JPH02149770U - - Google Patents
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- JPH02149770U JPH02149770U JP5730989U JP5730989U JPH02149770U JP H02149770 U JPH02149770 U JP H02149770U JP 5730989 U JP5730989 U JP 5730989U JP 5730989 U JP5730989 U JP 5730989U JP H02149770 U JPH02149770 U JP H02149770U
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- JP
- Japan
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- thin film
- diamond thin
- fire
- atmosphere
- ports
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- Pending
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- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
第１図は本実施例の発明図、第２図は他の実施
例の説明図、第３図は火炎の説明図、第４図ａ〜
ｄは従来のトーチの説明図である。 Ａ，Ｂ……ガスバーナー、１ａ，１ｂ……４火
口、３……Ｏ２及びＣ２Ｈ２の供給口。
例の説明図、第３図は火炎の説明図、第４図ａ〜
ｄは従来のトーチの説明図である。 Ａ，Ｂ……ガスバーナー、１ａ，１ｂ……４火
口、３……Ｏ２及びＣ２Ｈ２の供給口。
Claims (1)
- Ｃ２Ｈ２の火災を使用して、大気中にてガスバ
ーナーにて金属又はシリコンよりなる基板の表面
にダイヤモンドの薄膜を形成する装置に於いて、
前記ガスバーナーの火炎口を並列に配置し、かつ
Ｏ２及びＣ２Ｈ２の供給口を設けたダイヤモンド
薄膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5730989U JPH02149770U (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5730989U JPH02149770U (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02149770U true JPH02149770U (ja) | 1990-12-21 |
Family
ID=31581896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5730989U Pending JPH02149770U (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02149770U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009227552A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Akita Univ | 高純度アセチレンガスを用いた燃焼炎法によるダイヤモンド皮膜合成方法 |
-
1989
- 1989-05-18 JP JP5730989U patent/JPH02149770U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009227552A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Akita Univ | 高純度アセチレンガスを用いた燃焼炎法によるダイヤモンド皮膜合成方法 |
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