JPH01502631A - Electrical insulation method for large area electrode body - Google Patents

Electrical insulation method for large area electrode body

Info

Publication number
JPH01502631A
JPH01502631A JP63502060A JP50206088A JPH01502631A JP H01502631 A JPH01502631 A JP H01502631A JP 63502060 A JP63502060 A JP 63502060A JP 50206088 A JP50206088 A JP 50206088A JP H01502631 A JPH01502631 A JP H01502631A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
masking agent
electrode body
electrically insulating
substrate
area electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63502060A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
小林 重義
マクマスター ハロルド エー.
ミユール ステフアン
Original Assignee
グラステツク ソラー インコーポレーテツド
旭硝子株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by グラステツク ソラー インコーポレーテツド, 旭硝子株式会社 filed Critical グラステツク ソラー インコーポレーテツド
Publication of JPH01502631A publication Critical patent/JPH01502631A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/14Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
    • H05K3/143Masks therefor
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。 (57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 大面積電極体の電気的絶縁方法 1亙立1 本発明は、半導体デバイス、特に太陽電池を製造する次の工程を容易にする為の 大面積電極体の電気的絶縁方法に関するものである。[Detailed description of the invention] Electrical insulation method for large area electrode body 1 step 1 The present invention provides a method for facilitating the next step in manufacturing semiconductor devices, particularly solar cells. The present invention relates to a method of electrically insulating a large-area electrode body.

11坦遺 電子デバイスの製造工程は、多数の複雑な工程や精密な扱いを必要とする。直列 に連結されたデバイスの製造工程において、接続を容易にする為に、しばしばデ バイスの下層にある構成要素を分離する必要がある。このようなデバイスの製造 にあたっては、電気的に絶縁する工程が困難で複雑になることがある。11 stories The manufacturing process of electronic devices requires many complex steps and precise handling. series In the manufacturing process of devices connected to It is necessary to separate the underlying components of the device. Manufacture of such devices In this case, the electrical isolation process can be difficult and complicated.

デバイス中の隣接するセルや構成単位の様々な層を電気的に絶縁する為に、レー ザービームを半導体基板面を横切って照射することは従来技術においてよく知ら れている0機械的な分離も、研磨工具や、マイクロ電子デバイスに研磨流を向け るノズルを有する研磨トリマー等により近年性われている。半導体同志の間の部 分における物質層の除去は、その部分の電極の電気抵抗が所望の値に上がるまで 、半導体の間に位置する断面部分をとり除くことによって成される。Layers are used to electrically isolate various layers of adjacent cells or building blocks in a device. It is well known in the prior art to irradiate a laser beam across the surface of a semiconductor substrate. Mechanical separation also directs the abrasive flow towards abrasive tools and microelectronic devices. In recent years, polishing trimmers and the like with nozzles have been used. A club between semiconductor comrades Removal of the material layer in minutes until the electrical resistance of the electrode in that part rises to the desired value , by removing the cross-sectional portion located between the semiconductors.

従来の方法では、パターンを有する材料層は、蒸着中に基板に機械的なマスクを 保持して蒸着することで形成されていた。あいにく、機械的なマスキングは基板 のかなりの部分をブロックしてしまうという影響をもたらす、というのは、適切 な分離を行うのに必要なマスクの下の部分は、半導体デバイスを製造するには大 きすぎるからである。これに加え、マスクの位置決めが困難であることから発生 する問題もある。In traditional methods, a patterned material layer is deposited using a mechanical mask on the substrate during deposition. It was formed by holding and vapor depositing. Unfortunately, mechanical masking It is appropriate to say that it has the effect of blocking a significant portion of The area under the mask required to achieve the desired separation is too large to fabricate semiconductor devices. This is because it is too loud. In addition to this, the problem occurs due to the difficulty in positioning the mask. There are also problems.

1972年9月19日にグリーンその他に付与された米国特許第3691695 号には、マイクロ電子素子に研摩材を直接吹出するノズルを有するマイクロ電子 素子用研摩トリマーが開示されている。ノズルはピボット軸に据え付けられバネ が縮んだ状態で最初の通常動作位置にセットされる。電気回路がトリミングされ ているマイクロ電子デバイスの電気特性を感知し、事前に決められている特性が 感知されたときシグナルを送るようになっている。U.S. Patent No. 3,691,695, granted to Green et al. on September 19, 1972. The issue describes a microelectronic device with a nozzle that sprays abrasive material directly onto microelectronic elements. A polishing trimmer for devices is disclosed. The nozzle is mounted on a pivot shaft and is set to its initial normal operating position in the retracted state. electrical circuits are trimmed It senses the electrical properties of microelectronic devices that are It will send a signal when it is detected.

1984年4月17日にスウォーツに付与された米国特許84443651号に は単一基板の上に直列に形成されたアモルファスシリコン太陽電池が開示されて いる。このような直列に連結されたアモルファスシリコン太陽電池を安価に形成 する方法は、溝が形成されたマスクを通してスプレーされた一連の塗料を用いた “塗ってはがす”方法を含んでいる0次に塗料がはがされ、その結果、金属部分 がその上の電極までのびる突起を形成してしまう。No. 8,444,3651 issued to Swartz on April 17, 1984. discloses amorphous silicon solar cells formed in series on a single substrate. There is. Forming such series-connected amorphous silicon solar cells inexpensively The method used a series of paints sprayed through a grooved mask. 0, which involves a “paint and peel” method, where the paint is removed and the resulting metal parts forms a protrusion that extends to the electrode above it.

1986年5月20日にウォレーその他に付与された米国特許第4590093 号には金属シリサイドからなる細い導電体を形成する方法が開示されている。開 示されているところでは、パターンを形成された多結晶シリコンは保護膜におお われ、縁部分を金属でカバーすることにより縁に沿って金属シリサイドに変換さ れる。残りのシリコン部分は選択的に除去され、形成された跡は導体マスクとし て働くことができる。U.S. Patent No. 4,590,093, issued to Walley et al. on May 20, 1986. A method for forming thin conductors made of metal silicide is disclosed in this issue. Open As shown, the patterned polycrystalline silicon covers a large portion of the protective layer. By covering the edges with metal, the edges are converted to metal silicide. It will be done. The remaining silicon portion is selectively removed, and the traces formed serve as a conductor mask. I can work there.

従って1本発明の目的は、半導体デバイス製造のための大面積電極体の電気的絶 縁を行うことである0本発明のもう一つの目的は、高価なレーザースクライブ方 法や、絶縁のために貴重な基板面積を消費してしまう機械的スクライブ方法を用 いることなしに太陽電池等の半導体デバイスの電極体の分離を行うことである。Therefore, one object of the present invention is to provide electrical isolation for large-area electrode bodies for semiconductor device manufacturing. Another purpose of the present invention is to perform edge cutting without expensive laser scribing methods. or mechanical scribing methods that consume valuable board area for insulation. The purpose of this method is to separate electrode bodies of semiconductor devices such as solar cells without having to use a solar cell.

i豆立!j 本発明は改良された大面積電極体の電気的絶縁方法を提供するものである。さら に詳しくは5本発明は半導体デバイスの製造工程において、薄膜電極体の微細な 分離のための化学的方法を提供するものである。マスキング剤は、あらかじめ決 められたパターンに基板表面に設けられる。好ましいマスキング剤は、有機溶媒 や水溶液とからなるグループから選ばれた溶剤などの、マスキング剤の上から形 成される物質とは化学的上不活性な溶剤により、簡単に除去できるものである。I Mamedate! j The present invention provides an improved method for electrically insulating large area electrode bodies. Sara For details, refer to 5. The present invention is applied to the manufacturing process of semiconductor devices, in which fine particles of thin film electrode bodies are It provides a chemical method for separation. Decide on the masking agent in advance. A pattern is provided on the surface of the substrate. Preferred masking agents are organic solvents A masking agent such as a solvent selected from the group consisting of The resulting material is one that can be easily removed with a chemically inert solvent.

有機溶媒の例としてはアルコール、アセトン等が、水溶液の例としては酸性溶液 が挙げられる。Examples of organic solvents include alcohol, acetone, etc. Examples of aqueous solutions include acidic solutions. can be mentioned.

次に導電性電極物質がパターンを有するマスキング剤の上に形成され、そして、 溶剤中で溶解することにより、マスキング剤はその上に形成された電極物質とと もに除去される。除去後には、基板の少なくとも一部は露出し、電気的に絶縁さ れた電極部分の間で所望の電気的接続ができるように、互いに電気的に絶縁され る。A conductive electrode material is then formed over the patterned masking agent, and By dissolving in a solvent, the masking agent interacts with the electrode material formed on it. Also removed. After removal, at least a portion of the substrate is exposed and electrically isolated. electrically insulated from each other to provide the desired electrical connection between the electrode parts. Ru.

マスキング剤は高分子材料、炭素質材料、硫酸塩、硝酸塩、フォトレジスト、酸 化物、炭厳塩から成るグループから選ばれる。マスキング剤は好ましくは炭酸バ リウム、炭酸カルシウム、又は炭化珪素である。マスキング剤を設ける工程はス クリーン印刷又はフォトリソグラフィ一工程により行なわれる。Masking agents include polymeric materials, carbonaceous materials, sulfates, nitrates, photoresists, and acids. Selected from the group consisting of salts and salts. The masking agent is preferably a carbonated bag. calcium carbonate, or silicon carbide. The process of applying masking agent is It is performed by one step of clean printing or photolithography.

特に、スクリーン印刷に適するもう1つの好ましいマスキング剤としては、遮蔽 用粉末と、ビヒクルと、その他の材料の混合物であるペーストが挙げられる。Another preferred masking agent, particularly suitable for screen printing, is Examples include pastes, which are mixtures of powder, vehicle, and other materials.

遮蔽用粉末としては、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、又は炭化珪素が好ましい 、これらの物質は、マスキング剤の上から化学的気相蒸着により上層膜を形成す るときの温度、通常400〜600℃程度の高い温度でも安定で、基体や、マス キング剤の上に形成される上層膜と実質的に化学的に不活性であるからである。Calcium carbonate, barium carbonate, or silicon carbide is preferred as the shielding powder. , these materials are deposited on top of the masking agent by chemical vapor deposition to form an upper layer. It is stable even at high temperatures, usually around 400 to 600℃, and does not damage the substrate or mass. This is because it is substantially chemically inert to the upper layer film formed on the king agent.

さらに、炭酸カルシウムに関しては、均一な粒径の粉末が容易に得られるので、 ビヒクルに均一に分散し、均一な遮蔽効果が得られる。その上、炭酸カルシウム は酸性溶液によって非常に容易に除去可使である。Furthermore, regarding calcium carbonate, powder with uniform particle size can be easily obtained. It is evenly dispersed in the vehicle and provides a uniform shielding effect. Moreover, calcium carbonate is very easily removable by acidic solutions.

遮蔽用粉末の平均粒径は0.51Lm未満であることが望ましい、より好ましく は最大粒径が0.51Lm未満であることが好ましい0粒径が小さくなる程、マ スキング剤の遮蔽効果は向上する。又1粒径が小さくなる程、マスキング剤はよ り微細なパターンでスクリーン印刷できるようになる。即ち、より薄い厚さでよ り細い幅で印刷できるようになる。このことは、光電交換セルの場合は特に重要 である。というのは、スクリーン印刷したときのマスキング剤が厚すざると、上 層膜の各部分の端縁部に非常に高い突起が発生する原因となり、これは、かかる 突起が光電交換セルの裏面電極に接触して短絡を起こしてしまうため、致命的な 問題となるのである。又、スクリーン印刷したマスキング剤の幅が広いと、光電 変換セルの太陽に露出した活性な部分の表面面積が減少し、光電変換効率が低下 してしまうからである。The average particle size of the shielding powder is desirably less than 0.51 Lm, more preferably It is preferable that the maximum particle size is less than 0.51Lm.The smaller the particle size, the more The shielding effect of the skinning agent is improved. Also, the smaller the particle size, the better the masking agent. This makes it possible to screen print finer patterns. In other words, the thickness is smaller. This allows you to print in narrower widths. This is especially important for photovoltaic switching cells. It is. This is because if the masking agent used during screen printing is too thick, it will not coat the surface. This causes very high protrusions to occur at the edges of each part of the layered film, and this This can be fatal as the protrusion contacts the back electrode of the photoelectric exchange cell and causes a short circuit. This becomes a problem. Also, if the width of the screen-printed masking agent is wide, the photovoltaic The surface area of the solar-exposed active part of the conversion cell is reduced, reducing the photoelectric conversion efficiency. This is because you end up doing it.

しかしながら1反対に、遮蔽用粉末の粒径が小さすぎると、ビヒクルに均一に分 散させるのが難しい、その上、非常に細かい粒子を作るのは困難である0以上の ような理由で、遮蔽用粉末の平均粒径は0.5μm未満、o、osgm以上であ ることが好ましい。However, on the other hand, if the particle size of the shielding powder is too small, it will not distribute uniformly into the vehicle. It is difficult to disperse, and moreover, it is difficult to make very fine particles. For these reasons, the average particle size of the shielding powder is less than 0.5 μm and more than osgm. It is preferable that

マスキング剤に含まれるビヒクルはスクリーン印刷性に優れ、微細なパターンで も寸法精度良く印刷できる程度の粘度を有し、簡単に除去できるものであればよ い、これらの性質を考慮すると、ビヒクルは、エチルセルロース、ニトロセルロ ース、又はアクリル樹脂を含むものが好ましい、粘度を調整するために、これら の物質と相溶性のある溶剤を添加しても良い、必要に応じて、高沸点溶剤、酸化 剤などをビヒクルに添加しても良い。The vehicle contained in the masking agent has excellent screen printing properties and can be printed in fine patterns. If it has a viscosity that allows printing with good dimensional accuracy and can be easily removed, it is fine. Considering these properties, the vehicle is ethylcellulose, nitrocellulose, Preferably, those containing a base or acrylic resin are used to adjust the viscosity. Solvents that are compatible with the substances may be added, if necessary, high boiling point solvents, oxidation Agents etc. may be added to the vehicle.

マスキング剤は、上記遮蔽用粉末を40〜60wt%、ビヒクルを60〜40w t%含んでいることが好ましい。The masking agent contains 40 to 60 wt% of the above-mentioned shielding powder and 60 to 40 wt% of the vehicle. It is preferable that it contains t%.

本発明において開示されているマスキング剤を設けるパターンは、半導体デバイ スの構成要素の直列接続に応用したものであり、基体の端から端まで延びる矩形 の導電帯を残すようなパターンを含んでいる。かかる導電帯は、各導電帯間の間 隔が最小になるように、例えば約0−1mm以上、約1.0mm以下の間隔をお いて、形成される0本発明の方法によれば、かかるパターンに限らず、どのよう な形のパターンも可能である。The pattern in which the masking agent disclosed in the present invention is provided is suitable for semiconductor devices. A rectangular shape that extends from one end of the base to the other. It contains a pattern that leaves a conductive band. Such conductive bands are arranged between each conductive band. To minimize the distance, for example, keep the distance between about 0-1 mm or more and about 1.0 mm or less. According to the method of the present invention, not only such patterns but also any type of pattern can be formed. Patterns of various shapes are also possible.

導電性電極物質からなる上層膜の形成は、インジウムを含む酸化錫、フッ素がド ープされた酸化錫、アンチモンがドープされた酸化錫等の透明導電性酸化物から なるマスキング剤と、その上に形成された電極物質とを除去する為に、基体は超 音波洗浄かつ/又は化学的洗浄され。The formation of the upper layer film consisting of conductive electrode material is carried out using tin oxide containing indium and fluorine doped. from transparent conductive oxides such as doped tin oxide and antimony-doped tin oxide. In order to remove the masking agent and the electrode material formed thereon, the substrate is Sonically and/or chemically cleaned.

それによってマスキング剤が除去された結果、基体が部分的に露出し、上記電極 材料の基体に残っている部分が電気的に絶縁される。これにより、分離された電 極体が形成され、かかる電気的に絶縁された電極部分の間で選択的な電気接続が 可能となる。かかる電気的に絶縁された電極部分間は、1000Ω以上の電気的 分離を生じる電気抵抗を呈する。The masking agent is thereby removed, and as a result, the substrate is partially exposed and the above electrode is removed. The portion of the material that remains on the substrate is electrically insulated. This allows isolated electrical Pole bodies are formed and selective electrical connections are made between such electrically isolated electrode portions. It becomes possible. There is an electrical resistance of 1000Ω or more between such electrically insulated electrode parts. exhibits electrical resistance that causes separation.

本発明の利点は、レーザーや、機械的研磨装置を用いずに、安い費用で、正確な 電極材料の除去ができることである0本発明の他の利点や特徴は1次の記載によ って認められる。The advantage of the present invention is that it is inexpensive and accurate, without the use of lasers or mechanical polishing equipment. Other advantages and features of the present invention include the ability to remove electrode materials. That's recognized.

単な雪 図1aから図ICは、本発明の方法を用いた。太陽電池等の半導体デバイスの製 造工程の概要を示す断面図である。just snow Figures 1a to 1C used the method of the invention. Manufacture of semiconductor devices such as solar cells FIG. 2 is a cross-sectional view showing an outline of the manufacturing process.

図2は本発明によってパターニングされた基体の一例を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an example of a substrate patterned according to the present invention.

−/熊 第1図には1本発明の方法が、半導体デバイスの段階的形成方法を示す図によっ て示されている0図1aには、基体14とあらかじめの選択されたパターンをも って設けられたマスキング剤12を有する、10で示されたデバイスが示されて いる。基体14の代表例としてはガラスが挙げられるが、プラスチック、金属箔 、シリコンウェハー、ガリウムヒ素ウニバー、従来使われていた基体等。−/Bear The method of the present invention is illustrated in FIG. FIG. 1a also shows a substrate 14 and a preselected pattern. A device designated 10 is shown having a masking agent 12 provided with There is. Typical examples of the base 14 include glass, but plastic, metal foil, etc. , silicon wafers, gallium arsenide univar, conventionally used substrates, etc.

ガラス以外の材料でもよい、基体14は、ガラス等の、非導電性、絶縁性基体で も良い、アルカリ金属を含むガラス基体の場合には、基体14は、かかるアルカ リ含有ガラス基体上に形成されたS、02.A文 0 、ZrO2等からなるア ルカリ拡散防止層を含んでいても良い、基体の大きさとしては、1フイート×1 フイートの太陽電池用の基体も含め、どのようなサイズであってもよい。The substrate 14 may be made of a material other than glass, but may be a non-conductive, insulating substrate such as glass. In the case of a glass substrate containing an alkali metal, the substrate 14 may contain such an alkali metal. S,02. A sentence consisting of 0, ZrO2, etc. The size of the substrate, which may include a lukewarm anti-diffusion layer, is 1 foot x 1 It can be of any size, including substrates for foot solar cells.

マスキング剤12を構成する材料は、高分子材料、炭素質材料、硫酸塩、硝酸塩 、フォトレジスト、酸化物、炭化物、炭酸塩からなるグループから選択されても 良い、好ましいマスキング剤としては、炭酸バリウム、炭酸カルシウム、又は炭 化珪素が挙げられる。他の好ましいマスキング剤としては、遮蔽用粉末、ビヒク ル、その他の材料の混合物が挙げられる。マスキング剤12のあらかじめ選択さ れたパターンは、スクリーン印刷あるいはフォトリソグラフィ一工程によって形 成されるのが好ましい、マスキング剤12の構成材料は、有機溶媒と水溶液から なるグループから選択される溶剤による除去のしやすさを考慮して選択される。The materials constituting the masking agent 12 include polymer materials, carbonaceous materials, sulfates, and nitrates. , photoresists, oxides, carbides, carbonates. Good and preferred masking agents include barium carbonate, calcium carbonate, or charcoal. Examples include silicon oxide. Other preferred masking agents include shielding powders, vehicle and mixtures of other materials. Pre-selected masking agent 12 The resulting pattern is formed by screen printing or a single photolithography process. The constituent material of the masking agent 12 is preferably made of an organic solvent and an aqueous solution. It is selected in consideration of ease of removal by a solvent selected from the group consisting of:

もちろん、マスキング剤の種類に応じて、種々の溶剤を選択して使用しなければ ならない。Of course, various solvents must be selected and used depending on the type of masking agent. No.

遮蔽用粉末とビヒクルとを有するマスキング剤を使用する場合には、その上に上 層膜を形成する前に、該マスキング剤を乾燥又は仮焼成する必要がある。When using a masking agent containing a shielding powder and a vehicle, Before forming a layer film, the masking agent needs to be dried or pre-baked.

図2には、マスキング剤12が、互いに間をあけて基体14の端から端まで延び た矩形の帯状体20を形成するようなパターンで設けられた例が示されている。In FIG. 2, the masking agents 12 extend from one end of the substrate 14 to the other at intervals. An example is shown in which they are provided in a pattern that forms a rectangular strip 20.

マスキング剤は、各帯状体間の間隔21を最小にするように設けられる。これは 、光電変換材料の太陽に露出した活性な部分の表面積を最大にすることがより有 利である光電変換素子の分野においては特に有益である。帯状体20の間の最小 の間隔21は、約0.1mm以上約1.0mm以下であることが好ましい。The masking agent is provided to minimize the spacing 21 between each strip. this is , it is more advantageous to maximize the surface area of the sun-exposed active part of the photovoltaic material. This is particularly advantageous in the field of photoelectric conversion elements, which have many advantages. The minimum between the strips 20 The interval 21 is preferably about 0.1 mm or more and about 1.0 mm or less.

次に、図1bに示した様に、錫を含む酸化インジウム。Next, as shown in Figure 1b, indium oxide containing tin.

フッ素又はアンチモンをドープした酸化錫等の透明導電性酸化物電極物質からな る上Jjli16が、パターンをもって塗布されたマスキング剤12の上から形 成される。かかる上層M16は、300A以上20000A以下、好ましくは3 000A以上20000A以下の厚さで形成される。Made of transparent conductive oxide electrode materials such as tin oxide doped with fluorine or antimony. Jjli 16 applies the shape from above the masking agent 12 applied in a pattern. will be accomplished. The upper layer M16 has a diameter of 300A or more and 20,000A or less, preferably 3 It is formed with a thickness of 000A or more and 20000A or less.

次にデバイス10はマスキング剤12を除去する為に溶剤と接触させられる。マ スキング剤12は、超音波洗浄かつ/又は化学的洗浄1例えばスプレーパス、タ ンクバスやその他従来の洗浄方法によって、有機溶媒又は水溶液中で除去される 。Device 10 is then contacted with a solvent to remove masking agent 12. Ma The skinning agent 12 is applied to ultrasonic cleaning and/or chemical cleaning 1 such as spray pass, tap removed in organic or aqueous solutions by water baths or other conventional cleaning methods. .

そして図ICに示した様に、マスキング剤12は除去され、基体14上にパター ニングされた電極物質N16が残される。マスキング剤12を除去し、た部分の 抵抗は1000Ω以上となる。結果として、電極物質16が別々の電極部分に分 離された図1cに示したような構造ができる。これでこれらの電極部分は、一体 重な光電変換デバイスの次の製造工程に、おいて直列接続をすることができる。Then, as shown in Figure IC, the masking agent 12 is removed and a pattern is placed on the substrate 14. The etched electrode material N16 is left behind. After removing the masking agent 12, The resistance will be 1000Ω or more. As a result, the electrode material 16 is divided into separate electrode parts. A structure like the one shown in FIG. 1c is created when separated. Now these electrode parts are integrated. Series connection can be made in the next manufacturing process of overlapping photoelectric conversion devices.

電極部分16の端縁部の突起17は、マスキング剤が非常に薄い厚みでスクリー ン印刷されれば低減できる。これは1粒径が小さい、好ましくは0.5ルm未満 の遮蔽用粉末を有するマスキング剤を用いることで実現できる。The protrusion 17 on the edge of the electrode portion 16 is coated with a very thin layer of masking agent. This can be reduced if printing is performed. This means that the particle size is small, preferably less than 0.5 lm This can be achieved by using a masking agent having a shielding powder of

本発明を次の実施例によってさらに詳細に説明する。The invention will be explained in more detail by the following examples.

支1璽」 lフィートス1フイート大のガラス基板上に、基体の端から端まで延びた矩形の 帯状体を歿すような図2に示したようなパターンをもって、帯状体の幅を約1c mとし、帯状体同志の間隔を約0.5mmとして、炭酸バリウムをス望のマスキ ング剤のパターンを形成した。その後、透明導電性酸化物膜を、パターンをもっ て塗布し九炭醸バリウムの上から形成した0次に、炭酸バリウムを、アルコール 中で化学的洗浄により除去した。ガラス基体の一部は露出し、透明導電性酸化物 の残りの部分は5000Ω以上の抵抗をもって電気的に分離された。1st Seal” A rectangular shape extending from one end of the base to the other on a 1 foot sized glass substrate. With a pattern like the one shown in Figure 2 that covers the strip, the width of the strip is about 1 cm. m, and the spacing between the strips was approximately 0.5 mm, and the barium carbonate was placed in a desired mask. A pattern of the dyeing agent was formed. After that, a transparent conductive oxide film with a pattern is applied. Next, apply barium carbonate and alcohol. It was removed by chemical cleaning inside. Part of the glass substrate is exposed and transparent conductive oxide The remaining portion was electrically isolated with a resistance of 5000Ω or more.

支亙皇」 平均粒径)(約0.3μmの炭酸カルシウム粉末100gと、エチルセルロース 6wt%とトリメチルペンタンジオールモノイソブチレー)94wt%からなる ビヒクル90gとを混練し、更にトリメチルペンタンジオールモノイソブチレー )25gを加えて、25℃における粘度が5oooocpsのペースト状のマス キング剤を作製した。The Emperor of China” (average particle size) (100 g of calcium carbonate powder of approximately 0.3 μm and ethyl cellulose) 6 wt% and trimethylpentanediol monoisobutyrate) 94 wt% Knead with 90g of vehicle, and then add trimethylpentanediol monoisobutylene. ) to form a paste-like mass with a viscosity of 5ooooocps at 25°C. A king agent was prepared.

lフィートス1フイート大で、表面にSiO2からなるアルカリ拡散バリヤ一層 を有するソーダライムシリケートガラス基板上に、基板の端から端まで延びた矩 形の帯状体を残すようなあらかじめ選択されたパターンをもって、帯状体の幅を 約1cmとし、帯状体同志の間隔を約0.4mmとして、上記マスキング剤を上 記5i02暦上にスクリーン印刷した。スクリーン印刷工程によって自動的に所 望のマスキング剤のパターンを形成した。印刷されたマスキング剤の厚みは約1 0Bmであった。1 foot large, with one layer of alkali diffusion barrier made of SiO2 on the surface. on a soda lime silicate glass substrate with a rectangular shape extending from one end of the substrate to the other. Adjust the width of the strip with a pre-selected pattern that leaves a strip of shape. The above masking agent was applied on top with a width of about 1 cm and a spacing between the strips of about 0.4 mm. Screen printed on the 5i02 calendar. Automatically placed by screen printing process The desired masking agent pattern was formed. The thickness of the printed masking agent is approximately 1 It was 0Bm.

該パターン印刷されたマスキング剤を有する該ガラス基板を150℃で10分間 乾燥した後、CVD装置に入れ。The glass substrate with the pattern-printed masking agent was heated at 150°C for 10 minutes. After drying, put it into the CVD equipment.

500℃に加熱した。テトラメチル錫蒸気酸素(0、517分)、及びブロモト リフロロメタン(CF B 、0.11/m1n)を含む窒素ガスを、上r 記パターン印刷されたガラス基板上に217m1nで吹きつけ1.0wt%のフ ッ素のドープされた酸化錫からなる上層m (II厚5000A)を形成した。It was heated to 500°C. Tetramethyltin vapor oxygen (0.517 min), and bromoto Nitrogen gas containing refluoromethane (CFB, 0.11/ml) was A 1.0 wt% film was sprayed onto the glass substrate with the above pattern printed at 217 m1n. An upper layer m (II thickness: 5000 A) made of fluorine-doped tin oxide was formed.

次に、水溶液中で超音波洗浄してマスキング剤を除去した。ガラス基板の一部が 露出し、フッ素がドープされた酸化錫膜の残りの部分は互いに4000Ω以上の 抵抗をもって電気的に絶縁された。フッ素がドープされた酸化錫膜の各部分の端 縁部の突起の高さは約0.21Lm程度であった。Next, the masking agent was removed by ultrasonic cleaning in an aqueous solution. Part of the glass substrate The remaining portions of the exposed, fluorine-doped tin oxide film are connected to each other by a resistance of 4000Ω or more. electrically isolated with resistance. Edges of each part of fluorine-doped tin oxide film The height of the edge protrusion was approximately 0.21 Lm.

次に、該パターニングされた酸化錫膜を有するガラス基板上にプラズマCVD法 でアモルファスシリコン膜(M厚400OA)を成膜し、さらに、裏面電極とし て該アモルファスシリコン膜上に銀の被膜を形成して太陽電池を作製した。Next, a plasma CVD method was applied to the glass substrate having the patterned tin oxide film. An amorphous silicon film (M thickness 400OA) was formed using A silver film was formed on the amorphous silicon film to produce a solar cell.

該太陽電池の上記酸化錫膜のパターニングされた各部分に対応した各セクション ごとの電気的特性を調べたところ短絡の発生したセクションはなかった。Each section corresponding to each patterned portion of the tin oxide film of the solar cell When we examined the electrical characteristics of each section, there were no sections where a short circuit occurred.

上記実施例や説明では、透明導電酸化物やマスキング剤の具体例を例示したが、 例示しなかった他の材料も用いることができることは、かかる技術に携わる者に は明らかである。さらに、上述した説明や実施例は電極体材料を対象にしている が、本発明の有用性はこれに限られたものではない0次の特許請求の範囲は1本 発明の範囲を特定しようとするものである。In the above examples and explanations, specific examples of transparent conductive oxides and masking agents were illustrated, but It should be noted to those involved in such technology that other materials not exemplified can also be used. is clear. Furthermore, the above description and examples are directed to electrode body materials. However, the usefulness of the present invention is not limited to this. It attempts to specify the scope of the invention.

FJGLJF?E I a FIGυREIb FIGURE Ic FIGURE 2 − 国際調査報告FJGLJF? E I a FIGυREIb FIGURE Ic FIGURE 2 − International search report

Claims (27)

【特許請求の範囲】[Claims] 1.マスキング剤を支持する表面を有する基体上に、あらかじめ選択されたパタ ーンをもってマスキング剤を設ける工程; 該パターンをもって設けられたマスキング剤上に、錫を含む酸化インジウム、フ ッ素がドープされた酸化錫、アンチモンがドープされた酸化錫からなるグループ のうちから選ばれた透明導電性酸化物電極物質からなる上層膜を形成する工程; マスキング剤と、その上に形成された電極物質とを溶剤中で溶解することによっ て除去し、それによって、基体の少なくとも一部分が露出し、又、上記電極物質 の基体に残っている部分が、電気的に絶縁された電極部分の間で所望の電気的接 続ができるように、互いに電気的に絶縁されるようにする工程; とを有する、電極体の上に形成される半導体の直列接続を容易にするための大面 積電極体の電気的絶縁方法。1. A preselected pattern is placed on a substrate that has a surface that supports the masking agent. applying a masking agent with a mask; On the masking agent provided with the pattern, indium oxide containing tin, film A group consisting of fluorine-doped tin oxide and antimony-doped tin oxide forming an upper layer film made of a transparent conductive oxide electrode material selected from; By dissolving the masking agent and the electrode material formed on it in a solvent, removing the electrode material, thereby exposing at least a portion of the substrate; The remaining parts of the substrate form the desired electrical connection between the electrically isolated electrode parts. a step of electrically insulating each other so that connections can be made; and a large surface for facilitating series connection of semiconductors formed on the electrode body. A method of electrically insulating a stacked electrode body. 2.その後に形成される物質と実質的に化学的に活性を持たない溶剤によって容 易に除去され得るマスキング剤を、マスキング剤を形成する表面を有する基体上 に、あらかじめ選択されたパターンをもって設ける工程;該パターンをもって設 けられたマスキング剤上に、導電性酸化物電極物質からなる上層膜を形成する工 程;マスキング剤と、その上に形成された電極物質とを上記溶剤中で溶解するこ とによって除去し、それによって、基体の少なくとも一部分が露出し、又、上記 電極物質の基体に残っている部分が、電気的に絶縁された電極部分の間で所望の 電気的接続ができるように、互いに電気的に絶縁されるようにする工程; とを有する、電極体の上に形成される半導体の直列接続を容易にするための大面 積電極体の電気的絶縁方法。2. The substance subsequently formed and the substantially chemically inactive solvent Applying an easily removable masking agent onto a substrate having a surface forming the masking agent. process of providing a pattern with a preselected pattern; A process of forming an upper layer film made of a conductive oxide electrode material on the masking agent that has been exposed. Process: Dissolving the masking agent and the electrode material formed thereon in the above solvent. and removing at least a portion of the substrate, thereby exposing at least a portion of the substrate; The portion of the electrode material remaining on the substrate is placed between the electrically isolated electrode portions as desired. making them electrically isolated from each other so that electrical connections can be made; and a large surface for facilitating series connection of semiconductors formed on the electrode body. A method of electrically insulating a stacked electrode body. 3.マスキング剤を設ける工程は、高分子材料、炭素質材料、硫酸塩、硝酸塩、 フォトレジスト、酸化物、炭化物、炭酸塩からなるグループから選択されたマス キング剤を設けることによって成されることを特徴とする請求項1又は2記載の 大面積電極体の電気的絶縁方法。3. The process of providing a masking agent involves the use of polymeric materials, carbonaceous materials, sulfates, nitrates, A mass selected from the group consisting of photoresists, oxides, carbides, carbonates Claim 1 or 2, characterized in that it is achieved by providing a king agent. Electrical insulation method for large area electrode bodies. 4.マスキング剤が、炭酸バリウム、炭酸カルシウム、炭化珪素からなるグルー プから選択されたものであることを特徴とする請求項3記載の大面積電極体の電 気的絶縁方法。4. The masking agent is a glue made of barium carbonate, calcium carbonate, and silicon carbide. 4. The large area electrode body according to claim 3, wherein the electrode body is selected from the group consisting of: Gas insulation method. 5.マスキング剤を設ける工程は、遮蔽用粉末とビヒクルとから成るマスキング 剤を設けることによって成されることを特徴とする請求項1又は2記載の大面積 電極体の電気的絶縁方法。5. The step of providing a masking agent includes forming a masking agent consisting of a shielding powder and a vehicle. A large area according to claim 1 or 2, characterized in that the large area is achieved by providing an agent. Method of electrically insulating electrode bodies. 6.遮蔽用粉末が、炭酸バリウム,炭酸カルシウム、炭化珪素からなるグループ から選ばれたものであることを特徴とする請求項5記載の大面積電極体の電気的 絶縁方法。6. The shielding powder is a group consisting of barium carbonate, calcium carbonate, and silicon carbide. The electrical conductivity of the large area electrode body according to claim 5, characterized in that it is selected from Insulation method. 7.遮蔽用粉末が、0.5μm未満の粒径を有することを特徴とする請求項5記 載の大面積電極体の電気的絶縁方法。7. Claim 5, characterized in that the shielding powder has a particle size of less than 0.5 μm. A method for electrically insulating large-area electrode bodies. 8.ビヒクルが、エチルセルロース、ニトロセルロース,及びアクリル樹脂から なるグループから選ばれた少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項5記載 の大面積電極体の電気的絶縁方法。8. The vehicle is made of ethylcellulose, nitrocellulose, and acrylic resin. Claim 5, characterized in that it contains at least one species selected from the group consisting of: A method for electrically insulating large-area electrode bodies. 9.マスキング剤を設ける工程は、互いに間をあけて基体の端から端まで延びた 矩形の帯状体を含む、直列接続に適用されるパターンをもって設けることで行わ れることを特徴とする請求項1又は2記載の大面積電極体の電気的絶縁方法。9. The process of providing masking agents involves applying masking agents that extend from one end of the substrate to the other at intervals. This is done by providing a pattern that applies to series connections, including rectangular strips. 3. The method of electrically insulating a large-area electrode body according to claim 1 or 2. 10.帯状体は互いに最小の間隔をおいて形成されることを特徴とする請求項9 記載の大面積電極体の電気的絶縁方法。10. Claim 9, characterized in that the strips are formed with a minimum distance from each other. A method for electrically insulating the large-area electrode body described above. 11.帯状体間の最小の間隔が0.1mm以上1.0mm以下であることを特徴 とする請求項10記載の大面積電極体の電気的絶縁方法。11. Characterized by the minimum interval between the strips being 0.1 mm or more and 1.0 mm or less The method of electrically insulating a large-area electrode body according to claim 10. 12.マスキング剤を基体上に設ける工程は、マスキング剤を導電性のない絶縁 基体上に設けることによって成されることを特徴とする請求項1又は2記載の大 面積電極体の電気的絶縁方法。12. The process of applying the masking agent on the substrate involves applying the masking agent to a non-conductive insulator. The main body according to claim 1 or 2, characterized in that it is achieved by providing on a base body. Method of electrically insulating area electrode bodies. 13.マスキング剤を設ける工程は、有機溶媒と水溶液とからなるグループから 選ばれた溶剤によって容易に除去できるマスキング剤を設けることによって成さ れることを特徴とする請求項1又は2記載の大面積電極体の電気的絶縁方法。13. The process of providing a masking agent consists of a group consisting of an organic solvent and an aqueous solution. This is accomplished by providing a masking agent that is easily removed by the chosen solvent. 3. The method of electrically insulating a large-area electrode body according to claim 1 or 2. 14.有機溶媒がアルコールであることを特徴とする請求項13記載の大面積電 極体の電気的絶縁方法。14. 14. The large area electrode according to claim 13, wherein the organic solvent is alcohol. Method of electrically insulating pole bodies. 15.水溶液が酸性溶液であることを特徴とする請求項13記載の大面積電極体 の電気的絶縁方法。15. The large-area electrode body according to claim 13, wherein the aqueous solution is an acidic solution. electrical isolation method. 16.導電性酸化物電極物質からなる上層膜の形成は、透明導電酸化物を形成す ることによって成されることを特徴とする請求項2記載の大面積電極体の電気的 絶縁方法。16. Formation of the upper layer film consisting of a conductive oxide electrode material involves forming a transparent conductive oxide. The electrical conductivity of the large area electrode body according to claim 2, characterized in that the electrical Insulation method. 17.導電性酸化物電極物質からなる上層膜の形成は、錫を含む酸化インジウム を形成することによって成されることを特徴とする請求項2記載の大面積電極体 の電気的絶縁方法。17. The formation of the upper layer film consisting of a conductive oxide electrode material consists of indium oxide containing tin. 3. The large-area electrode body according to claim 2, wherein the large-area electrode body is formed by forming a electrical isolation method. 18.導電性酸化物電極物質からなる上層膜の形成は、フッ素文はアンチモンを ドープした酸化錫を形成することによって成されることを特徴とする請求項2記 載の大面積電極体の電気的絶縁方法。18. The formation of the upper layer film consisting of a conductive oxide electrode material consists of fluorine and antimony. Claim 2, characterized in that it is achieved by forming doped tin oxide. A method for electrically insulating large-area electrode bodies. 19.導電性酸化物電極物質からなる上層膜の形成は、かかる材料を3000Å 以上20000Å以下の膜厚で形成することによって成されることを特徴とする 請求項1又は2記載の大面積電極体の電気的絶縁方法。19. Formation of the upper layer of conductive oxide electrode material involves depositing such material at a thickness of 3000 Å. It is characterized by being formed by forming a film with a thickness of at least 20,000 Å or less. A method for electrically insulating a large-area electrode body according to claim 1 or 2. 20.マスキング剤の除去は、超音波洗浄によって行われることを特徴とする請 求項1又は2記載の大面積電極体の電気的絶縁方法。20. The masking agent is removed by ultrasonic cleaning. A method for electrically insulating a large-area electrode body according to claim 1 or 2. 21.マスキング剤の除去は、化学的洗浄によって行われることを特徴とする請 求項1又は2記載の大面積電極体の電気的絶縁方法。21. The masking agent is removed by chemical cleaning. A method for electrically insulating a large-area electrode body according to claim 1 or 2. 22.マスキング剤を設ける工程は、スクリーン印刷によって行われることを特 徴とする請求項1又は2記載の大面積電極体の電気的絶縁方法。22. It is noted that the process of applying the masking agent is carried out by screen printing. 3. The method of electrically insulating a large-area electrode body according to claim 1 or 2. 23.マスキング剤を設ける工程は、フォトリソグラフィーを用いたプロセスに よって行われることを特徴とする請求項1又は2記載の大面積電極体の電気的絶 縁方法。23. The process of applying the masking agent is a process using photolithography. The electrical isolation of the large area electrode body according to claim 1 or 2, characterized in that Edge method. 24.マスキング剤を除去することによって、1000Ω以上の電気的な分離を 生じさせることを特徴とする請求項1又は2記載の大面積電極体の電気的絶縁方 法。24. By removing the masking agent, electrical isolation of 1000Ω or more can be achieved. 3. The method of electrically insulating a large area electrode body according to claim 1 or 2, characterized in that: Law. 25.表面を有するガラス基体上に、互いに約0.1mm以上1.0mm以下の 間隔をおいて基体の端から端まで延びる矩形の帯状体を残すようにあらかじめ選 択されたパターンをもって、炭酸バリウムを設ける工程;該パターンをもうて設 けられた炭酸バリウム上に、透明導電性酸化物からなる上層膜を形成する工程; 炭酸バリウムとその上に形成された電極物質とをアルコール中で溶解することに よって除去し、それによって、ガラス基体の少なくとも一部分が露出して,透明 導電性酸化物の残りの部分が、電気的に絶縁された透明導電性酸化物の部分間で 所望の電気的接続ができるように、電気的に絶縁されるようにする工程; とを有する、電極体の上に形成される半導体の直列接続を容易にするための大面 積電極体の電気的絶縁方法。25. On a glass substrate having a surface, a distance of about 0.1 mm or more and 1.0 mm or less from each other is formed. Pre-selected to leave rectangular strips extending from edge to edge of the substrate at intervals. Step of applying barium carbonate with the selected pattern; A step of forming an upper layer film made of a transparent conductive oxide on the oxidized barium carbonate; By dissolving barium carbonate and the electrode material formed on it in alcohol. The glass substrate is thus removed, thereby exposing at least a portion of the glass substrate and making it transparent. The remaining portions of the conductive oxide are electrically insulated between the transparent conductive oxide portions. providing electrical isolation so that the desired electrical connections can be made; and a large surface for facilitating series connection of semiconductors formed on the electrode body. A method of electrically insulating a stacked electrode body. 26.表面を有するガラス基体上に、互いに約0.1mm以上1.0mm以下の 間隔をおいて基体の端から端まで延びる矩形の帯状体を残すようにあらかじめ選 択されたパターンをもって、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、及び炭化珪素から なるグループから選択された少なくとも1種の粉末とビヒクルからなるマスキン グ剤をスクりーン印刷によって設ける工程; 該パターンをもって設けられたヤスキング剤上に、透明導電性酸化物からなる上 層膜を形成する工程;該マスキング剤とその上に形成された電極物質とを水溶液 中で溶解することによって除去し、それによって、ガラス基体の少なくとも一部 分が露出して、透明導電性酸化物の残りの部分が、電気的に絶縁された透明導電 性酸化物の部分間で所望の電気的接続ができるように、電気的に絶縁されるよう にする工程; とを有する、電極体の上に形成される半導体の直列接続を容易にするための大面 積電極体の電気的絶縁方法。26. On a glass substrate having a surface, a distance of about 0.1 mm or more and 1.0 mm or less from each other is formed. Pre-selected to leave rectangular strips extending from edge to edge of the substrate at intervals. from calcium carbonate, barium carbonate, and silicon carbide with selected patterns. A maskin comprising at least one powder selected from the group consisting of a vehicle and a vehicle. applying the adhesive by screen printing; A coating made of a transparent conductive oxide is placed on the masking agent provided with the pattern. Step of forming a layer; the masking agent and the electrode material formed thereon are dissolved in an aqueous solution. removing at least a portion of the glass substrate by dissolving it in the glass substrate, thereby removing at least a portion of the glass substrate; The remaining portion of the transparent conductive oxide is exposed and the remaining portion of the transparent conductive oxide is electrically insulated. electrically isolated to allow the desired electrical connection between the oxidized portions. The process of making; and a large surface for facilitating series connection of semiconductors formed on the electrode body. A method of electrically insulating a stacked electrode body. 27.マスキング剤が水溶液中で超音波洗浄によって除去されることを特徴とす る請求項26記載の大面積電極体の電気的絶縁方法。27. Characterized by the fact that the masking agent is removed by ultrasonic cleaning in an aqueous solution. 27. The method of electrically insulating a large-area electrode body according to claim 26.
JP63502060A 1987-02-27 1988-02-26 Electrical insulation method for large area electrode body Pending JPH01502631A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US1986887A 1987-02-27 1987-02-27
US019868 1987-02-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01502631A true JPH01502631A (en) 1989-09-07

Family

ID=21795474

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63502060A Pending JPH01502631A (en) 1987-02-27 1988-02-26 Electrical insulation method for large area electrode body

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0302946A1 (en)
JP (1) JPH01502631A (en)
AU (1) AU1364288A (en)
WO (1) WO1988006803A1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8677929B2 (en) 2010-12-29 2014-03-25 Intevac, Inc. Method and apparatus for masking solar cell substrates for deposition

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4206254A (en) * 1979-02-28 1980-06-03 International Business Machines Corporation Method of selectively depositing metal on a ceramic substrate with a metallurgy pattern
US4339305A (en) * 1981-02-05 1982-07-13 Rockwell International Corporation Planar circuit fabrication by plating and liftoff
US4443651A (en) * 1981-03-31 1984-04-17 Rca Corporation Series connected solar cells on a single substrate
US4396458A (en) * 1981-12-21 1983-08-02 International Business Machines Corporation Method for forming planar metal/insulator structures

Also Published As

Publication number Publication date
AU1364288A (en) 1988-09-26
EP0302946A1 (en) 1989-02-15
WO1988006803A1 (en) 1988-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
USRE37512E1 (en) Method of preparing solar cell front contacts
US4181755A (en) Thin film pattern generation by an inverse self-lifting technique
US4978423A (en) Selective solder formation on printed circuit boards
US7960206B2 (en) Adjustment of masks by re-flow
US20070262846A1 (en) Fine line thick film resistors by photolithography
JP2002353473A (en) Production method for solar battery
US7446051B2 (en) Method of etching silicon
US7585781B2 (en) Method of forming openings in an organic resin material
JPWO2005045911A1 (en) Pattern forming method, electronic circuit manufactured thereby, and electronic apparatus using the same
JP2001520807A (en) Decal and method for providing anti-reflective coating and metallization of solar cells
EP0193820A2 (en) Method for forming a thin film pattern
JPH07135333A (en) Fabrication of solar cell
WO1991017572A1 (en) Solar cell
TW201308616A (en) Method of forming conductive pattern on substrate
JPH01502631A (en) Electrical insulation method for large area electrode body
JP2001144263A (en) Dielectric element and manufacturing method of dielectric method
JPH04251986A (en) Manufacture of solar cell
Watanabe et al. Thick-film fine pattern formation by a photolithographic process
JPH0629647A (en) Peeling method of photo resist
JPS5536927A (en) Manufacturing of semiconductor device
JPH0319378A (en) Manufacture of solar cell
JPS5827664B2 (en) Method for manufacturing a device with a flat surface
CN116053332A (en) Back contact type silicon heterojunction solar cell and preparation method thereof
CN116053347A (en) Back contact type silicon heterojunction solar cell and preparation method thereof
JPH0574952B2 (en)