JPH0193099A - 荷電粒子加速用電源装置 - Google Patents
荷電粒子加速用電源装置Info
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- JPH0193099A JPH0193099A JP62248743A JP24874387A JPH0193099A JP H0193099 A JPH0193099 A JP H0193099A JP 62248743 A JP62248743 A JP 62248743A JP 24874387 A JP24874387 A JP 24874387A JP H0193099 A JPH0193099 A JP H0193099A
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- Electronic Switches (AREA)
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- Direct Current Feeding And Distribution (AREA)
- Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、荷電粒千金加速する為の電源装置、特に、負
荷側での短絡事故時に交流側に設けられた半導体スイッ
チにより高速遮断するようにした電源装置に関する。
荷側での短絡事故時に交流側に設けられた半導体スイッ
チにより高速遮断するようにした電源装置に関する。
（従来の技術）
現在使用されて℃・る核融合実験装置には中性粒子入射
装置（Ｎｅｕｔｒａｌ Ｂｅａｍ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ、
以下［ＮＢＩＪという）、即ち水素原子等？イオン
化し、直流高電圧（１００ＫＶ相当）の電圧にて加速し
てイオン原子を中性原子に変換した後、核融合実験装置
のプラズマに入射し加熱する装置が必要であるが、イオ
ン化された水素原子等の荷電粒子全加速するために加速
用′６源装置が用いられる。第１図は従来の加速用電源
装置の一例の構成を示している。同図において、端子Ｔ
がら供給される交流電圧は降圧変圧器１で降圧されてか
ら、サイリスタ素子全使用した他励式の半導体式交流電
力変換装置２に加えられる。この半導体式交流電力変換
装置２の出力は変圧器３を介して整流器４に印加され、
直流に変換される。整流器４から出力された高電圧の直
流電圧はゲート・ターンオフ・サイリスタ（ＧＴＯ素子
）全使用した直流スイッチ５を介して、負荷であり荷電
粒子源であるイオン源６に印加される。イオン源６では
この高電圧によって水素原子等の荷電粒子が加速される
。
装置（Ｎｅｕｔｒａｌ Ｂｅａｍ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ、
以下［ＮＢＩＪという）、即ち水素原子等？イオン
化し、直流高電圧（１００ＫＶ相当）の電圧にて加速し
てイオン原子を中性原子に変換した後、核融合実験装置
のプラズマに入射し加熱する装置が必要であるが、イオ
ン化された水素原子等の荷電粒子全加速するために加速
用′６源装置が用いられる。第１図は従来の加速用電源
装置の一例の構成を示している。同図において、端子Ｔ
がら供給される交流電圧は降圧変圧器１で降圧されてか
ら、サイリスタ素子全使用した他励式の半導体式交流電
力変換装置２に加えられる。この半導体式交流電力変換
装置２の出力は変圧器３を介して整流器４に印加され、
直流に変換される。整流器４から出力された高電圧の直
流電圧はゲート・ターンオフ・サイリスタ（ＧＴＯ素子
）全使用した直流スイッチ５を介して、負荷であり荷電
粒子源であるイオン源６に印加される。イオン源６では
この高電圧によって水素原子等の荷電粒子が加速される
。
しかし、イオン源６では、しばしばこの高電圧により短
絡現象が生じる為、瞬時にこの短絡を検知して負荷電流
を遮断する必要があった。従来は、第５図に示す様に、
強制消弧機能を有する直流スイッチ５を設け、負荷６で
の短絡時に数十マイクロ秒以内で負荷電流を遮断する方
式を採用していた。
絡現象が生じる為、瞬時にこの短絡を検知して負荷電流
を遮断する必要があった。従来は、第５図に示す様に、
強制消弧機能を有する直流スイッチ５を設け、負荷６で
の短絡時に数十マイクロ秒以内で負荷電流を遮断する方
式を採用していた。
一方、半導体式交流電力変換装置２は、整流器４の出力
電圧を可変にする為のもので、負荷６で短絡事故が生じ
ても、この他励式の半導体式交流電力変換装置はオフし
ない。これは、半導体式交流電力変換装置２が他励式で
ある為に強制消弧機能がないうえ、その使用素子である
サイリスタの通電電流値が零になるまでには、即ち負荷
電流遮断までには最悪の場合、電源周期（例えば５０Ｈ
ｚで２０ミリ秒）の１４の時間がかかるので、負荷６で
の短絡を検知して半導体式交流電力変換装置２をオフす
ることによって負荷６を保進することは不可能だからで
ある。
電圧を可変にする為のもので、負荷６で短絡事故が生じ
ても、この他励式の半導体式交流電力変換装置はオフし
ない。これは、半導体式交流電力変換装置２が他励式で
ある為に強制消弧機能がないうえ、その使用素子である
サイリスタの通電電流値が零になるまでには、即ち負荷
電流遮断までには最悪の場合、電源周期（例えば５０Ｈ
ｚで２０ミリ秒）の１４の時間がかかるので、負荷６で
の短絡を検知して半導体式交流電力変換装置２をオフす
ることによって負荷６を保進することは不可能だからで
ある。
さらに、ＮＢＩの加速用電源装置は将来の方向として「
高電圧化」を要求されており、その目標電圧値はＩＭＶ
にも達する。
高電圧化」を要求されており、その目標電圧値はＩＭＶ
にも達する。
この様な高電圧の加速用電源装置全従来の技術に従って
実現しようとした場合、直流スイッチ５の高耐圧化を実
現する上で、例えは次のような種々の間覇点が生じる。
実現しようとした場合、直流スイッチ５の高耐圧化を実
現する上で、例えは次のような種々の間覇点が生じる。
■ 直列接続するＧＴ○素子の素子数の増加に起因する
問題 現在使用されている１００ＫＶの加速用電源装置におい
ては、耐圧２，５ＫＶのＧ Ｔ Ｏ素子を約１２０側石
列にした直流スイッチ５勿採用しているが、電源電圧が
ＩＭＶもの高さに上昇すると、直列接続するＧ Ｔ Ｏ
素子の素子数は概算でも１２００個にも達することにな
る。直列にする素子数が増加すると、直流スイッチ５全
オン−オフする際には、個々のＧＴＯ素子のオン及びオ
フ時の微小なタイミングのずれが生じるのが避られない
。このため、一部のＧＴＯ素子に過大な電圧が片寄って
印加され、ＧＴＯ素子が破損するという事態が生じる。
問題 現在使用されている１００ＫＶの加速用電源装置におい
ては、耐圧２，５ＫＶのＧ Ｔ Ｏ素子を約１２０側石
列にした直流スイッチ５勿採用しているが、電源電圧が
ＩＭＶもの高さに上昇すると、直列接続するＧ Ｔ Ｏ
素子の素子数は概算でも１２００個にも達することにな
る。直列にする素子数が増加すると、直流スイッチ５全
オン−オフする際には、個々のＧＴＯ素子のオン及びオ
フ時の微小なタイミングのずれが生じるのが避られない
。このため、一部のＧＴＯ素子に過大な電圧が片寄って
印加され、ＧＴＯ素子が破損するという事態が生じる。
換言すれば、現状では、この様な１２００個にも及ぶ多
数の直列素子をオン−オンする技術は確立されておらず
、これが大きな技術的隘路となっているのである。
数の直列素子をオン−オンする技術は確立されておらず
、これが大きな技術的隘路となっているのである。
■ 半導体素子の開発傾向とのマツチングの問題現在の
半導体素子の開発傾向は、ＧＴＯ素子も含めて、高耐圧
化且つ大電流化（数ＫＡ）の方向である。一方、ＮＢＩ
の開発傾向は、高電圧化の方向では一致しているか、電
流に関しては小電流化の方向にあり、半導体素子の将来
方向とは喰い違ってきている。
半導体素子の開発傾向は、ＧＴＯ素子も含めて、高耐圧
化且つ大電流化（数ＫＡ）の方向である。一方、ＮＢＩ
の開発傾向は、高電圧化の方向では一致しているか、電
流に関しては小電流化の方向にあり、半導体素子の将来
方向とは喰い違ってきている。
したがって、こうした喰い違いを残したまま両者の開発
が進むなら、将来開発され５る高耐圧能力のＧＴＯ素子
を加速用電源装置の直流スイッチ５に使用し、ＧＴＯ素
子の素子数を低減させたとしても、大電流用の高価なＧ
ＴＯ素子を使用することになり、技術的にも経済的にも
不合理である。一方、ＮＢＩ用としての高耐圧−小電流
のＧＴＯ素子はその需要規模が小さいので、こうしたＧ
ＴＯ素子の開発が実現する見通しは低い。
が進むなら、将来開発され５る高耐圧能力のＧＴＯ素子
を加速用電源装置の直流スイッチ５に使用し、ＧＴＯ素
子の素子数を低減させたとしても、大電流用の高価なＧ
ＴＯ素子を使用することになり、技術的にも経済的にも
不合理である。一方、ＮＢＩ用としての高耐圧−小電流
のＧＴＯ素子はその需要規模が小さいので、こうしたＧ
ＴＯ素子の開発が実現する見通しは低い。
この様な状況により、半導体素子の開発傾向にマツチし
た合理的な新しい加速用電源装置システムの開発が強（
要望されてい１こ。
た合理的な新しい加速用電源装置システムの開発が強（
要望されてい１こ。
（発明が解決しようとする問題点〕
本発明は以上に述べた従来技術の問題点に鑑み、交流側
で負荷電流をオン−オフすることにより、直列接続され
る半導体素子の数が低減され、また半導体素子の開発傾
向ともマツチした合理的な加速用電源装置全提供するこ
とを目的とするものである。
で負荷電流をオン−オフすることにより、直列接続され
る半導体素子の数が低減され、また半導体素子の開発傾
向ともマツチした合理的な加速用電源装置全提供するこ
とを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
上記の目的を達成するために、本発明においては、強制
消弧機能を持つ半導体式交流電力調整装量な変圧器の一
次側に設け、直流側の異常時に該半導体交流電力調整装
置を強制消弧させて負荷電流全遮断する。
消弧機能を持つ半導体式交流電力調整装量な変圧器の一
次側に設け、直流側の異常時に該半導体交流電力調整装
置を強制消弧させて負荷電流全遮断する。
（作用）
直流側の異常時に半導体式交流電力調整装置が強制消弧
され、負荷電流が高速で遮断される。
され、負荷電流が高速で遮断される。
（実施例）
本発明による一実施例を、ＮＢＩに使用される加速用電
源装置を例にとって説明する。第１図はこうした加速用
電源装置の構成の概略図である。
源装置を例にとって説明する。第１図はこうした加速用
電源装置の構成の概略図である。
同図において、参照数字１，３，４，６．で示された構
成要素は第５図におけるものと同様であるので、説明を
省略する。７は、強制消弧機能を有する半導体式交流電
力調整装置であり、ＧＴＯ素子金構成要素としている。
成要素は第５図におけるものと同様であるので、説明を
省略する。７は、強制消弧機能を有する半導体式交流電
力調整装置であり、ＧＴＯ素子金構成要素としている。
第５図に示された従来の加速用電源装置と比較すると、
本発明においては直流スイッチ５が除去され、その代り
に、強制消弧機能を有する半導体式交流電力調整装置７
が設けられて、負荷６の短絡事故時における保護を、こ
の半導体式交流電力調整装置７の負荷電流の高速遮断に
より行うようにしている。
本発明においては直流スイッチ５が除去され、その代り
に、強制消弧機能を有する半導体式交流電力調整装置７
が設けられて、負荷６の短絡事故時における保護を、こ
の半導体式交流電力調整装置７の負荷電流の高速遮断に
より行うようにしている。
第５図における直流スイッチ５の負荷電流遮断速度は約
数十マイクロ秒であるが、直流スイッチ５と同様に、半
導体式交流電力調整装置７＝２０ＴＯ素子で構成するこ
とにより、ＧＴＯ素子の遮断速度と同程度の遮断速度を
有する半導体式交流電力調整装置７を実現することがで
きる。
数十マイクロ秒であるが、直流スイッチ５と同様に、半
導体式交流電力調整装置７＝２０ＴＯ素子で構成するこ
とにより、ＧＴＯ素子の遮断速度と同程度の遮断速度を
有する半導体式交流電力調整装置７を実現することがで
きる。
また、第５図における他励式の半導体式交流電力変換装
置２と同様に、半導体式交流電力調整装置７の半導体素
子の位相角制御により整流器４の出力電圧全調整するこ
とが可能であり、加速用電源装置全体としては、本発明
においても第５図の従来のものの機能と何ら変わりのな
い機能を奏することが可能である。
置２と同様に、半導体式交流電力調整装置７の半導体素
子の位相角制御により整流器４の出力電圧全調整するこ
とが可能であり、加速用電源装置全体としては、本発明
においても第５図の従来のものの機能と何ら変わりのな
い機能を奏することが可能である。
このように加速用電源装置を構成したので、ＧＴＯ素子
の個数が低減され且つ半導体素子の開発傾向にマツチし
た加速用電源装置を得ることができる。これを以下に述
べる。
の個数が低減され且つ半導体素子の開発傾向にマツチし
た加速用電源装置を得ることができる。これを以下に述
べる。
■ ＧＴＯ素子の素子数の低減
ＮＢＩの加速用電源装置は将来の方向としてＩＭＶとい
う高電圧化が要求されている。現状＋７）耐圧２．５
Ｋ Ｖ −６００Ａ（７）Ｇ Ｔ Ｏ素子＝ｉ使用して
半導体式交流電力調整装置７を実現する場合、直列接続
されるＧＴＯ素子の素子数Ｎは以下の式により概算され
る。
う高電圧化が要求されている。現状＋７）耐圧２．５
Ｋ Ｖ −６００Ａ（７）Ｇ Ｔ Ｏ素子＝ｉ使用して
半導体式交流電力調整装置７を実現する場合、直列接続
されるＧＴＯ素子の素子数Ｎは以下の式により概算され
る。
１．３５ｃｏｓα
”ＧＴＯ
ただし、
■。Ｔｏ： ＧＴＯの定格電流
■ＧＴｏ二 〇ＴＯ素子の定格電圧
■ ＝ 整流器用変圧器の一次巻線定格電流■ｐ１
： 整流器用変圧器の一次巻線定格電圧■ｐ２ ： 整
流器用変圧器の二次巻線定格電圧Ｅ ： 整流器の定
格直流電圧 工 ： 整流器の定格直流電流 Ｋ１ ： 過電流倍数、 Ｋ２ ：電電圧倍数α
： 位相制御角。
： 整流器用変圧器の一次巻線定格電圧■ｐ２ ： 整
流器用変圧器の二次巻線定格電圧Ｅ ： 整流器の定
格直流電圧 工 ： 整流器の定格直流電流 Ｋ１ ： 過電流倍数、 Ｋ２ ：電電圧倍数α
： 位相制御角。
ここで工 −６０ＯＡ、Ｖ、。−２，５ＫＶ。
ＴＯ
に１ ＝２．５．に２＝３．Ｏα＝１０’、Ｅｄ＝ＩＭ
Ｖ。
Ｖ。
工ｄ−５Ａとすると、
工ｐ１−２４ＯＡ、ｖｐ□−７５２に■、ｖｐ１−１２
．８ＫＶ。
．８ＫＶ。
、−、Ｎ −１５，４
以上の計算から、ＧＴＯ素子は１６個で足りることがわ
かる。一方、第５図における直流スイッチ５においてＩ
ＭＶの高耐圧全実現する為には、約１２００個とい５Ｇ
ＴＯ素子が必要である。即ち、本発明では約１００分の
１の素子数で実現が可能であり、大幅にＧＴＯ素子の素
子数の低減を実現することが可能である。
かる。一方、第５図における直流スイッチ５においてＩ
ＭＶの高耐圧全実現する為には、約１２００個とい５Ｇ
ＴＯ素子が必要である。即ち、本発明では約１００分の
１の素子数で実現が可能であり、大幅にＧＴＯ素子の素
子数の低減を実現することが可能である。
■ 半導体素子の開発傾向とのマツチングＮＢ工は「高
電圧−小電流化」を目指す傾向にあり、半導体素子の開
発傾向である「高耐圧−大電流化」とマツチしていない
のが現状であるが、本発明によれば、交流側に負荷電流
の遮断機能を持たせているので、整流器用変圧器３によ
り任童に電流変換を行うことができ、たとえ直流側電流
がどんなに小さくても、この電流変換により、ＧＴＯ素
子の許容値の限度まで通電電流値全土げることが可能に
なる。
電圧−小電流化」を目指す傾向にあり、半導体素子の開
発傾向である「高耐圧−大電流化」とマツチしていない
のが現状であるが、本発明によれば、交流側に負荷電流
の遮断機能を持たせているので、整流器用変圧器３によ
り任童に電流変換を行うことができ、たとえ直流側電流
がどんなに小さくても、この電流変換により、ＧＴＯ素
子の許容値の限度まで通電電流値全土げることが可能に
なる。
したがって、今後、「高耐圧−大電流」の半導体素子が
開発されれば、それは半導体式交流電力調整装置７の使
用素子数の低減に結びつ（ので、従来の加速用電源装置
で問題となっていた「大電流用の高価な素子を多数個直
列接続して小電流通電状態で使用する」という不合理が
解消される。
開発されれば、それは半導体式交流電力調整装置７の使
用素子数の低減に結びつ（ので、従来の加速用電源装置
で問題となっていた「大電流用の高価な素子を多数個直
列接続して小電流通電状態で使用する」という不合理が
解消される。
次に、本発明に係る加速用電源装置の若干の変形例を説
明する。
明する。
第２図は、コンデンサまたは非線型抵抗等を使用した過
電圧防止回路８，９．１０’（ｊ付加したもので、強制
消弧機能を有する半導体式交流電力調整装置７の負荷電
流遮断時に半導体素子に加わる過電圧を抑制する為のも
のである。
電圧防止回路８，９．１０’（ｊ付加したもので、強制
消弧機能を有する半導体式交流電力調整装置７の負荷電
流遮断時に半導体素子に加わる過電圧を抑制する為のも
のである。
この過電圧防止回路の付加により、半導体式交流電力調
整装置７の素子数全低減させ、遮断性能の信頼性を高め
ることが可能となる。
整装置７の素子数全低減させ、遮断性能の信頼性を高め
ることが可能となる。
このように過電圧防止回路８，９．ｉｏ’ｉ付加しても
、第１図の加速用電源装置の機能が損われることはない
。
、第１図の加速用電源装置の機能が損われることはない
。
第３図は、直流側に浮遊静電エネルギー吸収装置１１を
付加したものである。浮遊静電エネルギー吸収装置１１
はインダクタンスｌｌａと抵抗１１ｂの並列接続により
構成され、半導体式交流電力調整装置７の負荷電流遮断
後に整流器用変圧器３の２次巻線が有する浮遊静電容量
１２の静電エネルギーを吸収すると共にイオン源６に流
入する電流工ｓヲ一定値以下に限流する機能を奏する。
付加したものである。浮遊静電エネルギー吸収装置１１
はインダクタンスｌｌａと抵抗１１ｂの並列接続により
構成され、半導体式交流電力調整装置７の負荷電流遮断
後に整流器用変圧器３の２次巻線が有する浮遊静電容量
１２の静電エネルギーを吸収すると共にイオン源６に流
入する電流工ｓヲ一定値以下に限流する機能を奏する。
この場合も、浮遊静電エネルギー吸収装置９の付加によ
って第１図の加速用π、源装置の機能が損われることは
ない。
って第１図の加速用π、源装置の機能が損われることは
ない。
第４図は、直流側に能動型リップルフィルタ１３を付加
したものである。リップル仕様がきびしいイオン源６の
場合には、従来、直流スイッチ（第５図）の前段にコン
デンサ型の受動フィルタを挿入することが行われていた
。これに対し、本発明の場合には負荷電流遮断を交流側
で行う為、コンデンサ型の受動フィルタを挿入すること
ができない。これに代えて、インダクタンス型の受動フ
ィルタを挿入することも考えられたが、ＩＭＶという高
電圧ではそのリップル電圧も太き（、リンプルを数％以
内に抑える為には約数百Ｈものインダクタンスが必要と
なってしまうので、現実には、こうした大きなインダク
タンスの受動フィルタを挿入することは困難である。
したものである。リップル仕様がきびしいイオン源６の
場合には、従来、直流スイッチ（第５図）の前段にコン
デンサ型の受動フィルタを挿入することが行われていた
。これに対し、本発明の場合には負荷電流遮断を交流側
で行う為、コンデンサ型の受動フィルタを挿入すること
ができない。これに代えて、インダクタンス型の受動フ
ィルタを挿入することも考えられたが、ＩＭＶという高
電圧ではそのリップル電圧も太き（、リンプルを数％以
内に抑える為には約数百Ｈものインダクタンスが必要と
なってしまうので、現実には、こうした大きなインダク
タンスの受動フィルタを挿入することは困難である。
しかし、直流側では直流電流値が数Ａと小さく、そのリ
ップル分の容量は数百ＫＶＡと比較的小さいので、電流
交換（「高電圧−小電流」から「低電圧−大電流゛」へ
の変換）が行われた後に、リップル分容量を打ち消すた
めの能動型リップルフィルタ１３を使用することは、き
わめて有効であり、第１図の加速用電源装置の機能を更
らに高めることができる。
ップル分の容量は数百ＫＶＡと比較的小さいので、電流
交換（「高電圧−小電流」から「低電圧−大電流゛」へ
の変換）が行われた後に、リップル分容量を打ち消すた
めの能動型リップルフィルタ１３を使用することは、き
わめて有効であり、第１図の加速用電源装置の機能を更
らに高めることができる。
なお、以上の過電圧防止回路、浮遊静電エネルギー吸収
装置、能動型リップルフィルタをそれぞれ単独で付加す
るばかりでなく、それらを組合せて付加してもよいこと
は明らかである。
装置、能動型リップルフィルタをそれぞれ単独で付加す
るばかりでなく、それらを組合せて付加してもよいこと
は明らかである。
（発明の効果）
以上、一つの実施例及びその変形例に基づいて本発明の
詳細な説明したところから明らかなように、本発明に係
る加速用電源装置は、変圧器の一次側に、強制消弧機能
を有する半導体式交流電力調整装置を設け、直流側の負
荷短絡等の異常時にこの半導体式交流電力調整装［−強
制消弧させることとしたので、直流側の異常時に負荷電
流を遮断するだめの装置を構成する半導体素子の個数全
大巾に低減することができるうえ、高耐圧−大電力化と
いう半導体素子の開発傾向ともマツチした加速用電源装
置を提供することができるという顕著な効果を奏する。
詳細な説明したところから明らかなように、本発明に係
る加速用電源装置は、変圧器の一次側に、強制消弧機能
を有する半導体式交流電力調整装置を設け、直流側の負
荷短絡等の異常時にこの半導体式交流電力調整装［−強
制消弧させることとしたので、直流側の異常時に負荷電
流を遮断するだめの装置を構成する半導体素子の個数全
大巾に低減することができるうえ、高耐圧−大電力化と
いう半導体素子の開発傾向ともマツチした加速用電源装
置を提供することができるという顕著な効果を奏する。
第１図は、本発明に係る荷電粒子加速用電源装置の一実
施例を示す。第２図〜第４図は、本発明に係る荷電粒子
加速用電源装置の変形例を示すもので、第２図は過電圧
防止回路を、第３図は浮遊静電エネルギー吸収装置を、
第４図は能動型リップルフィルタを設けた例である。第
５図は、従来の荷電粒子加速用電源装置の概略図である
。 １・・・降圧変圧器 ３・・・整流器用変圧器４・
・・整流器 ６・・・イオン源７・・・強制消
弧機能を有する半導体式交流電力変換装置 ８．９．１０・・・過電圧防止回路 １１・・・浮遊静電エネルギー吸収装置１３・・・能動
型リップルフィルタ （外４名）
施例を示す。第２図〜第４図は、本発明に係る荷電粒子
加速用電源装置の変形例を示すもので、第２図は過電圧
防止回路を、第３図は浮遊静電エネルギー吸収装置を、
第４図は能動型リップルフィルタを設けた例である。第
５図は、従来の荷電粒子加速用電源装置の概略図である
。 １・・・降圧変圧器 ３・・・整流器用変圧器４・
・・整流器 ６・・・イオン源７・・・強制消
弧機能を有する半導体式交流電力変換装置 ８．９．１０・・・過電圧防止回路 １１・・・浮遊静電エネルギー吸収装置１３・・・能動
型リップルフィルタ （外４名）
Claims (5)
- （１）強制消弧機能を持つ半導体式交流電力調整装置と
、 該半導体式交流電力調整装置から出力される交流電圧が
印加される変圧器と、 該変圧器によって変圧された交流電圧を整流して直流電
圧を出力する整流器と、 を備え、該整流器から出力される直流電圧を荷電粒子源
に印加するようになされた荷電粒子加速用電源装置にお
いて、 直流側の異常時に前記半導体式交流電力調整装置を強制
消弧させて負荷電流を遮断することを特徴とする荷電粒
子加速用電源装置。 - （２）前記半導体式交流電力調整装置にゲート・ターン
オフ・サイリスタを使用したことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の荷電粒子加速用電源装置。 - （３）コンデンサまたは非線型抵抗等を有する過電圧防
止回路を設けて前記半導体式交流電力調整装置の半導体
素子に加わる過電圧を抑制することを特徴とする特許請
求の範囲第１項又は第２項記載の荷電粒子加速用電源装
置。 - （４）前記整流器の出力側に且つ前記荷電粒子源と直列
に、浮遊静電エネルギー吸収装置を接続したことを特徴
とする特許請求の範囲第１〜３項のいずれか一つに記載
の荷電粒子加速用電源装置。 - （５）前記整流器の出力側に且つ前記荷電粒子源と直列
に、能動型リップルフィルタを接続したことを特徴とす
る特許請求の範囲第１〜４項のいずれか一つに記載の荷
電粒子加速用電源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62248743A JPH0193099A (ja) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | 荷電粒子加速用電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62248743A JPH0193099A (ja) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | 荷電粒子加速用電源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0193099A true JPH0193099A (ja) | 1989-04-12 |
Family
ID=17182704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62248743A Pending JPH0193099A (ja) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | 荷電粒子加速用電源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0193099A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5478205A (en) * | 1994-03-07 | 1995-12-26 | Carrier Corporation | Impeller for transverse fan |
-
1987
- 1987-10-01 JP JP62248743A patent/JPH0193099A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5478205A (en) * | 1994-03-07 | 1995-12-26 | Carrier Corporation | Impeller for transverse fan |
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