JPH02105615A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
Semiconductor integrated circuitInfo
- Publication number
- JPH02105615A JPH02105615A JP63258707A JP25870788A JPH02105615A JP H02105615 A JPH02105615 A JP H02105615A JP 63258707 A JP63258707 A JP 63258707A JP 25870788 A JP25870788 A JP 25870788A JP H02105615 A JPH02105615 A JP H02105615A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- circuit
- flip
- semiconductor integrated
- oscillator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 4
- 238000005070 sampling Methods 0.000 abstract description 6
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000011664 signaling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に関し、特に直列接続されたP
チャネルMoSトランジスタとNチャネルMOSトラン
ジスタから成る複数の出力回路を有する半導体集積回路
に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to semiconductor integrated circuits, and in particular, to semiconductor integrated circuits connected in series.
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit having a plurality of output circuits consisting of channel MoS transistors and N-channel MOS transistors.
従来、この種の半導体集積回路は、第3図に示すように
、立上り立下りの速いPチャネル型のMOSトランジス
タQP2とNチャネル型のMOSトランジスタQN2を
直列接続した出力回路11を複数並列に接続して、高速
駆動を行うか、第4図に示すように、立上り立下りの遅
いPチャネル型のMOSトランジスタQptとNチャネ
ル型のMOSトランジスタQstを直列接続した出力回
路1を複数並列に接続し、それぞれの出力回路1のゲー
ト入力は所定の遅延量を有する遅延ブロック7で順次遅
延した信号とすることにより、立上り及び立下り時間を
遅らせるように構成されていた。Conventionally, this type of semiconductor integrated circuit has a plurality of output circuits 11 connected in parallel, each including a P-channel type MOS transistor QP2 and an N-channel type MOS transistor QN2 connected in series, as shown in FIG. 3. Alternatively, as shown in Fig. 4, a plurality of output circuits 1, each consisting of a series-connected P-channel type MOS transistor Qpt and an N-channel type MOS transistor Qst, which are slow in rising and falling, are connected in parallel. , the gate input of each output circuit 1 is configured to delay the rise and fall times by providing signals sequentially delayed by a delay block 7 having a predetermined amount of delay.
上述した従来の半導体集積回路は、高速駆動を実現する
だけか、決まった遅延量を接続することにより立上り立
下りの時間を遅らせるように成っているので、立上り及
び立下り時間の制御ができなかっな。このため、オーバ
ーシュート及びアンダーシュート等の発生に対する対策
が不十分になるという欠点がある。The conventional semiconductor integrated circuits described above are designed not only to achieve high-speed driving, but also to delay the rise and fall times by connecting a fixed amount of delay, making it impossible to control the rise and fall times. Na. Therefore, there is a drawback that countermeasures against the occurrence of overshoot, undershoot, etc. are insufficient.
本発明の半導体集積回路は、並列に接続されたそれぞれ
がPチャネルMOSトランジスタとNチャネルMOSト
ランジスタとを直列接続して構成される複数の出力回路
と、タイミングパルスを発生する発振回路と、前記タイ
ミングパルスでシフトされる複数のフリップフロップが
直列接続され前記フリップフロップのそれぞれの出力が
前記出力回路のゲート入力に供給されかつ前記フリップ
フロップの初段のデータ入力端子に外部からの入力信号
が供給されるシフトレジスタとを含んで構成される。The semiconductor integrated circuit of the present invention includes a plurality of output circuits, each of which is configured by connecting a P-channel MOS transistor and an N-channel MOS transistor in series, each of which is connected in parallel, an oscillation circuit that generates a timing pulse, and a timing pulse. A plurality of flip-flops shifted by a pulse are connected in series, and the output of each of the flip-flops is supplied to a gate input of the output circuit, and an external input signal is supplied to a data input terminal of the first stage of the flip-flop. It is configured to include a shift register.
次に、本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第1図は本発明の第1の実施例の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of the present invention.
第1図に示すように、第1の実施例は並列に接続された
それぞれが立上り立下りの遅いPチャネル型のMOSト
ランジスタQPIとNチャネル型のMOSトランジスタ
QN+を直列に接続した複数の出力回路1と、タイミン
グパルスを発生する発振回路2と、タイミングパルスで
サンプリングされる複数のフリップフロップが直列接続
されたフリップフロップのそれぞれの出力が出力回路1
のゲート・入力に供給されかつフリップフロップの初段
のデータ入力端子りに半導体集積回路の内部回路の出力
が供給される端子Aからの入力信号が供給されるシフト
レジスタ3と、発振回路2の外付けの抵抗4とコンデン
サ5とを含んで構成される。As shown in FIG. 1, the first embodiment includes a plurality of output circuits in which a P-channel MOS transistor QPI and an N-channel MOS transistor QN+ are connected in series, each of which is connected in parallel and has slow rise and fall. 1, an oscillation circuit 2 that generates a timing pulse, and an output circuit 1 that outputs each of the flip-flops in which a plurality of flip-flops sampled by the timing pulse are connected in series.
A shift register 3 is supplied with an input signal from a terminal A, which is supplied to the gate/input of the flip-flop, and the output of the internal circuit of the semiconductor integrated circuit is supplied to the data input terminal of the first stage of the flip-flop; It is configured to include an attached resistor 4 and a capacitor 5.
第1の実施例では、端子Aから信号を印加し、シフトレ
ジスタ3と発振器2によりサンプリングを行う、このサ
ンプリングされた入力信号により、出力回路1を順次ス
イッチングさせ、スイッチング時に流れる過渡電流のピ
ーク値を発振器2の周波数を制御することにより制御す
る。これにより、立上り立下り時間が制御され、さらに
高速駆動能力が得られる。In the first embodiment, a signal is applied from the terminal A and sampled by the shift register 3 and the oscillator 2. The output circuit 1 is sequentially switched by the sampled input signal, and the peak value of the transient current flowing during switching is determined. is controlled by controlling the frequency of the oscillator 2. This controls the rise and fall times and provides even higher speed drive capability.
第2図は本発明の第2の実施例の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of a second embodiment of the invention.
第2図に示すように、第2の実施例では、並列に接続さ
れた出力回路1を発振器2とシフトレジスタ31により
サンプリングしたシフトレジスタ36からの出力信号に
より順次駆動する。ただし、最後に駆動される出力回路
1は前段の駆動信号により、決まった遅延量の遅延ブロ
ック7、を通して駆動される。As shown in FIG. 2, in the second embodiment, the output circuits 1 connected in parallel are sequentially driven by an output signal from a shift register 36 sampled by an oscillator 2 and a shift register 31. However, the output circuit 1 to be driven last is driven by the previous stage drive signal through the delay block 7 having a predetermined delay amount.
また、第2の実施例でも、発振器2の周波数を制御する
ことによりサンプリング周期が制御されるため、立上り
立下り時間を制御できる。Also in the second embodiment, the sampling period is controlled by controlling the frequency of the oscillator 2, so the rise and fall times can be controlled.
以上説明したように本発明は、シフトレジスタと発振器
により出力信号をサンプリングし、そのサンプリング信
号により出力回路を駆動することにより、立上り及び立
下り時間が制御でき、更に高駆動能力を実現できるとい
う効果がある。更に、これにより、オーバーシュート及
びアンダーシュートの発生を抑制できるという効果があ
る。As explained above, the present invention has the advantage that by sampling the output signal using a shift register and an oscillator and driving the output circuit with the sampling signal, the rise and fall times can be controlled, and even higher drive capability can be achieved. There is. Furthermore, this has the effect of suppressing the occurrence of overshoot and undershoot.
第1図は本発明の第1の実施例の回路図、第2図は本発
明の第2の実施例の回路図、第3図及び第4図はそれぞ
れ従来の半導体集積回路の第1及び第2の例の回路図で
ある。
1.1.・・・出力回路、2・・・発振回路、3,3゜
・・・シフトレジスタ、4・・・外付は抵抗、5・・・
コンデンサ、6・・・信号を同相にするインバータブロ
ック、7,7.・・・遅延ブロック、QPI、QNI・
・・立上り立下りの遅りMOSトランジスタ、QP21
QN2・・・立上り立下りの速いMOSトランジスタ
。FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram of a second embodiment of the present invention, and FIGS. 3 and 4 are a circuit diagram of a conventional semiconductor integrated circuit, respectively. FIG. 3 is a circuit diagram of a second example. 1.1. ...output circuit, 2...oscillation circuit, 3,3゜...shift register, 4...external resistor, 5...
Capacitor, 6... Inverter block that makes signals in phase, 7, 7. ...delay block, QPI, QNI・
...delayed rise and fall MOS transistor, QP21
QN2... MOS transistor with fast rise and fall.
Claims (1)
スタとNチャネルMOSトランジスタとを直列接続して
構成される複数の出力回路と、タイミングパルスを発生
する発振回路と、前記タイミングパルスでシフトされる
複数のフリップフロップが直列接続され前記フリップフ
ロップのそれぞれの出力が前記出力回路のゲート入力に
供給されかつ前記フリップフロップの初段のデータ入力
端子に外部からの入力信号が供給されるシフトレジスタ
とを含むことを特徴とする半導体集積回路。A plurality of output circuits connected in parallel are each constructed by connecting a P-channel MOS transistor and an N-channel MOS transistor in series, an oscillation circuit that generates a timing pulse, and a plurality of flip-flops that are shifted by the timing pulse. a shift register in which flip-flops are connected in series, each output of the flip-flop is supplied to a gate input of the output circuit, and an input signal from the outside is supplied to a data input terminal of the first stage of the flip-flop. Semiconductor integrated circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63258707A JPH02105615A (en) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63258707A JPH02105615A (en) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | Semiconductor integrated circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02105615A true JPH02105615A (en) | 1990-04-18 |
Family
ID=17323979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63258707A Pending JPH02105615A (en) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | Semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02105615A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0422391A2 (en) * | 1989-10-10 | 1991-04-17 | International Business Machines Corporation | CMOS driver circuit |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP63258707A patent/JPH02105615A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0422391A2 (en) * | 1989-10-10 | 1991-04-17 | International Business Machines Corporation | CMOS driver circuit |
EP0422391A3 (en) * | 1989-10-10 | 1991-07-03 | International Business Machines Corporation | Cmos driver circuit |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7245153B2 (en) | Level shift circuit having timing adjustment circuit for maintaining duty ratio | |
JPH04337923A (en) | Output buffer circuit | |
US20040080351A1 (en) | Flip-flop circuit | |
JP3248103B2 (en) | MOS transistor output circuit | |
US6154077A (en) | Bistable flip-flop | |
JPH0514167A (en) | Output driver circuit | |
JPH02105615A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JPH07107122A (en) | Digital signal transmission circuit | |
JPH03204220A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JPH0546113A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
US11309875B2 (en) | Frequency doubler using recirculating delay circuit and method thereof | |
JPH04151912A (en) | Frequency divider circuit | |
JPS63100815A (en) | Output buffer circuit | |
JPH0837453A (en) | Programmable delay circuit | |
JPH05145385A (en) | Cmos output buffer circuit | |
JPH04160920A (en) | Output buffer circuit | |
JPH1041795A (en) | Pulse width control circuit | |
JPH0795676B2 (en) | Clock pulse generation circuit with duty adjustment circuit | |
GB1602371A (en) | Amplitude control inverter circuit for electronic device | |
JPH07154232A (en) | Semiconductor circuit | |
JPH03192812A (en) | Voltage controlled oscillator circuit | |
JPH0512888B2 (en) | ||
JPH03263920A (en) | Counter circuit | |
JPH04306911A (en) | Pulse delay circuit | |
JPH088729A (en) | Frequency dividing circuit |