JPH02125608A - Semiconductor manufacturing equipment and manufacture of semiconductor device - Google Patents
Semiconductor manufacturing equipment and manufacture of semiconductor deviceInfo
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- JPH02125608A JPH02125608A JP27960488A JP27960488A JPH02125608A JP H02125608 A JPH02125608 A JP H02125608A JP 27960488 A JP27960488 A JP 27960488A JP 27960488 A JP27960488 A JP 27960488A JP H02125608 A JPH02125608 A JP H02125608A
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体製造装置に関し、
透過孔マスクを露光装置を構成するコラムに容易に設置
することができ、かつ透過孔マスクのコラムでの設置位
置を容易に調節することができ、パターンを効率よく短
時間で露光することができる半導体製造装置及び半導体
装置の製造方法を提供することを目的とし、
コラム内の電子ビームが通過する位置に、電子ビームを
整形または露光する層内にい（つかの設計パターンの集
まりからなるパターン群を有する透過孔マスクを備え、
前記電子ビームを前記パターン群に選択的に照射して露
光を行う半導体製造装置において、前記コラムとは独立
した真空排気系を持ち前記透過孔マスクが設置される真
空予備室と、設置された該透過孔マスクを前記真空予備
室から前記コラム内に搬送し、かつ該透過孔マスクが設
置されるコラム内の設置位置でＸ方向、Ｙ方向、θ方向
の少なくとも１つ以上の方向の位置調整が行える透過孔
マスク送り機構とを有するように構成し、又はコラム内
の電子ビームが通過する位置に、電子ビームを整形また
は露光する層内にいつくかの設計パターンの集まりから
なるパターン群を有する透過孔マスクを備え、前記電子
ビームを前記パターン群に選択的に照射して露光を行う
半導体装置の製造方法において、前記透過孔マスクを真
空予備室内の透過孔マスク送り機構に設置する行程と、
前記透過孔マスクを前記透過孔マスク送り機構によって
前記真空予備室からコラム内の所定の設置位置に設置す
る工程と、電子ビームと被露光物の位置関係を調整した
後露光を行う工程とを含むように構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding semiconductor manufacturing equipment, a transmission hole mask can be easily installed in a column constituting an exposure device, and the installation position of the transmission hole mask in the column can be easily adjusted. The purpose of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor device manufacturing method that can efficiently expose a pattern in a short time. A transparent hole mask having a pattern group consisting of a collection of design patterns is provided in the layer,
A semiconductor manufacturing apparatus that performs exposure by selectively irradiating the pattern group with the electron beam, the vacuum preparatory chamber having a vacuum evacuation system independent of the column and in which the transmission hole mask is installed; The transmission hole mask is transported from the vacuum preliminary chamber into the column, and the position of the transmission hole mask is adjusted in at least one of the X direction, the Y direction, and the θ direction at the installation position in the column where the transmission hole mask is installed. A transmission hole mask is configured to have a transmission hole mask feeding mechanism that can be used, or a transmission hole having a pattern group consisting of a collection of several designed patterns in a layer for shaping or exposing the electron beam at a position in the column through which the electron beam passes. A method for manufacturing a semiconductor device including a hole mask and performing exposure by selectively irradiating the pattern group with the electron beam, including the step of installing the transmission hole mask in a transmission hole mask feeding mechanism in a vacuum preliminary chamber;
The method includes a step of installing the transmission hole mask from the vacuum preliminary chamber to a predetermined installation position in the column by the transmission hole mask feeding mechanism, and a step of performing exposure after adjusting the positional relationship between the electron beam and the object to be exposed. Configure it as follows.
本発明は、電子ビーム（荷電粒子ビームともいう）によ
りパターン転写する電子ビーム露光方法を用いる半導体
製造装置及び半導体装１の製造方法に係り、詳しくは特
に、電子ビームを用い所望するパターンを効率よく安定
に形成することができる半導体製造装置及び半導体装置
の製造方法に関するものである。The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device 1 that use an electron beam exposure method for transferring a pattern using an electron beam (also referred to as a charged particle beam), and more specifically, the present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device 1 that use an electron beam (also referred to as a charged particle beam) to transfer a pattern. The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device that can be stably formed.
近年、集積回路の高集積化に伴い、長年微細なパターン
を形成する主流であったフォトリソグラフィー技術に代
わり、特に電子ビームによる露光方法やＸ線を用いる新
しいＸ線露光方法が検討され、実際に実用化されるよう
になってきた。In recent years, as integrated circuits have become more highly integrated, new exposure methods using electron beams and X-rays have been studied, replacing the photolithography technology that has been the mainstream for forming fine patterns for many years. It is starting to be put into practical use.
電子ビームによる露光方法では、具体的には電子ビーム
を用いて、非常に微細なパターン形成を行うことができ
、特にミクロン程度またはそれ以下の微細なパターンを
形成することができるという大きな特徴力１ある。そし
て、電子ビームによる露光方法はガウス形ビーム方式と
成形ビーム方式との２つに大別されており、更には、試
料を連続的に移動させながら描画を行うステージ連続移
動方式と、１描画領域ごとに試料を所定量だけ移動させ
描画を行うステップアンドリピート方式とに別けられる
。Specifically, the exposure method using an electron beam can form extremely fine patterns using an electron beam, and its major characteristic is that it can form particularly fine patterns on the order of microns or smaller. be. Exposure methods using electron beams are roughly divided into two types: Gaussian beam method and shaped beam method.Furthermore, there are two types: continuous stage movement method, which performs drawing while continuously moving the sample, and one drawing area method. The step-and-repeat method is divided into the step-and-repeat method, in which the sample is moved by a predetermined amount each time the drawing is performed.
ところで、最近のパターンの微細化の傾向は急速に高ま
りつつある。電子ビームによる露光方法は解像度におい
てはその要求を十分溝たすことができるが、露光時間が
長くなってしまい実用上問題がある。この露光時間が長
くなってしまうという問題はいわゆる“°−筆書き°と
いう露光方法であることに起因しているものである。Incidentally, the recent trend toward miniaturization of patterns is rapidly increasing. Although the exposure method using an electron beam can sufficiently meet the requirements in terms of resolution, the exposure time becomes long, which poses a practical problem. This problem of long exposure time is due to the so-called "°-brush writing" exposure method.
具体的には描画するセルパターン部は小さな矩形パター
ンにしなければ露光することができないという問題があ
る。露光したいパターンが微細なパターンになっていけ
ばいく程露光する最小パターン寸法（分解能に該当する
）を小さ（しなければならない。例えば１μｍパターン
ルールの際は、最小の矩形で１μｍピッチで描いていく
のである。Specifically, there is a problem in that the cell pattern portion to be drawn must be a small rectangular pattern in order to be exposed. The finer the pattern you want to expose, the smaller the minimum pattern size (corresponding to the resolution) to be exposed must be. For example, when using a 1 μm pattern rule, draw the smallest rectangle at a 1 μm pitch. I'm going.
そして、０．５μｍパターンルールの際は、０．５μｍ
ピッチで描いていかなければならない。したがって、例
えば１０μｍ角のパターンを１μｍピッチで描こうとす
る場合は１００回ショットする必要があり、ショットす
る箇所が飛躍的に増大してしまうのである。And for 0.5 μm pattern rule, 0.5 μm
You have to draw it on the pitch. Therefore, for example, when attempting to draw a 10 μm square pattern with a 1 μm pitch, it is necessary to perform shots 100 times, and the number of shot locations increases dramatically.
以下、従来技術について具体的に図面を用いて説明する
。The prior art will be specifically described below with reference to the drawings.
第４図は電子ビーム露光方法を用いる従来の半導体製造
装置及び半導体装置の製造方法を説明する図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a conventional semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method using an electron beam exposure method.
この図において、５１は電子銃、５２は第１矩形成形用
のアパーチャ、５３は集束レンズ、５４はマスクパター
ン選択用のデフレクタともいわれる静電偏向器で、電子
ビームを振り込む機能を有し通常可変成形矩形露光を行
う場合は少なくとも１つは必要である。５５はステンシ
ルマスクともいわれる透過孔マスク、５６は設計パター
ン、５７は被露光物としてのウェハである。In this figure, 51 is an electron gun, 52 is an aperture for first rectangular formation, 53 is a focusing lens, and 54 is an electrostatic deflector, also called a deflector for mask pattern selection, which has the function of deflecting the electron beam and is usually variable. At least one is required when performing shaped rectangular exposure. 55 is a transmission hole mask also called a stencil mask, 56 is a design pattern, and 57 is a wafer as an object to be exposed.
なお、設計パターン５６は予め透過孔マスク５５に形成
されており、例えば長方形、正方形及び三角形等の可変
成形矩形露光で形成することができるパターンである。Note that the design pattern 56 is formed in advance on the transmission hole mask 55, and is a pattern that can be formed by variable-shaped rectangular exposure, such as a rectangle, square, or triangle.
透過孔マスク５５には電子ビームが通過する透過孔が形
成されており、その層内には設計パターン５６の集まり
からなるパターン群が形成されている。静電偏向器５４
と透過孔マスク５５との間には集束レンズ（図示せず）
が設置されている。A transmission hole through which an electron beam passes is formed in the transmission hole mask 55, and a pattern group consisting of a collection of design patterns 56 is formed within the layer. Electrostatic deflector 54
A focusing lens (not shown) is provided between the transparent hole mask 55 and the
is installed.
次に、その動作原理について説明する。Next, the principle of operation will be explained.
第４図に示すように、電子ビームが通過する位置に、電
子ビームを整形、または露光する層内にいくつかの設計
パターン５６の集まりからなるパターン群を有する透過
孔マスク５５を備え、電子ビームをパターン群に選択的
に照射して露光を行うというものである。透過孔マスク
５５上のパターン群は静電偏向器５４を用いて焦点位置
に振り込むことによって選択されるのであり、ウェハ５
７上にパターンが転写できるのは、透過孔マスク５５の
透過孔から抜けてきた電子ビームがウェハ５７上に適宜
投影されることによってできるのである。As shown in FIG. 4, a transmission hole mask 55 having a pattern group consisting of a collection of several design patterns 56 in a layer for shaping or exposing the electron beam is provided at a position through which the electron beam passes. Exposure is performed by selectively irradiating a group of patterns with light. The pattern group on the transmission hole mask 55 is selected by moving it to the focal position using the electrostatic deflector 54, and the pattern group on the wafer 5 is
The pattern can be transferred onto the wafer 57 by appropriately projecting the electron beam passing through the transmission hole of the transmission hole mask 55 onto the wafer 57.
このような電子ビーム露光を用いる半導体製造装置にお
いて露光描画時間を短縮するための方法が種々提案され
ており、その１つに部分的にパターンを転写する露光方
法がある。この方法の特徴は、あるパターン形状を有す
る透過孔マスクを使用し、その透過孔マスクの範囲で１
回の電子ビームの照射によってパターンを形成すること
で電子のもつ微細化成形能力を活用し、さらに早いスピ
ードでパターンを形成しようというものである。Various methods have been proposed for shortening the exposure drawing time in semiconductor manufacturing equipment that uses such electron beam exposure, one of which is an exposure method that partially transfers a pattern. The feature of this method is that a transparent hole mask with a certain pattern shape is used, and within the range of the transparent hole mask, 1
By forming patterns by irradiating them with multiple electron beams, the idea is to take advantage of the microfabrication ability of electrons and form patterns even faster.
また、透過孔マスクに形成されるパターンを露光領域全
体に予め形成しておき一括で露光するという方法や、長
方形、正方形、三角形等の可変矩形で形成するようなパ
ターンを予め形成しておき、必要なとき電子ビームを選
択して露光するという方法が提案されてきている。In addition, there is a method in which a pattern to be formed on a transmission hole mask is formed in advance over the entire exposure area and then exposed all at once, or a pattern is formed in advance in a variable rectangular shape such as a rectangle, square, or triangle. A method has been proposed in which electron beams are selectively used for exposure when necessary.
例えば異なるパターンを異なるブロック位置に形成した
透過孔マスクに選択的に電子ビームを照射しその異なる
ブロックについては一度のショットで露光を行う方法が
特開昭５２−１１９１８５号公報に報告されているもの
がある。また、所望する全パターンを形成した透過孔マ
スクを用いて露光を行う方法がＪ、Ｖａｃ、Ｓｃｉ、Ｔ
ｅｃｈｎｏｌ、Ｂ３ （１）、Ｊａｎ／Ｆｅｂ １９
８５（４０）に報告されており、これらの露光で用いる
ことができるグリッドでサポートされたマスクの形成方
法が上記同列（５８）に報告されており、イオンビーム
露光での、パターンをステッパーのように１；ｌＯに縮
小させる報告が上記同列（１９４）に報告されている。For example, JP-A-52-119185 reports a method in which electron beams are selectively irradiated onto a transmission hole mask in which different patterns are formed at different block positions, and the different blocks are exposed in one shot. There is. In addition, there are methods for performing exposure using a transmission hole mask in which all desired patterns are formed.J, Vac, Sci, T
echnol, B3 (1), Jan/Feb 19
85 (40), and a method for forming a grid-supported mask that can be used in these exposures is reported in the same column (58) mentioned above. A report on reducing the amount to 1;1O is reported in the same column above (194).
更に、メモリセル等の形成に必要な繰り返しパターンと
汎用矩形パターン用の四辺形開口を成形絞り板上に備え
露光を行う電子ビーム描画装置が特開昭６２−２６０３
２２号公報に報告されている。Furthermore, an electron beam lithography apparatus for exposure is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 62-2603, which has a repeating pattern necessary for forming memory cells, etc., and a rectangular aperture for a general-purpose rectangular pattern on a forming aperture plate.
It is reported in Publication No. 22.
上記従来の露光による方法のうち、例えばマスク上にパ
ターンを有し、−括転写を行う方法では超微細なｌ：ｌ
抜き転写マスクを形成するのは困難であり、今後微細化
が進んだ場合、更に難くなってしまう。その点を考慮す
れば一部パターンを透過孔マスクに備え、そのパターン
については一括で露光する方法、いわゆる電子ビームと
透過孔マスクによる一部パターンー括露光方法が有効で
ある。ところで、半導体装置の１層を露光するためには
、数多くの露光パターンを透過孔マスク上に形成するこ
とが有効であり、また、電子ビーム露光方法は設計デー
タを簡単な処理をするだけで露光データとして露光する
ことができるため、設計のターンアラウンドが早いとい
う１つの特徴がある。このターンアラウンドが早いとい
う特徴を維持しながら露光を行うためには透過孔マスク
上に各層で用いられるパターンを有していることが有効
である。Among the above-mentioned conventional exposure methods, for example, in the method of having a pattern on a mask and performing bulk transfer, ultra-fine l:l
It is difficult to form a punch-out transfer mask, and it will become even more difficult if miniaturization progresses in the future. Taking this point into consideration, it is effective to provide a partial pattern on a transmission hole mask and expose the pattern all at once, that is, a so-called partial pattern-bulk exposure method using an electron beam and a transmission hole mask. By the way, in order to expose one layer of a semiconductor device, it is effective to form a large number of exposure patterns on a transmission hole mask, and the electron beam exposure method allows exposure by simply processing design data. One feature of this method is that the design turnaround is quick because it can be exposed as data. In order to carry out exposure while maintaining this feature of quick turnaround, it is effective to have patterns used in each layer on the transmission hole mask.
このような従来の半導体製造装置及び半導体装置の製造
方法にあっては、透過孔マスク上には多くのパターンを
形成することができるという利点がある。しかしながら
、露光されるＩＣチップの品種が変わった場合、あるい
は、真空中の残留ガスとして残っている炭素成分や真空
グリース（油脂）成分から揮発される炭素成分に電子ビ
ームが照射されることによって生成された異物が透過孔
マスク上に付着して該透過孔マスクがチャージアップし
てしまった場合、該透過孔マスクを交換しなければなら
ない。その際透過孔マスクを露光装置を構成するコラム
に設置（交換を含む）することが面倒であり、透過孔マ
スクをコラムに設置した際透過孔マスクの設置位置を調
節することが困難であるという問題点があった。ところ
で、このような透過孔マスクを用いて露光するという方
法はあまり例がなく本発明の公知例として適当な透過孔
マスクの設置及び交換機構も見い出せない。Such conventional semiconductor manufacturing equipment and semiconductor device manufacturing methods have the advantage that many patterns can be formed on the transmission hole mask. However, if the type of IC chip to be exposed changes, or if carbon components remaining as residual gas in vacuum or carbon components volatilized from vacuum grease components are irradiated with electron beams, If the foreign matter attached to the transparent hole mask is charged up, the transparent hole mask must be replaced. At that time, it is troublesome to install (including replacing) the transmission hole mask in the column that makes up the exposure equipment, and it is difficult to adjust the installation position of the transmission hole mask when it is installed in the column. There was a problem. Incidentally, there are not many examples of a method of performing exposure using such a transmission hole mask, and no suitable mechanism for installing and replacing the transmission hole mask has been found as a publicly known example of the present invention.
しかし、最も近いマスク設置・交換機構としては電子ビ
ームの成形をするためのアパーチャを交換するアパーチ
ャ交換機構が挙げられる。このアパーチャの交換機構に
ついては種々提案されており、例えば−枚の板上に複数
個のアパーチャを設け、汚れたら一軸方向にアパーチャ
を移動させ交換するものや、コラムの側面に簡単なアパ
ーチャ交換機構を設けてアパーチャの交換を行うという
ものである。また、スリットの交換の場合、θ方向に微
調節できるもの等もある。However, the closest mask installation/exchange mechanism is an aperture exchange mechanism that exchanges an aperture for shaping an electron beam. Various aperture exchange mechanisms have been proposed, such as one in which multiple apertures are installed on a single plate and the apertures are moved uniaxially when they become dirty, and a simple aperture exchange mechanism on the side of the column. In this method, apertures can be exchanged by installing an aperture. Furthermore, when replacing the slit, there are some that allow fine adjustment in the θ direction.
そこで本発明は、透過孔マスクを露光装置を構成するコ
ラムに容易に設置することができ、かつ透過孔マスクの
コラムでの設置位置を溶易に調節することができ、パタ
ーンを効率よく短時間で露光することができる半導体製
造装置及び半導体装置の製造方法を提供すことを目的と
している。Therefore, the present invention makes it possible to easily install a transmission hole mask in a column constituting an exposure device, and to easily adjust the installation position of the transmission hole mask in the column, thereby efficiently forming a pattern in a short time. It is an object of the present invention to provide a semiconductor manufacturing apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device that can perform exposure using the same method.
第１の発明による半導体製造装置は上記目的達成のため
、コラム内の電子ビームが通過する位置に、電子ビーム
を整形または露光する層内にいくつかの設計パターンの
集まりからなるパターン群を有する透過孔マスクを備え
、前記電子ビームを前記パターン群に選択的に照射して
露光を行う半導体製造装置において、前記コラムとは独
立した真空排気系を持ち前記透過孔マスクが設置される
真空予備室と、設置された該透過孔マスクを前記真空予
備室から前記コラム内に搬送し、かつ該透過孔マスクが
設置されるコラム内の設置位置でＸ方向、Ｘ方向、θ方
向の少なくとも１つ以上の方向の位置調整が行える透過
孔マスク送り機構とを有するように構成したものである
。In order to achieve the above object, a semiconductor manufacturing apparatus according to a first aspect of the present invention includes a transmission device having a pattern group consisting of a collection of several designed patterns in a layer for shaping or exposing an electron beam at a position in the column through which the electron beam passes. In a semiconductor manufacturing apparatus that includes a hole mask and performs exposure by selectively irradiating the pattern group with the electron beam, the vacuum preliminary chamber has a vacuum exhaust system independent of the column and the transmission hole mask is installed; , transporting the installed transmission hole mask from the vacuum preliminary chamber into the column, and at least one or more of the X direction, the X direction, and the θ direction at the installation position in the column where the transmission hole mask is installed. The mask is configured to include a transmission hole mask feeding mechanism that can adjust the position in the direction.
第２の発明による半導体装置の製造方法は上記目的達成
のため、コラム内の電子ビームが通過する位置に、電子
ビームを整形または露光する層内にいつくかの設計パタ
ーンの集まりからなるパターン群を有する透過孔マスク
を備え、前記電子ビームを前記パターン群に選択的に照
射して露光を行う半導体装置の製造方法において、前記
透過孔マスクを真空予備室内の透過孔マスク送り機構に
設置する工程と、前記透過孔マスクを前記透過孔マスク
送り機構によって前記真空予備室からコラム内の所定の
設置位置に設置する工程と、電子ビームと被露光物の位
置関係を調整した後露光を行う工程とを含むものである
。In order to achieve the above object, the method for manufacturing a semiconductor device according to the second invention includes a pattern group consisting of a collection of several design patterns in a layer for shaping or exposing an electron beam at a position in the column through which the electron beam passes. In the method for manufacturing a semiconductor device, the semiconductor device is equipped with a transmission hole mask and exposes the pattern group by selectively irradiating the pattern group with the electron beam, the step of installing the transmission hole mask in a transmission hole mask feeding mechanism in a vacuum preliminary chamber; , a step of installing the transmission hole mask from the vacuum preparatory chamber to a predetermined installation position in the column by the transmission hole mask feeding mechanism, and a step of performing exposure after adjusting the positional relationship between the electron beam and the object to be exposed. It includes.
第１の発明に係る半導体製造装置では、コラムとは独立
した真空排気系を持ち透過孔マスクが設置される真空予
備室と、設置された透過孔マスクを真空予備室からコラ
ム内に搬送し、かつ透過孔マスクが設置されるコラム内
の設置位置でＸ方向。The semiconductor manufacturing apparatus according to the first invention includes a vacuum preliminary chamber having a vacuum evacuation system independent of the column and in which the transmission hole mask is installed, and transporting the installed transmission hole mask from the vacuum preliminary chamber into the column; And the installation position in the column where the transmission hole mask is installed in the X direction.
Ｘ方向、θ方向の少なくとも１つ以上の方向の位置調整
が行える透過孔マス４り送り機構とを有するように構成
される。The transmission hole mass 4 is configured to have a four-feeding mechanism that can perform position adjustment in at least one direction of the X direction and the θ direction.
第２の発明に係る半導体装置の製造方法では、透過孔マ
スクが真空予備室内の透過孔マスク送り機構に設置され
、透過孔マスクが透過孔マスク送り機構によって真空予
備室からコラム内の所定の設置位置に設置された後、電
子ビームと被露光物の位置関係を調整され露光が行われ
る。In the method for manufacturing a semiconductor device according to the second invention, the transmission hole mask is installed in the transmission hole mask feeding mechanism in the vacuum preliminary chamber, and the transmission hole mask is moved from the vacuum preliminary chamber to the predetermined installation in the column by the transmission hole mask feeding mechanism. After the electron beam is placed in position, the positional relationship between the electron beam and the object to be exposed is adjusted and exposure is performed.
したがって、第１、第２発明によれば、透過孔マスクを
露光装置を構成するコラムに容易に設置することができ
るようになり、かつ透過孔マスクのコラムでの設置位置
を容易に調節することができるようになり、パターンを
効率よく短時間で露光することができるようになる。Therefore, according to the first and second aspects of the invention, the transmission hole mask can be easily installed in a column that constitutes an exposure apparatus, and the installation position of the transmission hole mask in the column can be easily adjusted. This makes it possible to efficiently expose patterns in a short time.
第１図〜第３図は本発明に係る半導体製造装置及び半導
体装置の製造方法の一実施例を説明する図であり、第１
図は一実施例の露光装置の概略を示す図、第２図は一実
施例の透過孔マスク挿入機構の詳細を示す図、第３図は
一実施例の露光する半導体装置のパターンの一例を示す
図である。なお、第３図（ａ）はセルパターン部と周辺
パターン部を示す図、第３図（ｂ）は透過孔マスクの外
形を示す図、第３図（Ｃ）は透過孔マスクの断面図であ
る。1 to 3 are diagrams for explaining an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus and a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, and FIG.
FIG. 2 is a diagram showing the outline of an exposure apparatus according to one embodiment, FIG. 2 is a diagram showing details of a transmission hole mask insertion mechanism according to one embodiment, and FIG. 3 is a diagram showing an example of a pattern of a semiconductor device to be exposed according to one embodiment. FIG. In addition, FIG. 3(a) is a diagram showing the cell pattern part and the peripheral pattern part, FIG. 3(b) is a diagram showing the outline of the transmission hole mask, and FIG. 3(C) is a cross-sectional view of the transmission hole mask. be.
これらの図において、１はＣＰＵ、２は磁気ドラム、３
は磁気テープ、４はインターフェイス、５はデータメモ
リ、６はパターン制御コントローラ、？ａ、７ｂ、１ｃ
、７ｄはＤＡＣ／ＡＭＰ。In these figures, 1 is the CPU, 2 is the magnetic drum, and 3 is the CPU.
is a magnetic tape, 4 is an interface, 5 is a data memory, 6 is a pattern control controller, ? a, 7b, 1c
, 7d is a DAC/AMP.
８はマスク位置制御回路、９はブランキング制御回路、
ｌＯはシーケンスコントローラ、１１は偏向制御回路、
１２はレーザ干渉計、１３はステージ制御部、１４は電
子銃で、電子ビームを発生させる電子ビーム発生手段と
して機能するものである。１５はアパーチャで、電子ビ
ームを整形する手段として機能するものである。１６は
第１のレンズ、１７は静電偏向器、１８は波形解析回路
、１９は第２のレンズで、電磁レンズとして機能し電子
ビームを振り戻す手段として機能するものである。２０
は透過孔マスク、２１はブランキング、２２は電磁レン
ズとして機能する縮小レンズ、２３はアパーチャ、２４
は電磁レンズとして機能する縮小レンズ、２５ばメイン
デフレクタ、２６はサブデフレクタ、２７は対物レンズ
、２８はウェハ、２９はステージで、ウェハ２８を保持
しウェハ２８を適宜移動させる機能を、有するものであ
る。8 is a mask position control circuit, 9 is a blanking control circuit,
IO is a sequence controller, 11 is a deflection control circuit,
12 is a laser interferometer, 13 is a stage control section, and 14 is an electron gun, which functions as an electron beam generating means for generating an electron beam. 15 is an aperture that functions as a means for shaping the electron beam. 16 is a first lens, 17 is an electrostatic deflector, 18 is a waveform analysis circuit, and 19 is a second lens, which functions as an electromagnetic lens and as means for deflecting the electron beam. 20
21 is a transparent hole mask, 21 is a blanking lens, 22 is a reduction lens that functions as an electromagnetic lens, 23 is an aperture, and 24
25 is a main deflector, 26 is a sub-deflector, 27 is an objective lens, 28 is a wafer, and 29 is a stage, which has the function of holding the wafer 28 and moving the wafer 28 as appropriate. be.
３０は反射電子検出器、３１は光源、３２は鏡筒ともい
われるコラム、３３はサブチャンバで、本発明に係る真
空予備室に該当する。３４はゲートバルブ、３５はプラ
ズマエネルギーによるエネルギー印加手段としてのプラ
ズマ印加手段、３６は透過孔マスク送りｉ購、３７はＯ
ｚ 、Ｏｓ 、Ｎｚ 、Ａ ｒのガスを導入するガス導
入系、３８はポンプによって真空にする真空系、３９は
ステージ、４０はステージ載置台、４１はコラム３２内
の透過孔マスク２０の設置位置、４２はセルパターン部
、４３は電子ビーム偏向可能領域、４４はパターン形成
可能領域、４５は非繰り返しパターン用開孔部、４６は
パターン、４７は電子ビーム、４８は例えばＳｉからな
る基板、４９は周辺パターン部、５０ａ、５０ｂは焦点
である。30 is a backscattered electron detector, 31 is a light source, 32 is a column also called a lens barrel, and 33 is a subchamber, which corresponds to the vacuum preliminary chamber according to the present invention. 34 is a gate valve, 35 is a plasma application means as an energy application means using plasma energy, 36 is a transmission hole mask feeding unit, and 37 is an O
A gas introduction system for introducing gases of z, Os, Nz, and Ar; 38 is a vacuum system that is evacuated by a pump; 39 is a stage; 40 is a stage mounting table; 41 is the installation position of the transmission hole mask 20 in the column 32. , 42 is a cell pattern section, 43 is an electron beam deflectable region, 44 is a pattern formation possible region, 45 is a non-repeating pattern opening, 46 is a pattern, 47 is an electron beam, 48 is a substrate made of, for example, Si, 49 is a peripheral pattern portion, and 50a and 50b are focal points.
なお、縮小レンズ２２及び縮小レンズ２４は透過してき
た電子ビームを縮小させる手段として機能するものであ
る。メインデフレクタ２５及びサブデフレクタ２６がウ
ェハ２８上に電子ビームを偏向する手段として機能する
ものである。サブチャンバ３３内のステージ３９上に設
置された透過孔マスク２０はゲートバルブ３４を介して
コラム３２内の所定の設置位置４１に設置されるように
なっている。透過孔マスク挿入機構はコラム３２内で透
過孔マスク２０が設置される設置位置４１でＸ方向、Ｘ
方向、θ方向の位置調整を行える透過孔マスク送り機構
３６と、コラム３２とは独立した透過孔マスク２０が設
置されるサブチャンバ３３とから構成されている。サブ
チャンバ３３はその他の部分を大気解放することなく独
自に真空にするポンプ等による真空系３８とＯ２、Ｏｓ
Ｎ２、Ａｒのガスを導入するガス導入系とプラズマ印加
手段３５とを具備している。Note that the reduction lens 22 and the reduction lens 24 function as means for reducing the transmitted electron beam. The main deflector 25 and the sub-deflector 26 function as means for deflecting the electron beam onto the wafer 28. The transmission hole mask 20 installed on the stage 39 in the subchamber 33 is installed at a predetermined installation position 41 in the column 32 via the gate valve 34. The transmission hole mask insertion mechanism is located in the installation position 41 where the transmission hole mask 20 is installed in the column 32 in the X direction,
It is composed of a transmission hole mask feeding mechanism 36 that can adjust the position in the direction and the θ direction, and a subchamber 33 in which the transmission hole mask 20 is installed independent of the column 32. The subchamber 33 is equipped with a vacuum system 38 using a pump or the like that independently evacuates other parts without exposing them to the atmosphere, and O2, Os.
It is equipped with a gas introduction system for introducing gases such as N2 and Ar, and a plasma application means 35.
次に、その動作原理について説明する。Next, the principle of operation will be explained.
露光装置は第１図及び第２図に示すように、電子ビーム
を発生する手段としての電子銃１４、発生した電子ビー
ムを整形する手段としてのアパーチャ１５、透過孔マス
ク２０上のパターンを適宜選択する手段としての静電偏
向器１７、サブチャンバ３３、透過孔マスク送り機構３
６、振り戻し手段としての第２のレンズ１９、透過して
きた電子ビームを縮小させる手段としての縮小レンズ２
２．２４、電子ビームをウェハ２８上に偏向する手段と
してのメインデフレクタ２５及びサブデフレクタ２６、
ウエノ＼２８を保持しウェハ２８を適宜移動させるステ
ージ２９、及びこれらを制御するＣＰＵＩを含む制御系
等から構成されている。具体的には、ＣＰＵＩには可変
成形矩形等のデータが入力されており、インターフェイ
ス４、データメモリ５を介してパターン制御コントロー
ラ６に各パターンデータが入力される。As shown in FIGS. 1 and 2, the exposure apparatus includes an electron gun 14 as a means for generating an electron beam, an aperture 15 as a means for shaping the generated electron beam, and a pattern on a transmission hole mask 20 that is appropriately selected. Electrostatic deflector 17, subchamber 33, and transmission hole mask feeding mechanism 3 as means for
6. Second lens 19 as a deflection means, reduction lens 2 as a means for reducing the transmitted electron beam
2.24, a main deflector 25 and a sub-deflector 26 as means for deflecting the electron beam onto the wafer 28;
It consists of a stage 29 that holds the wafer 28 and moves the wafer 28 as appropriate, and a control system including a CPU that controls these. Specifically, data such as variable shaped rectangles are input to the CPUI, and each pattern data is input to the pattern control controller 6 via the interface 4 and data memory 5.
次いで、パターン制御コントローラ６に基づいて静電偏
向器１７が制御され、可変成形矩形の電子ビームのサイ
ズ等が制御される。次いで、パターン制御コントローラ
６に基づいて透過孔マスク２０の選択場所も制御される
。次いで、パターン制御コントローラ６、及びシーケン
スコントローラ１０に基づいてブランキング制御回路９
によりパターン投影するかしないかが決定され、メイン
デフレクタ２５により露光する大きな範囲が決定され、
サブデフレクタ２６によりショットする位置が決定され
る。ショットする位置はステージ２９の位置を測定する
レーザ干渉計１２で測定され、この測定データが偏向制
御回路１１に入力され、再度メインデフレクタ２５及び
サブデフレクタ２６で調整される。また、ビームがウェ
ハ２８に回転して入射されてしまった場合、ショットす
る位置はウェハ２８からの反射電子を検出する反射電子
検出器３０で測定され、この測定データが波形解析回路
１８に入力され、再度電磁レンズとしての第２のレンズ
１９、縮小レンズ２２．２４で調整される。ところで、
露光しようとしている半導体装置の露光するパターンは
例えば第３図に示すようなものがあり、これは高密度に
集積されたダイナミック−ランダムアクセスメモリ （
ＤＲＡＭ）の例を示したものである。このような第３図
に示す半導体装置は大きく分けて、実際に記憶するセル
パターン部４２と周辺パターン部４９とから形成されて
いる。このようなパターン３４を効率よく露光するため
には、透過孔マスク２０には複数個のパターン群を有す
る必要があり、パターン群の数が多い程効率が良いとい
える。露光の原理は第４図に示す従来のものと同様、電
子ビームが通過する位置に、電子ビームを整形、または
露光する層内にいくつかの設計パターンの集まりからな
るパターン群を有する透過孔マスク２０を備え、電子ビ
ームをパターン群に選択的に照射して露光を行うという
ものである。そして、透過孔マスク２０上のパターン群
は静電偏向器１７を用いて焦点位置に振り込むことによ
って選択されるのであり、ウェハ２８上にパターンが転
写できるのは透過孔マスク２０の透過孔か・ら抜けてき
た電子ビームがウェハ２８上に適宜投影されることによ
ってできるのである。Next, the electrostatic deflector 17 is controlled based on the pattern control controller 6, and the size etc. of the variable shaped rectangular electron beam are controlled. Next, the selection location of the transparent hole mask 20 is also controlled based on the pattern control controller 6. Next, a blanking control circuit 9 is operated based on the pattern control controller 6 and the sequence controller 10.
It is determined whether or not to project the pattern, and the main deflector 25 determines the large range to be exposed.
The shot position is determined by the sub-deflector 26. The shot position is measured by a laser interferometer 12 that measures the position of the stage 29, and this measurement data is input to the deflection control circuit 11 and adjusted again by the main deflector 25 and sub deflector 26. Furthermore, if the beam is rotated and incident on the wafer 28, the shot position is measured by a backscattered electron detector 30 that detects backscattered electrons from the wafer 28, and this measurement data is input to the waveform analysis circuit 18. , and is again adjusted by the second lens 19 as an electromagnetic lens and the reduction lenses 22 and 24. by the way,
The pattern to be exposed on a semiconductor device to be exposed is, for example, the one shown in Figure 3, which is a highly integrated dynamic-random access memory (
This figure shows an example of DRAM. The semiconductor device shown in FIG. 3 is roughly divided into a cell pattern section 42 for actually storing data and a peripheral pattern section 49. In order to efficiently expose such a pattern 34, the transmission hole mask 20 needs to have a plurality of pattern groups, and it can be said that the larger the number of pattern groups, the better the efficiency. The principle of exposure is the same as that of the conventional one shown in Fig. 4, in which a transmission hole mask has a pattern group consisting of a collection of several designed patterns in the layer through which the electron beam is shaped or exposed, at the position through which the electron beam passes. 20, and performs exposure by selectively irradiating a group of patterns with an electron beam. Then, the pattern group on the transmission hole mask 20 is selected by moving it to the focal position using the electrostatic deflector 17, and the pattern can be transferred onto the wafer 28 through the transmission holes of the transmission hole mask 20. This is done by appropriately projecting the electron beam that has passed through the wafer 28 onto the wafer 28.
第２図には透過孔マスク送り機構３６とサブチャンバ３
３とから構成される透過孔マスク挿入機構の詳細を示し
ている。まず、透過孔マスク２０をサブチャンバ３３内
の透過孔マスク送り機構３６を構成するマスク保持部分
としてステージ３９に設置する。FIG. 2 shows the transmission hole mask feeding mechanism 36 and the subchamber 3.
3 shows details of the transmission hole mask insertion mechanism consisting of 3. First, the transmission hole mask 20 is placed on the stage 39 as a mask holding portion that constitutes the transmission hole mask feeding mechanism 36 in the subchamber 33 .
次いで、サブチャンバ３３内を真空系３８により真空に
排気し、コラム３２とサブチャンバ３３を仕切るゲート
バルブ３４を開いた後、透過孔マスク２０を透過孔マス
ク送り機構３６によってサブチャンバ３３からコラム３
２内の所定の設置位置４１に設置する。そして電子ビー
ムと被露光物としてのウェハ２８との位置関係を調整し
た後ビームを照射して露光を行う。Next, the inside of the subchamber 33 is evacuated by the vacuum system 38 and the gate valve 34 that partitions the column 32 and the subchamber 33 is opened, and then the transmission hole mask 20 is moved from the subchamber 33 to the column 3 by the transmission hole mask feeding mechanism 36.
2 at a predetermined installation position 41. After adjusting the positional relationship between the electron beam and the wafer 28 as the object to be exposed, the beam is irradiated to perform exposure.
透過孔マスク２０には透過孔マスク２〇−電子ビーム、
透過孔マスク２０−ウェハ２８との位置関係を測定する
目的の整合マークが開口窓として有しているので、その
整合マークを用いて位置合わせを行う。The transmission hole mask 20 includes a transmission hole mask 2〇-electron beam,
Since the alignment mark for the purpose of measuring the positional relationship between the transmission hole mask 20 and the wafer 28 is provided as an opening window, alignment is performed using the alignment mark.
その結果、透過孔マスク２０の位置を移動させた方が良
いと判断された場合は、透過孔マスク２０が設置されて
いるコラム３２内の設置位置４１でＸ方向。As a result, if it is determined that it is better to move the position of the transmission hole mask 20, move it in the X direction at the installation position 41 in the column 32 where the transmission hole mask 20 is installed.
Ｙ方向、θ方向の位置を透過孔マスク送り機構３６を調
節することによって行う。この操作は通常制御ｌ系を用
いて行う。The positions in the Y direction and the θ direction are determined by adjusting the transmission hole mask feeding mechanism 36. This operation is normally performed using a control system.
すなわち、上記実施例では、コラム３２とは独立した真
空排気系を持ち透過孔マスク２０が設置されるサブチャ
ンバ３３と、設置された透過孔マスク２０をサブチャン
バ３３からコラム３２内に１１送し、かつ透過孔マスク
２０が設置されるコラム３２内の設置位置でＸ方向、Ｙ
方向、θ方向の少なくとも１つ以上の方向の位置調整が
行える透過孔マスク送り機構３６を有するように構成し
ている。そして、透過孔マスク２０をサブチャンバ３３
内の透過孔マスク送り機構３６を構成するステージ３９
に設置し、次いで、透過孔マスク２０を透過孔マスク送
り機構３６によってサブチャンバ３３からコラム３２内
の所定の設置位置４１に設置し、電子ビームと被露光物
としてのウェハ２８の位置関係を調整した後、露光を行
うようにしたので、透過孔マスク２０を露光装置を構成
するコラム３２に容易に設置することができ、かつ透過
孔マスク２０のコラム３２での設置位置４１を容易に調
整することができ、パターンを効率よく短時間で露光す
ることができる。That is, in the above embodiment, the subchamber 33 has an evacuation system independent of the column 32 and the transmission hole mask 20 is installed, and the installed transmission hole mask 20 is transported 11 times from the subchamber 33 into the column 32. , and the installation position in the column 32 where the transmission hole mask 20 is installed in the X direction and Y direction.
The mask is configured to include a transmission hole mask feeding mechanism 36 that can perform position adjustment in at least one direction of the θ direction and the θ direction. Then, the transmission hole mask 20 is inserted into the subchamber 33.
The stage 39 that constitutes the transmission hole mask feeding mechanism 36 inside
Then, the transmission hole mask 20 is installed from the subchamber 33 to a predetermined installation position 41 in the column 32 by the transmission hole mask feeding mechanism 36, and the positional relationship between the electron beam and the wafer 28 as the object to be exposed is adjusted. After that, exposure is performed, so that the transmission hole mask 20 can be easily installed on the column 32 that constitutes the exposure apparatus, and the installation position 41 of the transmission hole mask 20 on the column 32 can be easily adjusted. The pattern can be efficiently exposed in a short time.
また、露光により生じる透過孔マスク２０上へのカーボ
ン等の異物はアッシングを行うことにより除去すること
ができる。具体的には、サブチャンバ３３内で行い、サ
ブチャンバ３３に設けた真空系３８、ガス４入系３７及
びプラズマ印加手段３５によって達成することができる
。すなわち、透過孔マスク２０を所定時間、所定処理量
露光した後、サブチャンバ３３内に収納する。次いで、
透過孔マスク２０をサブチャンバ３３内において、０２
．０７、Ｎ２、Ａｒ及びこれらの混合ガス雰囲気中（好
ましくは０２ガスにＡｒガスを混合したもので、混合比
０□：Ａｒ＝８：２）で放置またはプラズマにさらすこ
とで異物を除去して透過孔マスク２０の活性化を行うの
である。このため、活性化処理を行った透過孔マスク２
０は再度コラム３２内に挿入して、露光することかでき
るのである。なお、活性化においては、光（好まし７く
は短波長の紫外線）を１１．α射してもよい。ガス圧と
しては好ましくは数Ｔ Ｏｒ ｒから１Ｏ−３Ｔ ｏ
ｒ ｒ程度である。また、この活性化処理は露光途中の
みでなく露光を始めるときに行ってもよい。Further, foreign matter such as carbon on the transmission hole mask 20 caused by exposure can be removed by ashing. Specifically, this can be achieved within the subchamber 33 using a vacuum system 38, a four-gas system 37, and a plasma application means 35 provided in the subchamber 33. That is, after the transmission hole mask 20 is exposed for a predetermined amount of time for a predetermined amount of time, it is stored in the subchamber 33 . Then,
Place the transmission hole mask 20 in the subchamber 33,
．． Foreign matter is removed by leaving it in an atmosphere of 07, N2, Ar, or a mixture thereof (preferably a mixture of 02 gas and Ar gas, with a mixing ratio of 0□:Ar=8:2) or by exposing it to plasma. The transparent hole mask 20 is activated. For this reason, the transparent hole mask 2 that has undergone the activation process
0 can be inserted into the column 32 again and exposed. In addition, in the activation, light (preferably short wavelength ultraviolet rays) is used for 11. You may also shoot α. The gas pressure is preferably from several T or r to 1O-3T o
It is about r r. Further, this activation process may be performed not only during exposure but also when starting exposure.
なお、上記実施例では、透過孔マスク送り機構３６を透
過孔マスク２０が設置されるコラム３２内の設置位置４
１でＸ方向、Ｙ方向、θ方向の位置調整を行える機能を
存するように構成したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、電子の回転方向（θ方向）の位置合わせは
電磁レンズとして機能する透過孔マスク２０、縮小レン
ズ２２．２４をコントロールすることによっても可能で
あるので、この場合は透過孔マスク送り機構３６にθ方
向の位置調整を行える機能を設けなくてもよ＜、透過孔
マスク２０を位置方向にしか並べないような系の場合は
Ｘ方向のみの位置調整を行える機能を設ければよい。In the above embodiment, the transmission hole mask feeding mechanism 36 is moved to the installation position 4 in the column 32 where the transmission hole mask 20 is installed.
Although the present invention is configured to have a function of adjusting the position in the X direction, Y direction, and θ direction in 1, the present invention is not limited to this. This can also be done by controlling the transmission hole mask 20 and reduction lenses 22 and 24 that function as In the case of a system in which the transmission hole masks 20 are arranged only in the positional direction, a function that allows positional adjustment only in the X direction may be provided.
本発明によ・れば、透過孔マスクを露光装置を構成する
コラムに容易に設置することができ、かつ透過孔マスク
のコラムでの設置位置を容易に調整することができ、パ
ターンを効率よく短時間で露光することができるという
効果がある。According to the present invention, the transmission hole mask can be easily installed in a column constituting an exposure apparatus, and the installation position of the transmission hole mask in the column can be easily adjusted, thereby efficiently forming a pattern. This has the effect of allowing exposure to light in a short time.
第１図〜第３図は本発明に係る半導体製造装置及び半導
体装置の製造方法の一実施例を説明する図であり、
第１図は一実施例の露光装置の概略を示す図、第２図は
一実施例の透過孔マスク挿入機構の詳細を示す図、
第３図は一実施例の露光する半導体装置のパターンの一
例を示す図、
第４図は従来例の構成を示す装置の概略を示す図である
。
２０・・・・・・透過孔マスク、
２８・・・・・・ウェハ、
３２・・・・・・コラム、
３３・・・・・・サブチャンバ、
３６・・・・・・透過孔マスク送り機構。1 to 3 are diagrams for explaining an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor device manufacturing method according to the present invention. FIG. 1 is a diagram schematically showing an exposure apparatus of one embodiment, and FIG. FIG. 3 is a diagram showing details of a transmission hole mask insertion mechanism of one embodiment. FIG. 3 is a diagram showing an example of a pattern of a semiconductor device to be exposed in one embodiment. FIG. 4 is a schematic diagram of an apparatus showing the configuration of a conventional example. FIG. 20...Transmission hole mask, 28...Wafer, 32...Column, 33...Subchamber, 36...Transmission hole mask feed mechanism.
Claims (3)
ームを整形または露光する層内にいくつかの設計パター
ンの集まりからなるパターン群を有する透過孔マスクを
備え、前記電子ビームを前記パターン群に選択的に照射
して露光を行う半導体製造装置において、 前記コラムとは独立した真空排気系を持ち前記透過孔マ
スクが設置される真空予備室と、設置された該透過孔マ
スクを前記真空予備室から前記コラム内に搬送し、かつ
該透過孔マスクが設置されるコラム内の設置位置でＸ方
向、Ｙ方向、θ方向の少なくとも１つ以上の方向の位置
調整が行える透過孔マスク送り機構とを有する半導体製
造装置。(1) A transmission hole mask having a pattern group consisting of a collection of several design patterns in a layer for shaping or exposing the electron beam is provided at a position in the column through which the electron beam passes; In a semiconductor manufacturing apparatus that performs exposure by selectively irradiating light, a vacuum preliminary chamber having a vacuum exhaust system independent of the column and in which the transmission hole mask is installed; A transmission hole mask transport mechanism that transports the transmission hole mask from the chamber into the column and can adjust the position in at least one of the X direction, the Y direction, and the θ direction at the installation position in the column where the transmission hole mask is installed. Semiconductor manufacturing equipment with
系と、Ｏ＿２、Ｏ＿３、Ｎ＿２、Ａｒのガスを導入する
ガス導入系と、光またはプラズマのエネルギー印加手段
とを具備し、該真空予備室内で一定の露光処理後透過孔
マスクをアッシングできるようにしたことを特徴とする
請求項１記載の半導体製造装置。(2) The vacuum preliminary chamber is equipped with a vacuum system that evacuates the vacuum preliminary chamber, a gas introduction system that introduces O_2, O_3, N_2, and Ar gases, and means for applying light or plasma energy, 2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the transmission hole mask can be ashed after a certain exposure process in the vacuum preliminary chamber.
ームを整形または露光する層内にいつくかの設計パター
ンの集まりからなるパターン群を有する透過孔マスクを
備え、前記電子ビームを前記パターン群に選択的に照射
して露光を行う半導体装置の製造方法において、 前記透過孔マスクを真空予備室内の透過孔マスク送り機
構に設置する工程と、 前記透過孔マスクを前記透過孔マスク送り機構によって
前記真空予備室からコラム内の所定の設置位置に設置す
る工程と、 電子ビームと被露光物の位置関係を調整した後露光を行
う工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法
。(3) At a position in the column through which the electron beam passes, a transmission hole mask having a pattern group consisting of a collection of several designed patterns is provided in a layer for shaping or exposing the electron beam, and the electron beam is directed to the pattern group. A method for manufacturing a semiconductor device in which exposure is performed by selectively irradiating light, comprising: installing the transmission hole mask in a transmission hole mask feeding mechanism in a vacuum preliminary chamber; 1. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of installing the device from a vacuum preliminary chamber to a predetermined installation position in a column, and performing exposure after adjusting the positional relationship between the electron beam and the object to be exposed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27960488A JPH02125608A (en) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | Semiconductor manufacturing equipment and manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27960488A JPH02125608A (en) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | Semiconductor manufacturing equipment and manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125608A true JPH02125608A (en) | 1990-05-14 |
Family
ID=17613302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27960488A Pending JPH02125608A (en) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | Semiconductor manufacturing equipment and manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02125608A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11574797B2 (en) | 2020-09-29 | 2023-02-07 | Nuflare Technology, Inc. | Multiple-charged particle-beam irradiation apparatus and multiple-charged particle-beam irradiation method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53143175A (en) * | 1977-05-20 | 1978-12-13 | Hitachi Ltd | Electron beam drawing apparatus |
| JPS63250818A (en) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Toshiba Corp | Electron beam rithography |
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1988
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