JPH02119157A - Testing device - Google Patents

Testing device

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Publication number
JPH02119157A
JPH02119157A JP27066688A JP27066688A JPH02119157A JP H02119157 A JPH02119157 A JP H02119157A JP 27066688 A JP27066688 A JP 27066688A JP 27066688 A JP27066688 A JP 27066688A JP H02119157 A JPH02119157 A JP H02119157A
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JP
Japan
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probes
probe
sample stage
sample
contact
Prior art date
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Pending
Application number
JP27066688A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Teruo Isobe
磯部 輝雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Abstract

PURPOSE:To maintain stable contact during the test and achieve a higher density test with a larger number of probes by bringing a test subject and the probes in contact with each other without overshoot by means of a stretching means provided on the sample base side. CONSTITUTION:A semiconductor wafer 4 is placed on the upper surface of a first sample base 7 and fixed by means of vacuum chuck hole 7a. Then, the sample base 1 is raised by an elevation driving part 13 to cause solder bumps 4a to approach the probes 3a. Next, a buffer member 10 is stretched by a predetermined amount by a control means 11 to raise the sample base 7 without overshooting to press the extremities of the probes 3a onto the bumps 4a to carry out a predetermined test. Thus, the plastic deformation of the probes can be prevented to maintain a stable contact, and by providing the buffer base on the sample base side to eliminate the space limitation between the probes to increase the number of the probes to achieve higher density test.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、検査技術に関し、特に、半導体装置の製造に
おいて実施されるウェハテストに適用してを効な技術に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an inspection technique, and particularly to a technique that is effective when applied to wafer testing performed in the manufacture of semiconductor devices.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

たとえば、半導体装置の製造におけるウェハ処理工程で
実施されるウェハテストについては、株式会社工業調査
会、昭和62年11月15日発行、「電子材料J 19
87年11月号別冊、P183〜P190に記載されて
いる。
For example, regarding wafer tests carried out in the wafer processing process in the manufacture of semiconductor devices, see "Electronic Materials J 19" published by Kogyo Kenkyukai Co., Ltd., November 15, 1986.
It is described in the November 1987 special edition, pages 183 to 190.

その概要としては、半導体ウェハの個々の半導体素子に
形成された外部接続電極などに探針を接触させ、この探
針を介して個々の半導体装置と外部のテスタとの電気的
な導通をとり、所定の動作信号を印加して動作特性の可
否などを判別すると記載されている。
The outline of this method is to bring a probe into contact with external connection electrodes formed on individual semiconductor elements on a semiconductor wafer, establish electrical continuity between each semiconductor device and an external tester via the probe, and It is described that a predetermined operating signal is applied to determine whether or not operating characteristics are satisfied.

ところで、個々の半導体素子の高集積化・高密度化など
に伴い、外部接続電極の数は増大する傾向にあり、半導
体素子の全面に半田バンプなどの複数の外部接続電極が
密に配設されるようになりつつある。
By the way, as individual semiconductor devices become more highly integrated and densely packed, the number of external connection electrodes tends to increase. It is becoming more and more common.

このため、探針の数の増大化や高密度化が必要とされて
いるが、従来のように探針と外部接続電極との接触時に
、屈曲した探針の弾性によって当該探針を個々の外部接
続電極に圧接する方式では探針同志が接触するなどして
検査が不可能になりつつある。
For this reason, it is necessary to increase the number of probes and increase their density, but when the probe contacts an externally connected electrode as in the past, the elasticity of the bent probe causes the individual probes to separate. In the method of press-contacting externally connected electrodes, the probes come into contact with each other, making inspection impossible.

そこで、従来の方式に代えて、剛性の高いプローブカー
ドに多数の探針を剣山状に植設させてこの探針を外部接
続電極に接触させることが考えられる。
Therefore, instead of the conventional method, it is conceivable to have a large number of probes implanted in a highly rigid probe card in a crest shape, and to bring the probes into contact with external connection electrodes.

すなわち、昇降自在な試料台などに半導体ウェハを載置
するとともに、この半導体ウェハに前記プローブカード
の探針を対向させて固定し、ステッピングモータなどに
よる試料台の上昇動作によって接触させることが考えら
れる。
In other words, it is conceivable to place a semiconductor wafer on a sample stand that can be raised and lowered, and to fix the probe of the probe card to the semiconductor wafer so that it faces the semiconductor wafer, and to bring it into contact by raising the sample stand using a stepping motor or the like. .

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところが、前記したような試料台の上昇動作によって半
導体ウェハに探針を接触させる方式では、当該試料台や
駆動系の慣性などによって、所定の停止位置から行き過
ぎて戻る、いわゆるオーバーシュートを生じることは避
けられず、試料台が所定の停止位置に戻った際に、オー
バーシュートによる最接近位置で塑性変形した探針と半
田バンプとの間に隙間が生じることとなり、検査中など
における接触不良発生の一因となっていることを本発明
者は見出した。
However, in the method described above in which the probe is brought into contact with the semiconductor wafer by the upward movement of the sample stage, so-called overshoot, which occurs when the probe returns too far from a predetermined stopping position, does not occur due to the inertia of the sample stage or drive system. Unavoidably, when the sample stage returns to the predetermined stopping position, a gap will be created between the probe, which has been plastically deformed at the closest position due to overshoot, and the solder bump, resulting in poor contact during inspection, etc. The present inventor has discovered that this is a contributing factor.

そこで、このような接触不良を防止するために、探針自
体にばねなどの伸縮手段を組み込んで、この伸縮手段の
弾性力ないし伸縮力によって探針が外部接続電極に圧接
される構造とすることも考えられるが、このような構造
によると、伸縮手段の組み込み構造によって探針間のス
ペースが制限されるため、探針の数の増大化や高密度化
が妨げられる。
Therefore, in order to prevent such poor contact, a structure is adopted in which an elastic means such as a spring is incorporated into the probe itself, and the probe is pressed into contact with the external connection electrode by the elastic force or elastic force of the elastic means. However, with such a structure, the space between the probes is restricted due to the built-in structure of the expansion and contraction means, which prevents an increase in the number of probes and a high density.

また、伸縮手段を探針側に設ける構造とすると、探針の
配置間隔や数などが異なる種々なプローブカード、すな
わち、種々な探針側の構造ごとに伸縮手段を夫々設けな
ければならない。
Furthermore, if the expansion/contraction means is provided on the probe side, the expansion/contraction means must be provided for each of various probe cards with different arrangement intervals and numbers of probes, that is, for each of the various probe side structures.

本発明の目的は、一つの構造によって多種の被検査物と
探針との接触を安定に維持することができ、また探針の
数の増大化や高密度化を図ることができる検査技術を提
供することにある。
An object of the present invention is to provide an inspection technique that can stably maintain contact between a variety of objects to be inspected and a probe using a single structure, and that can increase the number of probes and increase the density of the probes. It is about providing.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、板状の被検査物を支持する試料台と、該試料
台に載置された前記被検査物に対向して突出され配設さ
れている複数の探針とからなり、前記探針に対して前記
試料台を相対的に変位させることにより前記被検査物と
前記探針とを接触させて所定の検査を行う検査装置であ
って、前記被検査物と前記探針との接触時圧接用の伸縮
手段が前記試料台側に設けられているものである。
That is, it consists of a sample stage that supports a plate-shaped object to be inspected, and a plurality of probes that are protruded and disposed opposite to the object to be inspected placed on the sample platform. An inspection device that performs a predetermined inspection by bringing the object to be inspected and the probe into contact by relatively displacing the sample stage, wherein the object to be inspected and the probe come into pressure contact when they come into contact with each other. A telescopic means for this purpose is provided on the sample stage side.

〔作用〕[Effect]

前記した手段によれば、試料台側に設けろれた伸縮手段
を介して被検査物と探針とが接触時に圧接されることに
より、たとえば試料台や当該試料台の駆動系などの慣性
によるオーバーシュートに起因する探針などの過度の塑
性変形が回避され、検査中における被検査物と探針との
接触を安定に維持することができる。
According to the above-mentioned means, the object to be inspected and the probe are brought into pressure contact when they come into contact via the expansion and contraction means provided on the sample stand side, so that overflow due to inertia of the sample stand or the drive system of the sample stand can be avoided. Excessive plastic deformation of the probe caused by the chute is avoided, and stable contact between the object to be inspected and the probe can be maintained during inspection.

この場合に、伸縮手段が試料台側に設けられていること
により、探針間のスペースなどが伸縮手段によって制限
されることがないので、探針の数の増大化や高密度化を
図ることができ、また探針の配置間隔や数などが異なる
種々な探針側の構造ごとに、伸縮手段を設ける必要性を
回避することができる。
In this case, since the expansion and contraction means is provided on the sample stage side, the space between the probes is not limited by the expansion and contraction means, so it is possible to increase the number of probes and increase the density of the probes. In addition, it is possible to avoid the necessity of providing an expansion/contraction means for each of various structures on the probe side in which the arrangement intervals and number of probes are different.

〔実施例〕 第1図は、本発明の一実施例である検査装置の要部を一
部所面で示す説明図、第2図(a)、ら)、(C)。
[Embodiment] FIG. 1 is an explanatory diagram partially showing the main parts of an inspection apparatus which is an embodiment of the present invention, and FIGS. 2(a), 2(a) and 2(c).

(d) 、 (e) 、 (f)は本発明に用いられる
伸縮手段の変形例を夫々示す説明図である。
(d), (e), and (f) are explanatory views showing modified examples of the expansion and contraction means used in the present invention, respectively.

本実施例の検査装置は、半導体装置の製造におけるウェ
ハブローバとして構成されている。
The inspection apparatus of this embodiment is configured as a wafer blower in the manufacture of semiconductor devices.

はぼ水平に設けられている試料台1の上方には、当該試
料台1に平行に対向する姿勢でベース2が設けられ、こ
のベース2の試料台1に対する対向面には、プローブカ
ード3が水平に固定されている。
A base 2 is provided above the sample stand 1, which is set almost horizontally, in a posture facing parallel to the sample stand 1, and a probe card 3 is mounted on the surface of the base 2 facing the sample stand 1. fixed horizontally.

プローブカード3には、半導体ウェハ4 (被検査物)
に形成された個々の半導体素子に設けられる複数の半田
バンプ4aの各々に一致するように所定のピッチで配列
された複数の探針3aが垂直下向きに突設されており、
各々の探針3aは、プローブカード3に接続されるケー
ブル5を介してテスタ6に接続されている。
A semiconductor wafer 4 (object to be inspected) is mounted on the probe card 3.
A plurality of probes 3a are arranged at a predetermined pitch to correspond to each of a plurality of solder bumps 4a provided on each semiconductor element formed in the semiconductor device, and protrude vertically downward.
Each probe 3a is connected to a tester 6 via a cable 5 connected to a probe card 3.

前記試料台1は、上下方向に複数段分割され、この分割
された第1試料台7と第2試料台8とによって当該試料
台1が形成されている。
The sample stand 1 is vertically divided into multiple stages, and the divided first sample stand 7 and second sample stand 8 form the sample stand 1.

第1試料台7の上面には、真空配管9に接続されている
チャック用の真空吸着孔7aが配設され、この真空吸着
孔7aによって半導体ウェハ4が吸着され位置決めされ
て第1試料台7の上面に着脱自在に載置されている。
A vacuum suction hole 7a for a chuck connected to the vacuum piping 9 is provided on the upper surface of the first sample stage 7, and the semiconductor wafer 4 is suctioned and positioned by the vacuum suction hole 7a, and the semiconductor wafer 4 is positioned on the first sample stage 7. It is removably placed on the top surface of the

また、第1試料台7の下側のほぼ中央部には、大径のガ
イド部7bが垂直下向きに突設され、第1試料台7の下
側の外周部には、外周方向に等間隔をおいてガイドピン
7Cが垂直下向きに複数突設されている。
Further, a large diameter guide portion 7b is provided at approximately the center of the lower side of the first sample stage 7, protruding vertically downward, and a guide portion 7b of a large diameter is provided on the outer peripheral portion of the lower side of the first sample stage 7 at equal intervals in the outer circumferential direction. A plurality of guide pins 7C are provided to protrude vertically downward.

他方、第2試料台8には、大径のガイド孔8a。On the other hand, the second sample stage 8 has a large diameter guide hole 8a.

小径のガイド孔8bが形成され、このガイド孔8a、8
bに前記ガイド部7b、ガイドピン7Cが夫々遊挿され
ていることにより、第1試料台7が第2試料台8上にそ
の水平面内の回動が防止されつつ上下方向に変位自在に
支承されている。
A small diameter guide hole 8b is formed, and the guide holes 8a, 8
Since the guide portion 7b and the guide pin 7C are loosely inserted in b, the first sample stage 7 is supported on the second sample stage 8 so as to be vertically displaceable while being prevented from rotating in the horizontal plane. has been done.

第1試料台7と第2試料台8との間には、たとえば空気
袋などの緩衝体10(伸縮手段)が単数、あるいは複数
両者間の外周方向に沿って介在されている。
Between the first sample stage 7 and the second sample stage 8, one or more buffer members 10 (expandable means) such as an air bag are interposed along the outer circumferential direction between the two.

このように、本実施例の伸縮手段は第1図に示すような
緩衝体10によって形成されているが、本発明の伸縮手
段としては、たとえば第2図(a)。
In this way, the extensible means of this embodiment is formed by the buffer body 10 as shown in FIG. 1, but the extensible means of the present invention is, for example, as shown in FIG. 2(a).

(bl、(C)に示すような断面形状のゴム、スポンジ
製などの弾性体10a1同図(d)に示すようなポゴコ
ンタクトピン10b1同図(e)、 (f)に示すよう
なばね10C1同図(匂に示すようなピエゾ素子などの
圧電アクチュエータ10dなどを用いることができる。
(bl, an elastic body made of rubber or sponge with a cross-sectional shape as shown in (C) 10a1, a pogo contact pin 10b as shown in (d) in the same figure, a spring 10C1 as shown in (e) and (f) in the same figure) A piezoelectric actuator 10d such as a piezo element as shown in the figure can be used.

この最後に例示した圧電アクチユエータ10dは、たと
えば10〜100OV程度の電圧の印加によって、当該
電圧に比例して第2図の上下方向に10〜100μm程
度の伸びが生じるものである。
In the piezoelectric actuator 10d illustrated last, for example, when a voltage of about 10 to 100 OV is applied, the piezoelectric actuator 10d expands by about 10 to 100 μm in the vertical direction in FIG. 2 in proportion to the voltage.

そして、この圧電アクチユエータ10dを検査装置の伸
縮手段として用いる場合には、たとえば圧電アクチユエ
ータ10dに所定の制御手段によって制御され印加され
る電圧に応じて当該圧電アクチュエータ10dに発生す
る上下に伸縮する方向の歪によって、第1試料台7が上
下方向に微動されることにより、第1試料第70オーバ
シニートなどが生じない構造とされるものである。
When this piezoelectric actuator 10d is used as an expansion/contraction means of an inspection device, for example, the vertical expansion/contraction direction generated in the piezoelectric actuator 10d in accordance with the voltage applied to the piezoelectric actuator 10d under the control of a predetermined control means. The structure is such that the first sample stage 7 is slightly moved in the vertical direction due to strain, so that the first sample 70 does not overshine.

本実施例の緩衝体10は、その第1図の上下方向の伸縮
が制御手段11によって制御されるようになっている。
The buffer body 10 of this embodiment is configured such that its expansion and contraction in the vertical direction in FIG. 1 is controlled by a control means 11.

前記第2試料台8は、垂直な昇降軸12を介して、たと
えばステッピングモータなどからなる昇降駆動113に
支持され、さらにこの昇降駆動部13は、筐体14に支
持されているX−Yステージ15の上に固定されている
The second sample stage 8 is supported via a vertical lift shaft 12 by a lift drive 113 composed of, for example, a stepping motor. It is fixed on top of 15.

そして、X−Yステージ15の水平面内における移動動
作と、昇降駆動部13による上下動などを組み合わせる
ことにより、第2試料台8の水平および垂直方向におけ
る位置決め動作が行われるようになっている。
By combining the movement of the X-Y stage 15 in the horizontal plane and the vertical movement of the lift drive section 13, positioning of the second sample stage 8 in the horizontal and vertical directions is performed.

また、昇降駆動部13による第2試料台8の上下動と、
緩衝体10の伸縮による第1試料台7の上下方向の微動
動作とが制御手段11などを介して連携して行われる構
造とされ、昇降駆動部13によって第1試料台7が第2
試料台8を介して探針3aに近接した後に、緩衝体10
が制御手段11によって制御され伸長されて第1試料台
7が更に微動されて探針3aに圧接されることにより、
第1試料台7がオーバシニートなどをすることな(、探
針3aが半導体素子の半田バンプ4aに接触されて確実
に圧接される構造とされている。
In addition, the vertical movement of the second sample stage 8 by the vertical drive unit 13;
The vertical movement of the first sample stage 7 due to the expansion and contraction of the buffer body 10 is carried out in coordination with the control means 11, etc.
After approaching the probe 3a via the sample stage 8, the buffer 10
is extended under the control of the control means 11, and the first sample stage 7 is further moved slightly and brought into pressure contact with the probe 3a.
The structure is such that the probe 3a is brought into contact with the solder bump 4a of the semiconductor element and is securely pressed against the solder bump 4a of the semiconductor element so that the first sample stage 7 does not overshine.

以下、本実施例の作用について説明する。The operation of this embodiment will be explained below.

まず、第1試料台7の上面には、半導体ウェハ4が半田
バンプ4aを上側とした所定の姿勢で載置され真空吸着
孔7aの吸引によって固定される。
First, the semiconductor wafer 4 is placed on the upper surface of the first sample stage 7 in a predetermined posture with the solder bumps 4a facing upward, and is fixed by suction from the vacuum suction holes 7a.

次に、x−yステージ15を適宜移動させることにより
、半導体ウェハ4に形成された図示しない複数の半導体
素子のうちの目的の半導体素子が探針3aの直下に位置
決めされるとともに、試料台1を適宜回動させることに
より、複数の半田バンプ4aの配列方向と探針3aの配
列方向の平行度などを調整する。
Next, by appropriately moving the x-y stage 15, a target semiconductor element among a plurality of semiconductor elements (not shown) formed on the semiconductor wafer 4 is positioned directly under the probe 3a, and the sample stage 1 By appropriately rotating the solder bumps 4a, the parallelism between the array direction of the plurality of solder bumps 4a and the array direction of the probes 3a can be adjusted.

その後、昇降駆動部13を作動させ、試料台1を所定の
高さまで上昇させることによって、探針3aの先端と第
1試料台7に載置された半導体ウェハ4の半田バンプ4
aとを非接触の状態で所定の距離まで接近させる。
Thereafter, the lift drive unit 13 is activated to raise the sample stage 1 to a predetermined height, thereby touching the tip of the probe 3a and the solder bumps 4 of the semiconductor wafer 4 placed on the first sample stage 7.
a to a predetermined distance in a non-contact state.

次に、制御手段11の制御によって緩衝体lOを所定量
だけ伸長させ、オーパージニートなどを生じさせること
なく、第1試料台7を各探針3aの先端上に平行な姿勢
を保ちつつ所定の距離だけ上昇させ、各探針3aの各々
の先端を目的の半導体素子における複数の半田バンプ4
aの各々に所定量だけ確実に圧接させ、個々の探針3a
と半田バンプ4aとが電気的に確実に接続された状態に
する。
Next, the buffer body 10 is extended by a predetermined amount under the control of the control means 11, and the first sample stage 7 is held in a predetermined position while maintaining a parallel attitude above the tip of each probe 3a, without causing an opening or the like. the tip of each probe 3a to a plurality of solder bumps 4 on the target semiconductor element.
The individual probes 3a are pressed securely by a predetermined amount to each of the probes 3a.
and solder bump 4a are electrically connected securely.

この状態で、ケーブル5および複数の探針3aなどを介
して、半導体ウェハ4に形成された図示しない半導体素
子とテスタ6との間で動作電力や動作試験信号などの授
受を行い、当該半導体素子の動作特性の可否などを判別
する。
In this state, operating power, operation test signals, etc. are exchanged between the tester 6 and a semiconductor element (not shown) formed on the semiconductor wafer 4 via the cable 5 and the plurality of probes 3a, etc. Determine whether or not the operating characteristics of the

前記の一連の操作が半導体ウェハ4に形成された複数の
半導体素子の各々について実施され、すべての半導体素
子について動作特性の可否などが判別される。
The series of operations described above is performed for each of the plurality of semiconductor elements formed on the semiconductor wafer 4, and it is determined whether the operating characteristics of all the semiconductor elements are good or not.

そして、不可と判定された半導体素子は、たとえば、後
のグイシング工程後の封止工程などにおいて排除される
Then, the semiconductor elements determined to be unsuitable are eliminated, for example, in the subsequent sealing process after the guising process.

このように、本実施例においては、昇降駆動部13の駆
動による試料台1の上昇動作によって半導体ウェハ4に
形成された半田バンプ4aを探針3aの先端部に所定の
距離まで接近させる第1の段階と、緩衝体10の伸長に
よるオーバーシュートのない第1試料台7の上昇変位に
よって探針3aの先端部が半田バンプ4aに圧接させる
第2の段階とを経て、また緩衝体10を介して探針3a
の先端部が半田バンプ4aに圧接されることにより、複
数の半田バンプ4aと探針3aとの接触動作が行われる
ので、探針3aなどが半田バンプ4aに接触する際に過
度に塑性変形して隙間を生じることが回避される。
As described above, in this embodiment, the first step is to bring the solder bumps 4a formed on the semiconductor wafer 4 close to the tip of the probe 3a to a predetermined distance by the lifting operation of the sample stage 1 driven by the lifting drive section 13. and a second stage in which the tip of the probe 3a is brought into pressure contact with the solder bump 4a by the upward displacement of the first sample stage 7 without overshoot due to the expansion of the buffer 10, and then through the buffer 10. probe 3a
Since the tip of the probe 3a is pressed against the solder bump 4a, the plurality of solder bumps 4a and the probe 3a are brought into contact with each other, so that excessive plastic deformation occurs when the probe 3a and the like come into contact with the solder bumps 4a. This prevents the occurrence of gaps.

これにより、試験中などにふいて、半導体ウェハ41こ
形成された図示しない複数の半導体素子の半田バンプ4
aと探針3aとの電気的な接続を確実に維持することが
可能となり、安定な試験結果を得ることができ、また剛
性の高い探針3aを用いることができる。
As a result, the solder bumps 4 of a plurality of semiconductor elements (not shown) formed on the semiconductor wafer 41 during testing, etc.
It becomes possible to reliably maintain the electrical connection between a and the probe 3a, stable test results can be obtained, and a highly rigid probe 3a can be used.

また、本実施例においては、緩衝体10は、探針3a側
ではなく、試料台1側に設けられていることにより、各
探針3a間などのスペースが緩衝体IOなどによって制
限されることがないので、探針3aの数の増大化や高密
度化などを図ることができ、これにより多数の半田バン
プ4aを有する半導体ウェハ4の検査が可能となり、ま
た探針3aの配胃間隔や数などが異なる種々なプローブ
カード3ごとに、緩衝体10を設ける必要性を回避する
ことができる。
Furthermore, in this embodiment, the buffer 10 is provided on the sample stage 1 side, not on the probe 3a side, so that the space between each probe 3a is limited by the buffer IO, etc. Since there are no probes 3a, it is possible to increase the number of probes 3a and increase the density of the probes 3a.This makes it possible to inspect the semiconductor wafer 4 having a large number of solder bumps 4a, and also to reduce the distance between the probes 3a and the probes 3a. It is possible to avoid the necessity of providing the buffer body 10 for each of various probe cards 3 having different numbers.

以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
As above, the invention made by the present inventor has been specifically explained based on Examples, but it should be noted that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Not even.

たとえば、本実施例における緩衝体lOは、制御手al
lによって制御されて伸縮される構造とされているが、
たとえば本発明の伸長手段として、Klli体101弾
性体10a、ポゴコンタクトピン10b、ばねlOcな
どを用いる場合には、その伸縮が制御されず、各自の緩
衝力ないし弾性方自体のみによって被検査物と探針との
接触が安定に維持される構造としても良い。
For example, the buffer lO in this example has a control hand al.
It is said that it has a structure that expands and contracts under the control of l.
For example, when the elastic body 10a of the Klli body 101, the pogo contact pin 10b, the spring lOc, etc. are used as the stretching means of the present invention, their expansion and contraction are not controlled, and the object to be inspected is affected only by their own buffering force or elasticity. It may also have a structure that maintains stable contact with the probe.

また、本実施例における第1試料台7の回転防止機構は
、ガイド部7b、ガイドピン7Cがガイド孔3a、3b
に夫々遊挿されている構造とされているが、たとえばガ
イドレールや噛み合わせなどによる回転防止機構として
も良い。
Further, in the rotation prevention mechanism of the first sample stage 7 in this embodiment, the guide portion 7b and the guide pin 7C are connected to the guide holes 3a and 3b.
Although the structure is such that they are loosely inserted into each, a rotation prevention mechanism such as a guide rail or engagement may also be used.

更に、本実施例においては、試料台1と探針3aとの近
接時に、第2試料台8の上昇によって試料台1側が探針
3a側に近接する構造とされているが、これとは逆に、
探針3a側が試料台l側に近接する構造とすることも可
能である。
Furthermore, in this embodiment, when the sample stage 1 and the probe 3a approach each other, the second sample stage 8 rises, causing the sample stage 1 side to approach the probe 3a side. To,
It is also possible to have a structure in which the probe 3a side is close to the sample stage l side.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造に
おけるウェハテスト技術に適用した場合について説明し
たが、被検査物に対する探針の接触によって所定の試験
を行う試験技術に広く適用することができる。
The above explanation has mainly been about the case where the invention made by the present inventor is applied to the wafer test technology in the manufacturing of semiconductor devices, which is the field of application in which the invention was made by the present inventor. It can be widely applied to testing techniques for conducting tests.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、板状の被検査物を支持する試料台と、該試料
台に載置された前記被検査物に対向して突出され配設さ
れている複数の探針とからなり、前記被検査物と前記探
針とを接触させて所定の検査を行う検査装置であって、
前記被検査物と前記探針との接触時圧接用の伸縮手段が
前記試料台側に形成されている構造とされていることに
より、試料台側に設けられた伸縮手段を介して被検査物
と探針とが接触時に圧接されるので、たとえば試料台や
当該試料台の駆動系などの慣性によるオーバーシュート
に起因する探針の過度の塑性変形が回避され、検査中に
おける被検査物と探針との接触を安定に維持することが
できる。
That is, it consists of a sample stage that supports a plate-shaped object to be inspected, and a plurality of probes that are protruded and arranged opposite to the object to be inspected placed on the sample stand, and that An inspection device that performs a predetermined inspection by bringing the probe into contact with the probe,
By having a structure in which an extensible means for pressure contact between the object to be inspected and the probe is formed on the sample stand side, the object to be inspected can be moved through the extensible means provided on the sample stand side. Since the probe and the probe are in pressure contact when they come into contact, excessive plastic deformation of the probe due to overshoot due to inertia of the sample stage or the drive system of the sample stage is avoided, and the object to be inspected and the probe are Stable contact with the needle can be maintained.

この場合に、伸縮手段が試料台側に設けられていること
により、探針間のスペースが伸縮手段によって制限され
ることがないので、探針の数の増大化や高密度化を図る
ことができ、また探針の配置間隔や数などが異なる探針
側の構造ごとに、伸縮手段を設ける必要性を回避するこ
とができる。
In this case, by providing the expansion and contraction means on the sample stage side, the space between the probes is not limited by the expansion and contraction means, so it is possible to increase the number of probes and increase the density of the probes. In addition, it is possible to avoid the need to provide expansion and contraction means for each structure on the probe side in which the arrangement interval or number of probes is different.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例である検査装置の要部を一部
断面で示す説明図、 第2図(a)、ら)、 (C)、 (d)、 (e)、
 (f)、 (g)は本発明に用いられる伸縮手段の変
形例を示す説明図である。 1・・・試料台、2・・・ベース、3・・・プローブカ
ード、3a・・・探針、4・・・半導体ウェハ(被検査
物)、4a・・・半田バンプ、5・・・ケーブル、6・
・・テスタ、7・・・第1試料台、7a・・・真空吸着
孔、7b・・・ガイド部、7C・・・ガイドピン、8・
・・第2試料台、3a、3b・・・ガイド孔、9・・・
真空配管、10・・・緩衝体(伸縮手段)、10a・・
・弾性体(伸縮手段)、10b・・・ポゴコンタクトピ
ン(伸縮手段)、10C・・・ばね(伸縮手段)、10
d・・・圧電アクチュエータ(伸縮手段)、11・・・
制御手段、12・・・昇降軸、13・・・昇降駆動部、
14・・・筐体、15・・・X−Yステージ。 第2図
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a partial cross section of the main part of an inspection device which is an embodiment of the present invention; FIG. 2 (a), (a), (c), (d), (e)
(f) and (g) are explanatory diagrams showing modified examples of the expansion/contraction means used in the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Sample stage, 2... Base, 3... Probe card, 3a... Probe, 4... Semiconductor wafer (object to be inspected), 4a... Solder bump, 5... Cable, 6.
...Tester, 7...First sample stage, 7a...Vacuum suction hole, 7b...Guide portion, 7C...Guide pin, 8.
...Second sample stage, 3a, 3b...Guide hole, 9...
Vacuum piping, 10...Buffer (expansion/contraction means), 10a...
・Elastic body (expandable means), 10b... Pogo contact pin (expandable means), 10C... Spring (expandable means), 10
d...Piezoelectric actuator (expansion/contraction means), 11...
Control means, 12... Lifting shaft, 13... Lifting drive unit,
14... Housing, 15... X-Y stage. Figure 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 板状の被検査物を支持する試料台と、該試料台に載
置された前記被検査物に対向して突出され配設されてい
る複数の探針とからなり、前記探針に対して前記試料台
を相対的に変位させることにより前記被検査物と前記探
針とを接触させて所定の検査を行う検査装置であって、
前記被検査物と前記探針との接触時圧接用の伸縮手段が
前記試料台側に設けられていることを特徴とする検査装
置。 2、前記伸縮手段が所定の制御手段によって前記探針と
前記被検査物との接離方向に伸縮自在に制御されること
を特徴とする請求項1記載の検査装置。 3、前記試料台が複数段に分離され、この分離された試
料台間に前記緩衝手段が介在されていることを特徴とす
る請求項1、または2記載の検査装置。
[Claims] 1. Consisting of a sample stage supporting a plate-shaped object to be inspected, and a plurality of probes protruding and arranged opposite to the object to be inspected placed on the sample stand. , an inspection device that performs a predetermined inspection by bringing the object to be inspected and the probe into contact by displacing the sample stage relative to the probe,
An inspection apparatus characterized in that an expanding and contracting means for press-contacting the object to be inspected and the probe when they come into contact is provided on the sample stage side. 2. The inspection apparatus according to claim 1, wherein the expansion and contraction means is controlled by a predetermined control means to be expandable and retractable in the direction of approach and separation between the probe and the object to be inspected. 3. The inspection apparatus according to claim 1 or 2, wherein the sample stage is separated into a plurality of stages, and the buffer means is interposed between the separated sample stages.
JP27066688A 1988-10-28 1988-10-28 Testing device Pending JPH02119157A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016151573A (en) * 2015-02-19 2016-08-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Method of manufacturing semiconductor device and probe card

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016151573A (en) * 2015-02-19 2016-08-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Method of manufacturing semiconductor device and probe card

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