JPH0150452B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、加圧下で不均一合成特にアンモニア
（窒素及び水素から）及びメタノール（一酸化炭
素及び水素から）の接触合成を行うための反応器
であつて、１以上の層に積み重ねられた粒状触媒
（種々の形状及び異なる特性をもつ）が使用され、
上記各層の第１ゾーンではガスが主として軸方向
流で通過し且つ第２ゾーンではガスが主として径
方向流で通過する（ガスが下方に流れる下行流軸
方向―径方向反応器）か、あるいはその逆である
（ガスが上方に流れる上行流径方向―軸方向反応
器；第１ゾーンでは主として径方向流であり且つ
第２ゾーンでは主として軸方向流である）如き反
応器に関する。

特に大量の触媒を使用する必要のある場合（低
圧及び高容量のアンモニア及びメタノールのプラ
ント）の合成反応器の問題についてはよく知られ
ている。触媒ベツドでの圧力低下及びエネルギー
消費を避けるために、軸方向流反応器は極めて幅
広いものとなり、このためその容量が制限されコ
ストが上昇する（たとえば、ICIのアンモニア及
びメタノール用反応器）。この不都合を解消する
ため、径方向流反応器（たとえば、米国特許
4181701，Topsoe）は環状王冠状のいくつかの触
媒層をもち、各層は両端がシールされている（シ
ールバツフル）。これは反応器の種々の内部部品
として使用されている材料の膨張によりひきおこ
される問題を避けるためやつかいな構造を有する
ものであり、更に触媒の装入及び抜出しが複雑で
ある。この公知技術によれば、触媒層は反応器の
殻内に位置する極めて複雑な一体的金属構造体
（触媒バスケツト）中に配置され；保守及び触媒
取替えのためこの構造体を持ちあげるには通常や
つかいな装置を必要とする。

一方、アンモニア製造において一般に使用され
ている種々の合成ループは全く同一の工程にもと
づいており、従つてそれらの技術的差異は基本的
に反応器の設計及び合成中に発生する熱の回収方
法により特徴付けられる。反応器の内部部品（カ
ートリツジ）はガス圧低下を最小限にする様に設
計され、そして触媒ベツドを通過するガスのより
よい分布を確保し且つ反応済ガスと新規ガスとの
間で熱を交換するための交換器の導入に便利なも
のとされる。反応器の設計はまた保守ならびに触
媒の装入及び抜出しが容易に行われる様にしなけ
ればならない。大反応器中で低圧ループを用いて
行われる最近の低エネルギー法ではより多くの循
環ガスが含まれるので上記の要求は更に臨界的と
なる。

最も広く用いられている反応器は垂直に配置さ
れておりガス流は軸方向（Uhde―ICI―
Kellogg）又は径方向（Topsoe）であり、例外
的に単一水平反応器（Kellogg）が大規模プラン
トにおいて用いられている（日本）。

外部殻と同様にカートリツジ即ち反応器内部部
品は通常一体物で作られており、従つて特に大規
模プラントにおいては製造時及び運搬、組立て及
び保守にかなりの労力を必要とする。一体物の殻
及びカートリツジをもつ従来の反応器において
は、ガス流は径方向か軸方向かのいずれかであつ
た；径方向ガス流（Lummus，Topsoe，
Kellogg：米国特許3918918及び4181701、ヨーロ
ツパ特許出願0007743―１）が低圧プラントにお
ける大反応器には最も適すると思われる。軸方向
流反応器においては圧力低下を抑制するため大径
触媒を用いることが必要であり、従つて反応器の
比体積が増加する。

本発明の目的は、上記の欠点をもたず、保守な
らびに触媒の装入及び取替えが容易な簡単な内部
構造をもち、同時に圧力低下を制限する反応器で
ある。他の目的は、内部カートリツジが有利には
多くの積重ね可能なモジユラーカートリツジから
なる反応器である。

上記及びその他の目的は本発明によれば、加圧
下での不均一触媒によるガス相の化学反応（たと
えば、アンモニア、メタノール等）のための軸方
向―径方向（又は径方向―軸方向）流反応器であ
つて、内部に１以上の積み重ねられた粒状触媒層
が配置されている垂直円筒形状殻からなり、上記
各層のあるゾーンではガスが主として軸方向流で
通過し他のゾーンではガスが主として径方向流で
通過し、上記軸方向流触媒ゾーンが触媒層間のガ
スシールパツドとしても作用する（公知のシール
バツフルに代つて）ことを特徴とする反応器によ
り達成される。好ましくは各触媒層は環状王冠状
断面（中空内部円筒形状部分にガス分布が可能で
ある）の円筒形状である。本発明の利点によれ
ば、反応器の内部カートリツジは積重ね可能なモ
ジユラーカートリツジからなり、各カートリツジ
モジユールは１つの触媒層を含み、そのあるゾー
ンでは主として軸方向ガス流となり他のゾーンで
は主として径方向ガス流となり、上記軸方向流ゾ
ーンがある触媒層と他の触媒層との間のシールパ
ツドとしても作用する。

本発明の種々の特徴及び利点は添付図面におい
て説明のために（非制限的に）示されている好ま
しい具体例に関する詳細な記載からより明瞭とな
る。

第１図はアンモニア合成反応器の断面図であ
り、この反応器は２つの触媒層と反応器を出る熱
い反応ガスを用いて新規ガスを予熱するための内
部交換器とを有している。プラントの種々の装置
構成によつては、第１図で示された反応器は２層
より多くの層を有し内部交換器を含まない。なぜ
ならば、熱交換は反応器外で行われるからであ
る。第２図は本発明によるメタノール低圧合成用
多層反応器の部分断面図である。第３図は第２図
の反応器の全体断面図である。第１，２及び３図
は下行流軸方向―径方向反応器を示す。第４及び
５図はそれぞれ第２及び３図の反応器の断面図で
あり、但しここではガス流の方向が逆転してお
り、即ち第２及び３図の反応器は下行流反応器で
あるが第４及び５図の反応器は上行流反応器であ
る。第６，７及び８図は上記反応器の内部カート
リツジを形成するいくつかの異なるモジユールを
示すための部分断面図である。第６Ａ及び７Ａ図
はそれぞれ内部カートリツジが数個のモジユール
で形成されている第１及び２図の反応器の全体断
面図である（一方、第１及び２図においてはカー
トリツジは一体物からなる）。

第１図によれば、反応器は蓋Ｈをもつ殻Ｍから
なり、内部に２つの触媒バスケツトC₁及びC₂が
存在する。各バスケツトはサポートS₁，S₂及びガ
スを触媒層中で均等に分布させるため適宜穴をあ
けられた円筒形状の壁T₁及びT₂，T₃及びT₄から
なる。内部ダクトT₅はガスを反応器の底部から
頂部へと導くものであるが、一方これは各触媒層
の上部ゾーンの横方向サポートを形成するもので
ある。このゾーンは各層を通るガスの均等な分布
を可能にするシールパツドを形成する。

第１図に示された具体例においては、熱交換器
Ｅは反応ガスGOの熱を用いて反応器Ｒに入る新
規合成ガスMSIを予熱することを可能にする。反
応器Ｒはまた殻Ｍの内面とで空間部分“ｉ”を形
成する内部カートリツジＩを有し、１を通つて反
応器内に供給される冷たいガスMSIが上記空間部
分を通過する。かくして反応済の熱いガスとの接
触が避けられるので、殻Ｍは低温に保たれる。各
触媒バスケツトC₁及びC₂の頂部の２つの自由ゾ
ーンZ₁及びZ₂はハツチH₁及びH₂を通して保守な
らびに触媒CGの装入及び抜出しを行うための触
媒ベツドへの接近を容易にする。反応器は次の様
に作用する：反応器Ｒに供給された新規ガスMSI
は入口１を通つて入り、空間部分“ｉ”に沿つて
頂部から底部へと到達し反応器の下部の交換器Ｅ
に至り、交換器Ｅに沿つて交換器チユーブET外
側のゾーン中を底部から頂部へと通過し、中央チ
ユーブT₅内に集まり、ガスPG（Ｅで予熱された）
はここを通つて触媒CG（好ましくは粒状形）を含
む第１バスケツトC₁の頭部に搬送される。ガス
のうち一部PGは主として軸方向流AFで第１触媒
層のゾーンZ_1aを通過し、残りのガスRGは主とし
て径方向流RFで同じ層のゾーンZ_1bを通過する。
第１触媒バスケツトC₁中に到達した熱いガスPG
は空間部分i₁に集まり、トロイダルデイストリビ
ユーター２を通して導入した新規低温冷却ガス
QGと混合した後に第２触媒バスケツトC₂の頭部
に集められる。第１バスケツトC₁の場合と同様
にして、ガスPG＋QGは触媒ベツドの２つのゾー
ンZ_2a及びZ_2bを通過し、ここで第１ゾーンZ_2aで
は主として軸方向流であり第２ゾーンZ_2bでは主
として径方向流である。

２つの触媒バスケツトC₁及びC₂中の２つの層
Z_1a及びZ_1b，Z_2a及びZ_2bの体積即ちそれらの層を
通過するガスの量は使用される触媒の特性（寸法
及び形状）に依存する。一般に、第１ゾーンの体
積は触媒バスケツトの全体積の５〜30％に等し
い。

第２触媒バスケツトC₂中で反応した熱いガス
PG₂は空間部分i₂中に集められ、導入ガスに熱を
与えながら交換器チユーブET内を頂部から底部
へと交換器Ｅを通過する。ガスは最終的には出口
３を通つて反応器を出る。

第２図は低圧メタノール反応器の部分断面図を
表わすものであり、ここでＭは内部にいくつかの
触媒バスケツトC_oが配置されている（第２図の
部分図にはバスケツトC₂のみが全体的に表わさ
れている）反応器殻を表わす。これはサポートS₂
と触媒層中での均等なガス分布を可能とするため
適宜穴をあけられた２つの円筒形状壁T_2a及び
T_2bとからなる。

本発明の主たる特徴によれば、内部円筒形状壁
T_2bの上部t_2bは主として軸方向ガス流でシールパ
ツドとしても作用する触媒層上部Z_2aに相当する
高さ部分が堅固である（穴あきでない）。バスケ
ツトC₂上の自由ゾーンZ₂（各バスケツトC_oにおけ
るZ_o）はハツチH₂（各バスケツトC_oにおけるH_o）
を通して保守ならびに触媒の装入及び抜出しをす
るための触媒ベツドへの接近を容易にする。各触
媒バスケツトC_o（及び特にバスケツトC₂）は次の
様に作用する：前段階のバスケツトC₁（第２図で
は一部のみが示されている）中で反応し穴あき円
筒形状壁T_1b内の空の中央空間部分S_p1に集められ
たガスは、ガス混合が促進される狭い通過ゾーン
P₁中にデイストリビユーターD₁を通して導入さ
れた新規冷却ガスと混合された後に、下層のバス
ケツトC₂に供給される。ガスの一部は主として
軸方向流で触媒層上部ゾーンZ_2aを通過し、残り
のガスは主として径方向流で同一層の下部ゾーン
Z_2bを通過する。反応したガスは穴あき円筒形状
壁T_2b内の空の中央空間部分S_p2に集められ、下層
のバスケツトC₃（第２図においては一部のみが示
されている）に供給され、ここで再び上記のサイ
クルが繰り返される。

第３図は第２図において１つの触媒バスケツト
C₂のみが示されているメタノール反応器の全体
断面図である。第３図で示される様に、本発明に
よる反応器は低い（直径／高さ）比をもち（カラ
ム充填タイプのうちでは極めて細い装置）且つ著
しい構造上及び操作上の利点をもつ（製造、容
易、低コスト、保守及び触媒取替え容易）円筒形
状体に構成されている。第３図の反応器は３つの
中間部冷却手段をもつ４つの触媒バスケツトを含
んでいる。

第４及び５図は第２及び３図と同様であるがガ
ス流の逆向きの反応器を示す（第２及び３図の下
行流反応器に代わつて上行流反応器）。

実施例 １ 250バールで操作される1000mt／日のアンモニ
ア製造のための本発明による反応器はガスが軸方
向―径方向で通過し（下行流反応器）小径粒子
（1.2〜２mm）で形成された全体積30m³の高収率触
媒をもつ２つの触媒ベツドC₁及びC₂を有し、各
ベツドにおいて触媒（主として軸方向流で通過す
る）の体積はベツドの体積の20％に等しく、また
２つのベツドと内部ガス―ガス交換器との間には
中間冷却手段を有する（第１図）。この反応器は
0.08より小さい（内径／高さ）比をもち2.5バー
ルよりも小さい全圧力損失の円筒形状体で構成さ
れている。更に、触媒は反応器の内部部品を除去
することなく２日より少ない期間で取り替えられ
る。

実施例 ２ 軸方向―径方向ガス流の４つの触媒ベツドをも
ち（下行流反応器）低圧でのメタノール合成用触
媒の全体積が170m³に等しく、各ベツド中におい
て主として軸方向流で通過される触媒体積がベツ
ドの体積の15％に等しく、３つの中間冷却手段を
もつ。150バールで操作される1500mt／日のメタ
ノール製造のための反応器（第２及び３図）が、
0.06未満の（内径／高さ）比をもち且つ反応器内
での全圧力低下が５バール未満となる様な一体的
円筒形状体に構成される。更に、触媒は反応器の
内部部品を除去することなく３日より少ない期間
で取り替えられる。

更に、本発明による軸方向―径方向混合流反応
器においては、反応器の外部殻Ｍ及び蓋Ｈは一体
物であるが内部カートリツジは有利にはモジユー
ルで構成することができるということが見出され
た。即ち、上記反応器中において一体物Ｉである
モジユーラーカートリツジは個々のカートリツジ
モジユールO₁，O₂，……，O_n，……，O_o-1，O_o
及びO_o+1から形成され、第６，７及び８図には
そのうちのO_oが記載されている。第６図で示さ
れる様に、モジユールO_oは円筒形状体であり、
（外部から内部へと順に）：(1)殻Ｍの内面との間に
空間部分（ｉ）を形成する第１の堅固な即ち穴あ
きでない壁I_o；(2)穴あきの第２の壁T_1o；(3)一部
穴あきの第３の壁T_2o；及び(4)底部F_o、よりな
る。外部壁I_oは他の２つの壁T_1o及びT_2oよりも縦
方向に長く、その頂部には環状スロツトQ_oを底
部には突出テーパー端部P_oをもつ。環状スロツ
トQ_oは上方モジユールO_o-1のテーパー突出端部
P_o-1用のサポート及びハウジングとなり、一方突
出部P_oは下方モジユールO_o+1のスロツトQ_o+1に
適合する。２つの穴あき壁T_1o及びT_2oはバスケ
ツトC_oを形づくり、その中に粒状触媒層が位置
する。T_1o及びT_2oは実質的に第１及び２図の壁
T₁及びT₂に相当するが、但し、第１及び２図に
おいてはチユーブT₅（内部にてガスを底部から頂
部へと搬送する）は各触媒層（ゾーンZ_1a＝シー
ルパツド）の上部ゾーンの内部横方向サポートを
表わしたが、ここでは内部壁T_2oは常にT₅から離
れており、T₅に固定されたフランジG_oに適合す
る接続リングV_oでT₅に固定されている。内部壁
T_2oは上部T_2o′が穴をあけられておらず（堅固部
分）、これにより主として軸方向流の第１ゾーン
Z_oaとその直下即ち穴あき部分T_2oの始端からの径
方向流ゾーンZ_obとが形成される。中央チユーブ
T₅はまた伸縮ベンドD_oを備えている。バスケツ
トC_oの底部F_oは２つの壁T_1o及びT_2oを接続し、
一方壁I_o及びT_1oは下部突出部即ちリングA_oiで互
いに接続されている。堅固な外部壁I_o（空間部分
“ｉ”を形成する）は突出部即ちリングA_osをも
つ頂部に至つており、ここでは既に述べた様に環
状スロツトQ_oが形成されており、その中には下
部環状テーパー端部P_o-1が心を合わせて適合され
る。より詳細に説明するため、第６図においては
熱伝導を最小限にするための断熱材層W_oで内張
りされた堅固な壁I_oが示されている。

第６Ａ図は一体物の殻Ｍをもち３つのモジユー
ルO₁，O₂及びO₃により形成されるカートリツジ
をもつ反応器（冷却手段付き）の全体図を表わ
し、ここではO₃のテーパー下端部P₃が反応器Ｒ
の殻Ｍの下部肩部５０上に形成されたスロツト
Q′₃内に適合される。一方O₃の上端部のスロツト
Q₃はO₂のテーパー環状基部P₂を受け入れており、
O₂の上部スロツトQ₂はO₁の基部P₁を受け入れて
いる。O₁の上端部はモジユールにより形成され
るカートリツジの頂部を閉じている蓋６０に結合
されている。第６Ａ図においては、冷却ガス入口
はQGIで示され、主流入口は矢印のMSIで示さ
れ、ガス出口は矢印のGOで示され、２′及び
２″はQGIから入る冷却ガスのトロイダルデイス
トリビユーターを示す。各モジユール内には粒状
触媒CGが位置する。

第７図は反応器Ｒの殻Ｍの内面を冷却するため
の空間部分をもたない低圧反応器用カートリツジ
を形成する簡単化されたモジユールO′_oを示す。
このケースでは、各モジユールO′₁，O′₂，……，
O′_n，……，O′_o-1，O′_o及びO′_o+1は外部壁I_oをも
たない点で第６及び６Ａ図のものと異なる：モジ
ユールO′_oは底部F_o、壁T_1o及びT_2o及び低部リン
グA_oiを有するが、上部リングA_osはもたず、これ
は殻Ｍの内部壁M′から突出して固定されている
サポートリングA′_o，A′_o-1でおきかえられてお
り、殻Ｍは保守と触媒の装入及び抜出しを簡単に
するため各モジユールO′_oの開放上端部に位置す
るマンホールH₁及びH₂を備えている。

第８図は供給ガスと触媒ベツドからの熱いガス
との間の交換が間接的な場合（熱交換器を通す
が、ガス混合による冷却は行わない）のモジユー
ルを示す。このケースでは、第６図のケースにお
いて記載された部品の外に、モジユールO″_oは熱
いガスを触媒ベツドZ_oから内部を供給ガスチユー
ブが通つている交換器E_oのチユーブの外側へと
搬送するための堅固な内部壁P_oiを含んでいる。
チユーブの外側のバツフルD_oは交換の効率を増
加させる。モジユールO″_oはまた伸縮ベンドD_oが
挿入されている接続ダクトC_oをも備えている。
このダクト内へガスデイストリビユーターC_oが
新規供給ガスを導入するので、ガス温度は更に容
易に制御される。

上記の設計を用いることにより、合成プラント
の要求に応じて、たとえばアンモニア及びメタノ
ールに対しては種々の圧力レベル（高圧、中圧、
低圧）で操作する種々のタイプの反応器モジユー
ルを得ることができる。

複数のモジユラーユニツトのカートリツジを案
出することはモジユール間のシールという問題に
関しては技術的に極めて困難なことであるとみら
れていた。というのは、モジユールはバイパスガ
スを生ぜしめ、反応効率がかなり減少するからで
ある。ところが驚くべきことに、簡単化されたガ
ス回路の故に圧力低下が減少するので、多数のモ
ジユールが図面で示される様に単にスロツトシー
ルで接続された場合においてさえ実質的にバイパ
スガスは存在しないことが分つた。モジユラーカ
ートリツジはまた一体物について生ずる問題（カ
ートリツジの技術的拡張により生起する）に関し
ても有利である。

本発明は図面で示されたいくつかの具体例（説
明のために記載されている）に制限されるもので
はなく当業者が適宜変更しうるものであることは
明らかである。たとえば第７及び７Ａ図におい
て、ガス流を頂部から底部へと向う様にし、中央
チユーブT₅及びそのフランジG_oを除去し接続リ
ングを堅固なデイスクとしてもよい。第８図のモ
ジユールは第７図で示されたモジユールの様に空
間部分を形成する部品（I_o）のないものでもよ
い。

得られる利点は次の通りである： １ 反応器内の簡単化されたガス流の結果として
圧力低下が減少することによる低エネルギー消
費。

２ 最低限の投資及び保守コスト。必要に応じて
個々のカートリツジモジユールは容易に取り替
えられる。

３ モジユラーカートリツジの組立及び触媒の装
入及び抜出しが容易。従来のカートリツジ全体
の重量に比べて個々のモジユールは軽いので、
プラントにおける高価なリフトイレーンの使用
を不用とし且つ輸送コストをも著しく減少させ
る。一体物の反応器カートリツジは通常は梱包
のために高価な金属フレームを必要とする。

４ 低価格及び簡単な構造のカートリツジ。実際
に、個々のモジユールは一体物カートリツジに
比べ構造上の精密さを要求されない。

５ 従来の径方向流反応器における各触媒バスケ
ツト頂部でのシールバツフルの必要性は、触媒
層の沈降の故にバツフル底部と触媒上面との間
の連続空間が著しいガスのバイパスの原因にな
るという欠点を示す。一方、本発明による主と
して軸方向流のゾーンZ_1a（バスケツトの穴あき
でない表面T′_2oにより決定される）はガスシー
ルパツドとしても作用し、従来のバツフルのみ
ではなく上記沈降を補正するため触媒層の上端
部の更に上に必要であるがガス転化に関係せず
余分にコストのかかる効果のない触媒頂上層を
も除去することができる。

【図面の簡単な説明】

第１，２，３，４，５，６，６Ａ，７，７Ａ及
び８図はいづれも本発明による反応器の断面図で
ある。 O_o：モジユール、Ｍ：殻。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 加圧下でのガス状反応剤の不均一接触反応の
   ための反応器において、 上記ガス状反応剤の導入のための入口と上記反
   応の生成物の流出のための出口とを有する殻と、 円筒形状の壁を有し且つ上記殻内に配置され上
   記入口と上記出口とを連絡せるカートリツジと、 上記カートリツジ内に支持された少なくとも２
   つの触媒収容バスケツトと、 を有し、 上記各バスケツトは穴あきでない底部、穴あき
   の円筒状外壁、該外壁と同軸状の穴あきの円筒状
   内壁、及び上記触媒収容バスケツトの上端部にお
   いて上記内壁及び外壁により規定される環状の開
   口を有し、該開口は上記内壁及び外壁の長手方向
   軸にほぼ垂直な面内に形成されており、上記底部
   及び上記内壁及び外壁が上記円筒形状カートリツ
   ジ壁と協動して上記ガス状反応剤の一部を上記バ
   スケツトの上記環状開口をほぼ軸方向に通過させ
   該ガス状反応剤の残部を上記バスケツトの上記穴
   あき円筒状外壁を通つてほぼ径方向に通過させて
   上記ガス状反応剤を上記各バスケツトの体積の５
   〜30％に相当する部分を軸方向に通過させる様に
   上記内壁及び外壁のうちの少なくとも一方が下部
   のみ穴あきとされている、 ことを特徴とする、反応器。 ２ 上記内壁の上部がその下部よりも小さな直径
   をもつ、特許請求の範囲第１項の反応器。 ３ 上記内壁が下部のみ穴あきであり、該内壁下
   部が該内壁の上部よりも大きな直径をもつ、特許
   請求の範囲第１項の反応器。 ４ 上記外壁の上部が下部よりも大きな直径をも
   つ、特許請求の範囲第１項の反応器。 ５ 上記外壁が下部のみ穴あきであり、該外壁の
   上部がその下部よりも大きな直径をもつ、特許請
   求の範囲第１項の反応器。 ６ ２つのバスケツトの間にそれぞれ上記反応生
   成物を冷却する手段が配置されている、特許請求
   の範囲第１項の反応器。 ７ 上記冷却手段がトロイダルデイストリビユー
   ターである、特許請求の範囲第６項の反応器。 ８ 上記冷却手段が新規ガス状反応剤を導入する
   ものである、特許請求の範囲第６項の反応器。 ９ 反応器の高さに対する上記殻の内径の比が
   0.1未満である、特許請求の範囲第１項の反応器。 １０ 加圧下でのガス状反応剤の不均一接触反応
   のための反応器において、 上記ガス状反応剤の導入のための入口と上記反
   応の生成物の流出のための出口とを有する殻と、 上記殻内に配置され上記入口と上記出口とを連
   絡せるカートリツジと、 を有し、 上記カートリツジは複数の触媒収容モジユール
   から構成され、各モジユールは穴あきの円筒状外
   壁を該外壁と同軸状の穴あきの円筒状内壁に結合
   せしめる穴あきでない底部を有し、上記内壁及び
   外壁は上端部において環状の開口を規定してお
   り、該開口は上記内壁及び外壁の長手方向軸にほ
   ぼ垂直な面内に形成されており、上記底部及び上
   記内壁及び外壁は上記カートリツジの穴あきでな
   い壁と協動して上記殻内に上記モジユールを維持
   する手段を形成しており、更に上記底部及び上記
   内壁及び外壁が上記カートリツジの穴あきでない
   壁と協動して上記ガス状反応剤の一部を上記モジ
   ユールの上記環状開口をほぼ軸方向に通過させ該
   ガス状反応剤の残部を上記モジユールの上記穴あ
   き円筒状外壁を通つてほぼ径方向に通過させて上
   記ガス状反応剤を上記各モジユールの体積の５〜
   30％に相当する部分を軸方向に通過させる様に上
   記内壁及び外壁のうちの少なくとも一方が下部の
   み穴あきとされている、 ことを特徴とする、反応器。 １１ 上記内壁の上部がその下部よりも小さな直
   径をもつ、特許請求の範囲第１０項の反応器。 １２ 上記内壁が下部のみ穴あきであり、該内壁
   下部が該内壁の上部よりも大きな直径をもつ、特
   許請求の範囲第１０項の反応器。 １３ 上記外壁の上部が下部よりも大きな直径を
   もつ、特許請求の範囲第１０項の反応器。 １４ 上記外壁が下部のみ穴あきであり、該外壁
   の上部がその下部よりも大きな直径をもつ、特許
   請求の範囲第１０項の反応器。 １５ ２つのモジユールの間にそれぞれ上記反応
   生成物を冷却する手段が配置されている、特許請
   求の範囲第１０項の反応器。 １６ 上記モジユール維持手段が、上記内壁上端
   において内側に延びており且つ内部ダクトの外面
   に装着された第１のスロツト付環状フランジと結
   合している環状リングと、上下方向に延びており
   且つ上記殻の内面に維持された第２のスロツト付
   環状フランジと結合している環状リングとからな
   る、特許請求の範囲第１０項の反応器。