JPH02148699A - 高中性子束中性子管 - Google Patents
高中性子束中性子管Info
- Publication number
- JPH02148699A JPH02148699A JP1260307A JP26030789A JPH02148699A JP H02148699 A JPH02148699 A JP H02148699A JP 1260307 A JP1260307 A JP 1260307A JP 26030789 A JP26030789 A JP 26030789A JP H02148699 A JPH02148699 A JP H02148699A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- ion
- anode
- ion source
- neutron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000004907 flux Effects 0.000 title claims description 9
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 7
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 9
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910052722 tritium Inorganic materials 0.000 description 3
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical group [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000516 activation analysis Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005025 nuclear technology Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H3/00—Production or acceleration of neutral particle beams, e.g. molecular or atomic beams
- H05H3/06—Generating neutron beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/04—Ion sources; Ion guns using reflex discharge, e.g. Penning ion sources
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は陽極および陰極を具え磁界発生手段によって発
生すべき磁界により案内すべきイオン化ガスを形成して
核融合反応を発生して中性子を放出する抽出および加速
装置によりターゲット電極に照射すべき高−エネルギー
イオンビームを発生するようにしたイオン源を有する高
中性子束中性子管に関するものである。
生すべき磁界により案内すべきイオン化ガスを形成して
核融合反応を発生して中性子を放出する抽出および加速
装置によりターゲット電極に照射すべき高−エネルギー
イオンビームを発生するようにしたイオン源を有する高
中性子束中性子管に関するものである。
（従来の技術）
この種の高中性子束中性子管は高速中性子、熱中性子、
エビサーマル中性子および冷中性子によって物質を検査
する技術：ニュートロノグラフィ、放射化分析、中性子
の非弾性拡散または放射性捕捉、中性子の拡散のスペク
トル分析等によってに用いるようにしている。
エビサーマル中性子および冷中性子によって物質を検査
する技術：ニュートロノグラフィ、放射化分析、中性子
の非弾性拡散または放射性捕捉、中性子の拡散のスペク
トル分析等によってに用いるようにしている。
これら核技術をできるだけ有効に用いるためには、対応
する放出レベルに対し管方向を長くする必要がある。
する放出レベルに対し管方向を長くする必要がある。
１４Ｍｅｖの中性子を供給する核融合反応ｄ （３１１
，４１１ｅ）ｎは最も普通に用いられている。その理由
は、比較的低いイオンエネルギーに対する有効断面が大
きいからである。しかし、使用する反応に関係なく、ビ
ームの単位電荷光たり得られる中性子の数は、厚いター
ゲットに指向されたイオンエネルギーの増大に比例して
、即ち、主として現在用いられ、２５０ｋＶ以下の高電
圧が供給される密封管で得られるイオンエネルギー以上
の増大に比例して増大するのが普通である。
，４１１ｅ）ｎは最も普通に用いられている。その理由
は、比較的低いイオンエネルギーに対する有効断面が大
きいからである。しかし、使用する反応に関係なく、ビ
ームの単位電荷光たり得られる中性子の数は、厚いター
ゲットに指向されたイオンエネルギーの増大に比例して
、即ち、主として現在用いられ、２５０ｋＶ以下の高電
圧が供給される密封管で得られるイオンエネルギー以上
の増大に比例して増大するのが普通である。
（発明が解決しようとする課題）
イオン衝撃によりターゲットが侵食することは中性子管
の有効ソＦ命を制限する主ファクタの１つである。
の有効ソＦ命を制限する主ファクタの１つである。
この侵食はターゲットの化学的特性および構成の関数で
あり、かつ、衝撃表面の入射イオンエネルギーおよびそ
の密度分布プロフィールの関数である。
あり、かつ、衝撃表面の入射イオンエネルギーおよびそ
の密度分布プロフィールの関数である。
はとんどの場合、このターゲットは機械的強度にほとん
ど影響を与えることなく、多聞の水素を結合およびｌ離
し得る水素化物（チタニウム、スカンジウム、ジルコニ
ウム、エルビウム、等）によって形成され、その総含量
束縛はターゲットの温度の関数および管内の水素圧の関
数である。使用するターゲット材料は、その厚さが層の
基板への接着により課せられる問題によって制限される
薄層の形態に堆積される。例えばターゲットの侵食を阻
止する方法の１つは拡散障壁により互いに分離された同
一層の堆積として吸収・活性層を構成する必要があるこ
とである。この活性層の厚さはターゲットを衝撃するシ
ュウトリウムイオンの浸透深さ程度である。
ど影響を与えることなく、多聞の水素を結合およびｌ離
し得る水素化物（チタニウム、スカンジウム、ジルコニ
ウム、エルビウム、等）によって形成され、その総含量
束縛はターゲットの温度の関数および管内の水素圧の関
数である。使用するターゲット材料は、その厚さが層の
基板への接着により課せられる問題によって制限される
薄層の形態に堆積される。例えばターゲットの侵食を阻
止する方法の１つは拡散障壁により互いに分離された同
一層の堆積として吸収・活性層を構成する必要があるこ
とである。この活性層の厚さはターゲットを衝撃するシ
ュウトリウムイオンの浸透深さ程度である。
中性子管のターゲットを保護し、従って管の寿命を増大
する他の方法はイオンビームの衝撃表面における密度分
布の輪郭を改善することである。
する他の方法はイオンビームの衝撃表面における密度分
布の輪郭を改善することである。
ターゲット電極の全イオン電流を一定にして中性子放出
を一定とするためには、イオン衝撃に曝される全ターゲ
ット表面に対する電流密度分布をできるだけ均一にする
ことである。
を一定とするためには、イオン衝撃に曝される全ターゲ
ット表面に対する電流密度分布をできるだけ均一にする
ことである。
密封中性子管では、イオンは一般にペニング型のイオン
源によって供給され、この型のイオン源は、著しい利点
を有し、冷陰極（従って長寿命）を有し、低圧の大きな
放電電流（ＩＯＡ／）ル）を供給し、抽出量が太きく（
２０〜４０％）、寸法が小さい。
源によって供給され、この型のイオン源は、著しい利点
を有し、冷陰極（従って長寿命）を有し、低圧の大きな
放電電流（ＩＯＡ／）ル）を供給し、抽出量が太きく（
２０〜４０％）、寸法が小さい。
しかし、この型のイオン源は千ガウス程度のルｆｌ界を
用いる必要があり、放電内でイオン放出領域のレベルで
イオン電流密封を均一としなくなる。
用いる必要があり、放電内でイオン放出領域のレベルで
イオン電流密封を均一としなくなる。
本発明は既知のペニング管の構成を変更することにより
放出レベルでイオン電流密封を均一にし得るようにした
上述した種頬の高中性子束中性子管を提供することを目
的とする。
放出レベルでイオン電流密封を均一にし得るようにした
上述した種頬の高中性子束中性子管を提供することを目
的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は陽極および陰極を具え磁界発生手段によって発
生すべき磁界により案内すべきイオン化ガスを形成して
核融合反応を発生して中性子を放出する抽出および加速
装置によりターゲット電極に照射すべき高−エネルギー
イオンビームを発生するようにしたイオン源を有する高
中性子束中性子管において、前記磁界の発散を、前記磁
界発生手段によってイオン放出領域の方向に増大し、放
電のイオン化電極の確立の変更および発生するイオン化
を前記イオン源の形状および／または寸法および／また
は適応位置によって補償するようにしたことを特徴とす
る。
生すべき磁界により案内すべきイオン化ガスを形成して
核融合反応を発生して中性子を放出する抽出および加速
装置によりターゲット電極に照射すべき高−エネルギー
イオンビームを発生するようにしたイオン源を有する高
中性子束中性子管において、前記磁界の発散を、前記磁
界発生手段によってイオン放出領域の方向に増大し、放
電のイオン化電極の確立の変更および発生するイオン化
を前記イオン源の形状および／または寸法および／また
は適応位置によって補償するようにしたことを特徴とす
る。
本発明の実施に当たり、前記陽極は崔頭形状とし、その
最大直径を低磁界値の側に位置させて磁力線の形状を考
慮し得るようにする。
最大直径を低磁界値の側に位置させて磁力線の形状を考
慮し得るようにする。
また、本発明の他の好適な例では前記円形磁界の高さを
低減し、この陽極を強力磁界領域内で前記陰極に最も近
付けて位置させるようにする。
低減し、この陽極を強力磁界領域内で前記陰極に最も近
付けて位置させるようにする。
（実施例）
図面につき本発明の詳細な説明する。
第１図は密閉型中性子管１１の基本構成素子を示す。
この中性子管はこれにイオン化すべき低圧ガス混合物、
例えば、シュウトリウム−トリチウムを封入するととも
にイオン源１および加速電極２を具え、これらの間に極
めて高い電位差を生ぜしめ、これによりイオンビーム３
の抽出および加速並びにターゲット４への照射を行って
、核融合反応を生ぜしめ、例えば、１４ＭｅＶの中性子
を放出せしめるようにする。
例えば、シュウトリウム−トリチウムを封入するととも
にイオン源１および加速電極２を具え、これらの間に極
めて高い電位差を生ぜしめ、これによりイオンビーム３
の抽出および加速並びにターゲット４への照射を行って
、核融合反応を生ぜしめ、例えば、１４ＭｅＶの中性子
を放出せしめるようにする。
イオン源１は高電圧電源コネクタ（図示せず）の絶縁体
５と一体に構成し、例えば円筒形の陽極６と、イオン化
ガス９を陽極円筒の軸線近くに規制し、かつ、その磁力
線１０が所定のごとく広がる軸線方向の磁界を有する何
１石８を内蔵する陰極構体７とにより構成されるペニン
グ型のイオン源とする。イオン放出チャネル１２は前記
陰極構体内において前記陽極に対向するように形成する
。
５と一体に構成し、例えば円筒形の陽極６と、イオン化
ガス９を陽極円筒の軸線近くに規制し、かつ、その磁力
線１０が所定のごとく広がる軸線方向の磁界を有する何
１石８を内蔵する陰極構体７とにより構成されるペニン
グ型のイオン源とする。イオン放出チャネル１２は前記
陰極構体内において前記陽極に対向するように形成する
。
第２図はターゲットの侵食の影響を示す。
第２ａ図にはターゲットの表面のビームの中心軸のビー
ム衝撃点０から出発する任意の半径方向Ｏｒにおけるイ
オン衝撃の密度分布の輪郭Ｊを示す。この輪郭Ｊの形状
は中央部分の極めて高い密度が周辺に向かって急速に減
少するビームの不均一特性を示す。
ム衝撃点０から出発する任意の半径方向Ｏｒにおけるイ
オン衝撃の密度分布の輪郭Ｊを示す。この輪郭Ｊの形状
は中央部分の極めて高い密度が周辺に向かって急速に減
少するビームの不均一特性を示す。
第２ｂ図は上記侵食を衝撃密度と、基板Ｓに堆積された
厚さＣの水素化物層全体がシュウトリウム−トリチウム
混合物で飽和されたものとの関数として示す。破線で示
すエネルギー的なシュウトリウム−トリチウムイオンの
浸透深さはこのエネルギーの関数として深さ１１に等し
い。
厚さＣの水素化物層全体がシュウトリウム−トリチウム
混合物で飽和されたものとの関数として示す。破線で示
すエネルギー的なシュウトリウム−トリチウムイオンの
浸透深さはこのエネルギーの関数として深さ１１に等し
い。
第２Ｃ図において、この層の侵食を適宜定めて浸透深さ
１！が最も強く衝撃された領域の厚さｅよりも深くなる
ようにする。即ち、入射イオンの１部分が基板内で伝搬
するとともに シュウトリウムおよびトリチウム原子が極めて迅速に過
飽和となるようにする。
１！が最も強く衝撃された領域の厚さｅよりも深くなる
ようにする。即ち、入射イオンの１部分が基板内で伝搬
するとともに シュウトリウムおよびトリチウム原子が極めて迅速に過
飽和となるようにする。
第２ｄ図ではこのシュウトリウム−トリチウム原子が捕
集されてバブルを形成し、これによりバースト中クレー
タを形成し、深さＩ、でターゲットの侵食を極めて迅速
に増大する。
集されてバブルを形成し、これによりバースト中クレー
タを形成し、深さＩ、でターゲットの侵食を極めて迅速
に増大する。
後者の処理によれば管の寿命の終了直前まで継続し、バ
ブルのバーストによる微小粒子の存在によりブレークダ
ウンが著しく増大するか、または、入射イオンのエネル
ギーを吸収する微粉原子によるターゲット表面の汚染を
生じるようになる。
ブルのバーストによる微小粒子の存在によりブレークダ
ウンが著しく増大するか、または、入射イオンのエネル
ギーを吸収する微粉原子によるターゲット表面の汚染を
生じるようになる。
第１図に示すペニング型イオン源ｌでは、円筒形陽極６
を例えば２５０ｋｖの極めて高い電圧に接続する陰極７
によってもたらされる電位よりも高いほぼ４にνの電位
に接続する。
を例えば２５０ｋｖの極めて高い電圧に接続する陰極７
によってもたらされる電位よりも高いほぼ４にνの電位
に接続する。
磁石系８によって千ガウス程度の強いもｎ界を発生させ
る。
る。
このＬｉｌ界によってシュウトリウムおよびトリチウム
のガス混合物のイオン化により陽極内に形成される電荷
が横方向に移動するのを制限する。これがためこのイオ
ン化ガスは陽極の軸線近くに規制されこの軸線に沿い著
しく高い密度となる。これがため、この放電内を不均一
にする。
のガス混合物のイオン化により陽極内に形成される電荷
が横方向に移動するのを制限する。これがためこのイオ
ン化ガスは陽極の軸線近くに規制されこの軸線に沿い著
しく高い密度となる。これがため、この放電内を不均一
にする。
これらイオンは陰極に形成される放出チャネル１２から
抽出し、従って接地電位０の点に接続され、ターゲット
電極４をも接続する加速電極２によって放出電極として
作用する。
抽出し、従って接地電位０の点に接続され、ターゲット
電極４をも接続する加速電極２によって放出電極として
作用する。
イオン抽出のレベルでは、イオン化ガスの不均一はビー
ムの周縁よりも軸線で一層著しくなる。
ムの周縁よりも軸線で一層著しくなる。
これがため、この型の不均一によってターゲットの侵食
を一層大きくするとともに管の有効ソｊ命を制限するよ
うになる。
を一層大きくするとともに管の有効ソｊ命を制限するよ
うになる。
抽出レベルでイオン密度を一層均一にするために、本発
明では磁石系８の配列に影響を与えるイオン化ガスの閉
込めを変更して磁界の発散が大きくなるようにする。か
ようにして放電電流の減少を第３および４図に示す解決
策によって十分に補償することができる。
明では磁石系８の配列に影響を与えるイオン化ガスの閉
込めを変更して磁界の発散が大きくなるようにする。か
ようにして放電電流の減少を第３および４図に示す解決
策によって十分に補償することができる。
第３図に示す例では、円形陽極の代わりにｍ頭陽極１３
を用い、その母線が磁界１０の磁力線に形状をとるよう
にする。イオン化ガス９は広がるようにする。その理由
はガスの閉込めを修正するからである。宿願陽極の直径
は増大させて、電子の妨害を阻止し得るようにする必要
がある。
を用い、その母線が磁界１０の磁力線に形状をとるよう
にする。イオン化ガス９は広がるようにする。その理由
はガスの閉込めを修正するからである。宿願陽極の直径
は増大させて、電子の妨害を阻止し得るようにする必要
がある。
第４図に示す例では、円形陽極１４の高さを減少させて
、陽極が陰極の上側部分の近くで強い磁界が（■勢とな
る領域の近くに変位し得るようにする。
、陽極が陰極の上側部分の近くで強い磁界が（■勢とな
る領域の近くに変位し得るようにする。
これらの変更を行うことによってビームの均一性の改善
と同時に、放電電流を著しく補１貫することができる。
と同時に、放電電流を著しく補１貫することができる。
第１図は既知の密閉型中性子管の構成を示す説明図、
第２図はターゲットの深さおよび半径方向のイオン衝撃
密度輪郭に及ぼす侵食を示す説明図、第３および４図は
本発明によるイオン抽出装置の第１および第２例の構成
を示す説明図である。 １・・・イオン源 ２・・・加速電極 ３・・・イオンビーム ４・・・ターゲット ５・・・絶縁体 ６・・・円筒形電極 ７・・・陰極構体 ８・・・磁石系 ９・・・イオン化ガス １０・・・磁力線 １２・・・イオン放出チャネル １３・・・夜頭陽極 １４・・・円形陽極 ＦＩＧ、３ ＦＩＧ、 ４ 一一一一一−に一
密度輪郭に及ぼす侵食を示す説明図、第３および４図は
本発明によるイオン抽出装置の第１および第２例の構成
を示す説明図である。 １・・・イオン源 ２・・・加速電極 ３・・・イオンビーム ４・・・ターゲット ５・・・絶縁体 ６・・・円筒形電極 ７・・・陰極構体 ８・・・磁石系 ９・・・イオン化ガス １０・・・磁力線 １２・・・イオン放出チャネル １３・・・夜頭陽極 １４・・・円形陽極 ＦＩＧ、３ ＦＩＧ、 ４ 一一一一一−に一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、陽極および陰極を具え磁界発生手段によって発生す
べき磁界により案内すべきイオン化ガスを形成して核融
合反応を発生して中性子を放出する抽出および加速装置
によりターゲット電極に照射すべき高−エネルギーイオ
ンビームを発生するようにしたイオン源を有する高中性
子束中性子管において、前記磁界の発散を、前記磁界発
生手段によってイオン放出領域の方向に増大し、放電の
イオン化電極の確立の変更および発生するイオン化を前
記イオン源の形状および／または寸法および／または適
応位置によって補償するようにしたことを特徴とする高
中性子束中性子管。 ２、前記陽極は崔頭形状とし、その最大直径を低磁界値
の側に位置させて磁力線の形状を考慮するようにしたこ
とを特徴とする請求項１に記載の高中性子束中性子管。 ３、前記円形磁界の高さを低減高さとし、この陽極を強
力磁界領域内で前記陰極に最も近付けて位置させるよう
にしたことを特徴とする請求項１に記載の高中性子束中
性子管。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8813185A FR2637724B1 (fr) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | Dispositif de perfectionnement de la source d'ions de type penning dans un tube neutronique |
| FR8813185 | 1988-10-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02148699A true JPH02148699A (ja) | 1990-06-07 |
Family
ID=9370792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1260307A Pending JPH02148699A (ja) | 1988-10-07 | 1989-10-06 | 高中性子束中性子管 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5104610A (ja) |
| EP (1) | EP0362945A1 (ja) |
| JP (1) | JPH02148699A (ja) |
| FR (1) | FR2637724B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2666477A1 (fr) * | 1990-08-31 | 1992-03-06 | Sodern | Tube neutronique a flux eleve. |
| US6441569B1 (en) | 1998-12-09 | 2002-08-27 | Edward F. Janzow | Particle accelerator for inducing contained particle collisions |
| MX362273B (es) | 2013-12-31 | 2019-01-10 | Halliburton Energy Services Inc | Generador de neutrones de fuente de iones de emision de campo. |
| MX359737B (es) | 2013-12-31 | 2018-10-09 | Halliburton Energy Services Inc | Generador de neutrones de fuente de iones de nano emisores. |
| MX361393B (es) | 2013-12-31 | 2018-12-05 | Halliburton Energy Services Inc | Generador de neutrones de tritio-tritio y método de registro. |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2806161A (en) * | 1952-07-08 | 1957-09-10 | Jr John S Foster | Coasting arc ion source |
| FR1369531A (fr) * | 1963-06-12 | 1964-08-14 | Commissariat Energie Atomique | Source d'ions du type penning |
| US3546513A (en) * | 1968-03-11 | 1970-12-08 | Us Air Force | High yield ion source |
| US4714834A (en) * | 1984-05-09 | 1987-12-22 | Atomic Energy Of Canada, Limited | Method and apparatus for generating ion beams |
| YU46728B (sh) * | 1986-10-23 | 1994-04-05 | VUJO dr. MILJEVIĆ | Jonsko-elektronski izvor sa šupljom anodom |
-
1988
- 1988-10-07 FR FR8813185A patent/FR2637724B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-10-02 EP EP89202463A patent/EP0362945A1/fr not_active Withdrawn
- 1989-10-04 US US07/417,226 patent/US5104610A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-10-06 JP JP1260307A patent/JPH02148699A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0362945A1 (fr) | 1990-04-11 |
| US5104610A (en) | 1992-04-14 |
| FR2637724B1 (fr) | 1990-12-28 |
| FR2637724A1 (fr) | 1990-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Osterhoff et al. | Generation of Stable, Low-Divergence Electron Beams by Laser-Wakefield Acceleration<? format?> in a Steady-State-Flow Gas Cell | |
| Borghesi et al. | Laser-driven proton acceleration: source optimization and radiographic applications | |
| US4955045A (en) | Plasma X-ray tube, in particular for X-ray preionization of gas lasers and method for produicng X-radiation with such an X-ray tube | |
| US6985553B2 (en) | Ultra-short ion and neutron pulse production | |
| US5745537A (en) | Neutron tube with magnetic confinement of the electrons by permanent magnets and its method of manufacture | |
| JP2825025B2 (ja) | 中性子管 | |
| US3448314A (en) | Neutron generators | |
| US5112564A (en) | Ion extraction and acceleration device for reducing the re-acceleration of secondary electrons in a high-flux neutron tube | |
| US5053184A (en) | Device for improving the service life and the reliability of a sealed high-flux neutron tube | |
| JPH02148699A (ja) | 高中性子束中性子管 | |
| Belchenko et al. | Negative ion surface-plasma source development for fusion in Novosibirsk | |
| US5152956A (en) | Neutron tube comprising an electrostatic ion source | |
| US5130077A (en) | Device for extraction and acceleration of ions in a high-flux neutron tube with an additional auxiliary pre-acceleration electrode | |
| US2956195A (en) | Hollow carbon arc discharge | |
| RU192776U1 (ru) | Импульсный источник ионов пеннинга | |
| Frank et al. | Mechanism for initiation of pseudospark discharge by ions ejected from the anode side | |
| Wong et al. | Observation of enhanced prebreakdown electron beams in a vacuum spark with a hollow-cathode configuration | |
| Sy et al. | Ion beam collimation for improved resolution in associated particle imaging | |
| US3772608A (en) | Charged-particle triggered discharge for a laser | |
| Zoran et al. | X-ray generation in inverse capillary discharges forpumping | |
| Belchenko et al. | Physics of Surface-Plasma H− Ion Sources | |
| JP2627420B2 (ja) | 高速原子線源 | |
| Pitchford | Predicted emittance and brightness of the pseudospark electron-beam | |
| Frolova et al. | Investigation of the Formation of Microsecond Intense Deuterium Ion Beams Based on a Vacuum Arc with a Deuterium-Saturated Zirconium Cathode | |
| RU2221305C2 (ru) | Способ получения электронного пучка (варианты) |