JPH021995A - 半導体受光素子と、これを用いた検出器 - Google Patents
半導体受光素子と、これを用いた検出器Info
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- JPH021995A JPH021995A JP63143367A JP14336788A JPH021995A JP H021995 A JPH021995 A JP H021995A JP 63143367 A JP63143367 A JP 63143367A JP 14336788 A JP14336788 A JP 14336788A JP H021995 A JPH021995 A JP H021995A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体受光素子と、これを利用して温度や入射
光の波長を検出する検出器に関するものである。
光の波長を検出する検出器に関するものである。
従来、半導体受光素子として例えばフォトダイオードが
知られている。これは、半導体のｐｎ接合あるいは金属
と半導体のショットキ接合を有しており、１（導体のバ
ンドギャップエネルギーＥｇ以上のエネルギーを持った
光（より短波長の光）か入射されると光電流が得られる
。そして、その充電流出力に対応した放射感度の波長依
存性は、例えば第２図に点線および一点鎖線で示したＰ
Ｄ−１，２のようになる。
知られている。これは、半導体のｐｎ接合あるいは金属
と半導体のショットキ接合を有しており、１（導体のバ
ンドギャップエネルギーＥｇ以上のエネルギーを持った
光（より短波長の光）か入射されると光電流が得られる
。そして、その充電流出力に対応した放射感度の波長依
存性は、例えば第２図に点線および一点鎖線で示したＰ
Ｄ−１，２のようになる。
第２図から明らかなように、従来の半導体受光素子によ
る放射感度は数百ナノメーター（ｎｍ）の広い波長範囲
でｉ与られるため、特定の狭い波長範囲の入射光の検出
には、そのままの構成では用いることかできなかった。
る放射感度は数百ナノメーター（ｎｍ）の広い波長範囲
でｉ与られるため、特定の狭い波長範囲の入射光の検出
には、そのままの構成では用いることかできなかった。
そこで、従来はフォトダイオードの入射面側に特定波長
の光のみを透過させるフィルタを取り付けていた。しか
し、これでは上記のフィルタが不可欠なものとなってし
まつ◎ そこで本発明は、フィルタなどを用いることなく、狭帯
域の入射光のみを検出できる新規な半導体受光素子を提
供することを目的とする。
の光のみを透過させるフィルタを取り付けていた。しか
し、これでは上記のフィルタが不可欠なものとなってし
まつ◎ そこで本発明は、フィルタなどを用いることなく、狭帯
域の入射光のみを検出できる新規な半導体受光素子を提
供することを目的とする。
また本発明は、このような半導体受光素子を利用して環
境温度や入射光の波長を検出できる検出器を場供するこ
とを目的とする。
境温度や入射光の波長を検出できる検出器を場供するこ
とを目的とする。
本発明に係る半導体受光素子は、半導体基板の上面に第
１の電極が形成され、かつ下面に第２の電極が形成され
、上面側から入射光を受けるようにした半導体受光素子
であって、第１の電極は入射光を透過させる材料もしく
は厚さで形成され、半導体基板の入射光方向の厚さが当
該半導体基板にχ・Ｉする入射光の特性吸収長と対応し
ていることを特徴とする。
１の電極が形成され、かつ下面に第２の電極が形成され
、上面側から入射光を受けるようにした半導体受光素子
であって、第１の電極は入射光を透過させる材料もしく
は厚さで形成され、半導体基板の入射光方向の厚さが当
該半導体基板にχ・Ｉする入射光の特性吸収長と対応し
ていることを特徴とする。
また、本発明に係る温度検出器は、上記の半導体受光素
子と、第１および第２の電極からの出力信号の入射光の
波長に対する依存性にもとづいて半導体受光素子の温度
に対応した検出信号を出力すヤ検出信号出力手段とを備
えることを特徴とする。
子と、第１および第２の電極からの出力信号の入射光の
波長に対する依存性にもとづいて半導体受光素子の温度
に対応した検出信号を出力すヤ検出信号出力手段とを備
えることを特徴とする。
さらに、本発明に係る波長検出器は、上記の半導体受光
素子において第１の電極を複数とし、かつこの１．１２
数の電極ごとに半導体基板の厚さを所定の範囲で異なら
せると共に、第１の電極を構成する複数の電極から得ら
れる出力信号にもとづいて′入射光の波長にχ・１応し
た検出信号を出力する検出信号出力手段を備えることを
特徴とする。
素子において第１の電極を複数とし、かつこの１．１２
数の電極ごとに半導体基板の厚さを所定の範囲で異なら
せると共に、第１の電極を構成する複数の電極から得ら
れる出力信号にもとづいて′入射光の波長にχ・１応し
た検出信号を出力する検出信号出力手段を備えることを
特徴とする。
本発明の構成によれば、半導体基板を挟む第１の電極と
第２の電極の電極間隔を半導体基板に対する入射光の特
性吸収長と対応させたので、特定の波長でピークを示す
放射感度特性が得られる。
第２の電極の電極間隔を半導体基板に対する入射光の特
性吸収長と対応させたので、特定の波長でピークを示す
放射感度特性が得られる。
そして、この放射感度のピークが現れる波長帯は電極間
隔に依存して変化し、また温度に依存して変化するので
、波長検出器や温度検出器に応用することか可能になる
。
隔に依存して変化し、また温度に依存して変化するので
、波長検出器や温度検出器に応用することか可能になる
。
〔実施例〕
以ド、添付図面の第１図ないし第６図にもとづいて、本
発明の詳細な説明する。なお、図面の説明において同一
要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
発明の詳細な説明する。なお、図面の説明において同一
要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
第１図は本発明の実施例に係る半導体受光素子の断面図
である。例えば高抵抗のＧａＡｓ（ガリウムヒ素）から
なる半導体基板１の上面には、第１の電極２としてＡｕ
（金）によるショットキ電極か形成され、下面には
第２の電極３と七でＡＵＧｃ （金・ゲルマニウム）、
Ｎｌにッケル）およびＡＬ＋の三層からなるオーミック
電極が形成されている。そして、第１の電極２には端子
４、第２の電極３には端子５がそれぞれ接続され、これ
によって半導体受光素子のショットキ接合に逆バイアス
が印加されるようになっている。
である。例えば高抵抗のＧａＡｓ（ガリウムヒ素）から
なる半導体基板１の上面には、第１の電極２としてＡｕ
（金）によるショットキ電極か形成され、下面には
第２の電極３と七でＡＵＧｃ （金・ゲルマニウム）、
Ｎｌにッケル）およびＡＬ＋の三層からなるオーミック
電極が形成されている。そして、第１の電極２には端子
４、第２の電極３には端子５がそれぞれ接続され、これ
によって半導体受光素子のショットキ接合に逆バイアス
が印加されるようになっている。
半導体受光素子への光の入射は、第１図で矢印Ａにより
示す如く第１の電極２の方向からなされ、従って第１の
電極２はこの入射光を透過できる程度に十分薄く （例
えば１）−８０Ａ）なっている。
示す如く第１の電極２の方向からなされ、従って第１の
電極２はこの入射光を透過できる程度に十分薄く （例
えば１）−８０Ａ）なっている。
また、半導体基板１の厚さＬは゛ト導体基板１に対する
入射光の特性吸収長と対応しており、実施例の場合には
百〜数百ミクロン（μｍ）となっている。なお、この特
性吸収長の意義については後述する。
入射光の特性吸収長と対応しており、実施例の場合には
百〜数百ミクロン（μｍ）となっている。なお、この特
性吸収長の意義については後述する。
本発明者は上記のような半導体受光素子について放射感
度の波長依存性を調べた結果、第２図に丈１１（ＰＤ−
３）で示すような特性が得られることを見出した。第２
図において、−点鎖線で示すＰＤ−１はＳｉ （シリ
コン）からなる市販のフォトダイオードの放射感度であ
り、点線で示すＰＤ２はＧａ Ａｓ Ｐ （ガリウムヒ
素リン）からなる市販のフォトダイオードの放射感度で
ある。これに対し、実線で示すＰＤ−３は第１図の構造
において、高抵抗のＧａ Ａｓからなる半導体基板１の
厚さすなわち第１の電極２と第２の電極３の間の電極間
隔りを２２５μｍとしたときの放射感度である。第２図
から、波長８７０〜８８０ｎｍ付近に鋭いピークを持っ
ていることかわかる。
度の波長依存性を調べた結果、第２図に丈１１（ＰＤ−
３）で示すような特性が得られることを見出した。第２
図において、−点鎖線で示すＰＤ−１はＳｉ （シリ
コン）からなる市販のフォトダイオードの放射感度であ
り、点線で示すＰＤ２はＧａ Ａｓ Ｐ （ガリウムヒ
素リン）からなる市販のフォトダイオードの放射感度で
ある。これに対し、実線で示すＰＤ−３は第１図の構造
において、高抵抗のＧａ Ａｓからなる半導体基板１の
厚さすなわち第１の電極２と第２の電極３の間の電極間
隔りを２２５μｍとしたときの放射感度である。第２図
から、波長８７０〜８８０ｎｍ付近に鋭いピークを持っ
ていることかわかる。
上記のような放射感度の鋭いピークは、次のような理由
で生成するものと考えられる。これを第３図により説明
する。同図（ａ）は波長λ１〜λ （λ くλ２くλ３
くλ４）の光が第１の電極２を透過して半導体基ｔ！ｉ
２１中に入射する様子を示す半導体受光素子の断面図で
あり、同図（ｂ）は吸収係数のフォトンエネルギーに対
する依存性を片対数で示した図であり、同図（ｃ）は放
射感度（Ａ／Ｗ）の波長（ｎｍ）依存性を片対数で示し
た図である。
で生成するものと考えられる。これを第３図により説明
する。同図（ａ）は波長λ１〜λ （λ くλ２くλ３
くλ４）の光が第１の電極２を透過して半導体基ｔ！ｉ
２１中に入射する様子を示す半導体受光素子の断面図で
あり、同図（ｂ）は吸収係数のフォトンエネルギーに対
する依存性を片対数で示した図であり、同図（ｃ）は放
射感度（Ａ／Ｗ）の波長（ｎｍ）依存性を片対数で示し
た図である。
まず、波長の短い光（λｌ）はエネルギが太きく、第３
図（ａ）のように半導体基板１に入射すると直ちに吸収
され、従って第３図（ｂ）のように吸収係数は大きい。
図（ａ）のように半導体基板１に入射すると直ちに吸収
され、従って第３図（ｂ）のように吸収係数は大きい。
そして、吸収の過程において電子／正孔対が生成される
。この光生成キャリアは゛１４導体基板１の表面で再結
合され（表面再結合）、従ってこの場合の放射感度は第
３図（Ｃ）のように十分に低い値となっている。
。この光生成キャリアは゛１４導体基板１の表面で再結
合され（表面再結合）、従ってこの場合の放射感度は第
３図（Ｃ）のように十分に低い値となっている。
次に、より長い波長の光（λ２）が半導体基板１のバン
ドギャップエネルギーＥ 近傍のエネルギーを有してい
るときには、吸収係数は第２図（ｂ）のように急に低下
しはじめる。そして、第２図（ａ）のように半導体基板
１の内部に入って中間近傍で吸収され、電子／正孔対を
生成させる。
ドギャップエネルギーＥ 近傍のエネルギーを有してい
るときには、吸収係数は第２図（ｂ）のように急に低下
しはじめる。そして、第２図（ａ）のように半導体基板
１の内部に入って中間近傍で吸収され、電子／正孔対を
生成させる。
ところが、高抵抗のＧａ Ａｓからなる半導体基板１で
はＣｒ （クロム）あるいはＥＬ２補償等による深い
レベルのトラップ準位が含まれており、従って上記の光
生成キャリアはこの深いレベルのトラップにて捕獲ある
いは再結合され、検出されることかない。このため、放
射感度は第３図（Ｃ）のようにあまり高くなることはな
い。
はＣｒ （クロム）あるいはＥＬ２補償等による深い
レベルのトラップ準位が含まれており、従って上記の光
生成キャリアはこの深いレベルのトラップにて捕獲ある
いは再結合され、検出されることかない。このため、放
射感度は第３図（Ｃ）のようにあまり高くなることはな
い。
次に、より波長の長い光（λ３）が半導体基板１のバン
ドギャップエネルギーＥ よりもわずかに低いエネルギ
ーを有しているときは、第３図（ｂ）のように吸収係数
が指数関数的に低くなり、従って１を導体基板１に入射
されると端Ｔ４の近傍まで到達し、電子／正孔対を生成
させる。この光生成キャリアの中には前述の深いレベル
のトラップ準位に捕獲されるものもあるが、第３図（ａ
）に記号Ｌｏで示す深い部分てキャリアが生成されると
きは、その多くは端子４にまで達し、このため第゛３図
（Ｃ）のように放射感度のピークを生じさせる。なお、
ピークを生じさせる光の到達深さＬｏは、キャリアの寿
命をτとし、走行時間を【とすると、 Ｌｏ−ｔ−τ として求められる。
ドギャップエネルギーＥ よりもわずかに低いエネルギ
ーを有しているときは、第３図（ｂ）のように吸収係数
が指数関数的に低くなり、従って１を導体基板１に入射
されると端Ｔ４の近傍まで到達し、電子／正孔対を生成
させる。この光生成キャリアの中には前述の深いレベル
のトラップ準位に捕獲されるものもあるが、第３図（ａ
）に記号Ｌｏで示す深い部分てキャリアが生成されると
きは、その多くは端子４にまで達し、このため第゛３図
（Ｃ）のように放射感度のピークを生じさせる。なお、
ピークを生じさせる光の到達深さＬｏは、キャリアの寿
命をτとし、走行時間を【とすると、 Ｌｏ−ｔ−τ として求められる。
次に、十分に長い波長（λ４）の光が入射されると、吸
収係数は第３図（ｂ）のように十分に低く、従って光は
第３図（ａ）のように半導体基板１を通過してキャリア
を生成させることがない。
収係数は第３図（ｂ）のように十分に低く、従って光は
第３図（ａ）のように半導体基板１を通過してキャリア
を生成させることがない。
このため、放射感度は第３図（Ｃ）のように低くなって
しまう。
しまう。
以上の考察から、本発明の必須の構成要件をまとめると
、次のようになる。
、次のようになる。
まず、本発明においては半導体基板１の両面に第１の電
極２および第２の電極３が形成されていることが必要で
あり、かつ先入射側の第１の電極２は透光性を有してい
ることが必要である。ここで、第１の電極２がショット
キ電極であれば暗電流を低減させることができるが、オ
ーミック電極であってもよいことは言うまでもなく、半
導体基板１はｐｎ接合を有していてもよい。また、第１
の電極は実施例のように薄くすることで透光性をｔｊｊ
たせてもよいが、それ自体を透光性の材料で形成しても
よい。
極２および第２の電極３が形成されていることが必要で
あり、かつ先入射側の第１の電極２は透光性を有してい
ることが必要である。ここで、第１の電極２がショット
キ電極であれば暗電流を低減させることができるが、オ
ーミック電極であってもよいことは言うまでもなく、半
導体基板１はｐｎ接合を有していてもよい。また、第１
の電極は実施例のように薄くすることで透光性をｔｊｊ
たせてもよいが、それ自体を透光性の材料で形成しても
よい。
次に、半導体基板１の光入射方向の厚さすなわち電極間
隔りは、半導体基板１に対する入射光の特性吸収長とχ
・Ｉ応していることが必要である。すなオ）ち、入射光
のある波長域において半導体基板１の吸収係数か大きく
変化していることが必要であり、この変化領域の波長の
光が到達できる半導体基板１の深さ（特性吸収長）が電
極間隔りと対応していることが必要である。従って、上
記実施例ては゛［−導体基板１のバンドギャップエネル
ギーＥ 近傍での吸収係数の変化に行目しているが、こ
のような変化をａするものであればバンドギャップエネ
ルギーＥ 近傍の特性に限定されるものではない。さら
に、放射感度のピークを急峻なものとするためには、半
導体基板１にトラップ準位を含ませることが好ましいが
、本発明はこれに限られるものではない。
隔りは、半導体基板１に対する入射光の特性吸収長とχ
・Ｉ応していることが必要である。すなオ）ち、入射光
のある波長域において半導体基板１の吸収係数か大きく
変化していることが必要であり、この変化領域の波長の
光が到達できる半導体基板１の深さ（特性吸収長）が電
極間隔りと対応していることが必要である。従って、上
記実施例ては゛［−導体基板１のバンドギャップエネル
ギーＥ 近傍での吸収係数の変化に行目しているが、こ
のような変化をａするものであればバンドギャップエネ
ルギーＥ 近傍の特性に限定されるものではない。さら
に、放射感度のピークを急峻なものとするためには、半
導体基板１にトラップ準位を含ませることが好ましいが
、本発明はこれに限られるものではない。
次に、放射感度の電極間隔りに対する依存性について説
明する。
明する。
第４図は電極間隔りを４１４μｍ、２２５μｍ。
７０μｍと変化させたときの放射感度の波長依存性を示
している。なお、半導体基板１はＣａ Ａｓとし、０℃
で７１１＋１定した結果を示している。同図において行
目すべき点は、放射感度のピークを示す波長が電極間隔
りによって微妙に変化していることである。これは、入
射光が長波長になるに従って、特性吸収長が長くなるこ
とを意味している。
している。なお、半導体基板１はＣａ Ａｓとし、０℃
で７１１＋１定した結果を示している。同図において行
目すべき点は、放射感度のピークを示す波長が電極間隔
りによって微妙に変化していることである。これは、入
射光が長波長になるに従って、特性吸収長が長くなるこ
とを意味している。
また、ピークが短波長側にシフトするにつれて、ピーク
の半値幅が大きくなっていることがわかる。
の半値幅が大きくなっていることがわかる。
このように電極間隔りによってピークの現れる波長域が
シフトするため、本発明の半導体受光素子は第５図のよ
うな波長センサとして応用することかてきる。すなわち
、半導体基板１の厚さをＬ 、Ｌ 、Ｌ （Ｌ
＜Ｌ、＜Ｌ。）と段階的ｂｃａ に変化させる。すると、第１の電極２ａ、２ｂ。
シフトするため、本発明の半導体受光素子は第５図のよ
うな波長センサとして応用することかてきる。すなわち
、半導体基板１の厚さをＬ 、Ｌ 、Ｌ （Ｌ
＜Ｌ、＜Ｌ。）と段階的ｂｃａ に変化させる。すると、第１の電極２ａ、２ｂ。
２Ｃのそれぞれから出力される検出信号の放射感度のピ
ークは、波長λ 、λ 、λ （λ くｂｃａ λ、くλＣ）となり、従って入射光の波長を検出するこ
とが可能になる。また、バンドギャップエネルギーＥｇ
近傍の波長での吸収特性の変化に着［１する場合には、
このバンドギャップエネルギーＥ は゛ト導体の種類ご
とに異なるものであり、従って複数種類の半導体基板１
を用いてこれらのそれぞれに第５図のような段差をつけ
れば、更に広い波長範囲での波長検出が可能になる。
ークは、波長λ 、λ 、λ （λ くｂｃａ λ、くλＣ）となり、従って入射光の波長を検出するこ
とが可能になる。また、バンドギャップエネルギーＥｇ
近傍の波長での吸収特性の変化に着［１する場合には、
このバンドギャップエネルギーＥ は゛ト導体の種類ご
とに異なるものであり、従って複数種類の半導体基板１
を用いてこれらのそれぞれに第５図のような段差をつけ
れば、更に広い波長範囲での波長検出が可能になる。
次に、放射感度の周囲温度に対する依存性を説明する。
第６図は電極間隔りが２２５μｍのときに、温度を−４
０”Ｃ，−２０℃、０℃、＋１９℃と変化させたときの
放射感度の波長依存性を示している。
０”Ｃ，−２０℃、０℃、＋１９℃と変化させたときの
放射感度の波長依存性を示している。
同図において着目すべき点は、放射感度のピークを示す
波長が低温になるにつれて短波長側にシフトしているこ
とである。これは、温度によって半導体基板］のバンド
ギャップエネルギーＥ が変化することと対応している
。
波長が低温になるにつれて短波長側にシフトしているこ
とである。これは、温度によって半導体基板］のバンド
ギャップエネルギーＥ が変化することと対応している
。
このため、本発明の半導体受光素子は極めて敏感な温度
センサに用いることができる。すなわち、第１図のよう
な半導体受光素子に光を入射し、放射感度のピークが生
じる波長を検出すれば、半導体受光素ｆの温度を知るこ
とができる。このとき、入射光は外部からのものであっ
てもよく、別途に光源が付設されていてもよい。なお、
この温度依在外をｆＩＩ用すれば、温度可変フィルタ機
能付きの受光素子を実現することもてきる。
センサに用いることができる。すなわち、第１図のよう
な半導体受光素子に光を入射し、放射感度のピークが生
じる波長を検出すれば、半導体受光素ｆの温度を知るこ
とができる。このとき、入射光は外部からのものであっ
てもよく、別途に光源が付設されていてもよい。なお、
この温度依在外をｆＩＩ用すれば、温度可変フィルタ機
能付きの受光素子を実現することもてきる。
以上、詳細に説明した通り本発明では、半導体Ｕ仮を挟
む第１の電極と第２の電極の電極間隔を半導体基板１に
対する入射光の特性吸収長と対応させたので、特定の波
長でピークを示す放射感度特性が得られる。そして、こ
の放射感度のピークが生じる波長は電極間隔りに依存し
て変化し、また温度に依存して変化するので、フィルタ
などを設けることなく狭帯域の波長の光を検出できるだ
けでなく、極めて高感度の波長センサや温度センサにも
応用することができる。
む第１の電極と第２の電極の電極間隔を半導体基板１に
対する入射光の特性吸収長と対応させたので、特定の波
長でピークを示す放射感度特性が得られる。そして、こ
の放射感度のピークが生じる波長は電極間隔りに依存し
て変化し、また温度に依存して変化するので、フィルタ
などを設けることなく狭帯域の波長の光を検出できるだ
けでなく、極めて高感度の波長センサや温度センサにも
応用することができる。
第１図は、本発明の実施例に係る半導体受光素子の断面
図、第２図は、その放射感度を従来のフォトダイオード
と比較して説明する特性図、第３図は、第１図に示す実
施例の作用の説明図、第４図は、放射感度の電極間隔り
に対する依存性を説明する特性図、第５図は、波長セン
サとして応用するときの断面図、第６図は、放射感度の
温度にス、１する依存性を説明する特性図である。 １・・パ１′導体基板、２・・・第１の゛電極、３・・
・第２の電極、Ｌ・・・電極間隔。 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社代理人弁理士
長谷用 芳 樹実施イ列の断面構造 第１図 ヌ是（ｎｍｌ 款射惑濱の５皮長依存性 第２図 実か１列の４乍用の説明 第３図 波長（ｎｍｌ 〕ダ身寸７ｇ度の厚さ、依存；注 第４図 ひ 波長（ｎｍ） 刀対寸廓濱の５且コよイブく侶ｊ注 倦６図
図、第２図は、その放射感度を従来のフォトダイオード
と比較して説明する特性図、第３図は、第１図に示す実
施例の作用の説明図、第４図は、放射感度の電極間隔り
に対する依存性を説明する特性図、第５図は、波長セン
サとして応用するときの断面図、第６図は、放射感度の
温度にス、１する依存性を説明する特性図である。 １・・パ１′導体基板、２・・・第１の゛電極、３・・
・第２の電極、Ｌ・・・電極間隔。 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社代理人弁理士
長谷用 芳 樹実施イ列の断面構造 第１図 ヌ是（ｎｍｌ 款射惑濱の５皮長依存性 第２図 実か１列の４乍用の説明 第３図 波長（ｎｍｌ 〕ダ身寸７ｇ度の厚さ、依存；注 第４図 ひ 波長（ｎｍ） 刀対寸廓濱の５且コよイブく侶ｊ注 倦６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板の上面に第１の電極が形成され、かつ下
面に第２の電極が形成され、前記上面側から入射光を受
けるようにした半導体受光素子であって、 前記第１の電極は前記入射光を透過させる材料もしくは
厚さで形成され、 前記半導体基板の前記入射光方向の厚さが当該半導体基
板に対する前記入射光の特性吸収長と対応していること
を特徴とする半導体受光素子。 ２、前記第１の電極が前記半導体基板にショットキ接触
していることを特徴とする請求項１記載の半導体受光素
子。 ３、前記半導体基板が高抵抗半導体で形成されているこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体受光素子。 ４、半導体基板の上面に第１の電極が形成され、かつ下
面に第２の電極が形成され、前記上面側から入射光を受
けるようにした半導体受光素子であって、前記第１の電
極は前記入射光を透過させる材料もしくは厚さで形成さ
れ、前記半導体基板の前記入射光方向の厚さが当該半導
体基板に対する前記入射光の特性吸収長と対応している
半導体受光素子と、 前記第１および第２の電極からの出力信号の前記入射光
の波長に対する依存性にもとづいて前記半導体受光素子
の温度に対応した検出信号を出力する検出信号出力手段
と を備えることを特徴とする温度検出器。 ５、半導体基板の上面に第１の電極が形成され、かつ下
面に第２の電極が形成され、前記上面側から入射光を受
けるようにした半導体受光素子であって、前記半導体基
板は前記入射光方向の厚さが互いに異なる複数の領域を
有し、 前記第１の電極は前記厚さの異なる領域ごとに形成され
た複数の電極を含んで前記入射光を透過させる材料もし
くは厚さで形成され、かつ前記半導体基板の前記厚さの
異なる領域における前記入射光方向の厚さのそれぞれが
、当該半導体基板に対する前記入射光中の波長の異なる
光成分のそれぞれの特性吸収長と対応している半導体受
光素子と、 前記第１の電極を構成する複数の電極から得られる出力
信号にもとづいて前記入射光の波長に対応した検出信号
を出力する検出信号出力手段とを備えることを特徴とす
る波長検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63143367A JPH0821728B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 半導体受光素子と、これを用いた検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63143367A JPH0821728B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 半導体受光素子と、これを用いた検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH021995A true JPH021995A (ja) | 1990-01-08 |
| JPH0821728B2 JPH0821728B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=15337135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63143367A Expired - Fee Related JPH0821728B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 半導体受光素子と、これを用いた検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821728B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100643486B1 (ko) * | 2000-11-02 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 파트크리닝설비의 배기라인 역류방지용 여과장치 |
| US7411178B2 (en) | 2003-08-11 | 2008-08-12 | Eudyna Devices Inc. | Wavelength measuring device for a single light receiving element and wavelength measuring method at different temperatures |
| CN109473488A (zh) * | 2017-09-07 | 2019-03-15 | 中国科学院物理研究所 | 可见盲紫外光探测器及其制备方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017035589A1 (en) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | The University Of Queensland | Narrowband photodetector |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58121668A (ja) * | 1982-01-13 | 1983-07-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 多色イメ−ジ・センサ |
-
1988
- 1988-06-10 JP JP63143367A patent/JPH0821728B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58121668A (ja) * | 1982-01-13 | 1983-07-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 多色イメ−ジ・センサ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100643486B1 (ko) * | 2000-11-02 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 파트크리닝설비의 배기라인 역류방지용 여과장치 |
| US7411178B2 (en) | 2003-08-11 | 2008-08-12 | Eudyna Devices Inc. | Wavelength measuring device for a single light receiving element and wavelength measuring method at different temperatures |
| CN109473488A (zh) * | 2017-09-07 | 2019-03-15 | 中国科学院物理研究所 | 可见盲紫外光探测器及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0821728B2 (ja) | 1996-03-04 |
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