JPH02158145A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
- Publication number
- JPH02158145A JPH02158145A JP31266288A JP31266288A JPH02158145A JP H02158145 A JPH02158145 A JP H02158145A JP 31266288 A JP31266288 A JP 31266288A JP 31266288 A JP31266288 A JP 31266288A JP H02158145 A JPH02158145 A JP H02158145A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- external
- external electrode
- shaped member
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 6
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000010902 straw Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置、特にサイリスタ等の加圧接触
型半導体装置の耐圧の改良に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to improving the breakdown voltage of semiconductor devices, particularly pressure contact type semiconductor devices such as thyristors.
従来、この種の半導体装置として、特公昭６１−４１８
５号公報に示す半導体装置が挙げられる。Conventionally, as this type of semiconductor device,
A semiconductor device shown in Publication No. 5 is mentioned.
第４図はその半導体装置の部分断面図である。FIG. 4 is a partial sectional view of the semiconductor device.
同図において、サイリスタエレメント１は円板状をなし
、半導体基板１ａの上面にゲート電極く図示省略）とカ
ソード電極（図示省略）とが内周域と外周域に分割して
それぞれ形成され、半導体基板１ａの下面にアノード電
極（図示省略）が形成されている。また、半導体基板１
ａの下面に円盤状の補償板１ｂがろう付けされている。In the figure, the thyristor element 1 has a disk shape, and a gate electrode (not shown) and a cathode electrode (not shown) are formed on the upper surface of a semiconductor substrate 1a divided into an inner circumferential area and an outer circumferential area. An anode electrode (not shown) is formed on the lower surface of the substrate 1a. In addition, the semiconductor substrate 1
A disc-shaped compensating plate 1b is brazed to the lower surface of a.
この補償板１ｂは、その熱膨張係数が半導体基板１ａの
熱膨張係数とほぼ等しいモリブデンやタングステンによ
り構成されている。さらに、ドーナツ板状のカソード電
極板１Ｃがカソード電極にのみ電気的に接触するように
押し付けられている。This compensator plate 1b is made of molybdenum or tungsten, the coefficient of thermal expansion of which is approximately equal to that of the semiconductor substrate 1a. Further, a donut plate-shaped cathode electrode plate 1C is pressed so as to electrically contact only the cathode electrode.
半導体基板１ａの下面にろう付けされた補償板１ｂは外
部アノード電極２に電気的に接触するように押し付けら
れている。なお、この外部アノード電極２の外周部には
円筒形状のケース３がろう付けされ、さらにケース３の
外周部に７ランジ４がろう付けされている。A compensating plate 1b soldered to the lower surface of the semiconductor substrate 1a is pressed so as to be in electrical contact with the external anode electrode 2. A cylindrical case 3 is brazed to the outer periphery of the external anode electrode 2, and seven flange 4 are further brazed to the outer periphery of the case 3.
第４図に示すように、外部カソード電極５は垂直方向に
伸びた棒状部材５ａとその棒状部材５ａの一方端に取り
付けられたドーナツ板状部材５ｂとで構成されている。As shown in FIG. 4, the external cathode electrode 5 is composed of a vertically extending bar member 5a and a donut plate member 5b attached to one end of the bar member 5a.
そして、ドーナツ板状部材５ｂ上に、ワッシャ６ａ、絶
縁環７．ワッシャ６ｂ１皿ばね８およびワッシャ６Ｃが
この順で配置されている。なお、ワッシャ６Ｃは、その
上方向から一定圧力が印加されて皿ばね８が弾性圧縮さ
れた状態でケース３の突起部により保持されている。こ
れにより、外部カソード電極５のドーナツ板状部材５ｂ
が皿ばね８のばね力により半導体基板１ａの上面に配置
されたカソード電極板１Ｃにのみ電気的に接触するよう
に押し付けられている。Then, a washer 6a, an insulating ring 7. The washer 6b1, disc spring 8, and washer 6C are arranged in this order. Note that the washer 6C is held by the protrusion of the case 3 in a state where a constant pressure is applied from above and the disc spring 8 is elastically compressed. As a result, the donut plate-shaped member 5b of the external cathode electrode 5
is pressed by the spring force of the disc spring 8 so as to make electrical contact only with the cathode electrode plate 1C disposed on the upper surface of the semiconductor substrate 1a.
また、外部カソード電極５の棒状部材５ａの下部にはサ
イリスタエレメント１のゲート電極に対応して垂直孔５
Ｃが設置ノられており、この垂直孔５Ｃにばね９および
絶縁体１０がこの順で収められている。そして、ゲート
リード１１が絶縁体１０の下面の中央部に設けられた貫
通孔および絶縁管１２に挿通され、そのゲートリード１
１の一方端がばね９のばね力によりサイリスタエレメン
ト１のゲート電極に電気的に接触するように押し付けら
れている一方、その他方端はゲート端子１３に電気的に
接続されている。一方、外部カソード電極５の棒状部材
５ａの他方端はセラミックシール１４にろう付けされた
カソード端子１５に嵌合されている。Further, a vertical hole 5 is provided in the lower part of the rod-shaped member 5a of the external cathode electrode 5 corresponding to the gate electrode of the thyristor element 1.
A spring 9 and an insulator 10 are housed in this order in this vertical hole 5C. Then, the gate lead 11 is inserted through the through hole provided in the center of the lower surface of the insulator 10 and the insulating tube 12, and the gate lead 1
One end of the thyristor element 1 is pressed so as to be in electrical contact with the gate electrode of the thyristor element 1 by the spring force of the spring 9, while the other end is electrically connected to the gate terminal 13. On the other hand, the other end of the rod-shaped member 5a of the external cathode electrode 5 is fitted into a cathode terminal 15 that is brazed to the ceramic seal 14.
なお、セラミックシール１４の外周部に、はフランジ１
６が設けられており、フランジ４と接合されている。Note that a flange 1 is provided on the outer periphery of the ceramic seal 14.
6 is provided and joined to the flange 4.
第４図に示す半導体装置の組立て手順は、以下のとおり
である。まず、外部アノード電極２上にサイリスクエレ
メント１を配置する。次に、外部カソード電極５のドー
ナツ板状部材５ｂ上に、ワッシャ６−ａ、絶縁環７．ワ
ッシャ６ｂ、皿ばね８およびワッシャ６Ｃをこの順で配
置する。また、外部カソード電極５の垂直孔５Ｃにばね
９と絶縁体１０をこの順で収めた後、ゲートリード１１
を絶縁体１０の貫通孔および絶Ｂ管゛１２に挿通させて
組立体を形成する。そして、上記組立体をサイリスタエ
レメント１上に配置する。ワッシャ６Ｃの上方向から圧
力を印加して皿はね８を弾性圧縮させながら、ケース３
の局部に外力を加え突起部を形成し、ワッシャ６Ｃを介
して皿ばね８を係止させる。最後に、セラミックシール
１４を所定位置に配置し、フランジ°４，１６を溶接す
る。The assembly procedure of the semiconductor device shown in FIG. 4 is as follows. First, the thylis element 1 is placed on the external anode electrode 2. Next, a washer 6-a, an insulating ring 7. The washer 6b, disc spring 8, and washer 6C are arranged in this order. Further, after fitting the spring 9 and the insulator 10 into the vertical hole 5C of the external cathode electrode 5 in this order, the gate lead 11
is inserted into the through hole of the insulator 10 and the continuous B tube 12 to form an assembly. Then, the above assembly is placed on the thyristor element 1. While applying pressure from above the washer 6C to elastically compress the countersunk spring 8, the case 3
An external force is applied to a local part to form a protrusion, and the disc spring 8 is locked through the washer 6C. Finally, the ceramic seal 14 is placed in place and the flanges 4 and 16 are welded.
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
半導体装置の耐圧をより一層向上させるためには、ワッ
シｔｙ６ｂ、６ｃと外部カソード電極５との間および皿
ばね８と外部カソード電極５との間の絶縁耐ＪＪｔを向
上させる必要がある。これらの絶縁耐量を向上させる手
段としては、（１）ワッシャ６ｂ、６ｃと外部カソード
電極５との間隔および皿ばね８と外部カソード電極５と
の間隔を広げること、
（２）ワッシャ６ｂ、６ｃと外部カソード電極５との間
および皿ばね８と外部カソード電極５との間に絶縁物を
挿入すること
が挙げられる。Conventional semiconductor devices are configured as described above, so
In order to further improve the breakdown voltage of the semiconductor device, it is necessary to improve the dielectric strength JJt between the washers ty6b, 6c and the external cathode electrode 5 and between the disc spring 8 and the external cathode electrode 5. As means for improving these dielectric strength, (1) widening the distance between the washers 6b, 6c and the external cathode electrode 5 and the distance between the disc spring 8 and the external cathode electrode 5; (2) widening the distance between the washers 6b, 6c and the external cathode electrode 5; An example of this is to insert an insulator between the external cathode electrode 5 and between the disc spring 8 and the external cathode electrode 5.
しかしながら、外部カソード電極５には大電流が流され
、例えばピーク電流で３００Ａ程度であるため、外部カ
ソード電極５の棒状部材５ａの直径を小さくして上記間
隔を広げることは好ましくない。一方、皿ばね８に対し
て望まれるばね荷重は約４０Ｃ１であるため、皿ばね８
の内径を広げ、皿ばね８と外部カソード電極５との間隔
を広げることも事実上不可能である。したがって、従来
の半導体装置においては、上記手段（１）により半導体
装置の耐圧を向上させることは不可能である。However, since a large current is passed through the external cathode electrode 5, for example, a peak current of about 300 A, it is not preferable to reduce the diameter of the rod-shaped member 5a of the external cathode electrode 5 to widen the above-mentioned interval. On the other hand, since the desired spring load for the disc spring 8 is approximately 40C1, the disc spring 8
It is also virtually impossible to increase the inner diameter of the disc spring 8 and increase the distance between the disc spring 8 and the external cathode electrode 5. Therefore, in the conventional semiconductor device, it is impossible to improve the withstand voltage of the semiconductor device by the above means (1).
また、第４図に示すように、外部カソード電極５には、
垂直孔５Ｃに連結する横穴５ｄが設けられ、これら垂直
孔５Ｃおよび横穴５ｄを介してゲートリード１１が配線
されているので、ワッシャ６ｂ、６ｃと外部カソード電
極５との間および皿ばね８と外部カソード電極５との間
に絶縁物を挿入することができない。したがって、従来
の半導体装置においては、上記手段（，２）・によって
も半導体装置の耐圧を向上させることは不可能であった
。In addition, as shown in FIG. 4, the external cathode electrode 5 has
A horizontal hole 5d connected to the vertical hole 5C is provided, and the gate lead 11 is wired through the vertical hole 5C and the horizontal hole 5d. An insulator cannot be inserted between the cathode electrode 5 and the cathode electrode 5. Therefore, in the conventional semiconductor device, it has been impossible to improve the breakdown voltage of the semiconductor device even by the above-mentioned means (2).
この発明は上記のような課題を解決するためになされた
もので、耐圧をより一層向上させることができる半導体
装置を提供することを目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device that can further improve the breakdown voltage.
この発明に係る半導体装置は、第１外部電極と、前記第
１外部電極の一方面の外周部に形成されたケース部材と
、一方面に第１電極が形成されるとともに、他方面の第
１領域に第２電極と第２領域に第３ｉｉ極とがそれぞれ
形成され、前記第１電極が前記第１外部電極の一方面の
内周部に対面するように配置された半導体エレメントと
、下部に前記第３１極の表面に対面するように配置され
た電極面と、前記電極面に対してほぼ垂直に、かつ前記
第３電極に対応して形成された垂直孔を有するとともに
、側部に前記垂直孔に連通ずるように設けられた傾斜孔
を備える第２外部電極と、一端が前記第３電極の表面に
対面するようにして、前記垂直孔および前記傾斜孔に挿
通配置された第３外部電極と、前記ケース部材に収容保
持された第１のばね部材を含み、前記第１のばね部材の
ばねカにより、前記第１電極と前記第１外部電極との間
および前記第２電極と前記第２外部電極との間のそれぞ
れの接合面を加圧接触させる第１加圧接触手段と、前記
垂直孔内に保持された第２のばね部材を含み、前記第２
のばね部材により、前記第３電極と前記第３外部電極と
の間の接合面を加圧接触させる第２加圧接触手段と、前
記第１加圧接触手段と、前記垂直孔および前記傾斜孔に
対、応する前記第２外部電極の外側面との間に介挿され
た絶縁体とを備えている。A semiconductor device according to the present invention includes a first external electrode, a case member formed on an outer peripheral portion of one side of the first external electrode, a first electrode formed on one side, and a first external electrode on the other side. a semiconductor element in which a second electrode is formed in the region and a third ii pole is formed in the second region, the first electrode is arranged so as to face an inner peripheral portion of one surface of the first external electrode; It has an electrode surface disposed to face the surface of the 31st pole, a vertical hole formed substantially perpendicular to the electrode surface and corresponding to the third electrode, and a second external electrode having an inclined hole provided to communicate with the vertical hole; and a third external electrode inserted through the vertical hole and the inclined hole so that one end faces the surface of the third electrode. It includes an electrode and a first spring member housed and held in the case member, and the spring force of the first spring member causes a gap between the first electrode and the first external electrode and between the second electrode and the a first pressurizing contact means for pressurizingly contacting respective bonding surfaces with a second external electrode; and a second spring member held within the vertical hole;
a second pressurizing contact means for pressurizing the bonding surface between the third electrode and the third external electrode by a spring member, the first pressurizing contact means, the vertical hole and the inclined hole. and an insulator interposed between the outer surface of the second external electrode and the outer surface of the corresponding second external electrode.
この発明による半導体装置によれば、第２外部電極の下
部に半導体エレメントの第３電極に対応して垂直孔が設
けられるとともに側部に前記垂直孔に連通ずる傾斜孔が
設けられ、前記垂直孔および前記傾斜孔に対応する前記
第２外部電極の外側面と前記第１加圧接触手段との間に
絶縁体を介挿させることにより、前記第１加圧接触手段
と前記第２外部電極との間の絶縁銅ｍが向上され、半導
体装置の耐圧がより一層向上される。According to the semiconductor device according to the present invention, a vertical hole is provided in the lower part of the second external electrode corresponding to the third electrode of the semiconductor element, and an inclined hole communicating with the vertical hole is provided in the side part, and the vertical hole and an insulator is inserted between the outer surface of the second external electrode corresponding to the inclined hole and the first pressurizing contact means, so that the first pressurizing contact means and the second external electrode are connected to each other. The insulating copper m between them is improved, and the withstand voltage of the semiconductor device is further improved.
第１図はこの発明にかかる半導体装置の断面図であり、
第２図および第３図は第１図に示す半導体装ぎの組立手
順を説明するための断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to the present invention,
2 and 3 are cross-sectional views for explaining the assembly procedure of the semiconductor device shown in FIG. 1. FIG.
第１図および第２図に示すように、サイリスタエレメン
ト１は従来例（第４図）と同一構成である。As shown in FIGS. 1 and 2, the thyristor element 1 has the same configuration as the conventional example (FIG. 4).
また、第１図に示すように、半導体基板１ａの下面にろ
う付けされた補償板１ｂは外部アノード電極２に電気的
に接触するように押し付けられている。なお、この外部
アノード電極２の外周部には円筒形状のケース３がろう
付けされ、さらにケース３の外周部にフランジ４がろう
付けされて、組立体Ａ（第２図）が形成されている。Further, as shown in FIG. 1, a compensating plate 1b soldered to the lower surface of the semiconductor substrate 1a is pressed so as to be in electrical contact with the external anode electrode 2. A cylindrical case 3 is brazed to the outer periphery of the external anode electrode 2, and a flange 4 is further brazed to the outer periphery of the case 3 to form an assembly A (FIG. 2). .
また、第１図ないし第３図に示すように、外部カソード
電極５は垂直方向に伸びた棒状部材５ａとその棒状部材
５ａの一方端に取り付けられたドーナツ板状部材５ｂと
で構成されている。そして、ドーナツ板状部材５ｂ上に
、ワッシャ５ａ、絶縁環７．四弗化エチレンからなる絶
縁体１７．ワッシャ６ｂ、皿ばね８およびワッシャ６Ｃ
がこの順で配置されている。なお、ワッシャ６Ｃは、そ
の上方向から一定圧力が印加されて皿ばね８が弾性圧縮
された状態でケース３の突起部３ａ（第１図）により保
持されている。これにより、外部カソード電極５のドー
ナツ板状部材５ｂが皿ばね８のばね力により半導体基板
１ａの上面に配置されたカソード電極板１Ｃにのみ電気
的に接触するように押し付けられている。Further, as shown in FIGS. 1 to 3, the external cathode electrode 5 is composed of a rod-shaped member 5a extending in the vertical direction and a donut plate-shaped member 5b attached to one end of the rod-shaped member 5a. . Then, on the donut plate-shaped member 5b, a washer 5a and an insulating ring 7. Insulator made of tetrafluoroethylene 17. Washer 6b, disc spring 8 and washer 6C
are arranged in this order. Note that the washer 6C is held by the protrusion 3a (FIG. 1) of the case 3 in a state where a constant pressure is applied from above and the disc spring 8 is elastically compressed. Thereby, the donut plate-shaped member 5b of the external cathode electrode 5 is pressed by the spring force of the disc spring 8 so as to electrically contact only the cathode electrode plate 1C disposed on the upper surface of the semiconductor substrate 1a.
また、外部カソード電極５の棒状部材５ａの下部中央に
は半導体基板１ａのゲート電極に対応して垂直孔５ｅが
設けられており、この垂直孔５ｅにばね９および絶縁体
１０がこの順で収められている。また、第３図から容易
に理解できるように、棒状部材５ａの側面と垂直孔５ｅ
とが連通丈るように、傾斜孔５ｆが設けられている。な
お、同図に示すように、傾斜孔５ｆは、その底面部が棒
状部材５ａ中に存在するように仕上げられているが、こ
れを貫通孔に仕上げてもよいことは言うまでもない。Further, a vertical hole 5e is provided in the lower center of the rod-shaped member 5a of the external cathode electrode 5, corresponding to the gate electrode of the semiconductor substrate 1a, and a spring 9 and an insulator 10 are housed in this vertical hole 5e in this order. It is being Moreover, as can be easily understood from FIG. 3, the side surface of the rod-shaped member 5a and the vertical hole 5e
A slanted hole 5f is provided so as to communicate with each other. As shown in the figure, the inclined hole 5f is finished so that its bottom part is present in the rod-shaped member 5a, but it goes without saying that this may be finished as a through hole.
そして、ゲートリード１１が絶縁体１０の下面の中央部
に設けられた貫通孔および絶縁管１２に挿通され、その
ゲートリード１１の一方端がばね９のばね力によりゲー
ト電極に電気的に接触するように押し付けられている一
方、その他方端はグー１一端子１３に電気的に接続され
ている。Then, the gate lead 11 is inserted through the through hole provided in the center of the lower surface of the insulator 10 and the insulating tube 12, and one end of the gate lead 11 is brought into electrical contact with the gate electrode by the spring force of the spring 9. The other end is electrically connected to the terminal 13.
一方、外部カソード電極５の棒状部材５ａの他方端はセ
ラミックシール１４にろう付ＧＪされたカソード端子１
５に嵌合されている。On the other hand, the other end of the rod-shaped member 5a of the external cathode electrode 5 is connected to the cathode terminal 1 which is brazed to the ceramic seal 14.
5 is fitted.
なお、セラミックシール１４の外周部にはフランジ１６
が設けられており、フランジ４と接合されいる。Note that a flange 16 is provided on the outer periphery of the ceramic seal 14.
is provided and joined to the flange 4.
以上のことかられかるように、本実施例では、ワッシャ
６ｂ、６ｃと外部カソード電極５との間および皿ばね８
と外部カソード電極５との間に絶縁体１７が介挿されて
いるので、それらの間の絶縁削口が向上されて半導体装
置の耐圧がより一層向上される。なお、絶縁体１７の材
質として四弗化エチレンを用いた結果、ワッシャ６ｂ、
６Ｃと外部カソード電極５との間および皿ばね８と外部
カソード電極５との間の絶縁耐量は約１６．９ｋＶ／
ｍｍとなった。As can be seen from the above, in this embodiment, between the washers 6b, 6c and the external cathode electrode 5 and the disc spring 8
Since the insulator 17 is interposed between the external cathode electrode 5 and the external cathode electrode 5, the insulation gap between them is improved and the withstand voltage of the semiconductor device is further improved. Note that as a result of using tetrafluoroethylene as the material of the insulator 17, the washer 6b,
The dielectric strength between 6C and the external cathode electrode 5 and between the disc spring 8 and the external cathode electrode 5 is approximately 16.9 kV/
It became mm.
第１図に示す半導体装置は以下の手順により組立てられ
る。The semiconductor device shown in FIG. 1 is assembled by the following procedure.
まず、第２図に示すように、外部アノード電極２にケー
ス３をろう付けし、さらにケース３に７ランジ４をろう
何すして組立体Ａを形成する。また、セラミックシール
１４にカソード端子１５゜フランジ１６およびゲートパ
イプ１８をそれ、ぞれろう付けして組立休日を形成する
。また、以下のようにして組立体Ｃを形成する。First, as shown in FIG. 2, the case 3 is brazed to the external anode electrode 2, and the 7 flange 4 is brazed to the case 3 to form an assembly A. Further, the cathode terminal 15° flange 16 and the gate pipe 18 are each brazed to the ceramic seal 14 to form an assembly holiday. Further, the assembly C is formed in the following manner.
第３図に示すように、外部カソード電極５のドーナツ板
状部材５ｂ上に、ワッシャ５ａ、絶縁環７および絶縁体
１７をこの順で配置する。また、外部カソード電極５の
垂直孔５ｅにばね９を収めた後、ゲートリード１１に絶
縁体１０の貫通孔および絶縁管１２に挿通させた組立体
をさらに垂直高５０に収める。その後、絶縁体１７上に
ワツシｔ５ｂ、皿ばね８およびワッシャ６Ｃをこの順で
配置して組立体Ｃを形成する。As shown in FIG. 3, a washer 5a, an insulating ring 7, and an insulator 17 are arranged in this order on the donut plate-shaped member 5b of the external cathode electrode 5. Further, after the spring 9 is housed in the vertical hole 5e of the external cathode electrode 5, the assembly in which the gate lead 11 is inserted through the through hole of the insulator 10 and the insulating tube 12 is further housed at a vertical height 50. Thereafter, the washer t5b, disc spring 8, and washer 6C are placed in this order on the insulator 17 to form an assembly C.
その後、サイリスタエレメント１を組立体Ａの外部アノ
ード電極２上に配置し、ドーナツ板状部材５ｂとサイリ
スタエレメント１のカソード電極板１Ｃとが対面するよ
うに組立体Ｃをサイリスタエレメント１上に配置する。Thereafter, the thyristor element 1 is placed on the external anode electrode 2 of the assembly A, and the assembly C is placed on the thyristor element 1 so that the donut plate-shaped member 5b and the cathode electrode plate 1C of the thyristor element 1 face each other. .
これにより、第１図に示すように、ゲートリード１１の
一方端がばね９のばね力によりサイリスタエレメント１
のゲート電極に電気的に接触するように押し付けられる
。As a result, as shown in FIG.
is pressed into electrical contact with the gate electrode of.
そして、ワッシャ６Ｃに対し組立体Ａ側に向けて一定圧
力を印加して皿ばね８を弾性圧縮させた状態で、ケース
３の側面領域のうちワラシト６Ｃに対応する領域に変形
を加えて突起部３ａ（第１図）を形成し、この突起部３
ａぐワラシト６Ｃの周縁部を係止する。これにより、皿
ばね８のばね力の作用で、第１図に示すように、半導体
基板１ａの下面にろう付けされた補償板１ｂは外部アノ
ード電極２に電気的に接触するように押し付けられると
ともに、ドーナツ板状部材５ｂがサイリスタエレメント
１のカソード電極板１Ｃに電気的に接触するように押し
付けられる。Then, while applying a constant pressure to the washer 6C toward the assembly A side and elastically compressing the disc spring 8, deformation is applied to the area corresponding to the washer 6C in the side area of the case 3 to form a protrusion. 3a (Fig. 1), and this protrusion 3
Lock the periphery of the straw plate 6C. As a result, due to the spring force of the disc spring 8, as shown in FIG. , the donut plate-shaped member 5b is pressed so as to be in electrical contact with the cathode electrode plate 1C of the thyristor element 1.
この後、ゲートリード１１のうち絶縁管１２に覆われて
いない部分をゲートバイブ１８に挿入するとともに、外
部カソード電極５の棒状部材５ａの他方端をカソード端
子１５に嵌合させるようにして、組立休日のフランジ１
６をケース３に外嵌めする。After that, the part of the gate lead 11 that is not covered by the insulating tube 12 is inserted into the gate vibrator 18, and the other end of the rod-shaped member 5a of the external cathode electrode 5 is fitted into the cathode terminal 15, and assembled. holiday flange 1
6 into the case 3.
そして、フランジ１６．４の外周をアーク溶接した後、
ゲートパイプ１８から不活性ガスを封入し、その先端部
を溶接してゲート端子１３（第１図）を形成する。これ
により、第１図に示す半導体装置が形成される。Then, after arc welding the outer periphery of the flange 16.4,
Inert gas is filled in from the gate pipe 18, and the tip thereof is welded to form the gate terminal 13 (FIG. 1). As a result, the semiconductor device shown in FIG. 1 is formed.
なお、上記実施例では絶縁体１７の材質として四弗化エ
チレンを採用したが、これに限定されるものではなく、
シリコンゴム等の絶縁性物質を採用してもよい。In addition, in the above embodiment, tetrafluoroethylene was used as the material of the insulator 17, but the material is not limited to this.
An insulating material such as silicone rubber may also be used.
また、上記実施例ではサイリスクエレメント１は、第１
図に示すように、半導体基板１ａ、カソード電極（図示
省略）、ゲー（へ電極（図示省略）アノードｆｆ１ＫＡ
（図示省略）、補償板１ｂおよびカソード電極板１Ｃに
より構成された場合について説明したが、補償板１ｂお
よびカソード電極板１Ｃはサイリスタエレメント１の必
須構成要素でないため、半導体基板１ａ、カソード電極
、ゲート電極、アノード電極により構成されたサイリス
タエレメント１に本発明を適用することができる。Further, in the above embodiment, the cyrisk element 1 is the first
As shown in the figure, a semiconductor substrate 1a, a cathode electrode (not shown), a gate electrode (not shown), an anode ff1KA
(not shown), the case has been described in which the compensation plate 1b and the cathode electrode plate 1C are configured, but since the compensation plate 1b and the cathode electrode plate 1C are not essential components of the thyristor element 1, the semiconductor substrate 1a, the cathode electrode, the gate The present invention can be applied to a thyristor element 1 composed of an electrode and an anode electrode.
なお、サイリスタエレメント１が半導体基板１ａ。Note that the thyristor element 1 is a semiconductor substrate 1a.
カソード電極、ゲート電極、アノード電極および補償板
１ｂにより構成されている場合、あるいはサイリスクエ
レメント１が半導体基板１ａ、カソード電極、グーｌ−
電極、アノード電極およびカソード電極板１Ｇにより構
成されている場合にも、本発明を適用づることができる
ことは言うまでもない。When the silica element 1 is composed of a cathode electrode, a gate electrode, an anode electrode, and a compensation plate 1b, or when the silice element 1 is composed of a semiconductor substrate 1a, a cathode electrode, a
It goes without saying that the present invention can also be applied to a case where the electrode is composed of an anode electrode and a cathode electrode plate 1G.
また、上記実施例では、半導体エレメントがサイリスタ
エレメント１である場合について説明したが、半導体エ
レメントが静電誘導型１ノイリスク。Further, in the above embodiment, the case where the semiconductor element is the thyristor element 1 has been described, but the semiconductor element is an electrostatic induction type thyristor element 1.
ゲートターンオフサイリスタあるいは大電力用トランジ
スタ等の加圧接触半導体装置である揚台に本発明を適用
することができ、上記と同様の効果を奏する。The present invention can be applied to a platform that is a pressurized contact semiconductor device such as a gate turn-off thyristor or a high-power transistor, and the same effects as described above can be obtained.
以上のように、この発明にかかる半導体装置によれば、
第２電極の下部に半導体エレメントの第３電極に対応し
て垂直孔が設番ブられるとともに側部に前記垂直孔に連
通ずる傾斜孔が設けられ、前記垂直孔Ｊ３よび前記傾斜
孔に対応する前記第２外部電極の外側面と第１加圧接触
手段との間に絶縁体が介挿されているので、前記第１加
圧接触手段と前記第２外部電極との間の絶縁耐量を向上
、されることができ、耐圧がより一層向上された半導体
装置を提供することができる。As described above, according to the semiconductor device according to the present invention,
Vertical holes are provided at the bottom of the second electrode corresponding to the third electrode of the semiconductor element, and inclined holes communicating with the vertical holes are provided at the side thereof, and correspond to the vertical hole J3 and the inclined hole. Since an insulator is interposed between the outer surface of the second external electrode and the first pressure contact means, the dielectric strength between the first pressure contact means and the second external electrode is improved. , and a semiconductor device with further improved breakdown voltage can be provided.
第１図はこの発明にかかる半導体装置の断面図、なお、
各図中同一符号は同一または相当部分を示す。FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to the present invention.
The same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts.
Claims (1)
部材と、 一方面に第１電極が形成されるとともに、他方面の第１
領域に第２電極と第２領域に第３電極とがそれぞれ形成
され、前記第１電極が前記第１外部電極の一方面の内周
部に対面するように配置された半導体エレメントと、 下部に前記第２電極の表面に対面するように配置された
電極面と、前記電極面に対してほぼ垂直に、かつ前記第
３電極に対応して形成された垂直孔を有するとともに、
側部に前記垂直孔に連通するように設けられた傾斜孔を
備える第２外部電極と、 一端が前記第３電極の表面に対面するようにして、前記
垂直孔および前記傾斜孔に挿通配置された第３外部電極
と、 前記ケース部材に収容保持された第１のばね部材を含み
、前記第１のばね部材のばね力により、前記第１電極と
前記第１外部電極との間および前記第２電極と前記第２
外部電極との間のそれぞれの接合面を加圧接触させる第
１加圧接触手段と、前記垂直孔内に保持された第２のば
ね部材を含み、前記第２のばね部材により、前記第３電
極と前記第３外部電極との間の接合面を加圧接触させる
第２加圧接触手段と、 前記第１加圧接触手段と、前記垂直孔および前記傾斜孔
に対応する前記第２外部電極の外側面との間に介挿され
た絶縁体とを備えたことを特徴とする半導体装置。(1) a first external electrode; a case member formed on the outer periphery of one side of the first external electrode; a first electrode formed on one side and a first external electrode on the other side;
a semiconductor element in which a second electrode is formed in the region and a third electrode is formed in the second region, and the first electrode is arranged so as to face an inner peripheral portion of one surface of the first external electrode; an electrode surface disposed to face the surface of the second electrode; and a vertical hole formed substantially perpendicular to the electrode surface and corresponding to the third electrode;
a second external electrode provided with a slanted hole provided on a side so as to communicate with the vertical hole; and a second external electrode inserted into the vertical hole and the slanted hole with one end facing the surface of the third electrode. a third external electrode; a first spring member housed and held in the case member; the spring force of the first spring member causes a gap between the first electrode and the first external electrode and between the first external electrode and the first external electrode; two electrodes and the second
and a second spring member held within the vertical hole, the second spring member causing the third a second pressurizing contact means for pressurizing and contacting a bonding surface between an electrode and the third external electrode; a second pressurizing contact means that corresponds to the first pressurizing contact means and the vertical hole and the inclined hole; and an insulator interposed between the outer surface of the semiconductor device and the outer surface of the semiconductor device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31266288A JPH02158145A (en) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31266288A JPH02158145A (en) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02158145A true JPH02158145A (en) | 1990-06-18 |
Family
ID=18031913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31266288A Pending JPH02158145A (en) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02158145A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005129693A (en) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Mitsubishi Electric Corp | Insulation displaced semiconductor device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4945728U (en) * | 1972-08-01 | 1974-04-22 | ||
| JPS505727U (en) * | 1973-05-17 | 1975-01-21 |
-
1988
- 1988-12-09 JP JP31266288A patent/JPH02158145A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4945728U (en) * | 1972-08-01 | 1974-04-22 | ||
| JPS505727U (en) * | 1973-05-17 | 1975-01-21 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005129693A (en) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Mitsubishi Electric Corp | Insulation displaced semiconductor device |
| JP4588308B2 (en) * | 2003-10-23 | 2010-12-01 | 三菱電機株式会社 | Pressure contact type semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5345096A (en) | Turn-off high-power semiconductor component with low inductive housing | |
| US3252060A (en) | Variable compression contacted semiconductor devices | |
| US4673961A (en) | Pressurized contact type double gate static induction thyristor | |
| JPH03149880A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| US3450962A (en) | Pressure electrical contact assembly for a semiconductor device | |
| JPH02158145A (en) | Semiconductor device | |
| US4015172A (en) | Two path voltage arrester | |
| US4068368A (en) | Closure for semiconductor device and method of construction | |
| US3513361A (en) | Flat package electrical device | |
| US3559004A (en) | Connector structure for housing of pressure-biased semiconductor device | |
| US3501680A (en) | Structural component for housing for semiconductor device | |
| US3513360A (en) | Semi-conductor device | |
| US2472865A (en) | Gaseous discharge device | |
| US3310717A (en) | Encapsulated semiconductor device with minimized coupling capacitance | |
| US4893173A (en) | Low-inductance semiconductor apparatus | |
| JP2596142B2 (en) | Vacuum valve | |
| JPS6320036Y2 (en) | ||
| JPS5855650Y2 (en) | semiconductor equipment | |
| JP2540903B2 (en) | Vacuum valve | |
| JPH08186188A (en) | Stud-type semiconductor device | |
| JPH04114474A (en) | Semiconductor element | |
| JPH0124858Y2 (en) | ||
| US3249826A (en) | Semiconductor device mounting having one portion of the semiconductor secured to a lead | |
| JPS5855648Y2 (en) | semiconductor equipment | |
| JPH02220452A (en) | Semiconductor device |