JPH02155155A - アライメント用位置合わせマーク - Google Patents
アライメント用位置合わせマークInfo
- Publication number
- JPH02155155A JPH02155155A JP63307824A JP30782488A JPH02155155A JP H02155155 A JPH02155155 A JP H02155155A JP 63307824 A JP63307824 A JP 63307824A JP 30782488 A JP30782488 A JP 30782488A JP H02155155 A JPH02155155 A JP H02155155A
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- JP
- Japan
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- mark
- wafer
- alignment
- marks
- orientation flat
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 34
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子線等の荷電粒子線を用い、半導体ウェハ
上に２層以上の描画パターンを形成していく際に使用さ
れる位置合わせマークに係り、特に大気中でカセットに
ウェハを固定する際の回転調整をし易くするために好適
なアライメントマークの構造に関する。
上に２層以上の描画パターンを形成していく際に使用さ
れる位置合わせマークに係り、特に大気中でカセットに
ウェハを固定する際の回転調整をし易くするために好適
なアライメントマークの構造に関する。
半導体ウェハ上にＬＳＩ等の複雑な素子を製作する場合
、種々の物質を精度良く虫ねて加工していくためにはリ
ンクラフィニ［桿が不可欠である。
、種々の物質を精度良く虫ねて加工していくためにはリ
ンクラフィニ［桿が不可欠である。
特に、高い層聞合わせ精度が要求される場合には、を子
線等を用い、該電子線とウェハＬｌ■の相対的位置関係
を正しく安定に維持していく必要がある。
線等を用い、該電子線とウェハＬｌ■の相対的位置関係
を正しく安定に維持していく必要がある。
そこで、電子線とウェハ間の位置関係を知るには、ウェ
ハ上の所定の位置に予め設けた幾つかの基準マーク上を
該電子線で走査することにより行う。第３図はその概略
を表わしたもので、同図（ａ）のウェハ１上には描画領
域２内に格子−［−に配列したチップマークｎとウェハ
両端部のアライメントマークＡ１〜Ａ６及び８１〜Ｂ６
（マーク間隔は数ｎ＋ｍ程度）が加工して配置される。
ハ上の所定の位置に予め設けた幾つかの基準マーク上を
該電子線で走査することにより行う。第３図はその概略
を表わしたもので、同図（ａ）のウェハ１上には描画領
域２内に格子−［−に配列したチップマークｎとウェハ
両端部のアライメントマークＡ１〜Ａ６及び８１〜Ｂ６
（マーク間隔は数ｎ＋ｍ程度）が加工して配置される。
これらは、いずれも、ウェハオリフラＨに対して垂直か
平行に配列される。該アライメントマークのΔ群及びＢ
群の個数は、Ｌ Ｓ ＩチップＣを完成に至らしめろリ
ンクラフイエ程数分が最低あれば良い。
平行に配列される。該アライメントマークのΔ群及びＢ
群の個数は、Ｌ Ｓ ＩチップＣを完成に至らしめろリ
ンクラフイエ程数分が最低あれば良い。
同図（ｂ）はアライラン１−マークＡ１等の拡大図であ
る。チップマークｎもこれと相似形で、その大きさしは
チップ用で約５０μｍ、アライメントマーク用で０．５
〜１．Ｏｔａｍ程度である。マーク形状としてはＬ字型
や十字型が多く用いられるが。
る。チップマークｎもこれと相似形で、その大きさしは
チップ用で約５０μｍ、アライメントマーク用で０．５
〜１．Ｏｔａｍ程度である。マーク形状としてはＬ字型
や十字型が多く用いられるが。
図（ｂ）は井桁形状の例である。この井桁は同図（ｂ）
の下部に示す如く、ウェハ１の表ｉ′／Ｉ丁を１μｍ程
度エツチング加工して製作する。電子線走査によるマー
ク検出で該アライメントマークＡの中心座４’４ （Ｍ
ｘ ＋ Ｍ ｙ ）を求めるには５Ｍ中のＱｌ、Ｑ２
の様に電子線（図示なし）を走査して縦１．横ｍのエッ
ヂｘ１〜ｘ４と３／ １ ”’ ｙ４のそれぞれから得
られる反射電子信号を検出し、計算機処ｔａｌ！Ｌ／て
算出する。この様に１円滑なマーク検出を行うには、ウ
ェハ上のマーク平行度が試料載置用移動ステージ軸に対
して許容誤差範囲内になるように予め回転調整しておく
ことが必要である（プリアライメント）。
の下部に示す如く、ウェハ１の表ｉ′／Ｉ丁を１μｍ程
度エツチング加工して製作する。電子線走査によるマー
ク検出で該アライメントマークＡの中心座４’４ （Ｍ
ｘ ＋ Ｍ ｙ ）を求めるには５Ｍ中のＱｌ、Ｑ２
の様に電子線（図示なし）を走査して縦１．横ｍのエッ
ヂｘ１〜ｘ４と３／ １ ”’ ｙ４のそれぞれから得
られる反射電子信号を検出し、計算機処ｔａｌ！Ｌ／て
算出する。この様に１円滑なマーク検出を行うには、ウ
ェハ上のマーク平行度が試料載置用移動ステージ軸に対
して許容誤差範囲内になるように予め回転調整しておく
ことが必要である（プリアライメント）。
そこで、第３図（ａ）のアライメントマークＡ群または
Ｂ群に関し、従来から次の様な問題があった。第３図（
ａ）のアライメントマークＡ１〜Ａ６及び８１〜Ｂ６は
、一般に、どれも全く同じ形状・寸法で製作されてきた
（例えば、特開昭５６−２７９２７号公報参照）。これ
らのマークは、本来。
Ｂ群に関し、従来から次の様な問題があった。第３図（
ａ）のアライメントマークＡ１〜Ａ６及び８１〜Ｂ６は
、一般に、どれも全く同じ形状・寸法で製作されてきた
（例えば、特開昭５６−２７９２７号公報参照）。これ
らのマークは、本来。
同図（ａ）のＬＳＩチップＣの４隅のマークｎを検出し
ながら東ねあわせ描画を行う際、オリフラＨに対する２
次元的位置の決定、及び試料移動ステージ（第５［ｇ
（ａ）参照）の軸に対するウェハ１全体の回転誤差斌を
補正するために用いろ。それは、描画直前に比較的大開
戦のアライメントマークＡ１とＢ１．（あるいは、Ａ２
と８２．・・・）をマーク検出することにより、電子線
（図示なし）とウェハ１間の位置関係を正しく把握する
ことに供される。実際のウェハ１は第５図（ａ）の如く
真空雰囲気中に実装される６第５図（ａ）のウェハ１の
ｘ’−ｙ’軸及びカセットのｘ−ｙ軸は、共に、試料載
置用移動ステージ８に固定されたレーザーミラー９のＸ
−Ｙ軸に対して平行に固定する必要がある。また、第５
図（ａ）で１位置決め用固定ビン１０はカセット３の平
行合わせ用ガイドである。そこでカセッ１へに対しウェ
ハを固定する時はまず人気中にて行うが、現実にはここ
で大きな回転ずれを伴う。第４図はその様子を説明する
ものである。同図（ａ）のカセット３には、ウェハ１を
その裏側から仮固定する。その時、カセット３の辺方向
に相当するｘ−ｙＩＩｉｌ！ｌに対して、アライメント
マークＡ群及びＢ群はそのオリフラＨと一体に図では左
回転している。なお、カセット３には真空部への着脱用
溝５が設けられている。
ながら東ねあわせ描画を行う際、オリフラＨに対する２
次元的位置の決定、及び試料移動ステージ（第５［ｇ
（ａ）参照）の軸に対するウェハ１全体の回転誤差斌を
補正するために用いろ。それは、描画直前に比較的大開
戦のアライメントマークＡ１とＢ１．（あるいは、Ａ２
と８２．・・・）をマーク検出することにより、電子線
（図示なし）とウェハ１間の位置関係を正しく把握する
ことに供される。実際のウェハ１は第５図（ａ）の如く
真空雰囲気中に実装される６第５図（ａ）のウェハ１の
ｘ’−ｙ’軸及びカセットのｘ−ｙ軸は、共に、試料載
置用移動ステージ８に固定されたレーザーミラー９のＸ
−Ｙ軸に対して平行に固定する必要がある。また、第５
図（ａ）で１位置決め用固定ビン１０はカセット３の平
行合わせ用ガイドである。そこでカセッ１へに対しウェ
ハを固定する時はまず人気中にて行うが、現実にはここ
で大きな回転ずれを伴う。第４図はその様子を説明する
ものである。同図（ａ）のカセット３には、ウェハ１を
その裏側から仮固定する。その時、カセット３の辺方向
に相当するｘ−ｙＩＩｉｌ！ｌに対して、アライメント
マークＡ群及びＢ群はそのオリフラＨと一体に図では左
回転している。なお、カセット３には真空部への着脱用
溝５が設けられている。
ここで、ウェハ１の円周はカセット開Ｌ」部４より大Ｌ
ｉ径のため、オリフラＨは点線の如く上からは見えない
。第４図（ａ）の状態の場合、同図（ｂ）の如くブリア
ライナ−の双眼顕微８１（図示なし）を介してＴＶモニ
ター６の画面中の視野境界ｍ７に対して、左側にマーク
Ａ３が、右側にマークＢ４がそれぞれ傾いてＷ＋祭され
る。なお、顕微鏡の方向性は前もって、レーザーミラー
９のＸ−Ｙ軸に合うよう調整しである。プリアライメン
トは。
ｉ径のため、オリフラＨは点線の如く上からは見えない
。第４図（ａ）の状態の場合、同図（ｂ）の如くブリア
ライナ−の双眼顕微８１（図示なし）を介してＴＶモニ
ター６の画面中の視野境界ｍ７に対して、左側にマーク
Ａ３が、右側にマークＢ４がそれぞれ傾いてＷ＋祭され
る。なお、顕微鏡の方向性は前もって、レーザーミラー
９のＸ−Ｙ軸に合うよう調整しである。プリアライメン
トは。
画面のＯＬと０２位置にそれぞれマークＡ３とＦ３３（
あるいは、マークＡ４と８４）の両端の平行なマーク同
志を合わせる必要がある（第５図（ｂ）の如く）、とこ
ろが現実には、プリアライメントずろオペレーターにと
っては左右上下のマークが全く同一形状であるため、モ
ニター６の左画面がマーク八３で右画面がマークＢ３で
あるという保証が得られない、つまり、左右のマークに
は、オリフラ■ｔに対する文字や記号等の位置を識別で
きる記号が全熱ないからである。この様な現象はウェハ
が大目径であるほど両端での回転角は微小であり、誤解
を生じ易い。また普段、上記の調整は遠隔操作のため、
マーク位置の確認にはアライナ−装置とＴＶモニター間
を何度も往復せねばならず、作業能率が悪い。一方、マ
ーク位置の識別を容易にするため顕微鏡の倍率を下げる
と、プリアライメントの調整精度が低下すると言った問
題が生じてくる。
あるいは、マークＡ４と８４）の両端の平行なマーク同
志を合わせる必要がある（第５図（ｂ）の如く）、とこ
ろが現実には、プリアライメントずろオペレーターにと
っては左右上下のマークが全く同一形状であるため、モ
ニター６の左画面がマーク八３で右画面がマークＢ３で
あるという保証が得られない、つまり、左右のマークに
は、オリフラ■ｔに対する文字や記号等の位置を識別で
きる記号が全熱ないからである。この様な現象はウェハ
が大目径であるほど両端での回転角は微小であり、誤解
を生じ易い。また普段、上記の調整は遠隔操作のため、
マーク位置の確認にはアライナ−装置とＴＶモニター間
を何度も往復せねばならず、作業能率が悪い。一方、マ
ーク位置の識別を容易にするため顕微鏡の倍率を下げる
と、プリアライメントの調整精度が低下すると言った問
題が生じてくる。
上記従来技術はプリアライメント調整の段階でウェハが
カセットに対して初期の回転ずれを生じている場合、該
ウェハ両端部のマーク群はどれも全く同じ形状であるた
め、オリフラからの幾何学的位置が短ａ、νｌｆｆ＋で
確認しｌｒ′！１転調整できなかった。
カセットに対して初期の回転ずれを生じている場合、該
ウェハ両端部のマーク群はどれも全く同じ形状であるた
め、オリフラからの幾何学的位置が短ａ、νｌｆｆ＋で
確認しｌｒ′！１転調整できなかった。
本発明の目的は、この様な場合にも、プリアライナ−の
モニター上でオリフラに対するウェハ両端部の各マーク
位置を容易に確認でき、迅速な回転調整を可能とするこ
とである。
モニター上でオリフラに対するウェハ両端部の各マーク
位置を容易に確認でき、迅速な回転調整を可能とするこ
とである。
上記目的は、該ウェハ両端部の全く同一形状の各アライ
メントマーク群に、ウェハのオリフラに対する２次元的
位置を識別で゛きる特定マークを該母体のアライメント
マークの近傍に新たに付加することによって、達成され
ろ。
メントマーク群に、ウェハのオリフラに対する２次元的
位置を識別で゛きる特定マークを該母体のアライメント
マークの近傍に新たに付加することによって、達成され
ろ。
本発明によるウェハ両端部のマーク群は、オリフラに対
して常に平行（又は、Ｍ（直）となる左右マーク同志に
、同じ特定マークを製作して付加する。それ故、該マー
クの近隣のマークには別の特定マークを付すこととなる
。従って、ウェハがどんなに初期の回転をしていようと
、ＴＶモニターＦに映しだされる左右のアライメントマ
ークはそれぞれオリフラに対し何番［１のマークである
かが一目１Ｉ１２然にわかる。オペレーターは５この左
右マークの特定記号を確認できれば一意的にウェハの回
転方向をも察知し調整すればよい訳で、短時間で合理的
なプリアライメント調整が行える。
して常に平行（又は、Ｍ（直）となる左右マーク同志に
、同じ特定マークを製作して付加する。それ故、該マー
クの近隣のマークには別の特定マークを付すこととなる
。従って、ウェハがどんなに初期の回転をしていようと
、ＴＶモニターＦに映しだされる左右のアライメントマ
ークはそれぞれオリフラに対し何番［１のマークである
かが一目１Ｉ１２然にわかる。オペレーターは５この左
右マークの特定記号を確認できれば一意的にウェハの回
転方向をも察知し調整すればよい訳で、短時間で合理的
なプリアライメント調整が行える。
以下、本発明の実施例を第１図及び第２図により説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を示したもので、同図（ａ）
のアライメントマークＡ′の外形寸法は前記第３図（ｂ
）と同じである。ウェハのオリフラに対する各アライメ
ントマークの２次元的配置の識別は、図中の小さな破Ｍ
ＰあるいはＰ′領開戦どの母体マークＡ′の近傍に第１
図（ｂ）〜（ｆ）等の識別可能な特定マークを各アライ
メントマーク毎に順次付加して配置する。この製作方法
は、該母体マークＡ′と同時にウェハ表面をエツチング
加工してつくる。同図（ｂ）〜（ｆ）の例の識別用マー
クは形状及び大きさは任意であるが、本例では２〜Ｊ、
Ｏμｍ角程度である。ここで。
のアライメントマークＡ′の外形寸法は前記第３図（ｂ
）と同じである。ウェハのオリフラに対する各アライメ
ントマークの２次元的配置の識別は、図中の小さな破Ｍ
ＰあるいはＰ′領開戦どの母体マークＡ′の近傍に第１
図（ｂ）〜（ｆ）等の識別可能な特定マークを各アライ
メントマーク毎に順次付加して配置する。この製作方法
は、該母体マークＡ′と同時にウェハ表面をエツチング
加工してつくる。同図（ｂ）〜（ｆ）の例の識別用マー
クは形状及び大きさは任意であるが、本例では２〜Ｊ、
Ｏμｍ角程度である。ここで。
第１図（、）のＥ及びＦ領域はマークのエシヂｘ１〜ｘ
４とｙ１〜ｙ４を電子線で走査するため、上述の付加す
るマークのＩ〕、Ｐ′領域設置は避けた法が良い。この
様な模様付きのマークがあれば、プリアライメント時に
カセットに対してウェハが但１転ずれしていても、ＴＶ
モニターの左右マークの模様を見て、オペレーターは何
番目のマークがどちらの方向へ回転しているかが−［１
瞭然に（１１１解できる。従って、アライメント調整も
迅速にできる。なお、第１図（ａ）のｐ、ｐ’領開戦、
本アライメントマークＡ′の近傍であれば良く、これに
限ったものではない。
４とｙ１〜ｙ４を電子線で走査するため、上述の付加す
るマークのＩ〕、Ｐ′領域設置は避けた法が良い。この
様な模様付きのマークがあれば、プリアライメント時に
カセットに対してウェハが但１転ずれしていても、ＴＶ
モニターの左右マークの模様を見て、オペレーターは何
番目のマークがどちらの方向へ回転しているかが−［１
瞭然に（１１１解できる。従って、アライメント調整も
迅速にできる。なお、第１図（ａ）のｐ、ｐ’領開戦、
本アライメントマークＡ′の近傍であれば良く、これに
限ったものではない。
第２図は２本発明の第２の実施例である。この％ 合に
は、第１図（ａ）のアライメントマークＡ′の上方の端
部を、第２図（、）〜＜ａ＞の如く変形して加」ニジウ
ェハオリフラに対して識別可能にした例である。このア
ライメントマークＡ′は、第１図（ａ）のマークＡ′の
エッチ間隔に制約がある場合に適用したものである。
は、第１図（ａ）のアライメントマークＡ′の上方の端
部を、第２図（、）〜＜ａ＞の如く変形して加」ニジウ
ェハオリフラに対して識別可能にした例である。このア
ライメントマークＡ′は、第１図（ａ）のマークＡ′の
エッチ間隔に制約がある場合に適用したものである。
以上１本発明によれば、ウェハ上の両端部のアライメン
トークークを用いてブリアライメン１へを行う時、該母
体のマークの一部または近傍に別の識別マークを新たに
付加することによりオリフラに対ずろ２次元的配置が明
確となるので、カセットに対するウェハの回転情報が素
早く得られ、迅速な回転、ｉｌ＋１整が可能となる。ま
た、描画装置内の１゛（空宥囲気中でＳＥＭＩ−１察等
によりマークの座標確認を行う時、識別記号があるので
非常に理解し易い等の効果がある。
トークークを用いてブリアライメン１へを行う時、該母
体のマークの一部または近傍に別の識別マークを新たに
付加することによりオリフラに対ずろ２次元的配置が明
確となるので、カセットに対するウェハの回転情報が素
早く得られ、迅速な回転、ｉｌ＋１整が可能となる。ま
た、描画装置内の１゛（空宥囲気中でＳＥＭＩ−１察等
によりマークの座標確認を行う時、識別記号があるので
非常に理解し易い等の効果がある。
第り図および第２図はそれぞれ本発明の一実施例の説明
図であり、第Ｅ１図、第４図および第５図は従来の技術
を説明するための図である。 １・・・ウェハ、３・・・カセット、６・・・１゛ｖモ
ニター８・・・試料載＋Ｘ用移動ステージ、９・・・レ
ーザーミラー １０・・・位置決め用固定ビン、Ａ、Ａ
’ 、Ａ’Ａ１〜八６．８１〜Ｂ６・・・アライメント
マーク。 ｆｌ・・・ウェハオリフラ、ｎ・・・チップマーク、Ｐ
、Ｐ′ ・・・識別マーク配↑α領域。 葛 図 晃 回
図であり、第Ｅ１図、第４図および第５図は従来の技術
を説明するための図である。 １・・・ウェハ、３・・・カセット、６・・・１゛ｖモ
ニター８・・・試料載＋Ｘ用移動ステージ、９・・・レ
ーザーミラー １０・・・位置決め用固定ビン、Ａ、Ａ
’ 、Ａ’Ａ１〜八６．８１〜Ｂ６・・・アライメント
マーク。 ｆｌ・・・ウェハオリフラ、ｎ・・・チップマーク、Ｐ
、Ｐ′ ・・・識別マーク配↑α領域。 葛 図 晃 回
Claims (1)
- １、２層以上の重ね合わせにより製造される半導体素子
のリソグラフィ工程に用いられる位置合わせ用基準マー
クに於いて、該リソグラフィ工程に使用される半導体ウ
ェハ上の一部に設けられた同一形状の複数のアライメン
ト用位置合わせマークの一部又は近傍に、該ウェハのオ
リフラに対する２次元的位置及び平行性（または垂直性
）を容易に識別ならしめるマークを新たに付加したこと
を特徴とするアライメント用位置合わせマーク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63307824A JPH02155155A (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | アライメント用位置合わせマーク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63307824A JPH02155155A (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | アライメント用位置合わせマーク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02155155A true JPH02155155A (ja) | 1990-06-14 |
Family
ID=17973649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63307824A Pending JPH02155155A (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | アライメント用位置合わせマーク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02155155A (ja) |
-
1988
- 1988-12-07 JP JP63307824A patent/JPH02155155A/ja active Pending
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