JPH02155418A - Semiconductor-manufacturing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は半導体製造装置に間する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment.
（従来の技術）
従来の半導体製造装置の入力電源に対する装置の保護は
ヒユーズ、ノンヒユーズブレーカ−コンタクタ−等によ
り行われているのが一般的である。これらの過電圧や過
電流に対する保護機能は負荷に流れる定格電流以上の過
電流を検知することによりヒユーズの溶断やノンヒユー
ズブレーカ−のオフにより入力電圧を遮断している。ま
た、ヒユーズやノンヒユーズブレーカ−等と共に用いら
れる例えばコンタクタ−等は定格電圧の例えば８５％以
下の入力電圧では動作せず入力ＴＬ源が装置に供給され
なく定格電圧より低い電圧で装置が作動し誤動作する事
を防いでいる。(Prior Art) Conventional semiconductor manufacturing equipment is generally protected against input power by using fuses, non-fuse breaker contactors, and the like. These overvoltage and overcurrent protection functions cut off the input voltage by blowing a fuse or turning off a non-fuse breaker by detecting an overcurrent flowing through the load that exceeds the rated current. In addition, contactors, etc. used with fuses and non-fuse breakers, etc., will not operate at input voltages below, for example, 85% of the rated voltage, and the input TL source will not be supplied to the equipment, causing the equipment to operate at a voltage lower than the rated voltage. Prevents malfunction.
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、従来の負荷側に定格電流以上の電流が流
れることにより過電圧や３１！Ｉ電流を検知する方法は
負荷にある程度の時間過電圧または過電流の状態が続く
と動作するように構成されている。(Problems to be Solved by the Invention) However, when a current exceeding the rated current flows through the conventional load side, an overvoltage or 31! The method for detecting I current is configured to operate when the load continues to be in an overvoltage or overcurrent state for a certain period of time.
また、半導体製造装置の定格電流は最大時と通常時とで
はかなりの差があり、Ｖ＆置の定格電流は大きくとらざ
るおえない状況にある。また、複雑化した半導体製造装
置では、異なる種類の入力を源が混在して用いられるこ
とが非常に多い。また、半導体製造装置の新規設置時、
あるいは増設、改造時あるいは保守時等に、入力ＭＬＲ
の配線あるいは切り替え、再配線等が行われる。特に半
導体製造装置関係の技術進歩は速く、増設、改造も頻繁
に行われる為装置内及び装置間のケーブル配線等も複雑
を極め、配線の誤りを起こすケースも増加している。例
えばＡＣ２００Ｖの入力電源ラインにＡＣｌｏｏＶを印
加してしまうようなことがある。この場合は上述のよう
に定格電圧の所定値以下では配線用コンタクタ−が動作
せず装置をｒｉ ｉするようなことはないが、ＡＣｌｏ
ｏＶの入力電源ラインにＡＣ２００Ｖを印加してしまっ
た場合には、上述したように半導体製造装置の定格ＴＬ
流は大きめに設定されているため、すぐには過電流検出
ができず、何れかの装置が加熱等によりショート状態等
となりようやく検知動作すると言う問題があった。この
場合には一般的にショート状態等となった装置は損傷し
ているため取り外し、修理、再検査しなければならず、
時間及び費用の損出が多大なものとなっていた。この発
明は上記点を改善するためになされたもので、誤って所
望の入力電圧より高い異なる電圧が入力電源ラインに印
加されても装置を損傷等から保護する安全な半導体製造
装置を提供しようとするものである。Furthermore, there is a considerable difference in the rated current of semiconductor manufacturing equipment between the maximum and normal times, and the rated current of the V& Furthermore, in complex semiconductor manufacturing equipment, different types of input sources are often used in a mixed manner. Also, when installing new semiconductor manufacturing equipment,
Or, at the time of expansion, modification, or maintenance, input MLR
Wiring, switching, rewiring, etc. are performed. In particular, technology related to semiconductor manufacturing equipment is rapidly advancing, and expansions and modifications are frequently performed, making cable wiring within and between equipment extremely complex, and the number of cases of wiring errors is increasing. For example, AClooV may be applied to an AC200V input power line. In this case, as mentioned above, the wiring contactor will not operate and the device will not be ri i when the rated voltage is below the predetermined value, but the AClo
If AC200V is applied to the oV input power supply line, the rated TL of the semiconductor manufacturing equipment
Since the current is set to be relatively large, overcurrent detection cannot be performed immediately, and there is a problem in that detection is only performed after one of the devices becomes short-circuited due to heating or the like. In this case, the device that has been short-circuited is generally damaged and must be removed, repaired, and re-inspected.
The loss of time and cost was enormous. This invention was made to improve the above-mentioned points, and aims to provide a safe semiconductor manufacturing equipment that protects the equipment from damage even if a different voltage higher than the desired input voltage is accidentally applied to the input power supply line. It is something to do.
（課邪を解決するための手段）
この発明は使用電圧の異なる７ｘ数の入力電源を必要と
する半導体製造装置に於て、予め定められた入力電圧よ
り高く異なる入力電圧が装置に印加されたときこの入力
電圧を検知する入力電圧検知手段と、この入力電圧検知
手段の出力により自動的に入力電圧印加回路を遮断する
遮断手段とを具倫したことを特徴とする半導体製造装置
を得ろものである。(Means for Solving Problems) This invention is applicable to semiconductor manufacturing equipment that requires 7x number of input power sources with different operating voltages. To obtain a semiconductor manufacturing device characterized in that it incorporates an input voltage detection means for detecting an input voltage at a time, and a cutoff means for automatically cutting off an input voltage application circuit based on the output of the input voltage detection means. be.
（作用）
本発明によれば、使用電圧の異なる？！！数の入力電源
を必要とする半導体製造装置に於て、予め定められた入
力電圧より高く異なる入力電圧が装置に印加されたとき
この入力電圧を検知する入力電圧検知手段と、この入力
電圧検知手段の出力により自動的に入力電圧印加回路を
遮断する遮断手段とを具備したことにより予め定められ
た入力電圧より高い異なる電圧が入力電源ラインに印加
されても自動的に印加された入力電圧を装置の負荷側か
らすぐ遮断するため装置を損傷等から保護する効果が得
られる。(Function) According to the present invention, different voltages can be used? ! ! An input voltage detection means for detecting an input voltage when a different input voltage higher than a predetermined input voltage is applied to the apparatus in a semiconductor manufacturing equipment that requires several input power supplies; Even if a different voltage higher than a predetermined input voltage is applied to the input power supply line, the device will automatically cut off the applied input voltage. Since the load is immediately disconnected from the load side, it is possible to protect the equipment from damage.
（実施例）
以下本発明半導体製造装置を塗布装置に適用した一実施
例につき図面を参照して説明する。塗布装置は第２図に
示すように種々の機能を持ったユニットを刊み合わせ、
一つの集合体としての機能をつくり出す半導体製造装置
で、フォトリソグラフィー工程の内生導体ウェハのレジ
スト塗布、ブノベーク、現像、ボストベーク、及び洗浄
や疎水化処理を行う工程を受は持っている。これらの機
能を達成するため、具体的には、塗布ｓ！Ｉ置（１）内
にはウェハカセット内のウェハを送り出すセンダー（３
）、ウェハを純水で洗浄するスクラバー（４）、水分の
除去を行う高温の高温オーブン（５）、疎水化処理によ
りウェハとレジストとの密着性を向上させるアドヒージ
ョン（６）、ウェハの冷却を行うクーリング（７）、ウ
ェハにレジストを塗布するコーター（８）、レジストの
固化や水分の除去を行うためのウェハを温めるホットプ
レート（９）、ウェハを工程の途中で一時保持するバッ
ファー（１０）ウェハを塗布装置（１）と図示しない露
光装置間で受渡しするインターフェイス（１］）、ウェ
ハに現像液を塗布し現像するデベロッパー（１２）、現
像の出来上り状態をチエツクするためにラインからウェ
ハを取り出す為のピックアップ（１３）、処理されたウ
ェハをカセット内へ受は取るレジイーバー（１４）等の
ユニットの自由な組合せにより構成されている。そして
、これらユニットの図示しないコントローラおよびアド
ヒージョン（６）は例えばＡＣｌｏｏＶの？！源を使用
し、スクラバーく４）、コーター（８）、デベロッパー
（１２）等のモータおよび高温オーブン（５）やホット
プレート（９）等のヒータ関係は例えばＡＣ２００Ｖの
電源を使用し、塗布（１）内のブロアーは例えば３相の
２００■が使用されている。この様に塗布装置（１）内
では単相ＡＣ１００Ｖ、２００Ｖ及び３相ＡＣ２００Ｖ
の複数の異なる電圧が使用されている。このため半導体
製造装置例えば塗布装置には安全機構が設けられている
。この安全機構としての、単相ＡＣ１００Ｖの入力電源
ラインの保護回路は第１図に示すように、単相ＡＣ１０
０Ｖの入力を源瑞子（２１）、入力電源電圧間の電圧を
検知する電圧検知手段例えばＡＣ２００Ｖリレー（２２
）、このリレー（２２）はＡＣ２００Ｖ近傍例＾ば１７
０Ｖ 〜２３０Ｖ ＜ｔ １５％）で動作し、またリレ
ー（２２）の接点スイッチ（２３）は動作時にオン、動
作してないときにオフする如く構成され設けられている
。また、入力電源を負荷く２４）例えばコントローラや
アドヒージョン（６）ユニット等から遮断する遮断手段
例えばテスト電圧付ブレーカ−（２５）が入力電源電圧
（２１）と出力ｔ［電圧（２７）との間に設けられてい
る。そして、上記ブレーカ−（２５）のテスト電圧（２
６）をショートさせるとブレーカ−（２５）はオフする
如く構成されている。そして、出力電１ｍ子（２７）か
ら負荷例えばコントローラやアドヒージョン（６）等に
接続されている。(Example) An example in which the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention is applied to a coating apparatus will be described below with reference to the drawings. The coating device consists of units with various functions as shown in Figure 2.
It is a semiconductor manufacturing equipment that creates functions as a single assembly, and has the processes of resist coating, bunobake, development, boss bake, and cleaning and hydrophobization treatment of the endogenous conductor wafer in the photolithography process. To achieve these functions, specifically, application s! In the I-place (1) is a sender (3) that sends out the wafers in the wafer cassette.
), a scrubber that cleans the wafer with pure water (4), a high-temperature oven that removes moisture (5), an adhesion that improves the adhesion between the wafer and resist through hydrophobic treatment (6), and a wafer cooling system. cooling (7), a coater (8) that applies resist to the wafer, a hot plate (9) that warms the wafer to solidify the resist and remove water, and a buffer (10) that temporarily holds the wafer during the process. An interface (1]) that transfers the wafer between the coating device (1) and the exposure device (not shown), a developer (12) that applies a developer to the wafer and develops it, and takes out the wafer from the line to check the finished state of development. It is constructed by freely combining units such as a pick-up (13) for receiving and receiving processed wafers into a cassette, and a receiver (14) for receiving and taking processed wafers into a cassette. The controller and adhesion (6) (not shown) of these units are, for example, AClooV? ! For example, use an AC 200V power supply for the motors of the scrubber (4), coater (8), developer (12), etc., and heaters such as the high temperature oven (5) and hot plate (9). ) For example, a three-phase 200cm blower is used. In this way, in the coating device (1), single-phase AC 100V, 200V and three-phase AC 200V are applied.
Several different voltages are used. For this reason, semiconductor manufacturing equipment, such as coating equipment, is provided with a safety mechanism. As shown in Figure 1, the protection circuit for the single-phase AC100V input power line as this safety mechanism is as shown in Figure 1.
A voltage detection means for detecting the voltage between the 0V input and the input power supply voltage (21), for example, an AC 200V relay (22)
), this relay (22) is an example near AC200V 17
The contact switch (23) of the relay (22) is configured to be turned on when the relay is in operation and turned off when it is not in operation. In addition, a cutoff means (24) for cutting off the input power supply from the controller, adhesion (6) unit, etc., such as a test voltage breaker (25), is installed between the input power supply voltage (21) and the output voltage (27). It is set in. Then, the test voltage (2
The circuit breaker (25) is configured to turn off when the circuit 6) is short-circuited. The output voltage 1m element (27) is connected to a load such as a controller or adhesion (6).
次に動作について説明する。まず所望の入力電圧例えば
ＡＣｌｏｏＶが入力型Ｒ電圧（２１）に印加された時は
、入力電圧を検知するリレー（２２）は、入力電源電圧
（２１）間の印加電圧がＡＣ１００Ｖｔ’動作範囲内例
えば１７０Ｖ 〜２３０Ｖにないため動作せず従って接
点スイッチ（２３）はオフのままである。このため、ブ
レーカ−（２５）のスイッチをオンすると、またはオン
状態にある時は入力電源電圧（２１）に印加された電圧
はそのまま出力電源電圧（２７）に出力され、負荷（２
４）へと供給され各ユニットが動作可能あるいは動作状
態となる。Next, the operation will be explained. First, when a desired input voltage, for example, AClooV, is applied to the input type R voltage (21), the relay (22) that detects the input voltage detects that the applied voltage between the input power supply voltages (21) is within the AC100Vt' operating range, for example. Since the voltage is not between 170V and 230V, it does not operate and therefore the contact switch (23) remains off. Therefore, when the switch of the breaker (25) is turned on or when it is in the on state, the voltage applied to the input power supply voltage (21) is output as is to the output power supply voltage (27), and the load (2
4) and each unit becomes operational or in an operational state.
次に誤って所望の入力電圧より高い例えばＡＣ２００Ｖ
が入力′Ｒ源電圧（２１）に印加された時は、入力電圧
を検知するリレー（２２）は入力型Ｒ電圧（２１）間の
電圧がＡＣ２００Ｖて動作範囲の電圧であるため動作し
、接点スイッチ（２３）はオン状態となる。従ってブレ
ーカ−（２５）のテスト電圧く２６）はショート状態と
なる。このため、ブレーカ−（２５）のスイッチをオン
にしてもブレーカ−（２５）はすぐオフしてしまい、ま
た、ブレーカ−（２５）のスイッチがオン状態にある時
はテスト電圧（２６）がショートされると同時にブレー
カ−（２５）はオフ状態となり、入力電Ｒ電圧（２１）
と出力電源電圧（２７）間とは遮断された状態となる。Next, you may accidentally enter a voltage higher than the desired input voltage, e.g. AC200V.
is applied to the input 'R source voltage (21), the relay (22) that detects the input voltage operates because the voltage between the input type R voltage (21) is AC200V, which is within the operating range, and the contact is closed. The switch (23) is turned on. Therefore, the test voltage 26) of the breaker (25) becomes short-circuited. Therefore, even if the breaker (25) is turned on, the breaker (25) turns off immediately, and when the breaker (25) is turned on, the test voltage (26) is shorted. At the same time, the breaker (25) turns off, and the input voltage R voltage (21)
and the output power supply voltage (27) are cut off.
従って、誤って印加されたＡＣ２００Ｖ電圧は負荷（２
４）の接続されている出力ＭＩＲ電圧（２７）には出力
されない。Therefore, the erroneously applied AC200V voltage is applied to the load (200V).
4) is not output to the connected output MIR voltage (27).
これにより負荷（２４）である各ユニットも損傷等する
ことは無い。上記実施例では遮断ｔｌ！構としてテスト
瑞子付きブレーカ−を用いたが、コンタクタ−を用いて
も良く、この場合は第３図に示すように、コンタクタ−
（２９）の励磁コイル（３０）と直列に入力電圧検知用
リレー（２２＆）の接点スイッチ（２３ａ）を接続し入
力電ｆｌｎ４子（２１）間に設ける。また、このときリ
レー（２２ａ）は、動作しているときに接点スイッチ（
２３ａ）がオフ、動作していない時にオンと成る如く構
成されている。従って所望の電圧例えばＡＣＩｏｏＶが
入力電Ｒ電圧（２１）に印加されたときはリレー（２２
ａ）は動作せず、接点スイッチ（２３ａ）はオン状態に
あり、従ってコンタクタ−（２９）の励磁コイル（３０
）に電流が流れコンタクタ−（２９）が動作し、入力電
源電圧（２１）と出力電源電圧（２７）が接続状態とな
る。また、誤ってＡＣ２００Ｖが入力型Ｒ電圧（２１）
に印加された時はリレー（２２ａ）が動作し、接点スイ
ッチ（２３ａ）がオフ状態となりコンタクタ−（２９）
の励磁コイル（３０〉への電源が切断され励磁できなく
、コンタクタ−（２９）はオフ状態になり入力電源電圧
（２１）と出力電源電圧（２７）とは遮断状態となる。As a result, each unit serving as a load (24) will not be damaged. In the above embodiment, the cutoff tl! Although a breaker with test screws was used as the structure, a contactor may also be used. In this case, as shown in Fig.
The contact switch (23a) of the input voltage detection relay (22&) is connected in series with the excitation coil (30) of (29) and provided between the input voltage fln4 elements (21). Also, at this time, when the relay (22a) is operating, the contact switch (
23a) is turned off and turned on when not in operation. Therefore, when a desired voltage, for example ACIooV, is applied to the input voltage R voltage (21), the relay (22
a) does not operate, the contact switch (23a) is in the on state, and therefore the excitation coil (30) of the contactor (29)
), the contactor (29) operates, and the input power supply voltage (21) and output power supply voltage (27) become connected. Also, I accidentally set the input type R voltage (21) to AC200V.
When applied, the relay (22a) operates, the contact switch (23a) turns off, and the contactor (29)
The power to the excitation coil (30>) is cut off and cannot be excited, the contactor (29) is turned off, and the input power supply voltage (21) and output power supply voltage (27) are cut off.
従って、誤って印加されたＡＣ２００Ｖ電圧は負荷（２
４）の接続されている出力＊Ｒ電圧（２７）には出力さ
れない。Therefore, the erroneously applied AC200V voltage is applied to the load (200V).
4) is not output to the connected output *R voltage (27).
これにより負荷く２４）である各ユニットも損傷等する
ことは無い。As a result, each unit under load (24) will not be damaged.
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施例が可能である
。例えば上記実施例ではリレーブレーカ−及びコンタク
タ−等の個別部品を組み合わせて保護機能を構成したが
、電圧検知機構と電源開閉機構を結合し一体の一つの部
品として構成してもよく、また電子回路で構成してもよ
い。Note that the present invention is not limited to the above embodiments,
Various modifications are possible within the scope of the invention. For example, in the above embodiment, the protection function was configured by combining individual parts such as a relay breaker and a contactor, but the voltage detection mechanism and the power supply switching mechanism may be combined and configured as one integrated component, or the electronic circuit It may be composed of
また、上記実施例では塗布装置に適用した例について説
明したが、半導体熱処理装置、エツチング装置、スパッ
タリング装置、イオン注入装置、アッシング装置等半導
体製造装置でｉ数の異なる電圧を使用している装置で有
れば何れでもよい。In addition, although the above embodiment describes an example applied to a coating device, it can also be applied to devices that use voltages with different i numbers in semiconductor manufacturing devices such as a semiconductor heat treatment device, an etching device, a sputtering device, an ion implantation device, an ashing device, etc. Any one is fine as long as it is available.
（発明の効果）
以上のように本発明によれば、予め定められた入力電圧
より高い異なる電圧が鱈って入力電源ラインに印加され
ても自動的にすぐ電源ラインの入力側と負荷側とを遮断
し、半導体製造装置を損傷等から保護する効果がある。(Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, even if a different voltage higher than a predetermined input voltage is accidentally applied to the input power line, the input side and load side of the power line are automatically connected immediately. This has the effect of blocking semiconductor manufacturing equipment from damage and the like.
第１図は本発明の一実施例を説明する為の説明図、第２
図は塗布装置のレイアウト図、第３図は他の実施例の説
明図である。
２１８１入力電Ｒ’４子 ２２．、リレー２３１．接
点スイッチ ２４゜
２５６．ブレーカ−２６゜
２７０．出力電Ｒ電圧Figure 1 is an explanatory diagram for explaining one embodiment of the present invention, Figure 2 is an explanatory diagram for explaining one embodiment of the present invention.
The figure is a layout diagram of the coating device, and FIG. 3 is an explanatory diagram of another embodiment. 2181 input power R' 4 children 22. , relay 231. Contact switch 24°256. Breaker-26°270. Output voltage R voltage
Claims (1)
造装置に於て、予め定められた入力電圧より高く異なる
入力電圧が装置に印加されたときこの入力電圧を検知す
る入力電圧検知手段と、この入力電圧検知手段の出力に
より自動的に入力電圧印加回路を遮断する遮断手段とを
具備したことを特徴とする半導体製造装置。In semiconductor manufacturing equipment that requires a plurality of input power sources with different operating voltages, an input voltage detection means for detecting an input voltage when a different input voltage higher than a predetermined input voltage is applied to the equipment; What is claimed is: 1. A semiconductor manufacturing apparatus comprising a cutoff means for automatically cutting off an input voltage application circuit according to an output of the input voltage detection means.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30857588A JPH02155418A (en) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | Semiconductor-manufacturing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30857588A JPH02155418A (en) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | Semiconductor-manufacturing apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02155418A true JPH02155418A (en) | 1990-06-14 |
Family
ID=17982681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30857588A Pending JPH02155418A (en) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | Semiconductor-manufacturing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02155418A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6028755A (en) * | 1995-08-11 | 2000-02-22 | Fujitsu Limited | DC-to-DC converter capable of preventing overvoltages |
-
1988
- 1988-12-06 JP JP30857588A patent/JPH02155418A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6028755A (en) * | 1995-08-11 | 2000-02-22 | Fujitsu Limited | DC-to-DC converter capable of preventing overvoltages |
| US6046896A (en) * | 1995-08-11 | 2000-04-04 | Fijitsu Limited | DC-to-DC converter capable of preventing overvoltage |
| US6204648B1 (en) | 1995-08-11 | 2001-03-20 | Fujitsu Limited | DC-to-DC converter capable of preventing overvoltage |
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