JPH02185269A - Photochemical treatment device - Google Patents

Photochemical treatment device

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Publication number
JPH02185269A
JPH02185269A JP1005435A JP543589A JPH02185269A JP H02185269 A JPH02185269 A JP H02185269A JP 1005435 A JP1005435 A JP 1005435A JP 543589 A JP543589 A JP 543589A JP H02185269 A JPH02185269 A JP H02185269A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
sliding tube
laser device
photochemical treatment
slit
Prior art date
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Pending
Application number
JP1005435A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideyuki Adachi
英之 安達
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Optical Co Ltd filed Critical Olympus Optical Co Ltd
Priority to JP1005435A priority Critical patent/JPH02185269A/en
Publication of JPH02185269A publication Critical patent/JPH02185269A/en
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Abstract

PURPOSE:To stably, continuously, and surely illuminate the affected part of a tube cavity organ with a laser beam for a long time without putting an excessive burden on an operator to execute a photochemical treatment by equipping the subject device with a positioning manipulating mechanism to select the position of a semiconductor laser and a holding means to fix a sliding tube in a tube cavity. CONSTITUTION:The photochemical treatment device is positioned between balloons 13 and 13, and a semiconductor laser device 15 is provided on a part of the outer periphery of the device. For the sectional shape of a slit 14, recessed grooves 17 and 17 are carved and provided under a respective opposite state for right and left wall surface parts, and the respective right and left tip parts of a holding body 29 of the semiconductor laser device 15 to be mentioned after are respectively fitted in both of these grooves 17 and 17 and supported under a completely interposed state in the grooves 17 and 17. Consequently, this semiconductor laser device 15 can slide in the longitudinal direction of a sliding tube 10 along the slit 14. A fixing set screw 23 can fix a wire 20 by screwing and fastening the screw 23 itself. The holding means to fix the sliding tube 10 in the tube cavity is composed of the above-mentioned parts.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は例えば癌(悪性腫瘍)細胞にレーザ光を照射し
て光化学反応によりその悪性細胞を破壊するために用い
られる光化学治療装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a photochemical treatment device used for, for example, irradiating cancer (malignant tumor) cells with laser light to destroy the malignant cells through a photochemical reaction.

[従来の技術] 近年、癌の治療において、Hp D (ヘマトポルフィ
リン誘導体)等の薬剤を用いた光化学治療法が注目を集
めている。この治療法はH,D等の腫瘍親和性物質を体
内に投入して、これを癌細胞だけに取り込ませた後、H
PDの励起スペクトルの範囲にあるレーザ光を照射して
、癌細胞を光化学的に活性化し、変性をひき起こして破
壊するというものである。
[Prior Art] In recent years, photochemical therapy using drugs such as Hp D (hematoporphyrin derivative) has attracted attention in the treatment of cancer. This treatment method involves injecting tumor-loving substances such as H and D into the body and allowing them to be taken up only by cancer cells.
Laser light within the excitation spectrum of PD is irradiated to photochemically activate cancer cells, causing degeneration and destruction.

かかる光化学治療装置としては第13図に示すごとく構
成されたものが知られている。すなわち、Krレーザ(
λ−410nm)、またはArレーザ(λ−514,5
nm)を励起する気体レーザ装置3、あるいはA「レー
ザ(λ−570〜630 nm)を励起する図示しない
色素レーザ装置に接続された光ファイバ4を内視鏡5の
チャンネルに挿通して、人体1の癌細胞2の部位まで導
くものであった。
As such a photochemical treatment device, one constructed as shown in FIG. 13 is known. That is, Kr laser (
λ-410nm), or Ar laser (λ-514,5
An optical fiber 4 connected to a gas laser device 3 that excites A laser (λ-570 to 630 nm) or a dye laser device (not shown) that excites a laser A (λ-570 to 630 nm) is inserted into a channel of an endoscope 5 to expose the human body. 1 to the site of cancer cell 2.

[発明が解決しようとする課題] しかしながら、この光化学治療方法ではその癌細胞2に
対するレーザ光の照射を数十分間程度、連続して行なう
必要があるので、術者はその間、レーザ光が癌細胞2の
部位から外れないように内視鏡5の手元において、微妙
なアングル操作を続けなければならない。したがって、
術者にとっての負担がきわめて大きかった。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in this photochemical treatment method, it is necessary to continuously irradiate the cancer cells 2 with the laser light for several tens of minutes, so the operator must ensure that the laser light does not irradiate the cancer cell 2 during that time. In order to keep the endoscope 5 close to the cell 2, delicate angle manipulations must be continued. therefore,
The burden on the surgeon was extremely heavy.

特に、管腔臓器内の癌細胞2に対しての位置決め作業は
アングル操作に加えて、内視鏡5の挿入部の先後方向へ
の微妙な押引き操作も要求されるため、−層、面倒であ
り、術者の負担がより大きなものであった。
In particular, positioning work for cancer cells 2 within a hollow organ requires not only angle manipulation but also delicate pushing and pulling manipulations in the forward and backward directions of the insertion section of the endoscope 5. Therefore, the burden on the operator was greater.

本発明は上記課題に着目してなされたもので、その目的
とするところは管腔臓器における患部についての光化学
治療を行なう術者に過大な負担をかけることなく、その
管腔臓器の患部に対してレーザ光を長時間安定して連続
して確実に照明できる光化学治療装置を提供することに
ある。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and its purpose is to treat the affected part of the hollow organ without placing an excessive burden on the operator who performs photochemical therapy on the affected part of the hollow organ. It is an object of the present invention to provide a photochemical treatment device that can stably and continuously illuminate a laser beam for a long period of time.

[課題を解決するための手段およびその作用〕上記課題
を解決するために本発明は生体の管腔内の部位における
患部について光化学治療を行なう光化学治療装置におい
て、内視鏡の挿入部の挿入を案内するスライディングチ
ューブを設け、この挿入補助用スライディングチューブ
の一部には上記患部に向けてレーザ光を照射する半導体
レーザを位置選択自在に設け、さらに、この半導体レー
ザの位置を選択する位置決め操作機構と、上記スライデ
ィングチューブを管腔内に固定する保持手段とを具備し
たものである。
[Means for Solving the Problems and Their Effects] In order to solve the above problems, the present invention provides a photochemical therapy device that performs photochemical therapy on an affected area within a lumen of a living body, in which the insertion portion of an endoscope is inserted. A guiding sliding tube is provided, a semiconductor laser for irradiating a laser beam toward the affected area is provided in a part of the insertion assisting sliding tube in a position-selectable manner, and a positioning operation mechanism is provided for selecting the position of the semiconductor laser. and a holding means for fixing the sliding tube within the lumen.

しかして、この光化学治療装置によれば、スライディン
グチューブを用いて内視鏡の挿入部を患部まで案内し、
その内視鏡による観察下で、そのスライディングチュー
ブの位置を定めることができる。そして、このスライデ
ィングチューブはこれをその管腔内に固定する保持手段
により所定位置に固定される。さらに、固定されたスラ
イディングチューブの一部に設けられた半導体レーザは
これの位置決め操作機構により上記患部に向けて正確に
位置決めされる。そして、このように正確に位置で固定
された半導体し〜ザから患部へ向けてレーザ光を照射す
る。
According to this photochemical treatment device, the insertion section of the endoscope is guided to the affected area using a sliding tube,
The position of the sliding tube can be determined under observation with the endoscope. The sliding tube is then fixed in place by retaining means that secure it within the lumen. Furthermore, the semiconductor laser provided on a portion of the fixed sliding tube is accurately positioned toward the affected area by its positioning mechanism. Laser light is then irradiated from the semiconductor laser, which is precisely fixed in position, toward the affected area.

このため、管腔臓器の患部に対する半導体レーザの位置
を長時間安定して保持することができる。
Therefore, the position of the semiconductor laser relative to the affected part of the hollow organ can be stably maintained for a long time.

[実施例] 第1図ないし第6図は本発明の第1の実施例を示すもの
である。第1図に示すように、光化学治療装置9は中空
可撓管よりなるスライディングチューブ10と、体外に
設置される半導体レーザ用電源11とバルーン用空気圧
源12とから構成している。スライディングチューブ1
0はこれ自身、後述する生体の管腔臓器28内に挿入さ
れるとともに、斜視型内視鏡5の挿入部を挿通して管腔
臓器28に案内することができる。スライディングチュ
ーブ10はその先端付近に前後に離れて保持手段として
設けられた2個のバルーン13゜13を設けてなり、こ
の両バルーン13.13の間に位置してその外周の一部
には半導体レーザ装置15が設けられている。この部分
の構成を第2図ないし第4図を用いて詳しく説明する。
[Embodiment] FIGS. 1 to 6 show a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the photochemical treatment device 9 includes a sliding tube 10 made of a hollow flexible tube, a semiconductor laser power source 11 installed outside the body, and a balloon air pressure source 12. sliding tube 1
0 itself can be inserted into a hollow organ 28 of a living body, which will be described later, and can also be guided into the hollow organ 28 by passing through the insertion section of the oblique-viewing endoscope 5. The sliding tube 10 is provided with two balloons 13.13 provided as holding means at a distance in the front and back near its tip, and a semiconductor is located between the two balloons 13. A laser device 15 is provided. The configuration of this part will be explained in detail using FIGS. 2 to 4.

すなわち、まず、第2図で示すように、例えば透明な樹
脂で作られたスライディングチューブ10の先端付近の
周面壁部には一定距離を前後において2個のバルーン1
3.13が配設されるが、この両バルーン13.13間
において、スライディングチューブ10の長手軸方向に
沿って一条のスリット14が形成されている。このスリ
ット14の断面形状は第3図に示すように左右壁面部分
にそれぞれ対向して凹状の溝17.17が刻設され、こ
の両??に17.17に後述する半導体レーザ装置15
の保持本体29の左右各端部をそれぞれ嵌め込んで挟み
込むようにして支持している。
That is, first, as shown in FIG. 2, two balloons 1 are placed on the circumferential wall near the tip of a sliding tube 10 made of, for example, transparent resin, spaced a certain distance apart.
3.13, and a slit 14 is formed along the longitudinal axis of the sliding tube 10 between both balloons 13.13. As shown in FIG. 3, the slit 14 has a cross-sectional shape in which concave grooves 17 and 17 are carved facing each other on the left and right wall portions, respectively. ? 17. Semiconductor laser device 15 to be described later in 17
The left and right ends of the holding body 29 are respectively fitted and supported in a sandwiched manner.

したがって、この半導体レーザ装置15はスリット14
に沿ってスライディングチューブ10の長手方向にスラ
イド可能であり、また、このスリット14から外れ落ち
ることがない。また、半導体レーザ装置15の保持本体
29の前端とスライディングチューブ10とはそれぞれ
固定部材18を介して引張りばね19で連結されている
。また、半導体レーザ装置15の保持本体29の後端に
はワイヤ20を連結しており、このワイヤ20はスライ
ディングチューブ10の壁部内に設けた挿通用管路21
を通じてに手元側へ導びがれ、ワイヤ20はスライディ
ングチューブ10の最後端面に開口する挿通用管路21
の開口部より外部に突出している。さらに、スライディ
ングチューブ10の後端部には第2図で示すように挿通
用管路21と交わるようねじ孔22を穿設され、このね
じ孔22には固定用止めねじ23を螺挿されている。
Therefore, this semiconductor laser device 15 has a slit 14
The sliding tube 10 can be slid in the longitudinal direction along the slit 14, and will not fall out of the slit 14. Further, the front end of the holding body 29 of the semiconductor laser device 15 and the sliding tube 10 are connected by a tension spring 19 via a fixing member 18, respectively. Further, a wire 20 is connected to the rear end of the holding body 29 of the semiconductor laser device 15, and this wire 20 is connected to an insertion conduit 20 provided in the wall of the sliding tube 10.
The wire 20 is guided to the proximal side through an insertion conduit 21 that opens at the rearmost end surface of the sliding tube 10.
protrudes outward from the opening. Furthermore, as shown in FIG. 2, a screw hole 22 is bored at the rear end of the sliding tube 10 so as to intersect with the insertion conduit 21, and a fixing set screw 23 is screwed into this screw hole 22. There is.

固定用止めねじ23はねじ込んで締め付けにより上記ワ
イヤ20を固定できるようになっている。
The wire 20 can be fixed by screwing in and tightening the fixing set screw 23.

すなわち、これらによりスライディングチューブ10を
管腔内に固定する保持手段が構成されている。
That is, these constitute a holding means for fixing the sliding tube 10 within the lumen.

また、上述した2個のバルーン13はスライディングチ
ューブ10の壁部内に設けた給排気管路24に連通して
いる。この給排気管路24はスライディングチューブ1
0の手元部から導出する給排気管25に接続している。
Further, the two balloons 13 described above communicate with an air supply/exhaust pipe line 24 provided within the wall of the sliding tube 10. This supply/exhaust pipe 24 is the sliding tube 1
It is connected to an air supply/exhaust pipe 25 led out from the hand part of 0.

この給排気管25は体外に設置されるバルーン用空気圧
源12に連結している。また、第1図で示すように給排
気管25の途中には開閉用弁16が設けられている。
This supply/exhaust pipe 25 is connected to a balloon air pressure source 12 installed outside the body. Further, as shown in FIG. 1, an opening/closing valve 16 is provided in the middle of the supply/exhaust pipe 25.

また、半導体レーザ装置15には電力供給用のリード線
26が接続されている。電力供給用のリド線26は上述
したワイヤ20と同じく管路21を通じてスライディン
グチューブ10の手元部に導びかれ、その手元部に開口
する開口部27より外部に突出して半導体レーザ用電源
11に接続している。
Further, a lead wire 26 for power supply is connected to the semiconductor laser device 15. The lid wire 26 for power supply is led to the proximal portion of the sliding tube 10 through the conduit 21 like the wire 20 described above, and is connected to the semiconductor laser power source 11 by protruding outside through an opening 27 opened at the proximal portion. are doing.

さらに、半導体レーザ装置15は第4図で示すように構
成されている。すなわち、その保持本体29には凹所3
0が形成され、この凹所30にはモニタ用フォトダイオ
ード31を固定する底部32と、レーザ光を発振する半
導体レーザチップ33を固定する側壁凸部34と、集光
レンズ35を固定する開口部36とが形成されている。
Furthermore, the semiconductor laser device 15 is constructed as shown in FIG. That is, the holding body 29 has a recess 3.
0 is formed, and this recess 30 has a bottom part 32 for fixing a monitor photodiode 31, a side wall convex part 34 for fixing a semiconductor laser chip 33 that oscillates laser light, and an opening part for fixing a condenser lens 35. 36 are formed.

さらに、この保持本体29はアルミニウムなどの伝熱性
の優れた材質からなり、このため、上記半導体レーザチ
ップ33の熱を放射する機能を有する。
Further, the holding body 29 is made of a material with excellent heat conductivity such as aluminum, and therefore has the function of radiating the heat of the semiconductor laser chip 33.

半導体レーザチップ33はモニタ用フォトダイオード3
1および集光レンズ35に向けてレーザ光を発振し、凹
所30の開口部36から外部へ放射する。また、一般に
、半導体レーザチップ33は発熱によりその出力が変化
する特性を有しており、そのため、モニタ用フォトダイ
オード31(;おいてレーザ光の出力変化を検出し、そ
の出力変化に応じて半導体レーザチップ33への注入電
流を変える。このモニタ用フォトダイオード31の働き
によって均一なレーザ光を連続して得ることができるよ
うになっている。
The semiconductor laser chip 33 is a monitor photodiode 3
1 and the condenser lens 35, and radiates the laser beam to the outside from the opening 36 of the recess 30. Generally, the semiconductor laser chip 33 has a characteristic that its output changes due to heat generation. Therefore, the monitor photodiode 31 (; detects the change in the output of the laser beam, and according to the output change, the semiconductor laser chip 33 The current injected into the laser chip 33 is changed.The function of the monitoring photodiode 31 makes it possible to continuously obtain uniform laser light.

ところで、半導体レーザチップ33は、例えばCaA、
1JAs系(λ−780〜830ni)のダブルへテロ
接合レーザであり、そのチップ自体の大きさは数110
0n角程度であり、1個当りの出力は1〜5Wと高出力
も可能である。一方、HpDの励起スペクトルに適した
レーザ光で癌細胞だけを選択的に破壊するためには約1
00mWの出力があれば足りるので、出力的に見れば本
発明の半導体レーザチップ33に充分使用可能である。
By the way, the semiconductor laser chip 33 is made of, for example, CaA,
It is a 1JAs-based (λ-780~830ni) double heterojunction laser, and the size of the chip itself is several 110.
The size is about 0n square, and the output per piece is as high as 1 to 5 W. On the other hand, in order to selectively destroy only cancer cells with a laser beam suitable for the excitation spectrum of HpD, approximately 1
Since an output of 00 mW is sufficient, it can be fully used in the semiconductor laser chip 33 of the present invention from an output point of view.

第5図はHpDの励起スペクトルを示すグラフであり、
第6図は血中のヘモグロビンの吸収スペクトルを示すグ
ラフである。体内に投入されるHpDは第5図のライン
Ω1で示される励起波長を有し、400n1m付近で最
大となる。K「レーザ、Arレーザ、Arレーザ励起色
素レーザを用いると、その励起効率は高められるが、1
〜5W級の出力を有する上記GaA IAs系の半導体
レーザチップ33であれば、波長が780〜830 n
aのレーザ光であっても十分な励起効率を得ることがで
きる。また、波長が780〜830 rv範囲のレザ光
は第6図のラインg2で示す血液中のヘモグロビン吸収
スペクトルから明らかなように、従来のKrレーザなど
に比べて透過特性が優れており、したがって、癌組織の
内側まで入り込むことができ、この点に関しても有用で
ある。
FIG. 5 is a graph showing the excitation spectrum of HpD,
FIG. 6 is a graph showing the absorption spectrum of hemoglobin in blood. HpD injected into the body has an excitation wavelength shown by line Ω1 in FIG. 5, and reaches a maximum around 400n1m. K: The excitation efficiency can be increased by using a laser, an Ar laser, or an Ar laser-excited dye laser, but 1
If the GaA IAs semiconductor laser chip 33 has an output of ~5 W class, the wavelength is 780 to 830 nm.
Sufficient excitation efficiency can be obtained even with a laser beam. Furthermore, as is clear from the hemoglobin absorption spectrum in blood shown by line g2 in FIG. 6, laser light with a wavelength in the range of 780 to 830 rv has superior transmission characteristics compared to conventional Kr lasers, etc. It is also useful in this respect because it can penetrate deep into cancerous tissues.

次に、上記構成の光化学治療装置の作用を説明する。食
道のような管腔臓器28に発生した癌細胞2に対して使
用する場合を例にする。
Next, the operation of the photochemical treatment device having the above configuration will be explained. Let us take as an example a case where the present invention is used for cancer cells 2 generated in a luminal organ 28 such as the esophagus.

予じめ、HpDを体内に注入してこれを癌細胞2内に取
り込ませる。次に、スライディングチューブ10を経口
的に目的とする管腔臓器28まで挿入する。このとき、
両バルーン13.13の間に癌細胞2が位置するように
、スライディングチスーブ10内に内視鏡5を挿入して
癌細胞2の位置を確認しながら行なう。目標位置にスラ
イディングチューブ10が位置したところで、開閉弁1
6を操作してこれを開き、両バルーン13゜13内に空
気圧源12より圧縮空気を送り込む。
In advance, HpD is injected into the body and incorporated into the cancer cells 2. Next, the sliding tube 10 is orally inserted to the target hollow organ 28. At this time,
This is done while confirming the position of the cancer cell 2 by inserting the endoscope 5 into the sliding tube 10 so that the cancer cell 2 is located between both balloons 13, 13. When the sliding tube 10 is located at the target position, the on-off valve 1
6 to open it, and compressed air is sent into both balloons 13 from the air pressure source 12.

すると、バルーン13.13は管腔臓器28の内壁面に
押し当るまで膨脂し、スライディングチューブ10をそ
の管腔臓器28に対して固定する。
Then, the balloon 13.13 expands until it presses against the inner wall surface of the hollow organ 28, and the sliding tube 10 is fixed to the hollow organ 28.

このとき、スリット14が癌細胞2が向かない位置にあ
るときにはスライディングチューブ10を手元側で捩り
、スリット14を癌細胞2へ向ける。
At this time, if the slit 14 is in a position where the cancer cells 2 are not directed, the sliding tube 10 is twisted on the proximal side to direct the slit 14 toward the cancer cells 2.

ついで、半導体レーザ装置15が癌細胞2の真下に位置
するように、ワイヤ20を手元側で押し引きして操作す
る。つまり、ワイヤ20を引くと、半導体レーザ装置1
5は後方へスライドし、また、ワイヤ20を緩めると、
引張りばね19の牽引力によって先端側へ移動する。そ
して、半導体レーザ装置15が癌!411胞2に向き合
う位置にきたことを内視鏡5で確認したら固定用止めね
じ23でワイヤ20を締め付けて固定する。これにより
半導体レーザ装置15が癌細胞2に向き合う正しい位置
に固定することができる。
Next, the wire 20 is pushed and pulled on the proximal side so that the semiconductor laser device 15 is positioned directly below the cancer cell 2 . In other words, when the wire 20 is pulled, the semiconductor laser device 1
5 slides backward, and when the wire 20 is loosened,
It moves toward the tip side by the traction force of the tension spring 19. And the semiconductor laser device 15 is cancerous! After confirming with the endoscope 5 that the wire 20 is in a position facing the 411 cell 2, the wire 20 is tightened and fixed using the fixing set screw 23. Thereby, the semiconductor laser device 15 can be fixed at a correct position facing the cancer cells 2.

続いて、半導体レーザ用電源11を入れ、半導体レーザ
チップ33を励起して均一なレーザ光を集光レンズ35
を介して癌細胞2に集光させて照射する。これによって
光化学反応により癌細胞2だけを破壊することができる
Next, the semiconductor laser power supply 11 is turned on, the semiconductor laser chip 33 is excited, and a uniform laser beam is sent to the condenser lens 35.
The cancer cells 2 are focused and irradiated through the beam. This allows only the cancer cells 2 to be destroyed by photochemical reaction.

この光化学治療では、癌細胞2に対するレーザ照射を数
十分連続して行なう必要があるが、上記構成によれば、
−度半導体レーザ装置15の位置を決定すると、長時間
その位置に固定することができる。したがって、連続照
射の間レーザ光の焦点がずれないので、術者の負担がき
わめて軽くなるとともに、正確な治療を効率よく行なう
ことができる。
In this photochemical treatment, it is necessary to continuously irradiate the cancer cells 2 with laser for several tens of minutes, but according to the above configuration,
Once the position of the semiconductor laser device 15 is determined, it can be fixed at that position for a long time. Therefore, since the focus of the laser beam does not shift during continuous irradiation, the burden on the operator is extremely lightened, and accurate treatment can be performed efficiently.

また、半導体レーザ装置15の位置をスライディングチ
ューブ10の軸方向に微少移動させることが可能なので
、癌細胞2に対して焦点を合わせ易い。
Further, since the position of the semiconductor laser device 15 can be slightly moved in the axial direction of the sliding tube 10, it is easy to focus on the cancer cells 2.

さらに、スライディングチューブ10に半導体レーザ装
置15を組み込む方式なので、内視鏡5については特に
制限が無く、一般のものでよい。
Furthermore, since the semiconductor laser device 15 is built into the sliding tube 10, there are no particular restrictions on the endoscope 5, and a general endoscope may be used.

また、半導体レーザ装置15を用いるので、装置全体の
小型化、簡略化および生産コストの低減化等を図ること
ができる。
Further, since the semiconductor laser device 15 is used, the entire device can be made smaller and simpler, and the production cost can be reduced.

第7図よび第8図は本発明の第2の実施例を示すもので
ある。上述した第1の実施例ではスライディングチュー
ブ10上の1ケ所にスリット14と半導体レーザ装置1
5を設けたが、この第2の実施例では第6図に示すよう
にスライディングチューブ10の周面に複数本のスリッ
ト14.由と各スリット14.・・・内にそれぞれ半導
体レーザ装置15.・・・を設けた。また、各半導体レ
ーザ装置15、・・・が各スリット14.・・・に対し
て独立にスライド動作するように、ワイヤ20.管路2
1、固定ねじ23等を設ける。また、各リード線26゜
・・・は各々の半導体レーザ装置15.・・・に付いて
いる。また、スライディングチューブ10の後端側部分
は第8図で示すよ・5に構成されている。すなわち、こ
の実施例は複数の半導体レーザ装置15゜・・をスライ
ディングチューブ10の周面に分散して設けた点が上記
第1の実施例と特に異なり、その他の構成は第1の実施
例のものと実質的に同じである。
7 and 8 show a second embodiment of the invention. In the first embodiment described above, the slit 14 and the semiconductor laser device 1 are provided at one location on the sliding tube 10.
However, in this second embodiment, a plurality of slits 14.5 are provided on the circumferential surface of the sliding tube 10, as shown in FIG. and each slit 14. . . . each includes a semiconductor laser device 15. ... has been established. Further, each semiconductor laser device 15, . . . has a slit 14 . The wires 20 . Conduit 2
1. Provide fixing screws 23, etc. Further, each lead wire 26°... is connected to each semiconductor laser device 15. It's attached to... Further, the rear end side portion of the sliding tube 10 is configured as 5 as shown in FIG. That is, this embodiment is particularly different from the first embodiment in that a plurality of semiconductor laser devices 15° are provided distributed on the circumferential surface of the sliding tube 10, and the other configuration is the same as that of the first embodiment. is substantially the same as that of

そして、この第2の実施例の構成によれば、ある管腔臓
器28に癌細胞2が存在するとき、1ケ所だけてなく周
囲にいくつか点在している場合があるが、このような場
合において、それらを同時に治療することができる。
According to the configuration of this second embodiment, when cancer cells 2 are present in a certain luminal organ 28, they may not be located only at one location but may be scattered around several locations. In some cases they can be treated simultaneously.

すなわち、第1の実施例の場合と同様にしてスライディ
ングチューブ10を管腔臓器28に挿入し、癌細胞2を
両バルーン1.3.13間に位置するようにして固定す
る。このとき、複数本あるスリット14.・・の内、い
くつかの上に癌細胞2゜・・・が位置している筈である
。次に、癌細胞2.・・・が位置しているスリット14
.・・・の半導体レーザ15、・・を、これに対応した
それぞれのワイヤ20、・・・を操作によりその各癌細
胞2の真下にスライドさせ、固定ねじ23.・・・でワ
イヤ20.・・・を固定する。続いて、半導体レーザ用
電源11と図示しない分配器により前記各癌細胞2、・
・・に対応する半導体レーザ装置15、・・・にだけ選
択的に電力を供給して、光化学治療を行なう。
That is, the sliding tube 10 is inserted into the hollow organ 28 in the same manner as in the first embodiment, and the cancer cells 2 are fixed so as to be located between the balloons 1, 3, and 13. At this time, there are multiple slits 14. Cancer cells 2°... should be located on some of them. Next, cancer cells 2. ... is located in the slit 14
.. The semiconductor lasers 15, . . . corresponding to the semiconductor lasers 15, . ...and wire 20. ... to be fixed. Subsequently, each of the cancer cells 2, .
Photochemical treatment is performed by selectively supplying power only to the semiconductor laser devices 15, . . . corresponding to the semiconductor laser devices 15, .

この実施例の構成によれば、一つの装置で複数の癌細胞
2.・・・を同時に治療することができるとともに、こ
れを容易に行なうことができ、治療時間の大幅な短縮に
つながる。
According to the configuration of this embodiment, one device can handle multiple cancer cells 2. ... can be treated at the same time, and this can be done easily, leading to a significant reduction in treatment time.

第9図および第10図は本発明の第3の実施例を示すも
のである。上述した第1、第2の実施例では半導体レー
ザ装置15をスライディングチューブjOの軸方向への
み移動させることが可能であったが、この第3の実施例
では半導体レーザ装置15をスライディングチューブ1
0の周方向にも移動可能にする構成にしたものである。
FIGS. 9 and 10 show a third embodiment of the present invention. In the first and second embodiments described above, it was possible to move the semiconductor laser device 15 only in the axial direction of the sliding tube jO, but in this third embodiment, the semiconductor laser device 15 could be moved only in the axial direction of the sliding tube jO.
The structure is such that it can also be moved in the circumferential direction.

すなわち、スライディングチューブ10の外周面部に対
して円筒形状の超音波モータ38を嵌め込んでなり、こ
の超音波モータ38はステータ39とロータ40とで構
成される。ロータ40はステータ39の外周面上を回転
する。このロータ40の外周の一部に半導体レーザ装置
15を設けたものである。さらに、スライディングチュ
ーブ10の周面部にはそのスライディングチューブ10
の長手軸方向に沿う複数のスリット14.・・・を設け
ており、ステータ39に結合した固定部材41がその少
なくとも1つのスリット14に対してスライド自在に嵌
め込まれている。この固定部材40には上述した第1、
第2の実施例と同様に引張りばね19とワイヤ20が接
続されていて、ワイヤ20の操作により超音波モータ3
8を軸方向に移動させることができる。また、超音波モ
ータ38のリード線42はそのスライディングチュブ1
0の壁部内を通じて外部の図示しない駆動電源に接続さ
れるようになっている。
That is, a cylindrical ultrasonic motor 38 is fitted into the outer peripheral surface of the sliding tube 10, and this ultrasonic motor 38 is composed of a stator 39 and a rotor 40. The rotor 40 rotates on the outer peripheral surface of the stator 39. A semiconductor laser device 15 is provided on a part of the outer periphery of the rotor 40. Further, the sliding tube 10 is provided on the peripheral surface of the sliding tube 10.
A plurality of slits 14 along the longitudinal axis direction. ..., and a fixing member 41 coupled to the stator 39 is slidably fitted into at least one slit 14 of the fixing member 41. This fixing member 40 has the above-mentioned first,
Similarly to the second embodiment, a tension spring 19 and a wire 20 are connected, and by operating the wire 20, the ultrasonic motor 3
8 can be moved in the axial direction. Further, the lead wire 42 of the ultrasonic motor 38 is connected to the sliding tube 1 of the ultrasonic motor 38.
It is connected to an external drive power source (not shown) through the inside of the wall.

しかして、この実施例の場合も、上述した第1、第2の
実施例と同様にして、両バルーン13゜13でスライデ
ィングチューブ1oを管腔臓器28の壁面に固定する。
Therefore, in this embodiment as well, the sliding tube 1o is fixed to the wall surface of the hollow organ 28 using both balloons 13 and 13 in the same manner as in the first and second embodiments described above.

ついで、ワイヤ20を操作して超音波モータ38を癌細
胞2のある深さまでスライドさせる。そして、超音波モ
ータ38を回転させることにより半導体レーザ装置15
を癌細胞2の真下に向き合う位置まで移動させる。その
後、上述したと同様の光化学治療を行なうのである。
Next, the wire 20 is operated to slide the ultrasonic motor 38 to a certain depth in the cancer cell 2 . Then, by rotating the ultrasonic motor 38, the semiconductor laser device 15
Move it to a position directly below and facing cancer cell 2. Thereafter, photochemical treatment similar to that described above is performed.

この実施例の構成によれば、半導体レーザ装置15の移
動がスライディングチューブ10の軸方向と共に周方向
にも可能となったので、より正確に癌細胞2に対してレ
ーザ光を照射することができる。さらに、複数の部位に
癌細胞2.・・・が存在する場合でも、スライディング
チューブ10を何度も移動させないで、ワイヤ20の操
作と超音波モータ38の回転操作で、順次、癌細胞2の
真下位置に半導体レーザ装置15を移動させて治療をす
ることができる。
According to the configuration of this embodiment, the semiconductor laser device 15 can be moved not only in the axial direction of the sliding tube 10 but also in the circumferential direction, so that the cancer cells 2 can be more accurately irradiated with laser light. . Furthermore, cancer cells 2. ..., the semiconductor laser device 15 is sequentially moved to a position directly below the cancer cell 2 by operating the wire 20 and rotating the ultrasonic motor 38 without moving the sliding tube 10 many times. can be treated.

第11図および第12図は本発明の第4の実施例を示す
ものである。この実施例は第3の実施例においての超音
波モータ38の代わりに静電モータ43を用いたもので
ある。この静電モータ43は第11図で示すように回転
リング44と固定リング45で構成されている。固定リ
ング45は超音波モータ38のステータ39と同様にし
てスライディングチューブ10に固定されている。固定
リング45の外周面には一定間隔で複数の電極46a、
・・・が配置されている。回転リング44の内面の一部
にも電極46bが1個配置されている。
FIGS. 11 and 12 show a fourth embodiment of the present invention. This embodiment uses an electrostatic motor 43 in place of the ultrasonic motor 38 in the third embodiment. This electrostatic motor 43 is composed of a rotating ring 44 and a fixed ring 45, as shown in FIG. The fixing ring 45 is fixed to the sliding tube 10 in the same manner as the stator 39 of the ultrasonic motor 38. A plurality of electrodes 46a are provided at regular intervals on the outer peripheral surface of the fixed ring 45.
...is placed. One electrode 46b is also arranged on a part of the inner surface of the rotating ring 44.

そして、回転リング44側の電極46bと固定リング4
5側の電極46a、・・・の間には隙間があり、互いに
接触しないようになっている。
Then, the electrode 46b on the rotating ring 44 side and the fixed ring 4
There is a gap between the electrodes 46a, . . . on the 5th side so that they do not come into contact with each other.

そこで、第12図に示すように回転リング44側の電極
46bと固定リング45側の電極46a。
Therefore, as shown in FIG. 12, an electrode 46b on the rotating ring 44 side and an electrode 46a on the fixed ring 45 side.

・・に順次電圧をかけると、その電極46a。When a voltage is sequentially applied to the electrodes 46a.

46b間に働く静電気力によって電極46a。Electrostatic force acting between electrodes 46a and 46b.

46bが引き合い回転する。その他の作用は第3の実施
例と同じである。
46b are attracted and rotated. Other operations are the same as in the third embodiment.

この実施例の構成によれば、上記超音波モータ38の場
合より薄くコンパクト化できる。
According to the configuration of this embodiment, the ultrasonic motor 38 can be made thinner and more compact than the ultrasonic motor 38 described above.

なお、本発明は以上述べた各実施例のものに限定される
ものでない。例えば引張りばねは弾性部材であればそれ
に代用できるとともに、形状記憶合金等による駆動も考
えられる。
Note that the present invention is not limited to the embodiments described above. For example, the tension spring can be replaced by any elastic member, and driving by a shape memory alloy or the like may also be considered.

[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、内視鏡による観察
下で、そのスライディングチューブの位置を定めること
ができるとともに、これをその管腔内に固定することが
できる。さらに、固定されたスライディングチューブの
一部に設けられた半導体レーザを患部に向けて正確に位
置決めできる。そして、このように正確に位置で固定さ
れた半導体レーザから患部へ向けてレーザ光を照射する
から、管腔臓器における患部についての光化学治療を行
なう術者に過大な負担をかけることなく、その管腔臓器
の患部に対してレーザ光を長時間安定して連続して照射
し確実に治療できる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the position of the sliding tube can be determined under observation with an endoscope, and the sliding tube can be fixed within the lumen thereof. Furthermore, the semiconductor laser provided on a portion of the fixed sliding tube can be accurately positioned toward the affected area. Since the laser beam is directed toward the affected area from the semiconductor laser that is precisely fixed in this way, the tube can be easily controlled without placing an excessive burden on the operator performing photochemical treatment of the affected area in the hollow organ. Laser light can be irradiated stably and continuously for a long period of time to the affected area of a cavity organ to ensure reliable treatment.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図ないし第6図は本発明の第1の実施例を示し、第
1図はその治療装置の斜視図、第2図はその挿入側先端
部の側断面図、第3図はスリットおよび半導体レーザ装
置部の正面断面図、第4図は半導体レーザ装置部の側断
面図、第5図はHpDの励起スペクトルを示すグラフ、
第6図は血中のヘモグロビンの吸収スペクトルを示すグ
ラフ、第7図および第8図は本発明の第2の実施例を示
し、第7図はその治療装置の使用状態の斜視図、第8図
は同じくその治療装置の手元部分の斜視図、第9図およ
び第10図は本発明の第3の実施例を示し、第9図はそ
の治療装置の先端部分の斜視図、第10図は同じくその
治療装置の先端部分の側断面図、第11図および第12
図は本発明の第4の実施例を示し、第11図はその治療
装置の静電モータ部分の側断面図、第12図は同じくそ
の治療装置の静電モータ部分の正面断面図、第13図は
従来方式の説明図である。 2・・・癌細胞、9・・・光化学治療装置、10・・・
スライディングチューブ、13・・・バルーン、14・
・・スリット、15・・・半導体レーザ装置、20・・
・ワイヤ、28・・・管腔臓器、33・・・半導体チッ
プ、38・・・超音波モータ、43・・・静電モータ。 出願人代理人 弁理士 坪 井  4 第 4 図 第1図 =准−L(λ)/nm 第 5 図 茗 2 v −;*L<λ)/nm 第 6 回 第 図 へr 図 図 手 続 打1j 正 書 平成元年 5月10日 事件の表示 特願平1 5号 2゜ 発明の名称 光 化 学 治 療 装 置 3゜ 補正をする者 一1■件との関係
1 to 6 show a first embodiment of the present invention, FIG. 1 is a perspective view of the treatment device, FIG. 2 is a side sectional view of the insertion side tip, and FIG. 3 is a slit and a 4 is a front sectional view of the semiconductor laser device section, FIG. 4 is a side sectional view of the semiconductor laser device section, and FIG. 5 is a graph showing the excitation spectrum of HpD.
FIG. 6 is a graph showing the absorption spectrum of hemoglobin in blood, FIGS. 7 and 8 show a second embodiment of the present invention, FIG. 7 is a perspective view of the treatment device in use, and FIG. The figure is a perspective view of the proximal portion of the treatment device, FIGS. 9 and 10 show a third embodiment of the present invention, FIG. 9 is a perspective view of the distal end of the treatment device, and FIG. Similarly, side sectional views of the distal end portion of the treatment device, FIGS. 11 and 12.
The figures show a fourth embodiment of the present invention, in which FIG. 11 is a side sectional view of the electrostatic motor portion of the treatment device, FIG. 12 is a front sectional view of the electrostatic motor portion of the treatment device, and FIG. The figure is an explanatory diagram of a conventional method. 2...Cancer cells, 9...Photochemical treatment device, 10...
Sliding tube, 13... Balloon, 14.
...Slit, 15...Semiconductor laser device, 20...
- Wire, 28... Luminal organ, 33... Semiconductor chip, 38... Ultrasonic motor, 43... Electrostatic motor. Applicant's agent Patent attorney Tsuboi 4 Figure 4 Figure 1 = Associate - L (λ)/nm Figure 5 Mei 2 v -; *L<λ)/nm Go to Figure 6 r Figure procedure 1j Indication of the case dated May 10, 1989 Patent Application No. 5 of 1998 2゜Name of the invention Photochemical treatment device 3゜Relationship with the person making the amendment 1■

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 生体の管腔内の部位における患部について光化学治療を
行なう光化学治療装置において、内視鏡の挿入部の挿入
を案内するスライディングチューブと、この挿入補助用
スライディングチューブの一部に位置選択自在に設けら
れ上記患部に向けてレーザ光を照射する半導体レーザと
、この半導体レーザの位置を選択する位置決め操作機構
と、上記スライディングチューブを管腔内に固定する保
持手段とを具備したことを特徴とする光化学治療装置。
In a photochemical treatment device that performs photochemical treatment on an affected area within a lumen of a living body, a sliding tube that guides the insertion of an insertion section of an endoscope, and a part of this sliding tube for assisting insertion are provided in a position selectable manner. Photochemical treatment characterized by comprising a semiconductor laser that irradiates laser light toward the affected area, a positioning operation mechanism that selects the position of the semiconductor laser, and a holding means that fixes the sliding tube within the lumen. Device.
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