JPH0194619A - Shot control circuit for electron beam lithography equipment - Google Patents

Shot control circuit for electron beam lithography equipment

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JPH0194619A
JPH0194619A JP62252215A JP25221587A JPH0194619A JP H0194619 A JPH0194619 A JP H0194619A JP 62252215 A JP62252215 A JP 62252215A JP 25221587 A JP25221587 A JP 25221587A JP H0194619 A JPH0194619 A JP H0194619A
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JP
Japan
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shot
stage
shots
electron beam
circuit
Prior art date
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Application number
JP62252215A
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Japanese (ja)
Inventor
Teruaki Okino
輝昭 沖野
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Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0194619A publication Critical patent/JPH0194619A/en
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve printing throughput without deteriorating printing accuracy, by providing are electronic beam printing apparatus with a shot dividing circuit for dividing an ordinary single shot into several shots while adapting it such that the position of a stage is corrected in every shot. CONSTITUTION:A variable-shape electronic beam Bi' is unblanked so that a beam shot is given to a material 11 disposed on a stage 12 for a predetermined period of time, and such beam shots are performed in series to produce a pattern. An electron ic beam printing apparatus constructed in this manner is provided with a shot dividing circuit 18 for dividing one shot into several shots, and is adapted such that an ordinary one shot is divided by the circuit 18 into several shots while the position of the stage is corrected in every shot. According to ar embodiment, a deflection correcting circuit 20 receives graphical data of the divided shots and a deflection correcting value, and outputs graphical data in which the error of the position of the stage has been corrected. A DAC amplifier 21 converts the graphical data into an analogue signal and drives a positioning deflecting system 10.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は電子ビーム描画装置のショット制御回路に関し
、更に詳しくは、図形のぼけを可能な限り抑えるように
した電子ビーム描画装置のショット制御回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to a shot control circuit for an electron beam lithography system, and more specifically, a shot control circuit for an electron beam lithography system that suppresses blurring of figures as much as possible. Regarding.

(従来の技術) 電子ビーム描画装置は、材料ステージ上に載置された描
画材料に直接パターンを露光することができるので、近
年、IC製造分野で脚光をあびてきている。具体的には
、材料(ウェハ)の上にレジストを塗布しておき、この
レジストが塗布された材料面上に描画データに基づいた
ビームを照射すると描画データに基づいた露光パターン
が得られる。
(Prior Art) Electron beam lithography apparatuses have been attracting attention in the IC manufacturing field in recent years because they can directly expose a pattern to a lithography material placed on a material stage. Specifically, a resist is applied onto a material (wafer), and a beam based on drawing data is irradiated onto the material surface coated with this resist, thereby obtaining an exposure pattern based on the drawing data.

この種の電子ビーム描画装置において、パターンを描画
する場合、その描画位置は偏向器で位置決めしている。
In this type of electron beam drawing apparatus, when drawing a pattern, the drawing position is determined by a deflector.

通常、材料ステージ上に載置された材料に電子ビームで
描画する場合、材料ステージの現在位置は理想的な位置
(計画された位置)とはずれているのが普通である。そ
こで、材料ステージ(以下単にステージという)の位置
をレーザ測長器で高精度に測定し、求めた理想位置との
誤差分(以下LBC値と略す)を前記偏向器にフィード
バックしてやり、描画位置の補正を行っている。
Normally, when writing with an electron beam on a material placed on a material stage, the current position of the material stage is usually different from the ideal position (planned position). Therefore, the position of the material stage (hereinafter simply referred to as stage) is measured with high precision using a laser length measuring device, and the error amount (hereinafter abbreviated as LBC value) from the determined ideal position is fed back to the deflector to determine the drawing position. Corrections are being made.

ところで、電子ビーム描画装置には細かく絞ったビーム
を材料上に連続的に走査露光する方式と、成形アパーチ
ャを用いて短形状に成形したある程度の幅を持ったビー
ムをアンブランキングして、材料上に所定時間だけビー
ムショットする方式とがある。本発明は後者の可変成形
型の電子ビームを材料上にショットし、そのショットを
つないでパターンを作成する方式の電子ビーム描画装置
に関するものである。
By the way, electron beam lithography equipment uses a method that continuously scans and exposes a material with a finely focused beam, and an unblanking method that uses a shaping aperture to form a beam with a certain width into a rectangular shape. There is a method in which the beam is shot for a predetermined period of time. The present invention relates to the latter type of electron beam lithography apparatus that shoots a variable shaped electron beam onto a material and connects the shots to create a pattern.

(発明が解決しようとする問題点) ステップアンドリピート(S/R)ステージ移動描画方
式は、ステージを所定量だけ移動した後、ショット描画
を行い、その位置における全ての描画が終了したら再び
ステージを所定回だけ移動してショット描画を行うこと
を繰り返して材料全面に目的とするパターンを得る方式
である。この方式では、ステージ停止後に振動が残る。
(Problem to be Solved by the Invention) In the step-and-repeat (S/R) stage movement drawing method, shot drawing is performed after the stage is moved by a predetermined amount, and when all drawings at that position are completed, the stage is moved again. In this method, the target pattern is obtained on the entire surface of the material by repeating shot drawing by moving a predetermined number of times. With this method, vibrations remain after the stage stops.

従って、ステージ停止侵すぐに描画すると、1シヨツト
中のステージの振動によりショット図形に第2図に示す
ようなぼけを生じてしまう。第2図において、Qはショ
ット図形で、Bは該ショット図形Qの周囲に発生したぼ
け領域である。このぼけ領域は材料に塗布されるレジス
トの感度によって変動する。
Therefore, if drawing is performed immediately after the stage stops, the vibration of the stage during one shot will cause the shot figure to become blurred as shown in FIG. In FIG. 2, Q is a shot figure, and B is a blurred area generated around the shot figure Q. In FIG. This blur area varies depending on the sensitivity of the resist applied to the material.

例えば、このようなぼけの幅を0.01μm以下に押え
るためには、1シヨツト時間を10μSECとした場合
、ステージの移動速度は0.01μm /10μSEC
−1m /SEC以下でなければならない。ステージ停
止後の振動が1111/SEC以下になるまで描画を見
合わせることは、描画スルーブツトの低下を招く。
For example, in order to suppress the width of such blur to 0.01 μm or less, if one shot time is 10 μSEC, the stage movement speed should be 0.01 μm/10 μSEC.
-1m/SEC or less. If the writing is postponed until the vibration after the stage stops becomes less than 1111/SEC, the writing throughput will be reduced.

連続ステージ移動方式は、ステージを所定量だけ移動し
ながらショット描画を繰り返して材料全面に目的とする
パターンを得る方式である。この方式では、例えば1μ
SECのショツト時間に対してその図形ぼけをo、oi
μm以下に抑えるためには、ステージを0.01μII
/1μSEC−10m/SEC以下の移動スピードにし
なければならない。
The continuous stage movement method is a method in which shot drawing is repeated while the stage is moved by a predetermined amount to obtain a desired pattern on the entire surface of the material. In this method, for example, 1μ
The shape blur is o, oi for the shot time of SEC.
In order to keep it below μm, the stage should be 0.01μII
The movement speed must be less than /1μSEC-10m/SEC.

以上説明したように、従来の方式では、中、低感度レジ
ストに対しては、パターンの密度よりもステージ移動速
度をショット図形のぼけ防止の観点から制限しなければ
ならない。従って、高精度描画のために描画スループッ
トを低下せざるを得なかった。
As explained above, in the conventional method, for medium- to low-sensitivity resists, the stage movement speed must be restricted from the viewpoint of preventing blurring of shot figures rather than the pattern density. Therefore, in order to achieve high-precision drawing, the drawing throughput had to be reduced.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであって、
その目的は、描画精成を落とさずに描画スループットを
高くすることができる電子ビーム描画装置のショット制
御回路を実現することにある。
The present invention has been made in view of these points, and
The purpose is to realize a shot control circuit for an electron beam lithography system that can increase the lithography throughput without reducing the lithography quality.

(問題点を解決するための手段) 前記した問題点を解決する本発明は、可変成形型の電子
ビームをアンブランキングしてステージ上に載置された
材料に所定時間だけビームショットを行い、このビーム
ショットをつなぐことによりパターンを作成するように
した電子ビーム描画装置において、外部から設定される
ショットタイム情報を受けて1回のショットを複数回の
ショットに分割するショット分割回路を設け、通常の1
回のショットを複数回のショットに分割すると共に、各
ショット毎にステージ位置補正を行うように溝成したこ
とを特徴とするものである。
(Means for Solving the Problems) The present invention solves the above problems by unblanking a variable-shaped electron beam and performing a beam shot on a material placed on a stage for a predetermined period of time. In an electron beam lithography system that creates a pattern by connecting beam shots, a shot dividing circuit is installed to receive externally set shot time information and divide one shot into multiple shots. 1
The present invention is characterized in that one shot is divided into a plurality of shots, and the stage position is corrected for each shot.

(作用) 従来の1シヨツトを分割して複数回ショットするように
する。
(Function) The conventional one shot is divided into multiple shots.

(実施例) 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例を示す構成図である。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.

図において、1は電子ビームBiを出射する電子銃、2
は出射された電子ビームBiをオンオフ制御するブラン
キング電極である。該ブランキング電極2は電子ビーム
B1を急激に偏向させて′a蔽根板3衝突させ、該遮蔽
板3の中央に形成された間口3aを電子ビームB1が通
過しないようにする。ブランキング電極2に印加する電
圧を0にすると、偏向されていた電子ビームBiは再び
開口3aを通過するようになる。
In the figure, 1 is an electron gun that emits an electron beam Bi;
is a blanking electrode that controls on/off of the emitted electron beam Bi. The blanking electrode 2 sharply deflects the electron beam B1 so that it collides with the shielding plate 3, thereby preventing the electron beam B1 from passing through the opening 3a formed in the center of the shielding plate 3. When the voltage applied to the blanking electrode 2 is reduced to 0, the deflected electron beam Bi comes to pass through the aperture 3a again.

4は開口3aを通過した電子ビーム3iを収束する収束
レンズ、5は矩形ビーム作成用の第1成型アパーチヤ、
6は同じく第2成型アパーチヤである。これら第1及び
郊2成型アパーチャ5,6の中央部に形成された開口5
a、5aの位置を調整することにより所望の大きさの矩
形ビームBi′を得るようになっている。7は第1及び
第2成型アパーチャ5.6の間に配置され、ビームの寸
法を決める成形偏向器、8は該成形偏向器7を通過した
荷電ビームBiを収束する電子レンズである。
4 is a converging lens that converges the electron beam 3i that has passed through the aperture 3a; 5 is a first shaping aperture for creating a rectangular beam;
Similarly, 6 is a second molded aperture. An opening 5 formed in the center of these first and second molded apertures 5 and 6
By adjusting the positions of a and 5a, a rectangular beam Bi' of a desired size can be obtained. 7 is a shaping deflector which is arranged between the first and second shaping apertures 5.6 and determines the dimensions of the beam, and 8 is an electron lens which focuses the charged beam Bi that has passed through the shaping deflector 7.

9は第2成型アパーチヤ6を通過した矩形ビームB:・
′を絞り込む電子レンズ、10は矩形ビームBi Iの
位置決めを行う位置決め偏向器である。
9 is a rectangular beam B that has passed through the second molding aperture 6:・
10 is a positioning deflector for positioning the rectangular beam BiI.

11は矩形ビームBHzが照射される材料、12は該材
料11がその上に載置されるステージ、13は該ステー
ジ12を所定方向に移動さ、せるステージ駆動機構であ
る。14はステージ12の位置を測定するレーザ測長器
で、ステージ12の辺に取付けられたレーザミラー15
にレーザビームを当て、その反射光を受けて光の干渉を
利用してステージ12の位置を求めるようになっている
11 is a material to which the rectangular beam BHz is irradiated; 12 is a stage on which the material 11 is placed; and 13 is a stage drive mechanism for moving the stage 12 in a predetermined direction. 14 is a laser length measuring device for measuring the position of the stage 12, and a laser mirror 15 is attached to the side of the stage 12.
A laser beam is applied to the stage 12, and the position of the stage 12 is determined by receiving the reflected light and utilizing light interference.

16はレーザ測長器の出力を受けて各種演算制御を行う
CPU117はCPU16からパターンデータを受けて
、電子光学形で形成可能な小図形に分解する図形分解回
路である。
Reference numeral 16 designates a figure decomposition circuit that receives the output of the laser length measuring device and performs various arithmetic and control operations.A CPU 117 receives pattern data from the CPU 16 and decomposes it into small figures that can be formed using electro-optical methods.

18は外部から設定されるショットタイム情報(ショッ
ト分割回数、ショットタイム)と、図形分解回路17か
ら与えられるショット図形データを受けて設定された回
数のショットパルスを発生するショット分割回路で、そ
の出力は駆動アンプ19を介してブランキング電極2に
与えられる。
Reference numeral 18 denotes a shot dividing circuit which receives externally set shot time information (shot dividing number, shot time) and shot figure data given from the figure decomposition circuit 17 and generates a set number of shot pulses, and its output. is applied to the blanking electrode 2 via the drive amplifier 19.

20はパターンデータのうちショット位置に関するデー
タの偏向補正回路で、CPLJ16からLBC値が与え
られている。21は該偏向補正回路20の出力をアナロ
グ信号に変換して位置決め偏向器10を駆動するDAC
アンプである。そして、ステージ駆aSt構13にはC
PL116からステージ駆動信号が与えられている。こ
のように構成された装置を用いて本発明回路の動作を説
明すれば、以下の通りである。
Reference numeral 20 denotes a deflection correction circuit for data relating to shot positions in the pattern data, to which the LBC value is given from CPLJ16. 21 is a DAC that converts the output of the deflection correction circuit 20 into an analog signal and drives the positioning deflector 10;
It's an amplifier. And the stage drive aSt structure 13 has a C
A stage drive signal is given from PL116. The operation of the circuit of the present invention using the device configured as described above will be explained as follows.

CPL116からステージ駆動機構13にステージ駆動
信号が与えられると、ステージ駆動機構13はステージ
12を所定方向に所定分だけ移動させる。移動後のステ
ージ位置及びその後のステージ位置の変動は、常時レー
ザ測長器14により測定されCPL116に送られる。
When a stage drive signal is applied from the CPL 116 to the stage drive mechanism 13, the stage drive mechanism 13 moves the stage 12 by a predetermined amount in a predetermined direction. The stage position after the movement and subsequent changes in the stage position are constantly measured by the laser length measuring device 14 and sent to the CPL 116.

CPL116はレーザ測長器14の測定値を基に、ステ
ージ12の実測位置と理想位置との差を演算して位置誤
差に基づく偏向補正値(LBC値)を求める。そして、
描画すべきパターンデータとその時におけるLBC値を
出力する。
The CPL 116 calculates the difference between the actual measured position of the stage 12 and the ideal position based on the measured value of the laser length measuring device 14 to obtain a deflection correction value (LBC value) based on the position error. and,
The pattern data to be drawn and the LBC value at that time are output.

CPU16の出力のうち、パターンデータは図形分解回
路17に入って電子光学系で形成可能な小図形に分解さ
れる。分解された小図形はショット分割回路18に入る
。一方、外部からはショット分割回路18にショットタ
イム情報が与えられており、該ショット分割回路18は
図形分解回路17より与えられるショット図形データを
与えられた数のショットに分割して駆動アンプ19及び
偏向補正回路20に出力する。
Among the outputs of the CPU 16, pattern data enters a figure decomposition circuit 17 and is decomposed into small figures that can be formed by an electron optical system. The decomposed small figures enter the shot dividing circuit 18. On the other hand, shot time information is supplied from the outside to the shot division circuit 18, and the shot division circuit 18 divides the shot figure data supplied from the figure decomposition circuit 17 into a given number of shots, It is output to the deflection correction circuit 20.

偏向補正回路20は、このショット図形データとLBC
flとを受けて描画データの位置誤差に基づく補正((
IH向補正)を行う。これにより、偏向補正回路20は
ステージ位Ii!誤差が補正されたショット図形データ
を出力する。DACアンプ21はこの小図形データをア
ナログ信号に変換した後、位置決め偏向器10を駆動す
る。この結果、矩形ビーム81′はステージ12上に載
置された材料11上に正確にショットされる。
The deflection correction circuit 20 uses this shot figure data and the LBC
correction based on the position error of the drawing data ((
IH direction correction). As a result, the deflection correction circuit 20 is placed at the stage Ii! Shot figure data with corrected errors is output. The DAC amplifier 21 converts this small figure data into an analog signal, and then drives the positioning deflector 10. As a result, the rectangular beam 81' is accurately shot onto the material 11 placed on the stage 12.

例えば外部から与えられたショットタイム情報がショッ
トタイム10μSEC,分割数10であった場合には、
1μSECのショットを10回繰り返して発生する。こ
の結果、電子ビーム3iは10回アンブランキングされ
ると共に、偏向補正回路20にもLBC値と共に小図形
データが10回与えられる。このようにして、ブランキ
ング動作と、偏向動作は同期して行われる。本発明によ
れば、通常の1シヨツトを複数個に分割して、複数回の
ショットを行う。従って、1シヨツトあたりに占めるぼ
け領域は極めてその割合が小さくなり、通常の・1シヨ
ツトの領域に占めるぼけ領域は極めて小さくなる。
For example, if the shot time information given externally is a shot time of 10μSEC and a division number of 10,
This is generated by repeating 1 μSEC shots 10 times. As a result, the electron beam 3i is unblanked 10 times, and the small figure data is also given to the deflection correction circuit 20 10 times together with the LBC value. In this way, the blanking operation and the deflection operation are performed synchronously. According to the present invention, one normal shot is divided into a plurality of shots and a plurality of shots are performed. Therefore, the ratio of the blurred area to one shot becomes extremely small, and the blurred area to the normal one shot area becomes extremely small.

このような動作を行わせることにより、ステージ位置補
正は1シヨツト毎に行われ、1μSEC毎に偏向補正も
かかるので、ステージ移動スピードの許容を大きくする
ことができる。即ち、SZR方式の場合は、ステージ移
動停止後、振動が停止するのを持たずして描画を開始す
ることが可能となり、連続移動方式の場合はステージ移
動速度を高めることができる。以上何れの場合において
も、描画スループットを向上させることができる。
By performing such an operation, stage position correction is performed for each shot, and deflection correction is also performed for each 1 μSEC, so that the allowable stage movement speed can be increased. That is, in the case of the SZR method, it is possible to start drawing without the vibrations stopping after the stage movement stops, and in the case of the continuous movement method, the stage movement speed can be increased. In any of the above cases, the drawing throughput can be improved.

上述の説明においてはショット分割回路は、図形分解回
路の後に設けた場合を例にとったが、本発明はこれに限
るものではない。図形分解回路の前に設けるようにして
もよい。又、上述の実施例ではショットの分割回数と分
割されたショットのショツト時間は外部から設定するよ
うにしたが、ショツト時間の上限とトータルのショツト
時間(分割する前のショツト時間)を外部から与えられ
るようにし、分割回数と分割後のショツト時間は内部で
算出するようにしてもよい。
In the above description, the shot division circuit is provided after the graphic decomposition circuit, but the present invention is not limited to this. It may also be provided before the graphic decomposition circuit. Furthermore, in the above embodiment, the number of shot divisions and the shot time of the divided shots are set from the outside, but the upper limit of the shot time and the total shot time (the shot time before division) can be set from the outside. The number of divisions and the shot time after division may be calculated internally.

(発明の効果) 以上詳細に説明したように、本発明によれば、従来の1
シヨツトを複数のショットに分割すると共に、併せてス
テージの偏向補正も同時に行うことにより描画精度を落
さずに描画スルーブツトを高くすることができる電子ビ
ーム描画装置のショット制御回路を実現することができ
る。
(Effects of the Invention) As explained in detail above, according to the present invention, the conventional one
It is possible to realize a shot control circuit for an electron beam lithography system that can increase the lithography throughput without reducing lithography accuracy by dividing a shot into multiple shots and simultaneously correcting the deflection of the stage. .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図はショ
ットの描画状態を示す図である。 1・・・電子銃     2・・・ブランキング電極3
・・・遮蔽板     3a、5a、5a・・・開口4
・・・集束レンズ   5・・・第1成型アパーチヤ6
・・・第2成型アパーチヤ ア・・・成形−内器   8.9・・・電子レンズ10
・・・位置決め偏向器 11・・・材料     12・・・ステージ13・・
・ステージ駆動回路 14・・・レーザ測長器 15・・・レーザミラー16
・・・CPU     17・・・図形分解回路18・
・・ショット分割回路 19・・・駆動アンプ  20・・・偏向補正回路21
・・・DACアンプ 3i・・・電子ビームBHz・・
・矩形ビーム 特許出願人   日本電子日本電子株式会社代  理 
 人   弁  理  士  井  島  藤  治外
1名 A 第2匣く
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing a shot drawing state. 1...Electron gun 2...Blanking electrode 3
... Shielding plate 3a, 5a, 5a... Opening 4
...Focusing lens 5...First molded aperture 6
...Second molding aperture...Molding-inner device 8.9...Electronic lens 10
...Positioning deflector 11...Material 12...Stage 13...
・Stage drive circuit 14...Laser length measuring device 15...Laser mirror 16
...CPU 17...Graphic decomposition circuit 18.
... Shot division circuit 19 ... Drive amplifier 20 ... Deflection correction circuit 21
...DAC amplifier 3i...Electron beam BHz...
・Rectangular beam patent applicant JEOL Ltd. representative
Person Patent attorney Fuji Ijima 1 person outside the jurisdiction A 2nd box

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  可変成形型の電子ビームをアンブランキングしてステ
ージ上に載置された材料に所定時間だけビームショット
を行い、このビームショットをつなぐことによりパター
ンを作成するようにした電子ビーム描画装置において、
1回のショットを複数回のショットに分割するショット
分割回路を設け、通常の1回のショットを複数回のショ
ットに分割すると共に、各ショット毎にステージ位置補
正を行うように構成したことを特徴とする電子ビーム描
画装置のショット制御回路。
In an electron beam lithography device that unblanks a variable-shaped electron beam, performs beam shots on a material placed on a stage for a predetermined period of time, and creates a pattern by connecting these beam shots.
It is characterized by a shot division circuit that divides one shot into multiple shots, which divides a normal single shot into multiple shots, and also performs stage position correction for each shot. A shot control circuit for an electron beam lithography system.
JP62252215A 1987-10-06 1987-10-06 Shot control circuit for electron beam lithography equipment Pending JPH0194619A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140124684A1 (en) * 2012-11-02 2014-05-08 Nuflare Technology, Inc Multi charged particle beam writing method and multi charged particle beam writing apparatus
JP2018098243A (en) * 2016-12-08 2018-06-21 株式会社ニューフレアテクノロジー Multi-charged particle beam exposure method and multi-charged particle beam exposure device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140124684A1 (en) * 2012-11-02 2014-05-08 Nuflare Technology, Inc Multi charged particle beam writing method and multi charged particle beam writing apparatus
US9202673B2 (en) * 2012-11-02 2015-12-01 Nuflare Technology, Inc. Multi charged particle beam writing method and multi charged particle beam writing apparatus
US10020159B2 (en) 2012-11-02 2018-07-10 Nuflare Technology, Inc. Multi charged particle beam writing method and multi charged particle beam writing apparatus
JP2018098243A (en) * 2016-12-08 2018-06-21 株式会社ニューフレアテクノロジー Multi-charged particle beam exposure method and multi-charged particle beam exposure device

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