JPH0218602B2 - - Google Patents

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JPH0218602B2
JPH0218602B2 JP19580882A JP19580882A JPH0218602B2 JP H0218602 B2 JPH0218602 B2 JP H0218602B2 JP 19580882 A JP19580882 A JP 19580882A JP 19580882 A JP19580882 A JP 19580882A JP H0218602 B2 JPH0218602 B2 JP H0218602B2
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JP
Japan
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center conductor
strip center
conductor
microstrip
strip
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JP19580882A
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Japanese (ja)
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JPS5986305A (en
Inventor
Fumikazu Suzuki
Soichiro Kazama
Mamoru Ando
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Anritsu Corp
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Anritsu Corp
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Publication date
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Publication of JPH0218602B2 publication Critical patent/JPH0218602B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/22Attenuating devices
    • H01P1/225Coaxial attenuators

Landscapes

  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、伝送線路切換装置、特に伝送線路を
切換えても特性インピーダンスが一定に維持され
る高周波の伝送線路切換装置に関するものであ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a transmission line switching device, and particularly to a high frequency transmission line switching device that maintains a constant characteristic impedance even when switching transmission lines.

DCからSHF帯までの広帯域における伝送線路
の切換えについては米国特許第3500263号に述べ
られており、分布回路抵抗薄膜形減衰器について
は米国特許第3227975号に述べられている。
Broadband transmission line switching from DC to SHF bands is described in US Pat. No. 3,500,263, and distributed circuit resistive film attenuators are described in US Pat. No. 3,227,975.

この伝送線路の切換方式と分布回路抵抗薄膜形
減衰器とを用いた可変減衰器は、DCからSHF帯
の広帯域の周波数でほゞ一定の減衰量をもつこと
になる。
A variable attenuator using this transmission line switching method and a distributed circuit resistive thin film attenuator has a substantially constant amount of attenuation over a wide frequency range from DC to SHF band.

従来の可変減衰器は、第1図ないし第3図に示
された構造のものが用いられていた。すなわち、
アース導体1の図示されていない一端から延びて
いるストリツプ中心導体2の先端部は、絶縁材の
ガイド部材3でその両側が挾まれており、該ガイ
ド部材3を摺動装置4で左右に移動させることに
より、前記ストリツプ中心導体2を撓曲させ、ス
トリツプ中心導体2の先端両側に設けられている
スルー導体5側、または分布回路抵抗薄膜6側に
上記ストリツプ中心導体2の最先端部を接触さ
せ、特性インピーダンスを一定に維持しつつ伝送
線路の切換えを行つていた。なお符号7,8は誘
電体である。
Conventional variable attenuators have structures shown in FIGS. 1 to 3. That is,
The tip of the strip center conductor 2 extending from one end (not shown) of the ground conductor 1 is sandwiched on both sides by guide members 3 made of insulating material, and the guide members 3 are moved left and right by a sliding device 4. By bending the strip center conductor 2, the leading end of the strip center conductor 2 is brought into contact with the through conductor 5 side provided on both sides of the tip of the strip center conductor 2, or the distributed circuit resistance thin film 6 side. The transmission line was switched while keeping the characteristic impedance constant. Note that numerals 7 and 8 are dielectric materials.

この可変減衰器に用いられている伝送線路の切
換えは、次の原理によつている。第4図におい
て、ストリツプ中心導体9は平行なアース導体1
0,11の間に等間隔に配置されており、しかも
前記ストリツプ中心導体9の断面の長軸がアース
導体10,11に対し垂直となつている。このよ
うな場合、電磁界はアース導体10,11と、ス
トリツプ中心導体9のアース導体10,11に対
向している部分、すなわちエツジ部分に集中す
る。今、アース導体10と11との間隔をh、ス
トリツプ中心導体9の断面の長軸の長さ、すなわ
ち幅をwとすると、第4図図示の特性インピーダ
ンスはw/hの比によつて定まり、ストリツプ中
心導体9を左右に平行移動させてもストリツプ中
心導体9のエツジ部分の電磁界分布はほゞ同様で
あり、その特性インピーダンスは変化しない。
The switching of the transmission line used in this variable attenuator is based on the following principle. In Figure 4, the strip center conductor 9 is parallel to the ground conductor 1.
0 and 11, and the long axis of the cross section of the strip center conductor 9 is perpendicular to the ground conductors 10 and 11. In such a case, the electromagnetic field is concentrated on the ground conductors 10, 11 and on the edge portions of the strip center conductor 9 facing the ground conductors 10, 11. Now, assuming that the distance between the ground conductors 10 and 11 is h, and the length of the major axis of the cross section of the strip center conductor 9, that is, the width, is w, the characteristic impedance shown in FIG. 4 is determined by the ratio w/h. Even if the strip center conductor 9 is translated in parallel to the left and right, the electromagnetic field distribution at the edge portion of the strip center conductor 9 remains substantially the same, and its characteristic impedance does not change.

ところで、前記第1図ないし第3図に示されて
いる可変減衰器の伝送線路の切換えにおいて、上
記説明の如く、特性インピーダンスはストリツプ
中心導体2の幅とアース導体間距離、すなわちア
ース導体1の当該ストリツプ中心導体2の断面の
長軸方向の距離の比によつて定まることになり、
例えば可変減衰器を小型化にするためには、スト
リツプ中心導体2の幅やアース導体1間距離を小
さくする必要性が存在する。このためストリツプ
中心導体2とアース導体1との間隔は、特性イン
ピーダンスを例えば50Ωに保つための一例として
ストリツプ中心導体2の幅w=2.3mm、アース導
体間距離h=2.75mmのとき(2.75−2.3)/2=
0.225mmの如く非常に狭くなり、その加工精度や
組立精度の精密さが厳しい値を要求されるととも
に、これらの誤差が高周波において特性に与える
影響を無視できなくなる欠点があつた。またスト
リツプ中心導体2の厚みに変化をもたせたいと
き、アース導体間距離を変えなければならないの
で、アース導体1の凹凸をもたせなければなら
ず、その加工が極めて困難となる欠点があつた。
By the way, in switching the transmission line of the variable attenuator shown in FIGS. 1 to 3, as explained above, the characteristic impedance is determined by the width of the strip center conductor 2 and the distance between the ground conductors, that is, the distance between the ground conductors 1 and 2. It is determined by the ratio of the distance in the long axis direction of the cross section of the strip center conductor 2,
For example, in order to downsize the variable attenuator, it is necessary to reduce the width of the strip center conductor 2 and the distance between the ground conductors 1. For this reason, the distance between the strip center conductor 2 and the ground conductor 1 is, for example, in order to maintain the characteristic impedance at 50Ω, when the width w of the strip center conductor 2 is 2.3 mm and the distance between the ground conductors h is 2.75 mm (2.75- 2.3)/2=
It is extremely narrow, such as 0.225 mm, and requires strict precision in processing and assembly accuracy, and has the disadvantage that the effects of these errors on characteristics at high frequencies cannot be ignored. In addition, when it is desired to vary the thickness of the strip center conductor 2, the distance between the ground conductors must be changed, so the ground conductor 1 must be made uneven, which has the drawback of making machining extremely difficult.

第5図において、ストリツプ中心導体12は平
行なアース導体13,14の間に等間隔に配置さ
れており、しかも前記ストリツプ中心導体12の
断面の短軸がアース導体13,14に対し垂直と
なつている。すなわちストリツプ中心導体面12
aがアース導体13に対し平行となつている。こ
の場合、電磁界はアース導体13,14と、スト
リツプ中心導体12のアース導体13,14に対
向しているストリツプ中心導体面12aにそれぞ
れ分布する。今、ストリツプ中心導体12がアー
ス導体13,14の中央に配置されており、アー
ス導体13と14との間隔をb、ストリツプ中心
導体12の断面の長軸の長さ、すなわち幅をw、
その厚さをtとすると、第5図図示の特性インピ
ーダンスはw/b、t/bの比によつて定まる。
特性インピーダンスを第4図で説明したときと同
一の50Ωに保つためには、例えばその一例として
ストリツプ中心導体12の幅w=2.3mm、アース
導体13と14との距離b=2mm、ストリツプ中
心導体12の厚さt=0.125mmであり、ストリツ
プ中心導体面12aとアース導体13との間隔は
(2−0.125)/2=0.9375mmとなり、第4図図示
の0.225mmより広くなる。従がつて加工精度や組
立精度の精密さが緩和され得ることを示唆してい
る。そしてストリツプ中心導体12を上下に平行
移動させても、例えばストリツプ中心導体面12
aとアース導体13との電磁界の分布で特性イン
ピーダンスが決定付けられる限りにおいて、スト
リツプ中心導体12とアース導体13との距離が
ほゞ一定に保たれれば、電磁界の分布はほゞ同様
となり、その特性インピーダンスは変化しない。
すなわち特性インピーダンスは一定となる。
In FIG. 5, the strip center conductor 12 is equally spaced between the parallel ground conductors 13 and 14, and the short axis of the cross section of the strip center conductor 12 is perpendicular to the ground conductors 13 and 14. ing. That is, the strip center conductor surface 12
a is parallel to the ground conductor 13. In this case, the electromagnetic field is distributed on the ground conductors 13, 14 and on the strip center conductor surface 12a facing the ground conductors 13, 14 of the strip center conductor 12, respectively. Now, the strip center conductor 12 is placed in the center of the ground conductors 13 and 14, the distance between the ground conductors 13 and 14 is b, the length of the major axis of the cross section of the strip center conductor 12, that is, the width is w,
Assuming that the thickness is t, the characteristic impedance shown in FIG. 5 is determined by the ratio of w/b and t/b.
In order to maintain the characteristic impedance at 50Ω, which is the same as explained in FIG. The thickness t of the strip 12 is 0.125 mm, and the distance between the strip center conductor surface 12a and the ground conductor 13 is (2-0.125)/2=0.9375 mm, which is wider than 0.225 mm shown in FIG. This suggests that the precision of processing accuracy and assembly accuracy can be relaxed. Even if the strip center conductor 12 is moved vertically in parallel, for example, the strip center conductor surface 12
As long as the characteristic impedance is determined by the distribution of the electromagnetic field between the strip center conductor 12 and the ground conductor 13, if the distance between the strip center conductor 12 and the ground conductor 13 is kept approximately constant, the distribution of the electromagnetic field will be approximately the same. Therefore, its characteristic impedance does not change.
In other words, the characteristic impedance remains constant.

本発明は、伝送線路の切換えにあたつて、第4
図図示の平行なアース導体の間に等間隔に配置さ
れたストリツプ中心導体のエツジ部分に集中する
電磁界が、前記ストリツプ中心導体の平行移動に
よつてもほゞ同様に保たれるが故に特性インピー
ダンスが一定に維持される伝送線路の切換方式か
ら、アース導体からストリツプ中心導体面までの
距離を当該ストリツプ中心導体の移動にもかかわ
らずほゞ一定に維持する構造とすることにより、
ストリツプ中心導体面と相対向するアース導体と
の電磁果がほゞ同様に分布し、特性インピーダン
スが一定に維持される伝送線路の切換方式を用
い、前記の欠点を解決した伝送線路切換装置を提
供することを目的としている。そしてそのため本
発明の伝送線路切換装置は一端部の間隙が狭く他
端部の間隙が広くなるように傾斜し対向して軸線
方向に延びている第1、第2の内壁を有する同電
位にされた外部導体と、前記軸線に一致して前記
一端部の内壁間にその一端が配置されその他端が
前記他端部の内壁間にわたつて往復動可能にさ
れ、かつ、少なくとも該他端が磁性体でなる中心
導体と、前記第1、第2の各内壁に取り付けられ
前記中心導体の該他端に接触可能な接点部を有す
る第1のマイクロストリツプ線路及び第2のマイ
クロストリツプ線路と、該外部導体の外側に配置
され前記中心導体の磁性体部分を磁化させる励磁
手段と、前記第1のマイクロストリツプ線路側で
はN極に、前記第2のマイクロストリツプ線路側
ではS極になるように配置されて、該励磁手段に
よつて磁化された前記中心導体の磁性体部分を反
ぱつ吸引し、前記第1のマイクロストリツプ線路
または第2のマイクロストリツプ線路の接点部に
接触保持するためのマグネツトとを備えたことを
特徴としている。以下第6図以降の図面を参照し
ながら説明する。
The present invention provides a fourth method for switching transmission lines.
The electromagnetic field concentrated at the edge of the strip center conductor, which is equally spaced between the parallel ground conductors shown in the figure, is maintained almost the same even when the strip center conductor is moved in parallel, so that the characteristics From the transmission line switching method that maintains constant impedance, to the structure that maintains the distance from the ground conductor to the strip center conductor surface almost constant despite the movement of the strip center conductor.
Provided is a transmission line switching device that solves the above-mentioned drawbacks by using a transmission line switching method in which the electromagnetic effects between the strip center conductor surface and the opposing ground conductor are distributed almost in the same way, and the characteristic impedance is maintained constant. It is intended to. Therefore, the transmission line switching device of the present invention has first and second inner walls facing each other and extending in the axial direction, which are inclined so that the gap at one end is narrow and the gap at the other end is wide. an outer conductor, one end of which is disposed between an inner wall of the one end along the axis, the other end of which is movable reciprocally across the inner wall of the other end; and at least the other end is magnetic. a first microstrip line and a second microstrip line each having a center conductor formed of a conductor, a contact portion attached to each of the first and second inner walls and contactable to the other end of the center conductor; a line, an excitation means disposed outside the outer conductor for magnetizing the magnetic portion of the center conductor, an N pole on the first microstrip line side and an N pole on the second microstrip line side; Then, the magnetic material portion of the center conductor, which is arranged to have an S pole and is magnetized by the excitation means, is repelled and attracted, and the first microstrip line or the second microstrip line is It is characterized by being equipped with a magnet for contacting and holding the contact portion of the line. This will be explained below with reference to the drawings from FIG. 6 onwards.

第6図は本発明を説明するための内部概略断面
図、第7図ないしは第6図における各矢視で
の電磁界の分布を説明している説明図、第8図は
本発明を用いた一実施例の可変減衰器の断面図、
第9図はマイクロストリツプ分布回路抵抗薄膜形
減衰器の斜視図、第10図はマイクロストリツプ
スルー素子の斜視図、第11図は第8図に示され
た可変減衰器の動作を説明する説明図、第12図
は本発明を用いた可変減衰器の他の実施例の断面
図、第13図はストリツプ中心導体保持具の斜視
図、第14図はアース導体の内壁の他の実施例の
部分断面図を示している。
FIG. 6 is an internal schematic sectional view for explaining the present invention, FIG. A cross-sectional view of a variable attenuator of one embodiment,
Fig. 9 is a perspective view of a microstrip distributed circuit resistive thin film attenuator, Fig. 10 is a perspective view of a microstrip through element, and Fig. 11 shows the operation of the variable attenuator shown in Fig. 8. FIG. 12 is a sectional view of another embodiment of the variable attenuator according to the present invention, FIG. 13 is a perspective view of a strip center conductor holder, and FIG. 14 is a diagram showing another example of the inner wall of the ground conductor. Figure 3 shows a partial cross-sectional view of the embodiment.

第6図の本発明を説明するための内部概略断面
図においては、本発明に係る伝送線路切換装置の
概略が励磁手段を除いて直列に2個接続された可
変減衰器として図示されている。外部導体である
アース導体15は一端部の間隙が狭く他端部の間
隙が広くなるように傾斜した第1の内壁15a及
び第2の内壁15bを備えており、これらの第
1、第2の各内壁15a,15bは同電位となつ
ている。アース導体15の内部の中心軸には断面
が短形のストリツプ中心導体16が設けられてお
り、該ストリツプ中心導体16の一端はアース導
体15の一端部に支持されている(第8図参照)
円形ストリツプ中心導体17によつて固定されて
いる。ストリツプ中心導体16の他端は少なくと
も磁性体でなる導電材の自由端となつている。ア
ース導体15の間隙が最も広い内壁の位置であつ
て前記ストリツプ中心導体15の自由端の両端面
側には、第1のマイクロストリツプ線路であるマ
イクロストリツプ分布回路抵抗薄膜形減衰器18
及び第2のマイクロストリツプ線路であるマイク
ロストリツプスルー素子19がそれぞれ設けられ
ている。ストリツプ中心導体15は可撓性を有
し、第6図では図示されていない励磁手段によつ
て、当該ストリツプ中心導体16の先端の磁性体
部が前記マイクロストリツプ分布回路抵抗薄膜形
減衰器18側、またはマイクロストリツプスルー
素子19側へ曲げられ、電気的に接続される。こ
のときストリツプ中心導体16のストリツプ中心
導体面とアース導体15の第1、第2の内壁15
a,15bとの距離は、いずれのストリツプ中心
導体16の位置においても第1、第2の内壁15
a,15bに傾斜が施こされているので、ほゞ同
一となつている。
In the internal schematic cross-sectional view for explaining the present invention in FIG. 6, the transmission line switching device according to the present invention is schematically illustrated as two variable attenuators connected in series, excluding the excitation means. The earth conductor 15, which is an external conductor, has a first inner wall 15a and a second inner wall 15b which are inclined so that the gap at one end is narrow and the gap at the other end is wide. Each inner wall 15a, 15b is at the same potential. A strip center conductor 16 having a rectangular cross section is provided on the center axis inside the ground conductor 15, and one end of the strip center conductor 16 is supported by one end of the ground conductor 15 (see FIG. 8).
It is fixed by a circular strip center conductor 17. The other end of the strip center conductor 16 is a free end of a conductive material made of at least a magnetic material. At the position of the inner wall where the gap between the ground conductors 15 is widest and on both end surfaces of the free end of the strip center conductor 15, a microstrip distributed circuit resistive thin film attenuator, which is a first microstrip line, is installed. 18
and a microstrip through element 19 which is a second microstrip line. The strip center conductor 15 has flexibility, and the magnetic material at the tip of the strip center conductor 16 is activated by an excitation means not shown in FIG. It is bent toward the 18 side or the microstrip through element 19 side and electrically connected. At this time, the strip center conductor surface of the strip center conductor 16 and the first and second inner walls 15 of the ground conductor 15
a, 15b is the distance between the first and second inner walls 15 at any position of the strip center conductor 16.
Since a and 15b are sloped, they are almost the same.

第7図ないしは第6図の矢印A−A,B−
B,C−C,D−Dでの図をそれぞれ示してお
り、同図では、円形ストリツプ中心導体17が
アース導体15の中心に固定されているため、電
磁界は円形ストリツプ中心導体17の外周と対向
するアース導体間に集中する分布をなす。
Arrows A-A, B- in Figure 7 or Figure 6
Figures B, C-C, and D-D are shown, respectively. In the figure, since the circular strip center conductor 17 is fixed at the center of the ground conductor 15, the electromagnetic field is distributed around the outer periphery of the circular strip center conductor 17. The distribution is concentrated between the ground conductor and the opposing ground conductor.

同図ではストリツプ中心導体16はアース導
体15のほゞ中心に位置しているため、電磁界は
短形のストリツプ中心導体16の長て面、すなわ
ちストリツプ中心導体面と対向するアース導体間
に集中する分布をなす。
In the figure, since the strip center conductor 16 is located approximately at the center of the ground conductor 15, the electromagnetic field is concentrated between the long surface of the short strip center conductor 16, that is, between the strip center conductor surface and the opposing ground conductor. The distribution is as follows.

同図ではストリツプ中心導体16の撓みがあ
りアース導体17の中心からずれてしまうため、
電磁界は短形のストリツプ中心導体16と当該ス
トリツプ中心導体16が接近したアース導体間に
ほゞ集中する分布をなす。しかしながら実質的に
は、この反対側のアース導体間及びストリツプ中
心導体16の上下のエツジ部分とアース導体間に
も電磁界は発生し、分布するので、マイクロスト
リツプ線路の設計値より間隔は広くとるのが一般
的である。
In the figure, the strip center conductor 16 is bent and deviates from the center of the ground conductor 17.
The electromagnetic field has a distribution that is substantially concentrated between the rectangular strip center conductor 16 and the ground conductor to which the strip center conductor 16 is close. However, in reality, an electromagnetic field is generated and distributed between the ground conductors on the opposite side and between the upper and lower edge portions of the strip center conductor 16 and the ground conductor, so the spacing is smaller than the design value of the microstrip line. It is common to take a wide range.

同図ではストリツプ中心導体16とアース導
体15との間に誘電体20が挿入されているた
め、電磁界はストリツプ中心導体16とアース導
体間にすべて集中する分布をなす。
In the figure, since the dielectric material 20 is inserted between the strip center conductor 16 and the ground conductor 15, the electromagnetic field is distributed entirely between the strip center conductor 16 and the ground conductor.

ここで、ストリツプ中心導体16、円形ストリ
ツプ中心導体17、マイクロストリツプ分布回路
抵抗薄膜形減衰器18、マイクロストリツプスル
ー素子19等はアース導体15とともに、所定の
値の特性インピーダンスを満足するような寸法が
決められ、配置されている。
Here, the strip center conductor 16, circular strip center conductor 17, microstrip distributed circuit resistance thin film attenuator 18, microstrip through element 19, etc., together with the ground conductor 15, satisfy a characteristic impedance of a predetermined value. The dimensions are determined and arranged accordingly.

それ故、前記のような電磁界の分布は短形のス
トリツプ中心導体16がマイクロストリツプ分布
回路抵抗薄膜形減衰器18側からマイクロストリ
ツプスルー素子19側へ移つても、全く同様の分
布をなす。従がつて特性インピーダンスを変える
ことなく切換えることができる。
Therefore, the electromagnetic field distribution as described above remains exactly the same even when the rectangular strip center conductor 16 is moved from the microstrip distributed circuit resistive thin film attenuator 18 side to the microstrip through element 19 side. form a distribution. Therefore, switching can be performed without changing the characteristic impedance.

第8図は本発明を用いた一実施例の可変減衰器
の断面図を示しており、図中、符号15,15
a,15b,17ないし19は第6図のものに対
応する。符号21,22は断面が短形のストリツ
プ中心導体であり、第6図のストリツプ中心導体
16に対応するものである。従がつてストリツプ
中心導体21,22の先端部は少なくとも磁性体
からなる導電材で構成されている。
FIG. 8 shows a cross-sectional view of a variable attenuator according to an embodiment of the present invention.
a, 15b, 17 to 19 correspond to those in FIG. Reference numerals 21 and 22 indicate strip center conductors having a rectangular cross section, which correspond to the strip center conductor 16 in FIG. Therefore, the tips of the strip center conductors 21 and 22 are made of at least a magnetic conductive material.

アース導体15内の中央部にはマイクロストリ
ツプ分布回路抵抗薄膜形減衰器18及びマイクロ
ストリツプスルー素子19がそれぞれ設けられて
いる。マイクロストリツプ分布回路抵抗薄膜形減
衰器18は第9図図示の如く誘電体31の表面に
マイクロストリツプ分布回路抵抗薄膜32が取り
付けられており、また誘電体31の裏面にはアー
ス導体33が取付けられている。なお符号34,
35はアース導体、25はマグネツトである。
A microstrip distributed circuit resistive thin film attenuator 18 and a microstrip through element 19 are provided in the center of the ground conductor 15, respectively. The microstrip distributed circuit resistance thin film type attenuator 18 has a microstrip distributed circuit resistance thin film 32 attached to the surface of a dielectric 31 as shown in FIG. 33 is installed. In addition, the code 34,
35 is a ground conductor, and 25 is a magnet.

マイクロストリツプスルー素子19は第10図
図示の如く誘電体36の表面にマイクロストリツ
プスルー導体24が取り付けられており、また誘
電体36の裏面にはアース導体37が取り付けら
れている。誘電体36の厚さは前記第9図の誘電
体31の厚さと同じに作られている。
As shown in FIG. 10, the microstrip-through element 19 has a microstrip-through conductor 24 attached to the surface of a dielectric 36, and a ground conductor 37 attached to the back surface of the dielectric 36. The thickness of the dielectric 36 is made to be the same as the thickness of the dielectric 31 shown in FIG. 9.

誘電体31,36の裏面側には、例えば第8図
図示の極性を有するマグネツト25,26がアー
ス導体33,37を介してそれぞれ配置されてお
り、当該アース導体33,37はアース導体15
と電気的に接続されて第1、第2の内壁15a,
15bと同電位になつている。
On the back sides of the dielectrics 31 and 36, magnets 25 and 26 having the polarities shown in FIG.
the first and second inner walls 15a,
It has the same potential as 15b.

アース導体15の外側のほゞ中央部にはボビン
27に巻かれた励磁コイル28が1個設けられて
おり、該励磁コイル28に流す励磁電流の向きに
より磁性体からなるストリツプ中心導体21,2
2の先端部を磁化する。磁化されたストリツプ中
心導体21,22の先端部と前記マグネツト2
5,26の磁極との間で反ぱつ吸引作用が生じ、
ストリツプ中心導体21,22が撓曲させられ、
ストリツプ中心導体21,22の先端がマイクロ
ストリツプ分布回路抵抗薄膜形減衰器18または
マイクロストリツプスルー素子19のいずれか一
方の側へ接触させられる。このとき前記説明した
如く撓んだストリツプ中心導体、例えば21のス
トリツプ中心導体面とアース導体33及び第1の
内壁15aの距離、或いはアース導体37及び第
2の内壁15bの距離はそれぞれ等しく形成され
ているから特性インピーダンスはほゞ一定に維持
される。他のストリツプ中心導体22についても
同様であり、特性インピーダンスもほゞ一定に維
持される。しかも誘導体31,36の厚さが同一
に形成されているので、励磁コイル28の作用に
よりストリツプ中心導体21,22がマイクロス
トリツプ分布回路抵抗薄膜形減衰器18側、或い
はマイクロストリツプスルー素子19側へ何回接
触しても、常にアース導体33或いは37までの
距離は一定に保たれており、従がつて特性インピ
ーダンスも常に一定となる。
One excitation coil 28 wound around a bobbin 27 is provided approximately at the center of the outside of the earth conductor 15, and the strip center conductor 21, 2 made of a magnetic material is changed depending on the direction of the excitation current flowing through the excitation coil 28.
Magnetize the tip of 2. The tips of the magnetized strip center conductors 21 and 22 and the magnet 2
An anti-attractive action occurs between the magnetic poles 5 and 26,
The strip center conductors 21 and 22 are bent,
The tips of the strip center conductors 21, 22 are brought into contact with either side of the microstrip distributed circuit resistive film attenuator 18 or the microstrip through element 19. At this time, as explained above, the distances between the bent strip center conductor surface, for example, the strip center conductor surface of 21, and the ground conductor 33 and the first inner wall 15a, or the distances between the ground conductor 37 and the second inner wall 15b, are formed to be equal. Therefore, the characteristic impedance is maintained almost constant. The same applies to the other strip center conductors 22, and the characteristic impedance is also maintained substantially constant. Moreover, since the thicknesses of the inductors 31 and 36 are the same, the strip center conductors 21 and 22 are connected to the microstrip distributed circuit resistance thin film attenuator 18 side or the microstrip through-hole by the action of the excitation coil 28. No matter how many times the element 19 is contacted, the distance to the ground conductor 33 or 37 is always kept constant, and therefore the characteristic impedance is always constant.

次に第11図を用いて第8図に示された可変減
衰器の動作を説明する。同図において、符号17
ないし19は第6図のものに対応し、21,2
2,25,26,28は第8図のものに対応して
いる。励磁コイル28は本来アース導体15の
ほゞ中央部に巻かれているものであるが、説明を
判りやすくするためマグネツト26の下側に描か
れている。
Next, the operation of the variable attenuator shown in FIG. 8 will be explained using FIG. 11. In the figure, reference numeral 17
to 19 correspond to those in FIG. 6, and 21, 2
2, 25, 26, and 28 correspond to those in FIG. The excitation coil 28 is originally wound around the center of the ground conductor 15, but is drawn below the magnet 26 to make the explanation easier to understand.

今励磁コイル28の端子38,39に直流電源
の陽極、陰極がそれぞれ印加されると、励磁コイ
ル28に同図図示の矢印の方向に励磁電流が流れ
る。この方向に流れる励磁電流によつて、当該励
磁コイル28の内部に配設されている磁性体から
なるストリツプ中心導体22の先端部はN極に磁
化され、また磁性体からなるストリツプ中心導体
21の先端部は前記ストリツプ中心導体22と相
対向しているため、S極に磁化される。この磁化
によつてストリツプ中心導体21の先端部はマグ
ネツト25のN極で吸引作用が生じるとともに、
マグネツト26のS極で反ぱつ作用が生じ、スト
リツプ中心導体21は撓曲され、当該ストリツプ
中心導体21の先端はマイクロストリツプ分布回
路抵抗薄膜形減衰器18と接触をなす。一方スト
リツプ中心導体22の先端部もマグネツト25の
S極で吸引作用が生じるとともに、マグネツト2
6のN極で反ぱつ作用が生じ、ストリツプ中心導
体22は撓曲され、当該ストリツプ中心導体22
の先端はマイクロストリツプ分布回路抵抗薄膜形
減衰器18と接触をなす。すなわちストリツプ中
心導体21とストリツプ中心導体22とは前記マ
イクロストリツプ分布回路抵抗薄膜形減衰器18
を介して電気的に接続される。そして励磁コイル
28に流れている励磁電流が切れた場合において
も、マグネツト25のN極及びS極がストリツプ
中心導体21及びストリツプ中心導体22の各先
端部をそれぞれ吸引している吸引力は、撓曲して
いる各ストリツプ中心導体21,22の弾性力よ
りも大きいので、マイクロストリツプ分布回路抵
抗薄膜形減衰器18を介したストリツプ中心導体
21とストリツプ中心導体22との電気的接続は
維持される。
Now, when the anode and cathode of the DC power source are respectively applied to the terminals 38 and 39 of the excitation coil 28, an excitation current flows through the excitation coil 28 in the direction of the arrow shown in the figure. Due to the excitation current flowing in this direction, the tip of the strip center conductor 22 made of a magnetic material disposed inside the excitation coil 28 is magnetized to the north pole, and the strip center conductor 21 made of a magnetic material is magnetized to the north pole. Since the tip faces the strip center conductor 22, it is magnetized to the south pole. Due to this magnetization, the tip of the strip center conductor 21 is attracted to the N pole of the magnet 25, and
A repulsion occurs at the south pole of the magnet 26, bending the strip center conductor 21, and the tip of the strip center conductor 21 comes into contact with the microstrip distributed circuit resistive film attenuator 18. On the other hand, the tip of the strip center conductor 22 is also attracted by the S pole of the magnet 25, and the magnet 2
A repulsion occurs at the N pole of 6, the strip center conductor 22 is bent, and the strip center conductor 22
The tip makes contact with a microstrip distributed circuit resistive film attenuator 18. That is, the strip center conductor 21 and the strip center conductor 22 are connected to the microstrip distributed circuit resistive thin film attenuator 18.
electrically connected via. Even when the excitation current flowing through the excitation coil 28 is cut off, the attractive force with which the N and S poles of the magnet 25 attract the tips of the strip center conductor 21 and the strip center conductor 22, respectively, is Since the elastic force is greater than the elastic force of each bent strip center conductor 21, 22, the electrical connection between the strip center conductor 21 and the strip center conductor 22 via the microstrip distributed circuit resistive thin film attenuator 18 is maintained. be done.

次に励磁コイル28の端子38,39に直流電
源の陰極、陽極をそれぞれ印加すると、励磁コイ
ル28には同図図示の矢印と反対方向に励磁電流
が流れ、ストリツプ中心導体21の先端部はN極
に、またストリツプ中心導体22の先端部はS極
にそれぞれ磁化される。これによりストリツプ中
心導体21,22の各先端部はマグネツト25の
N極、S極とのあいだに反ぱつ力が生じ、マイク
ロストリツプ分布回路抵抗薄膜形減衰器18を介
したストリツプ中心導体21とストリツプ中心導
体22との電気的な接続は解除される。一方N極
に磁化されたストリツプ中心導体21の先端部は
マグネツト25のN極に反ぱつされるとともに、
マグネツト26のS極とのあいだで吸引作用が生
じ、ストリツプ中心導体21は撓曲され、当該ス
トリツプ中心導体21の先端はマイクロストリツ
プスルー素子19と接触をなす。同様にS極に磁
化されたストリツプ中心導体22の先端部はマグ
ネツト25のS極に反ぱつされるとともに、マグ
ネツト26のN極とのあいだで吸引作用が生じ、
ストリツプ中心導体22は撓曲され、当該ストリ
ツプ中心導体22の先端はマイクロストリツプス
ルー素子19と接触をなす。すなわち励磁コイル
28に反対方向の励磁電流を流すことにより、ス
トリツプ中心導体21とストリツプ中心導体22
とは前記マイクロストリツプスルー素子19を介
して再び電気的に接続される。そして前記説明し
た如く励磁コイル28に流れている励磁電流が切
れても、マグネツト26のS極及びN極がストリ
ツプ中心導体21及びストリツプ中心導体22の
各先端部をそれぞれ吸引している吸引力は、撓曲
している各ストリツプ中心導体21,22の弾性
力より大きいので、ストリツプ中心導体21とス
トリツプ中心導体22との電気的接続は維持され
る。
Next, when the cathode and anode of the DC power source are respectively applied to the terminals 38 and 39 of the excitation coil 28, an excitation current flows through the excitation coil 28 in the direction opposite to the arrow shown in the figure, and the tip of the strip center conductor 21 is N The tip of the strip center conductor 22 is magnetized to the south pole. As a result, a repulsive force is generated between the tips of the strip center conductors 21 and 22 and the N and S poles of the magnet 25, and the strip center conductor 21 is connected to the strip center conductor 21 through the microstrip distributed circuit resistance thin film attenuator 18. The electrical connection between the strip center conductor 22 and the strip center conductor 22 is released. On the other hand, the tip of the strip center conductor 21 magnetized to the N pole is repelled by the N pole of the magnet 25, and
An attractive action occurs between the S pole of the magnet 26 and the strip center conductor 21 is bent, and the tip of the strip center conductor 21 comes into contact with the microstrip through element 19. Similarly, the tip of the strip center conductor 22 magnetized to the S pole is repelled by the S pole of the magnet 25, and an attractive action is generated between it and the N pole of the magnet 26.
The strip center conductor 22 is bent, and the tip of the strip center conductor 22 comes into contact with the microstrip through element 19. That is, by passing an excitation current in the opposite direction to the excitation coil 28, the strip center conductor 21 and the strip center conductor 22
and are again electrically connected via the microstrip through element 19. As explained above, even if the excitation current flowing through the excitation coil 28 is cut off, the attractive force with which the S and N poles of the magnet 26 attract the tips of the strip center conductor 21 and the strip center conductor 22, respectively, is , is greater than the elastic force of each of the strip center conductors 21 and 22 which are being bent, so that the electrical connection between the strip center conductors 21 and 22 is maintained.

ここで、ストリツプ中心導体21とストリツプ
中心導体22とがマイクロストリツプ分布回路抵
抗薄膜形減衰器18を介して電気的に接続されて
いる場合は、当該マイクロストリツプ分布回路抵
抗薄膜形減衰器18が有する減衰量の電力を減衰
させた上で、ストリツプ中心導体21からストリ
ツプ中心導体22へまたは逆の方向へ電力が伝送
される。またストリツプ中心導体21がマイクロ
ストリツプスルー素子19を介してストリツプ中
心導体22と電気的に接続されている場合は、伝
送電力を減衰させることなくストリツプ中心導体
21からストリツプ中心導体22へまたは逆の方
向へ電力が伝送される。
Here, when the strip center conductor 21 and the strip center conductor 22 are electrically connected via the microstrip distributed circuit resistive thin film attenuator 18, the microstrip distributed circuit resistive thin film attenuator 18 After the power is attenuated by the amount of attenuation provided by the conductor 18, the power is transmitted from the strip center conductor 21 to the strip center conductor 22 or vice versa. Furthermore, when the strip center conductor 21 is electrically connected to the strip center conductor 22 via the microstrip through element 19, the transmission power can be transferred from the strip center conductor 21 to the strip center conductor 22 or vice versa without attenuating the transmitted power. Power is transmitted in the direction of

以上の説明では一対で伝送線路を切換えるよう
にしているが、いずれか一方の伝送線路だけを切
換えることができることは言うまでもない。
In the above explanation, the transmission lines are switched in pairs, but it goes without saying that only one of the transmission lines can be switched.

第12図は本発明を用いた可変減衰器の他の実
施例の断面図を示しており、第8図図示の可変減
衰器が実質的に2個直列に接続されたものに相当
する。
FIG. 12 shows a sectional view of another embodiment of the variable attenuator according to the present invention, which corresponds to substantially two variable attenuators shown in FIG. 8 connected in series.

符号15,15a,15b,17は第6図のも
のに対応し、18,19,27ないし30は第8
図のものに対応している。40,41,42は各
先端部が少なくとも磁性体からなるストリツプ中
心導体であり、43はストリツプ中心導体保持具
である。当該ストリツプ中心導体保持具43は第
13図に示されているようにストリツプ中心導体
41がリベツト止めされている。
Reference numbers 15, 15a, 15b, and 17 correspond to those in Fig. 6, and numbers 18, 19, 27 to 30 correspond to those in Fig.
It corresponds to the one shown in the figure. Reference numerals 40, 41, and 42 are strip center conductors whose tips are made of at least a magnetic material, and 43 is a strip center conductor holder. The strip center conductor holder 43 has the strip center conductor 41 riveted thereto as shown in FIG.

従がつて2個の励磁コイル28に流す励磁電流
の向きを適当に組合せることにより、ストリツプ
中心導体40,41,42がマイクロストリツプ
分布回路抵抗薄膜形減衰器18或いはマイクロス
トリツプスルー素子19に接続され、特性インピ
ーダンスをほゞ一定に維持しつつ伝送電力の減衰
量を可変することができる。
Therefore, by appropriately combining the directions of the excitation currents flowing through the two excitation coils 28, the strip center conductors 40, 41, 42 can be connected to the microstrip distributed circuit resistance thin film attenuator 18 or the microstrip through-hole. It is connected to element 19 and can vary the amount of attenuation of transmitted power while keeping the characteristic impedance approximately constant.

第14図はアース導体の内壁の他の実施例の部
分断面図であり、符号15,17は第6図のもの
に対応し、18,19,21,22,29は第8
図のものに対応している。15′aは第1の内壁
を15′bは第2の内壁を表わしており、第6図
や第8図に示されたなめらかに傾斜する曲線の第
1、第2の内壁15a,15bに換え、簡単に機
械加工が可能な形状で近似してもさしつかえがな
いことが実験上確認された。第14図図示の如き
近似形状の第1の内壁15′a、第2の内壁1
5′bを用いても実用上伝送線路の切換が可能で
ある。
FIG. 14 is a partial sectional view of another embodiment of the inner wall of the earth conductor, where numerals 15 and 17 correspond to those in FIG. 6, and 18, 19, 21, 22, and 29 are
It corresponds to the one shown in the figure. 15'a represents the first inner wall, and 15'b represents the second inner wall. Instead, it was experimentally confirmed that there is no problem in approximating the shape with a shape that can be easily machined. A first inner wall 15'a and a second inner wall 1 having approximate shapes as shown in FIG.
5'b can also be used to practically switch the transmission line.

なお、前記説明でマグネツト25,26は図示
された棒状のものに限定されるものではなく、複
数個のマグネツトを用いて図示の極性を持たせて
もよい。またマグネツト25,26の極性をすべ
て逆極性にしてもよいことは言うまでもない。
In the above description, the magnets 25 and 26 are not limited to the rod-shaped magnets shown in the drawings, but a plurality of magnets may be used to provide the polarities shown in the drawings. It goes without saying that the polarities of the magnets 25 and 26 may all be reversed.

以上説明した如く、本発明によれば、断面が短
形のストリツプ中心導体のストリツプ中心導体面
とアース導体の内壁との距離をほゞ一定に維持し
て伝送線路の切換を行うようにしたので、ストリ
ツプ中心導体とアース導体との間隔が大きくと
れ、加工精度や組立精度の精度に対する若労が減
少し優れた伝送線路切換装置が可能となる。そし
て特性インピーダンスがほゞ一定に維持された伝
送線路の切換ができ、また切換器としてアイソレ
ーシヨン、インサーシヨンロスは高周波において
十分な特性を備えることになる。
As explained above, according to the present invention, the distance between the strip center conductor surface of the strip center conductor having a rectangular cross section and the inner wall of the ground conductor is maintained substantially constant to switch the transmission line. In this case, the distance between the strip center conductor and the ground conductor can be increased, and the labor required for processing accuracy and assembly accuracy can be reduced, making it possible to provide an excellent transmission line switching device. The transmission line can be switched with the characteristic impedance kept almost constant, and the switching device has sufficient isolation and insertion loss characteristics at high frequencies.

伝送線路の切換が励磁コイルに流す励磁電流の
方向によつてストリツプ中心導体が無接触で切換
えられるので、切換え動作が安定化する。
Since the transmission line is switched without contacting the strip center conductor depending on the direction of the excitation current flowing through the excitation coil, the switching operation is stabilized.

また本発明の伝送線路切換装置を可変減衰器に
使用することにより、DCから高周波の広帯域の
周波数にわたつて減衰量をほゞ一定に減衰させる
ことが可能な周波数特性の優れた可変減衰器とな
る。
In addition, by using the transmission line switching device of the present invention in a variable attenuator, a variable attenuator with excellent frequency characteristics that can attenuate the attenuation amount almost constant over a wide range of frequencies from DC to high frequencies can be obtained. Become.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の伝送線路切換装置の部分断面
図、第2図は第1図のX−X矢視図、第3図は第
1図のY−Y矢視図、第4図、第5図は特性イン
ピーダンスを説明する原理説明図、第6図は本発
明を説明するための内部概略断面図、第7図な
いしは第6図における各矢視での電磁界の分布
を説明している説明図、第8図は本発明を用いた
一実施例の可変減衰器の断面図、第9図はマイク
ロストリツプ分布回路抵抗薄膜形減衰器の斜視
図、第10図はマイクロストリツプスルー素子の
斜視図、第11図は第8図に示された可変減衰器
の動作を説明する説明図、第12図は本発明を用
いた可変減衰器の他の実施例の断面図、第13図
はストリツプ中心導体保持具の斜視図、第14図
はアース導体の内壁の他の実施例の部分断面図を
示している。 図中、15はアース導体、15a,15′aは
第1の内壁、15b,15′bは第2の内壁、1
6はストリツプ中心導体、17は円形ストリツプ
中心導体、18はマイクロストリツプ分布回路抵
抗薄膜形減衰器、19はマイクロストリツプスル
ー素子、20は誘電体、21,22はストリツプ
中心導体、24はマイクロストリツプスルー導
体、25,26はマグネツト、27はボビン、2
8は励磁コイル、29,30は入出力栓、31は
誘電体、32はマイクロストリツプ分布回路抵抗
薄膜、33ないし35はアース導体、36は誘電
体、37はアース導体、38,39は端子、40
ないし42はストリツプ中心導体、43はストリ
ツプ中心導体保持具をそれぞれ表わしている。
Fig. 1 is a partial sectional view of a conventional transmission line switching device, Fig. 2 is a view taken along the X-X arrow in Fig. 1, Fig. 3 is a view taken along the Y-Y arrow in Fig. 1, Figs. Fig. 5 is a principle explanatory diagram for explaining characteristic impedance, Fig. 6 is an internal schematic sectional view for explaining the present invention, and Fig. 7 is an explanation of the distribution of the electromagnetic field in each arrow direction in Fig. 6. 8 is a sectional view of a variable attenuator according to an embodiment of the present invention, FIG. 9 is a perspective view of a microstrip distributed circuit resistive thin film attenuator, and FIG. A perspective view of a through element, FIG. 11 is an explanatory diagram for explaining the operation of the variable attenuator shown in FIG. 8, and FIG. 12 is a sectional view of another embodiment of the variable attenuator using the present invention. FIG. 13 shows a perspective view of the strip center conductor holder, and FIG. 14 shows a partial sectional view of another embodiment of the inner wall of the ground conductor. In the figure, 15 is a ground conductor, 15a, 15'a are first inner walls, 15b, 15'b are second inner walls, 1
6 is a strip center conductor, 17 is a circular strip center conductor, 18 is a microstrip distributed circuit resistive thin film attenuator, 19 is a microstrip through element, 20 is a dielectric, 21 and 22 are strip center conductors, 24 is a microstrip through conductor, 25 and 26 are magnets, 27 is a bobbin, 2
8 is an excitation coil, 29 and 30 are input/output plugs, 31 is a dielectric, 32 is a microstrip distributed circuit resistance thin film, 33 to 35 are ground conductors, 36 is a dielectric, 37 is a ground conductor, 38 and 39 are terminal, 40
Reference numerals 42 to 42 represent strip center conductors, and 43 represents a strip center conductor holder, respectively.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 一端部の間隙が狭く他端部の間隙が広くなる
ようにし傾斜し対向して軸線方向に延びている第
1、第2の内壁を有する同電位にされた外部導体
15と;前記軸線に一致して前記一端部の内壁間
にその一端が配置されその他端が前記他端部の内
壁間にわたつて往復動可能にされ、かつ、少なく
とも該他端が磁性体でなる中心導体16と;前記
第1、第2の各内壁に取り付けられ前記中心導体
16の該他端に接触可能な接点部を有する第1の
マイクロストリツプ線路18及び第2のマイクロ
ストリツプ線路19と;該外部導体15の外側に
配置され前記中心導体16の磁性体部分を磁化さ
せる励磁手段28と;前記第1のマイクロストリ
ツプ線路18側ではN極に、前記第2のマイクロ
ストリツプ線路19側ではS極になるように配置
されて、該励磁手段によつて磁化された前記中心
導体16の磁性体部分を反ぱつ吸引し、前記第1
のマイクロストリツプ線路18または第2のマイ
クロストリツプ線路19の接点部に接触保持する
ためのマグネツト25,26とを備えた伝送線路
切換装置。
1. An outer conductor 15 having the same potential and having first and second inner walls that are inclined so that a gap at one end is narrow and a gap at the other end is wide and extend in the axial direction in opposition to each other; A central conductor 16 whose one end is arranged between the inner walls of the one end and whose other end is capable of reciprocating movement between the inner walls of the other end, and at least the other end is made of a magnetic material; a first microstrip line 18 and a second microstrip line 19 each having a contact portion attached to each of the first and second inner walls and capable of contacting the other end of the center conductor 16; excitation means 28 disposed outside the outer conductor 15 to magnetize the magnetic portion of the central conductor 16; an N pole on the first microstrip line 18 side; The side of the central conductor 16 is arranged so as to have an S pole, and attracts the magnetic part of the center conductor 16 magnetized by the excitation means.
A transmission line switching device comprising magnets 25 and 26 for contacting and holding contact portions of the first microstrip line 18 or the second microstrip line 19.
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