JPH01928A - liquid crystal element - Google Patents
liquid crystal elementInfo
- Publication number
- JPH01928A JPH01928A JP62-156932A JP15693287A JPH01928A JP H01928 A JPH01928 A JP H01928A JP 15693287 A JP15693287 A JP 15693287A JP H01928 A JPH01928 A JP H01928A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- injection
- cell
- crystal element
- flow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 49
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 22
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 22
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ
を用いた液晶素子に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a liquid crystal device using a thin film transistor as a switching element.
従来、このような液晶素子として、液晶にカイラルスメ
クチックC相を呈する強誘電性液晶を用いたものなどが
提供されている。この種の液晶素子は、強誘電性液晶が
双安定状態を有し、表示のメモリ性を持ち、かつ高速応
答性を備えていることから、大容量デイスプレィ、メモ
リ形デイスプレィ、高速光シャッタなどに応用されつつ
ある。Conventionally, such liquid crystal elements have been provided that use ferroelectric liquid crystal exhibiting a chiral smectic C phase as the liquid crystal. This type of liquid crystal element is suitable for large-capacity displays, memory-type displays, high-speed optical shutters, etc. because the ferroelectric liquid crystal has a bistable state, has display memory properties, and has high-speed response. It is being applied.
ところで、一般に、強誘電性液晶は通常のネマチック液
晶に比べて高粘性を有し、また流動した際にその流動方
向に沿って配向する性質をも有している。したがって、
このような強誘電性液晶を用いた液晶素子では、その製
造にあたり、セル内に液晶を層流状態で注入して液晶分
子の配向をそろえる必要がある。By the way, ferroelectric liquid crystals generally have higher viscosity than normal nematic liquid crystals, and also have the property of being oriented along the flow direction when flowing. therefore,
In manufacturing a liquid crystal element using such a ferroelectric liquid crystal, it is necessary to inject the liquid crystal into the cell in a laminar flow state to align the liquid crystal molecules.
、〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、このような液晶素子では、そのセル内に
矩形の薄膜トランジスタ(以下、TPTと言う。)がそ
の長手方向と液晶と注入方向とを交差するように配設さ
れているため、これらのTPTにより液晶の流れが大き
く変化させられて乱流とされ、液晶のスムースな流れが
妨げられてしまう問題がある。このため、セル内への液
晶の注入に手間どったり、注入後の液晶に配向欠陥が発
生したりするなどの問題も生じ易かった。, [Problems to be Solved by the Invention] However, in such a liquid crystal element, a rectangular thin film transistor (hereinafter referred to as TPT) is placed in the cell so that its longitudinal direction intersects with the injection direction of the liquid crystal. Because of these TPTs, there is a problem in that the flow of the liquid crystal is greatly changed and becomes turbulent, which disturbs the smooth flow of the liquid crystal. For this reason, problems such as time-consuming injection of liquid crystal into the cell and alignment defects occurring in the liquid crystal after injection tend to occur.
そこで、この発明では、薄膜トランジスタをその長手方
向が強誘電性液晶の注入方向に平行となるように配設し
たことをその解決手段とした。Therefore, in the present invention, the solution is to arrange the thin film transistor so that its longitudinal direction is parallel to the injection direction of the ferroelectric liquid crystal.
′ このような液晶素子では、高粘性を存する強誘電性
液晶を注入する際に、液晶の流れが薄膜l・ランジスタ
に妨げられず層流となることから、注入速度を速めるこ
とができろとともに、注入後の液晶に配向欠陥が発生す
ることら少ない。' In such a liquid crystal element, when injecting a ferroelectric liquid crystal with high viscosity, the flow of the liquid crystal is not hindered by the thin film transistor and becomes a laminar flow, so the injection speed can be increased. , fewer alignment defects occur in the liquid crystal after injection.
以下、第1図を参照してこの発明の詳細な説明する。図
中符号1は液晶素子である。この液晶素子lは下基板2
と上基板3と液晶4から概略構成されている。The present invention will be described in detail below with reference to FIG. Reference numeral 1 in the figure is a liquid crystal element. This liquid crystal element l is the lower substrate 2
It is roughly composed of an upper substrate 3 and a liquid crystal 4.
下基板2はガラス板等からなるらので、この内表面には
例えばインジウム・スズ・オキサイド(以下、ITOと
略称する。)等からなる透明電極お 。Since the lower substrate 2 is made of a glass plate or the like, a transparent electrode made of, for example, indium tin oxide (hereinafter abbreviated as ITO) or the like is provided on its inner surface.
よびポリイミド樹脂等からなる配向膜が設けられている
が、いずれも図示しない。Alignment films made of polyimide resin and the like are provided, but neither is shown.
また、この下基板2の内表面には、多数のゲート・バス
−5・・・とソース・バス6・・・とが格子状に配設さ
れている。これらゲート・バス5とソース・バス6とで
構成される一区画内の下基板2には、両バス5.6にそ
れぞれ電気的に接続する一つのTFT7が設けられ、こ
のTPTに隣接して画素電極8が設けられている。そし
て、これらのTFT7・・・は、その平面形状が矩形と
なっており、それらのいずれもその長手方向が後述する
セルの液晶注入口の断面方向に直交するように配設され
ている。すなわち、上記TFT7は、その長手方向が液
晶注入方向に平行となっている。Further, on the inner surface of the lower substrate 2, a large number of gate buses 5 and source buses 6 are arranged in a grid pattern. On the lower substrate 2 in one section consisting of these gate buses 5 and source buses 6, there is provided one TFT 7 which is electrically connected to both buses 5 and 6, and adjacent to this TFT. A pixel electrode 8 is provided. These TFTs 7... have a rectangular planar shape, and are arranged so that their longitudinal directions are perpendicular to the cross-sectional direction of the liquid crystal injection port of the cell, which will be described later. That is, the longitudinal direction of the TFT 7 is parallel to the liquid crystal injection direction.
このような下基板2には、この下基板2と同様の材料か
らなる上基板3が重ね合わされている。An upper substrate 3 made of the same material as the lower substrate 2 is superimposed on the lower substrate 2.
この上基板3の内表面には、その全面にITO等からな
る透明電極が設けられている。A transparent electrode made of ITO or the like is provided on the entire inner surface of the upper substrate 3.
そして、」二下基[2,3は、第1図に示すように、互
いにその重ね合せ面の周辺部に帯状に設けられた光硬化
性アクリル系樹脂やエポキシ系樹脂などからなる封着材
9によりスペーサ(図示しない)を介して一体に貼り合
せられて、セルとされている。As shown in FIG. 9, they are bonded together via a spacer (not shown) to form a cell.
この例のセルは、上下基板2.3の方形の重ね合せ面の
三辺に封着材9が設けられ、残りの一辺には封着材9が
設けられず、この封着材9の存在しない空隙部分が液晶
注入口]0となっている。In the cell of this example, the sealing material 9 is provided on three sides of the rectangular overlapping surfaces of the upper and lower substrates 2.3, and the sealing material 9 is not provided on the remaining side. The gap where the liquid crystal injection port is not filled is the liquid crystal injection port]0.
そして、このセルの上下基板2.3と封着材9とから形
成された空隙内には、カイラルスメクチックC相を呈す
る強誘電性液晶等の液晶4が充填されている。この液晶
4のセル内への注入は、上記液晶注入口10からこの注
入口IOの断面方向に直交する方向、すなわち図面にお
いて矢印A方向に沿って行なわれる。そして、セル内の
多数のTFT7・・・は、その長手方向が矢印入方向に
平行となるように下基板2に設けられているので、液晶
4が高粘性を有する強誘電性液晶であっても、その流れ
を妨げることがない。このため、液晶4は、セル内にお
いて常に層流状態となって流れ、セル内全体にくまなく
流れてゆく。そして、注入後の液晶4はその配向がそろ
ったものとなり、配向欠陥の少ないものとなる。A gap formed by the upper and lower substrates 2.3 of this cell and the sealing material 9 is filled with a liquid crystal 4 such as a ferroelectric liquid crystal exhibiting a chiral smectic C phase. The liquid crystal 4 is injected into the cell from the liquid crystal injection port 10 in a direction perpendicular to the cross-sectional direction of the injection port IO, that is, along the direction of arrow A in the drawing. The large number of TFTs 7 in the cell are provided on the lower substrate 2 with their longitudinal directions parallel to the direction of arrow entry, so that the liquid crystal 4 is a ferroelectric liquid crystal with high viscosity. However, it does not impede the flow. Therefore, the liquid crystal 4 always flows in a laminar state within the cell, and flows throughout the entire cell. The liquid crystal 4 after injection has a uniform orientation and has fewer orientation defects.
そして、このような構成からなるセルは、通常の方法に
より偏光板等が取り付けられて液晶素子1とされた上で
、実用に供ゼ°られる。Then, the cell having such a configuration is used for practical use after a polarizing plate and the like are attached by a normal method to form a liquid crystal element 1.
この液晶素子1にあっては、セル内のTFT 7・・・
をその長手方向が液晶4の注入方向に平行となるように
配設したものであるので、セル内に液晶4を注入する際
に、液晶4の流れがTF’T7・・・により妨げられず
層流となることから、注入速度を速めることができ、注
入作業の短縮化を図れ、容易にかつ安価に製造できるも
のとなる。また、液晶4の流れが層流となることから、
注入後の液晶4に配向欠陥が発生することも少なく、安
定な特性を示すものとなる。In this liquid crystal element 1, the TFTs 7 in the cell...
is arranged so that its longitudinal direction is parallel to the injection direction of the liquid crystal 4, so when the liquid crystal 4 is injected into the cell, the flow of the liquid crystal 4 is not hindered by the TF'T7... Since the flow is laminar, the injection speed can be increased, the injection work can be shortened, and it can be easily and inexpensively manufactured. In addition, since the flow of the liquid crystal 4 is laminar,
The liquid crystal 4 after injection is less likely to have alignment defects and exhibits stable characteristics.
なお、この例では、一つの画S電極8に対して一つのT
FT7を設けた構成としたが、1画素2TFT構成、1
画素3TFT構成などの構成であってもよく、要は各画
素ごとに例えばTPT等のスイッチング素子を設けたア
クティブマトリックス駆動方式の液晶素子であればよい
。In addition, in this example, one T is applied to one image S electrode 8.
Although the configuration includes FT7, 1 pixel has 2 TFT configuration, 1
The structure may be a three-pixel TFT structure or the like, and in short, an active matrix driving type liquid crystal element in which a switching element such as a TPT is provided for each pixel may be used.
以上説明したように、この発明の液晶素子は、TI”T
をその長手方向が液晶注入方向に平行となるように配設
したものであるので、セル内に液晶を注入する際に、液
晶の流れかT F ’I’により妨げられずに層流とな
ることから、注入速度を速めることができ、注入作業の
短縮化を図れ、容易にかつ安価に製造できるらのとなる
。また、液晶の流れが層流となることから、注入後の液
晶に配向欠陥が発生することも少なく、安定な特性を示
すものとなる。As explained above, the liquid crystal element of the present invention has TI”T
is arranged so that its longitudinal direction is parallel to the liquid crystal injection direction, so when liquid crystal is injected into the cell, the flow of liquid crystal is not hindered by T F 'I' and becomes a laminar flow. Therefore, the injection speed can be increased, the injection work can be shortened, and manufacturing can be done easily and at low cost. Furthermore, since the flow of the liquid crystal is laminar, alignment defects are less likely to occur in the liquid crystal after injection, and the liquid crystal exhibits stable characteristics.
第1図は、この発明の液晶素子の一例を示す概略平面図
である。
1・・・液晶素子、4・・・液晶、7・・・TPT(薄
膜トランジスタ)。FIG. 1 is a schematic plan view showing an example of a liquid crystal element of the present invention. 1...Liquid crystal element, 4...Liquid crystal, 7...TPT (thin film transistor).
Claims (1)
素子であって、上記薄膜トランジスタをその長手方向が
強誘電性液晶の注入方向に平行となるように配設したこ
とを特徴とする液晶素子。1. A liquid crystal device using a thin film transistor as a switching element, characterized in that the thin film transistor is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the injection direction of ferroelectric liquid crystal.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62156932A JPS64928A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | Liquid crystal element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62156932A JPS64928A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | Liquid crystal element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01928A true JPH01928A (en) | 1989-01-05 |
JPS64928A JPS64928A (en) | 1989-01-05 |
Family
ID=15638504
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62156932A Pending JPS64928A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | Liquid crystal element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS64928A (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02235026A (en) * | 1989-03-09 | 1990-09-18 | Toshiba Corp | Production of liquid crystal display device |
JPH04161160A (en) * | 1990-10-26 | 1992-06-04 | Mercian Corp | Formalin fumigating/sterilizing device |
US6713783B1 (en) | 1991-03-15 | 2004-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Compensating electro-optical device including thin film transistors |
JP3663741B2 (en) * | 1996-05-22 | 2005-06-22 | セイコーエプソン株式会社 | Active matrix type liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
-
1987
- 1987-06-24 JP JP62156932A patent/JPS64928A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4523083B2 (en) | Liquid crystal display | |
US20030067579A1 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
GB2199417A (en) | Liquid crystal device | |
US20050270463A1 (en) | Bistable liquid crystal display device | |
JPS62209513A (en) | Display unit | |
JP2924757B2 (en) | Liquid crystal element | |
US20060290868A1 (en) | In-plane switching mode liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
CN100555052C (en) | A kind of LCD of passive driving | |
JP2010066645A (en) | Liquid crystal device and electronic device | |
JP4165172B2 (en) | Electro-optical device and electronic apparatus | |
JP2746486B2 (en) | Ferroelectric liquid crystal device | |
JPH0437406B2 (en) | ||
JPH01928A (en) | liquid crystal element | |
TWI313383B (en) | Liquid crystal display panel and method for driving the same | |
JPS6218522A (en) | Liquid crystal element | |
KR19990074855A (en) | Complex field type liquid crystal display device | |
JP2008089685A (en) | Liquid crystal display device and electronic apparatus | |
JP2002148624A (en) | Liquid crystal display element, color filter and method for manufacturing them | |
JP3989575B2 (en) | LCD panel | |
US20140078439A1 (en) | Dual-TFT-Substrate Blue-Phase Liquid Crystal Display Panel | |
CN201035271Y (en) | Passiveness driven LCD | |
KR20130066917A (en) | Fringe field switching liquid crystal display device having align key and method of fabricating fringe field switching liquid crystal display device using thereof | |
KR101212159B1 (en) | Liquid Crystal Display Device and Method of Manufacturing the same | |
KR100257027B1 (en) | Lcd device | |
JP3519614B2 (en) | Liquid crystal display element, manufacturing method thereof, and liquid crystal display device |