JPH02107981A - Semiconductor integrated circuit incorporated in memory - Google Patents

Semiconductor integrated circuit incorporated in memory

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JPH02107981A
JPH02107981A JP63261881A JP26188188A JPH02107981A JP H02107981 A JPH02107981 A JP H02107981A JP 63261881 A JP63261881 A JP 63261881A JP 26188188 A JP26188188 A JP 26188188A JP H02107981 A JPH02107981 A JP H02107981A
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JP
Japan
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signal
terminal
circuit
data
address
Prior art date
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JP63261881A
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Japanese (ja)
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Hideshi Maeno
秀史 前野
Hisayasu Sato
久恭 佐藤
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To reduce the number of signal observation terminals by enabling the discrete control of multiplexer circuits in regard to an address signal, a data input signal, a write enable signal and a block select signal. CONSTITUTION:A latch circuit 19 is provided with an input terminal 20, an output terminal 21 and a clock terminal 22. Select control signals of an address signal, a data-in signal, a write enable signal and a block select signal are supplied from the circuit 19, and the input terminal 20 of the circuit 19 is connected commonly with an address signal terminal 10 of a test. Accordingly, a terminal for the test being necessary for the selection control of multiplexer circuits 8 is secured by the clock terminal 22 alone. According to this constitution, an address signal observation terminal and a data-in signal observation terminal can be dispensed with.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体集積回路のテスト容易化設計方式に関
するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a testability design method for semiconductor integrated circuits.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第8図および第9図は従来のマルチプレクサ方式のメモ
リテスト補助回路を設けた半導体集積回路の1o回路図
で、第8図は通常動作モードの状態を示し、第9図はメ
モリテストモードの状態を示している。
8 and 9 are 1o circuit diagrams of a semiconductor integrated circuit equipped with a conventional multiplexer-type memory test auxiliary circuit. FIG. 8 shows the normal operation mode, and FIG. 9 shows the memory test mode. It shows.

図中、111はメモリ回路、12)はアドレス信号端子
、131はデータイン信号端子、・41はライトイネー
ブル信号端子、161はブロックセレクト信号端子、(
61はデータアウト信号端子、(?lL)および(7b
)tfi論理回路、(8)はマルチプレクサ回路、(9
1はマルチプレクサ回路の制御端子、+101はテスト
用アドレス信号端子、aυはテスト用データイン信号端
子、0りはテスト用ライトイネーブル信号端子、(ll
はテスト用ブロックセレクト信号端子、a4はアドレス
信号観測端子、a(へ)はデータイン信号観測端子、鏝
はライトイネーブル信号w4測端子、1ηはブロックセ
レクト信号観測端子、 USはデータアウト信号観測端
子である。
In the figure, 111 is a memory circuit, 12) is an address signal terminal, 131 is a data-in signal terminal, 41 is a write enable signal terminal, 161 is a block select signal terminal, (
61 is a data out signal terminal, (?lL) and (7b
) tfi logic circuit, (8) is a multiplexer circuit, (9
1 is the control terminal of the multiplexer circuit, +101 is the test address signal terminal, aυ is the test data-in signal terminal, 0 is the test write enable signal terminal, (ll
is the test block select signal terminal, a4 is the address signal observation terminal, a (to) is the data in signal observation terminal, trowel is the write enable signal w4 observation terminal, 1η is the block select signal observation terminal, US is the data out signal observation terminal It is.

第8図および第9図ではメモリ回路Il+および論理回
路(7a)rib)、マルチプレクサ回路(8)間の相
互接続のみを示しており、+a埋回路(?a)(Wb)
闇の接続等については省略している。
8 and 9 only show the interconnection between the memory circuit Il+, the logic circuit (7a) rib), and the multiplexer circuit (8), and the +a buried circuit (?a) (Wb)
Dark connections etc. are omitted.

次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.

制a端子(9)により第8図のようにマルチプレクサ回
路(8)を論理回路(’Ia)側に切り替えると、論理
回路(?lL)とメモリ回路…闇の信号が接続され半導
体集積回路としての所望の通常動作が行える。
When the multiplexer circuit (8) is switched to the logic circuit ('Ia) side using the control a terminal (9) as shown in Figure 8, the logic circuit (?lL) and the memory circuit...the dark signal is connected and the circuit is activated as a semiconductor integrated circuit. The desired normal operation can be performed.

逆に、制御端子(9)により第9図のようにマルチプレ
クサ回路(8)をテスト用端子+101 、すυ、(1
カ、(llgaに切り替えると、これらのテスト用端子
から任意のテスト用信号をメモリ回路…に加えることが
できる。この状態でデータアウト信号観測端子Q81を
併用すれば、メモリ回路…の総ての信号は外部から観測
または制御できるので、メモリ回路il+に関しては単
体のメモリ集積回路と同様のテストが行える。
Conversely, the control terminal (9) connects the multiplexer circuit (8) to the test terminal +101, υ, (1
(If you switch to llga, you can apply any test signal to the memory circuit from these test terminals. If you also use the data out signal observation terminal Q81 in this state, all of the memory circuits... Since the signals can be observed or controlled from the outside, the memory circuit il+ can be tested in the same way as a single memory integrated circuit.

半導体集積回路としてはメモリ回路…のテスト以外に論
理回路r7a)(Wb)のテストも行われなければなら
な一0論理回路(?a)のテストを行う場合にはメモリ
回路il+への出力信号を観測することが不可欠である
。従って、第8図および第9図のように、アドレス信号
観測端子Q4およびデータイン信号観測端子QIA、ラ
イトイネーブル信号観測端子ae、ブロックセレクト信
号観測端子θηを設ける必要がある。
As a semiconductor integrated circuit, in addition to testing the memory circuit, the logic circuit r7a) (Wb) must also be tested.10 When testing the logic circuit (?a), the output signal to the memory circuit il+ It is essential to observe Therefore, as shown in FIGS. 8 and 9, it is necessary to provide an address signal observation terminal Q4, a data-in signal observation terminal QIA, a write enable signal observation terminal ae, and a block select signal observation terminal θη.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

従来のメモリテスト補助回路は以上のように構成されて
いたので、アドレス信号観測端子やデータイン信号観測
端子は多数(例えば256ワードX8tlitのメモリ
回路では各々8個:合計16個)必要とするので、半導
体集積回路のパッケージ・コストが増加し安価な半導体
集積回路が得られないという問題点があった。
Conventional memory test auxiliary circuits are configured as described above, and require a large number of address signal observation terminals and data-in signal observation terminals (for example, in a 256-word x 8-tlit memory circuit, 8 of each: 16 in total). However, there was a problem in that the package cost of the semiconductor integrated circuit increased, making it impossible to obtain a cheap semiconductor integrated circuit.

〔目的〕〔the purpose〕

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、アドレス信号観測端子およびデータイン信号
観測端子が削減できるメモリ内蔵半導体集積回路會得る
ことを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit with a built-in memory in which the number of address signal observation terminals and data-in signal observation terminals can be reduced.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

この発明のメモリ内蔵半導体集積回路はマルチプレクサ
回路の制御全アドレス信号およびデータ入力信号、ライ
トイネーブル信号、プロラックセレクト信号に関して各
々独立に行えるように構成したものである。
The semiconductor integrated circuit with a built-in memory of the present invention is configured so that the control of the multiplexer circuit can be performed independently with respect to all address signals, data input signals, write enable signals, and pro rack select signals.

〔作用〕[Effect]

この発明のメモリ内蔵半導体集積回路はマルチプレクサ
回路の制御信号を各々独立に切り換えるようにすること
により、メモリ回路に入力されるアドレス信号を間接的
にメモリ回路のデータアウト端子に伝えることができま
た。メモリ回路に入力されるデータイン信号を書き込み
動作によりメモリ回路のデータアウト端子に伝えること
も可能になる。
In the semiconductor integrated circuit with a built-in memory of the present invention, by independently switching the control signals of the multiplexer circuits, the address signal input to the memory circuit can be indirectly transmitted to the data out terminal of the memory circuit. It also becomes possible to transmit the data-in signal input to the memory circuit to the data-out terminal of the memory circuit by a write operation.

この結果、論理回路の出力するアドレス信号、データイ
ン信号はデータアクト信号観測端子を介して観測できる
ようになるので、アドレス信号観測端子およびデータイ
ン信号観測端子を削除することができる。
As a result, the address signal and data-in signal output from the logic circuit can be observed via the data act signal observation terminal, so the address signal observation terminal and data-in signal observation terminal can be deleted.

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図から第6図はこの発明による半導体集積回路の回
路図で、それぞれ同一の回路である。
1 to 6 are circuit diagrams of semiconductor integrated circuits according to the present invention, and each is the same circuit.

ただし、各図はマルチプレクサ回路(8]の選択状態が
異なり、第1図は通常動作時、第8図はメモリテスト時
、第3図はアドレス信号観測時、第4図はライトイネー
ブル信号観測時、第6図はブロックセレクト信号観測時
、第6図はデータイン信号観測時の選択状態を示してい
る。
However, the selection state of the multiplexer circuit (8) is different in each figure. Figure 1 is during normal operation, Figure 8 is during memory test, Figure 3 is when observing address signal, and Figure 4 is when observing write enable signal. , FIG. 6 shows the selection state when observing the block select signal, and FIG. 6 shows the selection state when observing the data-in signal.

図中、(9a)、(9b)、r9(りおよび(9d)は
アドレス信号選択制御端子、データイン信号選択制御端
子、ライトイネーブル信号選択制御端子およびブロック
セレクト信号選択制御端子である。なお、他の符号は前
記従来のものと同一である。
In the figure, (9a), (9b), r9(ri) and (9d) are an address signal selection control terminal, a data-in signal selection control terminal, a write enable signal selection control terminal, and a block select signal selection control terminal. Other symbols are the same as those in the prior art.

次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.

第1図は従来の第8図に対応しており、t″べてのマル
チプレクサ回路(8)が論理回路(?a)側を選択して
いるので半導体装置としての通常の動作が行える。
FIG. 1 corresponds to the conventional FIG. 8, and since all the multiplexer circuits (8) of t'' select the logic circuit (?a) side, normal operation as a semiconductor device can be performed.

第8図は従来の第9図に対応しており、すべてのマルチ
プレクサ回路(8)がテスト用端子(101〜01側を
選択しているので、メモリ回路Il+の入力信号がすべ
て外部から制御できる。この状態でデータアウト信号観
測端子01を併用すれば、メモリ回路+11の総ての信
号は外部から観゛測または制御ができるので、メモ、す
回路41rJ K関しては単体のメモリ集積回路と同様
のテストが行える。
Figure 8 corresponds to the conventional Figure 9, and all the multiplexer circuits (8) select the test terminals (101 to 01 side), so all input signals of the memory circuit Il+ can be controlled externally. If the data out signal observation terminal 01 is used in this state, all signals of the memory circuit +11 can be observed or controlled from the outside, so the memo circuit 41rJK can be treated as a single memory integrated circuit. A similar test can be performed.

第8図は論理回路r?a)からのアドレス信号を観測す
る場合のマルチプレクサ回路(8)の選択状態を示して
いる。図に示すようにライトイネーブル信号、ブロック
セレクト信号をテスト用端子Tl2101から加えメモ
リ回路(1)を読みだし状態に設定する。また、アドレ
ス信号は論理回路(?a)側からメモリ回路il+に加
わるようにマルチプレクサ回路(8)を制御しておく。
Figure 8 shows the logic circuit r? It shows the selected state of the multiplexer circuit (8) when observing the address signal from a). As shown in the figure, a write enable signal and a block select signal are applied from the test terminal Tl2101 to set the memory circuit (1) in a read state. Further, the multiplexer circuit (8) is controlled so that the address signal is applied to the memory circuit il+ from the logic circuit (?a) side.

この時、メモリ回路111 Kは0番地には0.1番地
にFi1%2番地には2、  ・・というようにアドレ
ス信号がデータアウト信号端子(6)に伝わるようなデ
ータを予め書き込んでおく必要がある。これらの条件を
満たせばアドレス信号はデータアクト信号端子1B)に
伝わり、データアウト信号観測端子011を介しての観
測が可能になる。なお、この時、メモリ回路…への書き
込み動作は行わないのでデータイン信号端子131に接
続されるマルチプレクサ回路+81tljどちら側を選
択してもよい。
At this time, the memory circuit 111K has previously written data such that the address signal is transmitted to the data out signal terminal (6), such as 0.1 at address 0, 2 at Fi1%2 address, etc. There is a need. If these conditions are met, the address signal is transmitted to the data act signal terminal 1B), and observation via the data out signal observation terminal 011 becomes possible. Note that at this time, since a write operation to the memory circuit is not performed, either side of the multiplexer circuit +81tlj connected to the data-in signal terminal 131 may be selected.

第4図は論理回路(?a)からのライトイネーブル信号
全観測する場合のマルチプレクサ回路(8)の選択状態
を示している。図に示すようにライトイネーブル信号を
論理回路(7a)側から、ブロックセレクト信号をテス
ト用端子0濁から加える状態にする。この時、メモリ回
路(1)に書き込みが行われないようにブロックセレク
ト信号をアンセレクト状態に設定しておく。これは!I
/c3図の説明で述べたようにメモリ回路…にはθ番地
には0.1番地には1.2番地には2、  ・・という
ようにアドレス信号がデータアウト信号端子(61に伝
わるようなデータを予め書き込んであるので、このデー
タを破壊しないためである。
FIG. 4 shows the selected state of the multiplexer circuit (8) when all write enable signals from the logic circuit (?a) are observed. As shown in the figure, the write enable signal is applied from the logic circuit (7a) side, and the block select signal is applied from the test terminal 0. At this time, the block select signal is set to an unselected state so that writing is not performed in the memory circuit (1). this is! I
/c3 As mentioned in the explanation of the figure, the memory circuit... has an address signal that is transmitted to the data out signal terminal (61) such as θ address 0.1 address 1.2 address 2, etc. This is to prevent the data from being destroyed since it has been written in advance.

なお、アドレス信号およびデータイン信号に接続される
マルチプレクサ回路(8)はどちら側を選択してもよい
。ライトイネーブル信号の観測はライトイネーブル信号
観測端子all介して行う。
Note that either side of the multiplexer circuit (8) connected to the address signal and the data-in signal may be selected. The write enable signal is observed through the write enable signal observation terminal all.

第5図は論理回路(7a)からのブロックセレクト信号
t−観測する場合のマルチプレクサ回路(8)の選択状
態を示して−る。図に示すようにブロックセレクト信号
を論理回路(?a)側から、ライトイネ−グル信号をテ
スト用端子叫から加える状態にする。この時、メモリ回
路111に書き込みが行われないようにライトイネーブ
ル信号を読みだし状態に設定しておく。これもメモリ回
路ルチプレクサ回路(8)けどちら側を選択してもよい
。ブロックセレクト信号観測はブロックセレクト信号観
測端子Gηを介して行う。
FIG. 5 shows the selection state of the multiplexer circuit (8) when observing the block select signal t from the logic circuit (7a). As shown in the figure, the block select signal is applied from the logic circuit (?a) side and the write enable signal is applied from the test terminal. At this time, the write enable signal is set to a read state so that writing to the memory circuit 111 is not performed. Again, either side of the memory circuit multiplexer circuit (8) may be selected. Block select signal observation is performed via block select signal observation terminal Gη.

第6図は論理回路r7a)からのデータイン信号を観測
する場合のマルチプレクサ回路(8)の選択状mを示し
ている。図に示すようにデータイン信号?論理回路r7
a)側から、アドレス信号およびライトイネーブル信号
、ブロックセレクト信号をテスト用端子t101 rJ
’40mから加える状態にする。
FIG. 6 shows the selection pattern m of the multiplexer circuit (8) when observing the data-in signal from the logic circuit r7a). Data in signal as shown in the figure? logic circuit r7
From the a) side, connect the address signal, write enable signal, and block select signal to the test terminal t101 rJ
' Add from 40m.

論理回路(?a)からのデータイン信号をメモリ回路i
l+の特定番地(例えば0番地)に書き込み。
The data-in signal from the logic circuit (?a) is sent to the memory circuit i.
Write to a specific address (for example, address 0) of l+.

データアウト信号端子(6)から読みだすことによって
データアウト信号観測端子aIl′ft介して観測を行
う。従って、この時に用いる特定番地のデータは破壊さ
れてしまうので、データイン信号観測後にばこの特定番
地(例えば0番地)に元のデータ(例えば0)を書き込
む必要がある。
Observation is performed via the data-out signal observation terminal aIl'ft by reading from the data-out signal terminal (6). Therefore, since the data at the specific address used at this time is destroyed, it is necessary to write the original data (for example, 0) to the specific address (for example, address 0) of the fan after observing the data-in signal.

以上の如く第1図から第6図に示したようにアドレス信
号およびデータ入力信号、ライトイネーブル信号、ブロ
ックセレクト信号のマルチプレクサ回路(8)は各々独
立に制御できる必要がある。即ち、アドレス信号選択制
御端子(9a)およびデータイン信号選択端子(9t+
)、ライトイネ第7図はこの発明の他の実施F14Jt
−示した本ので、マルチプレクサ回路(8)の選択制御
端子の数を減らすためにラッチ回WlrQlt設けた半
導体集積回路の回路図で、@lけラッチ回路−の入力端
子、@11はラッチ回路−の出力端子、−はラッチ回路
(lllのクロック端子である。アドレス信号およびデ
ータイン信号、ライトイネーブル信号、ブロックセレク
ト信号の選択制御信号はラッチ回路a−の出力端子3I
から供給されておシ、ラッチ回W&四の入力端子−はテ
スト用アドレス信号端子1101と共通接続されている
ので、マルチプレクサ回路(8)の選択制aK必要なテ
スト用端子はクロック端子−のみで済む。
As described above, as shown in FIGS. 1 to 6, it is necessary that the multiplexer circuits (8) for address signals, data input signals, write enable signals, and block select signals can be controlled independently. That is, the address signal selection control terminal (9a) and the data-in signal selection terminal (9t+
), Light Ine FIG. 7 shows another implementation of this invention F14Jt
- The book shown is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit in which a latch circuit WlrQlt is provided in order to reduce the number of selection control terminals of the multiplexer circuit (8). The output terminal - is the clock terminal of the latch circuit (1ll). The selection control signals of the address signal, data-in signal, write enable signal, and block select signal are output terminal 3I of the latch circuit a-.
Since the input terminals of the latch circuits W and 4 are commonly connected to the test address signal terminal 1101, the only test terminal required is the clock terminal -. It's over.

従って、テスト用端子を削減することができ。Therefore, the number of test terminals can be reduced.

更に安価な半導体集積回路が得られる。A more inexpensive semiconductor integrated circuit can be obtained.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のよ・うKこの発明によれば、マルチプレクサ路の
制御信号を各々独立に切り換えるようにしたので、アド
レス信号観測端子およびデータイン信号観測端子が削減
でき、テスト用端子の数の少ない安価な半導体集積回路
を得ることができる。
According to the present invention, since the control signals of the multiplexer paths are switched independently, the number of address signal observation terminals and data-in signal observation terminals can be reduced. A semiconductor integrated circuit can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図〜第6図はこの発明の一実施例を示す半導体集積
回路の[01路図で、第1図は通常動作時、第8図はメ
そり回路テスト時、第8図はアドレス信号、観測時、第
4図はライトイネーブル信号観測時、第6図はブロック
セレクト信号観測時、第6図はデータイン信号観測時を
示している。 第7図はこの発明の他の実施例を示す半導体集積回路の
回路図、第8図は従来の半導体集積回路の回路図(通常
動作時)、第9図は第8図のメモリ回路テスト時の回路
図である。 図中、…はメモリ回路、12)はアドレス信号端子、(
3Iはデータイン信号端子、(41はライトイネーブル
信号端子、+511’iブロックセレクト信号端子、1
61tiデ一タアウト信号端子、(7a)および(7b
)は論理回路、(8)はマルチプレクサ回路、+91F
iマルチプレクサ回路の制御端子、  r9a)はアド
レス信号選択制御端子、(9b)はデータイン信号選択
制御端子、  (9c)はライトイネーブル信号選択制
御端子、(9d)はブロックセレクト信号選択制御端子
、 1101はテスト用アドレス信号端子、Uυはテス
ト用データイン信号端子、uflJはテスト用ライトイ
ネ−グル信号端子、O′4はテスト用ブロックセレクト
信号端子、04はアドレス信号観測端子%1151はデ
ータイン信号観測端子、a四はライトイネーブル信号観
測端子、aηはブロックセレクト信号観測端子、 Ol
はデータアウト信号観測端子、U−はラッチ回路、−は
ラッチ回路の入力端子、@Dはラッチ回路の出力端子、
−はラッチ回路のクロック端子である。 なお1図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。
1 to 6 are [01 circuit diagrams] of a semiconductor integrated circuit showing one embodiment of the present invention, in which FIG. 1 is during normal operation, FIG. 8 is during a mesori circuit test, and FIG. 8 is an address signal , at the time of observation, FIG. 4 shows the time when the write enable signal is observed, FIG. 6 shows the time when the block select signal is observed, and FIG. 6 shows the time when the data-in signal is observed. FIG. 7 is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit showing another embodiment of the present invention, FIG. 8 is a circuit diagram of a conventional semiconductor integrated circuit (during normal operation), and FIG. 9 is a test time of the memory circuit shown in FIG. FIG. In the figure, ... is a memory circuit, 12) is an address signal terminal, (
3I is a data in signal terminal, (41 is a write enable signal terminal, +511'i block select signal terminal, 1
61ti data out signal terminals, (7a) and (7b
) is a logic circuit, (8) is a multiplexer circuit, +91F
i multiplexer circuit control terminal, r9a) is address signal selection control terminal, (9b) is data in signal selection control terminal, (9c) is write enable signal selection control terminal, (9d) is block select signal selection control terminal, 1101 is the test address signal terminal, Uυ is the test data-in signal terminal, uflJ is the test write enable signal terminal, O'4 is the test block select signal terminal, 04 is the address signal observation terminal, %1151 is the data-in signal observation terminal. terminal, a4 is write enable signal observation terminal, aη is block select signal observation terminal, Ol
is the data out signal observation terminal, U- is the latch circuit, - is the input terminal of the latch circuit, @D is the output terminal of the latch circuit,
- is the clock terminal of the latch circuit. In Figure 1, the same symbols indicate the same or equivalent parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 内蔵されるメモリのアドレス信号およびデータ入力信号
、ライトイネーブル信号、ブロックセレクト信号を外部
からのテスト信号と切り替える手段を備え、 そのアドレス信号およびデータ入力信号、ライトイネー
ブル信号、ブロックセレクト信号の切り替え手段は各々
独立に制御できる事を特徴とするメモリ内蔵半導体集積
回路。
[Claims] The address signal, data input signal, write enable signal, and block include means for switching the address signal, data input signal, write enable signal, and block select signal of the built-in memory with an external test signal. A semiconductor integrated circuit with a built-in memory, characterized in that means for switching select signals can be independently controlled.
JP63261881A 1988-10-17 1988-10-17 Semiconductor integrated circuit incorporated in memory Pending JPH02107981A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007237406A (en) * 2006-03-03 2007-09-20 Takagi Ind Co Ltd Shutter mechanism and resin drying machine

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007237406A (en) * 2006-03-03 2007-09-20 Takagi Ind Co Ltd Shutter mechanism and resin drying machine

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