JPH02199406A - 導波型光アイソレータ - Google Patents
導波型光アイソレータInfo
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- JPH02199406A JPH02199406A JP2032689A JP2032689A JPH02199406A JP H02199406 A JPH02199406 A JP H02199406A JP 2032689 A JP2032689 A JP 2032689A JP 2032689 A JP2032689 A JP 2032689A JP H02199406 A JPH02199406 A JP H02199406A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本・発明は、光通信システムにおいて使用される光アイ
ソレータに関するものである。
ソレータに関するものである。
(従来の技術)
半導体レーザを用いた光通信システムでは、光コネクタ
等で反射された、いわゆる戻り光によって半導体レーザ
の雑音の増加や出力変動等が生じ、広帯域の光通信シス
テムを構成する際に問題になることが知られている。こ
のため、戻り光が半導体レーザに戻らないよづに光アイ
ソレータが用いられる。
等で反射された、いわゆる戻り光によって半導体レーザ
の雑音の増加や出力変動等が生じ、広帯域の光通信シス
テムを構成する際に問題になることが知られている。こ
のため、戻り光が半導体レーザに戻らないよづに光アイ
ソレータが用いられる。
周知のように、光アイソレータは、光伝送方向である順
方向には光を通過するが、逆方向にはその進行を阻止す
る機能を有している。現在、ファラデー回転子と偏光子
、検光子といった、個別要素光部品を組み合わせたバル
ク型光アイソレータが実用化されている。しかし、この
バルク型光アイソレータは、個別要素光部品の製作に煩
雑な研磨工程を多く必要とし、また、構成要素光部品の
組み立てに3次元光軸合わせという煩雑な工程を必要と
するという欠点を有するとともに、個別要素光部品の組
合せにより構成されるため大型になるという欠点を有す
る。
方向には光を通過するが、逆方向にはその進行を阻止す
る機能を有している。現在、ファラデー回転子と偏光子
、検光子といった、個別要素光部品を組み合わせたバル
ク型光アイソレータが実用化されている。しかし、この
バルク型光アイソレータは、個別要素光部品の製作に煩
雑な研磨工程を多く必要とし、また、構成要素光部品の
組み立てに3次元光軸合わせという煩雑な工程を必要と
するという欠点を有するとともに、個別要素光部品の組
合せにより構成されるため大型になるという欠点を有す
る。
第2図は、これらの欠点を除去するために提案された従
来の導波型光アイソレータの構成図である。第2図にお
いて、1,2はTEモード通過フィルタで、ガラスやL
iN b Oaの導波路上に金属膜1a、2aをそれ
ぞれ蒸着して構成され、TEモード光のみを通過させる
。3は非相反モード変換回路で、ファラデー効果を有す
るガーネット系の磁気光学結晶で形成され、入射光St
および戻り光SRの偏光面を45度、非相反に回転させ
る。4は相反モード変換回路で、LiNbO3などの異
方性結晶で形成され、入射光S1および戻り光SRの偏
光面を45度、相反に回転させる。
来の導波型光アイソレータの構成図である。第2図にお
いて、1,2はTEモード通過フィルタで、ガラスやL
iN b Oaの導波路上に金属膜1a、2aをそれ
ぞれ蒸着して構成され、TEモード光のみを通過させる
。3は非相反モード変換回路で、ファラデー効果を有す
るガーネット系の磁気光学結晶で形成され、入射光St
および戻り光SRの偏光面を45度、非相反に回転させ
る。4は相反モード変換回路で、LiNbO3などの異
方性結晶で形成され、入射光S1および戻り光SRの偏
光面を45度、相反に回転させる。
これらを、光の入射側から、TEモモ−通過フィルタ1
、非相反モード変換回路3、相反モード変換回路4、T
Eモモ−通過フィルタ2の順に配備して導波型光アイソ
レータを構成している。
、非相反モード変換回路3、相反モード変換回路4、T
Eモモ−通過フィルタ2の順に配備して導波型光アイソ
レータを構成している。
このような構成にすることによって、入射光S1は当該
光フィルタを通過して出射光S。となるが、出射側に戻
ってきた戻り光SRは阻止されて、入射側から出射され
ることはない。ここで、導波膜中を伝搬する光は、TE
モードとTMモードの固有モードになるが、これらの両
モードの中間の45度回転した状態の光だけを通過させ
ることができる導波型モードフィルタが得られていない
ために、従来の導波型光アイソレータにおいては、非相
反モード変換回路3の他に相反モード変換回路4を設け
て、TEモードあるいはTMモードに変換してからTE
モモ−通過フィルタ1,2に入射させる構成にしている
。
光フィルタを通過して出射光S。となるが、出射側に戻
ってきた戻り光SRは阻止されて、入射側から出射され
ることはない。ここで、導波膜中を伝搬する光は、TE
モードとTMモードの固有モードになるが、これらの両
モードの中間の45度回転した状態の光だけを通過させ
ることができる導波型モードフィルタが得られていない
ために、従来の導波型光アイソレータにおいては、非相
反モード変換回路3の他に相反モード変換回路4を設け
て、TEモードあるいはTMモードに変換してからTE
モモ−通過フィルタ1,2に入射させる構成にしている
。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記従来の導波型光アイソレタは、
■効率のよい導波型の非相反モード変換回路3を形成で
きないこと、 ■導波型の非相反モード変換回路3と導波型の相反モー
ド変換回路4を同一基板上に形成できない、 という理由により、実現するには至っていない。
きないこと、 ■導波型の非相反モード変換回路3と導波型の相反モー
ド変換回路4を同一基板上に形成できない、 という理由により、実現するには至っていない。
さらに詳述すると、上記理由■については、導波膜中を
伝搬する光が固有モードのTEモードと7Mモードしか
取りえないことに起因している。
伝搬する光が固有モードのTEモードと7Mモードしか
取りえないことに起因している。
即ち、高効率で光の偏光面を回転させるためには、両モ
ードの位相定数が完全に一致していなければならないが
、等方性の導波膜では、TEモードと7Mモードの位相
定数が異なっており、何らかの工夫を施さない限り、高
効率での偏光面の回転は生じない。そのため、導波膜自
身に故意に応力による複屈折性をもたせたり、多層構造
の導波路とする試みがなされているが、実用レベルの変
換効率は得られていない。
ードの位相定数が完全に一致していなければならないが
、等方性の導波膜では、TEモードと7Mモードの位相
定数が異なっており、何らかの工夫を施さない限り、高
効率での偏光面の回転は生じない。そのため、導波膜自
身に故意に応力による複屈折性をもたせたり、多層構造
の導波路とする試みがなされているが、実用レベルの変
換効率は得られていない。
上記理由■については、非相反モード変換回路3として
用いるガーネット系結晶膜(YIG膜、Bi置換YIG
膜など)は、通常、格子定数の整合がとれているガドリ
ガリウムガーネット(GGG;Gd5Ga501゜)基
板上に成長させるが、相反モード変換回路4に用いるL
iNbO3などの格子定数の異なる結晶を成長させるこ
とに、未だ成功していない。また、仮に結晶成長ができ
るようになったとしても、接続界面の問題がある。
用いるガーネット系結晶膜(YIG膜、Bi置換YIG
膜など)は、通常、格子定数の整合がとれているガドリ
ガリウムガーネット(GGG;Gd5Ga501゜)基
板上に成長させるが、相反モード変換回路4に用いるL
iNbO3などの格子定数の異なる結晶を成長させるこ
とに、未だ成功していない。また、仮に結晶成長ができ
るようになったとしても、接続界面の問題がある。
即ち、一般に異種材料の界面部分で、結晶性を乱さずに
異種材料の結晶成長をさせることは極めて困難である。
異種材料の結晶成長をさせることは極めて困難である。
さらに、この界面において、光の反射が生じたのでは光
アイソレータを構成することができないので、両材料の
屈折率を合致させるなどして無反射化を図らなければな
らないが、適当な解決策がない。
アイソレータを構成することができないので、両材料の
屈折率を合致させるなどして無反射化を図らなければな
らないが、適当な解決策がない。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、そ
の目的は、導波型の非相反モード変換回路を用いること
なく、高性能で実用的な導波型光アイソレータを提供す
ることにある。
の目的は、導波型の非相反モード変換回路を用いること
なく、高性能で実用的な導波型光アイソレータを提供す
ることにある。
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するため、本発明では、基板上に形成さ
れた石英系光導波路と、各々が前記光導波路に所定の長
さをもって形成され、当該光導波路の伝搬光の一のモー
ド光のみを通過させる第1及び第2の導波型モード通過
フィルタと、これら第1及び第2の導波型モード通過フ
ィルタ間の前記光導波路に所定の長さをもって形成され
、当該第1及び第2の導波型モード通過フィルタの通過
光の偏光面を相反に所定角度回転させる導波型相反モー
ド変換回路とを備え、かつ、前記第1の導波型モード通
過フィルタと前記導波型相反モード変換回路間に、当該
節1の導波型モード通過フィルタおよび導波型相反モー
ド変換回路の通過光の偏光面を非相反に所定角度回転さ
せるファラデー回転子を挿入した。
れた石英系光導波路と、各々が前記光導波路に所定の長
さをもって形成され、当該光導波路の伝搬光の一のモー
ド光のみを通過させる第1及び第2の導波型モード通過
フィルタと、これら第1及び第2の導波型モード通過フ
ィルタ間の前記光導波路に所定の長さをもって形成され
、当該第1及び第2の導波型モード通過フィルタの通過
光の偏光面を相反に所定角度回転させる導波型相反モー
ド変換回路とを備え、かつ、前記第1の導波型モード通
過フィルタと前記導波型相反モード変換回路間に、当該
節1の導波型モード通過フィルタおよび導波型相反モー
ド変換回路の通過光の偏光面を非相反に所定角度回転さ
せるファラデー回転子を挿入した。
(作 用)
本発明によれば、第1の導波型モード通過フィルタが形
成されている側の一方の石英系光導波路端面から入射さ
れた、ランダムな偏光状態の入射光は、光導波路を伝搬
して、第1の導波型モード通過フィルタに入射する。第
1の導波型モード通過フィルタに入射した伝搬光のうち
、例えば7Mモードの伝搬光はその進行が阻止され、T
Eモードの伝搬光のみが第1の導波型モード通過フィル
タを通過する。次に、第1の導波型モード通過フィルタ
を通過したTEモードの伝搬光は、ファラデー回転子に
入射し、ここで、偏光面を光入射方向からみて所定方向
、例えば右方向に、所定角度、例えば45度だけ回転さ
せられる。この回転作用を受けてファラデー回転子を通
過した伝搬光は、続いて導波型相反モード変換回路に入
射する。
成されている側の一方の石英系光導波路端面から入射さ
れた、ランダムな偏光状態の入射光は、光導波路を伝搬
して、第1の導波型モード通過フィルタに入射する。第
1の導波型モード通過フィルタに入射した伝搬光のうち
、例えば7Mモードの伝搬光はその進行が阻止され、T
Eモードの伝搬光のみが第1の導波型モード通過フィル
タを通過する。次に、第1の導波型モード通過フィルタ
を通過したTEモードの伝搬光は、ファラデー回転子に
入射し、ここで、偏光面を光入射方向からみて所定方向
、例えば右方向に、所定角度、例えば45度だけ回転さ
せられる。この回転作用を受けてファラデー回転子を通
過した伝搬光は、続いて導波型相反モード変換回路に入
射する。
導波型相反モード変換回路に入射しだ伝搬光は、偏光面
を前記ファラデー回転子で回転させられた方向とは反対
向、即ち、左方向に所定角度、例えば45度だけ回転さ
せられて、第1の導波型モード通過フィルタを通過した
伝搬光と同じ偏光状態のTEモードの伝搬光に戻される
。次いで、導波型相反モード変換回路を通過した伝搬光
は、第2の導波型モード通過フィルタをそのまま通過し
、光導波路の他方の端面より出射される。
を前記ファラデー回転子で回転させられた方向とは反対
向、即ち、左方向に所定角度、例えば45度だけ回転さ
せられて、第1の導波型モード通過フィルタを通過した
伝搬光と同じ偏光状態のTEモードの伝搬光に戻される
。次いで、導波型相反モード変換回路を通過した伝搬光
は、第2の導波型モード通過フィルタをそのまま通過し
、光導波路の他方の端面より出射される。
一方、光導波路の他方の端面から入射された、ランダム
な偏光状態のいわゆる戻り光は、光導波路を伝搬して第
2の導波型モード通過フィルタに入射する。第2の導波
型モード通過フィルタに入射しだ伝搬光のうち、例えば
7Mモードの伝搬光はその進行が阻止され、TEモード
の伝搬光のみが、第2の導波型モード通過フィルタを通
過する。
な偏光状態のいわゆる戻り光は、光導波路を伝搬して第
2の導波型モード通過フィルタに入射する。第2の導波
型モード通過フィルタに入射しだ伝搬光のうち、例えば
7Mモードの伝搬光はその進行が阻止され、TEモード
の伝搬光のみが、第2の導波型モード通過フィルタを通
過する。
次に、第2の導波型モード通過フィルタを通過したTE
モードの伝搬光は、導波型相反モード変換回路に入射し
、ここで、偏光面を光導波路の一方の端面側からみて右
方向に45度だけ回転させられる。この回転作用を受け
て導波型相反モード通過フィルタを通過した伝搬光は、
続いてファラデー回転子に入射する。
モードの伝搬光は、導波型相反モード変換回路に入射し
、ここで、偏光面を光導波路の一方の端面側からみて右
方向に45度だけ回転させられる。この回転作用を受け
て導波型相反モード通過フィルタを通過した伝搬光は、
続いてファラデー回転子に入射する。
ファラデー回転子に入射した伝搬光は、導波型相反モー
ド通過フィルタで回転させられた方向と同一方向、即ち
、光導波路の一方の端面側からみて右方向に45度だけ
回転させられて、結局、伝搬光は7Mモードに変換され
る。その結果7Mモードの伝搬光は、ファラデー回転子
を通過した後、第1の導波型モード通過フィルタに入射
するが、ここでその進行が阻止されて、当該光アイソレ
ータから出射されることはない。
ド通過フィルタで回転させられた方向と同一方向、即ち
、光導波路の一方の端面側からみて右方向に45度だけ
回転させられて、結局、伝搬光は7Mモードに変換され
る。その結果7Mモードの伝搬光は、ファラデー回転子
を通過した後、第1の導波型モード通過フィルタに入射
するが、ここでその進行が阻止されて、当該光アイソレ
ータから出射されることはない。
なお、第1および第2の導波型モード通過フィルタが、
7Mモードのみを通過させるフィルタの場合も、上記と
同様の作用を受ける。
7Mモードのみを通過させるフィルタの場合も、上記と
同様の作用を受ける。
(実施例)
第1図は、本発明による導波型光アイソレータの一実施
例を示す図であって、同図(a)は斜視図、同図(b)
は上面図、同図(c)は縦側断面図である。
例を示す図であって、同図(a)は斜視図、同図(b)
は上面図、同図(c)は縦側断面図である。
第1図において、10はシリコン基板、2oは埋め込み
型の石英系光導波路、21は導波型のTEモモ−通過フ
ィルタ、22は導波型の相反モード変換回路、23は導
波型の第2のTEモモ−通過フィルタ、30はファラデ
ー回転子、40 a 。
型の石英系光導波路、21は導波型のTEモモ−通過フ
ィルタ、22は導波型の相反モード変換回路、23は導
波型の第2のTEモモ−通過フィルタ、30はファラデ
ー回転子、40 a 。
40bは当該光アイソレータの光入射端並びに光出射端
に接続した光ファイバ、slは入射光、Soは出射光、
SRは戻り光であって、シリコン基板10上に形成され
た石英系光導波路2oに、その光入射側から光出射側へ
の光の進行方向(以下、順方向という)の順に、第1の
TEモード通過フィルタ21、相反モード変換回路22
、第2のTEモード通過フィルタ23が形成され、かつ
、第1のTEモード通過フィルタ21と相反モード通過
フィルタ22間にファラデー回転子3oが挿大しである
。以下、これらの構成要素のうち、主構成要素について
、順を追って詳細に説明する。
に接続した光ファイバ、slは入射光、Soは出射光、
SRは戻り光であって、シリコン基板10上に形成され
た石英系光導波路2oに、その光入射側から光出射側へ
の光の進行方向(以下、順方向という)の順に、第1の
TEモード通過フィルタ21、相反モード変換回路22
、第2のTEモード通過フィルタ23が形成され、かつ
、第1のTEモード通過フィルタ21と相反モード通過
フィルタ22間にファラデー回転子3oが挿大しである
。以下、これらの構成要素のうち、主構成要素について
、順を追って詳細に説明する。
石英系光導波路20は、SiO−TiO2からなる角形
状のコア20aと、コア20aを被覆したS 102か
らなるクラッド20bとから構成され、シリコン基板1
0上に火炎加水分解法並びに反応性イオンエツチング法
によって形成している。また、光アイソレータに使用す
る光導波路は、単一モード光導波路であり、光が閉じ込
められるコア20aの寸法は使用波長に依存するので、
波長1.3μm〜1.5μmでは数μm角から10μm
角に形成され、波長0.8μmでは2μm角程度から数
μm角に形成される。
状のコア20aと、コア20aを被覆したS 102か
らなるクラッド20bとから構成され、シリコン基板1
0上に火炎加水分解法並びに反応性イオンエツチング法
によって形成している。また、光アイソレータに使用す
る光導波路は、単一モード光導波路であり、光が閉じ込
められるコア20aの寸法は使用波長に依存するので、
波長1.3μm〜1.5μmでは数μm角から10μm
角に形成され、波長0.8μmでは2μm角程度から数
μm角に形成される。
第1および第2のTEモモ−通過フィルタ21゜23は
、石英系光導波路20のコア20a上部に、第1図にお
いて設定した直交座標系のZ軸方向に所定の長さだけア
ルミニウムなどの金属膜211゜231を蒸着などによ
りコーティングすることによって形成され、コア20a
の伝搬光のうち、TEOモード光は通過させ、TEモー
ド光および置モード光以上の高次のTEモード光は通過
させずその進行を阻止する。
、石英系光導波路20のコア20a上部に、第1図にお
いて設定した直交座標系のZ軸方向に所定の長さだけア
ルミニウムなどの金属膜211゜231を蒸着などによ
りコーティングすることによって形成され、コア20a
の伝搬光のうち、TEOモード光は通過させ、TEモー
ド光および置モード光以上の高次のTEモード光は通過
させずその進行を阻止する。
第3図は、この第1のTEモモ−通過フィルタ21の断
面構造を示している。第3図かられかるように、上記金
属膜211は、直接コア20aの上にコーティングせず
に、コア20a上部のクラッド20bを、厚さδにエツ
チングしてコーティングしである。これは、コア20a
の上に直接金属膜211をコーティングしてもよいが、
TEOモード光の減衰をより少なくするためである。具
体的には、厚さδは1〜数μmであり、フィルタ長(Z
軸方向の長さ)は数mm〜30mm程度に設定される。
面構造を示している。第3図かられかるように、上記金
属膜211は、直接コア20aの上にコーティングせず
に、コア20a上部のクラッド20bを、厚さδにエツ
チングしてコーティングしである。これは、コア20a
の上に直接金属膜211をコーティングしてもよいが、
TEOモード光の減衰をより少なくするためである。具
体的には、厚さδは1〜数μmであり、フィルタ長(Z
軸方向の長さ)は数mm〜30mm程度に設定される。
また、第2のTEモモ−通過フィルタ23についても、
同様の構造としである。
同様の構造としである。
ファラデー回転子30は、例えばガドリウム・ビスマス
置換YIG (イツトリウム・鉄・ガーネット)から構
成され、第1のTEモモ−通過フィルタ21を通過した
順方向に伝搬するTEOモード光と、この順方向とは逆
方向から伝搬してきた相反モード変換回路22の通過光
の各々を、非相反に45度回転させる。
置換YIG (イツトリウム・鉄・ガーネット)から構
成され、第1のTEモモ−通過フィルタ21を通過した
順方向に伝搬するTEOモード光と、この順方向とは逆
方向から伝搬してきた相反モード変換回路22の通過光
の各々を、非相反に45度回転させる。
このガドリウム・ビスマス置換YIGからなるファラデ
ー回転子30は、そのファラデー回転能が、波長0,8
μmで約8000度/ amと大きいため、厚さdが約
56μm(偏光面を45度回転させる厚さに相当)の薄
板状に形成されている。この薄板状のファラデー回転子
30を、第1図に示すように、第1のTEモモ−通過フ
ィルタ21と相反モード変換回路22間の光導波路20
に、ファラデー回転子30の厚さdより10μm程度ゝ
広く形成した、空隙24に挿入し固定している。
ー回転子30は、そのファラデー回転能が、波長0,8
μmで約8000度/ amと大きいため、厚さdが約
56μm(偏光面を45度回転させる厚さに相当)の薄
板状に形成されている。この薄板状のファラデー回転子
30を、第1図に示すように、第1のTEモモ−通過フ
ィルタ21と相反モード変換回路22間の光導波路20
に、ファラデー回転子30の厚さdより10μm程度ゝ
広く形成した、空隙24に挿入し固定している。
この空隙24は、まず石英系光導波路20をフッ素系ガ
スによる反応性イオンエツチングでシリコン基板10ま
でエツチングし、さらに、必要に応じてシリコン基板1
0をSF6ガスによる反応性イオンエツチングあるいは
エチレンジアミンビレカテコールなどによるウェットエ
ツチングによってエツチングして形成している。
スによる反応性イオンエツチングでシリコン基板10ま
でエツチングし、さらに、必要に応じてシリコン基板1
0をSF6ガスによる反応性イオンエツチングあるいは
エチレンジアミンビレカテコールなどによるウェットエ
ツチングによってエツチングして形成している。
なお、YIG系材料は、波長1μm以下で光吸収がある
が、上記したように厚さdが薄いので、光吸収損は、1
dB以下と小さくなっている。
が、上記したように厚さdが薄いので、光吸収損は、1
dB以下と小さくなっている。
また、第1図(C)中、破線で示すように、ファラデー
回転子30の上部には、ファラデー回転子30を磁化す
るための磁石31、例えばサマリウム・コバルト磁石が
配置される。
回転子30の上部には、ファラデー回転子30を磁化す
るための磁石31、例えばサマリウム・コバルト磁石が
配置される。
相反モード変換回路22は、ファラデー回転子30の挿
入位置と第2のTEモモ−通過フィルタ23間の石英系
光導波路20において、コア20aの側方(本実施例で
は、入射光Slの進行方向に対して左側)に、光の進行
方向に所定の長さを有する溝25を形成することによっ
て構成され、順方向にファラデー回転子30を通過した
光と、これとは逆方向から伝搬してきた第2のTEモモ
−通過フィルタ23の通過光(TE(lモード)の各々
を相反に45度回転させる(周知の導波路型半波長板と
同様の作用をなす)。
入位置と第2のTEモモ−通過フィルタ23間の石英系
光導波路20において、コア20aの側方(本実施例で
は、入射光Slの進行方向に対して左側)に、光の進行
方向に所定の長さを有する溝25を形成することによっ
て構成され、順方向にファラデー回転子30を通過した
光と、これとは逆方向から伝搬してきた第2のTEモモ
−通過フィルタ23の通過光(TE(lモード)の各々
を相反に45度回転させる(周知の導波路型半波長板と
同様の作用をなす)。
次に、第4図に基づいて、相反モード変換回路23の構
造をさらに詳細に説明する。
造をさらに詳細に説明する。
埋め込み型の石英系光導波路20を、前述したように火
炎加水分解法で形成すると、石英系ガラスfとシリコン
基板10の熱膨張係数差による光弾性効果によって、4
X10−’程度の複屈折りが生じる。この場合、シリコ
ン10に垂直な方向の屈折率の方が水平方向の屈折率よ
り大きくなる。
炎加水分解法で形成すると、石英系ガラスfとシリコン
基板10の熱膨張係数差による光弾性効果によって、4
X10−’程度の複屈折りが生じる。この場合、シリコ
ン10に垂直な方向の屈折率の方が水平方向の屈折率よ
り大きくなる。
そこで、第4図の(a) 、(b)に示すように石英系
光導波路20のコア20aの側方に溝25を形成すると
、第4図の(b)に示すように、光の主軸Aがθだけ傾
く。この傾きθは、コア20aから溝25までの距離S
によって定まる。相反モード変換回路22を、いわゆる
導波路型半波長板として働かせ、偏光面を45度回転さ
せるにはθ−22,5度に設定しなければならないが、
θ−22,5度を得るには実験によって、前記コア20
aから溝25までの距離Sを約50μmにすればよいこ
とが分かった。
光導波路20のコア20aの側方に溝25を形成すると
、第4図の(b)に示すように、光の主軸Aがθだけ傾
く。この傾きθは、コア20aから溝25までの距離S
によって定まる。相反モード変換回路22を、いわゆる
導波路型半波長板として働かせ、偏光面を45度回転さ
せるにはθ−22,5度に設定しなければならないが、
θ−22,5度を得るには実験によって、前記コア20
aから溝25までの距離Sを約50μmにすればよいこ
とが分かった。
また、溝25の長さ(Z軸方向の長さ)L(第1図(b
))は、導波路型半波長板が形成されるように、L−λ
/2Bで計算される長さに定める。
))は、導波路型半波長板が形成されるように、L−λ
/2Bで計算される長さに定める。
ここで、λは使用波長、Bは複屈折の大きさである。波
長1.3μmでは長さしは約1.6mmである。
長1.3μmでは長さしは約1.6mmである。
実際には、複屈折の大きさBは、若干の波長依存性をも
ち、また製作条件によってその値が若干具なるので、製
作する試料毎に若干の補正を加える必要がある。なお、
溝25を形成する位置は、ファラデー回転子30による
偏光面の回転が順方向について、第1図(a)に示した
ように右回転のときは、第4図に示したようにコア20
aの左側に形成される。一方、ファラデー回転子30に
よる偏光面の回転が左回転のときは、溝はコアの右側に
形成される。
ち、また製作条件によってその値が若干具なるので、製
作する試料毎に若干の補正を加える必要がある。なお、
溝25を形成する位置は、ファラデー回転子30による
偏光面の回転が順方向について、第1図(a)に示した
ように右回転のときは、第4図に示したようにコア20
aの左側に形成される。一方、ファラデー回転子30に
よる偏光面の回転が左回転のときは、溝はコアの右側に
形成される。
次に、上記構成による動作を、第1図(a)中の左上方
に図示した、偏光状態を示す楕円形のプレトに基づいて
説明する。
に図示した、偏光状態を示す楕円形のプレトに基づいて
説明する。
プレートP1に示すような、順方向に伝搬するランダム
な偏光状態の入射光S1は、光ファイバ40aを介して
石英系光導波路20のコア20aに入射し、コア20a
を伝搬して、第1のTEモモ−通過フィルタ21に入射
する。ここで、伝搬光のうち、TMモードおよびTEI
モード以上の高次のTEモードの伝搬光は、金属膜21
1に吸収されて減衰し、結局、プレートP2に示すよう
に、TEOモードの伝搬光のみが、第1のTEモモ−通
過フィルタ21を通過する。次に、第1のTEモモ−通
過フィルタ21を通過したTEOモードの伝搬光は、フ
ァラデー回転子30に入射し、ここで、プレートP3に
示すように、偏光面を順方向からみて45度右回転させ
られ、この回転作用を受けてファラデー回転子30を通
過した伝搬光は、続いて相反モード変換回路22に入射
する。
な偏光状態の入射光S1は、光ファイバ40aを介して
石英系光導波路20のコア20aに入射し、コア20a
を伝搬して、第1のTEモモ−通過フィルタ21に入射
する。ここで、伝搬光のうち、TMモードおよびTEI
モード以上の高次のTEモードの伝搬光は、金属膜21
1に吸収されて減衰し、結局、プレートP2に示すよう
に、TEOモードの伝搬光のみが、第1のTEモモ−通
過フィルタ21を通過する。次に、第1のTEモモ−通
過フィルタ21を通過したTEOモードの伝搬光は、フ
ァラデー回転子30に入射し、ここで、プレートP3に
示すように、偏光面を順方向からみて45度右回転させ
られ、この回転作用を受けてファラデー回転子30を通
過した伝搬光は、続いて相反モード変換回路22に入射
する。
相反モード変換回路22に入射した伝搬光は、プレート
P4に示すように、偏光面を45度左回転させられて、
プレートP5に示すように、元の偏光状態のTEOモー
ドの伝搬光に戻される。次いで、相反モード変換回路2
2を通過した伝搬光は、第2のTEモード通過フィルタ
23をそのまま通過し、光ファイバ40bを介して、出
射光Soとして、当該光アイソレータから出射される。
P4に示すように、偏光面を45度左回転させられて、
プレートP5に示すように、元の偏光状態のTEOモー
ドの伝搬光に戻される。次いで、相反モード変換回路2
2を通過した伝搬光は、第2のTEモード通過フィルタ
23をそのまま通過し、光ファイバ40bを介して、出
射光Soとして、当該光アイソレータから出射される。
一方、プレートP5°に示すように、逆方向からのラン
ダムな偏光状態の戻り光SRがあったときは、戻り光S
Rは光ファイバ40bを介してコ720aに入射し、コ
ア20aを逆方向に伝搬して、第2のTEモード通過フ
ィルタ23に入射する。
ダムな偏光状態の戻り光SRがあったときは、戻り光S
Rは光ファイバ40bを介してコ720aに入射し、コ
ア20aを逆方向に伝搬して、第2のTEモード通過フ
ィルタ23に入射する。
ここで、この伝搬光のうち、TMモードおよび置モード
以上の高次のTEモードの伝搬光は、金属膜231に吸
収されて減衰し、結局、プレートP4’ に示すように
、TEOモードの伝搬光のみが、第2のTEモード通過
フィルタ23を通過する。次に、第1のTEモード通過
フィルタ23を通過したTEOモードの伝搬光は、相反
モード変換回路22に入射し、ここで、プレートP3゛
に示すように、偏光面を順方向からみて45度右回転さ
せられ、この回転作用を受けて相反モード変換回路22
を通過した伝搬光は、続いてファラデー回転子30に入
射する。
以上の高次のTEモードの伝搬光は、金属膜231に吸
収されて減衰し、結局、プレートP4’ に示すように
、TEOモードの伝搬光のみが、第2のTEモード通過
フィルタ23を通過する。次に、第1のTEモード通過
フィルタ23を通過したTEOモードの伝搬光は、相反
モード変換回路22に入射し、ここで、プレートP3゛
に示すように、偏光面を順方向からみて45度右回転さ
せられ、この回転作用を受けて相反モード変換回路22
を通過した伝搬光は、続いてファラデー回転子30に入
射する。
ファラデー回転子30に入射しだ伝搬光は、プレートP
2′に示すように、偏光面を順方向がらみて45度左回
転させられて、結局、伝搬光はTMモードに変換される
。その結果、このTMモードの伝搬光はファラデー回転
子3oを通過した後、第1のTEモモ−通過フィルタ2
1に入射するが、ここでその進行が阻止されて、プレー
トPl゛ に示すように、当該光アイソレータから出射
されることはない。
2′に示すように、偏光面を順方向がらみて45度左回
転させられて、結局、伝搬光はTMモードに変換される
。その結果、このTMモードの伝搬光はファラデー回転
子3oを通過した後、第1のTEモモ−通過フィルタ2
1に入射するが、ここでその進行が阻止されて、プレー
トPl゛ に示すように、当該光アイソレータから出射
されることはない。
なお、本実施例において、ファラデー回転子30として
、ガドリウム・ビスマス置換YIGを用いたが、これに
限定されるものではなく、セリウム置換YIGを用いて
もよい。この場合、セリウム置換YIGのファラデー回
転能は、波長0.8μmで約30000度/cmと極め
て大きいので、ファラデー回転子の厚さdは15μmと
薄くなる。
、ガドリウム・ビスマス置換YIGを用いたが、これに
限定されるものではなく、セリウム置換YIGを用いて
もよい。この場合、セリウム置換YIGのファラデー回
転能は、波長0.8μmで約30000度/cmと極め
て大きいので、ファラデー回転子の厚さdは15μmと
薄くなる。
従って、実際には取扱いやすいように、GGG基板の上
にセリウム置換YIGを成長した後、基板を研磨し、(
基板+セリウム置換YIG)のトータルの厚さを30〜
50μm程度にした薄板状のものが用いられる。
にセリウム置換YIGを成長した後、基板を研磨し、(
基板+セリウム置換YIG)のトータルの厚さを30〜
50μm程度にした薄板状のものが用いられる。
また、ガドリウム・ビスマス置換YIGやセリウム置換
YIGによるファラデー回転子の回転能は大きいが、ビ
スマス置換YIGなどのYIG系材料によるファラデー
回転子のファラデー回転能は上記したものに比べて小さ
く、この場合には、第5図に示すような形状にファラデ
ー回転子30aは形成される。
YIGによるファラデー回転子の回転能は大きいが、ビ
スマス置換YIGなどのYIG系材料によるファラデー
回転子のファラデー回転能は上記したものに比べて小さ
く、この場合には、第5図に示すような形状にファラデ
ー回転子30aは形成される。
その理由は、波長1μm以上の光アイソレータでは通常
YIG系材料によるファラデー回転子が用いられ、現在
、ビスマス置換YIGが最も大きなファラデー回転能を
もっているが、そのファラデー回転能は、波長1.0μ
m〜1.6μmで2500から1000度/cIT1程
度である。従って、ファラデー回転子の長さは200〜
500μmになるので、ファラデー回転子を上記したよ
うな薄板状のものにしたのでは、光導波路間の空隙24
が広すぎて結合損失が大きくなり、結局、ファラデー回
転子部での挿入損が大きくなってしまう。そこでファラ
デー回転子としての機能を備えたままで導波路間の結合
効率をよくするために、第5図に示すように、ファラデ
ー回転子30aをボールレンズにしたものを使う。光学
の分野でよく知られているように、半径rのボールレン
ズの焦点距離f (但し球の中心からの距離)は、f
−n r / 2(n −1)で求まる。従って、空隙
24の長さgは、結合効率がよくなるように2fに設定
される。
YIG系材料によるファラデー回転子が用いられ、現在
、ビスマス置換YIGが最も大きなファラデー回転能を
もっているが、そのファラデー回転能は、波長1.0μ
m〜1.6μmで2500から1000度/cIT1程
度である。従って、ファラデー回転子の長さは200〜
500μmになるので、ファラデー回転子を上記したよ
うな薄板状のものにしたのでは、光導波路間の空隙24
が広すぎて結合損失が大きくなり、結局、ファラデー回
転子部での挿入損が大きくなってしまう。そこでファラ
デー回転子としての機能を備えたままで導波路間の結合
効率をよくするために、第5図に示すように、ファラデ
ー回転子30aをボールレンズにしたものを使う。光学
の分野でよく知られているように、半径rのボールレン
ズの焦点距離f (但し球の中心からの距離)は、f
−n r / 2(n −1)で求まる。従って、空隙
24の長さgは、結合効率がよくなるように2fに設定
される。
例えば、波長1.3μm用のファラデー回転能1500
度/印のファラデー回転子で半径150μmのものを使
った場合、焦点距離が137μmであり、空隙24の長
さΩは274μmに形成される。
度/印のファラデー回転子で半径150μmのものを使
った場合、焦点距離が137μmであり、空隙24の長
さΩは274μmに形成される。
以上説明したファラデー回転子30は、既に商品化され
ているバルク型光アイソレータで用いられているファラ
デー回転子と基本的には同じものであり、技術的には十
分実用性が実証されているものを使うことができる。た
だし、前述したように、光導波路20の空隙24に、い
わゆるハイブリッド光集積するために、薄板状あるいは
ボールレンズに加工して微小チップ化して用いている。
ているバルク型光アイソレータで用いられているファラ
デー回転子と基本的には同じものであり、技術的には十
分実用性が実証されているものを使うことができる。た
だし、前述したように、光導波路20の空隙24に、い
わゆるハイブリッド光集積するために、薄板状あるいは
ボールレンズに加工して微小チップ化して用いている。
以上説明したように、本実施例によれば、従来から提案
されている導波型光アイソレータに必要とされる、原理
的に実現困難な導波型非相反モード変換回路を用いてお
らず、その代わりに技術的に確立しているバルク型のフ
ァラデー回転子30をハイブリッド光集積し易い形状の
薄板状あるいはボールレンズに加工した微小チップにし
たものを用い、その微小チップを二つの第1および第2
のTEモモ−通過フィルタ21.23と相反モード変換
回路22からなる石英系先導波回路にハイブリッド光集
積した構成にしたので、容易に高性能で実用的な導波型
光アイソレータを実現できる利点がある。
されている導波型光アイソレータに必要とされる、原理
的に実現困難な導波型非相反モード変換回路を用いてお
らず、その代わりに技術的に確立しているバルク型のフ
ァラデー回転子30をハイブリッド光集積し易い形状の
薄板状あるいはボールレンズに加工した微小チップにし
たものを用い、その微小チップを二つの第1および第2
のTEモモ−通過フィルタ21.23と相反モード変換
回路22からなる石英系先導波回路にハイブリッド光集
積した構成にしたので、容易に高性能で実用的な導波型
光アイソレータを実現できる利点がある。
また、二つの第1および第27Eモード通過フィルタ2
1.23と相反モード変換回路22は、同一構造の石英
系光導波路20を用いて同一シリコン基板10上に形成
されており、材質的にも構造的にも整合性のよい構造で
一体化形成されているため、製作が容易であるという利
点があるとともに、これら構成要素間での接続損失が極
めて小さく、通常導波型光回路の実用化を阻害している
光回路間の接続損失という問題を解決している利点があ
る。
1.23と相反モード変換回路22は、同一構造の石英
系光導波路20を用いて同一シリコン基板10上に形成
されており、材質的にも構造的にも整合性のよい構造で
一体化形成されているため、製作が容易であるという利
点があるとともに、これら構成要素間での接続損失が極
めて小さく、通常導波型光回路の実用化を阻害している
光回路間の接続損失という問題を解決している利点があ
る。
また、導波型光回路を実現するのに不可欠な光フアイバ
接続に関し、石英系光導波路20は光ファイバ40a、
40bと同種の材料によって製作されているため、光導
波路20のコア20aの寸法と光ファイバのコア寸法が
同程度であり、ファイバ接続点での損失を無視できる程
度(0,1dB以下)に小さくできる利点がある。
接続に関し、石英系光導波路20は光ファイバ40a、
40bと同種の材料によって製作されているため、光導
波路20のコア20aの寸法と光ファイバのコア寸法が
同程度であり、ファイバ接続点での損失を無視できる程
度(0,1dB以下)に小さくできる利点がある。
なお、本実施例では、モードフィルタにTEモード通過
タイプのものを使った例を説明したが、TMモモ−通過
タイプのものを使っても同様の構成で導波型光アイソレ
ータを構成できる。この場合、ファラデー回転子30、
相反モード変換回路22には上述のものをそのまま用い
ることができる。TEモード通過フィルタを形成する場
合、相反モード変換回路22の溝25と同じように、石
英系光導波路20のコア20aの側方に溝を形成し、そ
の側壁に金属膜をコートするなどの方法によって構成で
きる。
タイプのものを使った例を説明したが、TMモモ−通過
タイプのものを使っても同様の構成で導波型光アイソレ
ータを構成できる。この場合、ファラデー回転子30、
相反モード変換回路22には上述のものをそのまま用い
ることができる。TEモード通過フィルタを形成する場
合、相反モード変換回路22の溝25と同じように、石
英系光導波路20のコア20aの側方に溝を形成し、そ
の側壁に金属膜をコートするなどの方法によって構成で
きる。
なお、必要に応じて、光ファイバ40a、40bと接続
する光導波路端面およびファラデー回転子30挿入用の
溝24の導波路端の出ている両側面に無反射コートを施
し、光アイソレータ内で余分な反射光が生じないように
、例えばSiOとMgF2の2層コート膜を施しても勿
論よい。
する光導波路端面およびファラデー回転子30挿入用の
溝24の導波路端の出ている両側面に無反射コートを施
し、光アイソレータ内で余分な反射光が生じないように
、例えばSiOとMgF2の2層コート膜を施しても勿
論よい。
また、本実施例では入射側に光ファイバ40aを接続し
た例を示したが、光ファイバ40aの代わりにレーザダ
イオードを直接接続して用いることもできる。
た例を示したが、光ファイバ40aの代わりにレーザダ
イオードを直接接続して用いることもできる。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明によれば、第1および第2
の導波型モード通過フィルタと相反モード変換回路は、
同一構造の石英系光導波路を用いることによって同一基
板上に形成され、材質的にも構造的にも整合性のよい構
造で一体化形成されており、かつ、従来から提案されて
いる導波型光アイソレータに必要とされる原理的に実現
困難な導波型非相反モード変換回路を必要とせず、その
代わりに、技術的に確立している、例えばバルク型ファ
ラデー回転子を第1の導波型モード通過フィルタと相反
モード変換回路との間に挿入したので、製作が容易であ
るという利点があるとともに、これら構成要素間での接
続損失が極めて小さく、通常導波型光回路の実用化を阻
害している光回路間の接続損失という問題を解決してお
り、高性能で実用的な導波型光アイソレータを提供でき
る利点がある。
の導波型モード通過フィルタと相反モード変換回路は、
同一構造の石英系光導波路を用いることによって同一基
板上に形成され、材質的にも構造的にも整合性のよい構
造で一体化形成されており、かつ、従来から提案されて
いる導波型光アイソレータに必要とされる原理的に実現
困難な導波型非相反モード変換回路を必要とせず、その
代わりに、技術的に確立している、例えばバルク型ファ
ラデー回転子を第1の導波型モード通過フィルタと相反
モード変換回路との間に挿入したので、製作が容易であ
るという利点があるとともに、これら構成要素間での接
続損失が極めて小さく、通常導波型光回路の実用化を阻
害している光回路間の接続損失という問題を解決してお
り、高性能で実用的な導波型光アイソレータを提供でき
る利点がある。
また、導波型光回路を実用化にするのに不可欠な光フア
イバ接続に関し、石英系光導波路は光ファイバと同種の
材料によって構成されているため、導波路のコア寸法と
光ファイバのコア寸法が同程度であり、ファイバ接続点
での損失を無視できる程度(0,1dB以下)に小さく
できる利点がある。
イバ接続に関し、石英系光導波路は光ファイバと同種の
材料によって構成されているため、導波路のコア寸法と
光ファイバのコア寸法が同程度であり、ファイバ接続点
での損失を無視できる程度(0,1dB以下)に小さく
できる利点がある。
第1図は本発明による導波型光アイソレータの一実施例
を示す図で、同図(a)は斜視図、同図(b)は上面図
、同図(+1.)は縦側断面図、第2図は従来の導波型
光アイソレータの構成図、第3図は本発明に係るTEモ
ード通過フィルタの断面図、第4図は本発明に係る相反
モード変換回路の説明図、第5図は本発明に係るファラ
デー回転子の他の構成例を示す図である。 図中、10・・・シリコン基板、20・・・石英系光導
波路、21・・・第1のTEモード通過フィルタ、21
1・・・金属膜、22・・・相反モード変換回路、23
・・・第2のTEモード通過フィルタ、231・・・金
属膜、24・・・空隙、25・・・溝、30・・・ファ
ラデー回転子。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人弁理士 吉 1) 精 孝 y TEモ トゝ通過フィルタの断面図 第 図 ファラデー回転子の他の構成例を示す図第5図 (a) (b) 相反モード変換回路の説明図 第4図
を示す図で、同図(a)は斜視図、同図(b)は上面図
、同図(+1.)は縦側断面図、第2図は従来の導波型
光アイソレータの構成図、第3図は本発明に係るTEモ
ード通過フィルタの断面図、第4図は本発明に係る相反
モード変換回路の説明図、第5図は本発明に係るファラ
デー回転子の他の構成例を示す図である。 図中、10・・・シリコン基板、20・・・石英系光導
波路、21・・・第1のTEモード通過フィルタ、21
1・・・金属膜、22・・・相反モード変換回路、23
・・・第2のTEモード通過フィルタ、231・・・金
属膜、24・・・空隙、25・・・溝、30・・・ファ
ラデー回転子。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人弁理士 吉 1) 精 孝 y TEモ トゝ通過フィルタの断面図 第 図 ファラデー回転子の他の構成例を示す図第5図 (a) (b) 相反モード変換回路の説明図 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に形成された石英系光導波路と、 各々が前記光導波路に所定の長さをもって形成され、当
該光導波路の伝搬光の一のモード光のみを通過させる第
1及び第2の導波型モード通過フィルタと、 これら第1及び第2の導波型モード通過フィルタ間の前
記光導波路に所定の長さをもって形成され、当該第1及
び第2の導波型モード通過フィルタの通過光の偏光面を
相反に所定角度回転させる導波型相反モード変換回路と
を備え、 かつ、前記第1の導波型モード通過フィルタと前記導波
型相反モード変換回路間に、当該第1の導波型モード通
過フィルタおよび導波型相反モード変換回路の通過光の
偏光面を非相反に所定角度回転させるファラデー回転子
を挿入した ことを特徴とする導波型光アイソレータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2032689A JPH02199406A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 導波型光アイソレータ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2032689A JPH02199406A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 導波型光アイソレータ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02199406A true JPH02199406A (ja) | 1990-08-07 |
Family
ID=12024009
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2032689A Pending JPH02199406A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 導波型光アイソレータ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02199406A (ja) |
-
1989
- 1989-01-30 JP JP2032689A patent/JPH02199406A/ja active Pending
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