JPH02128331A - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
- Publication number
- JPH02128331A JPH02128331A JP63281232A JP28123288A JPH02128331A JP H02128331 A JPH02128331 A JP H02128331A JP 63281232 A JP63281232 A JP 63281232A JP 28123288 A JP28123288 A JP 28123288A JP H02128331 A JPH02128331 A JP H02128331A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength
- layer
- reflectance
- recording
- dye
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 55
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CQLZZAVZCKWRPS-UHFFFAOYSA-N benzenethiol;nickel Chemical compound [Ni].SC1=CC=CC=C1 CQLZZAVZCKWRPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 125000001434 methanylylidene group Chemical group [H]C#[*] 0.000 description 2
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 2h-oxazine Chemical compound N1OC=CC=C1 BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は記録再生可能な光ディスクに係り、特に、波長
700〜900nmの近赤外波長領域で高反射率を有し
、再生専用の光デイスク装置によっても再生する事が可
能な光ディスクに関する。
700〜900nmの近赤外波長領域で高反射率を有し
、再生専用の光デイスク装置によっても再生する事が可
能な光ディスクに関する。
コンパクトディスク(以下CDと略す)あるいはビデオ
ディスク等の再生専用の光ディスクは、主に780nm
付近の波長を有する半導体レーザ等の光ビームを用いて
情報の再生を行っており、この波長帯域における光ディ
スクの反射率は70〜80%と高反射率である。一方、
追記形あるいは書換え可能形光ディスクにおいては、7
80nmあるいは830nm付近の波長を有する半導体
レーザ等を用いて情報の記録再生を行っており、この波
長帯域における光ディスクの反射率は10〜40%と低
い。従って、反射率の違いのため、追記形あるいは書換
え可能形光ディスクを上記再生専用の光デイスク装置で
再生することは困難である。一方、特公昭63−931
0号公報には基板上に、Sn、Bi、Pb、Cdの内少
なくとも2種類以上の合金からなる低融点合金層(膜厚
50〜500 n m)と、オキサジン系色素、アニリ
ン系色素、ナフトール系色素などから成る色素薄膜記録
層(膜厚100〜200nm)を順次積層し、レーザ光
を照射することにより低融点合金層および色素薄膜記録
層に凹部を形成し情報を記録するようにした光学的メモ
リ媒体の提案がなされている。
ディスク等の再生専用の光ディスクは、主に780nm
付近の波長を有する半導体レーザ等の光ビームを用いて
情報の再生を行っており、この波長帯域における光ディ
スクの反射率は70〜80%と高反射率である。一方、
追記形あるいは書換え可能形光ディスクにおいては、7
80nmあるいは830nm付近の波長を有する半導体
レーザ等を用いて情報の記録再生を行っており、この波
長帯域における光ディスクの反射率は10〜40%と低
い。従って、反射率の違いのため、追記形あるいは書換
え可能形光ディスクを上記再生専用の光デイスク装置で
再生することは困難である。一方、特公昭63−931
0号公報には基板上に、Sn、Bi、Pb、Cdの内少
なくとも2種類以上の合金からなる低融点合金層(膜厚
50〜500 n m)と、オキサジン系色素、アニリ
ン系色素、ナフトール系色素などから成る色素薄膜記録
層(膜厚100〜200nm)を順次積層し、レーザ光
を照射することにより低融点合金層および色素薄膜記録
層に凹部を形成し情報を記録するようにした光学的メモ
リ媒体の提案がなされている。
上記従来技術は、再生波長700〜900nmの近赤外
波長領域で反射率70%以上を有し、記録波長600n
m付近の可視光波長領域で反射率10%以上50%以下
を有する光ディスクの構成について配慮がされておらず
、再生専用の光デイスク装置で再生が困難であるという
問題があった。
波長領域で反射率70%以上を有し、記録波長600n
m付近の可視光波長領域で反射率10%以上50%以下
を有する光ディスクの構成について配慮がされておらず
、再生専用の光デイスク装置で再生が困難であるという
問題があった。
本発明の目的は、再生専用の光デイスク装置で再生可能
な追記形光ディスクを提供することにある。
な追記形光ディスクを提供することにある。
上記目的は、基板上に融点200〜800℃の低融点金
属と近赤外吸収性を有する有機色素層を順次積層し、か
つ各層の膜厚を最適化し、再生波長780nmで反射率
を70%以上記録波長600nmで反射率を10%以上
50%以下にすることにより、達成される。
属と近赤外吸収性を有する有機色素層を順次積層し、か
つ各層の膜厚を最適化し、再生波長780nmで反射率
を70%以上記録波長600nmで反射率を10%以上
50%以下にすることにより、達成される。
CDおよびビデオディスク装置等の再生時の光ビーム波
長は通常780nmであるが、これらの装置に適合させ
るためには前記の波長において70%以上の反射率が必
要とな、一方、反射率を高くすると吸収率が減少するた
め記録が不能となる。そこで、本発明では、記録時の光
ビーム波長を再生時の光ビーム波長と異ならしめ、吸収
率の高い波長にする。さらに、波長の短い方が光ビーム
を絞ることが可能であり、短い記録ピットを形成できる
ために、記録時の光ビーム波長を再生時よりも短くする
。この記録時の光ビーム波長は再生時の光ビーム波長よ
り100〜200nm短くし、600nm付近を用いる
のが良い。600nm付近の半導体レーザが最も実用性
が高い。また記録時にフォーカス、トラッキングを安定
に制御するために、反射率10%以上が望ましく、20
%以上がより望ましい。しかし、反射率が50%より高
い時は、光の吸収率が50%以下になり効率的ではない
。
長は通常780nmであるが、これらの装置に適合させ
るためには前記の波長において70%以上の反射率が必
要とな、一方、反射率を高くすると吸収率が減少するた
め記録が不能となる。そこで、本発明では、記録時の光
ビーム波長を再生時の光ビーム波長と異ならしめ、吸収
率の高い波長にする。さらに、波長の短い方が光ビーム
を絞ることが可能であり、短い記録ピットを形成できる
ために、記録時の光ビーム波長を再生時よりも短くする
。この記録時の光ビーム波長は再生時の光ビーム波長よ
り100〜200nm短くし、600nm付近を用いる
のが良い。600nm付近の半導体レーザが最も実用性
が高い。また記録時にフォーカス、トラッキングを安定
に制御するために、反射率10%以上が望ましく、20
%以上がより望ましい。しかし、反射率が50%より高
い時は、光の吸収率が50%以下になり効率的ではない
。
上記特性を得るための光ディスクの構成について説明す
る。ポリカーボネート(pc)、ポリメチルメタクリレ
ート(PMMA)、ガラス等の使用レーザ波長に対して
透明な基板上に、融点200℃以上800℃以下の低融
点金属層を形成し、次に近赤外波長領域(波長700〜
900nm)に吸収性のある有機色素を形成する。基板
上に直接シリコンナフタロシアニン色素を形成した場合
、波長780nmにおける反射率は40%であり、波長
600nmにおける反射率は8%であった。
る。ポリカーボネート(pc)、ポリメチルメタクリレ
ート(PMMA)、ガラス等の使用レーザ波長に対して
透明な基板上に、融点200℃以上800℃以下の低融
点金属層を形成し、次に近赤外波長領域(波長700〜
900nm)に吸収性のある有機色素を形成する。基板
上に直接シリコンナフタロシアニン色素を形成した場合
、波長780nmにおける反射率は40%であり、波長
600nmにおける反射率は8%であった。
この状態では所望の特性は得られない。そこで、光を照
射し金属層と色素層を溶融し、凹部を形成することによ
り行うため、最大レーザパワー15mWを考慮し、金属
層の融点を800℃以下にする必要がある。また、金属
の熱的安定性を考慮すると融点200℃以上が望ましい
。基板とシリコンナフタロシアニン色素の間にBi層を
形成した時、波長780nmで反射率73%、波長60
0nmで反射率30%を得、所望の反射率特性を得た。
射し金属層と色素層を溶融し、凹部を形成することによ
り行うため、最大レーザパワー15mWを考慮し、金属
層の融点を800℃以下にする必要がある。また、金属
の熱的安定性を考慮すると融点200℃以上が望ましい
。基板とシリコンナフタロシアニン色素の間にBi層を
形成した時、波長780nmで反射率73%、波長60
0nmで反射率30%を得、所望の反射率特性を得た。
有機色素としては、近赤外波長域で吸収性の高いものが
望ましく、シリコンナフタロシアニン色素、ゲルマニウ
ムナフタロシアニン色素、スズナフタロシアニン色素、
ナマリナフタロシアニン色素等の骨格置換■族系ナフタ
ロシアニン色素が望ましく、次に望ましい色素は、ナフ
トキノン色素。
望ましく、シリコンナフタロシアニン色素、ゲルマニウ
ムナフタロシアニン色素、スズナフタロシアニン色素、
ナマリナフタロシアニン色素等の骨格置換■族系ナフタ
ロシアニン色素が望ましく、次に望ましい色素は、ナフ
トキノン色素。
スクアリリウム′色素アシアニン色素、テトラデヒドロ
コリン色素、メチン系色素、ベンゼンチオールニッケル
錯体である。
コリン色素、メチン系色素、ベンゼンチオールニッケル
錯体である。
低融点金属としては、融点200〜800℃の金属また
は合金が良いが、記録後蒸発をともなうため、pb系、
Cd系、TQ系+As系の金属は有害であるため望まし
くない。
は合金が良いが、記録後蒸発をともなうため、pb系、
Cd系、TQ系+As系の金属は有害であるため望まし
くない。
以下、本発明の一実施例について説明する。第1図に本
発明による光ディスクの断面図を示す。
発明による光ディスクの断面図を示す。
1はPC(ポリカーボネート樹脂)より成る透明基板、
2はB j、 、J: jl成る低融点金属層、3はシ
リコンナフタロシアニン色素膜、4はレーザビームであ
る。第2図にシリコンナフタロシアニン色素単層膜およ
び第1図に示したBi膜とシリコンナフタロシアニン色
素膜の2層膜における反射率分光特性を示す。Bi膜の
膜厚は200人であり、シリコンナフタロシアニン色素
膜の膜厚は400人である。5はシリコンナフタロシア
ニン色素単層膜の反射率分光特性、6はBi膜とシリコ
ンナフタロシアニン色素膜の2層膜における反射率分光
特性を示す。シリコンナフタロシアニン色素単層膜の時
、波長780nmで反射率40%、波長600nmで反
射率8%であった。一方、Bi膜とシリコンナフタロシ
アニン色素膜の2層膜の時、波長780nmで反射率7
3%、波長600nmで反射率30%であった。従って
、本発明のディスク構成により、波長780nmで反射
率70%以上、波長600nmで反射率10%以上の所
望の反射率特性を得ることを確認した。所望の反射率特
性を得ることは、単に2層構造にするだけでは不可能で
あり、各層の膜厚を最適化することにより可能になる。
2はB j、 、J: jl成る低融点金属層、3はシ
リコンナフタロシアニン色素膜、4はレーザビームであ
る。第2図にシリコンナフタロシアニン色素単層膜およ
び第1図に示したBi膜とシリコンナフタロシアニン色
素膜の2層膜における反射率分光特性を示す。Bi膜の
膜厚は200人であり、シリコンナフタロシアニン色素
膜の膜厚は400人である。5はシリコンナフタロシア
ニン色素単層膜の反射率分光特性、6はBi膜とシリコ
ンナフタロシアニン色素膜の2層膜における反射率分光
特性を示す。シリコンナフタロシアニン色素単層膜の時
、波長780nmで反射率40%、波長600nmで反
射率8%であった。一方、Bi膜とシリコンナフタロシ
アニン色素膜の2層膜の時、波長780nmで反射率7
3%、波長600nmで反射率30%であった。従って
、本発明のディスク構成により、波長780nmで反射
率70%以上、波長600nmで反射率10%以上の所
望の反射率特性を得ることを確認した。所望の反射率特
性を得ることは、単に2層構造にするだけでは不可能で
あり、各層の膜厚を最適化することにより可能になる。
次番コ、所望の反射率特性を得るための膜厚最適化過程
について説明する。第3図に、シリコンナフタロシアニ
ン色素膜の膜厚400人一定とした場合の波長780n
mにおける反射率のBi膜厚依存性を示す。反射率70
%以上得るためには、Bi膜の膜厚を150〜300人
に設定する必要がある。第4図に、Bi膜の膜厚200
人一定とした場合の波長780nmにおける反射率のシ
リコンナフタロシアニン色素膜厚依存性を示す。反射率
70%以上得るためには、シリコンナフタロシアニン色
素の膜厚350〜500人に設定する必要がある。次に
、波長600nmにおける反射率の各層の膜厚依存性に
ついて説明する。第5図に、シリコンナフタロシアニン
色素膜の膜厚400人一定とした場合の波長600nm
における反射率Bi膜厚依存性を示す。上述した最適B
i膜厚範囲150〜300人において、反射率25〜4
0%であり、所望の反射率10%以上を満足している。
について説明する。第3図に、シリコンナフタロシアニ
ン色素膜の膜厚400人一定とした場合の波長780n
mにおける反射率のBi膜厚依存性を示す。反射率70
%以上得るためには、Bi膜の膜厚を150〜300人
に設定する必要がある。第4図に、Bi膜の膜厚200
人一定とした場合の波長780nmにおける反射率のシ
リコンナフタロシアニン色素膜厚依存性を示す。反射率
70%以上得るためには、シリコンナフタロシアニン色
素の膜厚350〜500人に設定する必要がある。次に
、波長600nmにおける反射率の各層の膜厚依存性に
ついて説明する。第5図に、シリコンナフタロシアニン
色素膜の膜厚400人一定とした場合の波長600nm
における反射率Bi膜厚依存性を示す。上述した最適B
i膜厚範囲150〜300人において、反射率25〜4
0%であり、所望の反射率10%以上を満足している。
第6図に、Bi膜厚200人一定とした場合の波長60
0nmにおける反射率のシリコンナフタロシアニン色素
の膜厚依存性を示す。上述した最適シリコンナフタロシ
アニン色素膜厚350〜500人において、反射率30
%であり、所望の反射率10%以上を満足している。
0nmにおける反射率のシリコンナフタロシアニン色素
の膜厚依存性を示す。上述した最適シリコンナフタロシ
アニン色素膜厚350〜500人において、反射率30
%であり、所望の反射率10%以上を満足している。
次に、第1図のディスク構成の光ディスクを作製し、波
長600nmの可視光レーザを用いて記録を行い、波長
780nmの近赤外レーザを用いて再生したところC/
N=50dBの良好な信号を得ることができた。第7図
に、記録を行った後のディスクの断面図を示す、Bi膜
およびシリコンナフタロシアニン膜が共に溶融し、凹部
が形成される。
長600nmの可視光レーザを用いて記録を行い、波長
780nmの近赤外レーザを用いて再生したところC/
N=50dBの良好な信号を得ることができた。第7図
に、記録を行った後のディスクの断面図を示す、Bi膜
およびシリコンナフタロシアニン膜が共に溶融し、凹部
が形成される。
上述した一実施例では、低融点金属としてBi。
有機色素としてシリコンナフタロシアニン色素について
説明を行った。しかし、上記実施例に限定する必要は無
く、低融点金属としては融点が200℃以上800℃以
下の金属が好ましく、毒性を考慮するとより好ましくは
例えばBi、Zn。
説明を行った。しかし、上記実施例に限定する必要は無
く、低融点金属としては融点が200℃以上800℃以
下の金属が好ましく、毒性を考慮するとより好ましくは
例えばBi、Zn。
AQ、Sb、5b−Bi、Snである。また、有機色素
としては、波長780nmにおける反射率が20%以上
であることが好ましく、40%以上であることがより好
ましい。発明者が検討した結果、波長780nmで反射
率40%以上得られる色素として、骨格置換■族系ナフ
タロシアニン色素、例えばシリコンナフタロシアニン色
素、ゲルマニウムナフタロシアニン色素、スズナフタロ
シアニン色素、ナマリナフタロシアニン色素があり、よ
り好ましく1反射率20%以上40%未満を得られる色
素として、ナフトキノン色素、スクアリリウム色素、シ
アニン色素、テトラデヒドロコリン色素、メチン系色素
、ベンゼンチオールニッケル錯体があり、次に好ましい
。各種の金属と色素の組合せにおいて、所望の反射率特
性を得るためには、各層の膜厚を最適化する必要がある
事は言うまでもない。
としては、波長780nmにおける反射率が20%以上
であることが好ましく、40%以上であることがより好
ましい。発明者が検討した結果、波長780nmで反射
率40%以上得られる色素として、骨格置換■族系ナフ
タロシアニン色素、例えばシリコンナフタロシアニン色
素、ゲルマニウムナフタロシアニン色素、スズナフタロ
シアニン色素、ナマリナフタロシアニン色素があり、よ
り好ましく1反射率20%以上40%未満を得られる色
素として、ナフトキノン色素、スクアリリウム色素、シ
アニン色素、テトラデヒドロコリン色素、メチン系色素
、ベンゼンチオールニッケル錯体があり、次に好ましい
。各種の金属と色素の組合せにおいて、所望の反射率特
性を得るためには、各層の膜厚を最適化する必要がある
事は言うまでもない。
本発明によれば、再生専用光デイスク装置で再生可能な
追記形光ディスクが得られるので、光ディスクの用途を
大幅に拡げることができる効果がある。
追記形光ディスクが得られるので、光ディスクの用途を
大幅に拡げることができる効果がある。
第1図は本発明の一実施例としての光ディスクを示す断
面図、第2図は本発明の一実施例としての光ディスクの
反射率分光特性図、第3図は本発明の一実施例において
用いるBi膜厚依存反射率特性図、第4図は本発明の一
実施例において用いる色素膜厚依存反射率特性図、第5
図は本発明の一実施例において用いるBi膜厚依存反射
率特性図、第6図は本発明の一実施例において用いる色
素膜厚依存反射率特性図、第7図は本発明の一実施例と
しての光ディスクの記録後の状態を示す断面図である。 1・・・基板。 3・・・色素膜、 5.6・・・反射率曲線、 8・・・未記録部。 2・・・低融点金属膜、 4・・・光ビーム、 7・・・記録部、 纂 図 業 図 う皮+(7177′L) 稟 図 第 牛 図 色素膜厚(A) 集 図 第 図 第 図
面図、第2図は本発明の一実施例としての光ディスクの
反射率分光特性図、第3図は本発明の一実施例において
用いるBi膜厚依存反射率特性図、第4図は本発明の一
実施例において用いる色素膜厚依存反射率特性図、第5
図は本発明の一実施例において用いるBi膜厚依存反射
率特性図、第6図は本発明の一実施例において用いる色
素膜厚依存反射率特性図、第7図は本発明の一実施例と
しての光ディスクの記録後の状態を示す断面図である。 1・・・基板。 3・・・色素膜、 5.6・・・反射率曲線、 8・・・未記録部。 2・・・低融点金属膜、 4・・・光ビーム、 7・・・記録部、 纂 図 業 図 う皮+(7177′L) 稟 図 第 牛 図 色素膜厚(A) 集 図 第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、透明な基板と、その基板上に金属からなる第1の層
と、近赤外吸収性を有する有機色素から成る第2の層と
、を順次積層して成り、前記第1の層と第2の層の干渉
効果により、再生波長780nmにおける反射率が70
%以上、記録波長600nmにおける反射率が10%以
上、50%以下となるように前記各層の膜厚を定めたこ
とを特徴とする光ディスク。 2、請求項1に記載の光ディスクにおいて、前記第1の
層を構成する金属層が、融点200℃以上、800℃以
下の低融点金属層から成ることを特徴とする光ディスク
。 3、請求項1に記載の光ディスクにおいて、前記第2の
層を構成する有機色素層が、骨格置換IV族系ナフタロシ
アニン色素層から成ることを特徴とする光ディスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63281232A JPH02128331A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63281232A JPH02128331A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 光ディスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02128331A true JPH02128331A (ja) | 1990-05-16 |
Family
ID=17636206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63281232A Pending JPH02128331A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 光ディスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02128331A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0676751A1 (en) * | 1994-04-08 | 1995-10-11 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Optical recording media |
EP0949612A1 (en) * | 1998-04-09 | 1999-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | An optical recording medium |
-
1988
- 1988-11-09 JP JP63281232A patent/JPH02128331A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0676751A1 (en) * | 1994-04-08 | 1995-10-11 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Optical recording media |
EP0949612A1 (en) * | 1998-04-09 | 1999-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | An optical recording medium |
US6277460B1 (en) | 1998-04-09 | 2001-08-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical recording medium |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001273672A (ja) | 光学記録媒体 | |
KR100230448B1 (ko) | 광기록매체 | |
CN100517477C (zh) | 用于一次性写入记录的光学数据存储介质 | |
CN1231473A (zh) | 光记录媒体 | |
JPH02128331A (ja) | 光ディスク | |
KR100292378B1 (ko) | 기록/재생 가능한 광기록 매체 및 그에 대한 광기록 방법 | |
EP0777224B1 (en) | Optical recording medium and method | |
JP3548929B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
JP4308117B2 (ja) | 情報記録方法と装置及び情報記録媒体 | |
JP4187369B2 (ja) | 情報記録媒体および情報の記録再生方法 | |
CN100498941C (zh) | 光学数据存储介质及其应用 | |
JP2005534128A (ja) | サーモクロミック層を有するマルチスタック光学情報担体 | |
EP1055232B1 (en) | Optical recording medium based on thin recording layers | |
JP2002109786A (ja) | 光記録媒体 | |
JPH0391128A (ja) | 光記録担体 | |
JP2002092956A (ja) | 光学情報記録媒体およびその製造方法 | |
JPH10134415A (ja) | 記録再生可能な光記録媒体及び光記録方法 | |
JPH07201075A (ja) | 光情報媒体 | |
KR100207581B1 (ko) | 광기록매체 | |
JPH02266978A (ja) | 光情報記録媒体 | |
JPH02113453A (ja) | 光ディスク | |
KR20010090164A (ko) | 고밀도 광기록매체 | |
KR100266219B1 (ko) | 상변화 광기록매체와 그 제조방법 | |
JP2998845B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
JP2000260061A (ja) | 相変化光ディスクおよび相変化光ディスクの再生方法 |