JPH0220211Y2 - - Google Patents
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Description
【考案の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本考案は、一つのコーテングロールによるロー
ルコーター式スパツタリング装置に関するもので
あり、更に詳しくはロールに巻取られたフイルム
状物を連続的にスパツタリングする装置を改良す
ることによつて、均一な安定した優れた金属又は
金属化合物の薄膜をフイルム上に形成するための
装置に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a roll coater type sputtering device using one coating roll, and more specifically, a method for continuously sputtering a film-like material wound on a roll. The present invention relates to an apparatus for forming a uniform, stable, and excellent thin film of a metal or metal compound on a film by improving an apparatus for forming a thin film of a metal or metal compound on a film.
［従来の技術］
従来２チヤンバー式のロールコーター式スパツ
タリング装置は、ポリエステルフイルムに代表さ
れるような巻き状態の良好なロール状物のフイル
ムにスパツタリングすることが前提となつた装置
であつた。このためにロール巻出し装置部とロー
ル巻取り装置部とのチヤンバー及びスパツタリン
グチヤンバーからなる２チヤンバー式のスパツタ
リング装置しかなかつた。[Prior Art] A conventional two-chamber roll coater sputtering device was designed to sputter a well-wound film such as a polyester film. For this reason, there was only a two-chamber type sputtering device consisting of a chamber for a roll unwinding device section and a roll winding device section, and a sputtering chamber.
しかしながらエレクトロニクス、オプトエレク
トロニクス等の分野において、金属又は金属化合
物をスパツタリングし薄膜を形成させるべき相手
フイルムに多機能性が要求されてきており、種々
の特性を有するフイルムにスパツタリングするこ
とが望まれてきている。 However, in the fields of electronics, optoelectronics, etc., there is a growing demand for multi-functionality in the mating film on which metals or metal compounds are sputtered to form thin films, and it has become desirable to sputter films with various properties. There is.
これらのフイルムとしては、機械的強度上フイ
ルム切れ等の問題により、堅く巻取れないものや
厚み精度が不十分で片面もしくは両面に何らかの
理由で凹凸状となつたもの等は、ロールに巻き上
げたときフイルム間〓に空気を多量に巻き込んで
おり、このままでの状態ではスパツタリングしよ
うとした場合これらの空気の影響によりスパツタ
リングチヤンバーの真空度が変動してしまい、フ
イルム上に均一な優れた金属又は金属化合物の薄
膜を形成することは非常に困難であつた。又更に
これらに対処するために、一旦ロール状に巻取つ
たフイルムを更に真空中で巻き返えしたロール状
フイルムをスパツタリング装置にセツトするとき
にどうしても常圧の空気にさらされてしまうた
め、空気を再び巻き込んでしまうという問題は解
決され得なかつた。 These films may not be able to be wound tightly due to mechanical strength problems such as film breakage, or films with insufficient thickness accuracy and unevenness on one or both sides for some reason, etc., when rolled up. A large amount of air is trapped between the films, and if sputtering is attempted in this state, the degree of vacuum in the sputtering chamber will fluctuate due to the influence of this air, making it impossible to create a uniform, high quality metal on the film. Alternatively, it has been extremely difficult to form a thin film of a metal compound. Furthermore, in order to deal with these problems, when the film is wound into a roll and then rewound in a vacuum, it is inevitably exposed to air at normal pressure when it is set in a sputtering device. The problem of involving the government again could not be resolved.
［考案が解決しようとする課題］
本考案は、従来良好に行えなかつたフイルム間
に多量の空気を有するロール状に巻き取つたフイ
ルムに、均一な優れた金属又は金属化合物の薄膜
をスパツタリングにより形成させようと種々検討
を行つた結果、巻出しチヤンバーをスパツタリン
グチヤンバーとは隔壁を２層設けて隔離し別室に
することによつてはじめて達成したものである。[Problem to be solved by the invention] The invention aims to form a uniform thin film of a superior metal or metal compound by sputtering on a film wound into a roll with a large amount of air between the films, which has conventionally been difficult to achieve. As a result of various studies to achieve this goal, we were able to achieve this for the first time by separating the unwinding chamber from the sputtering chamber by installing two layers of partition walls and creating a separate room.
［課題を解決するための手段］
本考案は、一つのコーテングロール５によるロ
ールコーター式スパツタリング装置において、ス
パツタリングチヤンバー１２は巻取りチヤンバー
１１とフイルム走行スリツト７，７′を有する隔
壁１３、により隔離されており、更に巻出しチヤ
ンバー１０は巻取りチヤンバー１１とフイルム繰
り出しスリツト３を設けた隔壁２とにより隔離さ
れており、又該巻出しチヤンバー１０、該巻取り
チヤンバー１１及びスパツタリングチヤンバー１
２には独立した真空排気口８，８′，８″をそれぞ
れ設けてなることを特徴とするロールコーター式
スパツタリング装置である。[Means for Solving the Problems] The present invention provides a roll coater type sputtering device using one coating roll 5, in which the sputtering chamber 12 includes a winding chamber 11, a partition wall 13 having film running slits 7, 7', The unwinding chamber 10 is further separated by a winding chamber 11 and a bulkhead 2 provided with a film unwinding slit 3, and the unwinding chamber 10, the winding chamber 11 and the sputtering chamber bar 1
This is a roll coater type sputtering apparatus characterized in that each of the parts 2 is provided with independent vacuum exhaust ports 8, 8', and 8''.
［作用］
本考案を図面により詳細に説明する。第１図は
本考案のロールコーター式スパツタリング装置の
構造を示す模式断面図である。[Operation] The present invention will be explained in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the roll coater type sputtering apparatus of the present invention.
巻出しチヤンバー１０は、フイルム巻出しロー
ル１を設け、かつフイルム繰り出し部スリツト３
を設けた隔壁２により隔離され別室となつてお
り、この巻出しチヤンバー１０は独立した真空排
気装置（図示せず）により真空排気される真空排
気口８を有している。フイルム６はフイルム巻出
し部１よりフイルム繰り出しスリツト３を通り、
巻取りチヤンバー１１内に繰り出され、ロールコ
ーター５と隔壁１３との間に形成されているフイ
ルム走行スリツト７を経てスパツタリングチヤン
バー１２内に導入され、金属又は金属化合物がフ
イルム６上にスパツタリングされ、薄膜が形成さ
れる。更にスパツタリングされた後にフイルム６
はフイルム走行スリツト７′を経て巻取りチヤン
バー１１内に戻り、巻取りロール４に巻取られて
スパツタリングは終了する。 The unwinding chamber 10 is provided with a film unwinding roll 1 and a film unwinding section slit 3.
The unwinding chamber 10 is separated by a partition wall 2 provided with a vacuum chamber 10, and has a vacuum exhaust port 8 that is evacuated by an independent vacuum exhaust device (not shown). The film 6 passes from the film unwinding section 1 through the film unwinding slit 3,
The film is unwound into the take-up chamber 11 and introduced into the sputtering chamber 12 through the film running slit 7 formed between the roll coater 5 and the partition wall 13, and the metal or metal compound is sputtered onto the film 6. and a thin film is formed. After further sputtering, film 6
The film passes through the film running slit 7' and returns to the take-up chamber 11, where it is taken up by the take-up roll 4 and sputtering is completed.
本装置においては、巻取りチヤンバー１１、ス
パツタリングチヤンバー１２及び巻出しチヤンバ
ー１０が真空排気され、次いでスパツタリングチ
ヤンバー１２にスパツタガスを導入し、スパツタ
リングチヤンバー１２をグロー放電領域に圧力を
保ちつつターゲツト１４に電力を印加してスパツ
タリングを行う。 In this device, the winding chamber 11, the sputtering chamber 12, and the unwinding chamber 10 are evacuated, and then sputtering gas is introduced into the sputtering chamber 12, and the sputtering chamber 12 is turned into a glow discharge region. Sputtering is performed by applying electric power to the target 14 while maintaining the pressure.
本装置において巻出しチヤンバー１０は、巻取
りチヤンバー１１より隔離されており、別系統の
真空排気装置に排気されており、更に巻取りチヤ
ンバー１１はスパツタリングチヤンバー１２より
隔離されているので、フイルム巻出し時に発生す
るフイルム間〓からの空気による真空圧力変動
は、スパツタリングチヤンバー１２の真空圧力に
殆ど影響を与えず、均一に安定した優れた連続ス
パツタリングが可能になる。 In this device, the unwinding chamber 10 is isolated from the winding chamber 11 and is evacuated by a separate vacuum exhaust system, and furthermore, the winding chamber 11 is isolated from the sputtering chamber 12. Vacuum pressure fluctuations caused by air from between the films that occur during film unwinding have little effect on the vacuum pressure in the sputtering chamber 12, making it possible to achieve uniform, stable, and excellent continuous sputtering.
即ち多量の空気を含んだロール状フイルム中の
空気は、先ず巻出しチヤンバー１０内で独立した
真空排気装置によつて真空排気口８より排気され
る。次いで巻取りチヤンバー１１内をフイルム６
が走行する間に別の真空排気装置によつて、更に
空気は真空排気口８′により排気されてフイルム
走行スリツト７を通つてスパツタリングチヤンバ
ー１２内にフイルム６が送られてくる。スパツタ
リングチヤンバー１２内は更に別の真空排気装置
によつて真空排気口８″より排気しているので、
スパツタリングチヤンバー内の真空圧力は一定と
なり、該フイルム６にはスパツタリングが均一に
安定して行えるのである。次いでスパツタリング
されたフイルム６は、フイルム走行スリツト７′
を通つて、又巻取りチヤンバー１１内に戻り巻取
りロールに巻取られてスパツタリング工程は終了
する。 That is, the air in the rolled film containing a large amount of air is first evacuated from the evacuation port 8 by an independent evacuation device within the unwinding chamber 10. Next, the film 6 is passed through the winding chamber 11.
During the travel of the film 6, air is further evacuated by another vacuum evacuation device through a vacuum exhaust port 8', and the film 6 is sent into the sputtering chamber 12 through the film running slit 7. The inside of the sputtering chamber 12 is further evacuated from the vacuum exhaust port 8'' by another vacuum exhaust device.
The vacuum pressure in the sputtering chamber becomes constant, and sputtering can be uniformly and stably performed on the film 6. The sputtered film 6 is then passed through the film running slit 7'.
The sputtering process is completed by returning to the take-up chamber 11 and being wound up on the take-up roll.
［実施例］
第１図に示す装置を用い、フイルム６として
100μｍのポリエーテルサルホンフイルムのロー
ル状物を用いた。このフイルムの厚みのバラツキ
は±15％であり、ロール中に大量の空気を巻き込
んで含んでいるものである。[Example] Using the apparatus shown in FIG.
A roll of 100 μm polyether sulfone film was used. The thickness of this film varies by ±15%, and a large amount of air is trapped in the roll.
ターゲツト１４の金属としてインジウム・スズ
合金を用い、巻出しチヤンバー１０、巻取りチヤ
ンバー１１及びスパツタリングチヤンバー１２を
約30分排気口より排気し系全体の真空度を５×
10-3Torrとした。次いでスパツタリングチヤン
バー１２にアルゴンと酸素の混合ガスをスパツタ
リングガス供給口９より導入し、反応性スパツタ
リング法によりスパツタリングを行い、透明導電
薄膜を形成させた。 Indium-tin alloy is used as the metal of the target 14, and the unwinding chamber 10, the winding chamber 11, and the sputtering chamber 12 are evacuated from the exhaust port for about 30 minutes to bring the vacuum level of the entire system to 5×.
10 -3 Torr. Next, a mixed gas of argon and oxygen was introduced into the sputtering chamber 12 through the sputtering gas supply port 9, and sputtering was performed by a reactive sputtering method to form a transparent conductive thin film.
尚連続スパツタリング中には巻出しチヤンバー
１０は真空排気装置により常時１×10-3Torr以
下となるように保ち真空排気口８より排気を続け
た。フイルムの走行速度は１ｍ／minで、インジ
ウム・スズ酸化物の薄膜を300Å厚に形成させた。 During continuous sputtering, the unwinding chamber 10 was kept at a constant pressure of 1×10 -3 Torr or less using a vacuum evacuation device, and evacuation was continued through the vacuum exhaust port 8. The running speed of the film was 1 m/min, and a thin film of indium tin oxide was formed to a thickness of 300 Å.
この時のスパツタリングチヤンバー１２の圧力
変動は±0.2×10-3Torrであり、得られたインジ
ウム・スズ酸化物を付したフイルムのシート抵抗
は200〜400Ω／□、600nmの光線透過率は82〜84
％であつた。 At this time, the pressure fluctuation in the sputtering chamber 12 was ±0.2 × 10 -3 Torr, the sheet resistance of the obtained film with indium tin oxide was 200 to 400 Ω/□, and the light transmittance at 600 nm is 82~84
It was %.
比較として従来の２チヤンバー方式のロールコ
ーター式スパツタリング装置を用い、ポリエーテ
ルサルホンフイルムに300Åの厚さにインジウ
ム・スズ酸化物薄膜を形成させた。 For comparison, an indium tin oxide thin film was formed on a polyethersulfone film to a thickness of 300 Å using a conventional two-chamber roll coater sputtering device.
この時のスパツタリングチヤンバー１２の圧力
は５×10-3〜１×10-2Torr間で変動し安定しな
かつた。得られたフイルムのシート抵抗は200〜
2000Ω／□と変動し、又600nmにおける光線透過
率は70〜82％であり、不安定な性能のものしか得
ることができなかつた。 At this time, the pressure in the sputtering chamber 12 fluctuated between 5×10 −3 and 1×10 −2 Torr and was not stable. The sheet resistance of the obtained film is 200~
The light transmittance at 600 nm was 70 to 82%, and only unstable performance could be obtained.
［考案の効果］
本考案のロールコーター式スパツタリング装置
を用いれば、空気を大量に巻き込んだロール状の
フイルムについても、均一に安定して優れた金属
又は金属化合物の薄膜を連続的にスパツタリング
することができ、生産性に優れている。[Effect of the invention] By using the roll coater type sputtering device of the invention, it is possible to uniformly, stably, and continuously sputter a superior thin film of metal or metal compound even on a roll-shaped film containing a large amount of air. and has excellent productivity.
第１図は本考案のロールコーター式スパツタリ
ング装置の構造を示す模式断面図である。
１：巻出しロール、２：隔壁、３：フイルム繰
り出しスリツト、４：巻取りロール、５：コーテ
ングロール、６：フイルム、７：フイルム走行ス
リツト、８：真空排気口、９：スパツタリングガ
ス供給口、１０：巻出しチヤンバー、１１：巻取
りチヤンバー、１２：スパツタリングチヤンバ
ー、１３：隔壁、１４：ターゲツト。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the roll coater type sputtering apparatus of the present invention. 1: Unwinding roll, 2: Partition wall, 3: Film unwinding slit, 4: Winding roll, 5: Coating roll, 6: Film, 7: Film running slit, 8: Vacuum exhaust port, 9: Sputtering gas supply mouth, 10: unwinding chamber, 11: winding chamber, 12: sputtering chamber, 13: partition, 14: target.
Claims (1)
式スパツタリング装置において、スパツタリング
チヤンバーは巻取りチヤンバーとフイルム走行ス
リツトを有する隔壁により隔離されており、更に
巻出しチヤンバーは巻取りチヤンバーとフイルム
繰り出しスリツトを設けた隔壁とにより隔離され
ており、又該巻出しチヤンバー、該巻取りチヤン
バー及び該スパツタリングチヤンバーには独立し
た真空排気口をそれぞれ設けてなることを特徴と
するロールコーター式スパツタリング装置。 In a roll coater type sputtering device using one coating roll, the sputtering chamber is separated by a take-up chamber and a partition wall having a film running slit, and the unwinding chamber is separated by a partition wall having a take-up chamber and a film feed slit. 1. A roll coater type sputtering apparatus, characterized in that the unwinding chamber, the winding chamber, and the sputtering chamber are each provided with independent vacuum exhaust ports.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985142056U JPH0220211Y2 (en) | 1985-09-19 | 1985-09-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985142056U JPH0220211Y2 (en) | 1985-09-19 | 1985-09-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6251172U JPS6251172U (en) | 1987-03-30 |
| JPH0220211Y2 true JPH0220211Y2 (en) | 1990-06-01 |
Family
ID=31050422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985142056U Expired JPH0220211Y2 (en) | 1985-09-19 | 1985-09-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0220211Y2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010018828A (en) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Asahi Kasei E-Materials Corp | Vacuum deposition apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59173266A (en) * | 1983-03-23 | 1984-10-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | Apparatus for formation of thin film |
| JPS59173267A (en) * | 1983-03-23 | 1984-10-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | Apparatus for formation of thin film |
| JPS6067671A (en) * | 1983-09-24 | 1985-04-18 | Anelva Corp | Thin film forming apparatus |
-
1985
- 1985-09-19 JP JP1985142056U patent/JPH0220211Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59173266A (en) * | 1983-03-23 | 1984-10-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | Apparatus for formation of thin film |
| JPS59173267A (en) * | 1983-03-23 | 1984-10-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | Apparatus for formation of thin film |
| JPS6067671A (en) * | 1983-09-24 | 1985-04-18 | Anelva Corp | Thin film forming apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6251172U (en) | 1987-03-30 |
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