - Google Patents

Light emitting element driving circuit

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Publication number
JPH02205367A
JPH02205367A JP1025234A JP2523489A JPH02205367A JP H02205367 A JPH02205367 A JP H02205367A JP 1025234 A JP1025234 A JP 1025234A JP 2523489 A JP2523489 A JP 2523489A JP H02205367 A JPH02205367 A JP H02205367A
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JP
Japan
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voltage
led
emitting element
light emitting
circuit
Prior art date
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Application number
JP1025234A
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Japanese (ja)
Inventor
Kunio Tanabe
田部 久仁男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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Publication of JPH02205367A publication Critical patent/JPH02205367A/en
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Abstract

PURPOSE:To shorten the rising and breaking time of a current by providing a switching circuit for completely varying a current flowing to a light emitting element in response to a binary signal, and a prebiasing circuit for applying a voltage of the degree not exceeding a light emitting threshold voltage to the light emitting element. CONSTITUTION:A switching circuit 6 conducts and cuts off the current flowing to a LED 5 in response to an input binary signal. Therefore the current flowing to the LED 5 is intermittently interrupted, and the LED 5 repeats emitting of a light and distinction of the light in response to the input binary signal. Since a voltage of the degree not exceeding a light emitting threshold voltage is applied to the LED 5 by a prebiasing circuit 7, the voltage applied to the LED 5 is rapidly arrived at a predetermined voltage. Thus, the rising and breaking time of the current flowing to the LED 5 are shortened.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光デジタル通信の送信回路などに組み込まれる
発光素子駆動回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a light emitting element drive circuit incorporated in a transmitting circuit for optical digital communication.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

LED (発光ダイオード)のような大容量の素子を駆
動するときには、そのスイッチング、特に立ち下がり時
のスイッチングが遅くなる。第4図はその様子を示す波
形図であり、同図(A)に示す2値の入力信号に対して
、同図(B)に示すように、LEDm流のスイッチング
、特に、立ち下がり時のスイッチングが遅れる。この問
題に対して、従来から種々の対策が採られている。
When driving a large-capacity element such as an LED (light emitting diode), its switching, especially the switching at the falling edge, becomes slow. FIG. 4 is a waveform diagram showing this situation. As shown in FIG. 4 (B) for the binary input signal shown in FIG. Switching is delayed. Various countermeasures have been taken in the past to deal with this problem.

第1の方法としては、第5図(A)、(B)に示すよう
に、LEDIと直列または並列に抵抗、コンデンサある
いはコイルなどの受動素子からなる回路2,3を直列あ
るいは並列に接続し、LEDlの容量を等価的に消滅さ
せる方法がある。第2の方法としては、第6図に示すよ
うに、入力信号の立ち上がり時および立ち下がり時に、
LEDに流す電流にピーキングをかける方法がある。第
3の方法としては、第7図に示すように、LEDの電流
に常にプリバイアス電流IPを重畳させておく方法があ
る。
The first method is to connect circuits 2 and 3 consisting of passive elements such as resistors, capacitors, or coils in series or in parallel with the LEDI, as shown in Figures 5 (A) and (B). , there is a method to equivalently eliminate the capacitance of LED1. As a second method, as shown in Fig. 6, at the rise and fall of the input signal,
There is a method of applying peaking to the current flowing through the LED. As a third method, as shown in FIG. 7, there is a method in which a pre-bias current IP is always superimposed on the LED current.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかしながら、第1の方法は、受動部品のみで対応する
ものであるため、LEDの容量やダイカミツク抵抗が変
われば、そのたびに回路定数を変える必要があって煩わ
しい。また、受動部品はそのIC化が比較的困難であり
、小形化の妨げとなる。第2の方法は、LEDに過負荷
をかけることになる。また、回路規模が大きくなり、電
源電圧も高くなる。第3の方法は、入力信号がローレベ
ルの時にもLEDに駆動電流が流れるために、LEDは
僅かであるが発光する。そのため、受信側で信号が来て
いる否かをモニタしなくてはならない。
However, since the first method uses only passive components, it is cumbersome because it is necessary to change the circuit constants each time the capacitance of the LED or the dielectric resistance changes. Furthermore, it is relatively difficult to integrate passive components into ICs, which hinders miniaturization. The second method would overload the LED. Furthermore, the circuit scale becomes larger and the power supply voltage also becomes higher. In the third method, a drive current flows through the LED even when the input signal is at a low level, so the LED emits light, albeit slightly. Therefore, it is necessary to monitor whether a signal is coming on the receiving side.

本発明の課題は、このような問題点を解消することにあ
る。
An object of the present invention is to solve these problems.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

このため本発明は、2値信号に応じて発光素子に通電さ
れる電流を100%変化させるスイッチング回路と、発
光しきい値電圧を越えない程度の電圧を発光素子に印加
するプリバイアス回路とを備えたものである。
For this reason, the present invention includes a switching circuit that changes the current flowing through the light emitting element by 100% according to a binary signal, and a prebias circuit that applies a voltage to the light emitting element to an extent that does not exceed the emission threshold voltage. It is prepared.

〔作用〕[Effect]

プリバイアス回路によって発光素子に予め所定の電圧を
印加しておくことにより、発光素子に印加される電圧は
速やかに所定電圧に達し、発光素子に通電される電流の
立ち上がり時間および立ち下がり時間は短縮化される。
By applying a predetermined voltage to the light-emitting element in advance using a pre-bias circuit, the voltage applied to the light-emitting element quickly reaches the predetermined voltage, and the rise and fall times of the current flowing through the light-emitting element are shortened. be converted into

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の一実施例の概略構成を表すブロック図
である。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of an embodiment of the present invention.

スイッチング回路6は入力された2値信号に応じてLE
D5に通電される電流を100%変化させる。このため
、LED5に通電される電流は断続され、LED5は発
光および消光を入力された2値信号に応じて繰り返す。
The switching circuit 6 switches the LE according to the input binary signal.
The current applied to D5 is changed by 100%. Therefore, the current supplied to the LED 5 is interrupted, and the LED 5 repeats light emission and extinction depending on the input binary signal.

また、このLED5には発光しきい値電圧を越えない程
度の電圧がプリバイアス回路7によって印加されている
。このため、LED5に印加される電圧は速やかに所定
電圧に達し、LED5に通電される電流の立ち上がり時
間および立ち下がり時間は短縮化される。
Further, a pre-bias circuit 7 applies a voltage to the LED 5 that does not exceed the light emission threshold voltage. Therefore, the voltage applied to the LED 5 quickly reaches the predetermined voltage, and the rise time and fall time of the current applied to the LED 5 are shortened.

次に、この上記実施例について、第2図に示されるさら
に詳細な回路図を参照して以下に詳述する。
Next, this embodiment will be described in detail below with reference to a more detailed circuit diagram shown in FIG.

上述したスイッチング回路6およびプリバイアス回路7
の各内部の詳細は以下のように構成されている。
The switching circuit 6 and pre-bias circuit 7 described above
The internal details of each are configured as follows.

つまり、スイッチング回路6は、2個のNPNトランジ
スタ14.15とこれらトランジスタの各エミッタに共
通接続された定電流源16とから構成されており、トラ
ンジスター4のコレクタはLED5のカソードに接続さ
れ、トランジスタ15のコレクタは接地されている。ま
た、トランジスタ14のベースには2値信号であるデジ
タル信号v、nが入力され、トランジスター5のベース
にはデジタル信号■、。の平均レベル電圧を有する信号
V が入力され、各トランジスタ14.15は差動型の
構成になっている。
In other words, the switching circuit 6 is composed of two NPN transistors 14 and 15 and a constant current source 16 commonly connected to the emitters of these transistors, the collector of the transistor 4 is connected to the cathode of the LED 5, and the transistor 15 collectors are grounded. Further, digital signals v and n, which are binary signals, are input to the base of the transistor 14, and digital signals 2 and 2 are input to the base of the transistor 5. A signal V 1 having an average level voltage of is input, and each transistor 14, 15 has a differential configuration.

プリバイアス回路7は、ダイオード17.18と定電流
[19との直列回路と、抵抗20とPNPトランジスタ
21との直列回路とから構成されており、ダイオード1
7のアノードおよび抵抗20の一端は接地され、トラン
ジスタ21のベースはダイオード18のカソードに接続
されている。
The pre-bias circuit 7 is composed of a series circuit of diodes 17 and 18 and a constant current [19], and a series circuit of a resistor 20 and a PNP transistor 21.
The anode of the transistor 7 and one end of the resistor 20 are grounded, and the base of the transistor 21 is connected to the cathode of the diode 18.

トランジスタ21のエミッタはLED5のカソードに接
続され、LED5のカソードにはプリバイアス電圧が与
えられるものとなっている。すなわち、LED5のカソ
ードには、ダイオード17゜18によって発生する約1
.4vの一定電圧とトランジスタ21のベース−エミッ
タ間に発生する約Q、7Vとの差電圧である約0,7v
のプリバイアス電圧が印加される。なお、このプリバイ
アス電圧の値は、定電流源19によって発生される定電
流の値を可変することにより、また、ダイオード17.
18にツェナーダイオード等を使用することなどにより
、適宜適切な値に設定することが可能である。
The emitter of the transistor 21 is connected to the cathode of the LED 5, and a pre-bias voltage is applied to the cathode of the LED 5. That is, the cathode of LED 5 has about 1
.. The difference voltage between the constant voltage of 4V and the approximately Q,7V generated between the base and emitter of the transistor 21 is approximately 0.7V.
A pre-bias voltage of is applied. Note that the value of this pre-bias voltage can be changed by varying the value of the constant current generated by the constant current source 19, or by changing the value of the constant current generated by the constant current source 19.
By using a Zener diode or the like for 18, it is possible to set the value to an appropriate value.

このような構成において、第3図(A)〜(C)の波形
図を参照して本実施例の動作について以下に説明する。
In such a configuration, the operation of this embodiment will be described below with reference to the waveform diagrams of FIGS. 3(A) to 3(C).

同図(A)の横軸は時間、縦軸は信号電圧を表し、同図
に示された信号波形はトランジスタ14のベースに印加
されるデジタル信号V1oの波形である。つまり、信号
v1nは時間0〜TIまではロウレベル(L)1時間T
l−T2まではハイレベル(H)2時間T2以後はロウ
レベルになっている。このデジタル信号vInがトラン
ジスタ14のベースに印加されると、トランジスタ14
は、時間0〜T1まではオフ状態1時間Tl−T2まで
はオン状態1時間T2以後はオフ状態になる。このため
、時間T1〜T2の間にはLED5に電流が通電されて
LED5は発光する。なお、デジタル信号v1nの振幅
を適当に設定することにより、各時間帯ごとに切り換え
られる電流は100%変化されるようになる。
The horizontal axis of FIG. 2A represents time, and the vertical axis represents signal voltage, and the signal waveform shown in the diagram is the waveform of the digital signal V1o applied to the base of the transistor 14. In other words, the signal v1n is at a low level (L) from time 0 to TI for 1 time T.
It is at a high level (H) until l-T2, and is at a low level after 2 hours T2. When this digital signal vIn is applied to the base of the transistor 14, the transistor 14
is in an off state for one hour from time 0 to T1, and on for one hour Tl-T2, and is in an off state for one hour after T2. Therefore, a current is applied to the LED 5 during the time period T1 to T2, and the LED 5 emits light. Note that by appropriately setting the amplitude of the digital signal v1n, the current switched for each time period can be changed by 100%.

また、LED5のカソードには上述したように約0.7
Vのプリバイアス電圧が常時印加されているため、時間
Tl−72の間にトランジスタ14がオンすると、LE
D5の端子間に印加される電圧は速やかに所定の電圧値
に達する。このため、この電圧波形は同図(B)(横軸
は同図(A)と同じ尺度による時間、縦軸は印加電圧を
表す)の実線で示される波形になり、印加電圧波形の立
ち上がり時間および立ち下がり時間は図示のように短い
In addition, as mentioned above, the cathode of LED5 has approximately 0.7
Since the pre-bias voltage of V is constantly applied, when the transistor 14 is turned on during the time Tl-72, the LE
The voltage applied between the terminals of D5 quickly reaches a predetermined voltage value. Therefore, this voltage waveform becomes the waveform shown by the solid line in Figure (B) (the horizontal axis represents time according to the same scale as Figure (A), and the vertical axis represents the applied voltage), and the rise time of the applied voltage waveform and the fall time is short as shown.

この短縮化の程度は、同図(B)にvbで示されるプリ
バイアス電圧を印加しない、点線で示される従来の印加
電圧波形と比較することにより明白になる。つまり、実
線で示された本実施例による電圧波形と、点線で示され
た従来の電圧波形の各立ち上がり波形および立ち下がり
波形は通常相似形になり、プリバイアス電圧V、を印加
することにより、基準電圧ラインが図示のように上側に
移動し、本実施例による電圧波形の立ち上がりおよび立
ち下がり波形は急峻になる。
The extent of this shortening becomes clear by comparing it with the conventional applied voltage waveform shown by a dotted line in which no pre-bias voltage is applied, shown by vb in FIG. In other words, the rising and falling waveforms of the voltage waveform of this embodiment shown by the solid line and the conventional voltage waveform shown by the dotted line are usually similar, and by applying the pre-bias voltage V, The reference voltage line moves upward as shown, and the rising and falling waveforms of the voltage waveform according to this embodiment become steeper.

また、プリバイアス電圧Vbは同図(B)にVthで示
されるLED5の発光しきい値電圧を越えない程度に設
定されている。つまり、LED5の発光しきい値電圧V
thは通常1.2〜1.4V程度であるため、この約0
.7vのプリバイアス電圧VbがLED5のカソードに
与えられてもしED5はその消光時に発光することはな
い。また、LED5に通電される電流は、印加電圧と発
光しきい値電圧vthとの差電圧にほぼ比例する。
Further, the pre-bias voltage Vb is set to such an extent that it does not exceed the light emission threshold voltage of the LED 5, which is indicated by Vth in FIG. 5(B). In other words, the light emission threshold voltage V of LED5
Since th is usually about 1.2 to 1.4V, this approximately 0
.. Even if a pre-bias voltage Vb of 7v is applied to the cathode of LED5, ED5 will not emit light when it is extinguished. Further, the current applied to the LED 5 is approximately proportional to the voltage difference between the applied voltage and the light emission threshold voltage vth.

このような波形をした印加電圧がLED5のカソードに
印加されることにより、LED5から発せられる光パル
スの信号波形は同図(C)(横軸は同図(A)および(
B)と同じ尺度による時間。
When an applied voltage with such a waveform is applied to the cathode of the LED 5, the signal waveform of the light pulse emitted from the LED 5 is shown in FIG.
Time according to the same scale as B).

縦軸はLED5の発光パワーを表す)に示されるように
なる。つまり、同図(C)の点線で示された従来の発光
素子による光パルスの信号波形に比較し、タイミングT
1における信号の立ち上がり波形およびタイミングT2
における信号の立ち下がり波形は急峻になる。このため
、各タイミングTI、T2において信号の状態変化に必
要とされる時間は短縮化される。なお、発光パワーはL
ED5に通電される電流に比例するものである。
The vertical axis represents the light emission power of the LED 5. In other words, compared to the signal waveform of the optical pulse from the conventional light emitting element shown by the dotted line in FIG.
Signal rise waveform and timing T2 at 1
The falling waveform of the signal becomes steep. Therefore, the time required for the signal state to change at each timing TI, T2 is shortened. In addition, the luminous power is L
It is proportional to the current applied to the ED5.

このような本実施例によれば、光通信の伝送速度をより
速めることが可能になる。また、本回路はトランジスタ
14.15および21やダイオード17.18等の能動
素子を用いて回路特性を決定しているため、LED5の
有する容量やダイナミック抵抗の値にかかわらず回路特
性は決定される。従って、LEDを変更するごとに各回
路定数を変更する従来の煩わしさは解消される。
According to this embodiment, it is possible to further increase the transmission speed of optical communication. Furthermore, since this circuit uses active elements such as transistors 14.15 and 21 and diodes 17.18 to determine the circuit characteristics, the circuit characteristics are determined regardless of the capacitance and dynamic resistance value of the LED 5. . Therefore, the conventional trouble of changing each circuit constant each time the LED is changed is eliminated.

また、受動部品である抵抗20は小さな値であり、本回
路は容品にIC化をすることが可能であり、さらにモノ
リシックIC化をすることも可能である。このため、光
デジタル送信器を小型化しかつ低消費電力化することが
可能になり、光デジタル通信システムの低コスト化を図
ることが可能になる。また、プリバイアス回路7からL
ED5のカソードに印加される電圧は、LED5の消光
時にはその発光しきい値電圧vthよりも必ず低くなる
ように設定されているため、LED5は無信号時には完
全に消光する。
Further, the resistor 20, which is a passive component, has a small value, and this circuit can be implemented as an IC in a package, and furthermore, can be implemented as a monolithic IC. Therefore, it becomes possible to downsize the optical digital transmitter and reduce power consumption, and it becomes possible to reduce the cost of the optical digital communication system. Also, L from the pre-bias circuit 7
Since the voltage applied to the cathode of the ED5 is set to be always lower than the light emission threshold voltage vth when the LED 5 is extinguished, the LED 5 is completely extinguished when there is no signal.

なお、上記実施例の説明においては、発光素子としてL
EDを用いた場合について説明したがこれに限定される
ことはなく、レーザーダイオード(LD)等を用いても
良く、この場合においても上記実施例と同様な効果を奏
する。
In addition, in the description of the above embodiment, L is used as a light emitting element.
Although the case where an ED is used has been described, the present invention is not limited to this, and a laser diode (LD) or the like may be used, and even in this case, the same effects as in the above embodiment can be achieved.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明は、2値信号に応じて発光素
子に通電される電流を100%変化させるスイッチング
回路と、発光しきい値電圧を越えない程度の電圧を発光
素子に印加するプリバイアス回路とを備えたことにより
、発光素子に印加される電圧は速やかに所定電圧に達し
、発光素子に通電される電流の立ち上がり時間および立
ち下がり時間は短縮化される。
As explained above, the present invention includes a switching circuit that changes the current applied to the light emitting element by 100% according to a binary signal, and a pre-bias that applies a voltage to the light emitting element that does not exceed the light emission threshold voltage. By including the circuit, the voltage applied to the light emitting element quickly reaches a predetermined voltage, and the rise time and fall time of the current flowing through the light emitting element are shortened.

このため、本発明によれば従来よりも速い伝送速度で光
通信を行えるようになるという効果を有する。また、回
路特性の特性要因の決定は能動素子に依存しているため
、使用する発光素子の種類に応じて受動部品の回路定数
を変更する煩わしさは解消されるという効果を有する。
Therefore, the present invention has the effect that optical communication can be performed at a higher transmission speed than before. Furthermore, since the determination of the characteristic factors of the circuit characteristics depends on the active elements, there is an effect that the trouble of changing the circuit constants of the passive components depending on the type of light emitting element used is eliminated.

さらに、IC化が容易になって装置を小形化にしかつ安
価にすることが可能になるという効果を有する。
Further, it has the effect that it is easy to integrate it into an IC, making it possible to make the device smaller and cheaper.

また、従来のように発光素子に通電する電流にピーキン
グをかける必要はないため、発光素子に過負荷がかかる
ことがなくなるという効果を有する。また、ピーキング
のために電源電圧を高くする必要もなくなり、省電力化
が図れかつ回路規模が抑制されて装置が安価に提供され
るという効果を有する。
Further, since there is no need to apply peaking to the current flowing through the light emitting element as in the conventional case, there is an effect that overload is not applied to the light emitting element. In addition, there is no need to increase the power supply voltage for peaking, and there is an effect that power consumption can be achieved and the circuit scale can be suppressed, so that the device can be provided at a low cost.

また、従来のように無信号状態時に発光素子に電流が流
れることはなく、受信側で信号の到来の有無をモニタす
る必要はなくなるという効果を有する。
Further, unlike in the prior art, current does not flow through the light emitting element when there is no signal, and there is no need to monitor the presence or absence of a signal on the receiving side.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例の概略構成を表すブロック図
、第2図は第1図に示された実施例の詳細な構成を表す
回路図、第3図(A)は第2図に示されたトランジスタ
14のベースに入力されるデジタル信号Vinの波形図
、第3図(B)は第2図に示されたLED5に印加され
る電圧の波形図、第3図(C)はこのLED5の発光パ
ルスの波形図、第4図(All1.(B)は従来の回路
における信号波形図、第5図(A)、CB)は従来の一
例を示す回路図、第6図(A)、(B)は従来の他の回
路における信号波形図、第7図は従来の別の他の回路に
おける信号波形図である。 5・・・LED、6・・・スイッチング回路、7・・・
プリバイアス回路。 第1図 第2図 回持、!!一部っ信号域形 N3図 従来渓形 第4図 従来 妓暫(1) !5図 従5に技哲(2) 第6図 従来技#r(3) 第7図
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing a detailed configuration of the embodiment shown in FIG. 1, and FIG. 3(B) is a waveform diagram of the voltage applied to the LED 5 shown in FIG. 2, and FIG. 3(C) is a waveform diagram of the digital signal Vin input to the base of the transistor 14 shown in FIG. A waveform diagram of the light emission pulse of this LED5, Figure 4 (All1. (B) is a signal waveform diagram in a conventional circuit, Figures 5 (A) and CB) are a circuit diagram showing an example of the conventional circuit, and Figure 6 (A ) and (B) are signal waveform diagrams in another conventional circuit, and FIG. 7 is a signal waveform diagram in another conventional circuit. 5...LED, 6...Switching circuit, 7...
Pre-bias circuit. Figure 1 Figure 2 Recycle! ! One signal area type N3 diagram Conventional valley diagram 4 Conventional Geisha (1)! Figure 5 Sub-5 Technique philosophy (2) Figure 6 Conventional technique #r (3) Figure 7

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 2値信号に応じて発光素子に通電される電流を100%
変化させるスイッチング回路と、この発光素子の発光し
きい値電圧を越えない程度の電圧をこの発光素子に印加
するプリバイアス回路とを備えたことを特徴とする発光
素子駆動回路。
100% of the current applied to the light emitting element according to the binary signal
1. A light-emitting element drive circuit comprising: a switching circuit for changing the light-emitting element; and a pre-bias circuit for applying a voltage to the light-emitting element to an extent that the voltage does not exceed the light-emission threshold voltage of the light-emitting element.
JP1025234A 1989-02-03 1989-02-03 Light emitting element driving circuit Pending JPH02205367A (en)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0529655A (en) * 1991-04-23 1993-02-05 Sharp Corp Driver circuit for optical semiconductor device
JP2000299498A (en) * 1999-04-14 2000-10-24 Hitachi Ltd Light transmitter and light communication system
JP2006128393A (en) * 2004-10-28 2006-05-18 Sharp Corp Light emitting diode driving device and optical transmission device equipped therewith
JP2008027874A (en) * 2006-07-25 2008-02-07 Ccs Inc Light-emitting system and light controlling device
JP2008535279A (en) * 2005-04-08 2008-08-28 ワルト ホッフ ツゥー ホールディング ベスローテン フェンノートシャップ Method and apparatus for operating high power LED group
CN102729644A (en) * 2011-03-30 2012-10-17 日本冲信息株式会社 Driver apparatus, print head and image forming apparatus

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0529655A (en) * 1991-04-23 1993-02-05 Sharp Corp Driver circuit for optical semiconductor device
JP2000299498A (en) * 1999-04-14 2000-10-24 Hitachi Ltd Light transmitter and light communication system
JP2006128393A (en) * 2004-10-28 2006-05-18 Sharp Corp Light emitting diode driving device and optical transmission device equipped therewith
JP4566692B2 (en) * 2004-10-28 2010-10-20 シャープ株式会社 LIGHT EMITTING DIODE DRIVING DEVICE AND OPTICAL TRANSMISSION DEVICE HAVING THE SAME
US8853972B2 (en) 2005-04-08 2014-10-07 Eldolab Holding B.V. Methods and apparatuses for operating groups of high-power LEDs
JP2008535279A (en) * 2005-04-08 2008-08-28 ワルト ホッフ ツゥー ホールディング ベスローテン フェンノートシャップ Method and apparatus for operating high power LED group
US9936546B2 (en) 2005-04-08 2018-04-03 Eldolab Holding B.V. Methods and apparatuses for operating groups of high-power LEDs
US9560707B2 (en) 2005-04-08 2017-01-31 Eldolab Holding B.V. Methods and apparatuses for operating groups of high-power LEDs
JP2008027874A (en) * 2006-07-25 2008-02-07 Ccs Inc Light-emitting system and light controlling device
JP4633681B2 (en) * 2006-07-25 2011-02-16 シーシーエス株式会社 Light irradiation system and light control device
JP2012206485A (en) * 2011-03-30 2012-10-25 Oki Data Corp Drive circuit, drive device, print head, and image forming device
CN102729644B (en) * 2011-03-30 2016-02-17 日本冲信息株式会社 Actuator device, printhead and image forming apparatus
CN102729644A (en) * 2011-03-30 2012-10-17 日本冲信息株式会社 Driver apparatus, print head and image forming apparatus

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