JPH02132377A - ベクトル補正された電気測定値の較正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はマイクロウエーブ回路のベクトル補正された測
定値の較正、特にかかる測定値の補正に通常用いられる
誤差係数を調整して、インピーダンス標準値の反射率の
値の不完全な推定による歪みを補正し得るようにしたベ
ク１・ル補正された電気測定値の較正方法に関するもの
である。

（従来の技術） かかる不完全な推定は例えばプローブ、結合等の回路素
子の可変位置による測定回路のりアクタンスによって発
生する。

極めて小さなプレーナ回路のマイクロウェーブ測定には
複雑な（大きさおよび位相）反射および伝達率の高精度
の測定が必要である。１ポートで使用されるかまたは２
ポートモードで使用されるかに従って測定システムは指
向性（Ｅｄ）、周波数応答（Ｅ　ｒ）およびソース整合
（Ｅｓ）と称される複雑な誤差係数によって補正できる
繰返し可能な誤差の３つの主ソースにさらされるように
なる。かかる誤差係数を決めかつ用いるための基本的な
アプローチは広く公開されており、例えば、ＩＥＥＥ　
トランザクションズオンＭＴＴ，第ＭＴＴ−２２巻１９
７４年３月第２８２−２８８にＲ．　Ｆ．バウア等が発
表したＫｆ’ａ　文“′ドゥーエムベッッディンダウン
ト　ウンテルミナティング（Ｄｅ−ｅｍｂｅｄｄｉｎｇ
　ａｎｄ　Ｕｎｔｃｒｍｉｎａｔｉｎｇ）”およびマイ
クルウェーブジャーナル１９７８年５月にＪ．フィソツ
パトリックが発表した論文゛エラーモデルス　フォー　
システムス　メジャメント（Ｅｒｒｏｒ　Ｍｏｄｅｌｓ
　Ｆｏｒ　Ｓｙｓｔｅｍｓ　Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ）
”　に記載されている。これら３つの誤差係数Ｅｄ，Ｅ
ｓ、Ｅｒは実際の１−ポート反射率Ｓａおよび測定され
た１ポート反射率Ｓｒｎに数学的に関連し、次式（また
はその変化）で示されることは既知である。

Ｓｍ　　＝　　Ｅｄ　　＋　　［　（ＳａＩシｒ）バ１
−ＥｓＳａ）］これら３つの誤差係数が特定のテスト周
波数に対し既知である場合には測定された反射率Ｓｍ（
大きさおよび位相）は実際の反射率Ｓａに対し」一述し
た式を解くことによって補正することができる。

実際上、３つの誤差係数の値は、実際の反射率が全ての
周波数で既知の定数とみなされる３つの独立した１次イ
ンピーダンス標準値の（関連するテスト周波数での）反
射率を測定することによって慣例のように決めることが
できる。種々のインピーダンス標準値を用いることがで
きるが、最も一般的に用いられているものは、誤差係数
を計算する目的の実際の反射率を夫々１、−］、および
、０（またはそのわずかに変位した既知の値）とする開
放−回路、短絡−回路および負荷（終端）インピーダン
ス標準値である。負荷標準値の測定された反射率を用い
て」二式から誤差係数Ｅｄを求める。その後開放および
短絡標準値の測定値Ｓｍを夫々用いて残りの２つの誤差
係数ＥｓおよびＥｒを同時に解決する。

インピーダンス標準値の前述した３つの推定反射率によ
ってその反射率に影響を及ぼす未知のりアクタンスの有
無を推定する。しかし、このリアクタンスは実際上かか
る測定値に悪影響を与え、従って標準値反射率が完全に
既知とはならなくなることは明らかである。Ｅ．ストリ
ッドによる論文“プレーナインピーダンス　スタンダー
ドアンドアキュラシイ　コンシダレーションズイン　ベ
クトルネットワーク　アナリシス”（１９８６年６月）
には、上述のインピーダンス標準値の推定した反射率お
よび誤差係数の計算上の不正確さに及ぼすリアクタンス
の影響が記載されている。即ち、開放および短絡インピ
ーダンス標準値の反射率の測定値に悪影響を与えるリア
クタンスは誤差係数の位相誤差、従って、テスト時装置
の最終補正測定値の位相誤差を生ずるものとして記載さ
れている。

また、負荷インピーダンス標準値の反射率の測定値に悪
影響を与えるリアクタンスは誤差係数の計算時の大きさ
の誤差、従って、最終補正測定値の大きさの誤差を発生
する。しかし、リアクタンスの特性および値、そのブロ
ーブのような回路素子の位置の変化による変形並びにこ
れらリアクタンスの２つ以上の組合わせ効果は量子化お
よび相関するのが困難であった。従って、誤差係数を統
計的にまたは相互に両立し得るように調整してかかるリ
アクタンスにより生じる大きさおよび位相歪みを正確に
補償することは知られていなかった。

本発明は、テスト時、装置への接続点で基準面と同様に
誘導性または容量性素子を有する基準リアクタンスをセ
ットして、リアクタンス、特に、プローブその他の回路
素子（これに限定されるものではない）により生じる測
定値の歪みを補償し得るシステムを設けることによって
誤差係数の調整の上記問題点を解決し得るようにするこ
とを目的とする。

このシステムは、測定回路が接触するテスト装置または
インピーダンス標準値がブローブチップのような接触回
路素子の位置によりかつ、この位置で変化する装置また
は標準値に直列に可変インダクタンスを有すると云う事
実に基づくものである。かかる直列インダクタンスは接
触回路素子および装置または標準値間の重畳が増大する
に連れて減少する。かかる直列インダクタンスを基準リ
アクタンスと称する。

本発明は、可変位置プローブまたは他の回路素子を用い
て３つの１次インピーダンス標準値以外の他の、即ち、
第４インピーダンス標準値の種々の周波数における個別
の反射率の大きさおよび位相を測定すると共にかかるイ
ンダクタンスに対し未調整の初期誤差係数を用いてかか
る測定値を補正することによって直列インダクタンスを
定量化するものである。その後かかるインダクタンスに
よる他のインピーダンス標準値の補正された測定値の大
きさおよび位相の歪みを決めると共に、前記３つの１次
インピーダンス標準値の少なくとも２つの推定反射率を
虚数成分に対し調整して誤差係数を再び計算することに
より初期誤差係数を調整してかかる歪みを最小とする。

次いで再計算された誤差係数を用い、他のインピーダン
ス標準値の測定に以前に使用した所とほぼ同様の重畳で
位置決めされたプローブまたは他の回路素子によって、
テスト時の装置に対する１−ポートまたは２ポート測定
値を補正する場合には、ブローブまたは他の回路素子の
位置決めにより生じるリアクタンスによる大きさおよび
位相の歪みは最小となる。

本発明較正システムは２つの１次インピーダンス標準値
の各推定反射率の調整をシステム化することによって特
に効率良くかつ迅速化することができる。各反射率は所
定割合互いに関連する各虚数インクレメントで調整され
るため、両調整値は大きさおよび位相の歪みを最小にす
る所望の結果に向かって完全に収斂されるようになる。

更に、特定の調整インクレメントが所望の結果を完全に
達成しない場合には外挿法を用いて他の調整が必要であ
ることを予測し得るようにする。

好適には、他の（第４）インピーダンス標準値の反射率
の測定歪みは、その関連する大きさおよび位相の測定値
と周波数と共にほぼ直線状に変化する関連の論理値とを
比較し、補正された大きさおよび位相の測定値の前記論
理値からの変位を用いて前記歪みを量子化することによ
って決める。

かようにして、本発明により論理値からの位相変位をも
他のインピーダンス標準値の不完全なインピーダンスに
よって生ぜしめ、これによりかかるインピーダンスの変
化によって生ずる可変成分をかかる変位から除去する手
段を提供することができる。

（実施例） 図面につき本発明を説明する。

第１図はマイクロウエーブ集積回路を測定する慣例の回
路網分析器、例えば、ヒュウレットパッカードモデルＨ
Ｐ８５１０型分析器を示す。この分析器は、そのコンピ
ュータ１０によって制御し得るか、または、外部コンピ
ュータによって制御し得ると共に一１３ 伝送ライン１２、１４によって慣例のブローブステーシ
ョン１８の各ブローブヘッド１６に接続する。各プロー
ブヘッド１６には個別のブローブチップ２０を設け、こ
れにより集積回路に接触させて集積回路およびインピー
ダンス標準値の測定を行う。このブローブチソプ２０は
、例えば米国特許第４，　６９７，　１４３号明細書に
記載されているような共平面導波管型とすることができ
る。第２−５図に示すブローブチップ２０は１個の信号
導体２２および１対の接地導体２４を有する比較的簡単
な共平面型のものとする。

３個の初期誤差係数Ｅｄ，ＥｒおよびＥｓを慣例のよう
に決めるためには、インピーダンス標準基板に設けられ
た３つの１次インピーダンス標準値をブローブチップ２
０によって接触してその個別の反射率を測定し得るよう
にする。第２図に示す代表的な短絡一回路標準はブロー
ブチソプ２０の信号導体２２および接地導体２４によっ
て等し《接触されたプレーナ導電細条２６とする。この
測定値の可変リアクタンス成分はブローブチップが短絡
−回路細条２６の縁部と重畳する可変距離２８によって
主として発生する。代表的な負荷標準値は第３図に示す
と共に１対の接地導体３４から信号導体３２を分離する
１対の１００Ω抵抗３０を具える。第４図に示す開放一
回路標準値はインピーダンス標準基板上の空気中に少な
くとも１０ミル（０．　０２５４ｍｍ）ブローブチップ
２０をリフトさせて形成するのが好適である。

開放一回路の標準値はプローブの位置には影響を受けな
い。その理由はブローブチップと他の装置との相互作用
を必要とせず、しかも、リアクタンスが開放−回路標準
値の測定に存在する場合を相対的に固定するからである
。しかし、この標準値のりアクタンスが物理的に変化し
ない場合でも所望に応じ本発明の調整システムの１部分
として数学的に変化させることができる。

前述した３つの１次インピーダンス標準値に加えて、本
発明システムは第４インピーダンスＩＦｉ準値を用いる
。この第４インピーダンス標準値は開放または短絡スタ
ブ、Ｑの高いコンデンサ、またはＱの高いインダクタと
することができる。代表的な開放−スタブ標準値は第５
図に示すと共に１対の接地導体細条４０を両側にこれか
ら電気的に分離して有する細長の中心プレーナ信号導体
細条３８を具える。この場合にも開放スタブの反射率の
測定に悪影響を与える可変リアクタンスはブローブチッ
プの重畳距離４２に依存する。初期誤差係数を本発明シ
ステムにより調整して上記重畳距離４２により生じるリ
アクタンスを補償した後には、かかる重畳距離はテスト
時、装置のブローブチップ２０により次の測定中保持さ
れるため、同一のりアクタンスが保持され、これにより
調整された誤差係数は次の測定でかかるリアクタンスを
正確に補償することができる。

第６Ａおよび６Ｂ図は論理フローチャート図を示し、こ
れに従ってコンピュータ１０をプログラムして初期誤差
係数ＥｄＸＥｒおよびＥｓの調整を行ってインピーダン
ス標準値の反射率の測定中プローブ位置決めにより生じ
る反射率の大きさおよび位相の歪みを補正し得るように
する。まず最初、標準値の反射率Ｓ開放、Ｓ短絡、Ｓ項
およびＳスタブを測定し、テスト時の装置の次の測定が
行われる各周波数で記憶し得るようにする。次いで、３
つの１次インピーダンス標準値の反射率の推定虚数成分
を導入する（ｃ開放、Ｌ短絡、Ｌ項）。これらを全て零
値とすることができ、この場合、開放、短絡および負荷
標準値の推定虚数成分の推定反射率を夫々１、−１およ
びＯとする。或はまた、開放標準値に対する虚数成分の
ような既知の虚数成分はこれが既知であれば導入する。

いずれにしても初期誤差係数Ｅｄ，ＥｒおよびＥｓは、
本発明の背景における式を用いて各周波数に対し慣例の
ように計算する。各周波数に対し３つの初期誤差係数が
既知になると、開放スタブインピーダンス標準値の反射
率の大きさおよび位相の各周波数における測定値を初期
誤差係数によって補正して各周波数に対する実効ＩＳス
タブ１（大きさ）および実効〈Ｓスタブ（位相）が得ら
れるようにする。これら補正された測定値は“リアクタ
ンスに対し未調整”曲線として第７図（大きさ）および
第８図（位相）に夫々示す。補正された測定値にリアク
タンスが存在しない場合には補正された大きさが周波数
の平方根に比例して単調に減少し、位相及び周波数の変
化の割合はほぼ直線状となる。従って、かかるリ゜ｒク
タンスの存在による各補正された測定値の歪みは、補正
された大きさおよび位相測定値と周波数に対しほぼ直線
状に変化するその論理値とを同周波数で比較することに
よって決めるようにする。

（大きさに関しては、直線状論理機能によって理想的な
平方根関数の概算を表わし、周波数範囲の大部分に亘っ
て許容し得る小さな誤差を有し、これにより簡ｑ１かつ
一層迅速な計算を行うことができる。）これら直線状の
論理値は夫々第７および８図の“直線状変化”鎖線によ
って表わされ、これら鎖線は関連する“リアクタンスに
対し未調整”曲線の個別の周波数一平均化スロープに等
しい個別のスロープを有するようにする。その後第７図
の補正された大きさの値および理論的な大きさの値間の
変位および第８図の補正された位相の値および理論的な
位相の値間の変位を各周波数に対し計算する。

大きさの変位または位相変位を最初に考慮する？どうか
は問題ではない。しかし、説明の目的で大きさの変位を
まず最初に分析するものとする。各測定周波数でスタブ
の大きさ変位各正または負の値かかる周波数における関
連する位相測定の正または負の正弦波で乗算する。次い
でその結果を加算して測定周波数範囲全体に亘って総合
の大きさの変位ε．．＋（第９図）を形成する。この８
．１が以前に計算されていない場合には最後のε，は零
となる。これがため、第６Ａ図のフローチャ−１・負荷
標準値の反射率の虚数成分（Ｌ項）は任意の値（例えば
１０ｐｌｌ）だけ減少し、Ｉｄ，Ｅ’ｒおよびＥｓが再
び計算されるようになる。かくして得た補正ＩＳスタブ
１および〈Ｓスタブは同様に各周波数に対し再計算され
るようになり、次いでε■，が計算され、これにより、
第９図のグラフに示すようにε．の２つの異なる値を、
負荷標準値の反射率のＩＤｐＦのインクレメントで分離
された２つの異なる虚数（Ｌ項）値で発生する。これら
ε■およびε。，の値から、他の虚数インクレメント△
１を外挿して（直線性、従って、最小の大きさの歪みか
ら最小の補正された大きさの変位に相当し）零とすべき
εｍ３を形成し得るようにする。しかし、この外挿法か
ら得た虚数インクレメントΔ１が所定の最小値（例えば
０．　０１ｐＨ）以上となる場合には、ε，，，３は最
後の虚数値で計算され、これによりεｍ’２から他の外
挿を行い、負荷標準値の反射率の虚数値（Ｌ項）の最終
インクレメント（例えばΔ２）が所定の最小値以下とな
るまでこれを継続する。

その後第６Ｂ図に示すように、各周波数における関連す
る位相測定値の正または負の余弦を乗算したスタブ位相
変位の各周波数における正または負の値に対し、ε．の
場合と同様の計算を行う。この計算結果を加算して周波
数範囲全体に亘る総合位相変位εｐ＋を発生し、これに
よりＥｄ，ＥｒおよびＥ・Ｓの最後の再計算・を表わす
。（余弦関数によって位相変位計算値から前記スタブの
インピーダンス２。の不完全性による成分を除去する。

）次いで負荷標準値の虚数成分（Ｌ項）を他の任意のイ
ンクレメント（例えば１０ｐＨ）だけ変化させるが、こ
の場合には他の１次インピーダンス標準値の１つの反射
率の虚数成分を同時に良好に変化させるようにする。第
６Ｂ図に示すように、短絡インピーダンス標準値の虚数
成分（Ｌ短絡）は負荷標準値の反射率と同一インクレメ
ントだけ変化し得るか、または、開放インピーダンス標
準値の虚数成分（ｃ開放）はその負荷虚数インクレメン
トに対する割合が較正のインピーダンス２。の平方に逆
比例するインクレメントだけ変化し得るようにする。再
び、３つの誤差係数を再計算して新たなε２，を計算し
、ε，，およびε，，からの外挿によって負荷標準値の
反射率の他の虚数インクレメントを形成する。この他の
インクレメントが所定の最小値以下とならない場合には
ε，の他の計算および他の外挿を、インクレメントが所
定の最小値以下となるまで行い、その後、前記誤差係数
の最終の再計算によりε。を再計算する。次いでε．に
対する他の外挿を行って所定の最小値以下の小さな虚数
インクレメントのみを連続して示し得るか否かを決める
ようにする。

所定の最小値以下の小さな虚数インクレメントのみを連
続して示さない場合にはε。およびε２の外挿を繰返す
が、所定の最小値以下の小さな虚数インクレメントのみ
を連続して示す場合には較正手続きを完了し、各周波数
において最後に再計算した誤差係数を同一の周波数にお
けるテス１・時の装置の測定値の補正において次に用い
る誤差係数とする。後者の場合にはテス１・装置の測定
は、装置に対するブローブチップの重畳が重畳距離４２
（第５図）に等しくなるように行い、これによりブロー
ブチップによって種々の周波数で開放スタブ標準値の反
則率を測定し得るようにする。

誤差係数を調整してリアクタンスを補償するため、開放
スタブの大きさおよび位相の直線性からの変位は最小と
して、補正された大きさおよび位相の値が夫々第７およ
び８図の“リアクタンスに対する調整”曲線のような最
も直線に近い曲線によって表わされるようにする。

」二述した手続きでは３つの１次インピーダンス標準値
のうちの２つのインピーダンス標準値の反射率を調整し
て調整された誤差係数を発生させるようにする。１例で
は負荷および短絡標準値の反？率の虚数成分を調整し、
他の例では負荷および開放標準値の反射率の虚数成分を
調整した。また、第３の１次インピーダンス標準値の変
化しない反射率によって測定の目的の基準面を規定する
。双方の例において負何標準値の反射率の虚数成分（］
，項）を調整するも、これは必ずしも必要ではない。

或は又、負荷標準値の反射率を固定して基準面を規定す
ると共にε■およびε，を最小にするに要する調整は開
放および短絡インピーダンス標準値の反射率を変化させ
ることによって達成することができる。

本発明は上述した例にのみ限定されるものではなく、要
旨を変更しない範囲内で幾多の変形が可能であることは
勿論である。

【図面の簡単な説明】

第１図はマイクルウエーブ集積回路を測定する代表的な
コンピュータ作動回路網分析器および関連するブローブ
ステーションを示すブロック回路図、 第２図は代表的な短絡−回路インピーダンス標準値の反
射率の測定を示す単位共平面導波プローブチップの頂面
を示す側面図、 第３図は代表的な負荷インピーダンス標準値の反射率を
測定する同様のブローブチップの頂面を示す側面図、 第４図は開放一回路インピーダンス標準値の反射率の測
定を示す同様のブローブチップを示す側面図、 第５図は代表的な開放スタブインピーダンス標準値の反
射率の測定を示す同様のブローブチップの側面図、 第６８および６ｂ図は標準の汎用コンピュータをプログ
ラムして本発明システムに従って誤差係数の調整を行う
場合の簡易化した論理フローチャートを示す説明図、 第７図は第５図に示す開放スタブ標準値の補正された反
射率の大きさ測定値をリアクタンスに対し調整および未
調整の場合について示す特性図、第８図は第５図に示す
開放スタブ標準値の補正された反射率の位相測定値をリ
アクタンスに対し調整および未調整の場合について示す
特性図、第９図は外挿法を用いて負何インピーダンス標
準値の反射率の虚数成分を調整する場合を示す説明図で
ある。 １０　・・・ １２、１４ １６　・・・ １８　・・・ ２０　・・・ ２２、３２ ２４、３４ ２６　・・・ ２８　・・・ ３０　・・・ ３６、４２ ４０　・・・ コンピュータ ・・・　伝送ライン ブローブへッド プローブステーション プローブチップ ・・・　信号導体 ・・・　接地導体 短絡回路細条 可変距離 抵抗 ・・・　重畳距離 接地導体細条 （［ＩＰ）ｌ−”ｒＳｌ　”１軒 （　吉Ａ）　−’−ｈＹｓ　７　”Ｉ．ｔｌ＃手続補正
書（方式） 平成元年１２月　４日 特許庁長官　　　吉　　田　　文　　毅　　殿１．事件
の表示 平成１年特許願第６４０２０号 ２．発明の名称 ベクトル補正された電気測定値の較正方法３．補正をす
る者 事件との関係　　特許出願人 名 称 カスケード・マイクロテック・ インコーボレーテッド ４．代 理 人 図面の浄書（内容に変更なし）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、各インピーダンス標準値の推定反射率から計算され
   た初期誤差係数を調整して反射率の値の不完全な推定に
   よる歪みを補正するに当たり、次の諸ステップ： （ａ）少なくとも１つの他のインピーダンス標準値の各
   多重周波数における各複合反射率の大きさおよび位相を
   測定し、 （ｂ）前記初期誤差係数を用いて複合反射率の大きさお
   よび位相の補正された測定値を計算し、 （ｃ）前記複合反射率の大きさおよび位相の双方の補正
   された測定値における歪みの有無を決定し、 （ｄ）前記初期誤差係数を調整して前記複合反射率の大
   きさおよび位相の補正された測定値を調整して前記歪み
   を最小にし得るようにするステップを用いるようにした
   ことを特徴とするベクトル補正された電気測定値の較正
   方法。 ２、前記ステップ（ｄ）は、各インピーダンス標準値の
   少なくとも２つの各推定反射率を調整して前記初期誤差
   係数を調整するステップを具えることを特徴とする請求
   項１に記載のベクトル補正された電気測定値の較正方法
   。 ３、前記ステップ（ｄ）は、所定比の互いに関連する各
   インクレメントによりインピーダンス標準値の２つの各
   反射率を調整するステップを更に具えることを特徴とす
   る請求項２に記載のベクトル補正された電気測定値の較
   正方法。 ４、前記ステップ（ｄ）は、前記インピーダンス標準値
   の２つの各推定反射率を同時に調整するステップを更に
   具えることを特徴とする請求項２に記載のベクトル補正
   された電気測定値の較正方法。 ５、各インピーダンス標準値は開放、負荷および短絡イ
   ンピーダンス標準値を夫々具え、前記インピーダンス標
   準値の２つを夫々負荷および短絡インピーダンス標準値
   とすることを特徴とする請求項２に記載のベクトル補正
   された電気測定値の較正方法。 ６、前記ステップ（ｄ）は、前記負荷および短絡インピ
   ーダンス標準値の推定反射率を等しいインクレメントで
   調整するようにしたことを特徴とする請求項５に記載の
   ベクトル補正された電気測定値の較正方法。 ７、各インピーダンス標準値は開放、負荷および短絡イ
   ンピーダンス標準値を具え、これらインピーダンス標準
   値の２つを夫々負荷および開放インピーダンス標準値と
   することを特徴とする請求項２に記載のベクトル補正さ
   れた電気測定値の較正方法。 ８、前記ステップ（ｄ）は、負荷および開放インピーダ
   ンス標準値の推定反射率を個別のインクレメントで調整
   するステップを設け、負荷インクレメントと開放インク
   レメントとの比を前記他のインピーダンス標準値のイン
   ピーダンスの平方に比例させるようにしたことを特徴と
   する請求項１に記載のベクトル補正された電気測定値の
   較正方法。 ９、前記個別のインピーダンス標準値は夫々開放、負荷
   および短絡インピーダンス標準値を具え、かつ、インピ
   ーダンス標準値の前記２つを夫々開放および短絡インピ
   ーダンス標準値とするようにしたことを特徴とする請求
   項２に記載のベクトル補正された電気測定値の較正方法
   。 １０、前記ステップ（ｃ）は、前記反射率の大きさおよ
   び位相の補正された測定値とこれら大きさ及び周波数に
   対しほぼ直線上に変化する位相とを比較するステップと
   、補正された測定値および論理値間の大きさの変位およ
   び位相変位を検出するステップとを具え、かつ、前記ス
   テップ（ｄ）は前記初期誤差係数を調整し、これにより
   補正された測定値を調整して前記大きさの変位および位
   相変位を最小にし得るようにしたことを特徴とする請求
   項１に記載のベクトル補正された電気測定値の較正方法
   。 １１、前記ステップ（ｃ）は、前記大きさの変位および
   位相変位の少なくとも１つを前記多重周波数の種々の周
   波数で計算するステップと、前記多重周波数における前
   記変位の１つの計算結果を加算するステップとを具える
   事を特徴とする請求項１０に記載のベクトル補正された
   電気測定値の較正方法。 １２、前記ステップ（ｃ）は、前記他のインピーダンス
   標準値のインピーダンス値の変化により生じる可変成分
   を前記位相変位から除去するようにしたことを特徴とす
   る請求項１０に記載のベクトル補正された電気測定値の
   較正方法。 １３、前記ステップ（ｄ）は、初期誤差係数を調整する
   ステップと、これから夫々前記大きさおよび位相の調整
   された補正測定値の結果を計算し、前記ステップ（ｃ）
   を前記調整された補正測定値に対し繰返して任意の歪み
   を決めるステップと、その後前記初期誤差係数の他の調
   整を外挿するステップとを具えるようにしたことを特徴
   とする請求項１に記載のベクトル補正された電気測定値
   の較正方法。 １４、前記他のインピーダンス標準値を開放スタブとす
   るようにしたことを特徴とする請求項１に記載のベクト
   ル補正された電気測定値の較正方法。 １５、前記他のインピーダンス標準値を短絡されたスタ
   ブとするようにしたことを特徴とする請求項１に記載の
   ベクトル補正された電気測定値の較正方法。 １６、前記他のインピーダンス標準値をＱ値の高いコン
   デンサとするようにしたことを特徴とする請求項１に記
   載のベクトル補正された電気測定値の較正方法。 １７、前記他のインピーダンス標準値をＱ値の高いイン
   ダクタとするようにしたことを特徴とする請求項１に記
   載のベクトル補正された電気測定値の較正方法。 １８、ステップ（ａ）の測定を行う回路素子を位置決め
   して使用し、前記ステップ（ａ）の前記他のインピーダ
   ンス標準値に対する回路素子の位置決めとほぼ同様に装
   置に対し回路素子を位置決めしてテスト時、装置での測
   定を行い、前記ステップ（ｄ）により得た調整された誤
   差係数を用いて前記装置の測定を補正するようにしたこ
   とを特徴とする請求項１に記載のベクトル補正された電
   気測定値の較正方法。