JPH02200915A - 花園造成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産ｊ！１−のＨ用分野〕 本発明はｔｂｍ造威力法に関し、より詳しく（１゜自然
ソ？の傾斜面を法切りして絨やかな法面を形成し、その
、１；に人＋＋ＡＧ盤を１＃成して、季節のＩＬをリレ
ー開ＩＬすｔｔ　１％　ＪＩ：Ｆ４ヲＷｌ＆　ｔ　：’
ａ　、　ＩＩ園逍ｈＥ）ｉ法１．：関オろらのである。

（＆゛Ｃ来の技８７　Ｊ 従来、芝による緑化造成は広く一般に普及して、単に防
災の目的だけでなく人びとの目を楽しませているが、た
とえばリゾート地、ゴルフ場、冬場を除くスキー場、学
校などでは、緑の芝生の外に、自然界において季節の移
り替わりとともにリレー開花する、カラフルな各種の花
を楽しみたいという気運が多く、今までのような縁−色
では、益々多様化するニーズに十分に応えることは困難
な時代になつてきた。

このような荘園に用いられる花は、苗床で保護されてき
た苗を造成地に植えた場合、自然の過酷な環境Ｉこ堪え
得ることが固層なことが多いので、花の種子を造成Ｉｔ
！！（こ播くことζこよ〕て最初から自然環境下に育て
るのがよいとされている。

この荘園造成の本格的な技術は今まで無く、したがって
このような荘園造成には、主として緑化造成技術が援用
されていた。

（Ｊｍ明が解決しようとするｔｓ厘〕 しかし、花ａを造成する場合ｌこは、縁の芝生によろ緑
化工法と異なり、花を見やすくするための法面を造るこ
とが必要となり、この法面は花を見る観点との（！Ｉｇ
Ａにおいて、自然界の土面を法切りし、視角を考えに％
榎やかな法面を必要とする、という課題があった。

また、花は自然界の過酷な気象条件などに堪えろために
は、種子を播く時点からその自然環境に置く必要がある
が、自然の客土はｗ１草の種子が多く含まれ、一般に１
１草の種子の発芽、成育は、芝より：ｉ遅いが、花の種
子よりは遥かに早く、そのため、自然の客土に花の種子
を播いた場合、その客土に含まれていた雑草の先行繁茂
によって、花は発芽・成育とも抑制され、荘園として花
を鑑賞する二とができないという５１ｙｓがあった。

さらｌこ、花の根は芝のような罐方向への根張り力がな
いので、法面の基盤の安定材としての機能が欠け、その
ため、この安定けとして芝を用いると、芝の先行繁茂に
よって花の発芽・成育が妨げられ、また、他の安定材と
して木賀槍帷（ファイバー）を用いた場合は微生物によ
って分解されやすく、化学＊雄を用いた場合は紫外線や
微生物によって分解されやすいなどで、そのつなぎ力に
よる基盤安定機能を長く保持することができない、とい
う課題があった。

本発明はこのような課題を解決することを目的とする。

〔ｆｓＪＩを解決するための手段〕

上記目的を達成するため、本夕明は次のような花＠造成
方法をｒｊ１供する。

すなわち本発明は、自然界の斜面を法切りして緩やかな
法面を形成した上、その法面に複数の横溝を設けた切り
上面を構成した後、その切り土面上に人工的な客土であ
る雑草を抑えた花ｉｌ造成材と人工的な安定材である法
面保護材とを混合してなる人工基盤を設けたことを特徴
とした、花１１造成方法である。

〔作用〕

上記構成において、緩やかな法面ば花を見る視角を適切
にする。

また、法面のｌｌＩ溝は人工基盤を切り上面に密着させ
、その人工基盤の流出を防ぐ作用をする。

また、人工基盤を構成する荘園造成材は、雑草の先行繁
茂を抑えて花の発芽・成育を促進する。

さらに、ｍｌ記人工的基盤を構成する法面保護材はその
人工基盤を構成する荘園造成材を法面上に保持する作用
をする。

〔実施例〕

本発明の実施例について、以下図面にしたがって本発明
の方法が実際上どのように具体化されるかをその作用と
ともに説明する。

第１図は本発明の一実施例の概要説明図であり、図中１
は切り上面で、緩やかな法面２と、その法面２に更に設
けられた横溝３とを有する。

この切り土面１の上には、後述の雑草処理が施された花
圃遣成材と、鉱物質繊維をつなぎ材とする法面保護材と
を混合してなる人工基ｆ４が設けられている。

二の法面２は緩やかな切り土面上に構成されているため
、荘園を見る観点Ｅは上方・下方のいずれからでも良い
こととなる。

以下、この荘園造成方法について順を追って詳しく説明
する。

第２図は同実施例に於ける法切りを示す図であり、まず
最初に自然界の斜面を荘園用に緩やかな斜面に法切りし
、切り土面１に法面２を形成、した図である。

これは立地条件が荘園に比較的良い場合にこのような法
切りが行われ、観点Ｅは上方・下方のいずれｊこも置か
れる。

第３図は、前記第２図で形成した法面２に溝切りをして
複数の横１３を設けた図であり、この横溝３は後述の人
工基盤４との接触面積を増加させ、その人工基１４を法
面２に密着させることによって、切り土面ｌ上における
人工基盤の滑り止めなどの役割を果たすものである。

第４図は前述の造成した切り土面１の法面２に人工基！
Ｉ４を一定の厚さに設けた拡大側面図である。

この人工基盤４の厚さは切り土面凰の性質によって異な
り、一般に切り土面ｌが粗悪な場合は、その人工基盤４
は厚めに構成され、反対に切り土面！か豊かな土壌の場
合は人工基盤４は薄くてもよい。

前記人工基盤４は雑草対策が行われた荘園造成材と、安
定材である法面保護材とを混合して遣られる。

なお、切り土面１の横溝３か細く、かつ人工基盤４が厚
い場合は、その横溝３上の人工基盤４の表面は図のよう
に平らかになり、反対に横Ｆ！４３が広く人工基盤４が
薄い場合、その横１ｆ３上の人工基盤４の表面は、同機
１１１３の形状に従って曲面状になる。

第５図は本発明の荘園造成材を遣る造粒乾燥雑草処理機
の外観略図であり、５は本体で、投入口６から普通の土
を投入し摂氏約４００度の熱風をとおして乾燥させ、土
の品温２００度Ｃ，３０分間以上加熱して雑草の種子な
どを焼却し、粒状にしてなろその焼成粒土を排出ロアか
ら排出させる様子を示している。

また、第６図は前記造粒乾燥雑草処理機の内部を示す断
面略図であり、同処理機本体５の内部には複数の羽根８
があり、全体をゆっくり回転（約１．３回／毎分）させ
ながら同感′理機内の土にくまなくＭｆｆｌをとおし、
枝上分布を均一化する。

前記処理されて排出された粒土Ｉ〜８０％には、鉱物質
系微粒子物（ベントナイトなど）１〜１０％を加え土性
の粒土分布を調整した上、前記加熱焼却処理によって失
われた有機質の補完に、有機質土壌改良材（パーク堆肥
、ビートそスなど）を全体で１〜８０％、パーク堆肥で
容量比１〜４０％（背丈や株を大きくし過ぎない限界量
以下）および無機質系土壌改良材（ゼオライトなど）１
〜３０％を加えることにより、花にとって最適な人工基
盤材としての土壌改良材をつくることができる。

前記土壌改良材を構成する各種材料のパーセンテージの
範囲が広いのは、その土壌改良材で造成される人工基盤
の下の土質によって、配合比率を大福に変えることがで
きることを示している。

この土壌改良材は、前述のように熱風によって雑草の種
子が焼かれ根絶しているので、これを人工基盤として荘
園を造成した場合、その荘園においては、花に先行して
雑草が繁茂する虞れがなく、したがってその荘園に初期
に花を成育させ、−旦その花の群落ができ、その花の根
が定着すると後は外部から飛来した多くの雑草の種子は
その花びらや葉で妨げられて地上に定着をすることか困
難であり、また、その花や葉が周囲の雑草に対して日光
の遮断を行い、そのｍ＊の成育を抑制して自然環境にお
ける花の群落の優位性を長期間に亙って保持することが
できる。

また％前記土壌改良材は、前述のように加熱処理によっ
て失った有機質の各種養分は適切に配合補完されている
ので、花の成育に最適な人工的の土とすることができる
。

さらに、粒土分布が調整されているので、品質管理され
た均質な土壌改良材で荘園を造成することができる。

次に人工基盤のつなぎ材であり安定材である法面保護材
（図示せず）について説明する。

まず、製鉄製造中の鉄鉱石の精練時に排出される高炉ス
ラッジ６０％、珪石２０％、コークス２０％を、摂氏１
６００度の高温で溶解して得られた直径３〜４ミクロン
、繊維長数ミリメートル〜１５０　ミリメートルの鉱物
質議ｍｃａツクウール）を含有量容積比で１〜９０％に
、バルブスラッジを含有量容積比で１〜８０％と、ピー
トモスを含有量容積比１〜８０％とを混合してなる法面
保護材を荘園造成基盤の安定材として荘園造成材の中に
混ぜて用いる。

前記配合比の範囲がかなりの幅を存するのは、法面の勾
配の違いや、荘園造成材の違い、さらには造成基盤を支
える切り上面の性質などによって配合比が異なるからで
ある。

このようにつなぎ機能をもつ安定材は、鉱物質繊維が従
来の安定材の成分であるバルブスラッジまたは古紙およ
びそれに化学ｓｉｎを加えたものと異なり（すなわちバ
ルブスラッジ、古紙は微生物により分解され、化学繊維
は紫外線により分解される）、恒久的な繊維が造成基盤
中に残存することにより、従来の芝の根張りに変わって
人工的な鉱物繊維が、安定材として花の初期成育時にお
ける横方向の根張り不足を十分に補完する上、繊維を構
成する鉱物は自然界のものであるため、土中にあって２
次公害のおそれがない安定した素材でもある。

このような、鉱物質ｖＡ維にバルプスラブノとピートモ
スとを混合してなる法面保！！材を、荘園の法面をＨす
る造成基盤中に、花ｌＩａ成材と混合して用いることに
より、芝の根張りに頼ることなく法面を保護することが
できるものである。

第７図〜第１１図は、本発明における前記一実施例以外
の第二実施例〜第四実施例の説明図であり、これらの実
施例が前記一実施例と異なる点は、法面２を急法面の４
面２ａと綬法面の８面２ｂとの二つの法面に再構築した
点にある。

すなわち、従来の防災のためのコンクリート工事、また
は緑化工事の場合は、この急勾配の立地状態のままでら
よかったが、本発明のような荘園とするためには、花を
鑑賞するための観点Ｅを意識した、緩やかな法面が必要
となることに着目し２：すればならない。

まず、前記第７図は第二実施例の土台となる立地状態を
示す図であり、急勾配の法面２の距離が比較的短く、観
点Ｅが下方にある場合を現している。

第８図は面記第７図の法面２を、急法面であるＡ面２ａ
と、緩法面であるＢ面２ｂとの二つの面に再構築し、緩
法面である８面２ｂに１１を設けている。

言い換えれば、緩法面である８面２ｂを造るために４面
２ａ／＋４１１産物として遣られたわけである。

この８面２ｂに人工基盤を設けて荘園とし、下方にある
観点Ｅから花を鑑賞することができるものである。

なお、４面２ａはコンクリート、または芝による緑化工
法で遣られる。

第９図は第三実施例の立地状態を示す図であり、急勾配
かつ距離が長い法面２であることを示している。

この第９図の法面２は第１０図のように４面２ａと８面
２ｂとに再構築され、緩やかなり面２ｂを荘園として造
園される。

この第三実施例の場合も、観点Ｅは下方に位置する。

第１１図は第四実施例の立地状態を示す図であり、観点
Ｅが急法面の上方にある点が特徴である。

この法面２は第１２図のように、緩やかなり面２ｂを観
点Ｅに近い上方に、急法面Ａ面２ａを下方に再構築しで
ある。

以上、実施例について説明したように、本発明は自然界
の斜面を法切りして緩やかな法面を形成し、その法面・
に撲敗の横溝を設けた切り土面を構成した後、その切り
土面上に人工的な客土である荘園造成材とつなぎによる
安定材である法面保護材とを混合した人工基盤を設けて
荘園を造成したので、このようにしてできた荘園は、適
切な視角を６って花を鑑賞することができる。

また、前記法面の＊ａの横溝は、人工基盤を司記切り土
面上に密着させて保持し、その人工基盤を構成する荘園
造成材は、雑草の先行繁茂を抑制して花の発芽・成長を
促進する。

二の摸敗の横溝は、造成機械の能力により連続的である
ことが望ましいが、非連続であってもかまわない。

さらに、前記人工基盤を構成する法面保護材は鉱物質よ
りなる人工の安定材として、人工基盤Ｉこおける花［１
遣成材の散逸を長期にわたり防ぐことができるものであ
る。

〔発明の効果〕

以上本発明によれば、切り土面上に緩やかな法面を形成
したので、適切な視点から花を見て楽しむことが出来る
。

また、法面に複数の横溝を設けたので、人工基盤と切り
土面との密着性を高め、その人工基盤の流失を防ぎ、荘
園を長持ちさせることができろ。

さらに、人工基盤は、人口的な客土である雑草を抑えた
花ｌｉ！造成材を存するので、法面に花の発芽・成育を
促進させるとともに、法面保護材を有するので荘園造成
材の流出を防いで人工基盤を法面上に保護することがで
きる。

このようにして造成された荘園の人口基盤に各種の花の
種子を混合しておくことによって、自然界に次つぎとリ
レー開花させることができ、長期間にわたってカラフル
な自然を楽しみたいという、ニーズの多様化に応えるこ
とができる、などの効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の概要説明図、第２図は同実
施例の法切り説明図、第３図は同実施例の溝切りの説明
図、第４図は同実施例の人工基盤の拡大側面図、第５図
は同実施例の造粒乾燥雑草処理機の外観略図、第６図は
同処理機の円座を示す断面略図、第７・８図は本発明の
第二実施例の説明図、第９・１０図は第三実施例の説明
図、第ｔｉ・１２図は第４実施例の説明図である。 Ｉ・・・切り変面、 ２・・・法面、 第 図 ３・・・横溝１． ４・・・人工基盤。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 自然界の斜面を法切りして緩やかな法面を形成した上、
   その法面に複数の横溝を設けた切り上面を構成した後、
   その切り上面上に人工的な客土である雑草を抑えた花園
   構成材と、人工的な安定材である法面保護材とを混合し
   てなる人工基盤を設けたことを特徴とした、花園造成方
   法。