JPH02172245A - Semiconductor device - Google Patents
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- JPH02172245A JPH02172245A JP63325842A JP32584288A JPH02172245A JP H02172245 A JPH02172245 A JP H02172245A JP 63325842 A JP63325842 A JP 63325842A JP 32584288 A JP32584288 A JP 32584288A JP H02172245 A JPH02172245 A JP H02172245A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に、テープキャリア構
造（又は工ａｐｅ Ａ ｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂ ｏｎｄ
ｉｎｇ構造）を採用する半導体装置に適用して有効な技
術に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a semiconductor device, and particularly to a tape carrier structure (or a tape carrier structure).
The present invention relates to a technique that is effective when applied to a semiconductor device that employs the ing structure).
薄型で大量生産に好適な半導体装置として、キャリアテ
ープ構造の半導体装置がある。この半導体装置は可撓性
フィルムに半導体ペレットを搭載したものである。可撓
性フィルムは例えばテープ状（長尺状）のポリイミド樹
脂を所定の長さに切断することで形成している。可撓性
フィルムの表面には複数本の配線が形成されている。配
線は可撓性フィルムの表面に貼り付けられたＣｕ箔膜に
エツチングを施して所定の形状に加工したものである。As a semiconductor device that is thin and suitable for mass production, there is a semiconductor device having a carrier tape structure. This semiconductor device has semiconductor pellets mounted on a flexible film. The flexible film is formed, for example, by cutting a tape-shaped (elongated) polyimide resin into a predetermined length. A plurality of wires are formed on the surface of the flexible film. The wiring was formed into a predetermined shape by etching a Cu foil film attached to the surface of a flexible film.
前記半導体ペレットは、可撓性フィルムの中央部分に形
成された半導体ペレット搭載用開口（デバイス穴）に配
置されている。前記半導体ペレット搭載用開ロ内には可
撓性フィルムの表面上に形成された配線の一部を突出さ
せた所謂フィンガー配線が複数本配列されている。各々
のフィンガー配線は半導体ペレットの外部端子（ポンデ
ィングパッド）にバンプ電極を介在させて電気的及び械
械的に接続されている。The semiconductor pellet is placed in a semiconductor pellet mounting opening (device hole) formed in the central portion of the flexible film. A plurality of so-called finger wirings, each of which is formed on the surface of a flexible film and in which a portion of the wiring is protruded, are arranged in the opening for mounting semiconductor pellets. Each finger wiring is electrically and mechanically connected to an external terminal (ponding pad) of the semiconductor pellet with a bump electrode interposed therebetween.
このように構成されるテープキャリア構造を採用する半
導体装置は他の装置に実装されている。Semiconductor devices employing the tape carrier structure configured in this manner are mounted on other devices.
例えば、テープキャリア構造を採用する半導体装置は液
晶表示装置の駆動装置（ドライバー）として使用されそ
れに実装される。この実装は、液晶表示装置のガラス基
板の周辺表面上に配列された外部端子に、前記半導体装
置の可撓性フィルムの周辺表面上に形成された配線（外
部端子）を接続することにより行われている。両者の接
続は、前記外部端子と配線との間に例えば異方性導電ペ
ーストを介在させ、熱圧着により行われている。この熱
圧着の際の熱は半導体装置の可撓性フィルムの裏面から
加熱抑圧部材により供給されている。For example, a semiconductor device employing a tape carrier structure is used as a driver for a liquid crystal display device and is mounted therein. This mounting is performed by connecting wiring (external terminals) formed on the peripheral surface of the flexible film of the semiconductor device to external terminals arranged on the peripheral surface of the glass substrate of the liquid crystal display device. ing. The connection between the two is performed by thermocompression bonding, for example, by interposing an anisotropic conductive paste between the external terminal and the wiring. Heat during this thermocompression bonding is supplied from the back surface of the flexible film of the semiconductor device by a heat suppressing member.
なお、テープキャリア構造を採用する半導体装置につい
ては例えば１９７７年、第２７回、イージーシー論文集
、第３４頁乃至第４１頁（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ １
９７７２７ｔｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｎ
ｅｎｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ＋ ｐｐ３４−４１
）に記載されている。Regarding semiconductor devices that adopt a tape carrier structure, for example, in 1977, 27th EGC Papers, pp. 34 to 41 (Proceedings 1)
97727th Electronic Compon
ents Conference + pp34-41
)It is described in.
本発明者が開発中のテープキャリア構造を採用する半導
体装置は約１２５〜１３０［μｍ］程度の厚い膜厚のポ
リイミド樹脂膜で可撓性フィルムを形成している。この
可撓性フィルムは樹脂でありかつ比較的膜厚が厚いので
熱伝導性が悪い。このため、テープキャリア構造を採用
する半導体装置を外部装置に実装する際に可撓性フィル
ムの裏面側から表面側（配線及び導電性ペース１〜側）
に充分に熱が伝達されないので、熱圧着不良を多発する
という問題点が、本発明者により見出された。In a semiconductor device employing a tape carrier structure currently being developed by the present inventor, a flexible film is formed of a polyimide resin film having a thickness of about 125 to 130 [μm]. This flexible film is made of resin and is relatively thick, so it has poor thermal conductivity. For this reason, when mounting a semiconductor device that adopts a tape carrier structure on an external device, it is necessary to
The inventors of the present invention have discovered a problem in that heat is not sufficiently transferred to the material, resulting in frequent failures in thermocompression bonding.
また、前記可撓性フィルムを形成するポリイミド樹脂膜
は比較的高価であるので、テープキャリア構造を採用す
る半導体装置の製作コストを高価にするという問題点が
、本発明者により見出された。Furthermore, the inventors have found that since the polyimide resin film forming the flexible film is relatively expensive, the manufacturing cost of the semiconductor device employing the tape carrier structure is increased.
本発明の目的は、テープキャリア構造を採用する半導体
装置において、可撓性フィルムの熱伝導性を向上するこ
とが可能な技術を提供することにある。An object of the present invention is to provide a technique that can improve the thermal conductivity of a flexible film in a semiconductor device employing a tape carrier structure.
本発明の他の目的は、テープキャリア構造を採用する半
導体装置において、外部装置への実装時の熱圧着不良を
防止し、前記目的を達成することが可能な技術を提供す
ることにある。Another object of the present invention is to provide a technique capable of achieving the above object by preventing thermocompression bonding defects during mounting on an external device in a semiconductor device employing a tape carrier structure.
本発明の他の目的は、テープキャリア構造を採用する半
導体装置において、ｒＢ作ココスト低減することが可能
な技術を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a technique that can reduce rB production cost in a semiconductor device employing a tape carrier structure.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
〔ｉＩ！題を解決するための手段３
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。[iI! Means for Solving the Problem 3 Among the inventions disclosed in this application, a brief overview of typical inventions is as follows.
テープキャリア構造を採用する半導体装置において、可
撓性フィルムを、金Ｆ７１１層及びこの金属層の配線が
形成される表面側に設けられた有機膜層で構成する。In a semiconductor device employing a tape carrier structure, a flexible film is composed of a gold F711 layer and an organic film layer provided on the surface side of this metal layer where wiring is formed.
上述した手段によれば、前記可撓性フィルムの一部を有
機膜層に比べて熱伝導性の高い金属層に置き換えたので
、可撓性フィルムの熱伝導性を向上することができる。According to the above-mentioned means, since a part of the flexible film is replaced with a metal layer having higher thermal conductivity than the organic film layer, the thermal conductivity of the flexible film can be improved.
この結果、テープキャリア構造を採用する半導体装置を
外部装置に実装する際の熱圧着不良を低減することがで
きる。As a result, it is possible to reduce thermocompression bonding defects when mounting a semiconductor device employing the tape carrier structure on an external device.
また、前記可撓性フィルムの一部を有機膜層に比べて機
械的強度の高い金属層に置き換えたので、可撓性フィル
ムの機械的強度を損なうことなく、前記効果を得ること
ができる。Further, since a part of the flexible film is replaced with a metal layer having higher mechanical strength than the organic film layer, the above effect can be obtained without impairing the mechanical strength of the flexible film.
また、前記可撓性フィルムの一部を有機膜層に比べて安
価な金属層に置き換えたので、可撓性フィルムの製作コ
ストを低減し、この結果、テープキャリア構造を採用す
る半導体装置の製作コストを低減することができる。In addition, since a part of the flexible film is replaced with a metal layer that is cheaper than the organic film layer, the production cost of the flexible film is reduced, and as a result, the production of semiconductor devices that adopt a tape carrier structure is achieved. Cost can be reduced.
以下、本発明の構成について、液晶表示装置の駆動装置
として形成されたテープキャリア構造を採用する半導体
装置に本発明を適用した実施例とともに説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The structure of the present invention will be described below along with an embodiment in which the present invention is applied to a semiconductor device that employs a tape carrier structure formed as a drive device for a liquid crystal display device.
なお、実施例を説明するための全回において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。Note that throughout the description of the embodiments, parts having the same functions are given the same reference numerals, and repeated explanations thereof will be omitted.
（実施例１）
本発明の実施例Ｉであるテープキャリア構造を採用する
半導体装置の概略構成を第１図（断面図）で示す。(Example 1) A schematic configuration of a semiconductor device employing a tape carrier structure according to Example I of the present invention is shown in FIG. 1 (cross-sectional view).
第１図に示すように、テープキャリア構造（又はＴＡＢ
構造）を採用する半導体装置１０は可撓性フィルム１に
半導体ペレッ１〜３を搭載している。As shown in Figure 1, the tape carrier structure (or TAB
A semiconductor device 10 adopting this structure has semiconductor pellets 1 to 3 mounted on a flexible film 1.
前記可撓性フィルム１は例えばテープ状（長尺）のもの
を所定の長さに切断したものである。この可撓性フィル
ム１は、上層から下層側に向って。The flexible film 1 is, for example, a tape-shaped (elongated) film cut into a predetermined length. This flexible film 1 is arranged from the upper layer to the lower layer side.
有機膜層ＩＡ、金属層ＩＢ、有機膜層ＩＣの夫々を重ね
合せた複合膜で構成されている。It is composed of a composite film in which an organic film layer IA, a metal layer IB, and an organic film layer IC are stacked on each other.
前記有機膜層ＩＡ、ＩＣの夫々は、可撓性フィルム１の
絶縁性を確保する目的で形成され、例えば５〜１０［μ
ｍ］程度の薄い膜厚のポリイミド樹脂膜で形成されてい
る。ポリイミド樹脂膜は、金属層ＩＢの表面にツー１−
シ、ベークして硬化させることにより形成されている。Each of the organic film layers IA and IC is formed for the purpose of ensuring the insulation properties of the flexible film 1, and has a thickness of, for example, 5 to 10 [μ
It is formed of a polyimide resin film with a thickness of about 1.0 m. The polyimide resin film is coated on the surface of the metal layer IB.
It is formed by baking and curing.
有機膜層ＩＡは金属層ＩＢと後述する配線２とを電気的
に分離するために必要とされるが、有機膜Ｍ！Ｊ１ｃは
必ずしも必要ではない。The organic film layer IA is required to electrically isolate the metal layer IB and wiring 2, which will be described later, but the organic film M! J1c is not necessarily required.
また、有機膜層ＩＡ、ＩＣの夫々としては、前記ポリイ
ミド樹脂膜以外にポリアミド樹脂膜、ポリエステル樹脂
膜、ポリエステルサルホン樹脂膜、ポリエステルケトン
樹脂膜等、或はこれらの複合膜で形成してもよい。In addition, each of the organic film layers IA and IC may be formed of a polyamide resin film, a polyester resin film, a polyester sulfone resin film, a polyester ketone resin film, etc., or a composite film thereof, in addition to the polyimide resin film. good.
金属層ＩＢは、可撓性フィルム１の芯材として使用され
、可撓性フィルム１の熱伝導性を向上する目的で形成さ
れている。金属５１Ｂは例えば１００［μｍ］程度の厚
い膜厚のＣｕ層（圧延Ｃｕ箔膜）で形成されている。The metal layer IB is used as a core material of the flexible film 1 and is formed for the purpose of improving the thermal conductivity of the flexible film 1. The metal 51B is formed of a Cu layer (rolled Cu foil film) with a thickness of about 100 [μm], for example.
また、金属層ＩＢとしては、Ｃｕ層以外にＣｕ合金層、
Ｆａ−Ｎｉ合金層、アルミニウム層、アルミニウム合金
層等の金属層を使用してもよい６特に、金属層ＩＢとし
てＦｅ−Ｎｉ合金層例えば４２［％］のＮｉを含有する
ものを使用する場合、Ｃｕ層に比べて熱膨張係数が約２
．５分の１と小さいので、有機１１ＡＪｌＩＡ、１ｃの
夫々との剥離やそれらの損傷を低減することができ、可
撓性フィルム１の耐久性を向上することができる。また
。In addition, as the metal layer IB, in addition to the Cu layer, a Cu alloy layer,
A metal layer such as an Fa-Ni alloy layer, an aluminum layer, an aluminum alloy layer, etc. may be used.6 In particular, when using an Fe-Ni alloy layer, for example, one containing 42 [%] Ni, as the metal layer IB, Thermal expansion coefficient is approximately 2 compared to the Cu layer.
．． Since it is as small as one-fifth, it is possible to reduce peeling from organic 11AJlIA and 1c and damage thereto, and improve the durability of the flexible film 1. Also.
金属層ＩＢとしてアルミニウム層又はアルミニウム合金
層を使用し、その金属層の表面にアルマイト処理を施し
た場合は、絶縁性芯材として使用することができ、電気
的な短絡がなくなるので、テープキャリア構造を採用す
る半導体装置１０の実装時の自由度を向上することがで
きる。If an aluminum layer or an aluminum alloy layer is used as the metal layer IB and the surface of the metal layer is anodized, it can be used as an insulating core material and electrical short circuits will be eliminated, so the tape carrier structure It is possible to improve the degree of freedom when mounting the semiconductor device 10 that employs the above method.
この可撓性フィルム１の表面（有機膜層ＩＡの表面）に
は複数本の配線２が形成されている。可撓性フィルム１
の中央部分には半導体ペレット搭載用開口（デバイス穴
）１０が設けられている。この半導体ペレット搭載用開
口ＩＤ内には前記配線２の一部が突出したフィンガー配
線２Ｆが複数本設けられている。A plurality of wires 2 are formed on the surface of the flexible film 1 (the surface of the organic film layer IA). flexible film 1
An opening (device hole) 10 for mounting a semiconductor pellet is provided in the center of the hole. A plurality of finger wirings 2F from which a portion of the wiring 2 protrudes is provided within the semiconductor pellet loading opening ID.
前記配線２．フィンガー配線２Ｆの夫々は例えば約３０
〜４０［μｍ］程度の膜厚のＣｕ膜で形成されている。Said wiring 2. Each finger wiring 2F has approximately 30 wires, for example.
It is formed of a Cu film with a thickness of about 40 [μm].
Ｃｕ膜は圧延箔膜をエツチング加工により所定の形状に
パターンニングすることにより形成されている。なお、
配線２、フィンガー配線２Ｆの夫々は、Ｃｕ層以外の金
属で形成してもよいし、Ｃｕ層の表面上に他の金属を積
層してもよい、特に、ボンダビリティを向上するために
は、フィンガー配線２Ｆの表面にＡｕ膜やＳｎ膜（ボン
ディング後は共晶合金になる）を形成してもよい。The Cu film is formed by patterning a rolled foil film into a predetermined shape by etching. In addition,
Each of the wiring 2 and the finger wiring 2F may be formed of a metal other than the Cu layer, or another metal may be laminated on the surface of the Cu layer. In particular, in order to improve bondability, An Au film or a Sn film (which becomes a eutectic alloy after bonding) may be formed on the surface of the finger wiring 2F.
前記半導体ペレット３は可撓性フィルム１の半導体ペレ
ット搭載用開口ＩＤ内に配置されている。The semiconductor pellet 3 is arranged within the semiconductor pellet mounting opening ID of the flexible film 1.
半導体ペレット３は単結晶珪素で形成されている。The semiconductor pellet 3 is made of single crystal silicon.
この半導体ペレット３の図示しない外部端子（ポンディ
ングパッド）にはバンブ電極（突起電極）４を介在させ
てフィンガー配線２Ｆが電気的にかつ機械的に接続され
ている。半導体ペレット３の外部端子は例えばＡΩ膜か
Ａ４合金膜で形成されており、この外部端子は下地全屈
膜（バリア金属膜）を介在させてバンブ電極４に接続さ
れている。下地金属膜は、図示しておらず又この構造に
限定されないが、例えばＴｉ膜上にＰｄ膜を積層した複
合膜で形成されている。前記バンブ電極４は例えばＡｕ
（又はＣｕ）で形成されている。A finger wiring 2F is electrically and mechanically connected to an unillustrated external terminal (ponding pad) of the semiconductor pellet 3 with a bump electrode (protruding electrode) 4 interposed therebetween. The external terminal of the semiconductor pellet 3 is formed of, for example, an AΩ film or an A4 alloy film, and is connected to the bump electrode 4 with an underlying full-reflection film (barrier metal film) interposed therebetween. Although the base metal film is not shown and is not limited to this structure, it is formed, for example, of a composite film in which a Pd film is laminated on a Ti film. The bump electrode 4 is made of, for example, Au.
(or Cu).
前記半導体ペレット３の特に素子形成面（外部端子が配
列された側の表面）及びフィンガー配線２Ｆを含む部分
は樹脂５で封止されている。樹脂５は例えばエポキシ樹
脂を使用する。Particularly, the element forming surface (the surface on which external terminals are arranged) and the portion including the finger wiring 2F of the semiconductor pellet 3 are sealed with a resin 5. For example, epoxy resin is used as the resin 5.
このように構成されるテープキャリア構造を採用する半
導体装置ｌＯは液晶表示装置に実装されている。実装は
、半導体装［１０の可撓性フィルム１の周辺表面上の配
線２ （外部端子として使用される部分）に異方性導電
ペースト３０を介在させて液晶表示装置のガラス基板２
１の周辺表面上に形成された外部端子２２を接続するこ
とにより行われている。異方性導電ペースト３０は、テ
ープ状の絶縁性シリコーンゴム内に導電性物質が混入さ
れており、熱圧着された配線２と外部端子２２どの間の
み電気的に接続されるように構成されている。A semiconductor device IO employing the tape carrier structure configured in this manner is mounted in a liquid crystal display device. The mounting is carried out by interposing an anisotropic conductive paste 30 on the wiring 2 (portion used as an external terminal) on the peripheral surface of the flexible film 1 of the semiconductor device [10] and attaching it to the glass substrate 2 of the liquid crystal display device.
This is done by connecting external terminals 22 formed on the peripheral surface of 1. The anisotropic conductive paste 30 is a tape-shaped insulating silicone rubber mixed with a conductive substance, and is configured to be electrically connected only between the thermocompressed wiring 2 and the external terminal 22. There is.
次に、前述のテープキャリア構造を採用する半導体装置
の製造方法について、第２図乃至第６図（各製造工程毎
に示す要部断面図）を用いて簡単に説明する。Next, a method for manufacturing a semiconductor device employing the above-described tape carrier structure will be briefly described using FIGS. 2 to 6 (cross-sectional views of main parts shown for each manufacturing process).
まず、テープ状の圧延Ｃｕｌ膜で形成された金属ＭＩＢ
の両面にポリイミド樹脂をコートする。First, a metal MIB formed from a tape-shaped rolled Cul film
Coat polyimide resin on both sides.
この後、このポリイミド樹脂をベータし硬化して有機膜
層ＩＡ、ＩＣの夫々を形成することにより、第２図に示
すように、可撓性フィルム１を形成する。Thereafter, this polyimide resin is betatized and cured to form organic film layers IA and IC, respectively, thereby forming a flexible film 1 as shown in FIG.
次に、第３図に示すように、前記可撓性フィルム１に半
導体ペレット搭載用開口ＩＤを形成する。Next, as shown in FIG. 3, an opening ID for mounting a semiconductor pellet is formed in the flexible film 1.
半導体ペレット搭載用開口ＩＤは例えば打抜き法で形成
する。The semiconductor pellet mounting opening ID is formed by, for example, a punching method.
次に、第４図に示すように、可撓性フィルム１の表面に
Ｃｕ箔膜２Ａを貼り付ける。Ｃｕ箔膜２Ａは例えばエポ
キシ系接着剤を介在させて可撓性フィルム１の表面に貼
り付ける。Next, as shown in FIG. 4, a Cu foil film 2A is attached to the surface of the flexible film 1. The Cu foil film 2A is attached to the surface of the flexible film 1 with, for example, an epoxy adhesive interposed therebetween.
次に、第５図に示すように、Ｃｕ箔膜２Ａの表面上にマ
スク６を形成すると共に、半導体ペレット搭載用開口Ｉ
Ｄ内に（露出するＣｕ箔膜２Ａの裏面に）マスフッを埋
込む、マスク６、マスク７の夫々は５フオトレジスト膜
を塗布し、現像し、感光する。所謂フォトリングラフィ
技術で形成されている。マスク６は配線（２）及びフィ
ンガー配線（２Ｆ）が形成される領域に形成されている
。Next, as shown in FIG. 5, a mask 6 is formed on the surface of the Cu foil film 2A, and an opening I for mounting a semiconductor pellet is formed.
A mask 6 and a mask 7 in which a mask fluoride is embedded in D (on the back surface of the exposed Cu foil film 2A) are coated with 5 photoresist films, developed, and exposed. It is formed using a so-called photolithography technique. The mask 6 is formed in a region where the wiring (2) and the finger wiring (2F) are to be formed.
次に、前記マスク６及びマスク７を用い、Ｃｕ箔膜２Ａ
をエツチング加工し、配線２及びフィンガー配線２Ｆを
形成する。このエツチング加工は例えばウエッ１−エツ
チングで行われている。Next, using the masks 6 and 7, the Cu foil film 2A is
is etched to form wiring 2 and finger wiring 2F. This etching process is performed, for example, by wet etching.
次に、図示しないが、可決性フィルム１のフィンガー配
線２Ｆにバンブ電極４を介在させて半導体ペレット３の
外部端子を接続し、可撓性フィルム１に半導体ペレット
３を搭載する（第１図参照）。Next, although not shown, the external terminal of the semiconductor pellet 3 is connected to the finger wiring 2F of the flexible film 1 through the bump electrode 4, and the semiconductor pellet 3 is mounted on the flexible film 1 (see FIG. 1). ).
そして、半導体ペレット３の素子形成面等を樹脂５で封
止し、テープキャリア構造を採用する半導体装置ｌＯを
完成させる。Then, the element forming surface of the semiconductor pellet 3 and the like are sealed with the resin 5, thereby completing the semiconductor device IO employing the tape carrier structure.
次に、第６図に示すように、テープキャリア構造を採用
する半導体装置１０を液晶表示装置に実装する。この実
装は、異方性導電ペースト３０を介在させ、加熱押圧部
材４１及び４２により行う。異方性導電ペースト３０に
は、可撓性フィルム１の裏側の有機膜層ＩＣ側から金属
層ＩＢ、有機膜層ＩＡ、配線２の夫々を通して加熱抑圧
部材４１からの熱及び押圧力が伝達される。Next, as shown in FIG. 6, the semiconductor device 10 employing the tape carrier structure is mounted on a liquid crystal display device. This mounting is performed by heating and pressing members 41 and 42 with anisotropic conductive paste 30 interposed therebetween. Heat and pressing force from the heat suppression member 41 are transmitted to the anisotropic conductive paste 30 from the organic film layer IC side on the back side of the flexible film 1 through the metal layer IB, the organic film layer IA, and the wiring 2. Ru.
なお、テープキャリア構造を採用する半導体装置１０を
プリント配線基板等に実装する場合は、通常、半田等の
接着用金属が使用されている。Note that when the semiconductor device 10 employing the tape carrier structure is mounted on a printed wiring board or the like, an adhesive metal such as solder is usually used.
このように、テープキャリア構造を採用する半導体装置
１０において、可撓性フィルム１を、金属層ＩＢ及びこ
の金属ＪｉｌＢの配線２が形成される表９面側に設けら
れた有機膜層ＩＡで構成する。この構成により、前記可
撓性フィルム１の一部を有機膜層ＩＡに比べて熱伝導性
の高い金属層ＩＢに置き換えたので、可撓性フィルム１
の熱伝導性を向上することができる。この結果、テープ
キャリア構造を採用する半導体装置１０を液晶表示装置
に実装する際に、可撓性フィルム１を通して異方性導電
ペースト３０に充分な熱が伝達されるので、熱圧着不良
を低減することができる。As described above, in the semiconductor device 10 adopting the tape carrier structure, the flexible film 1 is composed of the metal layer IB and the organic film layer IA provided on the front surface side on which the wiring 2 of the metal JilB is formed. do. With this configuration, a part of the flexible film 1 is replaced with a metal layer IB having higher thermal conductivity than the organic film layer IA, so that the flexible film 1
can improve the thermal conductivity of As a result, when the semiconductor device 10 employing the tape carrier structure is mounted on a liquid crystal display device, sufficient heat is transferred to the anisotropic conductive paste 30 through the flexible film 1, thereby reducing thermocompression bonding defects. be able to.
また、前記可撓性フィルム１の一部を有機膜層１Ａに比
べて機械的強度の高い金属層ＩＢに置き換えたので、可
撓性フィルム１の機械的強度を損なうことなく、前記効
果を得ることができる。Furthermore, since a part of the flexible film 1 is replaced with a metal layer IB having higher mechanical strength than the organic film layer 1A, the above effect can be obtained without impairing the mechanical strength of the flexible film 1. be able to.
また、前記可撓性フィルム１の一部を有機膜層ＩＡに比
べて安価な金属層ＩＢに置き換えたので。Further, a part of the flexible film 1 is replaced with a metal layer IB which is cheaper than the organic film layer IA.
可撓性フィルム１の製作コストを低減し、この結果、テ
ープキャリア構造を採用する半導体装置ｌＯの製作コス
トを低減することができる。The manufacturing cost of the flexible film 1 can be reduced, and as a result, the manufacturing cost of the semiconductor device IO employing the tape carrier structure can be reduced.
また、テープキャリア構造を採用する半導体装置１０は
、可撓性フィルム１の大半を金属層ＩＢで形成し、可撓
性フィルムｌの表面上の配線２を前記金属層ＩＢと同様
な金属膜で形成しているので、両者の熱膨張係数差を低
減し、前記配線２の断線等を防止することができる。Further, in the semiconductor device 10 adopting the tape carrier structure, most of the flexible film 1 is formed of a metal layer IB, and the wiring 2 on the surface of the flexible film I is formed of a metal film similar to the metal layer IB. Therefore, it is possible to reduce the difference in thermal expansion coefficient between the two and to prevent disconnection of the wiring 2.
（実施例■）
本実施例■は、前記テープキャリア構造を採用する半導
体装置において、可撓性フィルム１の構造を簡単化した
、本発明の第２実施例である。(Example 2) Example 2 is a second example of the present invention in which the structure of the flexible film 1 is simplified in a semiconductor device employing the tape carrier structure described above.
本発明の実施例■であるテープキャリア構造を採用する
半導体装置を第７図（要部断面図）で示す。A semiconductor device employing a tape carrier structure according to Embodiment 2 of the present invention is shown in FIG. 7 (cross-sectional view of main parts).
本実施例■のテープキャリア構造を採用する半導体装置
は、第７図に示すように、可撓性フィルム１に半導体ペ
レット搭載用開口ＩＤを設けていない。このように構成
されるテープキャリア構造を採用する半導体装置１０は
、可撓性フィルム１の半導体ペレット搭載用開口ＩＤに
相当する分、可撓性フィルム１の構造を簡単化すると共
に、打抜き工程を廃止して可撓性フィルム１の製造工程
数を低減することができる。また、テープキャリア構造
を採用する半導体装置１０は、フィンガー配線２Ｆを可
撓性フィルム１で補助しているので、フィンガー配線２
Ｆの損傷や破壊を低減することができる。As shown in FIG. 7, the semiconductor device employing the tape carrier structure of Example 2 does not have an opening ID for mounting semiconductor pellets in the flexible film 1. The semiconductor device 10 employing the tape carrier structure configured as described above simplifies the structure of the flexible film 1 by an amount corresponding to the semiconductor pellet mounting opening ID of the flexible film 1, and also simplifies the punching process. By eliminating this, the number of manufacturing steps for the flexible film 1 can be reduced. Further, in the semiconductor device 10 adopting the tape carrier structure, since the finger wiring 2F is assisted by the flexible film 1, the finger wiring 2F is assisted by the flexible film 1.
Damage or destruction of F can be reduced.
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に
基づき具体的に説明したが１本発明は。In the above, the invention made by the present inventor has been specifically explained based on the above embodiments, but one aspect of the present invention is as follows.
前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。It goes without saying that the invention is not limited to the embodiments described above, and that various changes can be made without departing from the spirit thereof.
例えば、本発明は、テープキャリア構造を採用する半導
体装置に限定されず、プリント配線基板の表面上に半導
体ペレットを複数個搭載する半導体装置や半導体ペレッ
トを搭載しないプリント配線基板に適用することができ
る。For example, the present invention is not limited to a semiconductor device that employs a tape carrier structure, but can be applied to a semiconductor device that mounts a plurality of semiconductor pellets on the surface of a printed wiring board or a printed wiring board that does not mount a semiconductor pellet. .
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.
テープキャリア構造を採用する半導体装置の実装時の熱
圧着不良を低減することができる。It is possible to reduce thermocompression bonding defects when mounting a semiconductor device that employs a tape carrier structure.
第１図は、本発明の実施例１であるテープキャリア構造
を採用する半導体装置の概略構成を示す断面図、
第２図乃至第６図は、前記半導体装置を各製造工程毎に
示す要部断面図。
第７図は、本発明の実施例■であるテープキャリア構造
を採用する半導体装置の要部断面図である。
図中、１・・・可撓性フィルム、ＩＡ、ＩＣ・・・有機
膜層、ＩＢ・・・金屑層、ＩＤ・・・半導体ペレット搭
載用開口、２・・・配線、２Ｆ・・・フィンガー配線、
３・・・半導体ペレット、４・・・バンブ電極、５・・
・樹脂、３゜・・・異方性導電ペースト、２１・・・ガ
ラス基板、２２・・・外部端子、 ４１．４２・・・加
熱押圧部材である。
１す
第５図
第６図
第７１図FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of a semiconductor device adopting a tape carrier structure according to a first embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 6 are main parts showing each manufacturing process of the semiconductor device. Cross-sectional view. FIG. 7 is a sectional view of a main part of a semiconductor device employing a tape carrier structure according to Embodiment 2 of the present invention. In the figure, 1...flexible film, IA, IC...organic film layer, IB...gold scrap layer, ID...opening for mounting semiconductor pellet, 2...wiring, 2F... finger wiring,
3... Semiconductor pellet, 4... Bump electrode, 5...
- Resin, 3°...Anisotropic conductive paste, 21...Glass substrate, 22...External terminal, 41.42...Heat pressing member. Figure 1 Figure 5 Figure 6 Figure 71
Claims (3)
導体ペレットの外部端子を接続した半導体装置において
、前記絶縁性基板が、金属層及び少なくともこの金属層
の前記配線が形成される表面側に設けられた有機膜層で
構成されていることを特徴とする半導体装置。1. In a semiconductor device in which an external terminal of a semiconductor pellet is connected to a part of a wiring formed on a surface of an insulating substrate, the insulating substrate is provided on a metal layer and at least on the surface side of the metal layer where the wiring is formed. 1. A semiconductor device comprising an organic film layer.
合金層、アルミニウム層、アルミニウム合金層等の金属
層及びポリイミド樹脂層、ポリエステル樹脂層、ポリエ
ステルサルホン樹脂層、ポリエステルケトン樹脂層等の
有機膜層で構成されていることを特徴とする請求項１に
記載の半導体装置。2. The insulating substrate includes a Cu layer, a Cu alloy layer, and a Fe-Ni layer.
Claim 1 characterized in that it is composed of a metal layer such as an alloy layer, an aluminum layer, an aluminum alloy layer, and an organic film layer such as a polyimide resin layer, a polyester resin layer, a polyester sulfone resin layer, a polyester ketone resin layer, etc. The semiconductor device described in .
導体装置であることを特徴とする請求項１又は請求項２
に記載の半導体装置。3. Claim 1 or Claim 2, wherein the semiconductor device is a semiconductor device that employs a tape carrier structure.
The semiconductor device described in .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325842A JPH02172245A (en) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325842A JPH02172245A (en) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02172245A true JPH02172245A (en) | 1990-07-03 |
Family
ID=18181227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63325842A Pending JPH02172245A (en) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02172245A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0526147A2 (en) * | 1991-07-25 | 1993-02-03 | Nec Corporation | Film-carrier type semiconductor device and process for fabricating the same |
| JPH09148367A (en) * | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Nec Corp | Semiconductor integrated circuit device |
| JP2011192854A (en) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Casio Computer Co Ltd | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
-
1988
- 1988-12-26 JP JP63325842A patent/JPH02172245A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0526147A2 (en) * | 1991-07-25 | 1993-02-03 | Nec Corporation | Film-carrier type semiconductor device and process for fabricating the same |
| JPH09148367A (en) * | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Nec Corp | Semiconductor integrated circuit device |
| JP2011192854A (en) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Casio Computer Co Ltd | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
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