JPH0193122A - Centrifugal rotary machine for wafer for developing resist - Google Patents
Centrifugal rotary machine for wafer for developing resistInfo
- Publication number
- JPH0193122A JPH0193122A JP24972587A JP24972587A JPH0193122A JP H0193122 A JPH0193122 A JP H0193122A JP 24972587 A JP24972587 A JP 24972587A JP 24972587 A JP24972587 A JP 24972587A JP H0193122 A JPH0193122 A JP H0193122A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resist
- centrifugal
- developer
- wafers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 28
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体の製造に利用されるレジスト現像用ウ
ェーハ遠心回転機に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a wafer centrifugal rotating machine for resist development used in the manufacture of semiconductors.
半導体製造用のウェーハは、レジストがスピンコードさ
れ、光、電子、イオンビームまたはX線を用いて、この
レジストにパターンが露光される。Wafers for semiconductor manufacturing are spin-coded with a resist, and a pattern is exposed on the resist using light, electrons, ion beams, or X-rays.
次に、露光されたレジストが現像されることによって、
使用されるレジストの種類に基づき、露光された領域が
除去されるか、または残される。不必要なレジストが除
去された後、種々の他の製造工程が実施される。このよ
うな多くの工程によって、最終的にVLS Iデバイス
が製造される。Next, by developing the exposed resist,
Depending on the type of resist used, the exposed areas are removed or left behind. After unnecessary resist is removed, various other manufacturing steps are performed. Through these many steps, a VLSI device is finally manufactured.
製造ラインにおいて、レジストは、ウェーハ裏面で吸着
固定され固定治具の中心軸の回りに水平方向に回転させ
ることによって、現像される。このとき現像液は、レジ
ストの表面に噴きつけられる。ウェーハは、レジスト表
面の現像液を攪拌するためには遅く回転され、現像液を
除去するためには速く回転される。On the production line, the resist is developed by being fixed by suction on the back surface of the wafer and rotating horizontally around the central axis of a fixture. At this time, the developer is sprayed onto the surface of the resist. The wafer is rotated slowly to agitate the developer on the resist surface and quickly to remove the developer.
ウェーハ回転機を使用したウェーハの軸回転によるレジ
スト現像方法に固有の問題は、現像後、ウェーハ表面に
未現像のレジスト、またはレジストの成分が残ることで
ある。したがって、この軸回転方法は、最良のレジスト
現像のための理想的な条件に反するように思われる。例
えばサブミクロンのコンタクトホールを現像する場合、
現像液によってレジストから遊離されたレジスト分子が
、軸回転方法に固有の引力と遠心力とにより、現像する
コンタクトホールの内部に残る傾向があるように思われ
る。レジストとレジストの成分は、コンタクトホールの
内部に残り、これにより現像液の侵入が妨げられ、また
多くのレジスト分子の遊離が妨げられる。現像方向と垂
直な遠心力は、レジスト成分と使用済み現像液とをコン
タクトホールから完全に除去できず、これら物質をコン
タクトホールの壁に対して押し付けている。したがって
、従来のウェーハ回転機による現像では、レジストの残
留物や“かす(scum) ”は、遠紫外線露光や加
熱によって、後で取り除かねばならないという問題点が
ある。A problem inherent in the method of developing resist by rotating the wafer axis using a wafer rotating machine is that undeveloped resist or components of the resist remain on the wafer surface after development. Therefore, this axial rotation method appears to violate ideal conditions for best resist development. For example, when developing submicron contact holes,
It appears that resist molecules liberated from the resist by the developer tend to remain inside the contact hole being developed due to the attractive and centrifugal forces inherent in the axial rotation method. The resist and resist components remain inside the contact hole, which prevents the developer from entering and also prevents the release of many resist molecules. Centrifugal forces perpendicular to the direction of development do not completely remove resist components and spent developer from the contact hole, pushing these materials against the walls of the contact hole. Therefore, in conventional development using a wafer rotating machine, there is a problem in that resist residue or "scum" must be removed later by exposure to deep ultraviolet light or heating.
本発明の目的は、このような問題点を解決し、レジスト
の残留物などを完全に除去することを可能とするレジス
ト現像用ウェーハ遠心回転機を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a wafer centrifugal rotating machine for resist development that can solve these problems and completely remove resist residue.
本発明は、半導体ウェーハ上の露光されたレジストを現
像するレジスト現像用ウェーハ遠心回転機であって、
レジストが塗布されたウェーハを、ウェーハの中心にお
ける法線が遠心回転機の回転中心軸と直交するように内
部に固定できるウェーハ容器と、前記ウェーハ容器の内
部に少なくとも容器現像液を注入できる液体注入管とを
備えることを特徴としている。The present invention is a wafer centrifugal rotator for resist development that develops exposed resist on a semiconductor wafer, and the wafer coated with resist is rotated so that the normal line at the center of the wafer is perpendicular to the central axis of rotation of the centrifugal rotator. The present invention is characterized in that it includes a wafer container that can be fixed inside the wafer container, and a liquid injection tube that can inject at least a container developer into the inside of the wafer container.
本発明のレジスト現像用ウェーハ遠心回転機は、ウェー
ハの中心での法線が遠心回転機の回転中心軸と直交する
ように、ウェーハを遠心回転させる。The wafer centrifugal rotating machine for resist development of the present invention centrifugally rotates the wafer so that the normal line at the center of the wafer is perpendicular to the central axis of rotation of the centrifugal rotating machine.
このとき、レジストが塗布されたウェーハの表面は、外
側に、すなわち遠心力の方向に向いている。At this time, the surface of the wafer coated with resist faces outward, ie, in the direction of centrifugal force.
この遠心回転方法に固有の遠心力は、現像パターンの内
部から、゛遊離したレジスト分子と使用済み現像液を除
去するように作用する。レジスト成分は、従来の軸回転
方法の場合のようにウェーハ表面に平行方向に除去され
るのではなく、ウェーハの表面に対して垂直方向に除去
されるので、現像はさらに完全なものとなる。The centrifugal force inherent in this centrifugal rotation method acts to remove ``loose resist molecules and used developer from the interior of the developed pattern. Development is more complete because the resist components are removed perpendicular to the wafer surface, rather than parallel to the wafer surface as in conventional axial rotation methods.
本発明の実施例を図面に基づいて説明する。 Embodiments of the present invention will be described based on the drawings.
第3図は、ウェーハ容器を構成する部材であって、内部
でウェーハが現像される液体貯留器1を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a liquid reservoir 1, which is a member constituting a wafer container, and in which wafers are developed.
(a)は平面図、(b)は正面図、(C)は側面図、(
d)は底面図である。(a) is a plan view, (b) is a front view, (C) is a side view, (
d) is a bottom view.
この液体貯留器1は、円筒状部2と、この円筒状部2の
外径より少し大きい外径を有する円柱状部3とが一体に
形成されている。円筒状部2の円柱状部3と接する側の
半円周部分には、ウェーハを出し入れするための開口部
4が開けられている。This liquid reservoir 1 is integrally formed with a cylindrical portion 2 and a cylindrical portion 3 having an outer diameter slightly larger than the outer diameter of the cylindrical portion 2. An opening 4 for loading and unloading wafers is formed in the semicircumferential portion of the cylindrical portion 2 on the side that contacts the cylindrical portion 3.
他の半円周部分の円筒状部端内壁には5個のウェーハ保
持部5が設けられている。ウェーハ保持部は、ウェーハ
の周縁部を挿入できる隙間を有している。Five wafer holders 5 are provided on the inner wall of the end of the cylindrical portion of the other semicircumferential portion. The wafer holder has a gap into which the peripheral edge of the wafer can be inserted.
円柱状部3には、円筒状部2の方に開いた円錐状凹部6
が設けられており、この凹部の底には液体排出管7が連
結されている。さらに、この液体排出管7を開閉する電
磁パルプ8が、液体貯留器1の底部に設けられている。The cylindrical part 3 has a conical recess 6 that opens toward the cylindrical part 2.
A liquid discharge pipe 7 is connected to the bottom of this recess. Further, an electromagnetic pulp 8 for opening and closing the liquid discharge pipe 7 is provided at the bottom of the liquid reservoir 1.
液体貯留器1の円筒状部2と、円柱状部3の外壁段差部
にはOリング9がはめ込まれている。なお、’M3図(
b)、 (c)においては、図面を明瞭にするため0
リングは断面で示しである。O-rings 9 are fitted into the stepped portions of the outer walls of the cylindrical portion 2 and the cylindrical portion 3 of the liquid reservoir 1. In addition, 'M3 figure (
In b) and (c), 0 is used to make the drawings clearer.
The ring is shown in cross section.
第4図は、以上のような構成の液体貯留器1の円筒状部
2と摺動嵌合する環状体10を示す図である。(a)は
平面図、(b)は正面図、(C)は側面図である。なお
、第4図(b)および(c)には、液体貯留器1との嵌
合状態をわかりやすくするために、液体貯留器1を点線
で示しである。FIG. 4 is a diagram showing the annular body 10 that is slidably fitted into the cylindrical portion 2 of the liquid reservoir 1 having the above-described configuration. (a) is a plan view, (b) is a front view, and (C) is a side view. In addition, in FIGS. 4(b) and 4(c), the liquid reservoir 1 is shown by dotted lines in order to make it easier to understand the fitted state with the liquid reservoir 1.
この環状体10の円柱状部側の端内壁であって、開口部
4に対向する半円周部分に5個の小さなブロック11が
設けられている。これらプロ・ツクは、開口部4内に突
出している。Five small blocks 11 are provided on the inner wall of the cylindrical end of the annular body 10 at a semicircumferential portion facing the opening 4. These protrusions project into the opening 4.
以上のような構造の液体貯留器1と環状体10とによっ
て、ウェーハ容器が構成される。A wafer container is constituted by the liquid reservoir 1 and the annular body 10 having the above-described structure.
第1図は、8個のウェーハ容器12を遠心回転機の回転
中心軸を中心とした円周上に等間隔に配列して設けたレ
ジスト現像用ウェーハ遠心回転機13の平面図である。FIG. 1 is a plan view of a resist developing wafer centrifugal rotary machine 13 in which eight wafer containers 12 are arranged at equal intervals on a circumference centered on the central axis of rotation of the centrifugal rotary machine.
なお、第1図は、環状体10を円柱状部3とは反対の方
向へずらし、開口部4を露出させた状態を示している。Note that FIG. 1 shows a state in which the annular body 10 is shifted in the opposite direction to the columnar part 3 and the opening 4 is exposed.
また、Oリング9は図面を明瞭にするため断面で示して
いる。Further, the O-ring 9 is shown in cross section for clarity of drawing.
ウェーハ容器12は、開口部4が上側を向くように配置
され、かつ、円柱状部3が遠心回転機の回転中心から外
側へ位置するよに配置され、かつ、ウェーハ容器12の
中心軸が遠心回転機の回転中心軸と直交するように配置
されている。The wafer container 12 is arranged so that the opening 4 faces upward, the cylindrical part 3 is arranged outward from the rotation center of the centrifugal rotating machine, and the central axis of the wafer container 12 is arranged so that the central axis of the wafer container 12 faces upward. It is arranged perpendicular to the rotation center axis of the rotating machine.
遠心回転機の中央部には、各ウェーハ容器12に放射状
に延びる加圧注入管14が設けられている。A pressurized injection tube 14 is provided in the center of the centrifugal rotary machine and extends radially into each wafer container 12 .
この加圧注入管14からは現像液あるいは洗浄液がウェ
ーハ容器内部に注入される。A developing solution or a cleaning solution is injected into the wafer container from this pressurized injection pipe 14.
次に、本実施例の動作について説明する。Next, the operation of this embodiment will be explained.
レジストが塗布され露光されたウェーハを、レジストの
塗布された面を凹部6の方に向けて、開口部4からウェ
ーハ容器12の内部に挿入し、ウェーハの半周縁部をウ
ェーハ保持部5の隙間に差し込みウェーハを保持させる
。その後、第2図に示すように環状体10を円柱状部3
の方へ摺動させ、Oリング9に押圧する。これにより開
口部4は環状体10によってふさがれる。また、このと
き環状体10の内壁に設けられている複数のプロ・ツク
11が、ウェーハ保持部5に保持されているウエーノ\
の半周縁部とは反対側の半周縁部に接するように滑り込
み、ウェーハ保持部5での保持と相まってウェーハを固
定する。前述したように環状体10はOリング9に押圧
させるが、これは液体に対する封止性を保たせ、液体が
ウェーハ容器外に漏れないようにするためである。The resist-coated and exposed wafer is inserted into the wafer container 12 through the opening 4 with the resist-coated side facing the recess 6, and the half-periphery of the wafer is inserted into the gap in the wafer holding part 5. to hold the wafer. Thereafter, as shown in FIG.
and press it against the O-ring 9. As a result, the opening 4 is closed by the annular body 10. Also, at this time, a plurality of processors 11 provided on the inner wall of the annular body 10 are attached to the wafer held by the wafer holding section 5.
The wafer slides into contact with the half-periphery on the opposite side to the half-periphery of the wafer, and together with the holding by the wafer holder 5, fixes the wafer. As described above, the annular body 10 is pressed against the O-ring 9 in order to maintain a seal against liquid and prevent the liquid from leaking out of the wafer container.
以上のようにしてウェーハ容器12内に取り付けられた
ウェーハの中心を通る法線は、遠心回転機の回転中心軸
と直交している。The normal line passing through the center of the wafer mounted in the wafer container 12 as described above is perpendicular to the rotation center axis of the centrifugal rotating machine.
さて、以上のようにウェーハ容器12内にウェーハを固
定した後に、電磁パルプ8を閉じて遠心回転機を回転さ
せる。遠心回転機が所定の速度に達すると、加圧注入管
14からウェー/S容器12の中に現像液が注入される
。現像液はウエーノ\の周縁部と円筒状部2の内壁との
間の隙間を通って、液体貯留器1の凹部6に入り、少な
くとも凹部6を現像液で完全に満たす。これにより、ウ
ェー/”は現像液に浸漬される。レジストが塗布された
ウェーハの表面は、外側に向いているので、遠心回転に
よる遠心力は、現像パターンの内部から、遊^せしたレ
ジスト分子を除去するように作用する。この場合、レジ
スト分子はウェーハの表面に対して垂直方向に除去され
るので、現像は完全なものとなる。所定の現像時間経過
後、電磁パルプ8を開き、液体貯留器1から液体排出管
7を経て現像液を排出する。このとき、遠心力は、現像
パターンの内部から、使用済み現像液を除去するように
作用する。Now, after fixing the wafer in the wafer container 12 as described above, the electromagnetic pulp 8 is closed and the centrifugal rotating machine is rotated. When the centrifugal rotating machine reaches a predetermined speed, developer is injected into the way/S container 12 from the pressurized injection pipe 14. The developer passes through the gap between the peripheral edge of Ueno\ and the inner wall of the cylindrical portion 2, enters the recess 6 of the liquid reservoir 1, and completely fills at least the recess 6 with the developer. As a result, the wafer /'' is immersed in the developing solution. Since the surface of the wafer coated with resist faces outward, the centrifugal force due to centrifugal rotation is applied to the loose resist molecules from inside the developed pattern. In this case, the resist molecules are removed in a direction perpendicular to the wafer surface, so the development is complete. After a predetermined development time, the electromagnetic pulp 8 is opened and the liquid is removed. The developer is discharged from the reservoir 1 through the liquid discharge pipe 7. At this time, centrifugal force acts to remove the used developer from inside the development pattern.
現像後、ウェーハの洗浄は、現像液の注入と同じように
加圧注入管14から洗浄液を注入することにより行われ
る。After development, cleaning of the wafer is performed by injecting a cleaning liquid from the pressurized injection tube 14 in the same way as injecting the developer.
本実施例のレジスト現像用ウェーハ遠心回転機によれば
、現像液と洗浄液の注入と排出を調整することによって
、時限リリース(timed−release)/定流
、現像/洗浄サイクルの組み合わせが可能となる。According to the wafer centrifugal rotation machine for resist development of this embodiment, by adjusting the injection and discharge of the developer and cleaning solution, it is possible to combine timed-release/constant flow and development/cleaning cycles. .
以上説明したように、本発明のレジスト現像用ウェーハ
遠心回転機によれば、レジストが塗布されたウェーハの
法線方向に遠心力が作用するので、レジストおよびレジ
スト成分などを完全に除去することが可能となる。した
がって、従来行われている遠紫外線によるレジスト残留
物などの除去工程が不必要となる。As explained above, according to the wafer centrifugal rotation machine for resist development of the present invention, since centrifugal force acts in the normal direction of the wafer coated with resist, it is not possible to completely remove the resist and resist components. It becomes possible. Therefore, the conventional process of removing resist residue using deep ultraviolet rays becomes unnecessary.
第1図は本発明の一実施例であるレジスト現像用ウェー
ハ遠心回転機の平面図、
第2図は第1図において環状体を0リングに押圧した状
態の平面図、
第3図はウェーハ容器を構成する液体貯留器を示す図、
第4図はウェーハ容器を構成する環状体を示す図である
。
1・・・・・液体貯留器
2・・・・・円筒状部
3・・・・・円柱状部
4・・・・・開口部
5・・・・・ウェーハ保持部
6・・・・・円錐状凹部
7・・・・・液体排出管
8・・・・・電磁パルプ
9・・・・・0リング
10・・・・・環状体
11・・・・・ブロック
12・・・・・ウェーハ容器
13・・・・・レジスト現像用ウェーハ遠心回転機
14・・・・・加圧注入管
代理人 弁理士 岩 佐 義 幸
13遠心回転機
第1図
第2図
(a)
(b) (C)(a)
第4図Fig. 1 is a plan view of a wafer centrifugal rotating machine for resist development which is an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a plan view of the annular body pressed against the O-ring in Fig. 1, and Fig. 3 is a wafer container. FIG. 4 is a diagram showing a liquid reservoir constituting a wafer container. FIG. 1...Liquid reservoir 2...Cylindrical part 3...Cylindrical part 4...Opening part 5...Wafer holding part 6... Conical recess 7...Liquid discharge pipe 8...Electromagnetic pulp 9...0 ring 10...Annular body 11...Block 12...Wafer Container 13... Wafer centrifugal rotating machine for resist development 14... Pressurized injection pipe Agent Patent attorney Yoshiyuki Iwasa 13 Centrifugal rotating machine Figure 1 Figure 2 (a) (b) (C )(a) Figure 4
Claims (2)
るレジスト現像用ウェーハ遠心回転機であって、 レジストが塗布されたウェーハを、ウェーハの中心にお
ける法線が遠心回転機の回転中心軸と直交するように内
部に固定できるウェーハ容器と、前記ウェーハ容器の内
部に少なくとも現像液を注入できる液体注入管とを備え
ることを特徴とするレジスト現像用ウェーハ遠心回転機
。(1) A wafer centrifugal rotating machine for resist development that develops exposed resist on a semiconductor wafer, in which the wafer coated with resist is processed so that the normal line at the center of the wafer is orthogonal to the central axis of rotation of the centrifugal rotating machine. 1. A wafer centrifugal rotating machine for resist development, comprising: a wafer container that can be fixed inside the wafer container; and a liquid injection tube that can inject at least a developer into the wafer container.
ェーハ遠心回転機において、 前記ウェーハ容器は、 前記液体注入管から注入された現像液を貯留し、かつウ
ェーハを出し入れできる開口と、挿入されたウェーハの
周縁部の一部を保持するウェーハ保持部とを有する液体
貯留器と、 この液体貯留器に摺動嵌合し、前記ウェーハ保持部によ
り保持された部分とは異なるウェーハの周縁部の一部を
固定するブロックを有し、摺動させることにより前記開
口を露出させまたは覆う機能を有する環状体と、 前記液体貯留器と前記環状体との接触部に設けられ、液
体の漏れを封止するための封止部材と、前記液体貯留器
の液体排出口に設けられたパルプとで構成されることを
特徴とするレジスト現像用ウェーハ遠心回転機。(2) In the wafer centrifugal rotation machine for resist development according to claim 1, the wafer container stores the developer injected from the liquid injection tube and has an opening through which the wafer can be taken in and taken out; a liquid reservoir having a wafer holder that holds a part of the periphery of the wafer; and a wafer holder that is slidably fitted into the liquid reservoir and that is different from the part held by the wafer holder. an annular body having a block for fixing a part of the aperture and having a function of exposing or covering the opening by sliding; and an annular body provided at a contact portion between the liquid reservoir and the annular body to prevent liquid leakage. A wafer centrifugal rotating machine for resist development, comprising a sealing member for sealing and a pulp provided at a liquid outlet of the liquid reservoir.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24972587A JPH0193122A (en) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | Centrifugal rotary machine for wafer for developing resist |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24972587A JPH0193122A (en) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | Centrifugal rotary machine for wafer for developing resist |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0193122A true JPH0193122A (en) | 1989-04-12 |
Family
ID=17197271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24972587A Pending JPH0193122A (en) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | Centrifugal rotary machine for wafer for developing resist |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0193122A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8424962B2 (en) | 2010-09-22 | 2013-04-23 | Yachiyo Industry Co., Ltd. | Sunroof device |
-
1987
- 1987-10-05 JP JP24972587A patent/JPH0193122A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8424962B2 (en) | 2010-09-22 | 2013-04-23 | Yachiyo Industry Co., Ltd. | Sunroof device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR960008999A (en) | Developing apparatus and developing method | |
US4518678A (en) | Selective removal of coating material on a coated substrate | |
KR0129660B1 (en) | Developer | |
KR19980070958A (en) | Reduction of Particles on Substrate Using Chuck Wash | |
US5159374A (en) | Water sealing develop ring | |
JPH0193122A (en) | Centrifugal rotary machine for wafer for developing resist | |
US5916631A (en) | Method and apparatus for spin-coating chemicals | |
JPH0945750A (en) | Holding member of plate object and rotary treatment device with it | |
EP1330834B1 (en) | Parallel plate development with the application of a differential voltage | |
US20020144707A1 (en) | Method and apparatus for improving resist pattern developing | |
JPH0298126A (en) | Photo resist coater | |
JPH07263324A (en) | Suction chuck type rotary substrate treating device | |
KR200177245Y1 (en) | Exhausting device for photosensitive material spread and developing apparatus | |
KR100269318B1 (en) | Method for developing photoresist formed on wafer | |
KR0130352Y1 (en) | Photoresist coating device | |
US6076569A (en) | Cup rinse with a valvular ring | |
JPH021298B2 (en) | ||
JPH04133415A (en) | Semiconductor substrate developing device | |
JPS6384027A (en) | Method and apparatus for developing resist | |
KR20030006302A (en) | Filltering apparatus of manufacturing semiconductor equipment | |
KR0135791Y1 (en) | Photoresist coater having guide ring | |
US20200176278A1 (en) | Wafer drying equipment and method thereof | |
KR100521322B1 (en) | Vacuum degree measuring device of vacuum chuck of semiconductor device manufacturing equipment | |
JPH10209026A (en) | Treatment device | |
JPH1022208A (en) | Rotary development device |