JPH02202556A - Phthalocyanine-based compound, optical information recording medium using the same compound and production thereof - Google Patents
Phthalocyanine-based compound, optical information recording medium using the same compound and production thereofInfo
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Landscapes
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新規なフタロシアニン系化合物、該化合物を
用いた光学的情報記録媒体およびその製法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a novel phthalocyanine compound, an optical information recording medium using the compound, and a method for producing the same.
光学的情報記録媒体は、媒体と記録ないし再生ヘラ１く
が非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないと云う
特徴がある。そして、概記録媒体についての研究に１１
発が各所で行なわれている。特に、ヒートモード記録方
式の分野では、低融点金属。Optical information recording media are characterized in that the recording medium does not deteriorate due to wear since the medium and the recording or reproducing blade are not in contact with each other. 11 for research on general recording media.
Issues are being held in various places. Especially in the field of heat mode recording methods, low melting point metals.
有機高分子化合物、あるいは１色素等を用い、融解、蒸
発あるいは昇華させることにより記録する記録媒体が提
案されている。中でも色素を含む有機薄膜から成る記９
ＪＭは、融解ないし昇アｉ＋Ｊ温度が低いので、記録感
度の点で好ましく、シアニジ色素、スクワリリウム色素
などの色素が記録層材料として提案されている。特開昭
５６−１６９４８号公報には、こうした色素を記録層と
して適用した光学的情報記録媒体（以下記録媒体と云う
）が提案されている。Recording media have been proposed in which recording is performed by melting, evaporating, or sublimating an organic polymer compound or a single dye. Particularly, a record 9 consisting of an organic thin film containing a pigment.
JM is preferable in terms of recording sensitivity because it has a low melting or rising i+J temperature, and dyes such as cyanide dyes and squarylium dyes have been proposed as recording layer materials. JP-A-56-16948 proposes an optical information recording medium (hereinafter referred to as a recording medium) in which such a dye is applied as a recording layer.
このような従来例の中で１色素臼体の反射率が適度に高
いシアニン系色素を用いた反射型の記録媒体は、金属反
射膜を必要としないので、媒体構成の複雑化と記録再生
特性の低下を防止した記録媒体として提案（特開昭６０
−７８７８号公報）されている。しかし、シアニン系色
素をはじめ公知の色素は、一般に耐光性が劣るため、書
込み後の読出しの際、読出し光の繰り返し照射によって
色素が退色し、読出しのＳ／Ｎ比が低下するという、い
わゆる、再生劣化が問題になっている。Among these conventional examples, reflective recording media that use cyanine dyes with moderately high reflectance of the single dye disk do not require a metal reflective film, so they tend to have complicated media configurations and recording/reproducing characteristics. Proposed as a recording medium that prevents a decrease in
-7878). However, known dyes such as cyanine dyes generally have poor light resistance, so when reading after writing, the dye fades due to repeated irradiation with read light, resulting in a decrease in the read S/N ratio. Reproduction deterioration has become a problem.
そこで、耐光性に優れた色素としてナフタロシアニン化
合物を記り層に用いることが提案（特開昭６１−２５８
８６号公報、特開昭６１−１８６３８４号公報。Therefore, it was proposed to use a naphthalocyanine compound as a pigment with excellent light resistance in the recording layer (Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-258
No. 86, JP-A-61-186384.
特開昭６１−２１５６６３号公報）されている。JP-A-61-215663).
しかし、従来のナフタロシアニン系化合物は、有機溶剤
への溶解性が不十分であるという問題があった。記録媒
体の記録層の形成法は、真空蒸着。However, conventional naphthalocyanine compounds have a problem of insufficient solubility in organic solvents. The recording layer of the recording medium is formed by vacuum deposition.
スパッタ等の真空技術を用いる方法、あるいは浸漬、塗
布等の湿式法が知られているが、一般に、前行の方法よ
りも、後者の方法が経済的に有利である。そのため１色
素等の有機溶剤への溶解性が経済性の重要な要件となる
。Methods using vacuum techniques such as sputtering and wet methods such as dipping and coating are known, but the latter method is generally more economically advantageous than the former method. Therefore, the solubility of dyes in organic solvents is an important economical requirement.
従来のナフタロシアニン系化合物は、こうした有機溶剤
への溶解性が低いために、記録層形成にはどうしても真
空蒸着法あるいはスパッタ法などに頼らざるを得なかっ
た。しかし、これらの方法では操作が難しいと云うばか
りでなく、記録層を均一な膜に形成することが困難で、
その結果、記録（書込み）、再生（読取り）時の精度が
低下すると云う問題があった。Conventional naphthalocyanine compounds have low solubility in such organic solvents, so they have had to rely on vacuum evaporation or sputtering to form a recording layer. However, these methods are not only difficult to operate, but also difficult to form a uniform recording layer.
As a result, there has been a problem in that the accuracy during recording (writing) and reproduction (reading) is reduced.
本発明の第１の目的は、一般の有機溶剤に溶解し易い新
規なフタロシアニン系化合物を提供することにある。A first object of the present invention is to provide a novel phthalocyanine compound that is easily soluble in common organic solvents.
本発明の第２の目的は、該フタロシアニン系化合物を用
いた記録、再生時の精度の高い記録媒体およびその製法
を提供す−ることにある。A second object of the present invention is to provide a recording medium with high accuracy during recording and reproduction using the phthalocyanine compound, and a method for producing the same.
上記目的は下記によって達成することができる。 The above objective can be achieved by:
（Ｉ）−数式（Ｉ）
または−数式（ＩＩ）
〔式（Ｉ）、（ＩＩ）において、Ｒｔ〜Ｒ４は水素、直
鎖または分岐アルキル基であり同じでも異なってもよい
。ｎは同一または異なる１〜４の整数であり、Ｙｌ及び
Ｙ２は−Ｒ，−Ａｒ、−０Ａｒ、−〇Ｒ，−ＯＳ ｉ
（Ｒ）ａ、−○Ｓ ｉ （Ａ ｒ）ｓ。(I) - Formula (I) or - Formula (II) [In formulas (I) and (II), Rt to R4 are hydrogen, a linear or branched alkyl group, and may be the same or different. n is the same or different integer of 1 to 4, Yl and Y2 are -R, -Ar, -0Ar, -〇R, -OS i
(R)a, -○S i (A r)s.
−０Ｓｉ（ＯＲ）ａ、−０５ｉ（ＯＡｒ）ａおよび−○
Ｃ（ＣｅＩＩ５）ｓより選択された基（但し、ＲはＣｒ
−Ｃｘδの直鎖または分岐アルキル基。-0Si(OR)a, -05i(OAr)a and -○
A group selected from C(CeII5)s (wherein R is Cr
-Cxδ straight chain or branched alkyl group.
Ａｒはフェニル基、置換フェニル」Ｉ（、ベンジル基お
よび置換ベンジル基より選択された基である）であり同
じでも異なってもよい。ｍｙＰは０または１の整数であ
り、Ｍは金属、金属の酸化物、金属のハロゲン化物また
は金属の水酸化物を示す。〕で表されるフタロシアニン
系化合物。Ar is a phenyl group, a substituted phenyl group (a group selected from a benzyl group and a substituted benzyl group), and may be the same or different. myP is an integer of 0 or 1, and M represents a metal, a metal oxide, a metal halide, or a metal hydroxide. ] A phthalocyanine compound represented by
（２）前記−数式（Ｉ）および（ＩＩ）におけるＭがＩ
ｂ族、ＩＩａ族、ＩＩｂ族、Ｉ［Ｉａ族、ｒＶａ族。(2) Above - M in formulas (I) and (II) is I
Group b, Group IIa, Group IIb, Group I[Ia, Group rVa.
ｖｂ族、ＶＩｂ族、■ｂ族、■族の金属、金１つ（の酸
化物、金属のハロゲン化物または金属の水酸化物である
ことを特徴とする前項（Ｉ）記載のフタロシアニン系化
合物。The phthalocyanine compound according to the above item (I), which is an oxide, a metal halide, or a metal hydroxide of a metal of group Vb, group VIb, group ①b, or group ①, gold.
（３）前記−数式（Ｉ）および（Ｈ）におけるＭがＣｕ
ｇ Ｚ ｎ ＨＭ ｇ ｇ Ａ （Ｉ＋ Ｇ ｅ＋
Ｔ ｙ−） Ｓ ｎ ＊Ｐｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｙ″
ｅ ｒ Ｃｏ ＋ Ｎ ｘ ＋Ｉｎ、Ｐｔ、Ｐｄ、ＡＱ
ＣＱ、ＡＱＯＩＩ。(3) M in the above formulas (I) and (H) is Cu
g Z n HM g g A (I+ G e+
T y-) S n *Pb, Cr, Mo, Mn, Y''
e r Co + N x + In, Pt, Pd, AQ
CQ, AQOII.
Ｔｉｅ、ＧｅＣＱ、ｚ、５ｉＣｎｚ、 ＦｅＣＱ。Tie, GeCQ, z, 5iCnz, FeCQ.
Ｓｉ（○ＩＩ）２． Ｇ ｅ （ＯＩＩ）２． Ｓ ｎ
ＣＱ ２゜Ｓｎ（○ＩＩ）２． 工ｎＣＱ 、 Ｖ
ＯまたはＭ ｎ ＣＱであることを特徴とする前項（Ｉ
）記載のフタロシアニン系化合物。Si(○II)2. G e (OII)2. Sn
CQ 2°Sn(○II)2. Engineering nCQ, V
O or M n CQ (I
) The phthalocyanine compounds described in ).
（４）前記−数式（Ｉ）および（ＩＩ）におけるＹｌお
よび／またはＹｌが、トリアルキルシリルオキシ基であ
ることを特徴とする前項（Ｉ）記載のフタロシアニン系
化合物。(4) The phthalocyanine compound as described in (I) above, wherein Yl and/or Yl in formulas (I) and (II) is a trialkylsilyloxy group.
（５）基板上に、前記−数式（Ｉ）または（ＩＩ）で示
されるフタロシアニン系化合物を含む記録層が形成され
ていることを特徴とする記録媒体。(5) A recording medium characterized in that a recording layer containing a phthalocyanine compound represented by formula (I) or (II) is formed on a substrate.
（６）前記−数式（Ｉ）および（ＩＩ）におけるＭが。(6) M in the above formulas (I) and (II).
Ｉｂ族、ｍａ族、ＩＩｂ族、ｍａ族、ＩＶａ族。Group Ib, group ma, group IIb, group ma, group IVa.
ｖｂｊｌＡ、ｖｉｂ族、ｖｕｂ族、■族の金属、金属の
酸化物、金属のハロゲン化物または金属の水酸化物であ
ることを特徴とする前項（５）記載の記録媒体。The recording medium according to the preceding item (5), characterized in that it is a metal of the vbjlA, vib group, vub group, or group Ⅰ, a metal oxide, a metal halide, or a metal hydroxide.
（７）前記−数式（Ｉ）および（ＩＩ）におけるＭが、
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、ＡＮ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｓｎ。(7) M in the above formulas (I) and (II) is
Cu, Zn, Mg, AN, Ge, Ti, Sn.
Ｐｂ、Ｃｒｙ Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ。Pb, Cry Mo, Mn, Fe, Co, Ni.
Ｉ ｎ 、 Ｐ ｔ 、 Ｐ ｄ 、 Ａ Ｄ、 ＣＱ
、 Ａ Ｑ ＯＨ。In, Pt, Pd, AD, CQ
, A Q OH.
Ｔｉｅ、ＧｅＣＱｚｔ ５ｉ（Ｉ２ｚ、ＦｅＣＤｔＳ
ｉ （ＯＨｈｔ Ｇ ｅ （ＯＩＩ）ｚ、 Ｓ ｎ Ｃ
Ｑｚ＊５ｎ（ＯＩＩ）ｚ、ＩｎＣＱ、ＶＯまたはＭ ｎ
ＣＱであることを特徴とする前項（５）記載の記録媒
体。Tie, GeCQzt 5i (I2z, FeCDtS
i (OHht G e (OII)z, S n C
Qz*5n(OII)z, InCQ, VO or M n
The recording medium according to item (5) above, which is CQ.
（８）前記−数式（Ｉ）または（ＩＩ）における Ｙｌ
および／または Ｙｌが、トリアルキルシリルオキシ基
であることを特徴とする前項（５）記載の記録媒体。(8) Yl in the above formula (I) or (II)
and/or The recording medium according to item (5) above, wherein Yl is a trialkylsilyloxy group.
（９）−数式（Ｉ）および（ＩＩ）で表わされるフタロ
シアニン系化合物からなる色素の少なくとも１種を有機
溶剤に溶解し、該溶液を基板表面に塗布することにより
記録層を形成することを特徴とする記録媒体の製造法。(9) - A recording layer is formed by dissolving at least one dye made of a phthalocyanine compound represented by formulas (I) and (II) in an organic solvent and applying the solution to the surface of the substrate. A method of manufacturing a recording medium.
前記各項において１ＭはＡｌ、Ｓｉ、ＧｅまたはＳｎが
好ましい、なお、Ｍが八〇の時は、 ＹｌのみがＭに直
結しているものとする。In each of the above terms, 1M is preferably Al, Si, Ge, or Sn. Note that when M is 80, only Yl is directly connected to M.
−数式（Ｉ）および（ＩＩ）において、Ｒ１−Ｒ４の例
は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基
、ｎ−ブチル基、Ｓ−ブチル基、１−ブチル基、ｎ−ペ
ンチル基、Ｓ−アミル基、１−アミル基、ｎ−ヘプチル
基、ｎ−オクチル基、ｎ−オクタデシル基などがある。- In formulas (I) and (II), examples of R1-R4 include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, S-butyl group, 1-butyl group, n-pentyl group, Examples include S-amyl group, 1-amyl group, n-heptyl group, n-octyl group, and n-octadecyl group.
中心金属Ｍは、Ｉｂ族、ＩＩａ族、ＩＩｂ族、■ａ族、
ｌＶａ族、ＩＶｂ族、ｖｂ族、ｖｘｂ族、■ｂ族。The central metal M is group Ib, group IIa, group IIb, group ■a,
lVa group, IVb group, vb group, vxb group, ■b group.
■族の金属、金属の酸化物、金属のハロゲン化物。■Group metals, metal oxides, metal halides.
または金Ｈの水酸化物で具体的には、Ｃｕ、Ｚｎ。Or gold H hydroxide, specifically Cu, Zn.
Ｍｇ、Ａｌ、Ｏｓ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｒ。Mg, Al, Os, Ti, Sn, Pb, Cr.
Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｐｔ。Mo, Mn, Fe, Co, Ni, In, Pt.
Ｐｄ、ＡｆｆＣＱ、ＡＱＯＥＩ、Ｔｉｅ、ＧｅＣＱｚ。Pd, AffCQ, AQOEI, Tie, GeCQz.
５ｉＣＱｚ、ＦｅＣｕ、Ｓｉ（ＯＨ）ｚ＋ Ｇ ｅ （
ＯＨ）ｚｔＳｎＣＱｚ、５ｎ（ＯＲ）ｚ、ＩｎＣＱ、Ｖ
Ｏ。5iCQz, FeCu, Si(OH)z+ G e (
OH)ztSnCQz, 5n(OR)z, InCQ, V
O.
Ｍ ｎ ＣＱ ｚなどがあげられる。Examples include M n CQ z.
Ｙｌｌ Ｙｌは、メチル基、エチル基、メトキシ基。Yll Yl is a methyl group, ethyl group, or methoxy group.
トリフェニルシリルオキシＪＡ、トリ（ｎ−ヘキシル）
シリルオキシ基、１へリフェニルメチルオキシ基、ｎ−
オクチル基、ｎ−オクタデシル基、ベンジルオキシ基、
ｐ−メチルフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ベン
ジル基、ｐ−メチルベンジル基、ｐ−メチルフェニルオ
キシ基、トリエチルシリルオキシ基、１−リ（ｎ−プロ
ピル）シリルオキシ基、トリ（ｎ−ブチル）シリルオキ
シル基などがあげられ、メ１−キシ基、エトキシ基、オ
クトキシ基などのアルコキシ基やトリ（ｎ−ヘキシル）
シリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基などのトリ
アルキルシリルオキシ基が安定性や溶解性の点で好まし
い。Triphenylsilyloxy JA, tri(n-hexyl)
Silyloxy group, 1-heriphenylmethyloxy group, n-
Octyl group, n-octadecyl group, benzyloxy group,
p-methylphenyl group, p-methoxyphenyl group, benzyl group, p-methylbenzyl group, p-methylphenyloxy group, triethylsilyloxy group, 1-li(n-propyl)silyloxy group, tri(n-butyl) Examples include silyloxyl groups, alkoxy groups such as me-1-oxy, ethoxy, and octoxy groups, and tri(n-hexyl)
Trialkylsilyloxy groups such as silyloxy and triethylsilyloxy groups are preferred in terms of stability and solubility.
一般式（Ｉ）で示されるフタロシアニン系化合物の具体
例としては、以下に示す。（なお、下記において、Ｐａ
はフタロシアニン骨格を表す、）ＣｕＰｃ（ＣＨｚＯＣ
ｚＨａ）４：テトラキス（エチルオキシメチル）−銅フ
タロシアニン
Ｃｕ Ｐ ｃ （ＣＨｚＯＣａＨｓ）ｔ ：テトラキス
（フェニルオキシメチル）−銅フタロシアニンＣｕ Ｐ
ｃ （ＣＨｚＯＣＲ２ＯＦ ＋１）４：テトラキス（
トリフロロエチルオキシメチル）−銅フタロシアニン
Ｃｕ Ｐ ｃ （ＣＨｘＯＣ）ＩｚＣｌ−１ｚＯＣ２Ｉ
１１１）４：テトラキス（エチロキシエチルオキシメチ
ル）−銅フタロシアニン
Ｃｕ Ｐ ｃ （ＣＨｚＯＣｚＩ−丁６）８：オクタキ
ス（二チルオキシメチル）−銅フタロシアニン
Ｃｕ Ｐ ｃ （ＣＨ２０Ｃａ）１１１．）４ ：テト
ラキス（アミルオキシメチル）−銅フタロシアニン
ＣｕＰｃ（ＣＩ−ＬｚＯＣａＩＩエフ）ａ：テトラキス
（オクチロキシメチル）−銅フタロシアニン
ＶＯＰ ｏ （ＣＨｚＯＣｚＩ−Ｉｓ）４：テトラキス
（エトキシメチル）−バナジルフタロシアニンＶ ＯＰ
ｃ （ＣＨ２０ＣｓＨＪ、ｓ）ａ ：テトラキス（ア
ミロキシメチル）−バナジルフタロシアニンＶＯＰｃ（
ＣＩＩｚＯＣｇｆ−Ｉｔ７）番：テトラキス（オクチロ
キシメチル）−バナジルフタロシアニンＶＯＰｃ（ＣＨ
２０ＣｚＨｓ）ａ：オクタキス（エトキシメチル）−バ
ナジルフタロシアニンＺｎＰｃ（ＣＨｘＯＣｚＨｓ）ａ
：テトラキス（エトキシメチル）−亜鉛フタロシアニン
Ｎ ｉ Ｐ ｃ （ＣＨｚｏ Ｃａ）Ｉ １ｔ）ａ ：
テトラキス（アミロキシメチル）−ニッケルフタロシア
ニンＣＱ Ｉ ｎ Ｐ ｃ （ＣＨｚＯＣａＨｔ７
）＋；テトラキス（オクチロキシメチル）−クロロイン
ジウムフタロシアニン
Ｃｆｌ Ａ ｎ Ｐ ｃ （ＣＨｚＯ（、ｚ）Ｉｓ）ｇ
：オクタキス（エトキシメチル）−クロロアルミニウム
フタロシアニン
ＣｏＰｃ（ＣＨ２０ＣｚＨｓ）ａ：テトラキス（ブトキ
シメチル）−コバルトフタロシアニンＣＱ Ｍ ｎ Ｐ
Ｃ（ＣＨ２０Ｃ６Ｈｌ３）４：テトラキス（ヘキシロ
キシメチル）−クロロマンガンフタロシアニン
Ｖ ＯＰ ｃ （ＣＨｚＯＨ）ａ ：テトラキス（ヒド
ロキシメチル）−バナジルフタロシアニン
（ＯＩＩ ）２Ｓ ｉ Ｐ ｃ （ＣＨ２，ＯＣｚＩ（
ａ）４：テトラキス（エトキシメチル）−ジヒドロキシ
シリコンフタロシアニン
ＣＱｚＧｃＰｃ（ＣＨｚＯＣｓＩＩｔｘｂ：テトラキス
（アミロキシメチル）−ジクロロゲルマニウムフタロシ
アニン
ＣＱｚｓ ｎ Ｐ ｃ （ＣＨｚ○ＣａＨｘ７）ｔ；テ
トラキス（オクチロキシメチル）−ジクロロスズフタロ
シアニン
（（ｎ−ＣｅＨｔｓ）ａｓｉｏ）２ｓｉＰｃ（ＣＨ２０
ＣｚＨａ〕＋：テトラキス（エトキシエチル）−ビス（
トリへキシルシリルオキシ）シリコンフタロシアニン（
（ｎ−Ｃ４Ｈｅ）ａｓｉｏ）ｚＧｅＰｃ（ＣＨｚ○ Ｃ
ａＨｘｚ）ａ：テトラキス（アミロキシメチル）−ビス
（トリブチルシリルオキシ）ゲルマニウムフタロシアニ
ン（（ｎ−ＣａＨ２）ａｓｉｏ）ｚｓｎｌ’ｃ（ＣＨｚ
ＯＣ５Ｈｚｘ）ａ：テトラキス（アミロキシメチル）−
ビス（トリプロピルシリルオキシ）スズフタロシアニン
（（ＣｚＩＩｓ）３ｓｉ０）ｚｓｉＰｃ（ｃＨｚ○Ｃ３
Ｈ１７）４：テトラキス（オクチロキシメチル）−ビス
（トリエチルシロキシ）シリコンフタロシアニン（（Ｃ
２ＩＩ５）３Ｓ ｉ ０）２Ｇ ｅ Ｐｃ（ＣＨｚＯＣ
ＡＨ１７）４：テトラキス（オクチロキシメチル）−ビ
ス（トリエチルシロキシ）ゲルマニウムフタロシアニン
（（ｎ−ＣｓＩｌｌａ）ａＳｉ○）ＡｔＰｃ（ＣＩ−Ｉ
ｚＯＣ６Ｉｌｔｘ〕ｔ：テトラキス（アミロキシメチル
）−トリへキシルシリルオキジアルミニウムフタロシア
ニンＣ８ＩＩ ５０Ａ Ｑ Ｐ ｃ （ＣＩ（２０Ｃａ
Ｈｔ７）＋：テトラキス（オクチロキシメチル）−フェ
ノキシアルミニウムフタロシアニン
Ｃ（Ｃ８ＩＩ５）３Ｓ ｉ○）２Ｓ ｉ Ｐｃ（ＣＩ（
ｚＯｃａＨｚ７：Ｊａ：テトラキス（オクチロキシメチ
ル）−ビス（トリフェニルシリルオキシ）シリコンフタ
ロシアニン
（（ＣｘＩＩａ）ａｓ ｉ ０）２Ｓ ｉ Ｐ ｃ （
ＣＩＩｚＯＣｚＩＩｓ）ｇ：オクタキス（エトキシメチ
ル）−ビス（トリエチルシロキシ）シリコンフタロシア
ニン（（ｎ−ＣｓＩｌｌａ）ａｓｉｏ）ｚｓｉｌ’ｃ［
ｃ ＩＩｚＯＣ５ＩＬ）ｉ：テトラキス（フェノキシメ
チル）−ビス（トリへキシルシリルオキシ）シリコンフ
タロシアニン（（ｎ−Ｇｏ）Ｉｔ８）ａＳ ｉ ０３
ｚＳ ｉ Ｐ ｃ−［Ｃｌｌ１○ＣＩＩ ｘｃ Ｆ ３
］４：テトラキス（トリフロロエチルオキシメチル）−
ビス（トリへキシルシリルオキシ）シリコンロジアニン
〔（ｎ−Ｃ４１１１１）３Ｓ ｉ ０）２Ｓ ｉ Ｐｃ
ＣＣｌＩ２０ＣＩＩ２ＣＩ■２０Ｃ２Ｈ５）＋：テトラ
（エトキシエチルオキシメチル）−ビス（トリブチルシ
リルオキシ）シリコンフタロシアニン
（（ＣａＩＩａ）３Ｃ○）ｚＧ ｅ Ｐ ｃ （ＣＩ−
Ｉ ２０ ＣａＩＩ １７）４：テトラキス（オクチロ
キシメチル）−ビス（トリフェニルメチルオキシ）ゲル
マニウムフタロシアニン
また、−数式（Ｉｔ）で示されるフタロシアニン系化合
物の具体例としては以下に示す。なお、上記においてＮ
ｃはナフタロシアニン骨格を表す。）Ｃ＋ｉ Ｎ ｃ
（ＣＨｘｏ Ｃ２ＨＹｌ）４ ：テトラキス（エチルオ
キシメチル）−銅ナフタロシアニンＣｕＮｃ（ＣＩＩｚ
ＯＣ５１１ｉｔ）ａ：テトラキス（アミロキシメチル）
−銅ナフタロシアニン
ＣｕＮｃ（ＣＩＩ２０ＣｓＨｔ７）ａ：テトラキス（オ
クチロキシメチル）−銅ナフタロシアニンＶＯＮＣ（Ｃ
Ｈ２０，Ｃ２Ｈ３）４：テトラキス（エトキシメチル）
−バナジルナフタロシアニンＶＯＮｃ（ＣＩＩ２０Ｃａ
Ｈ１１）４ ：テトラキス（アミロキシメチル）−バナ
ジルナフタロシアニンＺｎＮｃ（ＣＩ（２０ＣａＨ１７
）４ ：テトラキス（オクチロキシメチル）−亜鉛ナフ
タロシアニンＮ ｉ Ｎ ｃ （ＣＨ２ｏ Ｃ２ＦＩ
ｌ５）４ ：テトラキス（エトキシメチル）−ニッケル
ナフタロシアニンＣｎ Ｉ ｎ Ｎ ｃ （ＣＨｚＯＣ
；ｓＨｚ工）４：テトラキス（アミロキシメチル）−ク
ロロインジウムナフタロシアニン
Ｃｎ Ａ Ｑ Ｎ ｃ （ＣＨｚＯＣｚＩ−１５）４：
テトラキス（エトキシメチル）−クロロアルミニウムナ
フタロシアニン
Ｃｏ Ｎ ｃ （ＣＩ−１ｚＯＣｓＩ−１ｒｘ）ａ ：
テＩ−ラキス（アミロキシメチル）−コバルトナフタロ
シアニンＣＱ Ｍ ｎ Ｎ ｃ （ＣＨｚＯＣｄｌ９）
４テトラキス（ブトキシメチル）−クロロマンガンナフ
タロシアニン
ＶＯＮｃ（ＣＩ−ＩｚＯＨ）４： テトラキス（ヒドロ
キシメチル）−バナジルナフタロシアニン（ＯＨ）ｚＳ
ｉ Ｎ ｃ （ＣＩＩｚＯＣｅ１Ｉ １１）４：テト
ラキス（ヘキシロキシメチル）−ジヒドロキシシリコン
ナフタロシアニン
ＣＱｚＧｅＮｃ（ＣＨｚＯＣ２ＨＩ５）４：テトラキス
（エトキシメチル）−ジクロロゲルマニウムナフタロシ
アニン
ＣｆｆｚＳｎＮｃ（ＣＩ−１ｚＯＣ＋５Ｈｔｔ）ａ：テ
トラキス（アミロキシメチル）−ジクロロスズナフタロ
シアニン
（（ｎ−ＣｓＨｔｓ）３ｓ ｉ○］ｚＳｉＮｃ（ＣＩＩ
ＸＬＯＣｚＩ（ａ）４＝テトラキス（エトキシエチル）
−ビス（トリへキシルシリルオキシ）シリコンナフタロ
シアニン
［（ｎ−Ｃ４１１１１）３Ｓ １ｏ）ｚＧｅＮｃ（Ｃ，
）（ｚＯＣｌ５ｒ−Ｉ＞ｘ〕ｈ：テトラキス（アミロキ
シメチル）−ビス（トリブチルシリルオキシ）ゲルマニ
ウムナフタロシアニン
［（ｎ−ＣａＩＩ７）ａｓｉｏ］２ｓｎＮｃ（ＣＨｚＯ
ＣａＨｔｒｂ：テトラキス（オクチロキシメチル）−ビ
ス（トリプロピルシリルオキシ）スズナフタロシアニン
［（Ｃ２ＩＩｓ）３Ｓ ｉ ０）ｚＧ ｅ ＮｃＣＣＩ
工ｚ○ＣａＩＩｔ７ｂ：テトラキス（オクチロキシメチ
ル）−ビス（トリエチルシロキシ）ゲルマニウムナフタ
ロシアニン
［（Ｃ２１１５）３Ｓ ｉ Ｏ）２．Ｓ ｉ ＮｃＣＣ
ＩＩｚＯＣ５ＩＩ １７）４：テトラキス（オクチロキ
シメチル）−ビス（トリエチルシロキシ）シリコンナフ
タロシアニ（（Ｃ３ＩＩ７）ａｓ ｉ Ｏ）Ａ Ｑ
Ｎ ｃ （ＣＨｚＯＣ１）Ｈｌｌ）４；テトラキス（ア
ミロキシメチル）−トリプロピルシリルオキジアルミニ
ウムナフタロシアニン
Ｃ５Ｉ−ＩｂＯＡ Ｑ Ｎ Ｑ （Ｃ１（２０Ｃ８Ｈ１
７）４：テトラキス（オクチロキシ）−フェノキシアル
ミニウムナフタロシアニン
上記の一般式（Ｉ）および（ｎ）で示されるフタロシア
ニン系化合物においては、ＹｌおよびＹ２基を持つもの
がＹｌおよびＹｌ基を持たないものに比べて表面反射率
が大きく、かつ、有機溶剤への溶解性が優れている。表
面反射率が大きいと記録媒体として用いた場合にアルミ
ニウムなどの光反射膜を必要とせず、また、記録感度、
Ｃ／Ｎ比等も優れている。Specific examples of the phthalocyanine compound represented by the general formula (I) are shown below. (In addition, in the following, Pa
represents a phthalocyanine skeleton, )CuPc(CHzOC
zHa) 4: Tetrakis(ethyloxymethyl)-copper phthalocyanine Cu P c (CHzOCaHs)t: Tetrakis(phenyloxymethyl)-copper phthalocyanine Cu P
c (CHzOCR2OF +1)4: Tetrakis (
trifluoroethyloxymethyl)-copper phthalocyanine Cu P c (CHxOC)IzCl-1zOC2I
111) 4: Tetrakis(ethyloxyethyloxymethyl)-copper phthalocyanine Cu P c (CHzOCzI-6) 8: Octakis (dithyloxymethyl)-copper phthalocyanine Cu P c (CH20Ca) 111. )4: Tetrakis(amyloxymethyl)-copper phthalocyanine CuPc (CI-LzOCaIIF) a: Tetrakis(octyloxymethyl)-copper phthalocyanine VOP o (CHzOCzI-Is) 4: Tetrakis(ethoxymethyl)-vanadyl phthalocyanine VOP
c (CH20CsHJ, s) a: Tetrakis(amyloxymethyl)-vanadyl phthalocyanine VOPc (
CIIzOCgf-It7) No.: Tetrakis(octyloxymethyl)-vanadyl phthalocyanine VOPc (CH
20CzHs)a: Octakis(ethoxymethyl)-vanadyl phthalocyanine ZnPc(CHxOCzHs)a
: Tetrakis(ethoxymethyl)-zinc phthalocyanine N i P c (CHzo Ca) I 1t) a :
Tetrakis(amyloxymethyl)-nickel phthalocyanine CQ I n P c (CHzOCaHt7
)+; Tetrakis(octyloxymethyl)-chloroindium phthalocyanine Cfl A n P c (CHzO(,z)Is)g
: Octakis (ethoxymethyl)-chloroaluminum phthalocyanine CoPc (CH20CzHs) a: Tetrakis (butoxymethyl)-cobalt phthalocyanine CQ M n P
C(CH20C6Hl3)4: Tetrakis(hexyloxymethyl)-chloromanganese phthalocyanine V OP c (CHzOH)a : Tetrakis(hydroxymethyl)-vanadyl phthalocyanine (OII) 2S i P c (CH2,OCzI(
a) 4: Tetrakis(ethoxymethyl)-dihydroxysilicon phthalocyanine CQzGcPc (CHzOCsIItxb: Tetrakis(amyloxymethyl)-dichlorogermanium phthalocyanine CQzs n P c (CHz○CaHx7)t; n-CeHts)asio)2siPc(CH20
CzHa〕+: Tetrakis(ethoxyethyl)-bis(
trihexylsilyloxy) silicone phthalocyanine (
(n-C4He)asio)zGePc(CHz○ C
aHxz) a: Tetrakis(amyloxymethyl)-bis(tributylsilyloxy)germanium phthalocyanine ((n-CaH2)asio)zsnl'c(CHz
OC5Hzx)a: Tetrakis(amyloxymethyl)-
Bis(tripropylsilyloxy)tin phthalocyanine ((CzIIs)3si0)zsiPc(cHz○C3
H17) 4: Tetrakis(octyloxymethyl)-bis(triethylsiloxy) silicone phthalocyanine ((C
2II5) 3S i 0) 2G e Pc (CHzOC
AH17) 4: Tetrakis(octyloxymethyl)-bis(triethylsiloxy)germanium phthalocyanine ((n-CsIlla)aSi○)AtPc(CI-I
zOC6Iltx]t: Tetrakis(amyloxymethyl)-trihexylsilyloxydialuminum phthalocyanine C8II 50A Q P c (CI(20Ca
Ht7)+: Tetrakis(octyloxymethyl)-phenoxyaluminum phthalocyanine C(C8II5)3S i○)2S i Pc(CI(
zOcaHz7:Ja: Tetrakis(octyloxymethyl)-bis(triphenylsilyloxy)silicon phthalocyanine ((CxIIa)as i 0)2S i P c (
CIIzOCzIIs)g: octakis(ethoxymethyl)-bis(triethylsiloxy)silicon phthalocyanine ((n-CsIlla)asio)zsil'c[
c IIzOC5IL)i: Tetrakis(phenoxymethyl)-bis(trihexylsilyloxy)silicon phthalocyanine ((n-Go)It8)aS i 03
zS i P c-[Cll1○CII xc F 3
]4: Tetrakis (trifluoroethyloxymethyl)-
Bis(trihexylsilyloxy) silicon rhodianine [(n-C41111)3S i 0)2S i Pc
CClI20CII2CI■20C2H5)+: Tetra(ethoxyethyloxymethyl)-bis(tributylsilyloxy)silicon phthalocyanine ((CaIIa)3C○)zG e P c (CI-
I 20 CaII 17) 4: Tetrakis(octyloxymethyl)-bis(triphenylmethyloxy)germanium phthalocyanine Further, specific examples of the phthalocyanine compound represented by formula (It) are shown below. In addition, in the above, N
c represents a naphthalocyanine skeleton. ) C+i N c
(CHxo C2HYl)4: Tetrakis(ethyloxymethyl)-copper naphthalocyanine CuNc(CIIz
OC511it) a: Tetrakis (amyloxymethyl)
- Copper naphthalocyanine CuNc (CII20CsHt7) a: Tetrakis (octyloxymethyl) - Copper naphthalocyanine VONC (C
H20, C2H3)4: Tetrakis (ethoxymethyl)
-Vanadylnaphthalocyanine VONc (CII20Ca
H11)4: Tetrakis(amyloxymethyl)-vanadylnaphthalocyanine ZnNc(CI(20CaH17
)4: Tetrakis(octyloxymethyl)-zinc naphthalocyanine N i N c (CH2o C2FI
l5) 4: Tetrakis(ethoxymethyl)-nickel naphthalocyanine Cn I n N c (CHzOC
;sHz Engineering) 4: Tetrakis(amyloxymethyl)-chloroindium naphthalocyanine Cn A Q N c (CHzOCzI-15) 4:
Tetrakis(ethoxymethyl)-chloroaluminum naphthalocyanine CoNc (CI-1zOCsI-1rx)a:
TeI-Rakis(amyloxymethyl)-cobalt naphthalocyanine CQ M n N c (CHzOCdl9)
4 Tetrakis (butoxymethyl)-chloromanganese naphthalocyanine VONc (CI-IzOH) 4: Tetrakis (hydroxymethyl)-vanadylnaphthalocyanine (OH) zS
i N c (CIIzOCe1I 11) 4: Tetrakis (hexyloxymethyl)-dihydroxysilicon naphthalocyanine CQzGeNc (CHzOC2HI5) 4: Tetrakis (ethoxymethyl)-dichlorogermanium naphthalocyanine CffzSnNc (CI-1zOC+5Htt) a: Tetrakis (amyloxy methyl) -dichlorotinnaphthalocyanine ((n-CsHts)3s i○]zSiNc (CII
XLOCzI(a)4=tetrakis(ethoxyethyl)
-bis(trihexylsilyloxy)silicon naphthalocyanine [(n-C41111)3S 1o)zGeNc(C,
)(zOCl5r-I>x]h:tetrakis(amyloxymethyl)-bis(tributylsilyloxy)germanium naphthalocyanine [(n-CaII7)asio]2snNc(CHzO
CaHtrb: Tetrakis(octyloxymethyl)-bis(tripropylsilyloxy)tinnaphthalocyanine [(C2IIs)3S i 0)zG e NcCCI
Engineering z○CaIIt7b: Tetrakis(octyloxymethyl)-bis(triethylsiloxy)germanium naphthalocyanine [(C2115)3S i O)2. S i NcCC
IIzOC5II 17) 4: Tetrakis(octyloxymethyl)-bis(triethylsiloxy) silicon naphthalocyanide ((C3II7)as i O)A Q
N c (CHzOC1)Hll)4; Tetrakis(amyloxymethyl)-tripropylsilyloxydialuminum naphthalocyanine C5I-IbOA Q N Q (C1(20C8H1
7) 4: Tetrakis(octyloxy)-phenoxyaluminum naphthalocyanine In the phthalocyanine compounds represented by the above general formulas (I) and (n), those having Yl and Y2 groups are replaced by those having no Yl and Yl groups. It has a higher surface reflectance and better solubility in organic solvents. A high surface reflectance eliminates the need for a light reflective film such as aluminum when used as a recording medium, and also improves recording sensitivity and
The C/N ratio etc. are also excellent.
次に、−数式（Ｉ）および−数式（ＩＩ）のフタロシア
ニン系化合物の製法について説明する。Next, a method for producing the phthalocyanine compounds of formulas (I) and (II) will be described.
−数式（ＩＩＩ）で表わされるアルコキシメチル置換−
オルトフタロニトリル、または−数式（ＩＶ）で示され
るアルコキシメチル置換−２，３−ジシＭＸｑ
・・・・・・・・・（Ｖ）
（ただし、式中ＭはＩｂ族、ＩＩａ族ｔＩＩｂＦＬｍａ
族、ＩＶａ族、ＩＶｂ族、ｖｂ族、ｖｔｂ族、■族の金
属であり、Ｘは、ハロゲンまたはアシロキシル基を表わ
し、ｑは、ＯまたはＸとＭとの結合数を示す正の整数で
ある。）で表わされる金３または金属塩と加熱反応させ
て得ることができる。-Alkoxymethyl substitution represented by formula (III)-
Orthophthalonitrile, or -alkoxymethyl-substituted-2,3-disiMXq represented by the formula (IV) (V) (wherein M is a group Ib group, a group IIa tIIbFLma
It is a metal of Group IVa, Group IVb, Group Vb, Group Vtb, Group II, where X represents a halogen or an acyloxyl group, and q is a positive integer indicating O or the number of bonds between X and M. . ) can be obtained by heating and reacting with gold 3 or a metal salt represented by:
ＭＸｑの具体例は、Ｍ ｇ 、 Ｚ ｎ 、 Ｃｕ Ｃ
Ｑ 。Specific examples of MXq are M g , Z n , Cu C
Q.
ＣｕＣｆ１ｚ、ＡＱＣ１２ａ、Ｉ ｎｃＱｓ、５ｉＣＱ
。CuCf1z, AQC12a, IncQs, 5iCQ
.
ＧｅＣＱ＋、５ｎＣＱ４．ＴｉＣＱａ、ＶＣ１２ａ。GeCQ+, 5nCQ4. TiCQa, VC12a.
Ｍ ｎ （○Ｃ０ＣＩ（３）２１ Ｆｅｃｎｓ 、Ｃｏ
ＣＱｓ 。M n (○C0CI(3)21 Fecns, Co
CQs.
Ｎｊ ＣＱｚ、ＰｕＣＱｓ、ＰｂＣＱｚ、ＲｈＣＱｓ。Nj CQz, PuCQs, PbCQz, RhCQs.
Ｉ ｎ ＣＱ ａ等がある。There are I n CQ a, etc.
一般式（ＩＩＩ）で表わされアルコキシメチル置換のオ
ルトフタロニトリルは、０−キシレンと臭素を反応させ
て４，５−ジブロモ−〇−キシレンとし、これを白色光
線照射下においてＮ−ブロモスクシンイミドと反応させ
て次式（ＶＩ）で示される４、５−ジブロモ−α、α、
α′ α′−テトラブロモー〇−キシレンとする。Alkoxymethyl-substituted orthophthalonitrile represented by the general formula (III) is produced by reacting 0-xylene with bromine to form 4,5-dibromo-〇-xylene, which is then converted to N-bromosuccinimide under irradiation with white light. The reaction results in 4,5-dibromo-α,α, represented by the following formula (VI).
α′ α′-Tetrabromo 〇-xylene.
該化合物をＲｉ○Ｍ （Ｒ１は前記と同じ意味を表し、
Ｍは水素原子またはアルカリ金ＦｊｃＪＭ子を表す。The compound is referred to as Ri○M (R1 represents the same meaning as above,
M represents a hydrogen atom or an alkali gold FjcJM atom.
）で示されるアルコールまたは金属アルコラードと反応
し、次式（■）
（式中、Ｒ１は前記と同じ意味を表す。）で示される２
、３−ジブロモ−６−ブチルメタノール誘導体とし、該
化合物にシアン化第−銅を反応させることにより、−数
式（ＩＩＩ）で表されるアルコキシメチル置換のオルト
フタロニトリルが合成される。), and reacts with the alcohol or metal alcoholade represented by the following formula (■) (wherein, R1 represents the same meaning as above).
, 3-dibromo-6-butylmethanol derivative, and reacting this compound with cupric cyanide, an alkoxymethyl-substituted orthophthalonitrile represented by formula (III) is synthesized.
−数式（ＩＶ）で表されるアルコキシメチル置換の２．
３−ジシアノナフタレンは、前記化合物（ＶＩ）をヨウ
化ナトリウムの存在下でアクリル酸メチルと反応させて
次式（■）で示される２、３−ジブロモ−６−ナフトエ
酸メチルとし、
該化合物を還元して次式（ＩＸ）で示される２、３−ジ
ブロモ−６−ナフチルメタノールとし、該化合物を次式
（Ｘ）で示されるハロゲン化物Ｒ，Ｃ９−°°出（Ｘ）
（式中、Ｒ１は前記と同じ意味を表す。）と反応させる
か、または、ハロゲン化水素でハロゲン化した後、次式
（ＸＩ ）
Ｒ１０Ｍ ・・・・・・（ＸＩ）（式中
、Ｒ□は前記と同じ意味を表し、Ｍは水素原子または金
属原子を表す。）で示される金属アルコラードと反応し
、次式（Ｘ［ｌ）
（式中、Ｒ１は前記と同じ意味を表す。）で示される２
、３−ジブロモ−６−ナフチルメタノール誘導体とし、
該化合物にシアン化第−銅を反応させることにより、−
数式（ＩＶ）で表されるアルコキシメチル置換−２，３
−ジシアノナフタレンが合成される。- 2. of alkoxymethyl substitution represented by formula (IV).
3-Dicyanonaphthalene can be obtained by reacting the compound (VI) with methyl acrylate in the presence of sodium iodide to form methyl 2,3-dibromo-6-naphthoate represented by the following formula (■). The compound is reduced to 2,3-dibromo-6-naphthylmethanol represented by the following formula (IX), and the compound is converted into a halide R,C9-°°de (X) represented by the following formula (X) (wherein, R1 represents the same meaning as above), or after halogenation with hydrogen halide, the following formula (XI) R10M...(XI) (wherein R□ is as above) 2, which has the same meaning and M represents a hydrogen atom or a metal atom, and is represented by the following formula (X[l) (wherein, R1 has the same meaning as above).
, 3-dibromo-6-naphthylmethanol derivative,
By reacting the compound with cupric cyanide, -
Alkoxymethyl substituted-2,3 represented by formula (IV)
-dicyanonaphthalene is synthesized.
次に、前記−数式（ＩＩＩ ）または（ＩＶ）で表わさ
れるジシアノ化合物、もしくは、下記−数式（■′）ま
たは（■′）で表わされるジイミノイソインドリン化合
物を
、’Ｊ１１
（ＩＩＩ）
（■′）
５ｉＣｎ４．ＧｅＣＱ４，５ｎＣＱ＋等の金属ハロゲン
化物と反応させて得られるジクロロ金属フタロシアニン
化合物、または、ジクロロ金属ナフタロシアニン化合物
を加水分解等の方法でジヒドロキシ金属フタロシアニン
またはジヒドロキシ金属ナフタロシアニンへ誘導する。Next, the dicyano compound represented by the above formula (III) or (IV) or the diiminoisoindoline compound represented by the following formula (■') or (■') is added to 'J11 (III) (■ ') 5iCn4. A dichlorometal phthalocyanine compound or a dichlorometal naphthalocyanine compound obtained by reacting with a metal halide such as GeCQ4,5nCQ+ is induced into dihydroxymetal phthalocyanine or dihydroxymetal naphthalocyanine by a method such as hydrolysis.
この化合物をトリアルキルクロロシラン、または、トリ
アルキルシラノールと加熱不反応させれば、一般式（Ｉ
）または一般式（ＩＩ）において、ＭがＳｉ、Ｇｅまた
はＳｉ、Ｙｌ、Ｙｚがトリアルキルシリルオキシ基であ
るフタロシアニン系化合物が得られる。If this compound is heat-unreacted with trialkylchlorosilane or trialkylsilanol, the general formula (I
) or a phthalocyanine compound of general formula (II) in which M is Si, Ge or Si, Yl, and Yz are trialkylsilyloxy groups can be obtained.
次に、記録、再生精度の良好な記録媒体の製法について
説明する。Next, a method for manufacturing a recording medium with good recording and reproduction accuracy will be described.
前記フタロシアニン系化合物を有機溶剤に溶解し、該溶
液を基板表面に塗布して記録膜層を形成する。溶液濃度
は、フタロシアニン系化合物の溶解度または形成する記
０層の膜厚に応じて適宜選択する。The phthalocyanine compound is dissolved in an organic solvent, and the solution is applied to the surface of the substrate to form a recording film layer. The solution concentration is appropriately selected depending on the solubility of the phthalocyanine compound or the thickness of the layer to be formed.
該有機溶剤としては、トルエン、クロロホルム。Examples of the organic solvent include toluene and chloroform.
ジクロロエタン、トリクロロエタン、ベンゼン。Dichloroethane, trichloroethane, benzene.
キシレン、メチルエチルケトン等一般に用いられる種々
の極性、非極性の溶媒を用いることができる。Various commonly used polar and non-polar solvents such as xylene and methyl ethyl ketone can be used.
該溶液の塗布法は、一般の塗布、印刷、浸漬等の方法に
よって行うことができる。具体的には、スプレー、ロー
ラーコーティング、スピンコーティング、ディッピング
で行う。なお、記録媒体形成時に、必要に応じてバイン
ダ等の結着材、安定剤等を添加することもできる。The solution can be applied by common methods such as coating, printing, and dipping. Specifically, spraying, roller coating, spin coating, and dipping are used. Incidentally, when forming the recording medium, a binder such as a binder, a stabilizer, etc. may be added as necessary.
本発明においては、必要に応じて下地層や保護層などの
他の層を設けることもできる。In the present invention, other layers such as a base layer and a protective layer may be provided as necessary.
使用される基板材料は既知のものを使用でき。Known substrate materials can be used.
使用レーザ光に対して透明または不透明のいずれでも良
い、しかし、基板側からレーザー光で書込み、読出しを
行う場合は、レーザー光に対して透明でなければならな
い、一方、基板と反対側、すなわち、記８層側から書込
み、読出しを行う場合は、レーザー光に対して透明であ
る必要はない。It can be either transparent or opaque to the laser beam used; however, when writing and reading with laser beam from the substrate side, it must be transparent to the laser beam; on the other hand, the side opposite to the substrate, i.e. When writing and reading are performed from the 8th layer side, it is not necessary to be transparent to laser light.
基板材質は、ガラス、石芙、セラミック、プラスチック
、紙、板状または箔状の金属など、一般に使用されてい
る記録材料の支持体が使用できる。As the substrate material, commonly used recording material supports such as glass, stone, ceramic, plastic, paper, plate-shaped or foil-shaped metal can be used.
また、基板には必要に応じて、凹凸で形成される案内溝
やウォブルドビットを設けても良い。Further, the substrate may be provided with a guide groove or a wobbled bit formed of unevenness, if necessary.
本願発明の一般式（Ｉ）または（Ｉｔ）で表わされるフ
タロシアニン系化合物が、一般の有機溶剤に溶は易い理
由は、フタロシアニン骨格にアルコキシメチル基を導入
したことにより、フタロシアニン系化合物の相互作用（
スクッキング）が抑制されるためと考える。溶解性がよ
いので、均一な記録ＪＣりが塗布によって容易に形成で
きる。その結果、記録、再生精度の高い光学的記録媒体
が得られる。The reason why the phthalocyanine compound represented by the general formula (I) or (It) of the present invention is easily soluble in general organic solvents is that the interaction of the phthalocyanine compound (
This is thought to be due to the suppression of scooking. Since it has good solubility, uniform recording JC can be easily formed by coating. As a result, an optical recording medium with high recording and reproducing accuracy can be obtained.
また、半導体レーザー光の発振波長域である６００〜９
０Ｏｎｍ付近に吸収を有し、かつ、高反射率を示すため
、光学的記録媒体用として極めて優れており、特にアル
ミニウムなどの光反射膜を必要としないため、記録感度
、Ｃ／Ｎ比等が良好な記録媒体が得られる。In addition, the oscillation wavelength range of semiconductor laser light is 600 to 9
It has absorption in the vicinity of 0 Onm and exhibits high reflectance, making it extremely suitable for use in optical recording media.In particular, since it does not require a light reflective film such as aluminum, recording sensitivity, C/N ratio, etc. A good recording medium can be obtained.
次に、本発明を実施例により更に詳しく説明する。Next, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples.
実施例１
［４，５−ジブロモ−〇−キシレンの合成］攪拌機、温
度計２滴下ロートおよび冷却管を装備した２Ｑ四つロフ
ラスコに、塩化メチレン８００ｍｕ、ｏ−キシレン４４
４．３ｇ （４，１４モル）、鉄粉１１．６ｇ （０
，２１モル）、ヨウ素＄−３ｇ（０，０２１モル）仕込
み、臭素１３３８ｇ（８，３７モル）を０〜１０℃で７
時間で滴下した。Example 1 [Synthesis of 4,5-dibromo-〇-xylene] In a 2Q four-loop flask equipped with a stirrer, a thermometer, two dropping funnels, and a condenser tube, 800 mu of methylene chloride and 44 mu of o-xylene were added.
4.3g (4.14 mol), iron powder 11.6g (0
, 21 mol), iodine $-3g (0,021 mol) and bromine 1338g (8,37 mol) at 0 to 10°C.
It dripped in time.
滴下終了後、２０〜４０°Ｃで熟成し反応を完結させた
。反応後５％亜硫酸水素ナトリウム水７賓液で洗浄後、
水洗、乾燥し減圧濃縮したのち、メタノール２０００
ｍ Ｑから再結晶して ３３５．１ｇの４，５−ジブロ
モ−〇−キシレンを得たく収バく３１％）。After the dropwise addition was completed, the mixture was aged at 20 to 40°C to complete the reaction. After the reaction, wash with 7 ml of 5% sodium bisulfite solution,
After washing with water, drying and concentrating under reduced pressure, methanol 2000
Recrystallization from mQ yielded 335.1 g of 4,5-dibromo-〇-xylene (yield: 31%).
融点：８７．５〜８８．０℃
マススペクトル：２６４（Ｍ＋）
第１図にマススペクトル、第２図にＮＭＲスペクトル、
第３図に赤外線吸収スペクトルを示す。Melting point: 87.5-88.0°C Mass spectrum: 264 (M+) Figure 1 shows the mass spectrum, Figure 2 shows the NMR spectrum,
Figure 3 shows the infrared absorption spectrum.
〔４，５−ジブロモ−α、α、α′、α′−テトラブロ
モ−〇−キシレンの合成］
攪拌機、温度計９滴下ロートおよび冷却管を装備した２
Ｑ四つ目フラスコに、４，５−ジブロモ−〇−キシレン
コー５０ｇ（０，５７モル）、Ｎ−ブロモスクシンイミ
ド４２５ ｇ （２，３９モル）、過酸化ベンゾイル２
−８ｇ （０，０１２モル）及び四塩化炭素２０００
ｍ ｆｌを仕込み、温度７０〜８０℃で１５０Ｗの白熱
光線を照射しながら１０時間反応した。冷却後副生した
コハク酸イミドをろ別した後減圧濃縮し、残さをシクロ
ヘキサン６６０ｍＱから再結晶して２９３ｇの４，５−
ジブロモ−α、α、α′、α′−テトラブロモ−〇−キ
シレンを得た（収率８７％）。[Synthesis of 4,5-dibromo-α, α, α′, α′-tetrabromo-〇-xylene] 2 equipped with a stirrer, a thermometer, 9 dropping funnels, and a cooling tube.
Q In the fourth flask, 50 g (0.57 mol) of 4,5-dibromo-〇-xyleneco, 425 g (2.39 mol) of N-bromosuccinimide, and 2 benzoyl peroxide.
-8 g (0,012 mol) and carbon tetrachloride 2000
m fl was charged and reacted for 10 hours at a temperature of 70 to 80° C. while irradiating with 150 W incandescent light. After cooling, the by-produced succinimide was filtered off, concentrated under reduced pressure, and the residue was recrystallized from 660 mQ of cyclohexane to give 293 g of 4,5-
Dibromo-α, α, α', α'-tetrabromo-〇-xylene was obtained (yield 87%).
融点＝１３１〜１３３℃ マススペクトル：５７９（Ｍ＋） ”ＨＮＭＲＸペクト／Ｌ／ （２００ＭＨｚ 。Melting point = 131-133℃ Mass spectrum: 579 (M+) "HNMRX Pect/L/ (200MHz).
ＣＤＣＱａ）、
δ（ｐｐｍ）６．９ （ｓ、 ２ＩＩ、 −ＣＩＩＩ３
ｒｚ）７．９ （ｓ、 ２１１．ベンゼン環）第４図
にマススペクトル、第５図にＮＭＲスペクトル、第６図
に赤外線吸収スペクトルを示す。CDCQa), δ (ppm) 6.9 (s, 2II, -CIII3
rz)7.9 (s, 211.benzene ring) Figure 4 shows the mass spectrum, Figure 5 shows the NMR spectrum, and Figure 6 shows the infrared absorption spectrum.
［２，３−ジブロモ−６−ナフトエ酸メチルの合成］攪
拌機、温度計１滴下ロートおよび冷却管を装（ｉＩ？し
たＩＱ四つ目フラスコに、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド（ＤＭＦ）３００ｍＱ、アクリル酸メチル３’１．６
ｇ （０，４４モル）、ヨウ化ナトリウム９５．３ｇ
（０，６４モル）を仕込み、 ４，５−ジブロモ−α、
α、α′、α′−テトラブロモ−〇−キシレン１２６．
５ｇ （０，２１モル）をＤ Ｍ Ｆ２００ ｍ Ｑ
Ｌこ溶かした溶液を７０〜８０℃で２時間で滴下した。[Synthesis of methyl 2,3-dibromo-6-naphthoate] Into a fourth IQ flask equipped with a stirrer, a thermometer, 1 dropping funnel, and a cooling tube, 300 mQ of N,N-dimethylformamide (DMF), acrylic Methyl acid 3'1.6
g (0.44 mol), sodium iodide 95.3 g
(0.64 mol), 4,5-dibromo-α,
α, α′, α′-Tetrabromo-〇-xylene 126.
5g (0.21 mol) in D M F200 m Q
A solution prepared by dissolving L.
滴下終了後、同温度で熟成し反応を完結させた。冷却後
５％亜硫酸水素ナトリウム水溶液に注ぎ晶析した結晶を
濾別後、水洗、乾燥しアセトン２７０ｍΩから再結晶し
て５３．７ｇの２．３−ジブロモ−６−ナフトエ酸メチ
ルを得た（収率７４％）。After the dropwise addition was completed, the mixture was aged at the same temperature to complete the reaction. After cooling, the crystals were poured into a 5% aqueous sodium bisulfite solution and separated by filtration, washed with water, dried, and recrystallized from 270 mΩ of acetone to obtain 53.7 g of methyl 2.3-dibromo-6-naphthoate. rate 74%).
融点：１３４〜１３５℃ マススペクトル：３４４（Ｍ＋） ”Ｉ−■ＮＭＲスペクトル（２００Ｍ Ｈｚ 。Melting point: 134-135℃ Mass spectrum: 344 (M+) "I-■NMR spectrum (200 MHz).
ＣＤＣｆ１ｓ）、
δ（ｐｐｍ）３．９５ （ｓ 、 ３Ｈ，ＣＨａＣＯＯ
−）７．６〜８．４（ｍ、５Ｈ，ナフタレン環）
第７図にマススペクトル、第８図にＮ Ｍ Ｒスペク）
−ル、第９図に赤外線吸収スペクトルを示す。CDCf1s), δ (ppm) 3.95 (s, 3H, CHaCOO
-) 7.6 to 8.4 (m, 5H, naphthalene ring) Mass spectrum in Figure 7, NMR spectrum in Figure 8)
- Figure 9 shows the infrared absorption spectrum.
［２，３−ジブロモ−６−ナフトエ酸の合成コ攪拌１幾
、温度計２滴下ロートおよび冷却管を装４ｉｉ７ した
２０四つロフラスコに、２，３−ジブロモ−６−ナフト
エはメチル１７７ ｇ （０，５１モル）、６Ｈ１５（
３Ｑｍ Ｑ ＋水１８０ ｍ Ｑ及び濃硫酸１７７ｇを
仕込み、１０６〜１１１℃に加熱しながら還流−ドに７
時間反応した。反応復水９３０ ｍ ２を性別し晶析さ
せた結晶をろ別した後、水洗、乾燥しテトラヒドロフラ
ン１０００ ｍ Ｑから再結晶して１５６ｇの２，３−
ジブロモ−６−ナフトエ酸を得た（収率９２％）。[Synthesis of 2,3-dibromo-6-naphthoic acid] 2,3-dibromo-6-naphthoic acid was prepared by adding 177 g of methyl ( 0.51 mol), 6H15 (
Charge 3QmQ + 180mQ of water and 177g of concentrated sulfuric acid, and heat to 106 to 111°C while heating to reflux.
Time reacted. 930 m2 of reaction condensate was separated, the crystals were filtered, washed with water, dried, and recrystallized from 1000 m2 of tetrahydrofuran to give 156 g of 2,3-
Dibromo-6-naphthoic acid was obtained (yield 92%).
融点：２８４℃ マススペクトル：３３０（Ｍ＋） １）Ｉ ＮＭＲスペクト／Ｌ／ （２００ＭＨｚ 。Melting point: 284℃ Mass spectrum: 330 (M+) 1) I NMR spectrum/L/ (200MHz).
ＣＤＣＱ、＋ｄＧ−Ｄム４Ｓ○）
δ（ｐｐｍ）７．８〜８．６（ｍ、６ｒＩ、ナフタレン
環＋ＣＯ○ＩＩ）
第１０図にマススペクトル、第１１図にＮＭＲスペクト
ル、第１２図に赤外線吸収スペクトルを示す。CDCQ, +dG-Dmu4S○) δ (ppm) 7.8 to 8.6 (m, 6rI, naphthalene ring + CO○II) Figure 10 shows the mass spectrum, Figure 11 shows the NMR spectrum, and Figure 12 shows the infrared spectrum. The absorption spectrum is shown.
［２，３−ジブロモ−６−ナフチルメタノールの合成］
攪拌機、温度計２滴下ローＩ−および冷却管を装備した
１００ｍ１ｌｌ四つロフラスコに、テトラヒドロフ９ノ
１０
０、１４．ｇ（３．５ミリモル）を仕込み、２，３−ジ
ブロモ−６−ナフトエ酸メチル２．０ｇ （５．８ミリ
モル）をテトラヒドロフランｌ Ｏ ｍ Ｑに溶がした
溶液を０〜１０℃で３０分で滴下した。滴下終７後同温
度で１時間熟成し反応を完結させた。冷却後１０％塩酸
を加え分解し、水洗、乾燥後シリカゲルクロマトにより
精製し０．５５ｇの２，３−ジブロモ−６−ナフチルメ
タノールを得た（収率３０％）。[Synthesis of 2,3-dibromo-6-naphthylmethanol] Into a 100ml four-bottle flask equipped with a stirrer, a thermometer, two dropping tubes, and a condenser, was added 9 to 100,14. A solution of 2.0 g (5.8 mmol) of methyl 2,3-dibromo-6-naphthoate dissolved in tetrahydrofuran lOmQ was prepared at 0 to 10°C for 30 minutes. dripped. Seven hours after the completion of the dropwise addition, the mixture was aged at the same temperature for 1 hour to complete the reaction. After cooling, 10% hydrochloric acid was added for decomposition, washing with water, drying, and purification by silica gel chromatography to obtain 0.55 g of 2,3-dibromo-6-naphthylmethanol (yield: 30%).
融点：１４０〜１４１℃ マススペクトル：３１６（Ｍ＋） ”ＩＩＮＭＲスペクトル（２００Ｍ Ｈｚ 。Melting point: 140-141℃ Mass spectrum: 316 (M+) "IINMR spectrum (200MHz).
ＣＤＣｕａ）
δ（ｐｐｍ） １．８ （ｓ 、 Ｉ Ｈ，−ＣＨｚＯ
Ｈ）４−８ （ｓ ＋ ２ Ｈｔ ＣＨ２０Ｈ）７．
２〜８ 、２ （ｍ 、 ５１−ｆ 、ナフタレン環）
第１３図にマススペクトル、第１４図にＮＭＲスペクト
ル、第１５図に赤外線吸収スペクトルを示す。CDCua) δ (ppm) 1.8 (s, IH, -CHzO
H) 4-8 (s + 2 Ht CH20H)7.
2-8, 2 (m, 51-f, naphthalene ring) Figure 13 shows the mass spectrum, Figure 14 shows the NMR spectrum, and Figure 15 shows the infrared absorption spectrum.
［６−カプリロイルオキシメチル−２，３−ジブロモナ
フタレンの合成コ
攪拌機、温度計２滴下ロートおよび冷却管を装偏した５
００ｍＱの四つロフラスコに、２，３−ジブロモ−６−
ナフチルメタノール８７．０ｇ（０，２７モル）及びト
ルエン２６０ｍＱを仕込み。[6-Capryloyloxymethyl-2,3-dibromonaphthalene synthesis co-equipped with a stirrer, a thermometer, two dropping funnels, and a cooling tube.
2,3-dibromo-6-
87.0 g (0.27 mol) of naphthylmethanol and 260 mQ of toluene were charged.
ｎ−カプリル酸クロリド４７．３ｇ（０，３５モル）を
１０５〜１１０℃で３０分で滴下したヶ滴下終了後１１
０〜１１５℃で熟成し反応を完結させた。47.3 g (0.35 mol) of n-caprylic acid chloride was added dropwise at 105 to 110°C over 30 minutes.
The reaction was completed by aging at 0 to 115°C.
冷却後６％炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄後水洗、乾
燥し、減圧濃縮し得られた残さをアセトン５００ｒｒｌ
ｌより再結晶して１１１ｇの６−カプリロイルオキシメ
チル−２，３−ジブロモナフタレンを得た（収率９９％
）。After cooling, wash with 6% sodium bicarbonate aqueous solution, wash with water, dry, and concentrate under reduced pressure. The resulting residue was added with 500 rrl of acetone.
111 g of 6-capryloyloxymethyl-2,3-dibromonaphthalene was obtained (yield 99%).
).
融点：４４〜４５℃ マススペクトル：４４２（Ｍ＋） ”ＨＮＭＲスペクトル（２００Ｍ Ｈｚ 。Melting point: 44-45℃ Mass spectrum: 442 (M+) "HNMR spectrum (200MHz).
ＣＤＣ１１！３） δ（ｐｐｍ）０．８〜２．５（ｍ、ｌ ＩＨ。CDC11!3) δ (ppm) 0.8-2.5 (m, l IH.
ｎ −Ｃ５１−Ｉ １１ ＣＯＯ−）
５．２（ｓ、２Ｈ，−ＣＨｚ○Ｃ０−）７．４〜８．１
（ｍ、５Ｈ，ナフタ
レン環）
第１６図にマススペクトル、第１７図にＮＭＲスペクト
ル、第１８図に赤外線吸収スペクトルを示す。n -C51-I 11 COO-) 5.2 (s, 2H, -CHz○C0-) 7.4-8.1
(m, 5H, naphthalene ring) Figure 16 shows the mass spectrum, Figure 17 shows the NMR spectrum, and Figure 18 shows the infrared absorption spectrum.
［６−カプリロイルオキシメチル−２，３−ジシアノナ
フタレンの合成］
攪拌機、温度計２滴下ロートおよび冷却管を装ｊｉｆｆ
した３Ｑの四つロフラスコに、６−カプリロイルオキ
シメチル−２，３−ジブロモナフタレン１１１ｇ（０，
２７モル）、シアン化第−銅７３゜Ｏｇ（０，８０モル
）及びＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド１ρを仕込み、１
５０〜１５５℃で３時間反応した。冷却後反応液を１５
％アンモニア水２５００ｍＱに注ぎ結晶を晶析させた。[Synthesis of 6-capryloyloxymethyl-2,3-dicyanonaphthalene] Equipped with a stirrer, a thermometer, two dropping funnels, and a cooling tube.
111 g of 6-capryloyloxymethyl-2,3-dibromonaphthalene (0,
27 mol), 73°Og (0.80 mol) of cupric cyanide, and 1ρ of N,N-dimethylformamide.
The reaction was carried out at 50-155°C for 3 hours. After cooling, the reaction solution was
% ammonia water to precipitate crystals.
晶析した結晶をベンゼン１５００ ｍ Ｑで抽出後、減
圧濃縮し得られた浅さをシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーにより精製し、ベンゼン／酢酸エチル＝９８７２
のａ合溶剤により溶出してきた部分より６−カプリロイ
ルオキシメチル−２，３−ジシアノナフタレン５６．４
ｇを１１）だ（収率６８％）。The crystallized crystals were extracted with benzene 1500 mQ, concentrated under reduced pressure, and the resulting shallow layer was purified by silica gel column chromatography to obtain benzene/ethyl acetate = 9872.
6-capryloyloxymethyl-2,3-dicyanonaphthalene 56.4 from the part eluted by the solvent mixture a.
g is 11) (yield 68%).
融点＝８７〜８８℃ マススペクトル：３３４（Ｍ＋） １１−ＩＮＭＲスペクトル（２００ＭＩＩｚ。Melting point = 87-88℃ Mass spectrum: 334 (M+) 11-INMR spectrum (200 MIIz.
ＣＤＣ：１２ｇ） δ（ｐｐｍ）０．８〜２．５（ｍ、 １１Ｈ。CDC: 12g) δ (ppm) 0.8-2.5 (m, 11H.
ｎ 二Ｃ３ＨｔｔＣＯＯ）
５．３（ｓ、２Ｈ，−Ｃ）［ｚＯＣＯ）７．７〜８．４
（ｍ、５Ｈ，ナフタ
レン環）
Ｉ Ｒスペクトル（νＣＮ）２２００■−１第１９図に
マススペクトル、第２０図にＮＭＲスペクトル、第２１
図に赤外線吸収スペクトルを示す。n 2C3HttCOO) 5.3 (s, 2H, -C) [zOCO) 7.7-8.4
(m, 5H, naphthalene ring) IR spectrum (νCN) 2200■-1 Figure 19 shows the mass spectrum, Figure 20 shows the NMR spectrum, Figure 21
The figure shows the infrared absorption spectrum.
［テトラキス（オクチロキシメチル）−ジクロロシリコ
ンナフクロシアニンの合成コ
ロ−カプリロイルオキシメチル−２，３−ジンアノナフ
タレン５ｇ、モリブデン酸アンモニウム３０ ｍ ｇ
＋尿素２５ｇを三つロフラスコに入れ、よく混合する。[Synthesis of tetrakis(octyloxymethyl)-dichlorosilicon naphcrocyanine 5 g of coro-capryloyloxymethyl-2,3-zinano-naphthalene, 30 mg of ammonium molybdate
+Pour 25g of urea into three flasks and mix well.
これを、窒素ガス雰囲気下で四塩化けい素３ｍＱを加え
た後、４時間還流した。冷却後、ろ過、水洗、乾燥し、
テトラキス（オクチロキシメチル）−ジクロ口シリコ
ンナフタロシア二ン１ｋを得た。This was refluxed for 4 hours after adding 3 mQ of silicon tetrachloride under a nitrogen gas atmosphere. After cooling, filter, wash, dry,
Tetrakis(octyloxymethyl)-dichlorosilicon naphthalocyanine 1k was obtained.
第２２図に溶液吸収スペクトル、第２３図に赤外線吸収
スペクトルを示す。FIG. 22 shows the solution absorption spectrum, and FIG. 23 shows the infrared absorption spectrum.
［テトラキス（オクチロキシメチル）−ジヒドロキシシ
リコンナフタロシアニンの合成］
テトラキス（オクチロキシメチル）−ジクロロシリコン
ナフタロシアニン１ｇにアンモニア水４００ｍ１２を入
れ、３時間還流した６冷却後、ろ過、水洗、乾燥し、テ
トラキス（オクチロキシメチル）−ジヒドロキシシリコ
ンナフタロシアニン３ＱＱｍｇを得た。[Synthesis of Tetrakis(octyloxymethyl)-dihydroxysilicon naphthalocyanine] 400 ml of ammonia water was added to 1 g of Tetrakis(octyloxymethyl)-dichlorosilicon naphthalocyanine and refluxed for 3 hours. After cooling, filtering, washing with water, drying, and Tetrakis (Octyloxymethyl)-dihydroxysilicon naphthalocyanine 3QQmg was obtained.
第２４図に溶液吸収スペクトル、第２５図に赤外線吸収
スペクトルを示す。FIG. 24 shows the solution absorption spectrum, and FIG. 25 shows the infrared absorption spectrum.
上記で合成したテトラキス（オクチロキシメチル）−ジ
ヒドロキシシリコンナフタロシアニンをシクロヘキサン
に溶解させ、１％の溶液を調製し、回転塗布法により
１ 、２ ｍ ｍ ｔのガラス基板上に６０ｎｍの記録
膜層を形成した。The tetrakis(octyloxymethyl)-dihydroxysilicon naphthalocyanine synthesized above was dissolved in cyclohexane to prepare a 1% solution, and the solution was applied by spin coating.
A recording film layer of 60 nm was formed on a glass substrate of 1 and 2 m m t.
該記録膜層を有する記録媒体に波長８３０ｎｍのレーザ
ー光を照射し、記録特性を評価したところ、６ｍＷ、１
００ｎｓで記録が可能であった。When the recording medium having the recording film layer was irradiated with a laser beam with a wavelength of 830 nm and the recording characteristics were evaluated, it was found that 6 mW, 1
Recording was possible in 00 ns.
一方、再生劣化に対する安定性を評価するため１ｍＷの
読出し光をくり返し照射したが、 １０８回照射しても
反射率に変化を生じなかった。On the other hand, in order to evaluate the stability against reproduction deterioration, 1 mW readout light was repeatedly irradiated, but no change occurred in the reflectance even after irradiation 108 times.
次に、上記の本発明のテトラキス（オクチロキシメチル
）−ジヒドロキシシリコンナフタロシアニンの、各種有
機溶剤に対する溶解性を調べた。Next, the solubility of the above-mentioned tetrakis(octyloxymethyl)-dihydroxysilicon naphthalocyanine of the present invention in various organic solvents was investigated.
試料ＬＯＯｍｇを各種溶剤０ 、５ ｍ Ｑ に加え
て溶解させ、これをろ過してろ紙に残った量を計量し、
溶解度を求めた。結果を第１表に示す。Add LOOmg of the sample to 0.5 mQ of various solvents to dissolve it, filter it and weigh the amount remaining on the filter paper,
Solubility was determined. The results are shown in Table 1.
なお、比較のために ビス（トリへキシルシロキシ）シ
リコンナフタロシアニンのクロロホルムに対する溶解度
を調べたが０．３重量％程度であった。For comparison, the solubility of bis(trihexylsiloxy)silicon naphthalocyanine in chloroform was investigated and was found to be approximately 0.3% by weight.
第１表の結果から、本発明のフタロシアニン系化合物の
溶解性が優れていることが明らかである。From the results in Table 1, it is clear that the phthalocyanine compounds of the present invention have excellent solubility.
実施例２
先に例示したＣ ｕ Ｐ ｃ ［ＣＩ４ ｚｏ Ｃ２Ｈ
ｓ］ ：テトラキス（エトキシメチル）銅フタロシアニ
ンを前記実施例１に７（Ｑじて合成した。この化合物を
クロロホルムに溶解し、１％の溶液を調製し、回転塗布
法で、 １．２ｍｍｔガラス基板上に６０ｎｍの記録膜
層を形成した。１亥膜を形成した記録媒体に波長６９０
ｎｍのレーザー光を照射し、記録特性を評価したところ
、６ｍＷ、２００ｎＳで記録が可能であった。一方、再
生劣化に対する安定性を評価するため１ｍＷの読み出し
光をくり返し照射したが、１０６回照射しても反射率に
変化が生じなかった。Example 2 The previously exemplified C u P c [CI4 zo C2H
s]: Tetrakis(ethoxymethyl)copper phthalocyanine was synthesized according to Example 1 above. This compound was dissolved in chloroform to prepare a 1% solution, and applied to a 1.2 mm thick glass substrate by spin coating. A recording film layer of 60 nm was formed on the recording medium with a wavelength of 690 nm.
When the recording characteristics were evaluated by irradiating with nm laser light, recording was possible at 6 mW and 200 nS. On the other hand, in order to evaluate the stability against reproduction deterioration, 1 mW readout light was repeatedly irradiated, but no change occurred in the reflectance even after irradiation 106 times.
実施例３
先に例示したＶ ＯＮ ｃ （ＣＩ（２０Ｃ３Ｈ１１）
４ ：テトラキス（アミロキシメチル）バナジルナフタ
ロシアニンを前記実施例１に準じて合成し、クロロホル
ムに溶解して１．０％の溶液を調製した。これを回転塗
布法で塗布して １ 、２ ｍ ｍ ｔガラス基板」二
に７０ｎｍの記録膜Ｊ＋ηを形成した。Example 3 V ON c (CI (20C3H11)
4: Tetrakis(amyloxymethyl)vanadylnaphthalocyanine was synthesized according to Example 1, and dissolved in chloroform to prepare a 1.0% solution. This was coated by a spin coating method to form a 70 nm recording film J+η on a 1 and 2 m m t glass substrate.
両膜を形成した記録媒体に波長８３０ｎｍの半導体レー
ザー光をガラス基板側から照射し、記録特性を評価した
ところ、ビーム径１．６ μｍ、線速度２ ｍ／ ｓ
、 ’７ ｍＷで記録が可能であった。When the recording medium on which both films were formed was irradiated with semiconductor laser light with a wavelength of 830 nm from the glass substrate side and the recording characteristics were evaluated, the beam diameter was 1.6 μm and the linear velocity was 2 m/s.
, recording was possible at 7 mW.
一方、再生劣化に対する安定性を評価するため０．８ｍ
Ｗの読出し光をくり返し照射したが、１０６回くり返し
ても反射率に変化が生じなかった。On the other hand, in order to evaluate the stability against playback deterioration,
The W readout light was repeatedly irradiated, but no change occurred in the reflectance even after 106 repetitions.
実施例４
先に例示した（（ＣｚＨ３） ａｓ ｉ ０）ｚＧ ｅ
Ｐ ｃ −［ＣＨｚ（）ＣａＨｔ７ｂ ：テ１−ラ
キス（オクチロキシメチル）−ビス（トリエチルシロキ
シ）ゲルマニウムフタロシアニンを前記実施例１に準じ
て合成し、トリクロロエタンに溶解して１．５ｗｔ％の
溶液を調製した。Example 4 Previously exemplified ((CzH3) as i 0)zG e
P c -[CHz()CaHt7b: Te1-rakis(octyloxymethyl)-bis(triethylsiloxy)germanium phthalocyanine was synthesized according to Example 1 and dissolved in trichloroethane to prepare a 1.5 wt% solution. did.
該溶液を回転塗布法で塗布して １ 、２ ｍ ｍ ｔ
ガラス基板上に６０ｎｍの記録膜層を形成した。The solution was applied by spin coating method to 1,2 m m t.
A 60 nm recording film layer was formed on a glass substrate.
両膜を形成した記録媒体に波長８７０ｎｍの半導体レー
ザー光をガラス基板側から照射し、記録特性を評価した
ところ、８ｍＷ、２００ｎ ｓで記録が可能であった。When the recording medium on which both films were formed was irradiated with semiconductor laser light with a wavelength of 870 nm from the glass substrate side and the recording characteristics were evaluated, recording was possible at 8 mW and 200 ns.
一方、再生劣化に対する安定性を評価するため、１ｍＷ
の読み出し光をくり返し照射したが、１０６回くり返し
ても反射率に変化が生じなかった。On the other hand, in order to evaluate stability against playback deterioration,
The readout light was repeatedly irradiated, but no change occurred in the reflectance even after irradiation was repeated 106 times.
実施例５
先に例示した（（ｎ−Ｃ６Ｈ１３）３Ｓ ｉ○）２Ｓ
ｉ −Ｎ ｃ （ＣＨｚＯＣ２Ｉ（Ｉｓ）４ ：テトラ
キス（エトキシエチル）−ビス（トリへキシルシリルオ
キシ）シリコンナフタロシアニンを前記実施例１に準じ
て合成し、ジクロロエタンに溶解して １．０％の溶液
を調製した。Example 5 Previously exemplified ((n-C6H13)3S i○)2S
i-Nc (CHzOC2I(Is)4: Tetrakis(ethoxyethyl)-bis(trihexylsilyloxy)silicon naphthalocyanine was synthesized according to Example 1, and dissolved in dichloroethane to form a 1.0% solution. was prepared.
該溶液を回転塗布法で塗布し、１．２ ｍｍｔガラス基
板上に６０ｎｍの記録層を形成した。The solution was applied by spin coating to form a 60 nm recording layer on a 1.2 mmt glass substrate.
該記録層を形成した記録媒体に波長８３０ｎｍの半導体
レーザー光をガラス基板側から照射し記録特性を評価し
たところ、ビーム径 １．６μｍ。When the recording characteristics of the recording medium on which the recording layer was formed were irradiated with semiconductor laser light with a wavelength of 830 nm from the glass substrate side, the beam diameter was 1.6 μm.
線速度２ ｍ／ ｓ 、 ６ ｍＷで記録が可能であっ
た。Recording was possible at a linear velocity of 2 m/s and 6 mW.
一方、再生劣化に対する安定性を評価するため１ｍＷの
読出し光をくり返し照射したが、 １０’回くり返して
も反射率の変化が生じなかった。On the other hand, in order to evaluate stability against reproduction deterioration, 1 mW readout light was repeatedly irradiated, but no change in reflectance occurred even after 10' repetitions.
〔発明の効果コ
本発明のフタロシアニン系化合物は、一般の有機溶剤に
よく溶け、半導体レーザー光の６００〜９００ｎｍ付近
に吸収を有し、かつ、光反射率の高い膜を形成すること
ができるので、光学的情報記録媒体用として優れている
。[Effects of the Invention] The phthalocyanine compound of the present invention dissolves well in general organic solvents, has absorption in the vicinity of 600 to 900 nm of semiconductor laser light, and can form a film with high light reflectance. , excellent for use in optical information recording media.
該化合物を用いた光学的情報記録媒体は、情報の記録、
再生精度の高いものを得ることができる。An optical information recording medium using the compound can record information,
Highly accurate reproduction can be obtained.
第１図、第４図、第７図、第１０図、第１３図。
第１６図および第１９図は本発明の実施例で合成した化
合物のマススペクトル図、第２図、第５５゜第８図、第
１１図、第１４図、第１７図および第２０図は本発明の
実施例で合成した化合物のＮＭＲスペクトル図、第３図
、第６図、第９図、第１２図、第１５図、第１８図、第
２１図、第２３図および第２５図は本発明の実施例で合
成した化合物の赤外線吸収スペクトル図、第２２図およ
び第２４図は本発明の実施例で合成した化合物の溶液吸
収スペクトル図である。1, 4, 7, 10, and 13. Figures 16 and 19 are mass spectra of compounds synthesized in Examples of the present invention; The NMR spectra of the compounds synthesized in the Examples of the invention, Figures 3, 6, 9, 12, 15, 18, 21, 23, and 25 are shown in this book. Infrared absorption spectra of compounds synthesized in Examples of the present invention, Figures 22 and 24 are solution absorption spectra of compounds synthesized in Examples of the present invention.
Claims (1)
水素、直鎖または分岐アルキル基であり同じでも異なっ
てもよい。ｎは同一または異なる１〜４の整数であり、
Ｙ＿１及びＹ＿２は−Ｒ、−Ａｒ、基より選択された基
である）であり同じでも異なってもよい。ｍ、ｐは０ま
たは１の整数であり、Ｍは金属、金属の酸化物、金属の
ハロゲン化物または金属の水酸化物を示す。〕で表され
るフタロシアニン系化合物。 ２、前記一般式（ I ）および（II）におけるＭが I ｂ
族、IIａ族、IIｂ族、IIIａ族、IVａ族、Ｖｂ族、VIｂ
族、VIIｂ族、VIII族の金属、金属の酸化物、金属のハ
ロゲン化物、または、金属の水酸化物であることを特徴
とする請求項第１項記載のフタロシアニン系化合物。 ３、前記一般式（ I ）および（II）におけるＭがＣｕ
、Ｚｎ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａ
ｌＣｌ、ＡｌＯＨ、 ＴｉＯ、ＧｅＣｌ＿２、ＳｉＣｌ＿２、ＦｅＣｌ、Ｓｉ
（ＯＨ）＿２、Ｇｅ（ＯＨ）＿２、ＳｎＣｌ＿２、Ｓｎ
（ＯＨ）＿２、ＩｎＣｌ、ＶＯまたはＭｎＣｌであるこ
とを特徴とする請求項第１項記載のフタロシアニン系化
合物。 ４、前記一般式（ I ）および（II）におけるＹ＿１お
よび／またはＹ＿２が、トリアルキルシリルオキシ基で
あることを特徴とする請求項第１項記載のフタロシアニ
ン系化合物。 ５、基板上に、前記一般式（ I ）または（II）で示さ
れるフタロシアニン系化合物の少なくとも１種を含む記
録層が形成されていることを特徴とする光学的情報記録
媒体。 ６、前記一般式（ I ）および（II）におけるＭが I ｂ
族、IIａ族、IIｂ族、IIIａ族、IVａ族、Ｖｂ族、VIｂ
族、VIIｂ族、VIII族の金属、金属の酸化物、金属のハ
ロゲン化物または金属の水酸化物であることを特徴とす
る請求項第５項記載の光学的情報記録媒体。 ７、前記一般式（ I ）および（II）におけるＭがＣｕ
、Ｚｎ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａ
ｌＣｌ、ＡｌＯＨ、 ＴｉＯ、ＧｅＣｌ＿２、ＳｉＣｌ＿２、ＦｅＣｌ、Ｓｉ
（ＯＨ）＿２、Ｇｅ（ＯＨ）＿２、ＳｎＣｌ＿２、Ｓｎ
（ＯＨ）＿２、ＩｎＣｌ、ＶＯまたはＭｎＣｌであるこ
とを特徴とする請求項第５項記載の光学的情報記録媒体
。 ８、前記一般式（ I ）または（II）におけるＹ＿１お
よび／またはＹ＿２が、トリアルキルシリルオキシ基で
あることを特徴とする請求項第５項記載の光学的情報記
録媒体。 ９、一般式（ I ）または（II）で表わされるフタロシ
アニン系化合物の少なくとも１種を有機溶剤に溶解し、
該溶液を基板表面に塗布することにより記録層を形成す
ることを特徴とする光学的情報記録媒体の製法。[Claims] 1. General formula (I) ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼...(I) ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼...(II) [Formula (I) and (II) In, R_1 to R_4 are hydrogen, a straight chain or a branched alkyl group, and may be the same or different. n is the same or different integer of 1 to 4,
Y_1 and Y_2 are groups selected from -R, -Ar, and groups) and may be the same or different. m and p are integers of 0 or 1, and M represents a metal, a metal oxide, a metal halide, or a metal hydroxide. ] A phthalocyanine compound represented by 2. M in the general formulas (I) and (II) is I b
Group IIa Group IIb Group IIIa Group IVa Group Vb Group VIb
2. The phthalocyanine compound according to claim 1, which is a metal of Group VIIb or Group VIII, a metal oxide, a metal halide, or a metal hydroxide. 3. M in the above general formulas (I) and (II) is Cu
, Zn, Mg, Al, Ge, Ti, Sn, Pb, Cr,
Mo, Mn, Fe, Co, Ni, In, Pt, Pd, A
lCl, AlOH, TiO, GeCl_2, SiCl_2, FeCl, Si
(OH)_2, Ge(OH)_2, SnCl_2, Sn
The phthalocyanine compound according to claim 1, which is (OH)_2, InCl, VO, or MnCl. 4. The phthalocyanine compound according to claim 1, wherein Y_1 and/or Y_2 in the general formulas (I) and (II) are trialkylsilyloxy groups. 5. An optical information recording medium, characterized in that a recording layer containing at least one phthalocyanine compound represented by the general formula (I) or (II) is formed on a substrate. 6. M in the general formulas (I) and (II) is I b
Group IIa Group IIb Group IIIa Group IVa Group Vb Group VIb
6. The optical information recording medium according to claim 5, which is a metal, a metal oxide, a metal halide, or a metal hydroxide of Group VIIb, Group VIII. 7. M in the above general formulas (I) and (II) is Cu
, Zn, Mg, Al, Ge, Ti, Sn, Pb, Cr,
Mo, Mn, Fe, Co, Ni, In, Pt, Pd, A
lCl, AlOH, TiO, GeCl_2, SiCl_2, FeCl, Si
(OH)_2, Ge(OH)_2, SnCl_2, Sn
6. The optical information recording medium according to claim 5, wherein the optical information recording medium is (OH)_2, InCl, VO, or MnCl. 8. The optical information recording medium according to claim 5, wherein Y_1 and/or Y_2 in the general formula (I) or (II) is a trialkylsilyloxy group. 9. Dissolving at least one phthalocyanine compound represented by general formula (I) or (II) in an organic solvent,
A method for producing an optical information recording medium, which comprises forming a recording layer by applying the solution onto the surface of a substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1023550A JPH02202556A (en) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | Phthalocyanine-based compound, optical information recording medium using the same compound and production thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1023550A JPH02202556A (en) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | Phthalocyanine-based compound, optical information recording medium using the same compound and production thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02202556A true JPH02202556A (en) | 1990-08-10 |
Family
ID=12113596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1023550A Pending JPH02202556A (en) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | Phthalocyanine-based compound, optical information recording medium using the same compound and production thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02202556A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009128750A (en) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Konica Minolta Business Technologies Inc | Electrostatic charge image developing cyan toner |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP1023550A patent/JPH02202556A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009128750A (en) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Konica Minolta Business Technologies Inc | Electrostatic charge image developing cyan toner |
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