JPH02188010A - Differential amplifier - Google Patents

Differential amplifier

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JPH02188010A
JPH02188010A JP800989A JP800989A JPH02188010A JP H02188010 A JPH02188010 A JP H02188010A JP 800989 A JP800989 A JP 800989A JP 800989 A JP800989 A JP 800989A JP H02188010 A JPH02188010 A JP H02188010A
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章二 大高
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石部 学
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Abstract

PURPOSE:To obtain a simple, fast, and high-gain circuit by making the voltage of the collectors or drains of a transistor(TR) pair for differential input constant by the current of a current source connected in parallel to a load and a constant voltage drop obtained by 1st and 2nd resistances. CONSTITUTION:NPN Type TRs Q1 and Q2 form the TR pair for the differential input, the bases are connected to input terminals 1 and 2, and the emitters which are connected in common are connected to a source voltage VEE terminal 200 through the current source I1. Further, the collectors of the TRs Q1 and Q2 are connected to the emitters of NPN TRs Q3 and Q4. Resistances R5 and R6 are connected between the bases and emitters of those TRs Q3 and Q4 and resistances R7 and R8 are also connected between the bases and a source voltage VCC terminal 100. Those TR Q3, resistance R5, resistance R7, TR Q4, resistance R6, and resistance R8 constitute the current source.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は差動増幅器に係わり、特に差動入力用のトラン
ジスタのバイアス電流を負荷に流れる電流と負荷以外に
流れる電流の和とすることにより差動利得を向上させた
差動増幅器に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Objective of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a differential amplifier, and in particular, the present invention relates to a differential amplifier, and in particular, the present invention relates to a differential amplifier, and in particular, to a difference between the bias current of a transistor for differential input, the current flowing to a load, and the current flowing to a source other than the load. This invention relates to a differential amplifier that improves differential gain by adding sums.

(従来の技術) 従来より、典型的な差動増幅器として第4図に示すもの
が知られている。この差動増幅器は、入力端子1.2に
ベースが接続された差動入力用のトランジスタQ1.Q
2の共通接続されたエミッタを定電流源3を介してVE
R端子200に接続し、コレクタをそれぞれ負荷抵抗R
1,R2を介してvCC端子100に接続するとともに
、出力端子4.5に接続してなるものである。いま、負
荷抵抗R1,R2の抵抗値をRe−R1−R2、差動入
力用トランジスタQ1.Q2の相互フンダクタンスをg
llとすると、この差動増幅器の利得Glは次式で示さ
れる。
(Prior Art) Conventionally, the one shown in FIG. 4 has been known as a typical differential amplifier. This differential amplifier includes differential input transistors Q1.2 whose bases are connected to input terminals 1.2. Q
2 commonly connected emitters are connected to VE through a constant current source 3.
Connect the collector to the R terminal 200 and connect the collector to the load resistance R.
1 and R2 to the vCC terminal 100 and to the output terminal 4.5. Now, the resistance values of the load resistors R1 and R2 are Re-R1-R2, the differential input transistor Q1. The mutual fundductance of Q2 is g
ll, the gain Gl of this differential amplifier is expressed by the following equation.

Gl  =gs  xRc             
・・・ (1)この式から分るように、差動増幅器の差
動利得を上げるには、相互コンダクタンスgs又は負荷
抵抗値Reの値を大きくする必要がある。しかし、この
構成では、相互コンダクタンスgsを大きくすると、抵
抗負荷Reにおける電圧降下が大きくなり、その分、電
源電圧を大きくしなければならない。
Gl = gs x Rc
(1) As can be seen from this equation, in order to increase the differential gain of the differential amplifier, it is necessary to increase the value of the mutual conductance gs or the load resistance value Re. However, in this configuration, when the mutual conductance gs is increased, the voltage drop in the resistive load Re increases, and the power supply voltage must be increased accordingly.

そこで、高い差動利得を得るために負荷をPNP トラ
ンジスタにより構成される能動負荷に置換えたものが知
られているが、集積回路においては、通常NPN )ラ
ンジスタに最適化を図っているので、PNP)ランジス
タの周波数特性はNPN )ランジスタに比べて悪く、
差動増幅器の周波数特性が劣化する。従って、通常、高
速回路の応用には能動負荷を用いずに抵抗負荷を用いた
構成が一般的である。
Therefore, it is known to replace the load with an active load composed of PNP transistors in order to obtain a high differential gain, but integrated circuits are usually optimized for NPN transistors, so PNP ) The frequency characteristics of transistors are worse than NPN) transistors,
The frequency characteristics of the differential amplifier deteriorate. Therefore, for high-speed circuit applications, it is common to use a resistive load instead of an active load.

一方、利得を高めた差動増幅器として第5図に示す回路
が提案されている。この回路は、第4図の差動増幅器の
負荷抵抗R1,R2と並列に電流源12.13を夫々接
続したものである。この回路によれば、負荷抵抗R1,
R2と並列に電流源12、13を接続することにより、
負荷に流す電流は増やさずに差動ベアトランジスタQ 
1.Q 2のノ(イアスミ流を増加させ、(1)式にお
ける相互コンダクタンスg11を大きくできるので、利
得を高くできる。即ち、第5図の差動増幅器は電源電圧
を高くすることなく、トランジスタQ1.Q2Aイアス
電流を増加させて入力信号による差動ペアトランジスタ
Q1.Q2のコレクタ電流の変化分を大きくし、その変
化分が全て抵抗負荷Rl、R2に流れるような回路工夫
がなされている。しかし、電流源をPNP トランジス
タで構成すると前述のように周波数特性が劣化してしま
う。
On the other hand, a circuit shown in FIG. 5 has been proposed as a differential amplifier with increased gain. In this circuit, current sources 12 and 13 are respectively connected in parallel with the load resistors R1 and R2 of the differential amplifier shown in FIG. According to this circuit, the load resistance R1,
By connecting current sources 12 and 13 in parallel with R2,
Differential bare transistor Q without increasing the current flowing to the load
1. By increasing the IA current of Q2 and increasing the mutual conductance g11 in equation (1), the gain can be increased.In other words, the differential amplifier shown in FIG. 5 uses transistors Q1. A circuit has been devised in such a way that the Q2A ear current is increased to increase the amount of change in the collector current of the differential pair transistors Q1 and Q2 due to the input signal, and all of that change flows to the resistive loads Rl and R2.However, If the current source is composed of a PNP transistor, the frequency characteristics will deteriorate as described above.

第6図に、上記の方法で利得を高め、しかも高速動作す
る差動増幅器の従来例を示す。なお、先に示した部分と
同一なものは同じ記号を付しである。第5図の抵抗負荷
R1は、トランジスタQ3゜電圧源V BB、抵抗負荷
R3で置き換えられている。
FIG. 6 shows a conventional example of a differential amplifier that increases gain using the above method and operates at high speed. Note that parts that are the same as those shown above are given the same symbols. The resistive load R1 in FIG. 5 has been replaced by a transistor Q3° voltage source VBB and a resistive load R3.

トランジスタQ3のベースは電圧源VBBに、エミッタ
はトランジスタQlのコレクタに、コレクタは抵抗負(
、I R3を介してVcc端子100に夫々接続されて
い。同様に、第5図の抵抗負荷R2も、トランジスタQ
4.電圧源V BB、抵抗負荷R4で置き換えられてい
る。トランジスタQ4のベースは電圧源VBBに、エミ
ッタはトランジスタQ2のコレクタに、コレクタは抵抗
負荷R4を介してV cc端子100に夫々接続され′
Cいる。
The base of the transistor Q3 is connected to the voltage source VBB, the emitter is connected to the collector of the transistor Ql, and the collector is connected to the negative resistance (
, IR3 are connected to the Vcc terminal 100, respectively. Similarly, the resistive load R2 in FIG.
4. It is replaced by voltage source VBB and resistive load R4. The base of the transistor Q4 is connected to the voltage source VBB, the emitter is connected to the collector of the transistor Q2, and the collector is connected to the Vcc terminal 100 through a resistive load R4.
There is C.

この回路はトランジスタQ3及びトランジスタQ4をト
ランジスタQ1及びQ2と夫々カスコード接続させ、ト
ランジスタQ3.トランジスタQ4のエミッタの電位を
動かさないようにすることで、電流源12.13の周波
数特性の影響を除いたものである。しかし、第6図の回
路構成では、カスコードトランジスタQ3.Q4のベー
スに印加する電圧源VBBが必要となり、その分チップ
面積や消費電力が大きくなってしまう。
This circuit has transistors Q3 and Q4 connected in cascode to transistors Q1 and Q2, respectively, and transistors Q3. By not changing the potential of the emitter of transistor Q4, the influence of the frequency characteristics of current sources 12 and 13 is removed. However, in the circuit configuration of FIG. 6, the cascode transistor Q3. A voltage source VBB is required to be applied to the base of Q4, which increases the chip area and power consumption accordingly.

(発明が解決しようとする課題) このように、従来、高速性を保ったまま差動増幅器の利
得を上げるため、電流源を負荷と並列に接続して差動対
トランジスタへバイアス電流を供給し、相互コンダクタ
ンスを大きくするとともに、差動対トランジスタのコレ
クタ側をカスコードトランジスタと電圧源とで定電圧化
した回路が用いられているが、この構成では、カスコー
ドトランジスタのベースに印加する電圧源が必要となり
、チップ面積、消費電力が増大してしまうという欠点が
ある。
(Problem to be Solved by the Invention) Conventionally, in order to increase the gain of a differential amplifier while maintaining high speed, a current source is connected in parallel with the load to supply bias current to the differential pair transistor. , a circuit is used in which the mutual conductance is increased and the collector side of the differential pair transistor is made constant voltage by a cascode transistor and a voltage source, but this configuration requires a voltage source to be applied to the base of the cascode transistor. This has the disadvantage that the chip area and power consumption increase.

この発明は」1記欠点に鑑みなされたもので、カスコー
ドトランジスタ用の電圧源を用いないで、しかも、高速
性をほとんど失うこと無く、高利得な差動増幅器を提供
することを目的とする。
The present invention has been made in view of the drawbacks mentioned above, and an object of the present invention is to provide a high-gain differential amplifier without using a voltage source for cascode transistors and without losing much of its high-speed performance.

【発明の構成] (課題を解決するための手段) 上述した課題を解決するために、本発明は、差動入力用
のバイポーラトランジスタ若しくはFETからなる第1
のトランジスタ対と、この第1のトランジスタ対のコレ
クタ側若しくはドレイン側に縦続接続されたNPN型の
第2のトランジスタ対と、この第2のトランジスタ対の
ベース・エミッタ間にそれぞれ接続された第1の抵抗と
、前記第2のトランジスタ対のベースと第1の電源端子
との間に夫々接続された第2の抵抗と、前記第2のトラ
ンジスタ対のコレクタと第2の電源端子との間にそれぞ
れ接続された負荷とを具備し、前記第2のトランジスタ
対のコレクタを出力端とした。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a first
a pair of transistors, a second pair of NPN transistors cascade-connected to the collector side or the drain side of the first transistor pair, and a first transistor pair connected between the base and emitter of the second transistor pair, respectively. a second resistor connected between the base of the second pair of transistors and the first power supply terminal, and a collector of the second pair of transistors and the second power supply terminal. and loads connected to each other, and the collectors of the second transistor pair serve as output terminals.

(作用) 本発明によれば、NPN型の第2のトランジスタ対(カ
スコードトランジスタ)のベース番エミッタ間は、はぼ
一定の電圧であるため、第1の抵抗に流れる電流値はほ
ぼ一定となる。この[流が差動入力用の第1のトランジ
スタ対のバイアス電流として供給されるので、第1のト
ランジスタ対の相互コンダクタンスを大きくすることが
できる。
(Function) According to the present invention, since the voltage between the base and emitter of the second pair of NPN transistors (cascode transistors) is approximately constant, the current value flowing through the first resistor is approximately constant. . Since this current is supplied as a bias current to the first transistor pair for differential input, the mutual conductance of the first transistor pair can be increased.

一方、第2のトランジスタ対のベース・エミッタ間に接
続された第1の抵抗に流れる電流は、同時に第2のトラ
ンジスタ対のベースと第1の電源端子との間に接続され
た第2の抵抗にも流れる。
On the other hand, the current flowing through the first resistor connected between the base and emitter of the second transistor pair simultaneously flows through the second resistor connected between the base of the second transistor pair and the first power supply terminal. It also flows.

ここで、第2のトランジスタ対のベース電流は、上記第
1.第2の抵抗に流れる電流に比べて無視できる程小さ
いので、結局、第1及び第2の抵抗に流れる電流はほぼ
等しくかつ一定値となる。従って、第1及び第2の抵抗
での電圧降下分は一定となり、第1のトランジスタ対の
コレクタ若しくはドレインの電位も一定となる。
Here, the base current of the second transistor pair is the same as the base current of the first transistor pair. Since the current flowing through the second resistor is negligibly small compared to the current flowing through the second resistor, the current flowing through the first and second resistors is approximately equal and has a constant value. Therefore, the voltage drop across the first and second resistors becomes constant, and the potential of the collector or drain of the first transistor pair also becomes constant.

このように、本発明によれば、負荷と並列に接続された
電流源の電流と第1.第2の抵抗とにより得られる一定
の電圧降下分によって差動人力用のトランジスタ対のコ
レクタ若しくはドレインの定電圧化を図っているので、
電圧源を必要としない。このため、簡単な回路で高速、
高利得な差動増幅器を実現できる。
Thus, according to the present invention, the current of the current source connected in parallel with the load and the first . Since the collector or drain of the transistor pair for differential power is made constant by the constant voltage drop obtained by the second resistor,
Does not require voltage source. For this reason, a simple circuit provides high speed,
A high gain differential amplifier can be realized.

(実施例) 以下、この発明を図面を用いて詳細に説明する。なお、
以下に参照する図面において先に示した部分と同一なも
のは同じ記号を付す。
(Example) Hereinafter, the present invention will be explained in detail using the drawings. In addition,
In the drawings referred to below, parts that are the same as those shown above are given the same symbols.

第1図は本発明の一実施例に係る差動増幅器の構成を示
す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of a differential amplifier according to an embodiment of the present invention.

NPN型のトランジスタQ 1. トランジスタQ2は
、差動入力用トランジスタペアで、ベースは夫々入力端
子1.2と接続され、共通接続されたエミッタは電流源
11を介して電源電圧vEE端子200に接続されてい
る。また、トランジスタQl、)ランジスタQ2のコレ
クタは、NPN型のトランジスタロ3.トランジスタQ
4のエミッタに夫々接続されている。これらトランジス
タQ3.トランジスタQ4のベース、エミッタ間には、
抗R5,Ilが接続され、同ベースと電源電圧Vcc端
子100との間には、抵抗R7,抵抗R8が夫々接続さ
れている。これら、トランジスタQ3.抵抗R5,抵抗
R7及びトランジスタQ4.抵抗R8,抵抗R8は、後
述するように電流源を構成するものである。また、トラ
ンジスタロ3.トランジスタQ4の各コレクタは出力端
子4,5に接続されると共に差動増幅器の負荷である抵
抗R9,RIOを夫々介して電源電圧vCC端子100
に接続されている。
NPN type transistor Q 1. The transistor Q2 is a differential input transistor pair, with bases connected to the respective input terminals 1.2, and commonly connected emitters connected to the power supply voltage vEE terminal 200 via the current source 11. In addition, the collectors of the transistors Ql and Q2 are NPN transistors Ql and Q2. transistor Q
4 emitters, respectively. These transistors Q3. Between the base and emitter of transistor Q4,
Resistors R5 and Il are connected, and resistors R7 and R8 are connected between the base and the power supply voltage Vcc terminal 100, respectively. These transistors Q3. Resistor R5, resistor R7 and transistor Q4. Resistor R8 and resistor R8 constitute a current source as described later. Also, Transistoro 3. Each collector of the transistor Q4 is connected to the output terminals 4 and 5, and is connected to the power supply voltage vCC terminal 100 via resistors R9 and RIO, which are loads of the differential amplifier, respectively.
It is connected to the.

次に、上述した構成の差動増幅器の動作を説明する。但
し、各トランジスタのベース電流はコレクタ電流に比べ
て小さく無視できるものとし、抵抗負荷R9,R10の
値は等しいとする。
Next, the operation of the differential amplifier configured as described above will be explained. However, it is assumed that the base current of each transistor is smaller than the collector current and can be ignored, and the values of the resistive loads R9 and R10 are equal.

a、DC特性 差動入力電圧が0(v)のとき、トランジスタQ1のコ
レクタには(Itの電流値)/2の電流が流れる。その
電流がトランジスタQ3と抵抗R5とに分流する。トラ
ンジスタのベース、エミッタ間のオン電圧VBEは動作
電流にほとんど依存せず、はぼ一定なので、抵抗R5に
流れる電流はVBE/(R5の抵抗値)で与えられ、見
掛は上のトランジスタQ3のエミッタと並列に電流源が
付加されたものになる。
a. DC characteristics When the differential input voltage is 0 (v), a current of (current value of It)/2 flows through the collector of the transistor Q1. The current is divided into transistor Q3 and resistor R5. The on-voltage VBE between the base and emitter of the transistor is almost constant and does not depend on the operating current, so the current flowing through the resistor R5 is given by VBE/(resistance value of R5), and its appearance is similar to that of the transistor Q3 above. A current source is added in parallel with the emitter.

この電流が抵抗R7に流れるので、トランジスタQ3の
ベース電位が決定される。トランジスタQ3のコレクタ
電流は(Itの電流値)/2− (VBE/ (R5(
7)抵抗値))ナノテ、トランジスタQ3のベース電位
V6.  コレクタ電位V4(端子4)は次式で表わさ
れる。
Since this current flows through resistor R7, the base potential of transistor Q3 is determined. The collector current of transistor Q3 is (current value of It)/2- (VBE/ (R5(
7) Resistance value) Nanote, base potential of transistor Q3 V6. Collector potential V4 (terminal 4) is expressed by the following equation.

V6−Vec−R7X (VBE/R5)   =−(
2)V4 −Vec−R9X  (11/2(VBE/
R5))    −(3) 但し、R5,R7,R9の抵抗値は夫々R5,R7,R
9で表わすものとする。また、トランジスタQ4のベー
ス電位V7.コレクタ電位v5(端子5)についても同
様に(4)、(5)式で表わされる。
V6-Vec-R7X (VBE/R5) =-(
2) V4-Vec-R9X (11/2(VBE/
R5)) -(3) However, the resistance values of R5, R7, and R9 are R5, R7, and R9, respectively.
It shall be represented by 9. Also, the base potential V7 of the transistor Q4. The collector potential v5 (terminal 5) is similarly expressed by equations (4) and (5).

V7−Vcc−R8X (VBE/RQ)   −(4
)V5−Vec−RIOX (I I / 2−(VB
E/R8))   ・(5) 但し、R8,R8,R10の抵抗値は、夫々R6,R8
゜RIOで表わすものとする。
V7-Vcc-R8X (VBE/RQ) -(4
)V5-Vec-RIOX (II/2-(VB
E/R8)) ・(5) However, the resistance values of R8, R8, and R10 are R6 and R8, respectively.
It shall be expressed as ゜RIO.

b、AC特性 差動入力電圧が0(v)からv (V)になると、トラ
ンジスタQlのコレクタ電流ICIの変化分iclは(
6)式ように示すことができる。
b, AC characteristics When the differential input voltage changes from 0 (V) to v (V), the change icl in the collector current ICI of the transistor Ql is (
6) It can be expressed as follows.

i cl : (gm /2)Xv      −(6
)この電流がトランジスタQ3とインピーダンスZ5(
抵抗R5)とに分れ、それぞれに流れる電流の変化分を
1c3とiz5とすると(7)式が成立つ。
i cl : (gm /2)Xv −(6
) This current flows through transistor Q3 and impedance Z5 (
If the changes in the currents flowing through the resistors R5 and 1c3 and iz5 respectively, then equation (7) holds true.

i  cl  =i  c3  +  l  z5  
         −(7)一般にトランジスタの電流
特性は、(8)式で表わされるので、差動入力端子がv
 (V)のときのトランジスタQ3の電流特性は(9)
式の如く示すことができる。
i cl = i c3 + l z5
-(7) In general, the current characteristics of a transistor are expressed by equation (8), so the differential input terminal is
The current characteristics of transistor Q3 when (V) is (9)
It can be shown as follows.

Ic=15Xexp  (VBE/Vt)   ・・・
(8)Ic3+ic3 ”Is 3Xexp ((VBEB +vbe3)/V
t)・・・(9) 但し、Isはトランジスタの飽和電流、vbe3はic
3によるトランジスタQ3のベース、エミッタ間電圧の
変化分、Vtは熱電圧を表わす。
Ic=15Xexp (VBE/Vt)...
(8) Ic3+ic3 ”Is 3Xexp ((VBEB +vbe3)/V
t)...(9) However, Is is the saturation current of the transistor, and vbe3 is the ic
3, Vt represents the thermal voltage.

従って、ic3とiz5とは(10)、(11)式のよ
うに示すことができる。
Therefore, ic3 and iz5 can be expressed as in equations (10) and (11).

1c3=Ic3 XIc3/Vt   −(10)i 
z5 =vbe3 /R5−(11)(10)式と(1
1)式との比は次のようになる。
1c3=Ic3 XIc3/Vt −(10)i
z5 = vbe3 /R5-(11) (10) and (1
The ratio with equation 1) is as follows.

ic3/1z5=R5XIc3/Vt ・・・(12) ここで、例としてIc8−2(IIA)VBE−1,5
(V)(ヘテo接合バイポーラトランジスタの場合)と
すると、 ic3/iz5≦40となり、信号のほとんどがトラン
ジスタQ3に流れることになる。従って、(7)式から
(13)式のように近似することができる。
ic3/1z5=R5XIc3/Vt...(12) Here, as an example, Ic8-2(IIA)VBE-1,5
(V) (in the case of a hetero-O junction bipolar transistor), ic3/iz5≦40, and most of the signal flows to transistor Q3. Therefore, equations (7) to (13) can be approximated.

iclシic3        ・・べ13)差動利得
Gl−gmXRIoad   −(14)但し、Rlo
ad−R9−RIOとした。
iclshiic3...13) Differential gain Gl-gmXRIoad-(14) However, Rlo
It was designated as ad-R9-RIO.

従って、上述した回路構成をとると、カスコードトラン
ジスタ用の電圧源を用いないで差動増幅器の利得を大き
くすることができる。
Therefore, with the above-described circuit configuration, the gain of the differential amplifier can be increased without using a voltage source for the cascode transistors.

第2図は電流源を構成する回路の一部であるトランジス
タQ3.トランジスタQ4のエミッタと差動入力用のト
ランジスタQ1.Q2との間に夫々腹数のダイオードD
Il〜DIN、 D21−D2Mを直列に接続したこと
を特徴とした差動増幅器の回路図である。これにより、
トランジスタQ 1.Q 2のコレクタとトランジスタ
Q3.Q4のベースとの間の電位差を拡大できるので、
電流源の電流値を決める抵抗R5,R6の値を大きくす
ることができ、電流源の高精度化が実現できる。しかも
この場合、オフセット電圧を減らすことができる。
FIG. 2 shows transistor Q3. which is part of the circuit constituting the current source. The emitter of transistor Q4 and the differential input transistor Q1. A diode D with the number of antinodes is connected between Q2 and Q2.
FIG. 2 is a circuit diagram of a differential amplifier characterized in that I1 to DIN and D21 to D2M are connected in series. This results in
Transistor Q 1. The collector of Q2 and the transistor Q3. Since the potential difference between Q4 and the base can be expanded,
It is possible to increase the values of the resistors R5 and R6 that determine the current value of the current source, and high precision of the current source can be realized. Moreover, in this case, the offset voltage can be reduced.

第3図は抵抗R9,RIOを能動負荷である電流源14
、 I 5に置換えたものである。この構成では、周波
数特性は、劣化するものの、その分利前を極めて高くす
ることができる。
Figure 3 shows resistors R9 and RIO connected to current source 14, which is an active load.
, I5. With this configuration, although the frequency characteristics deteriorate, the profit margin can be made extremely high.

以上の各実施例では、バイポーラトランジスタを用いた
回路において説明したが、特に差動対トランジスタにF
ET(ffi界効果トランジスタ)系の能動素子を用い
た場合にも適用できることは明らかである。また、上記
の各実施例では、第2の抵抗が接続される第1の電源端
子と負荷が接続される第2の電源端子とを同一の電源V
CC端子としたが、これを別の電源端子としても良いこ
とはいうまでもない。
Each of the above embodiments has been explained using a circuit using bipolar transistors.
It is clear that the present invention can also be applied to the case where an ET (ffi field effect transistor) type active element is used. Further, in each of the above embodiments, the first power supply terminal to which the second resistor is connected and the second power supply terminal to which the load is connected are connected to the same power supply V.
Although the CC terminal is used, it goes without saying that this may be used as another power supply terminal.

[発明の効果] 本発明によれば、カスコードトランジスタ用電圧源を必
要とせず、しかもカスコードトランジスタのベース、エ
ミッタ間に抵抗を付加するだけで、高速、高利得な差動
増幅器を実現できるので、チップ面積、消費電力を小さ
くすることができる。
[Effects of the Invention] According to the present invention, a high-speed, high-gain differential amplifier can be realized without requiring a voltage source for the cascode transistor, and by simply adding a resistor between the base and emitter of the cascode transistor. Chip area and power consumption can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本溌明の一実施例に係る差動増幅器の構成を示
す回路図、第2図は本発明の他の実施例に係る差動増幅
器の回路図、第3図は本発明の更に他の実施例に係る差
動増幅器の回路図、第4図〜第6図は従来の差動増幅器
の構成をそれぞれ示す回路図である。 1.2・・・入力端子、4.5・・・出力端子、■1〜
15−・・電流源、100−VCC端子、200−V 
EIE端子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第5図 第6図
FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of a differential amplifier according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram of a differential amplifier according to another embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a circuit diagram of a differential amplifier according to another embodiment of the present invention. A circuit diagram of a differential amplifier according to another embodiment, and FIGS. 4 to 6 are circuit diagrams each showing the configuration of a conventional differential amplifier. 1.2...Input terminal, 4.5...Output terminal, ■1~
15-...Current source, 100-VCC terminal, 200-V
EIE terminal. Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue Figure 5 Figure 6

Claims (1)

【特許請求の範囲】 各制御極に差動入力信号を入力し第1の電源極が共通接
続された差動入力用の第1のトランジスタ対と、 この第1のトランジスタ対の第2の電源極側に縦続接続
されたNPN型の第2のトランジスタ対と、 この第2のトランジスタ対のベース・エミッタ間にそれ
ぞれ接続された第1の抵抗と、 前記第2のトランジスタ対のベースと第1の電源端子と
の間に夫々接続された第2の抵抗と、前記第2のトラン
ジスタ対のコレクタと第2の電源端子との間にそれぞれ
接続された負荷とを具備し、 前記第2のトランジスタ対のコレクタを出力端としたこ
とを特徴とする差動増幅器。
[Claims] A first transistor pair for differential input, in which a differential input signal is input to each control pole and first power supply poles are commonly connected; and a second power supply for the first transistor pair. a second pair of NPN transistors connected in series on the pole side; a first resistor connected between the base and emitter of the second transistor pair; and a first resistor connected between the base of the second transistor pair and the first resistor. a second resistor connected between the collector of the second transistor pair and the second power terminal, and a load connected between the collector of the second transistor pair and the second power terminal; A differential amplifier characterized by having a pair of collectors as output ends.
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