JPH01637A - 二次電子検出装置 - Google Patents
二次電子検出装置Info
- Publication number
- JPH01637A JPH01637A JP62-156131A JP15613187A JPH01637A JP H01637 A JPH01637 A JP H01637A JP 15613187 A JP15613187 A JP 15613187A JP H01637 A JPH01637 A JP H01637A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detection device
- scintillator
- secondary electron
- electron detection
- cylindrical mesh
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、試料から放出される二次電子をシンチレータ
で捕獲しその発光信号を光電子増倍管に導き電気信号に
変換して取り出す二次電子検出装置に関する。
で捕獲しその発光信号を光電子増倍管に導き電気信号に
変換して取り出す二次電子検出装置に関する。
第３図は二次電子検出装置の従来例を示す図である。
透過結像型電子顕微鏡では、その電子線照射系を利用し
て走査電子＋８微鏡像が観察できるようなｍｌを付加す
る場合が多い、二次電子検出装置は、このような電子顕
微鏡に配置されるが、そのｌ構成例を示したのが第３図
である。この二次電子検出装置は、光軸に設けられた！
ｉ！磁管１′に孔をあけ、この孔に対向して配置するこ
とによって、孔を通して試料から放出された二次電子を
シンチレータで捕獲するよう゛にしたものであり、その
シンチレータ６は、ライトパイプ７の先端に取り付けら
れる。そして、ライトパイプ７の後端に図示しないが光
電子増倍管を接続し、シンチレータ６の発光信号を光電
子増倍管に轟いて電気信号に変換している、また、シン
チレータ６の周囲には、コロナリング電極５、さらにコ
レクターカバー４″を配設している。
て走査電子＋８微鏡像が観察できるようなｍｌを付加す
る場合が多い、二次電子検出装置は、このような電子顕
微鏡に配置されるが、そのｌ構成例を示したのが第３図
である。この二次電子検出装置は、光軸に設けられた！
ｉ！磁管１′に孔をあけ、この孔に対向して配置するこ
とによって、孔を通して試料から放出された二次電子を
シンチレータで捕獲するよう゛にしたものであり、その
シンチレータ６は、ライトパイプ７の先端に取り付けら
れる。そして、ライトパイプ７の後端に図示しないが光
電子増倍管を接続し、シンチレータ６の発光信号を光電
子増倍管に轟いて電気信号に変換している、また、シン
チレータ６の周囲には、コロナリング電極５、さらにコ
レクターカバー４″を配設している。
試料３は、走査像の観察の際にも透過像観察のときと同
様に対物レンズ２の磁掻間隙中に挿入されたままである
のが普通である。そして、図示しないが電子銃から電子
線が取り出されると、その電子線は、試料３の前方磁界
により集束され、整磁管ｌ′を通して光軸に沿って試料
３を照射する。
様に対物レンズ２の磁掻間隙中に挿入されたままである
のが普通である。そして、図示しないが電子銃から電子
線が取り出されると、その電子線は、試料３の前方磁界
により集束され、整磁管ｌ′を通して光軸に沿って試料
３を照射する。
試料３から放出された二次電子は、整磁管ｌ′の孔を通
してシンチレータ６で捕獲される。
してシンチレータ６で捕獲される。
しかしながら、この方式では、整磁管ｌ′の孔及びコレ
クターカバー４′の孔の形状配置、コレクター前面にメ
ツシュをはった場合にはメツシュにかける電圧によって
種々の問題が生じる。その１つは、ＳＥＭ像の明るさむ
らであり、さらには低加速時の像の歪み、加速電圧変化
時の像の移動・ である、これらは、すべて二次電子
検出！ＩａＴＬの電界の影響によるものである。
クターカバー４′の孔の形状配置、コレクター前面にメ
ツシュをはった場合にはメツシュにかける電圧によって
種々の問題が生じる。その１つは、ＳＥＭ像の明るさむ
らであり、さらには低加速時の像の歪み、加速電圧変化
時の像の移動・ である、これらは、すべて二次電子
検出！ＩａＴＬの電界の影響によるものである。
例えば明るさむらを消す構造にすると、歪みが大きくな
るなど、これら全ての間届を同時に解決する形・状配置
を採ることは困難であった。
るなど、これら全ての間届を同時に解決する形・状配置
を採ることは困難であった。
本発明は、上記の問題点を解決するものであって、対称
な電界を形成せしめ明るさむらをなくすことができる二
次電子検出装置を提供することを目的とするものである
。
な電界を形成せしめ明るさむらをなくすことができる二
次電子検出装置を提供することを目的とするものである
。
そのために本発明の二次電子検出装置は、試料から放出
される二次電子をシンチレータで捕獲し、シンチレータ
の発光信号を光電子増倍管に尋き電気イ：号に変換して
取り出す二次電子検出装置において、＝ｍ管のシンチレ
ータ前方に対向する部分に光軸を囲むように円筒メツシ
ュを配置すると共に、シンチレータの周囲に配置された
コレクターカバーの端部をコロナリングＭｈの径よりも
大きくし且つコロナリング電極より前方に出ないように
配置したことを特徴とするものである。
される二次電子をシンチレータで捕獲し、シンチレータ
の発光信号を光電子増倍管に尋き電気イ：号に変換して
取り出す二次電子検出装置において、＝ｍ管のシンチレ
ータ前方に対向する部分に光軸を囲むように円筒メツシ
ュを配置すると共に、シンチレータの周囲に配置された
コレクターカバーの端部をコロナリングＭｈの径よりも
大きくし且つコロナリング電極より前方に出ないように
配置したことを特徴とするものである。
本発明の二次電子検出装置では、前方に光軸を囲むよう
に円筒メツシュを配置するので、孔がな（なり、均一の
電界を形成せしめることができ、また、コレクターカバ
ーの端部をコロナリング電極の径よりも大きくし且つコ
ロナリング電極より前面に出ないように配置するので、
コロナリング電極による電界が外に張り出して円筒メツ
シュにそって張り付くようになる。
に円筒メツシュを配置するので、孔がな（なり、均一の
電界を形成せしめることができ、また、コレクターカバ
ーの端部をコロナリング電極の径よりも大きくし且つコ
ロナリング電極より前面に出ないように配置するので、
コロナリング電極による電界が外に張り出して円筒メツ
シュにそって張り付くようになる。
以下、図面を参照しつつ実施例を説明する。
第１図は本発明の二次電子検出装置の１実施例構成を示
す図、第２図は円筒メツシュ部の断面及び電界を示す図
である。
す図、第２図は円筒メツシュ部の断面及び電界を示す図
である。
第１図において、ｌは′！：ｉ磁管、２は対物レンズ、
３は試料、４はコレクターカバー、５はコロナリングｉ
ｌ、６はシンチレータ、７はライトパイプ、８は円筒メ
ツシュを示す０円筒メツシュ８は、軸対称型にしたもの
であり、従来、整磁管１の孔を設けていたシンチレータ
６の前方に配置される。
３は試料、４はコレクターカバー、５はコロナリングｉ
ｌ、６はシンチレータ、７はライトパイプ、８は円筒メ
ツシュを示す０円筒メツシュ８は、軸対称型にしたもの
であり、従来、整磁管１の孔を設けていたシンチレータ
６の前方に配置される。
コレクターカバー４は、、その端部をコロナリング電極
５の径よりも大きく且つ前方に出ないようにしたもので
ある。
５の径よりも大きく且つ前方に出ないようにしたもので
ある。
従来の装置では、シンチレータ６の前方光軸に配置され
た！整磁管１に孔をあけていたが、本発明の二次電子検
出装置は、この部分に孔の代わりに円筒メツシュ−８を
配置することによって完全な軸対称とし、また、コレク
ターカバー４をコロナリング電極５が見える程度に大き
くし且つ前に出ないようにしたので、電界分布は、第２
図に示す断面のようにコロナリング電極５による＋１０
ｋＶの電界が外に張り出して円筒メツシュ８に沿っては
りつくようになる。しかも、光軸を含む円筒メツシュ８
内は静電遮蔽される。
た！整磁管１に孔をあけていたが、本発明の二次電子検
出装置は、この部分に孔の代わりに円筒メツシュ−８を
配置することによって完全な軸対称とし、また、コレク
ターカバー４をコロナリング電極５が見える程度に大き
くし且つ前に出ないようにしたので、電界分布は、第２
図に示す断面のようにコロナリング電極５による＋１０
ｋＶの電界が外に張り出して円筒メツシュ８に沿っては
りつくようになる。しかも、光軸を含む円筒メツシュ８
内は静電遮蔽される。
従って、検出効率がどの方向からも一様になるので、明
るさむらの問題を解消できる。また、光軸近傍の電界が
対称になるので、歪みも少なくなり、加速電圧を変化さ
せた時の像の移動も少なくなる。
るさむらの問題を解消できる。また、光軸近傍の電界が
対称になるので、歪みも少なくなり、加速電圧を変化さ
せた時の像の移動も少なくなる。
メツシュの粗さは、例えばメツシュ間隔を２ｍｍ、メン
シュ線径を０．４ｍｍ以下のように８０％以上の透過率
をもたせるのが望ましい。
シュ線径を０．４ｍｍ以下のように８０％以上の透過率
をもたせるのが望ましい。
なお、本発明は、上記の実施例に限定されるものではな
く、種々の変形が可能である０例えば円筒メンシュ８を
整磁管ｌと電気絶縁し、＋２０ｖ以下の電圧を加えても
よい、このようにすると、検出効率も全体的に向上する
。
く、種々の変形が可能である０例えば円筒メンシュ８を
整磁管ｌと電気絶縁し、＋２０ｖ以下の電圧を加えても
よい、このようにすると、検出効率も全体的に向上する
。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、従来
の方向性をもった？ｌ磁管に孔をあけて二次電子を取り
出す方式に代えて、全周から二次電子を取り出す円筒メ
ソシュとし、さらにそのメッシュ近傍の外側磁界を強（
したので、全方向から一様に二次電子を検出でき、明る
さむらをなくすことができる。また、メフシェ内の電界
が対称になるので、歪みや加速電圧変化時の像移動も小
さくすることができる。さらに、メツシュに＋２０Ｖ以
下の電圧を加えることにより検出効率を向上させること
ができる。
の方向性をもった？ｌ磁管に孔をあけて二次電子を取り
出す方式に代えて、全周から二次電子を取り出す円筒メ
ソシュとし、さらにそのメッシュ近傍の外側磁界を強（
したので、全方向から一様に二次電子を検出でき、明る
さむらをなくすことができる。また、メフシェ内の電界
が対称になるので、歪みや加速電圧変化時の像移動も小
さくすることができる。さらに、メツシュに＋２０Ｖ以
下の電圧を加えることにより検出効率を向上させること
ができる。
第１図は本発明の二次電子検出装置の１実施例構成を示
す図、第２図は円筒メツシュ部の断面及び電界を示す図
、第３図は二次電子検出装置の従来例を示す図である。 １・・・整磁管、２・・・対物レンズ、３・・・試料、
４・・・コレクターカバー、５・・・コロナリング電極
、６・・・シンチレータ、７・・・ライトパイプ。 出 願 人 日本電子株式会社
す図、第２図は円筒メツシュ部の断面及び電界を示す図
、第３図は二次電子検出装置の従来例を示す図である。 １・・・整磁管、２・・・対物レンズ、３・・・試料、
４・・・コレクターカバー、５・・・コロナリング電極
、６・・・シンチレータ、７・・・ライトパイプ。 出 願 人 日本電子株式会社
Claims (2)
- （１）試料から放出される二次電子をシンチレータで捕
獲し、シンチレータの発光信号を光電子増倍管に導き電
気信号に変換して取り出す二次電子検出装置において、
整磁管のシンチレータ前方に対向する部分に光軸を囲む
ように円筒メッシュを配置すると共に、シンチレータの
周囲に配置されたコレクターカバーの端部をコロナリン
グ電極の径よりも大きくし且つコロナリング電極より前
方に出ないように配置したことを特徴とする二次電子検
出装置。 - （２）円筒メッシュ部分を整磁管と電気的に絶縁し、円
筒メッシュ部分に正電位を印加することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の二次電子検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62156131A JPS64637A (en) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | Secondary electron detection device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62156131A JPS64637A (en) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | Secondary electron detection device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01637A true JPH01637A (ja) | 1989-01-05 |
| JPS64637A JPS64637A (en) | 1989-01-05 |
Family
ID=15621000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62156131A Pending JPS64637A (en) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | Secondary electron detection device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS64637A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2919170B2 (ja) * | 1992-03-19 | 1999-07-12 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
-
1987
- 1987-06-23 JP JP62156131A patent/JPS64637A/ja active Pending
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