JPH02100235A - Manufacture of color picture tube - Google Patents
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- JPH02100235A JPH02100235A JP25193188A JP25193188A JPH02100235A JP H02100235 A JPH02100235 A JP H02100235A JP 25193188 A JP25193188 A JP 25193188A JP 25193188 A JP25193188 A JP 25193188A JP H02100235 A JPH02100235 A JP H02100235A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、シャドウマスク型カラー受像管の製造方法に
係わり、特にそのシャドウマスクの製造方法に関するも
のである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a method of manufacturing a shadow mask type color picture tube, and particularly to a method of manufacturing the shadow mask.
(従来の技術)
一般にカラー受像管のシャドウマスクは、受像管の動作
初期や部分的に高輝度の映像が映出され、特に、高輝度
映像部分が一定時間停止している時などにドーミング現
象を生じ、色純度を劣化させることが知られている。(Prior art) In general, the shadow mask of a color picture tube is used to prevent doming, which occurs when the picture tube is in the early stages of operation, when a high-brightness image is projected in some areas, and especially when the high-brightness image part is stopped for a certain period of time. It is known that it causes color purity and deteriorates color purity.
このようなカラー受像管のドーミングに対しては、ドー
ミングに伴う電子ビームのミスランディングを静電的に
補正して軽減しようとする提案がなされている。例えば
、特開昭60−148036号公報あるいは特開昭60
−195846号公報には、シャドウマスクの電子銃側
に酸化すず(Sn02)を含む鉛はう酸塩ガラスから成
る電子吸収層を形成するかあるいはさらにその上に低導
電層を設ける技術が示されている。また特開昭62−1
88135号公報には、シャドウマスクの各透孔のシャ
ドウマスクの中心軸側の壁面に電子吸収層を設ける技術
が示されている。すなわち、第5図に示す様に、シャド
ウマスク(34)がドーミング現象を生じていない状態
での電子ビーム(33)は、蛍光スクリーン(32)の
所定位置(33a )にランディングする。ここで、仮
にシャドウマスクに入射する電子ビーム密度が増大し、
シャドウマスクが加熱されドーミング現象を生じた場合
、即ち、シャドウマスクが(35)に位置するような熱
状態での電子ビーム(36)は、シャドウマスクのドー
ミングと共に管軸(31)方向に移動し、電子ビームの
ランディング地点も位置(33a )から位置(36a
>へ移動す、る。即ら、本来の位置(33a )へラ
ンディングすべき電子ビームは、ドーミング現象によっ
て管軸側の位置(36a )にミスランディングし、位
置(33a>と(36a )のミスランディング量が各
色発光蛍光体群の配列によるランディング余裕度の限界
を超えると色純度の劣化を生ずることになる。第3図は
特開昭60−1/18036号公報あるいは特開昭60
−195846号公報に示されるシャドウマスクの透孔
部近傍を拡大して示している図であるが、シャドウマス
ク(31)の電子銃側主面に電子吸収層(33)が形成
されているので、電子流密度に応じて電子吸収層(33
)は負に帯電することになる。With respect to such doming of color picture tubes, proposals have been made to electrostatically correct and reduce the mislanding of electron beams that accompanies doming. For example, JP-A-60-148036 or JP-A-60
Publication No. 195846 discloses a technique in which an electron absorption layer made of lead borate glass containing tin oxide (Sn02) is formed on the electron gun side of a shadow mask, or a low conductivity layer is further provided thereon. ing. Also, JP-A-62-1
Japanese Patent No. 88135 discloses a technique in which an electron absorption layer is provided on the wall surface of each through hole of a shadow mask on the side of the central axis of the shadow mask. That is, as shown in FIG. 5, the electron beam (33) in a state where the shadow mask (34) does not cause the doming phenomenon lands at a predetermined position (33a) on the fluorescent screen (32). Here, if the electron beam density incident on the shadow mask increases,
When the shadow mask is heated and a doming phenomenon occurs, that is, the electron beam (36) in a heated state where the shadow mask is located at (35) moves in the direction of the tube axis (31) as the shadow mask is domed. , the landing point of the electron beam also changes from position (33a) to position (36a).
>Move to. That is, the electron beam that should have landed at the original position (33a) mislanded at the tube axis side position (36a) due to the doming phenomenon, and the amount of mislanding at positions (33a> and (36a)) If the limit of landing margin due to group arrangement is exceeded, color purity will deteriorate.Figure 3 shows the method disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 60-1/18036 or Japanese Unexamined Patent Publication No. 60-60.
This is an enlarged view of the vicinity of the through-hole of the shadow mask shown in Publication No. 195846, since an electron absorption layer (33) is formed on the main surface of the shadow mask (31) on the electron gun side. , an electron absorption layer (33
) will be negatively charged.
そしてこの負帯電に伴ないシャドウマスク(31)の電
子銃側および透孔(32)の近傍には、等電位分布(3
4)のような電界を生じ、この減速電界により電子ビー
ム(35)は図中矢印方向に力Fを受けるため、電子ビ
ーム(35a)は管軸から遠ざかる方向に軌道を変更さ
れる。又第2図は特開昭62−188135@公報に示
されるシャドウマスクの透孔部近傍を拡大して示した図
であるが、シャドウマスク(31)の電子銃側主面およ
び透孔(32)の管軸側の壁面に電子吸収層(33a)
、 (33b)が形成されているので電子ビームあるい
は、蛍光スクリーン等からの2次電子により、電子流密
度に応じて負に帯電することになる。そしてこの負帯電
に伴ないシャドウマスク(31)の電子銃側および透孔
(32)の近傍には、等電位分布(34)のような電界
を生じ、この電界により電子ビーム(35)は同図中矢
印方向に力Fを受けるため、電子ビーム(35a)は管
軸から遠ざかる方向に軌道を変更される。As a result of this negative charging, an equipotential distribution (3
4) is generated, and due to this decelerating electric field, the electron beam (35) receives a force F in the direction of the arrow in the figure, so that the electron beam (35a) changes its trajectory in a direction away from the tube axis. FIG. 2 is an enlarged view of the vicinity of the through-hole of the shadow mask shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-188135@. ) on the wall on the tube axis side (33a).
, (33b) are formed, so that it is negatively charged depending on the electron flow density by an electron beam or secondary electrons from a fluorescent screen or the like. As a result of this negative charging, an electric field similar to an equipotential distribution (34) is generated on the electron gun side of the shadow mask (31) and in the vicinity of the through hole (32), and this electric field causes the electron beam (35) to Since the electron beam (35a) receives a force F in the direction of the arrow in the figure, its trajectory is changed in a direction away from the tube axis.
しかし、前者のシャドウマスクの電子銃側主面に電子吸
収層を設ける方法においては、カラー受像管の動作初期
におけるミスランディングに対しては有効であったが、
シャドウマスクの局部的なドーミングによるミスランデ
ィングに対しては、充分な補正ができなかった。また後
者のシャドウマスクの透孔の管軸側の壁面にも電子吸収
層を設ける方法においては、電子吸収層を以下のような
方法にて形成しているため、製造面および特性面におい
て次のような問題があった。However, although the former method of providing an electron absorption layer on the main surface of the shadow mask on the electron gun side was effective against mislanding at the initial stage of operation of the color picture tube,
It was not possible to sufficiently correct mislanding due to local doming of the shadow mask. In addition, in the latter method, in which an electron absorption layer is also provided on the wall surface on the tube axis side of the through hole of the shadow mask, the electron absorption layer is formed by the following method, so the following is achieved in terms of manufacturing and characteristics. There was a problem like this.
すなわち第2図においてパネルとファンネルとが封着さ
れる前に例えば、ニトロセルローズを数%溶かした酢酸
ブチルアルコール溶液で溶かされた結晶性鉛はう酸塩ガ
ラスをシャドウマスク(31)の電子銃側主面(31a
)および透孔(32)の中心側壁面(31b)に塗布し
、この結晶性鉛はう酸塩ガラスを塗布したシャドウマス
ク(31)をパネルに装着する。その後、パネルとノ1
ンネルを所定の枠台に載せて、最高温度が約400’C
でその保持時間が35分以上ある炉を通過させて鉛はう
酸塩ガラスを結晶化させることにより導電率が約10−
120−1.m−1の低導電率の鉛はう酸塩ガラス層を
シャドウマスク(31)の電子銃側主面(31a)およ
び透孔(32)の中心側壁面(31b)に形成する。That is, in FIG. 2, before the panel and the funnel are sealed, for example, crystalline lead borate glass dissolved in a butyl acetate alcohol solution containing several percent of nitrocellulose is used in the electron gun of the shadow mask (31). Side main surface (31a
) and the center side wall surface (31b) of the through hole (32), and a shadow mask (31) coated with this crystalline lead borate glass is attached to the panel. After that, the panel and No. 1
Place the tunnel on the designated frame and the maximum temperature will be approximately 400'C.
By passing it through a furnace with a holding time of at least 35 minutes to crystallize the lead borate glass, the conductivity becomes approximately 10-
120-1. A lead borate glass layer with a low conductivity of m-1 is formed on the main surface (31a) of the shadow mask (31) on the electron gun side and on the center side wall surface (31b) of the through hole (32).
このガラス層の塗布方法としては、例えば通常のエツチ
ング手段により多数の透孔を形成し、プレス成形した後
、スプレー塗布により形成することができる。シャドウ
マスクの電子銃側(小孔側)主面と、透孔の中心側壁面
に電子吸収層を形成するために、従来、第6図に示すよ
うにシャドウマスク(31)の小孔側のスプレーノズル
(40a >はシャドウマスク(31)に対して略垂直
に、上下、左右に可動できるように配置し、またスクリ
ーン側(大孔側)のスプレーノズル(40b)はシャド
ウマスク(31)の周辺側から中央へ向けるよう斜口に
配置し、スプレー塗布し電子吸収層を形成していた。し
かし、このような方法にて、透孔の中心側の壁面に電子
吸収層を形成しようとすると、実際には第4図に示すよ
うにスクリーン側主面(31c)にも電子吸収層(33
c )が形成されてしまう。第4図は、シャドウマスク
の電子銃側主面、透孔の中心側壁面およびスクリーン側
の主面に電子吸収層が形成された時のシャドウマスクの
透孔部近傍を拡大して示している図でおるが、これら電
子吸収層は電子ビームあるいはスクリーン面等からの2
次電子により電子流密度に応じて負に帯電することにな
る。This glass layer can be applied by, for example, forming a large number of through holes by ordinary etching means, press-molding, and then spraying. In order to form an electron absorption layer on the main surface of the shadow mask on the electron gun side (small hole side) and the central wall surface of the through hole, conventionally, as shown in FIG. The spray nozzle (40a) is arranged approximately perpendicularly to the shadow mask (31) so that it can move vertically, horizontally, and the spray nozzle (40b) on the screen side (large hole side) The electron-absorbing layer was formed by spray coating the electron-absorbing layer by placing it diagonally from the periphery toward the center.However, when trying to form the electron-absorbing layer on the wall on the center side of the hole using this method, In reality, as shown in FIG. 4, an electron absorption layer (33
c) is formed. Figure 4 shows an enlarged view of the vicinity of the hole in the shadow mask when an electron absorption layer is formed on the main surface on the electron gun side of the shadow mask, the center side wall surface of the hole, and the main surface on the screen side. As shown in the figure, these electron absorption layers are
Due to secondary electrons, it becomes negatively charged depending on the electron flow density.
そしてこの負帯電に伴い、シトドウマスク(31)の電
子銃側とスクリーン側および、透孔(32)の近傍には
等電位分布(34)のような電界を生じ、この電界によ
り電子ビーム(35)は同図中矢印方向に偏向されるよ
うな力Fを受りることになる。Along with this negative charging, an electric field like an equipotential distribution (34) is generated on the electron gun side and the screen side of the Shitodo mask (31) and in the vicinity of the through hole (32), and this electric field causes the electron beam (35) to is subjected to a force F that is deflected in the direction of the arrow in the figure.
同図からもわかるようにシャドウマスク(31)の電子
銃側での電界(34a)は減速電界であるため、また透
孔(32)の領域でも透孔(32)を通過するビーム束
で見ると中心側壁面(31b)に形成された電子吸収層
<33b)からの反発、および中心側壁面(31b)と
反対の壁面(33d )の吸引によって、シャドウマス
ク(31)のドーミングによるミスランディングを相殺
する方向に偏向される。しかしシャドウマスク(31)
のスクリーン側での電界(34b)は加速電界になるた
め、シャドウマスク(31)の電子銃側領域および透孔
領域におけるミスランディングを相殺する偏向効果を減
少させてしまう問題があった。As can be seen from the figure, the electric field (34a) on the electron gun side of the shadow mask (31) is a deceleration electric field, and also in the area of the through hole (32), as seen by the beam flux passing through the through hole (32). Mislanding due to doming of the shadow mask (31) is prevented by repulsion from the electron absorption layer <33b) formed on the center side wall surface (31b) and suction from the wall surface (33d) opposite to the center side wall surface (31b). deflected in a direction that cancels out. But shadow mask (31)
Since the electric field (34b) on the screen side becomes an accelerating electric field, there is a problem in that the deflection effect that offsets mislanding in the electron gun side region and through-hole region of the shadow mask (31) is reduced.
(発明が解決しようとする課題)
上述した様に従来の方法ではカラー受像管内のシャドウ
マスクの電子銃側主面及び透孔の管軸側壁面に電子吸収
層を形成する場合、不所望な場所に電子吸収層が形成さ
れてしまい結果としてミスランディングを防止すること
ができないという問題があった。(Problems to be Solved by the Invention) As described above, in the conventional method, when an electron absorption layer is formed on the electron gun side main surface of the shadow mask in a color picture tube and on the tube axis side wall surface of the through hole, it is difficult to form an electron absorption layer in an undesired place. There was a problem in that an electron absorption layer was formed on the substrate, and as a result, mislanding could not be prevented.
本発明は上記課題を解決するために成されたもので、カ
ラー受像管内のシャドウマスクの所望の場所に正確且つ
容易に電子吸収層を形成することが可能なカラー受像管
の製造方法を提供するものである。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and provides a method for manufacturing a color picture tube in which an electron absorption layer can be accurately and easily formed at a desired location of a shadow mask in a color picture tube. It is something.
(課題を解決するための手段)
本発明は、カラー受像管のシャドウマスクに電子吸収層
を形成する際、シャドウマスクに感光剤を塗布する工程
と、電子吸収層の不要な部分の感光膜を露光して硬化さ
せる工程と、現象して未感光部分の感光膜を除去する工
程と、電子吸収層を塗布する工程と、硬化した感光膜と
、その上に存在する電子吸収層を除去する工程と、シャ
ドウマスクを熱処理する工程とを備えたカラー受像管の
製造方法である。(Means for Solving the Problems) When forming an electron absorption layer on a shadow mask of a color picture tube, the present invention includes a process of applying a photosensitive agent to the shadow mask and removing a photoresist film on unnecessary portions of the electron absorption layer. A step of exposing and curing, a step of removing the photoresist film in the unexposed area by phenomenon, a step of applying an electron absorption layer, and a step of removing the cured photoresist film and the electron absorption layer existing thereon. and a step of heat-treating a shadow mask.
(作 用)
このようなカラー受像管の製造方法によれば、シャドウ
マスクの所望の場所に正確1つ容易に電子吸収層を形成
することができるため、ドーミングによる電子ビームの
変位をより効果的に補正することができるカラー受像管
を得ることが出来る。(Function) According to this method of manufacturing a color picture tube, it is possible to easily form exactly one electron absorption layer at a desired location on the shadow mask, thereby making it possible to more effectively suppress the displacement of electron beams due to doming. A color picture tube that can be corrected can be obtained.
(実施 例) 以下、本発明の一実施例につぎ説明する。(Example) An embodiment of the present invention will be described below.
第1図は、本発明によるカラー受像管の断面面を示すも
のである。この第1図から明らかなように、前面部の外
形が実質的に短形状のパネル(1)と、漏斗状のファン
ネル(2)及びネック(3)から真空外囲器が構成され
ている。そしてパネル(1)の内面には赤、緑及び青色
に夫々発光するストライプ上の蛍光体層からなる蛍光ス
クリーン(4)が被着形成されており、ネック(3)に
はパネル(1)の水平軸に沿って一列に配列され、赤、
緑及び青に対応する3本の電子ビーム(5)を射出する
いわゆるインライン型電子銃(6)が配設されている。FIG. 1 shows a cross-sectional view of a color picture tube according to the present invention. As is clear from FIG. 1, the vacuum envelope is composed of a panel (1) whose front portion has a substantially rectangular outer shape, a funnel-shaped funnel (2), and a neck (3). A fluorescent screen (4) consisting of a striped phosphor layer that emits red, green, and blue light is adhered to the inner surface of the panel (1), and the neck (3) of the panel (1) Arranged in a row along the horizontal axis, red,
A so-called in-line electron gun (6) that emits three electron beams (5) corresponding to green and blue is provided.
また、蛍光スクリーン(4)に近接対向する位置には、
多数のスリット状の透孔が垂直方向に配列され、この垂
直配列が水平方向に多数配列された曲面状の有効面を有
するシャドウマスク(31)がマスクフレーム(8)に
よって支持固定されている。ざらにマスクフレーム(8
)は弾性部材(9)を介してパネル(1)の直立端部内
壁に埋め込まれたスタッドピン(10)で係止されるこ
とにより、パネル内に支持されている。In addition, at a position close to and facing the fluorescent screen (4),
A shadow mask (31) having a curved effective surface in which a large number of slit-like through holes are arranged vertically and a large number of vertically arranged holes are arranged horizontally is supported and fixed by a mask frame (8). Rough mask frame (8
) is supported within the panel by being locked by a stud pin (10) embedded in the inner wall of the upright end of the panel (1) via an elastic member (9).
3本のインライン配列された電子ビーム(5)は、ファ
ンネル(2)の外部の偏向装置(12)によって偏向さ
れ、短形状のパネル(1)に対応する短形範囲を走査し
、かつシャドウマスク(31)の透孔を通ることにより
選択されてストライプ状蛍光体層にランディングし、カ
ラー映像を再現させるようになっている。Three in-line arrayed electron beams (5) are deflected by a deflection device (12) external to the funnel (2) and scan a rectangular area corresponding to the rectangular panel (1) and a shadow mask. By passing through the through hole (31), the light is selected and lands on the striped phosphor layer, thereby reproducing a color image.
また、電子ビームは地磁気等の外部磁界の影響を受はス
トライプ状蛍光体層に正確にランディングしない場合が
あり、再現映像の色純度が劣化するのを防止するためフ
ァンネル(2)内部に強磁性体金属板よりなる磁気遮断
体(11)がフレーム(8)を介して係止されている。In addition, the electron beam is affected by external magnetic fields such as the earth's magnetism, so it may not land accurately on the striped phosphor layer.In order to prevent the color purity of the reproduced image from deteriorating, a ferromagnetic material is installed inside the funnel (2). A magnetic shield (11) made of a metal plate is secured via a frame (8).
蛍光スクリーン(4)に近接対向して配設されるシャド
ウマスク(31)は、熱膨脹係数が1.2xlO−5/
℃と大きい鉄を主成分とするいわゆる冷間圧延鋼からな
る厚さ0.1mm〜0、3mmの薄板から形成され、シ
ャドウマスクの電子銃側主面および、各透孔のシャドウ
マスクの中心側壁面には第2図に示すように例えば酸化
鉛(Pbo)を約70重量%含む低導電性の結晶性鉛は
うM塩ガラスからなる電子吸収層(33al (33b
)が高温加熱処理によって封着接合されている。The shadow mask (31) disposed close to and facing the fluorescent screen (4) has a coefficient of thermal expansion of 1.2xlO-5/
It is formed from a thin plate with a thickness of 0.1 mm to 0.3 mm made of so-called cold-rolled steel whose main component is iron. As shown in FIG. 2, the wall surface is coated with an electron absorption layer (33al (33b
) are sealed and bonded by high-temperature heat treatment.
次にこの電子吸収層の′tA造方決方法明する。Next, a method for forming this electron absorption layer will be explained.
透孔の穿設された平板上のシャドウマスクは所定の形状
に切り取られた後、その周縁部をブランクホルダーとダ
イで挟持し、透孔を有する主面は上部ポンチと下部ノッ
クアウトによって所定の曲面状に成形され、次いで周縁
部はマスク主面を支持固定するためのスカート部として
例えば管軸方向に沿って折り曲げ成形される。After the shadow mask on a flat plate with holes is cut into a predetermined shape, its peripheral edge is held between a blank holder and a die, and the main surface with the holes is cut into a predetermined curved surface by an upper punch and a lower knockout. The peripheral edge portion is then bent and formed, for example, along the tube axis direction as a skirt portion for supporting and fixing the main surface of the mask.
このようにして形成されたシャドウマスクの両面に感光
剤、例えば、牛乳カゼイン酸アルカリと重クロム酸アン
モニウムからなる感光液を塗布し、乾燥ざゼて感光性樹
脂膜(以下、レジスト膜と称する。)を得る。A photosensitive agent, for example, a photosensitive solution consisting of alkali milk caseinate and ammonium dichromate, is applied to both sides of the shadow mask thus formed, and dried to form a photosensitive resin film (hereinafter referred to as a resist film). ).
ここで感光液の塗布方法として、浸漬法、スプレー法、
スピン法等考えられるが、膜の均一性、工程設備の簡素
化等を考慮すれば浸漬法が最も適当である。Here, the methods of applying the photosensitive liquid include dipping method, spray method,
A spin method may be considered, but a dipping method is most appropriate in consideration of uniformity of the film, simplification of process equipment, etc.
次に第7図(a)に示す様にシャドウマスク(31)に
塗布されたレジスト膜は、シャドウマスク(31)の中
央上部に配置される超高圧水銀ランプ(50)によって
露光硬化される。第7図(b)は同(a)図にAを付記
した部分を拡大した断面図であるが、同図の場合、ラン
プ光(51)は右側上部より照射するため、小孔側主面
(31a)上のレジスト膜(39a)と透孔の中心側壁
面(31b)上のレジスト膜(39b)は露光されず、
大孔側主面(31c)上に塗布されたレジスト膜(39
C)と反対側の壁面(31d)上のレジスト膜(39d
)のみが、露光されることになる。Next, as shown in FIG. 7(a), the resist film applied to the shadow mask (31) is exposed and cured by an ultra-high pressure mercury lamp (50) placed at the upper center of the shadow mask (31). FIG. 7(b) is an enlarged cross-sectional view of the part marked A in FIG. The resist film (39a) on (31a) and the resist film (39b) on the center side wall surface (31b) of the through hole are not exposed.
The resist film (39
Resist film (39d) on the wall surface (31d) opposite to C)
) will be exposed.
ここで第7図(C)はシャドウマスク(31)の中央上
部から同(a)図に8を付記する部分を見た拡大透視図
である。この時、仮に露光用ランプを点光源とすると、
ランプ光(51)はシャドウマスクの中心軸方向から入
射するため同図に示す様に反対側壁面(31d)上に塗
布されたレジスト膜(39d)全てが露光されるわけで
はなく、一部露光されない部分が出てくる。Here, FIG. 7(C) is an enlarged perspective view of the part marked 8 in FIG. 7(a) from the upper center of the shadow mask (31). At this time, if the exposure lamp is used as a point light source,
Since the lamp light (51) enters from the direction of the central axis of the shadow mask, not all of the resist film (39d) coated on the opposite wall surface (31d) is exposed, as shown in the figure, but some of the resist film (39d) is not exposed. There will be parts that are not.
勿論、超高圧水銀ランプ(50)をシャド1クマスク(
31)の上方に遠ざけることによって、反対側壁面(3
1d)上に塗布されたレジスト膜(39d)全面にラン
プ光(51)を照射することができるが、あまり超高圧
水銀ランプ(50)をシャドウマスク(31)より遠ざ
けすぎると、ランプ光(51)は管軸(52)と平行に
近い角度でシャドウマスク(31)に入射するため中心
側壁面(31b)上のレジスト膜(39b)も照射され
てしまう。したがって第7図(a)に示す様に超高圧水
銀ランプ(50)は長光源を用いるのが適当であって、
その長さ([p)をシャドウマスク(31)の短辺方向
の長さ(LV)に対し1/4以上とし、またシャドウマ
スク(31)の中央上部に配置する高さ(H)をシャド
ウマスク(31)の長辺方向の長さ([h)の1/8〜
1/2にすることが好ましい。この様にすることによっ
てシャドウマスク(31)の小孔側主面(31a)上の
レジスト膜(39a)と透孔の中心側壁面(31b)上
のレジスト膜(39b)を露光することなく、シャドウ
マスク(31)の全域において大孔側主面(31c)上
のレジスト膜(39c)と反対側壁面(31d)上のレ
ジスト膜(39d )を露光することができる。Of course, use an ultra-high pressure mercury lamp (50) with a shadow mask (
31) by moving it upward away from the opposite wall surface (31).
The entire surface of the resist film (39d) coated on 1d) can be irradiated with lamp light (51), but if the ultra-high pressure mercury lamp (50) is placed too far away from the shadow mask (31), the lamp light (51) ) enters the shadow mask (31) at an angle close to parallel to the tube axis (52), so the resist film (39b) on the center side wall surface (31b) is also irradiated. Therefore, as shown in FIG. 7(a), it is appropriate to use a long light source for the ultra-high pressure mercury lamp (50).
Its length ([p) should be 1/4 or more of the short side length (LV) of the shadow mask (31), and the height (H) of the shadow mask (31) should be set at the top center of the shadow mask (31). 1/8 to 1/8 of the length ([h) in the long side direction of the mask (31)
It is preferable to reduce the amount to 1/2. By doing this, the resist film (39a) on the small hole side main surface (31a) of the shadow mask (31) and the resist film (39b) on the center side wall surface (31b) of the through hole are not exposed to light. In the entire region of the shadow mask (31), the resist film (39c) on the main surface (31c) on the large hole side and the resist film (39d) on the opposite wall surface (31d) can be exposed.
ただし、超高圧水銀ランプ(50)はシャドウマスク(
31)中央上部に配置されるため、シャドウマスク(3
1)の中央付近についてはランプ光(51)は略直角に
照射するため透孔の両方の壁面上のレジスト膜が露光さ
れることになる。However, the ultra-high pressure mercury lamp (50) has a shadow mask (
31) Shadow mask (3
Since the lamp light (51) is irradiated at a substantially right angle near the center of 1), the resist films on both wall surfaces of the through hole are exposed.
次いでレジスト膜は温水等により現象されるが、露光さ
れなかった小孔側主面(31a)上のレジスト膜(39
a)と透孔の中心側壁面(31b)上のレジスト膜(3
9b)は除去され、超高圧水銀ランプ(50)により露
光硬化された大孔側主面(31C)上のレジスト膜(3
9C)と反対側壁面(31d)上のレジスト膜(39d
)はシャドウマスク(31)に付着したまま残される。Next, the resist film is decomposed with hot water, etc., but the resist film (39
a) and the resist film (3) on the center side wall surface (31b) of the through hole.
9b) was removed and the resist film (3
9C) and the resist film (39d) on the opposite wall surface (31d).
) remains attached to the shadow mask (31).
その後、このようなシャドウマスクに例えば、ニトロセ
ルローズを数%溶かした酢酸ブチルアルコール溶液で溶
かされた結晶性鉛はう酸塩ガラスを第6図に示すように
、シャドウマスク(31)の小孔側に配置したスプレィ
ノズル(40a)と大孔側にシャドウマスク(31)の
周辺部から中央に向かって斜口に配置したスプレィノズ
ル(40b)によってスプレィ塗布し乾燥させる。この
時、大孔側のスプレィノズル(40b)はシャドウマス
ク(31)の曲面に対して、略直角になるように配置し
ても良い。Then, as shown in Figure 6, the small holes of the shadow mask (31) are filled with crystalline lead borate glass dissolved in acetic butyl alcohol solution containing several percent of nitrocellulose. A spray nozzle (40a) disposed on the side and a spray nozzle (40b) disposed diagonally from the periphery toward the center of the shadow mask (31) are used to spray and dry the large hole side. At this time, the spray nozzle (40b) on the large hole side may be arranged so as to be approximately perpendicular to the curved surface of the shadow mask (31).
そして次に分解剤、例えばスルファミン酸等によって感
光したレジスト膜と、その上に付着した結晶性鉛はう1
!!2塩ガラスを除去し、その後、最高温度が400°
Cでその保持時間が35分以上ある炉を通過させて、鉛
はうM塩ガラスを結晶化させることにより、第2図に示
す様にシャドウマスク(31)の小孔側主面(31a)
と中心側壁面(31b)のみに電子吸収層(33a)、
(33b)を形成することができる。Next, the resist film is exposed to light using a decomposing agent such as sulfamic acid, and the crystalline lead film attached thereto is 1
! ! Remove the di-salt glass, then the maximum temperature is 400°
The main surface (31a) on the small hole side of the shadow mask (31) is crystallized by passing it through a furnace with a holding time of 35 minutes or more at C to crystallize the lead-filled M salt glass.
and an electron absorption layer (33a) only on the center side wall surface (31b),
(33b) can be formed.
ここで分解剤により、感光したレジスト膜と、その上の
鉛はう酸塩ガラスを除去する工程を省略して、鉛はう酸
塩ガラス塗布後直接熱処理工程へ投入しレジスト膜を焼
却することによって不要な鉛はう酸塩ガラスを除去する
こともできるが、完全に除去するためには、やはり分解
剤を利用する工程を設けた方が好ましい。Here, the process of removing the photosensitive resist film and the lead-borate glass on it using a decomposing agent is omitted, and the resist film is incinerated by directly inputting it into a heat treatment process after coating the lead-borate glass. Although it is possible to remove unnecessary lead borate glass by using a method, in order to completely remove it, it is still preferable to provide a step that uses a decomposing agent.
但し、前記したように、レジスト膜の露光時、シャドウ
マスク(31)の中央付近については、透孔(32)の
左右両方の壁面上のレジスト膜か露光されるため、結果
的に壁面上には電子吸収層は形成されず、電子銃側主面
のみに形成される。しかし、シャドウマスクのドーミン
グにJこる電子ビームの変位は、シャドウマスクの中央
付近では殆ど問題とされず、電子銃側主面に電子吸収層
が在れば充分であり、透孔の壁面に設ける必要はない。However, as mentioned above, when exposing the resist film, the resist film on both the left and right walls of the through hole (32) is exposed near the center of the shadow mask (31), so as a result, the resist film on both the left and right walls of the through hole (32) is exposed. No electron absorption layer is formed, and it is formed only on the main surface on the electron gun side. However, the displacement of the electron beam caused by doming of the shadow mask is hardly a problem near the center of the shadow mask, and it is sufficient to have an electron absorption layer on the main surface on the electron gun side, and There's no need.
このようにして完成したシャドウマスク(31)は、パ
ネルと組み合ゼた状態でスクリーン形成工程が行われる
。The thus completed shadow mask (31) is assembled with a panel and subjected to a screen forming process.
まず、パネル内面にアジド系のレジスト膜を形成し、シ
ャドウマスク(31)の透孔(32)を介して超高圧水
銀ランプを用いて露光する。レジスト膜現像後黒鉛を塗
布乾燥し、分解剤を用いて現像し、パネル内面の所定位
置に光吸収細条帯を形成する。First, an azide-based resist film is formed on the inner surface of the panel, and exposed to light using an ultra-high pressure mercury lamp through the through hole (32) of the shadow mask (31). After developing the resist film, graphite is applied, dried, and developed using a decomposing agent to form light-absorbing stripes at predetermined positions on the inner surface of the panel.
次いで、感光性樹脂液に蛍光体粒子、例えば青用蛍光体
粒子を添加したスラリーをパネル内面に塗布し、同様に
露光現像して青色発光体細条を形成する。以下同様に緑
色及び赤色発光蛍光体細条を順次形成してスクリーンが
形成される。以上のようにして完成したパネル構体は、
ファンネルとフリットガラスにより接合され排気封止後
所定の工程を経てカラー受像管が得られる。Next, a slurry in which phosphor particles, for example blue phosphor particles, are added to a photosensitive resin liquid is applied to the inner surface of the panel, and exposed and developed in the same manner to form blue luminescent stripes. Thereafter, a screen is formed by sequentially forming green and red light emitting phosphor strips in the same manner. The panel structure completed as described above is
A color picture tube is obtained by joining the funnel and frit glass, sealing the exhaust, and going through a predetermined process.
このようにして得られた28型カラー受像管のピユリテ
ィドリフト特性につき、本発明者らが実験した結果は次
の通りである。The results of experiments conducted by the present inventors regarding the purity drift characteristics of the 28-inch color picture tube thus obtained are as follows.
再生画面パターンとして、第8図の仝面白色と、第9図
の部分白色パターンを用いた。第9図では水平方向幅i
00mの帯状体(51)を左右に2箇所に中心から各
180#離して位置するようにスクリーンに再生する。As the reproduced screen patterns, the full white pattern shown in FIG. 8 and the partially white pattern shown in FIG. 9 were used. In Figure 9, the horizontal width i
A 00 m long strip (51) is reproduced on the screen so that it is positioned in two places on the left and right, each spaced 180# from the center.
残部は黒色すなわら非発光部である。X印が測定点を示
す。ビーム移動量の測定結果を第1表に示す。測定条件
は陽極電圧Eb=29kV、カソード電流IKはパター
ン(A)で1500μへ1パターン(B)で1600μ
八とした。The remaining part is black, ie, a non-luminescent part. X marks indicate measurement points. Table 1 shows the measurement results of the amount of beam movement. The measurement conditions are anode voltage Eb = 29kV, cathode current IK is 1500μ in pattern (A) and 1600μ in pattern (B).
I made it eight.
第 1 表
同表において比較量(A)とは、第3図に示す従来技術
のシャドウマスクの電子銃側主面に酸化すず(8口02
)を含む鉛はう酸塩ガラスから成る電子吸服属を形成し
た28型カラー受像管のことで、比較量(B)とは第4
図に示す従来の製造方法によってシャドウマスクの透孔
の中心側壁面、および蛍光スクリーン側主面にも電子吸
収層形成した28型カラー受像管のことである。従って
、本発明の製造方法によるカラー受像管のピユリティド
リフト特性は、従来のカラー受像管および従来の製造方
法によって得られるカラー受像管のそれよりも良好であ
ることが確認された。これは、カラー受像管の本発明の
製造方法により、シャドウマスクのドーミングに対して
必要な部分のみに電子吸収層を形成し、電子ビームの変
位をより効果的に補正したためである。Table 1 In the same table, the comparative amount (A) refers to the amount of tin oxide (8 holes 02
) is a 28-inch color picture tube with an electron-absorbing element made of lead-bolate glass.
This is a 28-inch color picture tube in which an electron absorption layer is formed on the center side wall surface of the through hole of the shadow mask and on the main surface on the fluorescent screen side using the conventional manufacturing method shown in the figure. Therefore, it was confirmed that the purity drift characteristics of the color picture tube produced by the manufacturing method of the present invention are better than those of the conventional color picture tube and the color picture tube obtained by the conventional manufacturing method. This is because the method for manufacturing a color picture tube of the present invention forms the electron absorption layer only in the portion necessary for doming the shadow mask, thereby more effectively correcting the displacement of the electron beam.
尚、本発明では電子吸収層として結晶性鉛はう酸塩ガラ
スを示したが、他の材料例えば、ジルコニアのアルコキ
シド化合物、ZrSi (octla)等を用いても本
発明の目的は十分達成することができる。Although crystalline lead borate glass is used as the electron absorption layer in the present invention, the object of the present invention can also be sufficiently achieved using other materials such as zirconia alkoxide compounds, ZrSi (octla), etc. Can be done.
(発明の効果)
以上のように、本発明によればカラー受像管の動作初期
はもちろん画面上における局部的なあるいは短時間の大
電流時でも画面全面にわたって充分に色ずれや色むら等
の色純度劣化を防止することができるカラー受像管を得
ることができる。(Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, colors such as color shift and color unevenness can be sufficiently prevented over the entire screen not only during the initial operation of a color picture tube but also during localized or short-time large currents on the screen. A color picture tube that can prevent purity deterioration can be obtained.
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を説明するためのカラー受像管の概略断
面図、第2図は本発明の製造方法によって得られるシャ
ドウマスク透孔部を拡大した、ビームの静電偏向を説明
する模式図、第3図及び第4図は従来の製造方法によっ
て得られるシャドウマスク透孔部を拡大した、ビームの
静電偏向を説明する模式図、第5図はシャドウマスクの
ドーミングによる電子ビームの移動を説明するための模
式図、第6図はシャドウマスクに電子吸収層をスプレー
塗布するときの模式図、第7図(a)はシャドウマスク
に塗布されたレジスト膜を露光するときの模式図、第7
図(b)は第7図(a)のシャドウマスク透孔部を拡大
して示す模式図、第7図(C)は第7図(a)のシャド
ウマスク透孔部を拡大して示す斜視図、第8図及び第9
図は本発明の製造方法によって得られるカラー受像管の
ピユリティドリフト特性を説明する再生画像パターン図
である。
代理人 弁理士 則 近 憲 佑
同 竹 花 喜久男
第1図
→V知側
S2
第
第
図
第
図[Brief Description of the Drawings] Fig. 1 is a schematic cross-sectional view of a color picture tube for explaining the present invention, and Fig. 2 is an enlarged view of the shadow mask through hole obtained by the manufacturing method of the present invention. FIGS. 3 and 4 are schematic diagrams illustrating electrostatic deflection of a beam, and FIGS. 3 and 4 are schematic diagrams illustrating electrostatic deflection of a beam, with enlarged through holes of a shadow mask obtained by a conventional manufacturing method. FIG. A schematic diagram to explain the movement of an electron beam due to doming. Figure 6 is a schematic diagram of spray coating an electron absorption layer on a shadow mask. Figure 7 (a) is a diagram showing the exposure of a resist film coated on a shadow mask. Schematic diagram when
FIG. 7(b) is a schematic diagram showing an enlarged view of the shadow mask through hole in FIG. 7(a), and FIG. 7(C) is a perspective view showing an enlarged view of the shadow mask through hole in FIG. 7(a). Figures 8 and 9
The figure is a reproduced image pattern diagram illustrating the purity drift characteristics of a color picture tube obtained by the manufacturing method of the present invention. Agent Patent attorney Nori Ken Yudo Takehana Kikuo Figure 1 → V knowledge side S2 Figure Figure
Claims (1)
選択的に発光せしめる電子ビームを射出する電子銃と、
前記スクリーンに近接配置され、多数の透孔が穿設され
、かつ、その表面に電子吸収層を有するシャドウマスク
とを備えてなるカラー受像管の製造方法において、前記
シャドウマスクは多数の透孔を穿設する工程と、前記シ
ヤドウマスクを所定の形状に成形する工程と、前記シャ
ドウマスクの表面に感光性樹脂層を形成する工程と、前
記感光性樹脂層を露光して硬化させる工程と、前記感光
性樹脂層の未露光部分を現象して除去する工程と、前記
シャドウマスクの表面に電子吸収層を形成する工程と、
前記シャドウマスクを熱処理する工程とを備えたことを
特徴とするカラー受像管の製造方法。(1) A phosphor screen, an electron gun that emits an electron beam that selectively causes the phosphor of the screen to emit light;
A method for manufacturing a color picture tube, comprising: a shadow mask disposed close to the screen, having a large number of through holes, and having an electron absorption layer on its surface, the shadow mask having a large number of through holes. a step of forming the shadow mask into a predetermined shape; a step of forming a photosensitive resin layer on the surface of the shadow mask; a step of exposing and curing the photosensitive resin layer; a step of removing an unexposed portion of the transparent resin layer; and a step of forming an electron absorption layer on the surface of the shadow mask.
A method for manufacturing a color picture tube, comprising the step of heat-treating the shadow mask.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25193188A JPH02100235A (en) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | Manufacture of color picture tube |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25193188A JPH02100235A (en) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | Manufacture of color picture tube |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02100235A true JPH02100235A (en) | 1990-04-12 |
Family
ID=17230102
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25193188A Pending JPH02100235A (en) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | Manufacture of color picture tube |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02100235A (en) |
-
1988
- 1988-10-07 JP JP25193188A patent/JPH02100235A/en active Pending
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