JPH0219959B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

この発明は放射作像装置並びに方法、更に具体
的に云えば、放射に対する１回の露出から多数の
コピーが得られる様にしたイオン弁形放射線電子
写真法（エレクトロラジオグラフイ）用の新規な
方法並びに装置に関する。 医療診断用に使われるＸ線の様な放射線を、キ
セノン、クリプトン、フレオン等の加圧ガスか、
或いはテトラメチル錫（TMT）等の様な放射導
電性液体により、静電荷像に変換することが出来
ることはよく知られている。こうしてＸ線から変
換された静電荷像を、誘電体材料の層に受容さ
せ、その後、普通のゼログラフ技術によつて、可
視像に現像する。静電荷像の形成を利用する装置
並びに方法が、例えば米国特許第3859529号、同
第3927322号、同第3961192号及び同第4046439号
に記載されている。 Ｘ線吸収体に対する入力のＸ線線量で表わした
こういう放射線電子写真装置の感度は、Ｘ線の量
子斑によつて、又は絶縁被膜の電荷担持区域を可
視的にする為に使われる、市場で入手し得るトナ
ーの現像し得る最低電荷密度により、幾分制限さ
れている。一般的に、市場で入手し得るトナー
は、10ナノクーロン／平方センチメートル
（nC／cm²）を越える平均電荷密度を必要とする。
一般的には利用することは出来ないが、最も感度
のよいトナーは、2nC／cm²の平均電荷密度を持つ
電荷像を現像することが出来る。放射線を電荷に
変換する気体又は液体の容積を封入した１対の電
極を持ち、差別的に吸収された放射線パターンを
受取る電極の内面の上に絶縁シートが配置された
装置では、品質のよい可視像を発生する為に必要
な放射線量が許容し得るＸ線線量、即ち約１ミリ
レントゲン（mR）の露出量より大きい。典型的
な感度並びに線量は、１メデイカル・フイジイツ
クス（Medical Physics）誌1262（1974年、Ａ・
フエンステル他）に発表されたデータから得られ
るが、これを次の表にまとめて示す。

【表】 可視像にするには、1mRの所望の最高露出レ
ベルより少なくとも200％高い露出が必要である
ことが理解されよう。更に、米国特許第4064439
号に記載されている装置を別にすると、大抵の放
射線電子写真装置は、放射に対する１回の露出か
ら、１枚の放射写真像しか作ることが出来ず、こ
の為、オリジナルのコピーを複製するには、高価
なハロゲン化銀フイルム又はジアゾ形プリントを
用いる普通の写真複写の様な他の技術によらなけ
ればならない。この為、コピーからコピーを作る
につれて、欠陥が次第に大きくなる。この為、１
ミリレントゲン以上の露出量を必要とする程、放
射線電子写真装置の感度を高めなくて済むだけで
なく、必要に応じて放射線写真像の多重コピーを
容易に得られる様にする方法並びに装置が非常に
望ましい。 この発明では、イオン弁形放射線電子写真装置
が、相隔たる１対の導電電極を含み、その間の容
積は、放射線を電荷に変換するという特徴を持つ
気体又は液体材料で充填される。差別的に吸収さ
れた放射線を受取る電極に一番近い面に絶縁層を
支持する導電層を持つ有孔被膜又は網目構造が、
２つの電極の間に挿入される。放射線を受取取る
電極と導電性網目部材との間にある変換材料の領
域、並びに網目部材と他方の電極との間の領域に
電界が設定される。この電界は略同じ大きさであ
る。変換材料が、受取つた放射線の大きさに応答
して、電子とイオンを作り出す。放射線を受取る
電極と導電性網目部材との間にある変換材料の領
域で発生された一部分のイオンは、網目構造の絶
縁層の面に入る。放射線に露出した後、１対の電
極及び網目部材を接地すると共に、網目構造を、
網目構造の電荷担持絶縁層に一番近い面上に絶縁
層を支持する別の電極と平行になるように、予め
選ばれた距離だけ移動させる手段を設ける。網目
構造の絶縁層の面に入つたイオンと同じ極性のイ
オンが、次に網目構造の導電性部材より先の所か
ら網目構造に向けて投射され、投射されたイオン
は網目構造のすき間を通過する時に、網目構造の
絶縁層に蓄積されている電荷パターンによつて変
調される。変調されたイオン流が電極に支持され
た層の上に、検査しようとする物体の放射吸収性
を再現する様な電荷像を作る。網目構造の絶縁層
の面上にある電荷像の減衰時間は比較的長く、こ
の為、イオン投射の期間を比較的長くして、コン
トラストの強い像を発生することが出来ると共
に、放射に対する１回の露出から、電荷像の比較
的多数のコピーを作ることが出来る。 好ましい１実施例では、変換材料がテトラメチ
ル錫（TMT）液体であり、網目構造の絶縁層は
放射又は電荷に予め露出され、即ち検査しようと
する物体（患者）が存在しないときに露出され
て、患者の露出を行う前に、網目構造の上に一様
な背景電荷密度を沈積し、放射線量を１ミリレン
トゲンを越えない様にして、解像度が１ミリあた
り少なくとも20個の線対になる様な放射線写真像
を容易に発生することが出来る。 別の好ましい実施例では、キセノン、クリプト
ン又はフレオンの高圧ガスを使い、放射線源の焦
点に曲率の中心を持つ彎曲電極を利用して、露出
の際に前述の１対の電極の代りに使う。放射線源
に向う方向に収歛形の電界を発生する平坦な電極
を使い、網目構造を、放射を受取るその等電位電
極の上に配置する。 この発明の特徴は、以下図面について詳しく説
明する所から、当業者によく理解されよう。 最初に第１図について説明すると、イオン弁形
放射線写真装置１０は、検査しようとする物体１
２を通過する際に差別的に吸収されたＸ線等の様
な放射線１１の吸収パターンの多数のコピーを作
る為に使われる。Ｘ線１１の一部分は物体１２を
通過せず、その為実質的に減衰なしに装置１０に
達する。他の放射線量子は物体を通過し、物体の
内、各々の量子が通過した部分の相対的な吸収度
に従つて、減衰する。この為、物体の薄い部分１
２ａを通過するＸ線量子１１ａは、エネルギが吸
収されて比較的小さなエネルギ量を持つ量子１１
ｃとして出て来る。別の量子１１ｂは物体の比較
的厚い部分１２ｂに入り、部分１２ｂが十分な密
度並びに／又は厚さであれば、量子１１ｂはその
中に完全に吸収される。即ち、放射線は厚い又は
密な部分１２ｂを通過しない。 差別的に吸収された放射線が第１の導電性の平
面状電極１４の外面に入射し、その中を透過し
て、第１の電極１４と、それと平行に配置され且
つそれから隔たる第２の導電性の平面状電極１８
との間に入つている或る量の材料１６に達する。
材料１６は、入射したＸ線を帯電粒子に変換する
という特徴を持ち、テトラメチル錫（TMT）等
の様な液体であつてもよいし、或いはキセノン、
クリプトン、フレオン等の高圧ガスであつてもよ
い。電気絶縁材料で形成された側壁２０ａ，２０
ｂ（並びに図に示してない端壁）を付け加えるこ
とにより、適当な容器を形成し、適当な気体又は
液体材料を供給源（図に示してない）から入出力
接続部２２を介して、第１及び第２の電極１４，
１８の間に構成された露出室２３に圧送し且つ所
要の圧力でその中に保つことが出来る様にする。
網目構造２５がこの室内で、電極１４，１８と平
行に配置されている。網目構造は、通抜けの開口
２８の配列を持つ有孔膜又は導電性網目部材２７
であつてよく、絶縁材料の層３０が網目部材の密
実な部分（開口でない部分）の、放射を受取る電
極１４の方を向いた面の上に支持されている。網
目部材２７は開口２８の中心間間隔Ｌが40ミクロ
ン程度であつて、約50％又はそれ以上の透過率を
持つことが好ましく、こうすると各々の開口２８
の直径ｄは、好ましい１実施例では、厚さT₁が
約８ミクロンの網目部材では、約28ミクロンにな
る。網目部材は十分な引張り強さを持つ任意の材
料で形成することが出来、銅、ニツケル、クロム
等の様な金属や、ステンレス鋼の様な合金等を含
んでいてよい。この材料は導電性であつても半導
電性であつてもよいが、約10⁹オーム・センチメ
ートルより小さい比抵抗を持つていなければなら
ない。絶縁層３０は典型的には約３ミクロン乃至
約40ミクロンの厚さT₂に形成され、２酸化シリ
コン、硝子等の様な無機材料、或いはポリスチレ
ン、ポリエステル樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ビニル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリエチレン、テレフタレー
ト及びポリ弗化樹脂、ポリジフエニル・シロキサ
ン等の様な有機材料で作ることが出来る。絶縁層
３０の比抵抗が約５×10¹⁵オーム・センチメート
ルより大きければ、同様な絶縁材料を使うことが
出来る。 大きさV_Aの第１の電圧源３５が放射線を受取
る電極１４と導電性網目部材２７との間に接続さ
れ、その極性は、網目部材が電極１４に対して正
になる様にする。この源の大きさV_Aと、放射線
を受取る電極１４及び導電性網目部材２７の向い
合う面の間の隔たる距離D_Aは、網目部材２７か
ら電極１４に向つて変換材料内に大きさE_Aの第
１の電界３８が発生される様に調整される。大き
さV_Bの第２の電圧源４０が網目部材２７と電極
１８との間に接続され、その極性は電極の方が網
目部材より正になる様にする。網目部材２７及び
電極１８の向い合う面は距離D_Bだけ離れ、この
為、電極から網目部材に向つて大きさE_Bの電界
４２が発生される。電界３８，４２の大きさは略
等しいことが有利である。即ち、E_Aが大体E_Bに
等しい。典型的には、網目部材と下側の電極１８
との隔たる距離D_Bは２乃至４ミリメートル程度
である。この隔たる距離D_Bは、それを通抜ける
電界に応じた薄い網目構造２５の変形（歪み）の
大きさによつて左右されることを承知されたい。
網目構造２５の周縁が枠４５（左右の端部だけし
か第１図に断面で示してない）によつて支持され
るから、網目構造の周縁は比較的変形せず、最大
の変形は網目構造の中心で、電極１４又は１８の
一方に向つて起る。この変形を小さくする位に十
分頑丈な網目部材２７を使えば、網目部材と電極
１８の向い合う面の隔たる距離D_Bを減少し、電
圧源４０の大きさV_Bを減少することが出来る。
頑丈な網目部材２７にすれば、源４０を短絡回路
に替えることにより、大きさV_Bを略ゼロに減少
することが出来る。 動作について説明すると、物体１２が露出さ
れ、差別的に吸収された放射線が電極１４を透過
して変換材料１６に入る。放射線粒子が帯電粒子
に変換される。即ち負に帯電した電子又はイオン
と正に帯電したイオンとになる。電極１４と網目
部材２７との間にある領域で発生されたイオンの
一部分が絶縁層の電極１４に近い方の面３０ａへ
移動し、面３０ａの各々の部分に入る正の電荷
は、この面のその部分の上方にある変換材料の容
積が受取つた放射線の量に比例し、従つて物体１
２による放射線の吸収に反比例する。この為、絶
縁層の内、物体を通過しなかつた実質的に減衰の
ない放射線１１を受取る部分３０ｂは、その面の
近くにある正の電荷５０の数が、物体の一層薄い
部分１２ａの下方にあつて、従つて室に入る減衰
した大きさの放射線１１ｃに応じて、一層少ない
量の電荷を受取る。絶縁層の他の区域３０ｃより
も多い。絶縁層の他の区域３０ｄは、物体の比較
的厚手で稠密な部分１２ｂの下にあるので、物体
内で放射線量子１１ｂが吸収される為、受取る電
荷は実質的にゼロである。 物体を露出した後、導電性網目部材、下側電極
１８及び放射線を受取る電極１４が、夫々のスイ
ツチ手段S₁，S₂，S₃を図示の矢印の向きに作動す
ること等により、全て接地される。変換材料１６
が管２２を介して室の外へ圧送され、室の側面２
０ａを除去することによつて、室を空ける。枠４
５を室から押出し、枠４５の前側及び後側に枢着
された旋回自在の脚部５５の様な適当な手段によ
つて支持し、網目構造２５の露出室の容積から現
像室７０の中へ並進させることが出来る様にす
る。網目構造は、網目部材２７のそれと向い合う
面から距離D_Cだけ離れる別の平面状電極６０と
接地された網目部材２７とが平行になる様に位置
ぎめされる。プラスチツク等の様な絶縁材料のシ
ート６２がこの電極の網目構造に近い方の面６０
ａによつて支持されている。電圧源３５′が大き
さV_A′の電圧を網目部材２７と電極６０との間に
印加し、網目部材を電極に対して正の極性にす
る。第２の電圧源４０′が大きさV_B′の電圧を網
目部材とイオン源６５との間に印加し、イオン源
を網目部材に対して正の極性に保つ。電圧源３
５′，４０′は、露出室内で網目部材２７に対して
電極１４，１８に電圧を加える為に使われたのと
同じ源３５，４０であつてよい。現像室７０に於
ける電圧の大きさV_A′，V_B′は、電極と網目部材
が隔たる距離D_C並びに網目部材とイオン源６５
の間の隔たりに対して調整して、略同じ大きさ
E_Pの第１及び第２の電界６７，６８が、イオン
源から網目部材、そして網目部材から電極６０へ
逐次的に向う様にする。網目部材２７は大地電位
にとゞまり、イオン源はスコロトロン
（scorotron）、コロトロン（corotron）等であつ
てよいが、絶縁層の面３０ａに隣接して存在する
電荷５０と同じ極性の帯電粒子の流れ７１を網目
部材の絶縁層３０から遠い側の面２７ａに投射す
る。イオン源は、イオン７２の流れ７１を網目部
材の面２７ａ全体並びに網目部材の全ての開口２
８を逐次的に通す様に、矢印Ｆ及びＧの向きに移
動する様に配置されている。イオン７２が電界６
８によつて加速され、その後網目部材２７に達す
る。イオン７２の内、網目部材の開口２８を通過
したイオンが、開口の出口側の端で、大きさの変
化する電荷分布に出合う。電荷５０はイオン７２
の電荷と同じ極性であるから、網目構造２５を出
て絶縁シート６２に向うイオン流７１′の強さは、
絶縁材料の各々の島に既に沈積されている電荷の
大きさに反比例する。従つて、イオン流が、その
表面近くに比較的大きさの大きい電荷５０を持つ
絶縁区域３０ｂに囲まれた開口を通過する時、同
じ極性の相互作用により、実質的にイオンが網目
構造２５と電極６０との間の容積へ通過出来なく
なり、この為、絶縁材料の層３０ｂと整合して、
絶縁層６２の網目構造の方を向いた面には、実質
的に電荷が沈積されない。帯電粒子（イオン）７
２の流れ７１が、その表面近くにある電荷５０の
大きさが一層小さい、絶縁材料の層の他の部分３
０ｃによつて囲まれた他の開口２８に入る時、こ
れに応じて、同じ極性の電荷の相互作用が弱くな
り、少量のイオンが関連した開口を出で行き、電
界６７によつて加速され、絶縁材料の層の面６２
ａに沈積される。検査しようとする物体の関連し
た部分でＸ線量子が吸収された為に、実質的に電
荷が沈積されなかつた絶縁層の部分３ｄを通る開
口２８を通過するイオン流は、同じ極性の相互作
用を受けず、源から放出された略全部のイオン７
２がこういう開口を通過し、電界６７によつて加
速され、絶縁シートの面６２ａに沈積される。従
つて、大きさが検査しようとする物体の密度に比
例する電荷像が、電極６０によつて支持された絶
縁シートの面６２ａの上に沈積される。シート６
２の電荷像が、この後、トナー及び公知のゼログ
ラフ方法を用いて現像される。 絶縁層３０に使つた絶縁材料の減衰時間は比較
的長いから、電荷５０はこの層の表面の近くに
とゞまり、比較的長い期間の間イオン流に作用す
る為、シート６２に沈積される電荷の量は、或る
期間にわたつて、網目構造に電荷の島を形成する
電荷量より多くなるように沈積することが出来、
コントラストを強めることが出来る。第１のシー
ト６２に電荷像を沈積した後、第１のシートを取
外して現像し、その後、絶縁材料の何枚かのシー
トを電極の面６０ａの上に配置し、イオン源を、
網目構造の全ての開口を通してイオン流を放出し
ながら、網目構造の面を横切らせ、こうして逐次
的な多数のシートに電荷像を作ることが出来る。
これは、網目構造に於ける電荷像の電荷減衰時間
が比較的長いことによつて容易になる。 イオン投射像の解像度は、網目構造の開口の寸
法ｄ、開口の中心間寸法Ｌに関係すると共に、イ
オン投射電界の大きさE_Pにも関係する。網目構
造の絶縁層３０の面３０ａに於ける電荷密度を強
めることにより、イオン投射電界の大きさE_Pを
増加するのが有利である。これは、患者がいない
状態で、絶縁層３０を予め露出して、一様な背景
電荷密度σ₀を持たせることによつて達成される。
この予備露出は、露出室２３で放射線１１を送込
んで、網目構造の絶縁層の面３０ａ全体にわたつ
て背景電荷密度σ₀を作り上げてもよいし、或いは
スコロトロン、コロトロン等の様なイオン放出器
７５によつて、一様な背景電荷密度σ₀を沈積して
もよい。このイオン放出器は電極１４の内面に近
い位置から絶縁層３０ａを横切らせる。予備露出
の後、検討しようとする物体１２を電極１４の外
面の前側の所定位置に移動し、像を作る為の露出
を完了する。典型的には、最大像電荷密度σ_iMが
0.9nC／cm²程度であり、最小像電荷密度σ_inが
0.1nC／cm²であつて、網目構造が50％の透過率で、
物体１２が存在する時のＸ線露出による平均電荷
密度が1.0nC／cm²である時、約3nC／cm²の正の一
様な背景電荷密度σ₀を使うことが出来る。同様
に、予備露出の一様な背景電荷は負のイオン又は
電子であつてもよく、典型的には一様な背景電荷
密度σ₀は約−4nC／cm²にする。反対の極性の電荷
も同じ様に使うことが出来ることは云う迄もな
い。この時電圧源３５，３５′，４０，４０′、イ
オン７２、電荷５０の極性、及び電界３８，４
２，６７，６８の方向は反対にする。 イオン投射電界の大きさE_Pは（σ₀＋σ_iM）／
（3Kε₀）に等しい。こゝでε₀は空気の誘電率であ
り、Ｋは網目構造の絶縁層３０の比誘電率であ
る。図示の実施例で、Ｋが2.5、σ₀が3nC／cm²、
σ_iMが0.9nC／cm²である場合、イオン加速電界の大
きさE_Pは5880ボルト／cmである。現像室内の距
離D_Cが0.4センチメートルである時、イオン投射
による解像度は１ミリメートルあたり約21.5の線
対である。誘電体被膜６２上の電荷像の電荷密度
は、イオン流密度及びイオン投射時間に関係し、
現在市場で入手し得るトナーを用いて電荷像を現
像するのに必要な10nC／cm²の平均電荷密度をこ
えるのは容易である。従つて、21.5線対／mmのイ
オン投射解像度で、液体Ｘ線吸収体１６及び網目
構造２５に於ける解像度が夫々20及び25線対／mm
であれば、この結果誘電体被膜上に出来る電荷像
の解像度は7.3線対／mm程度になる。 第１図の平坦な電極を用いた実施例は、液体又
は気体のＸ線変換材料に使うことが出来るが、キ
セノン、クリプトン、フレオン等の様な高圧ガス
の様な気体変換材料を使う別の好ましい実施例が
第２図に示されている。放射線点源８０の放出は
立体角θに制限され、この為放射線量子１１′，
１１a′，１１b′が物体１２を通過する時、並びに
第１の電極１４′の外向きの面に到着する時、互
いに発散する。この実施例では、網目構造２５′
は、導電性網目部材２７の密実な部分の上に絶縁
材料を支持しており、それが差別的な放射を受取
る電極に直接に当てて配置される。この為、導電
性部材２７が電極１４′の内面と突合せになる。
変換気体８５が網目構造２５′の開口２８と、網
目構造及び下側電極構造９０の内面の間の容積と
を充填する。電極１４′が等電位面になり、点源
８０に向つて収歛する電界９２を発生して、電極
１４′，９０の間のすき間内の高圧気体による幾
何学的な不明確さをなくす為、下側電極９０は同
心の等電位円形リングを形成する様に設計されて
いる。この為、抵抗部材９４の平面状の面９４ａ
が、電極１４′及び網目部材の面３０ａの両方の
平面と平行で且つそれから隔たつている。導電材
料の環状リング９６が面９４ａの円形の周縁に沿
つて配置され、同心の等電位保護リングを形成す
る。この抵抗部材は電極の中心線９０ａと周縁９
０ｂとの間に非直線的な半径方向の抵抗特性を有
する。大きさV₂の電圧源９７が保護リング９６
と抵抗部材の彎曲面９４ｂの中心９４ｃとの間に
接続され、その極性は、保護リングが抵抗部材の
中心に対して負になる様になつている。大きさ
V_B″の第２の電圧源４０″が抵抗部材の中心点９
４ｃと接地された上側電極１４′との間に接続さ
れる。（中心点９４ｃを通過する）中心軸線９０
ａに対する部材９０の非直線抵抗により、電気力
線９２が点源に向つて収歛する。高圧気体中の電
子及びイオンを収集するのに必要な電界９２の大
きさは、液体Ｘ線吸収体中での収集に必要な電界
の大きさよりずつと小さく、この為、電界によつ
て網目構造に加わる応力は、高圧気体を利用した
時一層小さくなる。電界によつて誘起される網目
構造の変形の程度が小さくなることにより、網目
構造と放射を受取る電極との間の電圧並びに間隔
を実質的にゼロまで減少することが出来る。更
に、一層薄くて一層細い網目部材２７を使うこと
が出来る。典型的には、網目の中心間間隔L′は、
第１図の実施例について前に述べたのと同じ50％
の透過率で、約25ミクロンにすることが出来る。
中心間間隔が25ミクロンで透過率が50％の網目の
場合、導電性網目の厚さT₁′は約４乃至約10ミク
ロンにし、絶縁層の厚さT₂′は約３乃至約15ミク
ロンにするのが好ましい。Ｘ線を吸収する高圧気
体の典型的な解像度は10線対／mm程度であること
が判つた。網目構造の解像度は40線対／mm程度で
あり、イオン投射による解像度は、前に述べた様
に、21.5線対／mm程度である。この結果得られる
イオン弁形放射線写真装置の解像度は約６線対／
mmである。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の現在好ましいと考えられる
１実施例の多重コピー用イオン弁形放射線写真装
置の簡略側面断面図、第２図はこの発明の別の好
ましい実施例の側面断面図である。 主な符号の説明、１１：Ｘ線、１２：物体、１
４：第１の電極、１６：変換材料、１８：第２の
電極、２３：露出室、２５：網目構造、２７：導
電性網目部材、２８：開口、３０：絶縁層、３
５，４０，３５′，４０′：電圧源、６０：第３の
電極、６２：絶縁材料のシート、６５：イオン
源、７０：現像室。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 放射線源からの放射線を差別的に吸収する物
   体の放射線写真を作る装置に於て、 (イ) 差別的に吸収された放射線を受取る第１の電
   極、該第１の電極から予め選ばれた距離だけ隔
   たり、該第１の電極と共に前記放射線源に向つ
   て収歛する電界を発する第２の電極、及び前記
   第１及び第２の電極の間の容積を充填して、前
   記第１の電極を通過する差別的に吸収された放
   射線を帯電粒子に変換する手段を含む露出室
   と、 (ロ) 前記帯電粒子変換手段の容積の中に配置され
   ていて、導電性網目部材、及び前記第２の電極
   に一番近い該網目部材の密実部分の表面に支持
   されている、電荷減衰時間が比較的長い絶縁材
   料の層を含む網目構造と、 (ハ) 前記第１及び第２の電極の間に電界を発生し
   て、前記変換手段によつて変換された少なくと
   も若干の帯電粒子を前記網目構造の絶縁材料の
   層の内、前記網目部材から遠い方の面の近くに
   集めて、該面上に前記物体を表わす電荷パター
   ンを形成する第１の手段と、 (ニ) 表面を持つ第３の電極、該第３の電極の表面
   によつて支持された絶縁材料のシート、前記第
   ３の電極の表面から隔たつていて、イオン流を
   前記絶縁材料のシートに向けて投射する手段、
   及び該イオン投射手段及び前記第３の電極の間
   に電界を形成して、前記イオンを前記絶縁材料
   のシートに向けて加速する第２の手段を含む現
   像室と、 (ホ) 差別的に吸収された放射線に応答して前記電
   荷パターンが収集された後、前記網目構造を前
   記露出室から、前記現像室内で、前記第３の電
   極の表面及び前記イオン投射手段の間の位置へ
   移動する手段と、 (ヘ) 前記網目構造を移動する間、少なくとも前記
   導電性網目部材並びに前記第１及び第２の電極
   を大地電位に結合する手段とを有し、もつて前
   記網目構造を通つて前記絶縁材料のシートの面
   に達する投射されたイオンの流れが網目構造の
   絶縁材料の層に沈積された電荷パターンよつて
   制御されることにより、絶縁材料のシートの面
   上に、前記物体の放射線吸収性を表わす電荷パ
   ターンを作る装置。 ２ 特許請求の範囲１に記載した装置に於て、前
   記変換材料が気体状態の材料であつて、大気圧よ
   り高い圧力に保たれている装置。 ３ 特許請求の範囲２に記載した装置に於て、前
   記気体材料がキセノン、クリプトン又はフレオン
   の内の１種類である装置。 ４ 特許請求の範囲２又は３に記載した装置に於
   て、前記露出室が、前記気体材料を前記第１及び
   第２の電極の間の容積内で前記圧力を保つ手段を
   有する装置。 ５ 特許請求の範囲４に記載した装置に於て、前
   記容積を前記圧力の前記気体材料で選択的に充填
   したり、空けたりする手段を有する装置。 ６ 特許請求の範囲２乃至５のいずれか１項に記
   載した装置に於て、前記網目部材が約25ミクロン
   の中心間間隔を持つ開口で透過率が約50％である
   装置。 ７ 特許請求の範囲６に記載した装置に於て、前
   記絶縁材料の層が約３ミクロン乃至約15ミクロン
   の厚さを持つ装置。 ８ 特許請求の範囲１に記載した装置に於て、前
   記変換手段が液体状態の材料である装置。 ９ 特許請求の範囲８に記載した装置に於て、前
   記液体材料がテトラメチル錫である装置。 １０ 特許請求の範囲８又は９に記載した装置に
   於て、前記露出室が、前記液体材料を前記第１及
   び第２の電極の間の容積内に保持する手段を有す
   る装置。 １１ 特許請求の範囲１０に記載した装置に於
   て、前記容積を前記液体材料で選択的に充填した
   り、空けたりする手段を有する装置。 １２ 特許請求の範囲１乃至１１のいずれか１項
   に記載した装置に於て、前記導電性網目部材が導
   電材料の有孔膜である装置。 １３ 特許請求の範囲１乃至１２のいずれか１項
   に記載した装置に於て、差別的に吸収された放射
   線を受取る前に、前記絶縁材料の層の表面に略一
   様な背景電荷密度を沈積する手段を有する装置。 １４ 特許請求の範囲１乃至１３のいずれか１項
   に記載した装置に於て、前記網目部材が約10⁹オ
   ーム・センチメートルより小さい比抵抗を持つ装
   置。 １５ 特許請求の範囲１乃至１４のいずれか１項
   に記載した装置に於て、前記絶縁材料の層が約５
   ×10¹⁵オーム・センチメートルより大きな比抵抗
   を持つ装置。 １６ 特許請求の範囲１乃至１５のいずれか１項
   に記載した装置に於て、前記網目構造の導電性部
   材の表面が前記第１の電極と突合せになつている
   装置。 １７ 特許請求の範囲１に記載した装置に於て、
   前記第２の電極が、前記第１の電極と平行な平面
   状の面及び該平面状の面の反対側にあつて、中心
   線及びその周縁の間で非直線的な抵抗特性を持つ
   弯曲面を持つ抵抗部材と、該抵抗部材の周縁の周
   りに配置された導電性保護部材とを含み、前記第
   １の手段が前記抵抗部材の弯曲面の中心と保護部
   材の間に結合された電圧源を含んでいて、前記抵
   抗部材の平面状の面に同心の等電位リングを形成
   する装置。