JPH0218387B2 - - Google Patents

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JPH0218387B2
JPH0218387B2 JP2811385A JP2811385A JPH0218387B2 JP H0218387 B2 JPH0218387 B2 JP H0218387B2 JP 2811385 A JP2811385 A JP 2811385A JP 2811385 A JP2811385 A JP 2811385A JP H0218387 B2 JPH0218387 B2 JP H0218387B2
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JP
Japan
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copper plating
plating bath
electroless copper
bath
amine compound
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JP2811385A
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Japanese (ja)
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JPS60194081A (en
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Ei Aashireshi Donarudo
Ii Roberuto Osukaa
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OMI International Corp
Original Assignee
OMI International Corp
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Publication date
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Publication of JPH0218387B2 publication Critical patent/JPH0218387B2/ja
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/38Coating with copper
    • C23C18/40Coating with copper using reducing agents
    • C23C18/405Formaldehyde

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 広義にいえば本発明は素地上に、特に種々の前
処理を受けて銅めつきされ易くなつている非導電
性素地である各種プラスチツク上に無電解銅めつ
き膜を生成させるための改良組成物及びその使用
方法に関する。従来知られている無電解銅めつき
浴は通常、銅イオン、銅イオンの沈殿防止用錯化
剤、銅イオンの金属イオンへの還元剤、PH制御
剤、安定剤、速度制御剤及び任意成分であるが好
ましい成分として銅皮膜の被覆力と分布状態を改
良するための湿潤剤から成つている。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Field of Application] Broadly speaking, the present invention is applicable to substrates, particularly various plastics which are non-conductive substrates that have undergone various pre-treatments and are easily copper-plated. The present invention relates to an improved composition for producing an electroless copper plated film and a method of using the same. Conventionally known electroless copper plating baths typically contain copper ions, a complexing agent for preventing precipitation of copper ions, a reducing agent for copper ions to metal ions, a PH control agent, a stabilizer, a rate control agent and optional ingredients. However, a preferred component is a wetting agent to improve the coverage and distribution of the copper coating.

[技術的背景] 自動車に装飾めつきトリムが多用されるように
なつたことが原因して、従来の無電解銅めつき溶
液の原価を低減させ、維持・管理を簡素化し、安
定性を向上させ工業的に満足できるめつき速度で
均一な密着性の良い銅めつきを生成させるための
一層の研究努力がなされるようになつた。
[Technical background] Due to the increasing use of decorative plating trim in automobiles, it is necessary to reduce the cost of conventional electroless copper plating solutions, simplify maintenance and management, and improve stability. Further research efforts have been made to produce uniform copper plating with good adhesion at a plating rate that is industrially satisfactory.

[発明の目的] 本発明の目的は、錯化剤を一定に組み合わせて
共働的に作用させる結果、必要とされる錯化剤の
量を著しく低減できるために、かかる無電解銅め
つき浴の新しい調製と補充とに要する原価を著し
く低減できて、前記したような利益と目的とが達
成できるような浴組成と、その使用方法とを提供
することにある。
[Object of the Invention] The object of the present invention is to improve the electroless copper plating bath in such a manner that the amount of complexing agent required can be significantly reduced as a result of the synergistic action of a certain combination of complexing agents. The object of the present invention is to provide a bath composition and a method of using the same, which can significantly reduce the cost of new preparation and replenishment of the bath, and achieve the above-mentioned benefits and objectives.

[発明による利益] そのほか本発明は、従来よりも低いPHでの工業
運転が可能なので、これによつてアルカリ性PH制
御剤の必要量を低減させ、一方では苛性アルカリ
のようなアルカリ剤とホルマリンのような還元剤
の劣化反応を減少させて還元剤の消費量を大幅に
減少させることを可能にするものである。本発明
浴のその他の利点は、室温より高い浴温における
運転が可能なので約66℃(150〓)以下での浴温
にすることができ自動触媒的な銅の析出に対して
必要な好ましい浴活性を確保することができるこ
とである。かかる高温での運転が可能ということ
は、換言すれば数週間に亘つて運休する際に浴を
室温まで冷却できることを意味し、この冷却によ
つて浴の活性を低下させて運休間の浴の安定性を
向上させると共に自動触媒的な分解を阻止させう
るという効用があることを意味する。またかかる
高温で運転すると通常は浴の蒸発が起こるので、
めつき槽中に空間が生じ、この空間を利用して必
要に応じて補給薬品の添加を行なうことができる
という利点がある。従来の無電解めつき浴は室温
で運転するために、補給薬品添加のための空間を
創るために運転浴の若干を取り除く必要がたびた
び生じ、貴重なめつき液の損失となつた許りでな
く廃液処理の問題が生じていた。本発明の改良浴
組成では従来の無電解銅浴中に通常使用されてき
たシアナイドや沃化物のような速度制御剤の添加
の必要性が著しく減少するか、もしくはある場合
には完全に必要性がなくなるので、浴の制御と補
給がさらに簡素化され、必要材料のコスト低下に
寄与する。
[Benefits from the invention] In addition, the present invention enables industrial operation at lower pH than previously possible, thereby reducing the amount of alkaline PH control agent required, while reducing the need for alkaline agents such as caustic and formalin. This makes it possible to reduce the deterioration reaction of the reducing agent and to significantly reduce the consumption amount of the reducing agent. Another advantage of the bath of the present invention is that it can be operated at bath temperatures above room temperature, allowing bath temperatures below about 66°C (150°C), which is a desirable bath for autocatalytic copper deposition. It is possible to ensure activity. The ability to operate at such high temperatures means, in turn, that the bath can be cooled down to room temperature during outages for several weeks, and this cooling reduces the activity of the bath, making it possible to maintain the bath during the outage. This means that it has the effect of improving stability and preventing autocatalytic decomposition. Also, operating at such high temperatures usually causes evaporation of the bath.
An advantage is that a space is created in the plating tank, and this space can be used to add replenishment chemicals as necessary. Because conventional electroless plating baths operate at room temperature, it is often necessary to remove some of the operating bath to create space for the addition of make-up chemicals, resulting in a loss of valuable plating solution. There was a problem with waste liquid treatment. The improved bath composition of the present invention significantly reduces, or in some cases eliminates, the need for the addition of rate control agents, such as cyanide and iodide, commonly used in conventional electroless copper baths. bath control and replenishment is further simplified and the cost of required materials is reduced.

[発明の構成] 本発明による利益と利点とは、自動触媒的に銅
を析出させるのに十分な量、すなわち通常は約
0.5〜約30g/濃度範囲の銅イオンと、銅イオ
ンを金属状態に還元するのに十分な量の還元剤、
すなわち好ましくは約0.1〜約40g/の量のホ
ルムアルデヒドと、浴中の銅イオンを錯化するに
足る量であつて錯化剤対銅イオンのモル比が約
1:1〜約5:1になる量の錯化剤とを含有する
アルカリ性水溶液から成る無電解銅めつき浴を用
いることによつて達成される。この錯化剤はエチ
レンジアミンテトラ酢酸(EDTA)及びN,N,
N′,N′―テトラキス―(2―ヒドロキシプロピ
ル)エチレンジアミン(THPEDA)から成る群
から選択された一種類のアミン化合物と、グルコ
ン酸、グルコヘプトン酸及びこれらの浴可溶性・
相溶性塩類並びにこれらの混合物から成る群から
選択されたヒドロキシ酸との混合物から成つてい
る。該混合物中でのヒドロキシ酸はアミン化合物
に対して0.1〜3:1のモル比になる量で含まれ
る。該浴はさらに、安定剤、好ましくは約2.5
g/以下の異節環状有機硫化物化合物、浴のPH
を約9〜14にする量のヒドロキシルイオン、任意
成分としての約1g/以下のシアナイド、沃化
物及びこれらの誘導体のような速度制御剤並びに
約10g/以下の任意成分としての浴可溶性・相
溶性湿潤剤を含みうる。
DESCRIPTION OF THE INVENTION The benefits and advantages of the present invention include the use of a sufficient amount of copper to autocatalytically deposit copper, typically about
copper ions in a concentration range of 0.5 to about 30 g/concentration and a reducing agent in an amount sufficient to reduce the copper ions to a metallic state;
That is, preferably formaldehyde in an amount of from about 0.1 to about 40 g/m and an amount sufficient to complex the copper ions in the bath such that the molar ratio of complexing agent to copper ions is from about 1:1 to about 5:1. This is achieved by using an electroless copper plating bath consisting of an alkaline aqueous solution containing a certain amount of complexing agent. The complexing agent is ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) and N,N,
One type of amine compound selected from the group consisting of N',N'-tetrakis-(2-hydroxypropyl)ethylenediamine (THPEDA), gluconic acid, glucoheptonic acid and their bath-soluble
and a hydroxy acid selected from the group consisting of compatible salts as well as mixtures thereof. The hydroxy acid in the mixture is present in a molar ratio of 0.1 to 3:1 to the amine compound. The bath further includes a stabilizer, preferably about 2.5
g/Heterogeneous cyclic organic sulfide compound, bath PH
hydroxyl ions in an amount of from about 9 to 14, optionally up to about 1 g/rate of a rate control agent such as cyanide, iodide, and derivatives thereof, and up to about 10 g/optional of a bath solubility/compatibility. It may contain a wetting agent.

本発明の方法についての提案によれば、銅めつ
きをすべき素地を、かくはん下に浴温21℃(70
〓)ないし約66℃(150〓)に維持したこの無電
解銅溶液中に浸漬して、その表面上に所望膜厚の
均一で密着性の良好な、かつ緻密な銅皮膜が析出
するのに十分な時間に亘つてめつきを行なう。所
望であれば無電解銅めつきを行なつた該素地にさ
らに通常の電気めつきを施こして、1〜数回の電
気めつき膜をその表面に析出させて所望の物性と
外観とを有するようにすることができる。
According to the proposal of the method of the present invention, the substrate to be copper plated is stirred in a bath at a temperature of 21°C (70°C).
〓) to about 66°C (150〓) and is immersed in this electroless copper solution to deposit a dense copper film with a uniform thickness and good adhesion on the surface. Perform plating for a sufficient period of time. If desired, the electroless copper plated substrate is further subjected to conventional electroplating, and one to several electroplated films are deposited on the surface to achieve the desired physical properties and appearance. It can be made to have.

[好ましい実施態様] 本発明の組成に関する提案によれば、本発明の
めつき浴中には必須成分として素地上に金属銅を
析出させるのに十分な量の銅イオンと、銅イオン
を金属状態に還元するための還元剤と、銅イオン
をアルカリ性媒体中に維持せしめるのに十分な量
の錯化剤と、PHをアルカリ側にするためのヒドロ
キシルイオンと、並びに浴を安定化させ、適切な
めつき活性を提供させ、かつ生成銅皮膜の良好な
湿潤剤・均一性を達成させるのに十分な量におい
て含まれる任意成分としての安定剤、速度制御剤
及び湿潤剤とを含有している。
[Preferred Embodiment] According to the proposal regarding the composition of the present invention, the plating bath of the present invention contains copper ions in an amount sufficient to deposit metallic copper on the substrate as an essential component, and copper ions in a metallic state. a sufficient amount of complexing agent to maintain the copper ions in an alkaline medium, hydroxyl ions to bring the pH to the alkaline side, as well as stabilize the bath and provide suitable Optional stabilizers, rate control agents, and wetting agents are included in amounts sufficient to provide deposition activity and achieve good wetting agent uniformity of the resulting copper film.

銅イオンは浴可溶性・相溶性銅塩であればいか
なる形態のものとしても浴中に導入しうるが、こ
の際投入されるアニオンは本発明方法のめつき特
性に対してなんらの悪影響も及ばさない。銅イオ
ン源として典型的なものは塩化第2銅・2水和物
及び硫酸銅・5水和物である。銅イオン濃度は一
般には約0.5g/ないし約30g/、好ましく
は約5g/である。浴が室温において運転され
るときには銅析出速度を適切にするために、より
高い濃度の銅イオンが必要であるが、約60〜66℃
(140゜〜150〓)のような高温運転の際には約0.5
g/のような低濃度が使用できる。
Copper ions can be introduced into the bath in any form as long as they are bath-soluble and compatible copper salts, but the anions introduced at this time do not have any adverse effect on the plating properties of the method of the present invention. do not have. Typical sources of copper ions are cupric chloride dihydrate and copper sulfate pentahydrate. The copper ion concentration is generally about 0.5 g/ to about 30 g/, preferably about 5 g/. Higher concentrations of copper ions are required to obtain adequate copper deposition rates when the bath is operated at room temperature, but at approximately 60-66°C.
Approximately 0.5 during high temperature operation such as (140゜~150〓)
Concentrations as low as g/g/g can be used.

銅イオンに加えて該アルカリ性水溶液は、銅イ
オンを還元して被めつき物品上に金属銅を析出さ
せるのに十分な量の還元剤を含有している。この
目的には、ホルムアルデヒドが好ましく用いら
れ、当然ながらパラホルムアルデヒドも使用可能
である。これ以外に、亜りん酸塩、ヒドラジン及
びこれらの誘導体もまた還元剤として使用される
か、又は使用の提案がなされているが、一般的に
はホルムアルデヒドほどの効力がない。還元剤濃
度は浴中の銅イオン濃度との関連で変わるが、ホ
ルムアルデヒドとして重量当量にて計算して約
0.1〜約40g/、好ましくは約1〜約5g/
の範囲である。
In addition to copper ions, the alkaline aqueous solution contains a sufficient amount of a reducing agent to reduce the copper ions and deposit metallic copper on the coated article. For this purpose, formaldehyde is preferably used, and of course paraformaldehyde can also be used. Additionally, phosphites, hydrazine and their derivatives have also been used or proposed to be used as reducing agents, but generally are not as effective as formaldehyde. The reducing agent concentration varies in relation to the copper ion concentration in the bath, but it is approximately
0.1 to about 40g/, preferably about 1 to about 5g/
is within the range of

銅イオン及び還元剤に加えて、このアルカリ性
水溶液はさらに、銅イオンを溶液中に維持させる
ための一定量の有機錯化剤混合物を含んでいて、
アルカリ性媒体中に水酸化銅が沈殿しないよう
に、工夫されている。全錯化剤濃度は銅イオンの
モル比当り少なくとも約1モル、錯化剤対銅イオ
ンのモル比は約5:1が好ましい。この錯化剤モ
ル比は約1.3:1〜約3.5:1、典型的には約1.7:
1に制御する。
In addition to the copper ions and reducing agent, the alkaline aqueous solution further includes an amount of an organic complexing agent mixture to maintain the copper ions in solution;
Efforts have been made to prevent copper hydroxide from precipitating in the alkaline medium. Preferably, the total complexing agent concentration is at least about 1 mole per mole ratio of copper ions, with a mole ratio of complexing agent to copper ions of about 5:1. The complexing agent molar ratio is from about 1.3:1 to about 3.5:1, typically about 1.7:
Control to 1.

錯化剤が、エチレンジアミンテトラ酢酸
(EDTA)及びN,N,N′,N′―テトラキス―
(2―ヒドロキシプロピル)エチレンジアミン
(THPEDA)から成る群から選択されたアミン
化合物と、グルコン酸、グルコヘプトン酸及びこ
れらの浴可溶性・相溶性塩並びにこれらの混合物
から成る群から選択された有機ヒドロキシ酸との
一定の混合物から成る場合には、錯化特性並びに
浴の活性及び安定性において一種の共働効果があ
ることがこの度び発見された。ヒドロキシ酸対
EDTAのモル比は0.1〜約3:1である。その際
のモル比はヒドロキシ酸に対して使用したその時
のアミン化合物のタイプに依存性がある。例え
ば、アミン化合物としてTHPEDAを用いた場合
には、グルコン酸及び/又はグルコヘプトン酸は
アミン化合物に対するモル比が約0.11:1ないし
約2.45:1の範囲、好ましくは約0.2:1ないし
約1:1のモル比であり、最も好ましくは約
0.26:1のモル比である。他方、アミン化合物が
EDTAである場合には、グルコン酸及び/又は
グルコヘプトン酸は約0.25:1〜約3:1、好ま
しくは約0.6:1〜約2:1、最も好ましくは
1.3:1のモル比で含まれる。錯化剤混合物はア
ルカリ金属塩として導入すると浴が酸性化するの
が防止できて都合がよい。この目的にはナトリウ
ム塩が好ましい。
The complexing agent is ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) and N,N,N',N'-tetrakis-
an amine compound selected from the group consisting of (2-hydroxypropyl)ethylenediamine (THPEDA); and an organic hydroxy acid selected from the group consisting of gluconic acid, glucoheptonic acid, bath-soluble and compatible salts thereof, and mixtures thereof. It has now been discovered that there is a kind of synergistic effect on the complexing properties and on the activity and stability of the bath. Hydroxy acid pair
The molar ratio of EDTA is from 0.1 to about 3:1. The molar ratio depends on the type of amine compound used relative to the hydroxy acid. For example, when THPEDA is used as the amine compound, the molar ratio of gluconic acid and/or glucoheptonic acid to the amine compound ranges from about 0.11:1 to about 2.45:1, preferably from about 0.2:1 to about 1:1. most preferably about
The molar ratio is 0.26:1. On the other hand, amine compounds
When EDTA, the gluconic acid and/or glucoheptonic acid is about 0.25:1 to about 3:1, preferably about 0.6:1 to about 2:1, most preferably
Contained in a molar ratio of 1.3:1. Advantageously, the complexing agent mixture is introduced as an alkali metal salt to prevent acidification of the bath. Sodium salts are preferred for this purpose.

前記割合での二種の錯化剤の混合物を用いると
錯化剤の添加量を著しく低減できるが、この場合
二種の錯化剤はそれぞれ個別には浴中のすべての
銅イオンを錯化するには不充分な量で存在してい
る。
The amount of complexing agent added can be significantly reduced by using a mixture of the two complexing agents in the above proportions, but in this case each of the two complexing agents individually complexes all the copper ions in the bath. present in insufficient quantities to do so.

この無電解銅めつき溶液はアルカリ性であつて
PHが約9〜約14になるような量のヒドロキシルイ
オンを含んでいる。このPH範囲は10.5〜約12.5で
あることがより好ましい。典型的には11.5のPHが
好ましい結果を与え、このPH水準では工業的に満
足のできる銅めつきが生成すると同時に、ヒドロ
キシルイオン濃度を低減できるので、その結果と
してホルムアルデヒドの反応と劣化傾向が少なく
なつて補給量が軽減し経済的になる。浴のPHはア
ルカリ金属水酸化物、好ましくは水酸化ナトリウ
ムを添加することによつて維持することができ
る。
This electroless copper plating solution is alkaline and
It contains hydroxyl ions in an amount such that the pH is between about 9 and about 14. More preferably, this PH range is from 10.5 to about 12.5. Typically a PH of 11.5 gives favorable results; this PH level produces industrially acceptable copper plating while reducing hydroxyl ion concentrations, resulting in less formaldehyde reaction and degradation tendency. Over time, the amount of supplies will be reduced and it will become more economical. The PH of the bath can be maintained by adding an alkali metal hydroxide, preferably sodium hydroxide.

前記の諸成分に加えて、該無電解銅めつき浴は
また、公知の各種の安定剤が含まれていてもよ
く、これによつて浴中に形成される触媒粒子上へ
銅が同時析出して浴中の銅イオンが急速に失なわ
れるのを防止することができる。各種の化合物が
使用又は提案されているが、該目的のために汎く
用いられているのは2―メルカプトベンゾチアゾ
ールである。この代替として使用又は提案されて
いる他の安定剤には2,5―ジメルカプト―1,
3,4―チオダゾール、8―メルカプトプリン、
0―フエナンスロリン、1―フエニル―5―メル
カプトテトラゾール、2,2―ジピリジル、2―
(2―ピリジル)―ベンズイミダゾール、ベンゾ
チアゾール―チオエーテルポリエチレングリコー
ル、チアゾール、イソチアゾール、チオジン、ベ
ンゾトリアゾール、ジアゾール、イミダゾール、
グアニジン、ピリミジン、2,2′―ビキノリン、
2,9―ジメチルフエナンスロリン及び4,7―
ジフエニル―1,10―フエナンスロリンである。
かかる安定剤は任意ではあるが、約2.5g/以
下、好ましくは約0.0001〜約0.5g/の濃度で
使用できる。
In addition to the aforementioned components, the electroless copper plating bath may also contain various stabilizers known in the art, which enhance the co-deposition of copper onto the catalyst particles formed in the bath. This can prevent the copper ions in the bath from being rapidly lost. Although various compounds have been used or proposed, 2-mercaptobenzothiazole is widely used for this purpose. Other stabilizers used or proposed as an alternative include 2,5-dimercapto-1,
3,4-thiodazole, 8-mercaptopurine,
0-phenanthroline, 1-phenyl-5-mercaptotetrazole, 2,2-dipyridyl, 2-
(2-pyridyl)-benzimidazole, benzothiazole-thioether polyethylene glycol, thiazole, isothiazole, thiodine, benzotriazole, diazole, imidazole,
guanidine, pyrimidine, 2,2'-biquinoline,
2,9-dimethylphenanthroline and 4,7-
Diphenyl-1,10-phenanthroline.
Such stabilizers can optionally be used at a concentration of up to about 2.5 g/g, preferably from about 0.0001 to about 0.5 g/g.

かくのごとく錯化剤を上手に組み合わせると通
常必要とされる速度制御剤が不要になることが判
明したが、ある種の環境下ではシアナイド、沃化
物又はこれらの化合物のような速度制御剤を約1
g/以下の量において、該無電解銅めつき浴中
に使用することができる。かかる速度制御剤は浴
めつき速度を低減させることによつて安定剤と同
調する。また、かかる速度制御剤を比較的少量使
用すると銅皮膜のつやと延性が改善されることも
判つた。使用に際しては約1g/以下、好まし
くは1ppm〜約200ppmの量で使用する。
Although it has been found that such clever combinations of complexing agents eliminate the need for the normally required rate control agents, under certain circumstances it may be possible to use rate control agents such as cyanides, iodides or their compounds. Approximately 1
It can be used in the electroless copper plating bath in amounts up to 100 g/g/g. Such rate control agents synchronize with the stabilizer by reducing the bathing rate. It has also been found that the use of relatively small amounts of such rate control agents improves the shine and ductility of copper coatings. When used, it is used in an amount of about 1 g or less, preferably 1 ppm to about 200 ppm.

該無電解銅めつき浴にはさらに、任意成分では
あるが好ましい成分として一定制御量の浴可溶
性・相溶性湿潤剤を含有させて素地上により均一
な銅皮膜を生成させるようにする。満足して使用
できる一般タイプの湿潤剤は通常の無電解銅めつ
き浴中に使用されるタイプのものでよく、例えば
BASF社の「Pluronic P85」(商標名)として市
販されるエチレンオキサイドとプロピレンオキサ
イドとの非イオン性ブロツク共重合体;GAF社
の「Gafac RE610」(商標名)として市販される
非イオン性ホスフエートエステルその他が典型的
である。使用に際しては約10g/以下、典型的
には約0.1〜約3g/が好ましい使用量である。
The electroless copper plating bath further contains a controlled amount of a bath-soluble, compatible wetting agent as an optional but preferred ingredient to produce a more uniform copper coating on the substrate. Common types of wetting agents that can be used satisfactorily are those used in conventional electroless copper plating baths, e.g.
A nonionic block copolymer of ethylene oxide and propylene oxide, commercially available as "Pluronic P85" (trade name) from BASF; a nonionic phosphate, commercially available as "Gafac RE610" (trade name) from GAF. Esters and others are typical. The preferred amount for use is about 10 g/or less, typically about 0.1 to about 3 g/.

本発明の方法に関する提案では、前記のような
組成のアルカリ性水溶液を調製してから、これを
約室温(16℃,60〓)から約71℃(160〓)以下
に加熱し、できれば約27〜66℃(80〜約150〓)
の浴温にする。銅めつきすべき素地は、必要に応
じて表面の汚染物を除くために清浄化する。プラ
スチツク類のような非導電性素地の場合には、例
えば先ずスズーパラジウム錯化物処理溶液で処理
してその表面上に活性点を形成させ、次いで促進
化処理を施こして自動触媒的な銅皮膜が生成し易
くなるようにする。一般的に、溶液のめつき速度
は銅イオン濃度、還元剤濃度、浴温、PH及び錯化
剤濃度を調節することによつて所望の速度が得ら
れるようにする。銅イオン濃度の増加、還元剤濃
度の増加、浴温やPHの増加並びに錯化剤濃度の減
少はすべて銅析出速度の増加に寄与する。一般
に、10分間における少なくとも0.508μ(20マイク
ロインチ)の銅皮膜析出速度が工業的に好ましい
といえる。また、かくはんはめつき速度をはや
め、空気かくはん、カソードロツドかくはん又は
他の機械的かくはん手段が採用できる。
The proposal for the method of the present invention is to prepare an alkaline aqueous solution having the composition as described above, and then to heat it from about room temperature (16°C, 60°) to below about 71°C (160°), preferably about 27°C to 60°C. 66℃ (80~150〓)
Bring the bath temperature to The substrate to be copper plated is cleaned to remove surface contaminants as necessary. In the case of non-conductive substrates such as plastics, active sites are formed on the surface by first treatment with a tin-palladium complex treatment solution, followed by an acceleration treatment to form autocatalytic copper Make it easier to form a film. Generally, the plating rate of the solution is adjusted to a desired rate by adjusting the copper ion concentration, reducing agent concentration, bath temperature, pH, and complexing agent concentration. Increasing copper ion concentration, increasing reducing agent concentration, increasing bath temperature and PH, and decreasing complexing agent concentration all contribute to increasing copper precipitation rate. Generally, a copper film deposition rate of at least 0.508 microns (20 microinches) in 10 minutes is commercially preferred. Alternatively, the plating speed of the agitation may be reduced and air agitation, cathode rod agitation or other mechanical agitation means employed.

[実施例] 本発明をさらに説明するために次に実施例を述
べる。これらの実施例は単に説明の目的のもので
あつて、ここに記載し、かつ前記した特許請求の
範囲がこれらによつて制限さることを意図するも
のではない。
[Example] In order to further explain the present invention, an example will be described next. These examples are for illustrative purposes only and are not intended to limit the scope of the claims herein described and appended hereto.

実施例 1 銅イオン濃度が約2g/(0.032モル)にな
る量の塩化第2銅、約9g/(0.023モル)の
EDTAテトラナトリウム塩、約9g/(0.032
モル)のナトリウムグルコヘプトネイト・2水和
物、約3g/のホルムアルデヒド濃度を提供し
うる量の還元剤としてのホルムアルデヒド、溶液
のPHを約11.6に調整するための水酸化ナトリウム
及び約0.05〜約10ppmの量の2―メルカプトベン
ゾチアゾールのような硫黄含有安定剤を水中に溶
解することによつてアルカリ性の無電解銅めつき
水溶液を調製した。
Example 1 About 9 g/(0.023 mol) of cupric chloride was added in an amount such that the copper ion concentration was about 2 g/(0.032 mol).
EDTA tetrasodium salt, approximately 9g/(0.032
mol) of sodium glucoheptonate dihydrate, formaldehyde as a reducing agent in an amount to provide a formaldehyde concentration of about 3 g/mole, sodium hydroxide to adjust the pH of the solution to about 11.6, and about 0.05 to An alkaline electroless copper plating aqueous solution was prepared by dissolving a sulfur-containing stabilizer such as 2-mercaptobenzothiazole in water in an amount of about 10 ppm.

初期の銅濃度及び他の浴成分を補充して銅イオ
ン濃度が約5〜10回の回転率に相当するように浴
を熟成させた。この熟成浴はグルコヘプトネイト
対EDTAモル比約1.4:1、全錯化剤対銅イオン
モル比約1.7:1であつた。
The initial copper concentration and other bath components were replenished to allow the bath to age so that the copper ion concentration corresponded to about 5 to 10 rotations. The aging bath had a glucoheptonate to EDTA molar ratio of about 1.4:1 and a total complexing agent to copper ion molar ratio of about 1.7:1.

空気かくはん下、浴温約60℃(140〓)におい
てテストパネル上に銅を析出させたところ、10分
間に約1.143μ(45マイクロインチ)のめつき速度
で光沢性で平滑で均一なピンク色の銅めつきが析
出した。浴は安定であつた。
Copper was deposited on the test panel under air agitation at a bath temperature of approximately 60°C (140°C), resulting in a glossy, smooth, uniform pink color with a plating rate of approximately 1.143μ (45 microinches) per 10 minutes. Copper plating was deposited. The bath was stable.

比較例 1 錯化剤を全然加えなかつた以外は実施例1と同
様にしてアルカリ性の熟成した無電解銅めつき水
溶液を調製した。この錯化剤なしの熟成溶液の一
部分画部分に対してEDTAとグルコヘプトネイ
トの各々の一定量並びに両者を併せた一定量を加
えた場合について、典型的な運動条件下で浴の安
定性を観察した。試料Aに対して0.032モルの
EDTAを添加したところ、浴は不安定であるこ
とが観察された。他の分画試料Bに対して0.023
モルのEDTAと0.014モルのグルコヘプトネイト
とを併用して加えグルコヘプトネイト対EDTA
のモル比を約0.6:1にした。析出した銅皮膜は
半光沢であつてめつき速度は10分間で約0.152μ
(6マイクロインチ)であつた。試料Cに対して
0.021モルのグルコヘプトネイト及び0.016モルの
EDTAを添加してグルコヘプトネイト対EDTA
が約1.3:1の相対モル比になるようにした。こ
の無電解銅めつき浴からは、10分間で約1.42μ(56
マイクロインチ)の析出速度でピンク色の銅皮膜
が析出した。
Comparative Example 1 An alkaline aged electroless copper plating aqueous solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that no complexing agent was added. Bath stability under typical kinetic conditions for the addition of fixed amounts of EDTA and glucoheptonate, as well as a fixed amount of both, to a fraction of this complexing agent-free aging solution. observed. 0.032 mol for sample A
Upon addition of EDTA, the bath was observed to be unstable. 0.023 for other fraction sample B
Glucoheptonate vs. EDTA Added in combination with 0.014 moles of glucoheptonate and 0.014 moles of EDTA
The molar ratio was approximately 0.6:1. The deposited copper film is semi-bright and the plating speed is approximately 0.152μ in 10 minutes.
(6 microinches). For sample C
0.021 mol glucoheptonate and 0.016 mol
Glucoheptonate vs. EDTA with the addition of EDTA
in a relative molar ratio of approximately 1.3:1. This electroless copper plating bath produces approximately 1.42μ (56μ) in 10 minutes.
A pink copper film was deposited at a deposition rate of 10 microinches.

試料Dに対して、0.028モルのグルコヘプトネ
イトと0.008モルのEDTAの混合物を加えて、グ
ルコヘプトネイト対EDTAのモル比が約3.5:1
になるようにした。浴は不安定であつて10分間に
約0.863μ(34マイクロインチ)の銅析出速度であ
つた。
To Sample D, a mixture of 0.028 moles glucoheptonate and 0.008 moles EDTA was added to give a molar ratio of glucoheptonate to EDTA of approximately 3.5:1.
I made it so that The bath was unstable with a copper deposition rate of approximately 34 microinches per 10 minutes.

試料Eに対して、EDTAを加えずに0.035モル
のグルコヘプトネイトを添加した。銅析出速度は
10分間に約0.405μ(16マイクロインチ)であつた。
浴は不安定であつて分解の傾向を示した。
For sample E, 0.035 mole glucoheptonate was added without EDTA. The copper precipitation rate is
It was approximately 0.405μ (16 microinches) for 10 minutes.
The bath was unstable and showed a tendency to decompose.

これらの結果は、実質的等モル量のEDTA単
独又はグルコヘプトネイト単独を用いた場合には
安定したアルカリ性無電解銅めつき水溶液を与え
ないことが判る。
These results indicate that the use of substantially equimolar amounts of EDTA alone or glucoheptonate alone does not provide a stable aqueous alkaline electroless copper plating solution.

前記のモル比以内、すなわちグルコヘプトネイ
ト対EDTAのモル比が約0.1:1〜3:1、好ま
しくは約0.6:1〜2:1、においてグルコヘプ
トネイトとEDTAとが併用されるときに限り浴
の安定性が良好で、かつ満足すべき銅めつき膜が
得られることが分かる。
When glucoheptonate and EDTA are used together within the above molar ratio, i.e., the molar ratio of glucoheptonate to EDTA is about 0.1:1 to 3:1, preferably about 0.6:1 to 2:1. It can be seen that the bath stability is good and a satisfactory copper-plated film can be obtained only in this case.

実施例 3 約2g/(0.032モル)銅イオン、約9g/
(0.023モル)EDTA、約5.3g/(0.021モ
ル)グルコネイトを含む熟成したアルカリ性無電
解銅めつき水溶液を調製したが、グルコネイト対
EDTAのモル比は約0.9:1、ホルムアルデヒド
濃度は約3g/であり約11.6のPHを提供するの
に十分量の水酸化ナトリウムを含んでいた。該浴
はさらに約0.25ppm以下の2−メルカプトチアゾ
ールを硫黄含有安定剤化合物として含有してい
た。
Example 3 Approximately 2 g/(0.032 mol) copper ion, approximately 9 g/
We prepared an aged alkaline electroless copper plating aqueous solution containing (0.023 mol) EDTA, approximately 5.3 g/(0.021 mol) gluconate, but gluconate
The molar ratio of EDTA was about 0.9:1, the formaldehyde concentration was about 3 g/ml, and there was enough sodium hydroxide to provide a pH of about 11.6. The bath also contained up to about 0.25 ppm of 2-mercaptothiazole as a sulfur-containing stabilizer compound.

該溶液の浴温を60℃とし、空気かくはん下でテ
ストパネル上にめつきしたところ、10分間で約
0.939μ(37マイクロインチ)のめつき速度で明色
ピンク調の銅皮膜が析出した。
When the bath temperature of the solution was set to 60℃ and it was plated on a test panel under air agitation, approximately
A light pink copper film was deposited at a plating rate of 0.939μ (37 microinches).

実施例 4 2g/(0.032モル)銅イオン、約8g/
(0.027モル)THPEDA、約2g/(0.007モ
ル)ナトリウムグルコヘプトネイト・2水和物か
ら成り、グルコヘプトネイト対THPEDAのモル
比約0.26:1、ホルムアルデヒド約3g/及び
約12.2のPHを提供するのに十分量の水酸化ナトリ
ウムから成る熟成したアルカリ性無電解銅めつき
水溶液を調製した。
Example 4 2g/(0.032mol) copper ion, approximately 8g/
(0.027 mol) THPEDA, consisting of about 2 g/(0.007 mol) sodium glucoheptonate dihydrate, a molar ratio of glucoheptonate to THPEDA of about 0.26:1, about 3 g formaldehyde/(0.007 mol), and a pH of about 12.2. An aged aqueous alkaline electroless copper plating solution was prepared consisting of sufficient sodium hydroxide to provide a solution.

浴温を約60℃とし、空気かくはんを行なつた。
テストパネル上には10分間で約3.556μ(140マイク
ロインチ)のめつき速度で明色、平滑でピンク調
の銅めつき皮膜が生成した。
The bath temperature was approximately 60°C, and air was stirred.
A bright, smooth, pink-toned copper plating film was formed on the test panel at a plating rate of approximately 3.556 microns (140 microinches) in 10 minutes.

実施例 5 約5g/(0.08モル)銅イオン、約15g/
(0.05モル)THPEDA、約7.5g/(0.02モル)
EDTA、約3.75g/(0.013モル)ナトリウム
グルコヘプトネイト・2水和物から成り、グルコ
ヘプトネイト対2種のアミン化合物のモル比が約
0.18:1、ホルムアルデヒド濃度約5g/、約
12.2のPHするのに十分な量の水酸化ナトリウムを
含む熟成したアルカリ性無電解銅めつき水溶液を
調製した。浴温を約60℃とし、空気かくはんし
た。テストパネル上には10分間で約3.124μ(123マ
イクロインチ)のめつきで速度で明色のピンク調
銅めつき皮膜が生成した。
Example 5 Approximately 5 g/(0.08 mol) copper ion, approximately 15 g/
(0.05 mol) THPEDA, approx. 7.5 g/(0.02 mol)
EDTA, consisting of approximately 3.75 g/(0.013 mol) sodium glucoheptonate dihydrate, with a molar ratio of glucoheptonate to two amine compounds of approximately
0.18:1, formaldehyde concentration approx. 5g/, approx.
An aged alkaline electroless copper plating aqueous solution containing sufficient sodium hydroxide to a pH of 12.2 was prepared. The bath temperature was approximately 60°C, and air was stirred. A light pink-toned copper plating film was formed on the test panel at a rate of approximately 3.124 microns (123 microinches) in 10 minutes.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 銅を析出させるのに十分な量の銅イオン、還
元剤、PHをアルカリ側にするのに十分な量のヒド
ロキシルイオンを含有する無電解銅めつき浴にお
いて、エチレンジアミンテトラ酢酸またはN,
N,N′,N′―テトラキス―(2―ヒドロキシプ
ロピル)エチレンジアミンから成るアミン化合
物;およびグルコン酸、グルコヘプトン酸及びこ
れらの浴可溶性・相溶性塩類並びにこれらの混合
物から成る群から選択されたヒドロキシ酸化合
物;の混合物から成る錯化剤を浴中の銅イオンを
錯化するのに十分な量だけ含有する無電解銅めつ
き浴であつて、該ヒドロキシル酸化合物と該アミ
ン化合物とがモル比0.1〜3:1の混合物として
存在して成る改良された無電解銅めつき浴。 2 該ヒドロキシルイオンが浴のPHを9〜14にす
るような量において含有されて成る特許請求の範
囲第1項記載の無電解銅めつき浴。 3 該ヒドロキシルイオンが浴のPHを10.5〜12.5
にするような量において含有されて成る特許請求
の範囲第1項記載の無電解銅めつき浴。 4 該アミン化合物がエチレンジアミンテトラ酢
酸であり、該ヒドロキシ酸化合物が、ヒドロキシ
酸化合物対アミン化合物のモル比が0.25:1〜
3:1に成るような量で存在して成る特許請求の
範囲第1項記載の無電解銅めつき浴。 5 該アミン化合物がエチレンジアミンテトラ酢
酸であり、該ヒドロキシ酸化合物が、ヒドロキシ
酸化合物対アミン化合物のモル比が0.6:1〜
2:1に成るような量で存在して成る特許請求の
範囲第1項記載の無電解銅めつき浴。 6 該アミン化合物がエチレンジアミンテトラ酢
酸であり、該ヒドロキシ酸化合物が、ヒドロキシ
酸化合物対アミン化合物のモル比が1.3:1に成
るような量で存在して成る特許請求の範囲第1項
記載の無電解銅めつき浴。 7 該アミン化合物がN,N,N′,N′―テトラ
キス―(2―ヒドロキシプロピル)エチレンジア
ミンであり、該ヒドロキシ酸化合物が、ヒドロキ
シ酸化合物対アミン化合物のモル比が0.11:1〜
2.45:1に成るような量で存在して成る特許請求
の範囲第1項記載の無電解銅めつき浴。 8 該アミン化合物がN,N,N′,N′―テトラ
キス―(2―ヒドロキシプロピル)エチレンジア
ミンであり、該ヒドロキシ酸化合物が、ヒドロキ
シ酸化合物対アミン化合物のモル比が0.2:1〜
1:1に成るような量で存在して成る特許請求の
範囲第1項記載の無電解銅めつき浴。 9 該アミン化合物がN,N,N′,N′―テトラ
キス―(2―ヒドロキシプロピル)エチレンジア
ミンであり、該ヒドロキシ酸化合物が、ヒドロキ
シ酸化合物対アミン化合物のモル比が0.26:1に
成るような量で存在して成る特許請求の範囲第1
項記載の無電解銅めつき浴。 10 錯化剤対銅イオンのモル比が1:1〜5:
1に成るように該錯化剤と該銅イオンとが存在し
て成る特許請求の範囲第1項記載の無電解銅めつ
き浴。 11 2.5g/の速度制御剤をさらに含んで成
る特許請求の範囲第1項記載の無電解銅めつき
浴。 12 1g/の速度制御剤をさらに含んで成る
特許請求の範囲第1項記載の無電解銅めつき浴。 13 10g/の湿潤剤をさらに含んで成る特許
請求の範囲第1項記載の無電解銅めつき浴。 14 銅を析出させるのに十分な量の銅イオン、
還元剤、PHをアルカリ側にするのに十分な量のヒ
ドロキシルイオンを含有せしめた無電解銅めつき
浴において、エチレンジアミンテトラ酢酸または
N,N,N′,N′―テトラキス―(2―ヒドロキ
シプロピル)エチレンジアミンから成るアミン化
合物;およびグルコン酸、グルコヘプトン酸及び
これらの浴可溶性・相溶性塩類並びにそれらの混
合物から成る群から選択されたヒドロキシ酸化合
物;の混合物から成る錯化剤を、浴中の銅イオン
を錯化するのに十分な量だけ含有させた無電解銅
めつき浴であつて、該ヒドロキシル酸化合物と該
アミン化合物をモル比0.1〜3:1の混合物とし
て存在させて成る改良された無電解銅めつき浴中
に素地を浸漬する工程、浴温を15〜71℃に制御す
る工程、及び所望の膜厚の銅めつきが析出するま
で素地の浸漬を継続する工程、とから成る素地上
への無電解銅めつき方法。
[Claims] 1. In an electroless copper plating bath containing a sufficient amount of copper ions to deposit copper, a reducing agent, and a sufficient amount of hydroxyl ions to make the pH alkaline, ethylenediaminetetra acetic acid or N,
an amine compound consisting of N,N',N'-tetrakis-(2-hydroxypropyl)ethylenediamine; and a hydroxy acid selected from the group consisting of gluconic acid, glucoheptonic acid, bath-soluble and compatible salts thereof, and mixtures thereof. an electroless copper plating bath containing a complexing agent consisting of a mixture of compounds in an amount sufficient to complex copper ions in the bath, wherein the hydroxyl acid compound and the amine compound are in a molar ratio of 0.1. An improved electroless copper plating bath comprising a ~3:1 mixture. 2. The electroless copper plating bath according to claim 1, wherein said hydroxyl ions are contained in an amount such that the pH of the bath is from 9 to 14. 3 The hydroxyl ions raise the pH of the bath from 10.5 to 12.5.
An electroless copper plating bath according to claim 1, wherein the electroless copper plating bath is contained in an amount such that the electroless copper plating bath comprises: 4 The amine compound is ethylenediaminetetraacetic acid, and the hydroxy acid compound has a molar ratio of hydroxy acid compound to amine compound of 0.25:1 to 1.
An electroless copper plating bath according to claim 1, wherein the bath is present in an amount of 3:1. 5 The amine compound is ethylenediaminetetraacetic acid, and the hydroxy acid compound has a molar ratio of hydroxy acid compound to amine compound of 0.6:1 to 1.
2. An electroless copper plating bath according to claim 1, wherein the electroless copper plating bath is present in an amount of 2:1. 6. The compound according to claim 1, wherein the amine compound is ethylenediaminetetraacetic acid and the hydroxy acid compound is present in an amount such that the molar ratio of hydroxy acid compound to amine compound is 1.3:1. Electrolytic copper plating bath. 7. The amine compound is N,N,N',N'-tetrakis-(2-hydroxypropyl)ethylenediamine, and the hydroxy acid compound has a molar ratio of hydroxy acid compound to amine compound of 0.11:1 to 1.
An electroless copper plating bath according to claim 1, wherein the electroless copper plating bath is present in an amount of 2.45:1. 8. The amine compound is N,N,N',N'-tetrakis-(2-hydroxypropyl)ethylenediamine, and the hydroxy acid compound has a molar ratio of hydroxy acid compound to amine compound of 0.2:1 to 1.
An electroless copper plating bath according to claim 1, wherein the electroless copper plating bath is present in an amount of 1:1. 9. The amine compound is N,N,N',N'-tetrakis-(2-hydroxypropyl)ethylenediamine, and the hydroxy acid compound is such that the molar ratio of hydroxy acid compound to amine compound is 0.26:1. Claim 1 comprising:
Electroless copper plating bath as described in . 10 The molar ratio of complexing agent to copper ion is 1:1 to 5:
1. The electroless copper plating bath according to claim 1, wherein the complexing agent and the copper ions are present in such a manner that the complexing agent and the copper ion are present in such a manner that the complexing agent and the copper ion are present in such a manner that the complexing agent and the copper ion are present in such a manner that the complexing agent and the copper ion are present in such a manner that the complexing agent and the copper ion are present. 11. The electroless copper plating bath of claim 1 further comprising 2.5 g/l of a rate controlling agent. 12. The electroless copper plating bath of claim 1 further comprising 1 g/g of rate controlling agent. 13. The electroless copper plating bath according to claim 1, further comprising 10 g/wetting agent. 14 Copper ions in an amount sufficient to precipitate copper,
In an electroless copper plating bath containing a reducing agent and sufficient hydroxyl ions to make the pH alkaline, ethylenediaminetetraacetic acid or N,N,N',N'-tetrakis-(2-hydroxypropyl) ) an amine compound consisting of ethylenediamine; and a hydroxy acid compound selected from the group consisting of gluconic acid, glucoheptonic acid and bath-soluble/compatible salts thereof, and mixtures thereof; An improved electroless copper plating bath containing an amount sufficient to complex ions, wherein the hydroxyl acid compound and the amine compound are present as a mixture in a molar ratio of 0.1 to 3:1. It consists of the steps of immersing the substrate in an electroless copper plating bath, controlling the bath temperature at 15 to 71°C, and continuing to immerse the substrate until copper plating of the desired thickness is deposited. Electroless copper plating method on a substrate.
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